CN107119277A - 一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法 - Google Patents

一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107119277A
CN107119277A CN201710448700.0A CN201710448700A CN107119277A CN 107119277 A CN107119277 A CN 107119277A CN 201710448700 A CN201710448700 A CN 201710448700A CN 107119277 A CN107119277 A CN 107119277A
Authority
CN
China
Prior art keywords
316lss
tio
nano
ordered lattice
anatase nano
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710448700.0A
Other languages
English (en)
Inventor
倪似愚
梅琳
崔冉
魏媛媛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Donghua University
National Dong Hwa University
Original Assignee
Donghua University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Donghua University filed Critical Donghua University
Priority to CN201710448700.0A priority Critical patent/CN107119277A/zh
Publication of CN107119277A publication Critical patent/CN107119277A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/04Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
    • C23C28/042Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material including a refractory ceramic layer, e.g. refractory metal oxides, ZrO2, rare earth oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1229Composition of the substrate
    • C23C18/1241Metallic substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/125Process of deposition of the inorganic material
    • C23C18/1254Sol or sol-gel processing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02Anodisation
    • C25D11/34Anodisation of metals or alloys not provided for in groups C25D11/04 - C25D11/32

Abstract

本发明涉及一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法,包括:将316LSS在高氯酸‑乙二醇电解液中进行电化学阳极氧化,得到表面具有纳米凹坑有序阵列的316LSS;将冰乙酸加入到溶剂中,搅拌,加入钛源,搅拌反应,得到TiO2溶胶;将TiO2溶胶在‑5℃~15℃的条件下滴加到316LSS表面,静置2~12h,清洗,干燥,煅烧,得到316LSS表面原位生长的锐钛矿纳米TiO2有序点阵。本发明的方法简单高效,环境友好,成本低廉;得到的TiO2纳米颗粒粒径均一且分布规整,纳米TiO2点阵结构长程有序且分布密集,可用于材料表面功能化改性和生物医药等领域。

Description

一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法
技术领域
本发明属于有序TiO2点阵的制备领域,特别涉及一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法。
背景技术
纳米TiO2是近年来纳米材料研究的热点之一,因其能够调节蛋白吸附、促进成骨细胞粘附、促进种植体周围矿化,最终促进种植体骨整合,在生物材料领域具有广泛的应用。除此之外,锐钛矿型TiO2具有独特的光催化性、光电转换性能以及紫外线屏蔽等功能,引起了研究人员的广泛关注。本发明利用锐钛矿型纳米TiO2在316LSS表面构筑了有序的点阵,有序的纳米TiO2点阵比表面积大,能够吸收更多的羟基自由基和羟基基团,而羟基集团容易吸附外界水分,因此使TiO2点阵较之普通TiO2材料对表面性能调控范围更大,从而可能赋予材料更优异的性能,可被用来研究细胞的各种行为,如黏附、增殖、迁移、分化等。有序的TiO2点阵将细胞的黏附配体选择性的修饰到316LSS表面,给予了细胞物理信号,从而能在空间上定位细胞,调控细胞的特定行为和功能,对于组织工程或细胞生物传感器等的发展都有重要意义。
在制备有序TiO2点阵的探索过程中,专利201410769605.7公开了一种通过溶胶-凝胶法与水热法结合,制备具有可见光响应的量子点/TiO2点阵的方法,但其点阵有序度差且纳米颗粒大小不均一。专利201610038380.7依托钴镍合金,提出了一种金属表面原位生长TiO2纳米阵列薄膜的制备方法,但其表面TiO2的薄膜形态限制了材料的应用领域。最近,有研究报道了通过旋涂法制备出无定形的TiO2点阵的方法(一种无定形TiO2点阵及其制备方法201010288664.4),其实验过程包括将制备出的TiO2前驱体溶胶旋涂到基板上,形成溶胶膜,经陈化后再通过水热法,在基板上得到无定形TiO2纳米点阵列。然而其方法工艺复杂,设备要求高且未能制备出规整均一的纳米点阵。因此,要实现锐钛矿型TiO2阵在基板上原位生长出长程有序的纳米点阵,需要寻找更为简单高效的方法。
专利201510718248.6依托316LSS的有序凹坑阵列,提出了一种316LSS表面纳米SiO2点阵的制备方法。但SiO2点阵与TiO2点阵具有本质区别,SiO2的化学性能决定其不可能取代TiO2应用于各领域。且TiO2颗粒制备过程较SiO2更为复杂,其制备工艺不能进行简单地替换或复制。因此,要实现锐钛矿型TiO2阵在上316LSS原位生长出长程有序的纳米点阵,需要对其制备工艺进行探索。
电化学阳极氧化法可以在316LSS表面构筑有序的纳米坑阵列,且仍保持其良好的生物相容性、力学性能及耐体液腐蚀性。因此,本发明首先采用溶胶-凝胶法制备TiO2溶胶,再以表面具有纳米坑阵列的316LSS作为载体,在TiO2纳米颗粒成核、生长的过程中充当模板的作用,引导TiO2颗粒点阵的生长,从而在316LSS表面原位生长出有序的TiO2点阵。本发明操作便捷,高效温和,可以高效制备出大面积有序纳米TiO2点阵,可重复性强,具有广阔的应用前景。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法,该制备方法简单高效,环境友好,成本低廉;得到的TiO2纳米颗粒粒径均一且分布规整,纳米TiO2点阵结构长程有序且分布密集,可用于材料表面功能改性和生物医药等领域。
本发明的一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法,包括:
(1)将316LSS在高氯酸-乙二醇电解液中进行电化学阳极氧化,得到表面具有纳米坑有序阵列的316LSS;
(2)将冰乙酸加入到溶剂中,搅拌,加入钛源,搅拌反应,得到TiO2溶胶;
(3)将步骤(2)中的TiO2溶胶在-5℃~15℃的条件下滴加到步骤(1)得到的316LSS表面,静置2~12h,清洗,干燥,煅烧,得到316LSS表面原位生长的锐钛矿纳米TiO2有序点阵。
所述步骤(1)中高氯酸与乙二醇的体积比为(1:15)~(1:25)。
所述步骤(1)中阳极氧化的条件为:温度为-5℃~10℃,电压为30~70V,时间为30s~15min。
所述步骤(1)中纳米坑的坑径为40nm~180nm,坑深为3nm~7nm;纳米坑在316LSS的表面坑密度为(1.5±0.3)×1010(个/cm2)。
所述步骤(2)中钛源、冰乙酸与无水乙醇的的体积比为1:(0.1~0.5):(1~1.5)。
所述步骤(2)中溶剂为无水乙醇;钛源为钛酸四丁酯、钛酸异丙酯或钛酸乙酯;冰乙酸的浓度为1.85mol/L。
所述步骤(2)中搅拌反应的温度为-5℃~15℃,时间为10min~40min。
所述步骤(3)中清洗为用乙醇清洗后再用去离子水反复冲洗;干燥的温度为35℃~80℃,时间为1h~10h。
所述步骤(3)中煅烧的温度为300℃~500℃,时间为3h~6h,升温速率为1℃/min~4℃/min。
所述步骤(3)中锐钛矿纳米TiO2与316LSS基板之间的高度差为7nm~10nm;其中,锐钛矿纳米TiO2的颗粒直径为25nm~60nm,颗粒间距为25nm~40nm。
所述步骤(3)中316LSS表面锐钛矿TiO2纳米颗粒密度为(1.5±0.3)×1010(个/cm2),复制了316LSS表面的纳米坑阵列结构。
本发明采用场发射扫描电镜(FESEM)观察316LSS表面纳米坑阵列,316LSS表面的纳米TiO2点阵表面形貌;采用X射线衍射(XRD)分析316LSS表面的纳米TiO2点阵晶型。
本发明首先采用溶胶-凝胶法制备TiO2溶胶,再以表面具有纳米坑阵列的316LSS作为载体,在TiO2纳米颗粒成核、生长的过程中充当模板的作用,引导TiO2颗粒点阵的生长,从而在316LSS表面原位生长出有序的TiO2点阵。本发明操作便捷,高效温和,可制备出大面积有序纳米TiO2点阵,具有广阔的应用前景。
促细胞生长的测试采用如下方法:实验细胞种类采用大鼠脂肪来源的P4代间充质干细胞(ADSCs),取对数生长期的细胞,调节细胞的浓度,使得细胞的密度为1×105个/孔,将细胞接种到事先加有灭菌过的未经处理的316LSS、表面具有纳米坑阵列316LSS、TiO2涂层/316LSS以及纳米TiO2点阵/316LSS的48孔板中,放入37℃、5%CO2培养箱中。为了定量比较细胞在各种材料上的粘附情况,分别在培养1d、3d后取样进行细胞活性检测。具体测试步骤如下:在特定的时间点,取出种植有细胞的材料,置于新的48孔培养板中,用PBS轻轻漂洗材料以去除未贴附的细胞。每孔加入400μL事先配制好的CCK母液(含血清的DMEM培养液+10%CCK-8),放置于培养箱中继续培养,2h后,可肉眼观察到培养液变为金黄色,移走表面具有纳米坑阵列316LSS、TiO2涂层/316LSS和纳米TiO2点阵/316LSS,利用酶联免疫检测仪测定在波长为450nm处测定OD值。每次实验重复3次,每组样品设置5个复孔。在空白孔的培养基中加CCK-8,测定450nm的吸光度作为空白对照组。
有益效果
(1)本发明的制备方法简单易行,成本低廉且便于推广;
(2)本发明的制备方法得到的纳米TiO2点阵高度有序,TiO2纳米颗粒粒径均一且为锐钛矿相;
(3)本发明制备得到的纳米TiO2点阵以316LSS表面的纳米坑阵结构为模板,复制出了与坑阵结构对应的有序点阵结构。
附图说明
图1为实施例1中316LSS表面纳米坑阵列的FESEM图;
图2为实施例1中316LSS表面纳米TiO2阵列的FESEM图;
图3为实施例1中316LSS表面纳米TiO2阵列的XRD图;
图4为实施例1中316LSS表面有序纳米TiO2阵列的促ADSCs增长数据统计图。
具体实施方式
下面结合具体实施例,进一步阐述本发明。应理解,这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解,在阅读了本发明讲授的内容之后,本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改,这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
实施例1
(1)316LSS表面纳米坑阵的制备:将316LSS于高氯酸、乙二醇的混合液(V:V=1:15)中,体系溶液温度为0℃,40v阳极氧化10min,坑径为50nm,坑深为4nm。
(2)TiO2溶胶的制备:将11mL钛酸四丁酯与1.85mol/L的冰乙酸3mL混合,搅拌使其均匀,随后往其中加入13mL无水乙醇,随着搅拌的持续进行,搅拌时间为30min,搅拌温度5℃最终形成TiO2溶胶(钛酸四丁酯、冰乙酸、无水乙醇的体积比为1:0.27:1.18)。
(3)将TiO2溶胶在-5℃时,滴入装有表面具有纳米坑阵列的316LSS的小玻璃瓶中,坑径为50nm,静置3h。
(4)取出所得样品,乙醇清洗后再用去离子水反复冲洗,并在60℃下干燥5h。
(5)将样品在马弗炉中350℃煅烧,升温速率2℃/分钟,350℃下保温6h。
(6)将316LSS表面纳米TiO2点阵用FESEM和XRD进行表征,如图1、图2和图3所示。其中,图1图2表明,利用316LSS的表面纳米坑阵列,制备了纳米TiO2有序点阵;图3表明,制备的316LSS表面的纳米TiO2晶型为锐钛矿型。其中,锐钛矿纳米TiO2与316LSS基板之间的高度差为10nm;其中,锐钛矿纳米TiO2的颗粒直径40nm,颗粒间距为30nm。
(7)将未处理的316LSS、表面具有有序凹坑阵列的316LSS、TiO2涂层/316LSS、纳米TiO2点阵/316LSS用于ADSCs细胞增殖实验,其结果如图4所示。由图4可知,316LSS表面的有序纳米TiO2点阵组的吸光度增长最为显著,其表面的TiO2点阵可促进ADSCs增殖,对ADSCs具有良好的细胞相容性。
实施例2
(1)316LSS表面纳米坑阵的制备:将316Lss于高氯酸、乙二醇的混合液(V:V=1:19)中,体系溶液温度为-5℃,60v阳极氧化13min,坑径为70nm,坑深为6nm。
(2)TiO2溶胶的制备:将11mL钛酸四丁酯与1.85mol/L的冰乙酸5mL混合,搅拌使其均匀,随后往其中加入16mL无水乙醇,随着搅拌的持续进行,搅拌时间为20min,搅拌温度7℃最终形成TiO2溶胶(钛酸四丁酯、冰乙酸、无水乙醇的体积比为1:0.45:1.45)。
(3)将TiO2溶胶在7℃时,滴入装有表面具有纳米坑阵列的316LSS的小玻璃瓶中,坑径为70nm,静置10h。
(4)取出所得样品,乙醇清洗后再用去离子水反复冲洗,并在70℃下干燥2h。
(5)将样品在马弗炉中500℃煅烧,升温速率1℃/分钟,500℃下保温5h。
(6)将316LSS表面纳米TiO2点阵用FESEM和XRD进行表征,得到的结论为:在316LSS的表面得到了有序的锐钛矿型TiO2纳米颗粒点阵。
(7)将未处理的316LSS、表面具有有序凹坑阵列的316LSS、TiO2涂层/316LSS、纳米TiO2点阵/316LSS用于ADSCs细胞增殖实验,结果与实施例1相似。
实施例3
(1)316LSS表面纳米坑阵的制备:将316Lss于高氯酸、乙二醇的混合液(V:V=1:25)中,体系溶液温度为0℃,70v阳极氧化3min,坑径为150nm,坑深为9nm。
(2)TiO2溶胶的制备:将13mL钛酸四丁酯与1.85mol/L的冰乙酸8mL混合,搅拌使其均匀,随后往其中加入18mL无水乙醇,随着搅拌的持续进行,搅拌时间为40min,搅拌温度3℃最终形成TiO2溶胶(钛酸四丁酯、冰乙酸、无水乙醇的体积比为1:0.62:1.38)。
(3)将TiO2溶胶在3℃时,滴入装有表面具有纳米坑阵列的316LSS的小玻璃瓶中,坑径为150nm,静置12h。
(4)取出所得样品,乙醇清洗后再用去离子水反复冲洗,并于35℃下干燥8h。
(5)将样品在马弗炉中500℃煅烧,升温速率1℃/分钟,500℃下保温3h。
(6)将316LSS表面纳米TiO2点阵用FESEM和XRD进行表征,得到的结论为:在316LSS的表面得到了有序的锐钛矿型TiO2纳米颗粒点阵。
(7)将未处理的316LSS、表面具有有序凹坑阵列的316LSS、TiO2涂层/316LSS、纳米TiO2点阵/316LSS用于ADSCs细胞增殖实验,结果与实施例1相似。

Claims (9)

1.一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法,包括:
(1)将316LSS在高氯酸-乙二醇电解液中进行电化学阳极氧化,得到表面具有纳米坑有序阵列的316LSS;
(2)将冰乙酸加入到溶剂中,搅拌,加入钛源,搅拌反应,得到TiO2溶胶;其中,钛源、冰乙酸与溶剂的体积比为1:(0.1~0.5):(1~1.5);
(3)将步骤(2)中的TiO2溶胶在-5℃~15℃的条件下滴加到步骤(1)得到的316LSS表面,静置2~12h,清洗,干燥,煅烧,得到316LSS表面原位生长的锐钛矿纳米TiO2有序点阵。
2.根据权利要求1所述的一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法,其特征在于,所述步骤(1)中高氯酸与乙二醇的体积比为(1:15)~(1:25)。
3.根据权利要求1所述的一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法,其特征在于,所述步骤(1)中阳极氧化的条件为:温度为-5℃~10℃,电压为30~70V,时间为30s~15min。
4.根据权利要求1所述的一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法,其特征在于,所述步骤(1)中纳米坑的坑径为40nm~180nm,坑深为3nm~7nm;纳米凹坑在316LSS的表面坑密度为(1.5±0.3)×1010(个/cm2)。
5.根据权利要求1所述的一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法,其特征在于,所述步骤(2)中溶剂为无水乙醇;钛源为钛酸四丁酯、钛酸异丙酯或钛酸乙酯;冰乙酸的浓度为1.85mol/L。
6.根据权利要求1所述的一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法,其特征在于,所述步骤(2)中搅拌反应的温度为-5℃~15℃,时间为10min~40min。
7.根据权利要求1所述的一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法,其特征在于,所述步骤(3)中清洗为用乙醇清洗后再用去离子水反复冲洗;干燥的温度为35℃~80℃,时间为1h~10h。
8.根据权利要求1所述的一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法,其特征在于,所述步骤(3)中煅烧的温度为300℃~500℃,时间为3h~6h,升温速率为1℃/min~4℃/min。
9.根据权利要求1所述的一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法,其特征在于,所述步骤(3)中锐钛矿纳米TiO2与316LSS基板之间的高度差为7nm~10nm;其中,锐钛矿纳米TiO2的颗粒直径为25nm~60nm,颗粒间距为25nm~40nm。
CN201710448700.0A 2017-06-14 2017-06-14 一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法 Pending CN107119277A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710448700.0A CN107119277A (zh) 2017-06-14 2017-06-14 一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710448700.0A CN107119277A (zh) 2017-06-14 2017-06-14 一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107119277A true CN107119277A (zh) 2017-09-01

Family

ID=59719889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710448700.0A Pending CN107119277A (zh) 2017-06-14 2017-06-14 一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107119277A (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103496223A (zh) * 2013-09-26 2014-01-08 上海电力学院 一种防雾自洁净玻璃及其制备方法
CN105220203A (zh) * 2015-10-29 2016-01-06 东华大学 一种316L不锈钢表面纳米SiO2点阵的制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103496223A (zh) * 2013-09-26 2014-01-08 上海电力学院 一种防雾自洁净玻璃及其制备方法
CN105220203A (zh) * 2015-10-29 2016-01-06 东华大学 一种316L不锈钢表面纳米SiO2点阵的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
昊历清 等: ""衬底对溶胶凝胶法制备TiO2薄膜性能的影响。"", 《功能材料》 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107655813B (zh) 基于反蛋白石结构水凝胶的心肌细胞检测方法及其应用
CN107907484B (zh) 基于光子晶体水凝胶纤维的心肌细胞检测方法及其应用
CN105597157B (zh) 一种可促进血管形成与抗感染生物活性涂层及其制备方法和应用
CN101844789A (zh) 一种碳酸钙微球的制备方法
CN104030238B (zh) 微接触压印实现图形化ZnO纳米线阵列的制备方法
CN101348931A (zh) 一种脉冲电沉积制备均匀透明氧化锌纳米棒阵列薄膜的方法
DE112006000657T5 (de) Verfahren zur Herstellung biologischen organischen Materials und Kultivierungsgefäss dafür
CN102552977A (zh) 金属表面刻蚀纳米孔阵列的制备方法及其用途
CN107177553A (zh) 一种用于捕获癌细胞的纳米锥结构复合材料及其制备方法与应用
Song et al. Facile construction of structural gradient of TiO2 nanotube arrays on medical titanium for high throughput evaluation of biocompatibility and antibacterial property
CN111454057A (zh) 一种牙科氧化锆全瓷材料及其制备方法
CN101899709B (zh) 钛金属表面制备尺寸、密度可调的二氧化钛纳米棒阵列的方法
CN107119277A (zh) 一种316LSS表面原位生长锐钛矿纳米TiO2有序点阵的方法
CN102100927A (zh) 多孔羟基磷酸钙纳米颗粒修饰的钛基钛酸盐纳米线生物支架材料及其制备方法
CN107841777B (zh) 一种钨掺杂二氧化钛纳米管阵列的制备方法
CN103418416A (zh) 一种氮掺杂二氧化钛粉体的制备方法及所制备的二氧化钛粉体材料及用途
CN106637310B (zh) 一种Cu/PAA复合膜及其制备方法以及应用
CN105030353A (zh) 一种多级纳米形貌结构牙科种植体的制备方法
CN100513319C (zh) 周期性二氧化钛纳米线的制备方法
Gao et al. Surfactant-free synthesis of anatase TiO 2 nanorods in an aqueous peroxotitanate solution
CN103331452A (zh) 一种铜/碳复合空心球颗粒材料及其制备方法
CN108103551B (zh) 一种促进微弧氧化膜层中羟基磷灰石结晶的方法
CN110684727A (zh) 一种氧化锌纳米棒阵列细胞培养衬底及其制备方法与应用
CN113388874B (zh) 一种具备生物抗氧化功能的氧化铈/氧化钛异质结薄膜及其制备方法与应用
CN105220202A (zh) 一种钛基三维多孔二氧化钛氧化层的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170901

RJ01 Rejection of invention patent application after publication