CN107119323A - 一种CVDZnS晶体材料的掺杂改性方法 - Google Patents

一种CVDZnS晶体材料的掺杂改性方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107119323A
CN107119323A CN201710287346.8A CN201710287346A CN107119323A CN 107119323 A CN107119323 A CN 107119323A CN 201710287346 A CN201710287346 A CN 201710287346A CN 107119323 A CN107119323 A CN 107119323A
Authority
CN
China
Prior art keywords
zinc
crystalline materials
cvd zns
cvd
modification method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710287346.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107119323B (zh
Inventor
姜杰
李茂忠
吴绍华
王侃
子光平
应飞飞
夏青松
张明
郭晨宇
朱凯
缪彦美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yunnan North Optical Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
YUNNAN KIRO-CH PHOTONICS Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by YUNNAN KIRO-CH PHOTONICS Co Ltd filed Critical YUNNAN KIRO-CH PHOTONICS Co Ltd
Priority to CN201710287346.8A priority Critical patent/CN107119323B/zh
Publication of CN107119323A publication Critical patent/CN107119323A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107119323B publication Critical patent/CN107119323B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B28/12—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the gas state
    • C30B28/14—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the gas state by chemical reaction of reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种CVD ZnS晶体材料的掺杂改性方法，在沉积之前在锌坩埚中加入一种金属M，或M与锌的合金Zn‑M作为掺杂剂，加热熔化、混合均匀，获得M掺杂锌原料，然后再进行化学气相沉积，沉积完成后通过恒温恒压热处理，这样可以增强CVD ZnS晶体材料的力学和机械性能。通过本方法，可以在不明显影响CVD ZnS材料红外透过性能的前提下达到增强CVD ZnS的机械性能的效果，改善了CVD ZnS晶体材料的力学性能，提高了CVD ZnS晶体材料的机械强度，增强了耐腐蚀性、抗热冲击性能，适合于规模化生产和商业化应用。

Description

一种CVDZnS晶体材料的掺杂改性方法
技术领域
本发明属于光电子材料掺杂改性及制造领域，具体涉及CVD ZnS晶体材料的掺杂改性方法。
背景技术
CVD ZnS光学晶体是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，在8～12μm长波红外波段具有良好的红外透过率，在进行热等静压处理后，在可见光、近红外和中红外波段也具有优良的光学透过率，因此，可广泛用于制备大功率红外激光器窗口及红外吊舱，高速飞行器红外窗口和整流罩，以及汽车等其他批量应用的视觉增强系统中的多光谱光学透镜。目前，全球范围内商业化应用ZnS光学材料的制备工艺，主要有ZnS粉末热压工艺和化学气相沉积(CVD)工艺两种，CVD工艺生长CVD ZnS具有光学性能优良，纯度高，均匀性好的优点，而且可以生长出大尺寸以及平面或曲面等符合光学器件需求的形状，后续开发的热等静压技术，不仅提高了CVD ZnS晶体材料在8～12μm长波红外波段的光学透过率，还将其光学透射波段扩展到可见波段，CVD ZnS在很大程度上取代了热压硫化锌，成为制作多光谱光学元器件的主要首选材料，具有巨大的市场需求。
然而，对于CVDZnS晶体材料，更多的关注点主要集中在提高其光学性能上，而忽略了其力学及机械性能。CVDZnS晶体材料具有较差的力学性能和机械性能，事实上，目前通过CVD工艺生长的ZnS材料在沉积过程中其性能并没有得到改善，研究表明，当将CVDZnS进行退火或热等静压等热处理后，其在可见光、近红外和中红外波段的透过率虽然得到明显提高，但该处理过程也导致了ZnS晶体材料内晶粒的增大，使其变得更加柔软，硬度和弯曲强度等力学及机械性能降低，进而降低其耐腐蚀性、抗热冲击性能，严重影响其光学系统在高速飞行以及在各种恶劣环境条件下的应用。因此，如何提高CVD ZnS晶体材料的力学性能，增强CVD ZnS晶体材料的机械强度，进而改善CVD ZnS晶体材料的耐腐蚀性、抗热冲击性能，是影响CVD ZnS晶体材料深入广泛应用的最大屏障和难题，也是CVD ZnS晶体材料制备过程中改善材料性能方面所面临的关键技术瓶颈和挑战。
发明内容
本发明提供一种双面均匀沉积CVDZnS块体材料的设备，提出利用创新性的沉积基板结构和喷嘴结构，通过从沉积空间底部抽真空，控制气流由下而上，再由上而下导流，使锌蒸汽和硫化氢气体均匀混合并沿沉积基板双面均匀沉积，可一次制备得到9块300×300×15mm的光学质量均匀且厚度均匀的硫化锌多晶块体材料，既能制备出品质好的硫化锌多晶块体材料，又可大大提高生产效率。
本发明采取的具体技术方案是一种CVD ZnS晶体材料的掺杂改性方法包括以下具体步骤：其工艺步骤具体包括：步骤1：(1)掺杂：在石墨坩埚中装入原料锌和一定质量百分比浓度的掺杂剂金属M或M与锌合金Zn-M，然后(2)熔化、混匀、冷却：将石墨坩埚放入带转动装置的加热炉中，加热熔化，混合均匀后冷却，获得用于化学气相沉积的掺杂锌原料；(3)生长：将石墨坩埚放入沉积炉中，按化学气相沉积工艺完成晶体生长，获得掺杂CVD ZnS晶体。步骤2：(1)按化学气相沉积工艺完成晶体生长获得CVD ZnS晶体；(2)将CVD ZnS进行表面研磨和抛光；(3)在CVD ZnS晶体的至少一个表面沉积一层金属M膜或其硫化物M2Sx膜，然后步骤3：将所得晶体材料在惰性气体气氛中进行恒温恒压热处理。
在一种优选的实施方式中，需要加入金属锌，还需要另外加入一种金属M或其硫化物M2Sx作为掺杂剂；
在一种优选的实施方式中，掺杂剂金属M为钛、镓、铟、锆、镧中的一种，或其与锌的合金锌-钛(Zn-Ti)、锌-镓(Zn-Ga)、锌-铟(Zn-In)、锌-锆(Zn-Zr)、锌-镧(Zn-La)中的一种。
在一种优选的实施方式中，掺杂剂金属M的纯度为4N～8N。
在一种优选的实施方式中，加入的掺杂剂金属M的质量百分比浓度为1～15％。
在一种优选的实施方式中，所述的熔化、混匀、冷却在惰性气氛中完成，完成条件为：温度400～850℃，压力为常压，时间为6～36小时。
在一种优选的实施方式中，所述的表面抛光的等级在光学IV级及以上。
在一种优选的实施方式中，所述的金属M膜为钛、镓、铟、锆、镧中的一种，硫化物膜为硫化钛(TiS2)、硫化镓(Ga2S3)、硫化铟(In2S3)、硫化锆(ZrS2)、硫化镧(La2S3)中的一种。
在一种优选的实施方式中，所述的恒温恒压热处理过程是在惰性气氛中进行，完成条件为：温度500～950℃，压力50～200MPa，过程时间为30～600分钟。
在本发明的实际应用中，无论是在化学气相沉积前对锌原料进行掺杂，还是在化学气相沉积后对CVD ZnS进行镀膜掺杂，都要将金属M元素渗入到CVDZnS晶体材料中，在CVDZnS中形成金属硫化物(M2Sx)，然后再通过恒温恒压热处理，Zn-M-S组成三元化合物并以第二相的形式沉析出来，均匀的分布在CVD ZnS晶体材料中或其表面。从而实现对CVD ZnS材料组分和内部结构的重组与调整，实现增强CVD ZnS晶体材料力学和机械性能的目的，同时对光学性能没有明显影响。如果是在化学气相沉积前对原料进行掺杂，则掺杂的金属硫化物会与ZnS一起沉积，如果是在化学气相沉积后对CVD ZnS进行镀膜掺杂，则金属M或其硫化物M2Sx沉积到CVD ZnS的表面上，在后续的恒温恒压热处理过程中再渗透到硫化锌晶体的表层，渗入的深度取决于处理过程的时间、压强和温度。
本发明在不降低材料红外透过性能的前提下达到了增强CVD ZnS晶体材料力学和机械性能的效果，并将多晶微结构的成核控制在非常小的尺寸范围内，材料内部的孔隙度减小，从而对CVD ZnS晶体材料的光学性能不会造成明显的影响。
本发明的有益效果是通过掺杂技术和工艺，实现CVD ZnS晶体材料改性的目的。在不明显影响其光学透过性能的前提下，使其力学性能增强，机械强度增大，进而提高和改善CVD ZnS晶体材料的耐腐蚀性、抗热冲击性能。
附图说明
附图1为未掺杂和掺杂的CVD ZnS晶体材料的红外透过率曲线对比图；
附图2为不同掺杂剂掺杂CVD ZnS晶体材料在长波红外波段的透过率曲线。
具体实施方式
下面将结合本发明的附图，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供一种双面均匀沉积CVDZnS块体材料的设备，提出利用创新性的沉积基板结构和喷嘴结构，通过从沉积空间底部抽真空，控制气流由下而上，再由上而下导流，使锌蒸汽和硫化氢气体均匀混合并沿沉积基板双面均匀沉积，可一次制备得到9块300×300×15mm的光学质量均匀且厚度均匀的硫化锌多晶块体材料，既能制备出品质好的硫化锌多晶块体材料，又可大大提高生产效率。
本发明采取的具体技术方案是一种CVD ZnS晶体材料的掺杂改性方法包括以下具体步骤：其工艺步骤具体包括：步骤1：(1)掺杂：在石墨坩埚中装入原料锌和一定质量百分比浓度的掺杂剂金属M或M与锌合金Zn-M，然后(2)熔化、混匀、冷却：将石墨坩埚放入带转动装置的加热炉中，加热熔化，混合均匀后冷却，获得用于化学气相沉积的掺杂锌原料；(3)生长：将石墨坩埚放入沉积炉中，按化学气相沉积工艺完成晶体生长，获得掺杂CVD ZnS晶体。步骤2：(1)按化学气相沉积工艺完成晶体生长获得CVD ZnS晶体；(2)将CVD ZnS进行表面研磨和抛光；(3)在CVD ZnS晶体的至少一个表面沉积一层金属M膜或其硫化物M2Sx膜，然后步骤3：将所得晶体材料在惰性气体气氛中进行恒温恒压热处理。
在一种优选的实施方式中，需要加入金属锌，还需要另外加入一种金属M或其硫化物M2Sx作为掺杂剂；
在一种优选的实施方式中，掺杂剂金属M为钛、镓、铟、锆、镧中的一种，或其与锌的合金锌-钛(Zn-Ti)、锌-镓(Zn-Ga)、锌-铟(Zn-In)、锌-锆(Zn-Zr)、锌-镧(Zn-La)中的一种。
在一种优选的实施方式中，掺杂剂金属M的纯度为4N～8N。
在一种优选的实施方式中，加入的掺杂剂金属M的质量百分比浓度为1～15％。
在一种优选的实施方式中，所述的熔化、混匀、冷却在惰性气氛中完成，完成条件为：温度400～850℃，压力为常压，时间为6～36小时。
在一种优选的实施方式中，所述的表面抛光的等级在光学IV级及以上。
在一种优选的实施方式中，所述的金属M膜为钛、镓、铟、锆、镧中的一种，硫化物膜为硫化钛(TiS2)、硫化镓(Ga2S3)、硫化铟(In2S3)、硫化锆(ZrS2)、硫化镧(La2S3)中的一种。
在一种优选的实施方式中，所述的恒温恒压热处理过程是在惰性气氛中进行，完成条件为：温度500～950℃，压力50～200MPa，过程时间为30～600分钟。
在本发明的实际应用中，无论是在化学气相沉积前对锌原料进行掺杂，还是在化学气相沉积后对CVD ZnS进行镀膜掺杂，都要将金属M元素渗入到CVDZnS晶体材料中，在CVDZnS中形成金属硫化物(M2Sx)，然后再通过恒温恒压热处理，Zn-M-S组成三元化合物并以第二相的形式沉析出来，均匀的分布在CVD ZnS晶体材料中或其表面。从而实现对CVD ZnS材料组分和内部结构的重组与调整，实现增强CVD ZnS晶体材料力学和机械性能的目的，同时对光学性能没有明显影响。如果是在化学气相沉积前对原料进行掺杂，则掺杂的金属硫化物会与ZnS一起沉积，如果是在化学气相沉积后对CVD ZnS进行镀膜掺杂，则金属M或其硫化物M2Sx沉积到CVD ZnS的表面上，在后续的恒温恒压热处理过程中再渗透到硫化锌晶体的表层，渗入的深度取决于处理过程的时间、压强和温度。
本发明在不降低材料红外透过性能的前提下达到了增强CVD ZnS晶体材料力学和机械性能的效果，并将多晶微结构的成核控制在非常小的尺寸范围内，材料内部的孔隙度减小，从而对CVD ZnS晶体材料的光学性能不会造成明显的影响。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种CVD ZnS晶体材料的掺杂改性方法，其特征在于，包括以下具体步骤：其工艺步骤具体包括：
步骤1：
(1)掺杂：在石墨坩埚中装入原料锌和一定质量百分比浓度的掺杂剂金属M或M与锌合金Zn-M，然后(2)熔化、混匀、冷却：将石墨坩埚放入带转动装置的加热炉中，加热熔化，混合均匀后冷却，获得用于化学气相沉积的掺杂锌原料；(3)生长：将石墨坩埚放入沉积炉中，按化学气相沉积工艺完成晶体生长，获得掺杂CVD ZnS晶体。
步骤2：
(1)按化学气相沉积工艺完成晶体生长获得CVD ZnS晶体；
(2)将CVD ZnS进行表面研磨和抛光；
(3)在CVD ZnS晶体的至少一个表面沉积一层金属M膜或其硫化物M2Sx膜，然后
步骤3：将所得晶体材料在惰性气体气氛中进行恒温恒压热处理。
2.根据权利要求1所述的一种CVD ZnS晶体材料的掺杂改性方法，需要加入金属锌，还需要另外加入一种金属M或其硫化物M2Sx作为掺杂剂。
3.根据权利要求1所述的一种CVD ZnS晶体材料的掺杂改性方法，掺杂剂金属M为钛、镓、铟、锆、镧中的一种，或其与锌的合金锌-钛(Zn-Ti)、锌-镓(Zn-Ga)、锌-铟(Zn-In)、锌-锆(Zn-Zr)、锌-镧(Zn-La)中的一种。
4.根据权利要求3所述的一种CVD ZnS晶体材料的掺杂改性方法，掺杂剂金属M的纯度为4N～8N。
5.根据权利要求2所述一种CVD ZnS晶体材料的掺杂改性方法，加入的掺杂剂金属M的质量百分比浓度为1～15％。
6.根据权利要求1所述的一种CVD ZnS晶体材料的掺杂改性方法，所述的熔化、混匀、冷却在惰性气氛中完成，完成条件为：温度400～850℃，压力为常压，时间为6～36小时。
7.根据权利要求1所述的一种CVD ZnS晶体材料的掺杂改性方法，所述的表面抛光的等级在光学IV级及以上。
8.根据权利要求1所述的一种CVD ZnS晶体材料的掺杂改性方法，所述的金属M膜为钛、镓、铟、锆、镧中的一种，硫化物膜为硫化钛(TiS2)、硫化镓(Ga2S3)、硫化铟(In2S3)、硫化锆(ZrS2)、硫化镧(La2S3)中的一种。
9.根据权利要求1所述的一种CVD ZnS晶体材料的掺杂改性方法，所述的恒温恒压热处理过程是在惰性气氛中进行，完成条件为：温度500～950℃，压力50～200MPa，过程时间为30～600分钟。
CN201710287346.8A 2017-04-27 2017-04-27 一种CVDZnS晶体材料的掺杂改性方法 Active CN107119323B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710287346.8A CN107119323B (zh) 2017-04-27 2017-04-27 一种CVDZnS晶体材料的掺杂改性方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710287346.8A CN107119323B (zh) 2017-04-27 2017-04-27 一种CVDZnS晶体材料的掺杂改性方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107119323A true CN107119323A (zh) 2017-09-01
CN107119323B CN107119323B (zh) 2019-08-06

Family

ID=59726385

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710287346.8A Active CN107119323B (zh) 2017-04-27 2017-04-27 一种CVDZnS晶体材料的掺杂改性方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107119323B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109338475A (zh) * 2018-12-04 2019-02-15 云南北方驰宏光电有限公司 一种增强CVD-ZnS晶体材料机械强度的方法
CN110672672A (zh) * 2019-10-21 2020-01-10 陕西师范大学 Zn–In2O3多孔纳米纤维气敏材料的制备方法及应用
CN112626488A (zh) * 2020-12-11 2021-04-09 中材人工晶体研究院有限公司 一种光学ZnS材料及其制备方法
CN114380599A (zh) * 2022-01-26 2022-04-22 中国工程物理研究院化工材料研究所 一种过渡金属离子掺杂硒化锌激光透明陶瓷的制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101831630A (zh) * 2010-04-02 2010-09-15 中国科学院半导体研究所 采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法
CN101887935A (zh) * 2000-08-22 2010-11-17 哈佛学院董事会 掺杂的拉长半导体,其生长,包含这类半导体的器件及其制造
CN102159753A (zh) * 2008-08-01 2011-08-17 法国电力公司 用于光伏结构中的透明导电氧化物薄膜的形成方法
CN103531660A (zh) * 2013-10-17 2014-01-22 福州大学 一种In掺杂硫化锌薄膜及其制备方法和应用
CN104246980A (zh) * 2012-04-26 2014-12-24 应用材料公司 用于led制造的pvd缓冲层
CN104591260A (zh) * 2013-09-26 2015-05-06 罗门哈斯电子材料有限公司 硫化锌硬度的增加

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101887935A (zh) * 2000-08-22 2010-11-17 哈佛学院董事会 掺杂的拉长半导体,其生长,包含这类半导体的器件及其制造
CN102159753A (zh) * 2008-08-01 2011-08-17 法国电力公司 用于光伏结构中的透明导电氧化物薄膜的形成方法
CN101831630A (zh) * 2010-04-02 2010-09-15 中国科学院半导体研究所 采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法
CN104246980A (zh) * 2012-04-26 2014-12-24 应用材料公司 用于led制造的pvd缓冲层
CN104591260A (zh) * 2013-09-26 2015-05-06 罗门哈斯电子材料有限公司 硫化锌硬度的增加
CN103531660A (zh) * 2013-10-17 2014-01-22 福州大学 一种In掺杂硫化锌薄膜及其制备方法和应用

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109338475A (zh) * 2018-12-04 2019-02-15 云南北方驰宏光电有限公司 一种增强CVD-ZnS晶体材料机械强度的方法
CN110672672A (zh) * 2019-10-21 2020-01-10 陕西师范大学 Zn–In2O3多孔纳米纤维气敏材料的制备方法及应用
CN112626488A (zh) * 2020-12-11 2021-04-09 中材人工晶体研究院有限公司 一种光学ZnS材料及其制备方法
CN112626488B (zh) * 2020-12-11 2022-12-20 中材人工晶体研究院有限公司 一种光学ZnS材料及其制备方法
US11746438B2 (en) 2020-12-11 2023-09-05 Sinoma Synthetic Crystals Co., Ltd. Method for preparing an optical ZnS material from zinc and sulfur raw material sources by using a feeding device to replenish the sulfur raw material source
CN114380599A (zh) * 2022-01-26 2022-04-22 中国工程物理研究院化工材料研究所 一种过渡金属离子掺杂硒化锌激光透明陶瓷的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107119323B (zh) 2019-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107119323B (zh) 一种CVDZnS晶体材料的掺杂改性方法
CN101831701B (zh) 一种氟掺杂生长n型透明导电ZnO晶体薄膜的方法
CN113563063B (zh) 高致密细晶粒的氧化锌掺杂氧化锡基陶瓷靶材及其制备方法
CN113233870B (zh) 一种掺杂氧化镉靶材及其制备方法与应用
CN109455940B (zh) 一种软质无铅低温封接玻璃及其制备方法
CN106830678A (zh) 一种光敏微晶玻璃手机壳的制备方法
CN109574506A (zh) 一种CsPb1-xTixBr3量子点微晶玻璃及其制备方法
CN104835869B (zh) 铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
CN105063559A (zh) 增强光电性能Zr元素掺杂AZO靶材
CN103046137A (zh) 一种高强力学性能蓝宝石晶体及其制备方法
CN111635231B (zh) 一种多晶金刚石透明陶瓷的制备方法
CN106348610B (zh) 一种Co2+：KZnF3微晶玻璃及其制备方法和应用
Yashina Preparation and properties of polycrystalline ZnS for IR applications
Guan et al. Structural and optical properties of CuInS 2 thin films prepared by magnetron sputtering and sulfurization heat treatment
CN103014856A (zh) 掺铁钛蓝宝石晶片及其制备方法
CN102351425B (zh) 一种半导体纳米晶复合硫系玻璃陶瓷材料及其制备方法
Savage Crystalline optical materials for ultraviolet visible, and infrared applications
TWI402996B (zh) 以銅鋅錫（ＣｕＺｎＳｎ）合金製備太陽能電池的ＣｕｘＺｎ ＳｎＳｙ（ＣＺＴＳ）薄膜之方法
McCloy International development of chemical vapor deposited zinc sulfide
CN104846342A (zh) 铜锌锡硫溅射靶及其制备方法
CN112047627B (zh) 一种全谱段硫系玻璃材料及其制备方法
CN110904374B (zh) 一种钠掺杂钼合金材料的制备方法
Senina et al. Methods of synthesizing alumomagnesium spinel powders for obtaining transparent ceramic
US6045728A (en) Method of treating a zinc sulfide body formed by chemical vapor deposition to increase its rain erosion durability
CN107417097B (zh) 一种高断裂韧性硫系玻璃的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 655000 Qujing Economic and Technological Development Zone, Qujing City, Yunnan Province

Patentee after: Yunnan North Optical Technology Co.,Ltd.

Address before: 655000 Qujing Economic and Technological Development Zone, Qujing City, Yunnan Province

Patentee before: YUNNAN KIRO-CH PHOTONICS Co.,Ltd.