CN107112075A

CN107112075A - 导电结构及其制造方法

Info

Publication number: CN107112075A
Application number: CN201680004293.8A
Authority: CN
Inventors: 尹晶焕; 宋斗勋; 章盛晧; 朴镇宇; 金起焕
Original assignee: LG Chemical Co Ltd
Current assignee: LG Corp
Priority date: 2015-02-26
Filing date: 2016-02-26
Publication date: 2017-08-29
Anticipated expiration: 2036-02-26
Also published as: WO2016137282A1; KR101849449B1; US10459547B2; KR20160104584A; EP3264423B1; CN107112075B; EP3264423A1; US20180267638A1; EP3264423A4

Abstract

本申请涉及一种导电结构及其制造方法。

Description

导电结构及其制造方法

技术领域

本申请要求于2015年2月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0027463的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用并入本文。

本申请涉及一种导电结构及其制造方法。

背景技术

根据信号检测类型，触摸屏面板通常被如下分类。换言之，类型包括：在施加直流电压时通过电流或电压值的变化感测被压力按压的位置的电阻型；在施加交流电压时使用电容耦合的电容型；以及在施加磁场时根据电压变化来感测选定位置的电磁型。

近来，随着对大面积触摸屏面板的需求的增加，需要开发一种可以实现具有优异可视性同时降低电极电阻的大型触摸屏面板的技术。

发明内容

技术问题

本申请旨在提供一种能够用在大面积触摸屏面板中的导电结构及其制造方法，所述导电结构使对耐热性、耐盐水性以及高温和高湿环境的耐久性的性能下降最小化，并且在确保微图案的蚀刻性能的范围内保持优异的可视性。

技术方案

本申请的一个实施方案提供一种导电结构，包括：基板；设置在所述基板上的金属层；以及设置在所述金属层的至少一个表面上的包含铜-镍氧化物的减光反射层，

其中，所述减光反射层的铜含量为15原子％以上且为55原子％以下，所述减光反射层的镍含量为1原子％以上且为30原子％以下。

本申请的另一实施方案提供一种导电结构的制造方法，包括：制备基板；在所述基板上形成金属层；以及在所述金属层的至少一个表面上形成包含铜-镍氧化物的减光反射层，

本说明书的另一实施方案提供一种包括所述导电结构的触摸面板。

本说明书的又一实施方案提供一种包括所述触摸面板的显示装置。

有益效果

根据本申请的一个实施方案的导电结构具有保持优异的导电性并且有效地防止金属层的眩目效应的优点。

根据本申请的一个实施方案的导电结构的优点在于具有优异的可视性并且具有优异的化学耐久性和物理耐久性。

当用在电子设备如显示装置中时，根据本申请的一个实施方案的导电结构能够使由工艺环境引起的导电结构的导电性的降低最小化。

根据本申请的一个实施方案的导电结构能够得到精细的线宽，从而提高可视性。

根据本申请的一个实施方案的导电结构能够防止由金属层引起的反射而不影响金属层的导电性，并且通过提高吸光度来提高金属层的遮蔽性能(concealing property)。此外，使用根据本申请的一个实施方案的导电结构可以开发具有改善的可视性的触摸屏面板以及包括该触摸屏面板的显示装置和太阳能电池。

附图说明

图1和图3是示出根据本申请的一个实施方案的导电结构的层压结构的图；

图2和图4是示出当使根据本申请的一个实施方案的导电结构图案化时的层压结构的图；

图5示出了测量根据实施例和比较例制造的导电结构的减光反射层的折射率(n)的结果；

图6示出了测量根据实施例和比较例制造的导电结构的减光反射层的消光系数(k)的结果；

图7示出了导电结构在根据试验例1-1的耐热性试验之前和之后的反射率；

图8示出了导电结构在根据试验例1-1的耐热性试验之前和之后的减光反射层的颜色变化；

图9示出了实施例5的减光反射层在根据试验例1-1的耐热性试验之前和耐热性试验之后3小时的表面状况；

图10示出了比较例1的减光反射层在根据试验例1-1的耐热性试验之前和耐热性试验之后3小时的表面状况；

图11示出了导电结构在根据试验例2的耐盐水性试验之后的透光率；

图12示出了实施例5的导电结构在根据试验例3的等温-等湿试验之前和之后的光反射率的变化；

图13示出了比较例1的导电结构在根据试验例3的等温-等湿试验之前和之后的光反射率的变化。

<附图标记>

100：基板

200：金属层

210：金属图案层

300：减光反射层

310：减光反射图案层

400：附加金属层

410：图案化过的附加金属层

具体实施方式

在本申请中，显示装置是统称电视机、计算机显示器等的术语，并且包括形成图像的显示元件和支撑显示元件的壳体。

显示元件的实例包括等离子显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、电泳显示器、阴极射线管(CRT)、OLED显示器等。在显示元件中，可以设置用于呈现图像的RGB像素图案和附加滤光器。

同时，关于显示装置，随着智能手机、平板PC、IPTV等的普及加速，对在没有单独的输入设备(如键盘或遥控器)的情况下将人手直接变为输入设备的触摸功能的需求逐渐增加。此外，还需要能够书写的多点触摸功能和特定点识别。

目前商业化的大多数触摸屏面板(TSP)以透明导电ITO薄膜为基础，但是具有如下问题：当用在大面积触摸屏面板中时，由于由透明ITO电极本身相对较高的表面电阻(最小为150Ω/□，由Nitto Denko Corporation制造的ELECRYSTA产品)引起的RC延迟，使得触摸识别速度变低，为了克服这种问题，需要引入附加的补偿芯片。

本公开的发明人研究了用金属微图案替代透明ITO薄膜的技术。鉴于上述内容，本公开的发明人发现，当将具有较高导电性的金属薄膜Ag、Mo/Al/Mo、MoTi/Cu等用作触摸屏面板的电极时，当要得到特定形状的微电极图案时，由于对外部光的较高的反射率和雾度值，会产生眩目等，以及在高反射率引起的可视性方面，图案容易被人眼识别的问题。此外，本公开的发明人还发现，在制造过程中需要较高的价格目标，或者过程通常会较复杂。

因此，本申请的一个实施方案提供一种导电结构，该导电结构可以与使用现有ITO类透明导电薄膜层的触摸屏面板不同，并且可以用在具有金属微图案电极的改善的遮蔽性能(concealing property)以及具有对外部光的改善的反射和衍射性能的触摸屏面板中。

下文中，将更详细地描述本申请。

在本申请中，一个元件位于另一元件之“上”的描述不仅包括一个元件与另一元件相邻的情况，而且包括在这两个元件之间存在又一元件的情况。

在本申请中，除非另外特别说明，否则特定部分“包含”特定构件的描述表示还能够包含其它构件，并且不排除其它构件。

在本申请中，“导电性(conductivity)”指导电性能(electrical conductivity)。

此外，在本申请中，“反射率”指光反射率，“折射率”指光折射率，“吸收率”指光吸收率。

在本申请中，原子％是原子含量比例，是指本领域中使用的原子％。

图1是示出根据本申请的一个实施方案的导电结构的层压结构的图。具体地，根据图1，在导电结构中，金属层(200)和减光反射层(300)连续层压在基板(100)上。然而，所述结构不限于图1的结构，还可以设置附加层。

根据本申请的一个实施方案，减光反射层的镍含量可以为2原子％以上且为25原子％以下。具体地，根据本申请的一个实施方案，减光反射层的镍含量可以为3原子％以上且为20原子％以下。当减光反射层的镍含量在上述范围内时，减光反射层稳定地表现出较低的反射率。此外，当减光反射层的镍含量在上述范围内时，减光反射层具有优异的物理耐久性和化学耐久性，并且性能下降最小化。

根据本申请的一个实施方案，减光反射层可以由铜、镍和氧的三元素类成分形成。

根据本申请的一个实施方案，减光反射层的氧(O)含量(原子％)可以是相对于减光反射层中的铜含量和镍含量的剩余量。具体地，根据本申请的一个实施方案，减光反射层的氧含量可以为44原子％以上且为55原子％以下，更具体地，减光反射层的氧含量可以为45原子％以上且为55原子％以下。

另外，当减光反射层的镍含量在上述范围内时，可以容易地进行使减光反射层图案化的蚀刻。换言之，当减光反射层的镍含量大于上述范围时，蚀刻性能变差，引起使减光反射层图案化困难的问题，并且会产生难以对金属层批量蚀刻(batch etching)的问题。具体地，在溅射过程中，当将Cu-Ni原料的Ni含量控制在1重量％以上且50重量％以下，更具体地为2重量％以上且45重量％以下或者3重量％以上且35重量％以下来制备减光反射层时，可以顺利地进行金属层和减光反射层的批量蚀刻。在溅射过程中，当Cu-Ni原料的Ni含量大于45重量％时，减光反射层的蚀刻性能下降，并且批量蚀刻变得困难。减光反射层的原子含量比例(原子％)随着Cu-Ni原料的Ni含量的变化可以如下面实施例的表1中所示。

根据本申请的一个实施方案，可以利用在氧气气氛下使用Cu-Ni合金原料的蒸发过程形成减光反射层。具体地，当Cu-Ni合金的Ni含量为1重量％以上且为50重量％以下时，可以形成满足上述原子含量比例的减光反射层。

根据本申请的一个实施方案，减光反射层中的镍含量与铜含量的比例(Ni(原子％)/Cu(原子％))可以为0.01以上且为1.8以下。具体地，根据本申请的一个实施方案，减光反射层中的镍含量与铜含量的比例(Ni(原子％)/Cu(原子％))可以为0.015以上且为1.7以下或者0.019以上且为1.7以下。更具体地，根据本申请的一个实施方案，减光反射层中的镍含量与铜含量的比例(Ni(原子％)/Cu(原子％))可以为0.05以上且为1以下、0.05以上且为0.7以下或者0.06以上且为0.7以下。

根据本申请的一个实施方案，减光反射层在波长为600nm的光中的折射率(n)可以为2以上且为2.4以下。

此外，根据本申请的一个实施方案，减光反射层在波长范围为380nm至780nm的光中的折射率(n)可以大于0且小于或等于3，更具体地，为1.5以上且为3以下。根据本申请的一个实施方案，减光反射层在波长范围为380nm至780nm的光中的折射率(n)可以为1.8以上且为2.6以下。

根据本申请的一个实施方案，减光反射层的厚度可以参考下面的数学等式1根据折射率来确定。

[数学等式1]

在数学等式1中，d是减光反射层的厚度，n是折射率，λ是光的波长。

根据本申请的一个实施方案，减光反射层在波长为600nm的光中的消光系数(k)可以为0.3以上且为1.2以下。

此外，根据本申请的一个实施方案，减光反射层在波长范围为380nm至780nm的光中的消光系数(k)可以为0.2以上且为1以下，具体地为0.2以上且为0.8以下。

当消光系数在上述范围内时，反射率进一步降低，具有进一步提高减光反射层的性能的效果。因此，金属层的遮蔽性能进一步提高，并且当在触摸屏面板中使用所述导电结构时，可以进一步改善可视性。

在根据本申请的一个实施方案的导电结构中，与使用其它材料如氮氧化铝或氧化铜的情况相比，所述减光反射层具有更高的消光系数(k)，因此，具有减光反射层可以被制备成具有较小厚度的优点。

可以使用本领域已知的椭圆率计测量仪器等来测量消光系数。

消光系数k也被称为吸收系数，并且作为能够界定材料吸收特定波长的光的强烈程度的度量，是决定导电结构的透光率的因素。例如，透明介电材料具有k<0.2的非常小的k值。然而，随着材料中的金属成分增加，k值增大。当金属成分还进一步增加时，得到几乎不发生透射并且仅主要发生表面反射的金属，并且消光系数k变为大于2.5，这在形成减光反射层方面不优选。

根据本申请的一个实施方案，减光反射层的表面上的反射率在波长为600nm的光中可以为40％以下。

此外，根据本申请的一个实施方案，导电结构在波长为380nm至780nm的光中的总反射率可以为20％以下。具体地，导电结构在波长为380nm至780nm的光中的总反射率可以为15％以下或10％以下。

随着反射率和总反射率降低，导电结构具有优异的可视性。

根据本申请的一个实施方案，总反射率是指在用黑色层(完全黑色)处理与待测表面相对的表面之后，对于以90°入射到待测表面上的300nm以上且800nm以下，具体地为380nm以上且780nm以下的区域的光的反射率。在本申请中，总反射率是当入射光被定义为100％时，基于由进行光入射的图案层或导电结构所反射的反射光中300nm以上且800nm以下，具体地为380nm以上且780nm以下的区域的光而测量的值。

当减光反射层设置在金属层和基板之间时，可以从基板侧测量反射率。当从基板侧测量总反射率时，总反射率可以为20％以下，具体地为15％以下，更具体地为10％以下。总反射率较小，效果越好。

另外，当金属层设置在基板和减光反射层之间时，可以从减光反射层与金属层邻接的表面相对的方向上测量反射率。具体地，当减光反射层包括与金属层邻接的第一表面和与第一表面相对的第二表面时，可以从第二表面的方向上测量反射率。当从该方向上测量时，总反射率可以为20％以下，具体地为15％以下，更具体地为10％以下。总反射率越小，效果越好。

根据本申请的一个实施方案，金属层可以是金属图案层，减光反射层可以是减光反射图案层。此外，根据本申请的一个实施方案，当金属层是金属图案层时，减光反射层可以作为减光反射图案层设置在金属图案层上。

此处，当从减光反射图案层的第二表面侧测量导电结构的总反射率时，导电结构的总反射率(Rt)可以通过下面的数学等式2计算。

[数学等式2]

总反射率(Rt)＝基板的反射率+闭合比例×减光反射层的反射率

此外，在导电结构具有两种类型的导电结构层压的结构的情况下，导电结构的总反射率(Rt)可以通过下面的数学等式3计算。

[数学等式3]

总反射率(Rt)＝基板的反射率+闭合比例×减光反射层的反射率×2

在数学等式2和3中，基板的总反射率可以是触摸强化玻璃的反射率，当表面是膜时，可以是膜的反射率。

另外，闭合比例可以基于导电结构的平坦表面，由金属图案层和减光反射图案层覆盖的区域所占据的面积的比例，换言之，(1-开口比例)来表示。

因此，具有减光反射图案层和不具有减光反射图案层之间的差异取决于减光反射图案层的反射率。在这一方面，与除了导电结构不包括减光反射图案层之外具有相同组成的导电结构的总反射率(R0)相比，根据本申请的一个实施方案的导电结构的总反射率(Rt)可以降低10％至20％，可以降低20％至30％，可以降低30％至40％，可以降低40％至50％，以及可以降低50％至70％。换言之，当在数学等式2和3中将总反射率范围在1％至30％变化，同时将闭合比例范围在1％至10％变化时，可以得到最大为70％的反射率降低效果，并且可以得到最小为10％的总反射率降低效果。

在根据本申请的一个实施方案的导电结构中，减光反射图案层包括与金属图案层邻接的第一表面和与第一表面相对的第二表面，当从减光反射图案层的第二表面侧测量导电结构的总反射率时，导电结构的总反射率(Rt)与基板的反射率(R0)之间的差可以为40％以下、30％以下、20％以下或10％以下。

根据本申请的一个实施方案，基于国际照明委员会(Commission Internationalede l'Eclairage，CIE)的L*a*b*色坐标，所述导电结构的亮度值(L*)可以为50以下，更具体地，40以下。亮度值越小，则反射率降低，从而效果越好。

根据本申请的一个实施方案，导电结构中几乎不存在针孔，即使存在针孔时，直径可以为3μm以下，更具体地为1μm以下。当导电结构中针孔的直径为3μm以下时，可以防止断裂的发生。此外，当导电结构中几乎没有针孔并且针孔的数量非常少时，可以防止断裂的发生。

根据本申请的一个实施方案，减光反射层的厚度可以为10nm以上且为100nm以下。具体地，根据本申请的一个实施方案，减光反射层的厚度可以为20nm以上且为60nm以下。更具体地，根据本申请的一个实施方案，减光反射层的厚度可以为30nm以上且为60nm以下。

厚度在上述范围内的减光反射层在过程控制和生产率方面会相对有利。此外，当减光反射层的厚度在上述范围内时，由于导电结构在波长为380nm至780nm的光中的总反射率可以为20％以下，具体地为15％以下，更具体地为10％以下，因此，暗化效果优异。此外，当减光反射层的厚度在上述范围内时，防止金属层腐蚀的效果优异，并且减光反射层可以容易地图案化以具有均匀的线宽和厚度。

厚度小于10nm的减光反射层会引起不能充分防止金属层上的物理和化学损伤的问题。此外，厚度大于100nm的减光反射层会引起该减光反射层难以图案化的问题。

根据本申请的一个实施方案，在150℃的高温气氛下24小时之后，减光反射层在380nm至780nm的波长范围内的平均光反射率的变化量可以为10％以下。

高温气氛可以使用常规的箱式烘箱，此处的相对湿度可以为约20％。

平均光反射率的变化量(％)可以通过((经过高温气氛后的平均光反射率/初始平均光反射率)-1)×100来计算。

初始平均光反射率指经历高温气氛之前减光反射层的平均光反射率。

所述高温气氛可以与当透明电极层为ITO膜时使透明电极层结晶的过程相同，在这种条件下，减光反射层不仅可以起到抑制金属层的氧化的作用，而且可以使减光反射层的性能下降最小化。

根据本申请的一个实施方案，在25℃的气氛和5质量％的NaCl溶液喷雾下12小时之后，减光反射层在波长为600nm的光中的透光率可以为20％以下。

根据本申请的一个实施方案，在85℃和相对湿度为85％的高温-高湿气氛下10天之后，减光反射层的平均光反射率的变化量可以为20％以下。

平均光反射率的变化量(％)可以通过((经过高温-高湿气氛后的平均光反射率/初始平均光反射率)-1)×100来计算。

初始平均光反射率指在经历高温-高湿气氛之前减光反射层的平均光反射率。

在本申请的一个实施方案的导电结构中，即使导电结构经过高温气氛、NaCl溶液喷雾气氛或高温-高湿气氛时，减光反射层的物理性能的变化也不大，因此，在导电结构的制造过程中、导电结构的配送过程中以及将导电结构应用于电子器件的过程中会表现出优异的耐久性。

与包括包含氧化铜的减光反射层的导电结构相比，根据本申请的一个实施方案的导电结构具有改善的效果。包含氧化铜的减光反射层具有的问题是，由于减光反射层会在高温和高湿条件下通过氧化铜的相变而变色，因此，反射率会随着时间提高。然而，根据本申请的一个实施方案的导电结构的减光反射层即使在高温和高湿条件下也不发生相变，因此，可以防止减光反射层的变色。因此，在本申请的一个实施方案的导电结构中，减光反射层即使在高温和高湿条件下长时间之后仍不变色，因此，具有可以保持较低的反射率并且可以提供稳定的导电结构的优点。

根据本申请的一个实施方案，金属层可以是包括多个开口和划分所述开口的导线的金属图案层。

根据本申请的一个实施方案，减光反射层可以设置在导线的至少一个表面上。具体地，根据本申请的一个实施方案，当金属层是金属图案层时，减光反射层可以设置在金属图案层的导线上。更具体地，根据本申请的一个实施方案，减光反射层可以是设置在金属图案层上的减光反射图案层。

根据本申请的一个实施方案，金属图案层和减光反射图案层可以形成规则图案或不规则图案。具体地，可以设置金属图案层和暗化图案层，同时通过图案化工艺在基板上形成图案。

具体地，所述图案可以具有多边形形状，如三角形或四边形、圆形、椭圆形或不规则形状。三角形可以包括等边三角形、直角三角形等，四边形可以包括等边四边形、正四边形、梯形等。

作为规则图案，可以使用本领域中使用的图案形式，如网格图案。对不规则图案没有特别地限制，可以具有形成泰森多边形图(voronoi diagram)的图形的边界线形式。根据本申请的一个实施方案，当图案形式是不规则图案时，可以通过不规则图案除去由具有方向性的光照引起的反射光的衍射图案，并且可以通过减光反射层使光散射的影响最小化，因此，可以使可视性的问题最小化。

根据本申请的一个实施方案，减光反射层可以设置在导线与基板邻接处的表面相对的表面上。

图2是示出当使根据本申请的一个实施方案的导电结构图案化时的层压结构的图。具体地，根据图2，在导电结构中，金属图案层(210)和减光反射图案层(310)连续设置在基板(100)上。然而，所述结构不限于图2的结构，还可以设置附加层。

在图2中，a表示图案层的线宽，b表示图案层的相邻导线之间的线间距。

根据本申请的一个实施方案，金属图案层的线宽可以为0.1μm以上且为100μm以下。具体地，根据本申请的一个实施方案，金属图案层的线宽可以为0.1μm以上且为50μm以下、0.1μm以上且为30μm以下或者0.1μm以上且为10μm以下，然而，线宽不限于此。金属图案层的线宽可以根据导电结构的最终应用来设计。

当线宽小于0.1μm时，会难以得到图案，当线宽大于100μm时，可视性会降低。

减光反射图案层可以具有与金属图案层相同的图案形状。然而，减光反射图案层的图案尺寸不必与金属图案层的图案尺寸完全相同，本申请的范围还包括减光反射图案层中的图案线宽比金属图案层中的图案线宽更窄或更宽的情况。具体地，减光反射图案层中的图案线宽可以为金属图案层中的图案线宽的80％以上且为120％以下。此外，具体地，减光反射图案层中具有图案的区域为金属图案层中具有图案的区域的80％以上且为120％以下。更具体地，减光反射图案层的图案形状优选为具有与金属图案层中的图案线宽相比相同或更大的图案线宽的图案形状。

当减光反射图案层具有比金属图案层的线宽更大的线宽的图案形状时，当用户观察时，减光反射图案层遮蔽金属图案层的效果更大，因此，具有可以有效地防止由金属图案层本身的光泽或反射所引起的效应的优点。然而，当减光反射图案层中的图案线宽与金属图案层中的图案线宽相同时，也可以实现本申请的目标效果。

根据本申请的一个实施方案，金属图案层的相邻导线之间的线间距可以为0.1μm以上且为100μm以下。根据本申请的一个实施方案，所述线间距可以为0.1μm以上，更具体地为10μm以上，还更具体地为20μm以上。此外，根据本申请的一个实施方案，线间距可以为100μm以下，更具体为30μm以下。

根据本申请的一个实施方案，金属图案层和减光反射图案层可以作为具有精细线宽的图案得到，因此，具有当用作显示装置的触摸面板的电极时具有优异的可视性的优点。

根据本申请的一个实施方案，金属层可以包含选自铜、铝、银、钕、钼、镍中的一种或多种，包含它们中的两种以上的合金，包含它们中的一种以上的氧化物以及包含它们中的一种以上的氮化物。具体地，根据本申请的一个实施方案，金属层可以包含铜。根据本申请的一个实施方案，金属层可以由铜形成。此外，根据本申请的一个实施方案，金属层可以包含铜作为主要成分。然而，在制造过程中可以包含一些杂质。

铜具有优异的导电性和较低的电阻，并且可以用作透明电极层的顶部上的电极丝(wiring electrode)。然而，铜具有较低的活化能并且具有非常大的待还原为中性金属的电位值，并且非常容易得到电子而被氧化。因此，当透明电极层的顶部上仅存在铜层时，铜层会被氧化或腐蚀，引起在高温和高湿环境下表面电阻增加的问题。此外，对透明电极层的粘附性较低，表面强度也较低，因此，机械性能不好。

鉴于这些问题，根据本申请的一个实施方案的导电结构设置有包含铜的金属层和减光反射层，可以防止金属层的氧化和腐蚀。因此，根据本申请的一个实施方案的导电结构具有优异的化学耐久性。此外，所述导电结构还具有具有优异的机械性能的优点。

根据本申请的一个实施方案，金属层可以使用本领域中已知的方法形成。例如，可以使用诸如蒸发方法、溅射方法、湿涂方法、汽化方法、电镀或化学镀方法以及金属箔层压方法的方法形成。

另外，根据本申请的一个实施方案，金属层也可以使用印刷方法形成。当使用印刷方法形成金属层时，可以使用包含金属的油墨或糊料，并且除了金属之外，糊料还可以包含粘合剂树脂、溶剂、玻璃粉等。

根据本申请的一个实施方案，金属层的厚度可以为100nm以上，更具体地，150nm以上。此外，根据本申请的一个实施方案，金属层的厚度可以为500nm以下，更具体地，200nm以下。导电性取决于金属层的厚度，当金属层非常薄时，不能形成连续的厚度，导致比电阻值增加的问题，金属层的厚度可以为100nm以上。

根据本申请的一个实施方案，还可以在基板和金属层之间包括附加金属层。

根据本申请的一个实施方案，附加金属层可以包含选自铜、铝、钕、钼、钛和镍中的两种以上金属。具体地，附加金属层可以包含Cu-Ni。

附加金属层可以起到使导电结构的导电性的下降最小化，并且提高基板和金属层之间的粘附性的作用。

根据本申请的一个实施方案，所述导电结构可以具有：基板、金属层和减光反射层顺序连续层压的结构；基板、减光反射层和金属层顺序连续层压的结构；或者基板、减光反射层、金属层和减光反射层顺序连续层压的结构。

根据本申请的一个实施方案，导电结构的层压结构可以包括：基板/减光反射图案层/金属图案层的结构；基板/金属图案层/减光反射图案层的结构；基板/减光反射图案层/金属图案层/减光反射图案层的结构；基板/金属图案层/减光反射图案层/金属图案层的结构；基板/减光反射图案层/金属图案层/减光反射图案层/金属图案层/减光反射图案层的结构；基板/减光反射图案层/金属图案层/减光反射图案层/金属图案层/减光反射图案层/金属图案层/减光反射图案层的结构等。

在本申请中，减光反射层可以是减光反射图案层。此外，在本申请中，金属层可以是图案化过的金属图案层。减光反射层与金属层可以同时地或单独地图案化。

在本申请中，减光反射层可以设置在金属层的至少一个表面上。具体地，减光反射层可以设置在金属层的任意一个表面上，或者也可以设置在金属层的两个表面上。

根据本申请的一个实施方案，金属层可以设置在基板和减光反射层之间。具体地，所述导电结构可以包括：基板；设置在所述基板上的金属层；以及设置在所述金属层上的减光反射层。此外，根据本申请的一个实施方案，减光反射层可以设置在金属层的上表面和侧表面的至少一部分上。具体地，当将导电结构用在电子设备的显示单元中并且通过与基板相对的表面从外部识别时，减光反射层可以起到防止金属层的眩目的作用。

在根据本申请的一个实施方案的导电结构中，减光反射层可以设置在基板和金属层之间。具体地，所述导电结构可以包括：基板；设置在所述基板上的减光反射层；以及设置在所述减光反射层上的金属层。具体地，当将导电结构用在电子设备的显示单元中并且通过基板从外部识别时，减光反射层可以起到防止金属层的眩目的作用。

当将金属层用在电子设备的显示单元中时，减光反射层不仅可以起到防止金属层的腐蚀的作用，而且可以起到防止由金属层引起的眩目效应的作用。

本公开的发明人发现，在有效屏幕单元中设置的包括导电金属微图案的触摸屏面板中，由导电金属微图案引起的光反射和折射的性能对导电金属微图案的可视性具有重大影响，并且已经努力改善这一点。具体地，在基于现有ITO的触摸屏面板中，由于ITO本身的较高的透光率，由导电图案的反射率引起的问题没有显著地表现出来，然而，在有效屏幕单元中设置的包括导电金属微图案的触摸屏面板中，导电金属微图案的反射率和减反射特性非常重要。

当在触摸屏面板中使用根据本申请的一个实施方案的导电结构时，可以显著改善由金属层的高反射率引起的可视性下降的问题。

具体地，减光反射层具有光吸收性能，因此，能够通过减少入射到金属层本身的光的量和从金属层反射的光的量来降低由金属层引起的反射。此外，与金属层相比，减光反射层可以具有较低的反射率。结果，与用户直接观察金属层的情况相比，光反射率会降低，因此，可以显著改善导电结构的可视性。

根据本申请的一个实施方案，减光反射层还可以包括具有两种以上元素的过渡层，其中，根据外部光进入的方向，一种元素组成比例每100Ω增加最大约20％。此处，一种元素可以包括诸如镍(Ni)、钒(V)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、铌(Nb)、钛(Ti)、铁(Fe)、铬(Cr)、钴(Co)、铝(Al)或铜(Cu)的金属元素，并且可以包含氧、氮或碳作为除了金属元素以外的元素。

在根据本申请的一个实施方案的导电结构中，可以使用透明基板作为基板，然而，对基板没有特别地限制，可以使用玻璃、塑料基板、塑料膜等。

根据本申请的一个实施方案，还可以在基板和金属层之间设置透明导电层。具体地，根据本申请的一个实施方案，透明导电层可以设置为与基板的一个表面邻接。此外，根据本申请的一个实施方案，金属层可以设置在透明导电层上。

根据本申请的一个实施方案，可以使用透明导电氧化物层作为透明导电层。作为透明导电氧化物，可以使用氧化铟、氧化锌、氧化铟锡、氧化铟锌、铟锌锡氧化物、非晶性透明导电聚合物等，并且可以使用它们中的一种或两种以上类型，然而，透明导电氧化物不限于此。根据本申请的一个实施方案，透明导电层可以是氧化铟锡层。

根据本申请的一个实施方案，透明导电层可以是透明电极层。

在本申请中，“透明”指可见光透过率为70％以上或80％以上。

根据本申请的一个实施方案，透明导电层的厚度可以为15nm以上且为20nm以下，然而，厚度不限于此。透明导电层可以使用上述用于透明导电层的物质通过蒸发过程或印刷过程形成。

根据本申请的一个实施方案，对基板没有特别地限制，可以使用本领域已知的物质。根据本申请的一个实施方案，可以使用任意基板作为基板，只要是透明基板即可，其实例可以包括玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)或聚酰胺(PA)。

根据本申请的一个实施方案，导电结构的表面电阻可以为0.1Ω/□以上且为100Ω/□以下，具体地，1Ω/□以上且为50Ω/□以下，更具体地，1Ω/□以上且为20Ω/□以下。

表面电阻为1Ω/□以上且为100Ω/□以下的导电结构在替代现有的透明ITO电极方面有效。特别地，当表面电阻为1Ω/□以上且为50Ω/□以下，或者为1Ω/□以上且为20Ω/□以下时，与使用现有的透明ITO电极的情况相比，表面电阻显著更低，因此，由于当施加信号时RC延迟被缩短，因此可以显著改善触摸识别速度，基于此，可以容易地实现在10英寸以上的大面积触摸屏中的使用。

在导电结构中，图案化之前的金属层或减光反射层的表面电阻可以大于0Ω/□且为10Ω/□以下、大于0Ω/□且为2Ω/□以下，具体地，大于0Ω/□且为0.7Ω/□以下。当表面电阻为2Ω/□以下，特别地为0.7Ω/□以下时，由于图案化之前的金属层或减光反射层的表面电阻降低，因此，微图案化设计和制造过程顺利地进行，并且由于图案化之后导电结构的表面电阻降低，因此，在提高电极的反应速度方面有效。可以根据金属层或减光反射层的厚度来调节表面电阻。

本申请的一个实施方案提供一种导电结构的制造方法。

本申请的一个实施方案提供一种导电结构的制造方法，包括：制备基板；在所述基板上形成金属层；以及在所述金属层的至少一个表面上形成包含铜-镍氧化物的减光反射层，其中，所述减光反射层的铜含量为15原子％以上且为55原子％以下，所述减光反射层的镍含量为1原子％以上且为30原子％以下。

在所述导电结构的制造方法中，对导电结构、金属层、减光反射层、金属图案层和减光反射图案层的描述与上面的描述相同。

根据本申请的一个实施方案，金属层或减光反射层的形成可以使用本领域已知的方法。例如，可以使用诸如蒸发方法、溅射方法、湿涂方法、汽化方法、电镀或化学镀方法以及金属箔层压方法的方法形成，具体地，可以使用溅射方法形成。

根据本申请的一个实施方案，可以使用物理蒸发方法形成减光反射层。具体地，减光反射层的形成可以使用溅射方法、电子束蒸发方法、汽化蒸发方法等。例如，当形成减光反射层时，可以使用惰性气体如Ar作为溅射气体。此外，当使用反应性溅射方法时，还可以通过对诸如O₂的反应性气体的分压控制来进行工艺。

根据本申请的一个实施方案，可以在氧分压为30％以上的气氛下使用溅射方法形成减光反射层。更具体地，根据本申请的一个实施方案，溅射方法也可以在氧分压为50％以上的气氛下进行。

根据本申请的一个实施方案的制造方法还可以包括使金属层和减光反射层中的至少一个图案化。

使金属层和减光反射层图案化的方法可以使用本领域已知的方法，没有特别地限制。例如，可以使用光刻胶方法使金属层图案化。具体地，可以使用如下方法：通过选择性地暴露和显影在金属层上形成光刻胶图案，或者使用印刷方法形成抗蚀图案，并使用该抗蚀图案作为掩模来选择性地蚀刻未被抗蚀图案涂布的金属层。

根据本申请的一个实施方案的制造方法还可以包括使金属层和减光反射层同时图案化。

在根据本申请的一个实施方案的制造方法中，同时图案化可以是使用蚀刻剂批量蚀刻金属层和减光反射层。

在根据本申请的一个实施方案的制造方法中，当金属层包含铜时，可以使用相同的蚀刻剂蚀刻金属层和减光反射层，其有利之处在于可以对金属层和减光反射层进行批量蚀刻。具体地，蚀刻剂可以是Cu蚀刻剂，可以使用本领域中通常使用的Cu蚀刻剂而没有限制。

本申请的一个实施方案提供一种包括所述导电结构的触摸面板。触摸面板可以是触摸屏面板。例如，在电容型触摸屏面板中，根据本申请的一个实施方案的导电结构可以用作触摸感应电极基板。

另外，本申请的一个实施方案提供一种包括所述触摸面板的显示装置。

除了上述导电结构之外，根据本申请的一个实施方案的触摸屏面板还可以包括附加结构。在这种情况下，两个结构可以沿相同方向设置，或者两个结构可以沿相反方向设置。能够包括在所述触摸屏面板中的两个以上结构不必具有相同的结构，并且有利的是，仅任意一个，优选地，离用户最近的结构包括上述导电结构，并且额外包括的结构不必包括减光反射图案层。此外，两个以上结构中的层压结构可以彼此不同。当包括两个以上结构时，可以在它们之间设置绝缘层。此处，绝缘层可以另外具有粘附层的功能。

根据本申请的一个实施方案的触摸屏面板可以包括：下基板；上基板；以及电极层，该电极层设置在与上基板邻接的下基板的表面以及与下基板邻接的上基板的表面中的任意一个表面上或两个表面上。电极层可以各自具有X轴位置检测和Y轴位置检测的功能。

此处，设置在下基板上和与上基板邻接的下基板的表面上的电极层；以及设置在上基板上和与下基板邻接的上基板的表面上的电极层中的一个或两个可以是根据本申请的一个实施方案的导电结构。当电极层中仅有一个是根据本申请的一个实施方案的导电结构时，其余的可以具有本领域中已知的导电图案。

当将电极层设置在上基板和下基板两者的一个表面上以形成两个电极层时，可以在下基板与上基板之间设置绝缘层或垫片，以便在电极层之间保持恒定的距离并且不发生接触。绝缘层可以包含粘合剂或者UV或热固化树脂。触摸屏面板还可以包括连接至上述导电结构中的金属层的图案的接地单元。例如，接地单元可以在形成基板的金属层的图案的表面的边缘部分处形成。此外，可以在包括导电结构的层压体的至少一个表面上设置防反射膜、偏光膜和防指纹膜中的至少一种。根据设计规格，除了上述功能膜之外，还可以包括不同类型的功能膜。上述触摸屏面板可以用在诸如OLED显示面板、液晶显示器(LCD)、阴极射线管(CRT)和PDP的显示装置中。

在根据本申请的一个实施方案的触摸屏面板中，在基板的两个表面上可以各自设置导电图案层和暗化图案层。

根据本申请的一个实施方案的触摸屏面板可以另外包括在导电结构上的电极单元或衬垫单元(pad unit)，此处，有效屏幕单元、电极单元和衬垫单元可以由相同的导体形成。

在根据本申请的一个实施方案的触摸屏面板中，可以在用户观察的一侧设置减光反射层。

本申请的一个实施方案提供一种包括所述导电结构的显示装置。在该显示装置中，根据本申请的一个实施方案的导电结构可以用在滤光器基板、薄膜晶体管基板等中。

本申请的一个实施方案提供一种包括所述导电结构的太阳能电池。例如，所述太阳能电池可以包括阳极电极、阴极电极、光敏层、空穴迁移层和/或电子迁移层，并且根据本申请的一个实施方案的导电结构可以用作阳极电极和/或阴极电极。

在显示装置或太阳能电池中，所述导电结构可以替代现有的ITO，并且可以在柔性产品中具有潜在的应用。此外，所述导电结构可以与CNT、导电聚合物、石墨烯等一起用作下一代透明电极。

下文中，将参照实施例详细描述本申请。然而，根据本申请的实施例可以被修改为各种其它形式，本申请的范围不应理解为局限于下面描述的实施例。提供本申请中的实施例用于向本领域普通技术人员更完整地说明本申请。

[实施例和比较例]

制备聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板之后，使用Cu作为原料，在2mTorr的氩气气氛下在PET基板上形成厚度为100nm的金属层。此外，使用Cu-Ni作为原料，在氧分压为50％且3mTorr的气氛下在金属层上形成减光反射层。具体地，在改变原料中的Ni含量的同时，在金属层上形成如下面的表1中所示的厚度为30nm的由铜-镍氧化物形成的减光反射层，从而制造导电结构。

实施例和比较例用于检测导电结构的性能，并且不包括图案化过程。

[表1]

图5示出了测量根据实施例和比较例制造的导电结构的减光反射层的折射率(n)的结果。

图6示出了测量根据实施例和比较例制造的导电结构的减光反射层的消光系数(k)的结果。

图5和图6中的％是指表1中Cu-Ni原料中的Ni含量(％)。

[试验例1]-耐热性试验

对于表1中的根据实施例和比较例制造的各导电结构，在150℃的高温气氛下1小时之后，测量在380nm至780nm的波长范围内的反射率的变化。根据试验例1的实施例和比较例的平均光反射率的变化量如下面的表2中所示。

[表2]

基于表2的结果，可以看出，在根据本申请的一个实施方案的导电结构中，即使在耐热性试验之后，减光反射层的光学性能也几乎不发生改变，具体地，平均光反射率的变化量为10％以下。因此，可以看出，即使处于在制造工艺过程中或产品使用过程中会产生的高温环境下，根据本申请的一个实施方案的导电结构也能够保持优异的性能。

[试验例1-1]-耐热性试验

对于根据实施例5和比较例1的各导电结构，在150℃的高温气氛下24小时之后测量物理性能的改变。

图7示出了导电结构在根据试验例1-1的耐热性试验之前和之后的反射率。

图8示出了导电结构在根据试验例1-1的耐热性试验之前和之后的的减光反射层的颜色变化。

图9示出了实施例5的减光反射层在根据试验例1-1的耐热性试验之前和耐热性试验之后3小时的表面状况。

图10示出了比较例1的减光反射层在根据试验例1-1的耐热性试验之前和耐热性试验之后3小时的表面状况。

基于图7至图10的结果，可以看出，在根据本申请的一个实施方案的导电结构中，即使在耐热性试验之后减光反射层也几乎不发生光学性能的改变，并且在减光反射层中也几乎不发生颜色变化和表面状况变化。因此，可以看出，即使处于在制造工艺过程中或产品使用过程中会产生的高温环境下，根据本申请的一个实施方案的导电结构也能够保持优异的性能。

[试验例2]-耐盐水性试验

将根据实施例5和比较例1制造的导电结构分别置于25℃的气氛和5质量％的NaCl溶液喷雾下，并在12小时之后测量导电结构的状态。

图11示出了导电结构在根据试验例2的耐盐水性试验之后的透光率。图11中的透光率可以与减光反射层的透光率相同。此外，在耐盐水性试验之前，根据实施例5和比较例1的导电结构在全波长区域中的透光率为0％。

基于图11的结果，可以看出，在根据本申请的一个实施方案的导电结构中，即使在耐盐水性试验之后，透光率的改变也不显著。这表明，即使在耐盐水性试验之后，减光反射层的物理性能也没有改变很多，并且减光反射层能够顺利地执行作为减光反射层的功能。

[试验例3]-等温-等湿试验

将根据实施例5和比较例1制造的导电结构分别置于85℃和相对湿度为85％的高温-高湿气氛下，并在10天之后测量导电结构的状态。

图12示出了实施例5的导电结构在根据试验例3的等温-等湿试验之前和之后的光反射率的变化。

基于图12和图13的结果，可以看出，即使在等温-等湿试验之后，根据实施例5的导电结构的光反射率也几乎没有改变，然而，根据比较例1的导电结构的光反射率具有相当大的改变。因此，这表明，在根据本申请的一个实施方案的导电结构的减光反射层中，即使在耐盐水性试验之后，减光反射层的物理性能的改变也不显著，并且减光反射层能够顺利地执行作为减光反射层的功能。

Claims

1.一种导电结构，包括：

基板；

设置在所述基板上的金属层；以及

设置在所述金属层的至少一个表面上的包含铜-镍氧化物的减光反射层，

其中，所述减光反射层的铜含量为15原子％以上且为55原子％以下；并且

所述减光反射层的镍含量为1原子％以上且为30原子％以下。

2.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述减光反射层的镍含量为2原子％以上且为25原子％以下。

3.根据权利要求1所述的导电结构，其中，在所述减光反射层中，所述镍含量与所述铜含量的比例Ni(原子％)/Cu(原子％)为0.01以上且为1.8以下。

4.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述减光反射层的表面上的反射率在波长为600nm的光中为40％以下。

5.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述减光反射层在波长为600nm的光中的折射率(n)为2以上且为2.4以下。

6.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述减光反射层在波长为600nm的光中的消光系数(k)为0.3以上且为1.2以下。

7.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述减光反射层的厚度为10nm以上且为100nm以下。

8.根据权利要求1所述的导电结构，其中，在150℃的高温气氛下24小时之后，所述减光反射层在380nm至780nm的波长范围内的平均光反射率的变化量为10％以下。

9.根据权利要求1所述的导电结构，其中，在25℃的气氛和5质量％的NaCl溶液喷雾下12小时之后，所述减光反射层在波长为600nm的光中的透光率为20％以下。

10.根据权利要求1所述的导电结构，其中，在85℃和相对湿度为85％的高温-高湿气氛下10天之后，所述减光反射层的平均光反射率的变化量为20％以下。

11.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述金属层是包括多个开口和划分所述开口的导线的金属图案层。

12.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述金属图案层的线宽为0.1μm以上且为100μm以下。

13.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述金属图案层的相邻导线之间的线间距为0.1μm以上且为100μm以下。

14.根据权利要求1所述的导电结构，还包括在所述基板和所述金属层之间的附加金属层。

15.根据权利要求1所述的导电结构，还包括在所述基板和所述金属层之间的透明导电层。

16.根据权利要求1所述的导电结构，该导电结构具有：所述基板、所述金属层和所述减光反射层顺序连续层压的结构；所述基板、所述减光反射层和所述金属层顺序连续层压的结构；或者所述基板、所述减光反射层、所述金属层和所述减光反射层顺序连续层压的结构。

17.根据权利要求1所述的导电结构，该导电结构的表面电阻为0.1Ω/□以上且为100Ω/□以下。

18.一种导电结构的制造方法，包括：

制备基板；

在所述基板上形成金属层；以及

在所述金属层的至少一个表面上形成包含铜-镍氧化物的减光反射层，

19.根据权利要求18所述的导电结构的制造方法，其中，所述减光反射层的形成使用物理蒸发方法。

20.根据权利要求18所述的导电结构的制造方法，其中，所述减光反射层的形成使用氧分压为30％以上的气氛下的溅射方法。

21.根据权利要求18所述的导电结构的制造方法，还包括使所述金属层和所述减光反射层同时图案化。

22.根据权利要求21所述的导电结构的制造方法，其中，所述同时图案化是使用蚀刻剂对所述金属层和所述减光反射层进行批量蚀刻。

23.一种包括权利要求1至17中的任意一项所述的导电结构的触摸面板。

24.一种包括权利要求23所述的触摸面板的显示装置。