CN107119262A - 一种镍金属基体表面催化生长碳纳米管薄膜的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种镍金属基体表面催化生长碳纳米管薄膜的方法。该方法主要步骤包括：（1）镍金属基体的表面预处理；（2）化学气相沉积催化生长碳纳米管薄膜。本发明适用于任意表面粗糙度的镍金属基体，对镍催化颗粒的粒径大小无特殊要求，无需特意对镍金属基体表面进行粗糙化及纳米化，对镍金属基体的表面预处理简单方便、成本低廉，催化生长的碳纳米管薄膜均匀而致密，与镍金属基体结合强度高。
Description
技术领域
本发明涉及碳纳米管制备领域，具体涉及一种镍金属基体表面催化生长碳纳米管薄膜的方法。
背景技术
碳纳米管由于具有拓扑结构独特、导电性好、机械强度高等众多优异的特性，成为了国际上场致发射材料领域、新能源器件领域和高强复合材料领域等众多前沿领域的研究热点。基于碳纳米管优异的性能和巨大的潜在应用价值，人们对其制备方法进行了深入的研究，并不断研发出许多新工艺以获得缺陷少、产率高、杂质含量低的碳纳米管。
目前，制备碳纳米管应用最为广泛的方法主要有化学气相沉积法、激光蒸发法以及电弧放电法等。化学气相沉积法因其设备简单、成本低和可控可调的优点，成为目前应用最广泛的碳纳米管合成方法之一。该技术的基本过程是以碳氢化合物为碳源，加热到反应温度，在催化剂（过渡金属如铁、钴、镍及合金等）颗粒表面直接催化裂解合成碳纳米管。催化剂作为化学气相沉积法合成碳纳米管的关键，其选择和制备方法对碳纳米管的形貌和结构有着直接的影响，因此选择合适的催化剂和制备方法成为科研工作中的一个重要环节。
镍由于其催化能力强、热稳定性高、抗氧化性能好等优点成为了催化生长制备碳纳米管的首选催化剂。然而，对于化学气相沉积法在镍金属基体表面催化生长碳纳米管薄膜的传统方法，其对镍金属基体的表面粗糙度及镍催化颗粒的粒径均有严格的要求，如镍催化颗粒的粒径需达到纳米级别等。催化颗粒粒径越小，催化颗粒的催化性能越高，得到的碳纳米管的直径越小。因此，用这些传统方法在镍金属基体表面催化生长碳纳米管薄膜前，必须先对镍金属基体进行各种复杂而繁琐的物理和化学处理，以细化镍催化颗粒的粒径，从而使其获得足够的催化活性。
发明内容
为了克服现有技术的缺点和不足，本发明提供了一种镍金属基体表面催化生长碳纳米管薄膜的方法。本发明方法适用于任意表面粗糙度的镍金属基体，对镍催化颗粒的粒径大小无特殊要求，且对镍金属基体的表面预处理简单方便、成本低廉，催化生长的碳纳米管薄膜均匀而致密，与镍金属基体结合强度高。
本发明通过如下技术方案实现。
一种镍金属基体表面催化生长碳纳米管薄膜的方法，包括如下步骤：
（1）镍金属基体的表面预处理：
将镍金属基体进行超声清洗后，烘干，浸泡于由CuCl2·2H2O和HCl组成的混合溶液中，取出，用去离子水清新干净，在空气中静置至表面变成浅绿色后，烘干，备用；
（2）化学气相沉积催化生长碳纳米管薄膜：
（2-1）将表面预处理后的镍金属基体置于管式炉中，抽真空，通入氩气作为载气，同时对管式炉进行加热升温；
（2-2）加热升温后，达到还原温度，打开氢气流量阀通入氢气，对预处理后的镍金属基体进行还原；
（2-3）继续加热升温，达到生长温度，打开碳氢气源流量阀通入碳氢气源，保温，在镍金属基体表面生长碳纳米管薄层；保温结束后，降至室温，完成镍金属基体表面催化生长碳纳米管薄膜过程。
进一步地，步骤（1）中，所述镍金属基体包括金属镍、镀镍金属或镀镍非金属。
进一步地，步骤（1）中，所述超声清洗的时间为10~20分钟。
进一步地，步骤（1）中，所述浸泡的时间为5~10分钟。
进一步地，步骤（1）中，由CuCl2·2H2O和HCl组成的混合溶液中，CuCl2·2H2O的浓度为30~50g/mL，HCl的浓度为3~5mL/L。
进一步地，步骤（1）中，所述静置的时间为1~2小时。
进一步地，步骤（1）中，所述烘干均是在50~60℃温度下烘30~40分钟。
进一步地，步骤（2-1）中，所述抽真空是抽真空至压强低于100Pa。
进一步地，步骤（2-1）中，所述氩气的流量为40~50sccm。
进一步地，步骤（2-2）中，所述加热升温是升温至400~450℃。
进一步地，步骤（2-2）中，所述氢气的流量为5~6 sccm。
进一步地，步骤（2-2）中，所述还原的时间为30~40分钟。
进一步地，步骤（2-3）中，所述继续加热升温是升温至600~650℃。
进一步地，步骤（2-3）中，所述碳氢气源为乙炔、甲烷或乙烯。
进一步地，步骤（2-3）中，所述碳氢气源的流量为30~40 sccm。
进一步地，步骤（2-3）中，所述保温的时间为20~30分钟。
进一步地，步骤（2-1）、（2-2）、（2-3）中，所述加热升温的速率为6~7℃/min。
与现有技术相比，本发明具有如下优点和有益效果：
（1）本发明适用于任意表面粗糙度的镍金属基体，对镍催化颗粒的粒径大小无特殊要求，无需特意对镍金属基体表面进行粗糙化及纳米化。
（2）本发明对镍金属基体的表面预处理简单方便、成本低廉，催化生长的碳纳米管薄膜均匀而致密，与镍金属基体结合强度高。
（3）本发明适用范围广，适用于所有镍基基体，包括金属镍、镀镍金属或镀镍非金属。
附图说明
图1为实施例1中泡沫镍表面催化生长碳纳米管薄膜的过程示意图；
图2为实施例1中600℃温度下生长20分钟后泡沫镍表面碳纳米管薄膜的SEM形貌图；
图3为实施例1中泡沫镍表面催化生长的碳纳米管薄膜超声震荡10分钟后泡沫镍表面碳纳米管薄膜的SEM形貌图；
图4为实施例2中625℃温度下生长25分钟后泡沫镍表面碳纳米管薄膜的SEM形貌图；
图5为实施例3中650℃温度下生长30分钟后泡沫镍表面碳纳米管薄膜的SEM形貌图。
具体实施方式
为进一步理解本发明，下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明，但是需要说明的是，本发明要求保护的范围并不局限于实施例表述的范围。该领域的技术人员根据上述发明的内容对本发明作出一些改进和调整，均将在本发明保护范围内。
实施例1
本实施例中碳纳米管薄膜生长的主要参数为600℃温度下生长20分钟，镍金属基体为泡沫镍，碳氢气源为乙炔。
泡沫镍表面催化生长碳纳米管薄膜主要步骤包括：泡沫镍的表面预处理和化学气相沉积催化生长碳纳米管薄膜，过程示意图如图1所示。
（1）泡沫镍的表面预处理：
使用超声波清洗机对所选的泡沫镍进行超声清洗10分钟，然后置于50℃的温度下烘干30分钟，再置于CuCl2·2H2O（50g/mL）和HCl（5mL/L）的混合溶液中浸泡5分钟，然后用去离子水将所得的样品清洗干净，于空气中静置1小时，待样品表面变成浅绿色后，置于50℃的温度下烘30分钟烘干，备用；
（2）化学气相沉积催化生长碳纳米管薄膜：
（2-1）将预处理后的泡沫镍用耐高温烧结舟承载，并将其置于管式炉中间，用真空气泵将管式炉内的压强抽至50Pa后，对管式炉进行加热，升温速率为6℃/min，并向管式炉内通入氩气作为载气，控制氩气流量为40sccm；
（2-2）待炉内温度升至400℃时，打开氢气流量阀通入氢气，对预处理后的泡沫镍进行还原，其中氢气流量为5 sccm，还原时间为30分钟；
（2-3）待炉内温度升至600℃时，打开乙炔气体流量阀通入乙炔气体，乙炔气体流量为30 sccm，保温时间为20分钟，在泡沫镍表面生长碳纳米管薄层；保温结束后，待炉内温度降至室温，完成泡沫镍表面催化生长碳纳米管薄膜过程。
利用扫描电镜Zeiss Merlin对泡沫镍表面碳纳米管薄膜的形貌进行表征，图2为本实施例600℃温度下生长20分钟后泡沫镍表面碳纳米管薄膜的SEM形貌图；从图中可以看出，泡沫镍表面催化生长的碳纳米管薄膜分布均匀而致密，取向无序，相互缠绕，表明本发明对镍金属基体表面碳纳米管薄膜的生长具有很好的催化效果。
图3为本实施例泡沫镍表面催化生长的碳纳米管薄膜经过超声震荡10分钟后泡沫镍表面碳纳米管薄膜的SEM形貌图，从图中可以看出，经过超声波破坏后，泡沫镍表面依然存留着大量均匀而致密的碳纳米管，表明在泡沫镍表面催化生长的碳纳米管薄膜与泡沫镍基底的结合强度很高。
上述结果表明，本发明对镍金属基体表面碳纳米管薄膜的生长有着很好的催化效果。
实施例2
本实施例中碳纳米管薄膜生长的主要参数为625℃温度下生长25分钟，镍金属基体为泡沫镍，碳氢气源为乙炔。
泡沫镍表面催化生长碳纳米管薄膜主要步骤包括：泡沫镍的表面预处理和化学气相沉积催化生长碳纳米管薄膜。
（1）泡沫镍的表面预处理：
使用超声波清洗机对所选的泡沫镍进行超声清洗15分钟，然后置于55℃的温度下烘干35分钟，再置于CuCl2·2H2O（50g/mL）和HCl（5mL/L）的混合溶液中浸泡7分钟，然后用去离子水将所得的样品清洗干净，于空气中静置1.5小时，待样品表面变成浅绿色后，置于55℃的温度下烘35分钟烘干，备用；
（2）化学气相沉积催化生长碳纳米管薄膜：
（2-1）将预处理后的泡沫镍用耐高温烧结舟承载，并将其置于管式炉中间，用真空气泵将管式炉内的压强抽至50Pa后，对管式炉进行加热，升温速率为6.5℃/min，并向管式炉内通入氩气作为载气，控制氩气流量为45sccm；
（2-2）待炉内温度升至425℃时，打开氢气流量阀通入氢气，对预处理后的泡沫镍进行还原，其中氢气流量为5.5 sccm，还原时间为35分钟；
（2-3）待炉内温度升至625℃时，打开乙炔气体流量阀通入乙炔气体，乙炔气体流量为35 sccm，保温时间为25分钟，在泡沫镍表面生长碳纳米管薄层；保温结束后，待炉内温度降至室温，完成泡沫镍表面催化生长碳纳米管薄膜过程。
利用扫描电镜Zeiss Merlin对泡沫镍表面碳纳米管薄膜的形貌进行表征，图4为本实施例625℃温度下生长25分钟后泡沫镍表面碳纳米管薄膜的SEM形貌图；从图中可以看出，泡沫镍表面催化生长的碳纳米管薄膜分布均匀而致密，取向无序，相互缠绕，表明本发明对镍金属基体表面碳纳米管薄膜的生长具有很好的催化效果。
实施例3
本实施例中碳纳米管薄膜生长的主要参数为650℃温度下生长30分钟，镍金属基体为泡沫镍，碳氢气源为乙炔。
泡沫镍表面催化生长碳纳米管薄膜主要步骤包括：泡沫镍的表面预处理和化学气相沉积催化生长碳纳米管薄膜。
（1）泡沫镍的表面预处理：
使用超声波清洗机对所选的泡沫镍进行超声清洗20分钟，然后置于60℃的温度下烘干40分钟，再置于CuCl2·2H2O（50g/mL）和HCl（5mL/L）的混合溶液中浸泡10分钟，然后用去离子水将所得的样品清洗干净，于空气中静置2小时，待样品表面变成浅绿色后，置于60℃的温度下烘40分钟烘干，备用；
（2）化学气相沉积催化生长碳纳米管薄膜：
（2-1）将预处理后的泡沫镍用耐高温烧结舟承载，并将其置于管式炉中间，用真空气泵将管式炉内的压强抽至50Pa后，对管式炉进行加热，升温速率为7℃/min，并向管式炉内通入氩气作为载气，控制氩气流量为50sccm；
（2-2）待炉内温度升至450℃时，打开氢气流量阀通入氢气，对预处理后的泡沫镍进行还原。其中氢气流量为6 sccm，还原时间为40分钟；
（2-3）待炉内温度升至650℃时，打开乙炔气体流量阀通入乙炔气体，乙炔气体流量为40 sccm，保温时间为30分钟，在泡沫镍表面生长碳纳米管薄层；保温结束后，待炉内温度降至室温，完成泡沫镍表面催化生长碳纳米管薄膜过程。
利用扫描电镜Zeiss Merlin对泡沫镍表面碳纳米管薄膜的形貌进行表征，图5为本实施例650℃温度下生长30分钟后泡沫镍表面碳纳米管薄膜的SEM形貌图；从图中可以看出，泡沫镍表面催化生长的碳纳米管薄膜分布均匀而致密，取向无序，相互缠绕，表明本发明对镍金属基体表面碳纳米管薄膜的生长具有很好的催化效果。
本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种镍金属基体表面催化生长碳纳米管薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）镍金属基体的表面预处理：
将镍金属基体进行超声清洗后，烘干，浸泡于由CuCl2·2H2O和HCl组成的混合溶液中，取出，用去离子水清洗干净，在空气中静置至表面变成浅绿色后，烘干，备用；
（2）化学气相沉积催化生长碳纳米管薄膜：
（2-1）将表面预处理后的镍金属基体置于管式炉中，抽真空，通入氩气作为载气，同时对管式炉进行加热升温；
（2-2）加热升温后，打开氢气流量阀通入氢气，对预处理后的镍金属基体进行还原；
（2-3）继续加热升温后，打开碳氢气源流量阀通入碳氢气源，保温，在镍金属基体表面生长碳纳米管薄层；保温结束后，降至室温，完成镍金属基体表面催化生长碳纳米管薄膜过程。
2.根据权利要求1所述的一种镍金属基体表面催化生长碳纳米管薄膜的方法，其特征在于，步骤（1）中，所述镍金属基体包括金属镍、镀镍金属或镀镍非金属；所述超声清洗的时间为10~20分钟；所述浸泡的时间为5~10分钟。
3.根据权利要求1所述的一种镍金属基体表面催化生长碳纳米管薄膜的方法，其特征在于，步骤（1）中，由CuCl2·2H2O和HCl组成的混合溶液中，CuCl2·2H2O的浓度为30~50g/mL，HCl的浓度为3~5mL/L。
4.根据权利要求1所述的一种镍金属基体表面催化生长碳纳米管薄膜的方法，其特征在于，步骤（1）中，所述静置的时间为1~2小时。
5.根据权利要求1所述的一种镍金属基体表面催化生长碳纳米管薄膜的方法，其特征在于，步骤（1）中，所述烘干均是在50~60℃温度下烘30~40分钟。
6.根据权利要求1所述的一种镍金属基体表面催化生长碳纳米管薄膜的方法，其特征在于，步骤（2-1）中，所述抽真空是抽真空至压强低于100Pa；所述氩气的流量为40~50sccm。
7.根据权利要求1所述的一种镍金属基体表面催化生长碳纳米管薄膜的方法，其特征在于，步骤（2-2）中，所述加热升温是升温至400~450℃；所述氢气的流量为5~6 sccm；所述还原的时间为30~40分钟。
8.根据权利要求1所述的一种镍金属基体表面催化生长碳纳米管薄膜的方法，其特征在于，步骤（2-3）中，所述继续加热升温是升温至600~650℃；所述碳氢气源为乙炔、甲烷或乙烯。
9.根据权利要求1所述的一种镍金属基体表面催化生长碳纳米管薄膜的方法，其特征在于，步骤（2-3）中，所述碳氢气源的流量为30~40 sccm；所述保温的时间为20~30分钟。
10.根据权利要求1所述的一种镍金属基体表面催化生长碳纳米管薄膜的方法，其特征在于，步骤（2-1）、（2-2）、（2-3）中，所述加热升温的速率为6~7℃/min。
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|---|---|
| CN (1) | CN107119262A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109680257A (zh) * | 2019-02-19 | 2019-04-26 | 中国铝业股份有限公司 | 一种纳米材料的制备方法 |
| CN114733507A (zh) * | 2022-04-25 | 2022-07-12 | 南开大学 | 碳纳米管包覆菱形镍颗粒催化剂及其制备方法及其应用 |
| US11476464B1 (en) * | 2021-09-10 | 2022-10-18 | The Florida International University Board Of Trustees | Coated vertically aligned carbon nanotubes on nickel foam |
| CN118147617A (zh) * | 2024-03-11 | 2024-06-07 | 哈尔滨工业大学 | 一种在石墨膜表面沉积碳纳米管结构的方法 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1349478A (zh) * | 1999-04-16 | 2002-05-15 | 联邦科学和工业研究组织 | 多层碳纳米管薄膜 |
| JP2003137521A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-14 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法 |
| CN1448334A (zh) * | 2002-04-01 | 2003-10-15 | 财团法人工业技术研究院 | 直接在基材上低温合成纳米碳管的方法 |
| CN1753730A (zh) * | 2003-02-28 | 2006-03-29 | 法国原子能委员会 | 特别用于制造场致发射平板屏幕的催化剂结构 |
| CN1776841A (zh) * | 2005-08-11 | 2006-05-24 | 上海纳晶科技有限公司 | 一种复合纳米碳基薄膜电极及其应用 |
| CN1862749A (zh) * | 2005-05-13 | 2006-11-15 | 诺利塔克股份有限公司 | 电子发射源及其制造方法 |
| CN1906127A (zh) * | 2005-01-05 | 2007-01-31 | 日本大业照明株式会社 | 使用等离子体cvd制备碳膜的装置和方法以及碳膜 |
| CN102099506A (zh) * | 2008-10-24 | 2011-06-15 | Kme德国股份及两合公司 | 带材上的金属/cnt-和/或富勒烯-复合材料-涂层 |
| CN102321876A (zh) * | 2011-09-23 | 2012-01-18 | 中国科学院微电子研究所 | 一种碳纳米管的制备方法 |
| CN103253648A (zh) * | 2012-11-13 | 2013-08-21 | 山东省科学院新材料研究所 | 一种在泡沫镍上生长碳纳米管的方法 |
| CN103305805A (zh) * | 2012-03-07 | 2013-09-18 | 波音公司 | 具有涂层耗尽区的磨损零件和生产该磨损零件的方法 |
| CN104651899A (zh) * | 2014-12-11 | 2015-05-27 | 温州大学 | 一种用于碳纳米管生长的金属基底的阳极化工艺 |
| CN105002475A (zh) * | 2009-02-10 | 2015-10-28 | 日本瑞翁株式会社 | 取向碳纳米管集合体生产用基材以及取向碳纳米管集合体的制造方法 |
-
2017
- 2017-05-27 CN CN201710393483.XA patent/CN107119262A/zh active Pending
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1349478A (zh) * | 1999-04-16 | 2002-05-15 | 联邦科学和工业研究组织 | 多层碳纳米管薄膜 |
| JP2003137521A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-14 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法 |
| CN1448334A (zh) * | 2002-04-01 | 2003-10-15 | 财团法人工业技术研究院 | 直接在基材上低温合成纳米碳管的方法 |
| CN1753730A (zh) * | 2003-02-28 | 2006-03-29 | 法国原子能委员会 | 特别用于制造场致发射平板屏幕的催化剂结构 |
| CN1906127A (zh) * | 2005-01-05 | 2007-01-31 | 日本大业照明株式会社 | 使用等离子体cvd制备碳膜的装置和方法以及碳膜 |
| CN1862749A (zh) * | 2005-05-13 | 2006-11-15 | 诺利塔克股份有限公司 | 电子发射源及其制造方法 |
| CN1776841A (zh) * | 2005-08-11 | 2006-05-24 | 上海纳晶科技有限公司 | 一种复合纳米碳基薄膜电极及其应用 |
| CN102099506A (zh) * | 2008-10-24 | 2011-06-15 | Kme德国股份及两合公司 | 带材上的金属/cnt-和/或富勒烯-复合材料-涂层 |
| CN105002475A (zh) * | 2009-02-10 | 2015-10-28 | 日本瑞翁株式会社 | 取向碳纳米管集合体生产用基材以及取向碳纳米管集合体的制造方法 |
| CN102321876A (zh) * | 2011-09-23 | 2012-01-18 | 中国科学院微电子研究所 | 一种碳纳米管的制备方法 |
| CN103305805A (zh) * | 2012-03-07 | 2013-09-18 | 波音公司 | 具有涂层耗尽区的磨损零件和生产该磨损零件的方法 |
| CN103253648A (zh) * | 2012-11-13 | 2013-08-21 | 山东省科学院新材料研究所 | 一种在泡沫镍上生长碳纳米管的方法 |
| CN104651899A (zh) * | 2014-12-11 | 2015-05-27 | 温州大学 | 一种用于碳纳米管生长的金属基底的阳极化工艺 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 徐俊如: "《科学之光 江西青年学者优秀科技文集》", 31 October 2004, 南昌：江西人民出版社 * |
| 杜银霄: "《大学物理实验》", 31 August 2012, 郑州：河南科学技术出版社 * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109680257A (zh) * | 2019-02-19 | 2019-04-26 | 中国铝业股份有限公司 | 一种纳米材料的制备方法 |
| US11476464B1 (en) * | 2021-09-10 | 2022-10-18 | The Florida International University Board Of Trustees | Coated vertically aligned carbon nanotubes on nickel foam |
| US11929504B2 (en) | 2021-09-10 | 2024-03-12 | The Florida International University Board Of Trustees | Coated vertically aligned carbon nanotubes on nickel foam |
| CN114733507A (zh) * | 2022-04-25 | 2022-07-12 | 南开大学 | 碳纳米管包覆菱形镍颗粒催化剂及其制备方法及其应用 |
| CN114733507B (zh) * | 2022-04-25 | 2023-07-28 | 南开大学 | 碳纳米管包覆菱形镍颗粒催化剂及其制备方法及其应用 |
| CN118147617A (zh) * | 2024-03-11 | 2024-06-07 | 哈尔滨工业大学 | 一种在石墨膜表面沉积碳纳米管结构的方法 |
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