CN107110602A - 具有对流和辐射加热的熔炉 - Google Patents

具有对流和辐射加热的熔炉 Download PDF

Info

Publication number
CN107110602A
CN107110602A CN201480065142.4A CN201480065142A CN107110602A CN 107110602 A CN107110602 A CN 107110602A CN 201480065142 A CN201480065142 A CN 201480065142A CN 107110602 A CN107110602 A CN 107110602A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature control
carrier element
control part
another
smelting furnace
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201480065142.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107110602B (zh
Inventor
R.埃布纳
B.琼斯
A.施皮岑贝尔格
U.凯姆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Adpv Solar Hull Cell Co Ltd
Original Assignee
Adpv Solar Hull Cell Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Adpv Solar Hull Cell Co Ltd filed Critical Adpv Solar Hull Cell Co Ltd
Publication of CN107110602A publication Critical patent/CN107110602A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107110602B publication Critical patent/CN107110602B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27BFURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B9/00Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
    • F27B9/30Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
    • F27B9/40Arrangements of controlling or monitoring devices
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27BFURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B9/00Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
    • F27B9/06Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity heated without contact between combustion gases and charge; electrically heated
    • F27B9/062Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity heated without contact between combustion gases and charge; electrically heated electrically heated
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27BFURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • F27B17/0016Chamber type furnaces
    • F27B17/0025Especially adapted for treating semiconductor wafers
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27BFURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B9/00Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
    • F27B9/14Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment
    • F27B9/20Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment the charge moving in a substantially straight path tunnel furnace
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27BFURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B9/00Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
    • F27B9/14Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment
    • F27B9/20Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment the charge moving in a substantially straight path tunnel furnace
    • F27B9/24Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment the charge moving in a substantially straight path tunnel furnace being carried by a conveyor
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27BFURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B9/00Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
    • F27B9/28Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity for treating continuous lengths of work
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27DDETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D19/00Arrangements of controlling devices
    • F27D2019/0028Regulation
    • F27D2019/0071Regulation using position sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Tunnel Furnaces (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
  • Furnace Charging Or Discharging (AREA)

Abstract

本发明涉及用于控制至少一个基板(102)的温度的熔炉,特别是连续式熔炉。熔炉的外壳(100)包括进风口(103)和出风口(104),其中,在进风口(103)与出风口(104)之间形成温度控制部(105)。用于承载所述至少一个基板(102)的载体元件(120)可沿着运输方向(101)移动通过进风口(103)进入温度控制部(105)且从温度控制部(105)通过出风口(104)。温度控制元件(106)热联接到温度控制部(105)以便控制温度控制部(105)的温度。所述温度控制部(105)包括进气口(108),气体(110)可通过该进气口吹送以便控制温度控制部(105)的温度。

Description

具有对流和辐射加热的熔炉
技术领域
本发明涉及一种熔炉,特别是连续式熔炉,包括布置在温度控制部内部以便控制温度控制部的温度以控制(有涂层)基板的温度的多个温度控制元件。此外,本发明涉及一种用于用熔炉对基板进行回火的方法。
背景技术
为了提供具有高容量的熔炉,使用隧道式熔炉或连续式熔炉。连续式熔炉是连续地操作的熔炉,其中在进口处向熔炉中馈入要加热的材料,例如金属材料,然后该材料通过熔炉加热部,并且最后通过出口移除。
通常,连续式熔炉包括多个加热部,其沿着要加热材料的运输方向接连地布置。例如,连续式熔炉包括预热区、烧制区和冷却区,其沿着材料的运输方向接连地布置。
为了运输材料通过连续式熔炉,将材料支撑到炉滚柱或其它部件上,材料沿着该滚柱沿着运输方向滚动。具体地,滚柱例如驱动皮带驱动,一般沿着运输方向运输材料通过熔炉。
为了将加热区内的材料加热,向各加热区中注入加热气体或过程气体。由于连续式熔炉的设计,即进口和出口孔,要将加热气体与熔炉的环境隔离是复杂的。因此,期望连续式熔炉的准确温度控制以及能量高效的连续式熔炉。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于控制材料的温度的高效且准确的熔炉。
可用一种熔炉、特别是连续式熔炉并用根据独立权利要求的一种用于用熔炉来控制基板的温度的方法来实现此目的。
根据本发明的第一方面,提出了一种用于控制至少一个基板的温度的熔炉,特别是连续式熔炉。该熔炉包括外壳和温度控制元件。该外壳包括进风口和出风口,其中,在进风口与出风口之间形成温度控制部。用于承载所述至少一个基板的载体元件可沿着运输方向移动通过进风口进入温度控制部且从温度控制部通过出风口。温度控制元件被热联接到温度控制部以便即通过辐射或吸收来控制温度控制部的温度。温度控制部可包括进气口,气体可通过该进气口吹送以便即通过对流来控制温度控制部的温度。
根据本发明的另一方面,提出了一种用于用熔炉来控制至少一个基板的温度的方法。根据本方法,用于承载所述至少一个基板的载体元件沿着运输方向移动通过进风口进入温度控制部且从温度控制部通过出风口。熔炉可包括外壳,其包括进风口和出风口,其中,在进风口与出风口之间形成温度控制部。此外,根据本方法,由被热联接到温度控制部的温度控制元件(其热能的辐射或吸收)来控制温度控制部的温度。此外,通过进气口向温度控制部中吹送用于(即对流地)控制温度控制部的温度的气体。
熔炉包括外壳,该外壳包括进风口和出风口。在进风口与出风口之间,形成温度控制部。可对温度控制部进行温度控制(加热或冷却),以便在温度控制部内部提供期望的温度以便分别地控制基板的温度。外壳可形成隧道,所述至少一个基板在加热和/或冷却过程期间运输通过该隧道。外壳可由热隔离材料制成,以便将温度控制部内部的体积与围绕外壳的环境隔离。
外壳可包括一个或多个温度控制部。每个温度控制部可沿着运输方向接连地布置,由此运输基板通过外壳。每个温度控制部可包括各自的进风口和各自的出风口。此外,每个温度控制部可包括期望的温度,使得可在每个温度控制部内用期望的温度对所述至少一个基板进行温度控制。例如,沿着运输方向,第一温度控制部可以是预热区,随后的另一温度控制部可以是加热部,在那里例如达到基板的最大温度,并且后续温度控制部可以是冷却部,在那里可用期望的温度梯度(每时间温度,例如T/s)将加热的基板冷却。
要加热的基板可以例如是陶瓷元件或金属元件。金属元件特别地可以是金属板。例如,可用期望的合金材料预先涂敷金属板,诸如铝、硅树脂或其它期望的合金材料。
可例如在200℃至100℃之间将温度控制部加热,特别是达到2100℃。
载体元件可移动通过外壳。载体元件包括基板位于其上面的载体部。该载体元件可例如包括矩形、圆形和/或杯形形状。载体元件可由诸如陶瓷材料的耐高温材料制成。载体元件由坚固且非柔性且非弹性的可变形材料制成。
此外,载体元件可包括平底,载体元件用该平底来接触外壳的底部。例如,该底部包括用于提供载体元件的底部与外壳的底部之间的低摩擦,使得载体元件沿着底部滑动。在另一示例性实施例中,载体元件可包括到其底部上的滚柱,以便提供载体元件与外壳的底部之间的低摩擦。
为了实现温度控制部的准确且高效的温度控制,本发明的方法将提供两者,即辐射加热和对流加热。辐射加热由被热联接到温度控制部的温度控制元件提供。可通过在温度控制部内部布置温度控制元件来实现热联接(即,温度控制元件与温度控制部的内体积之间的热相互作用和热能交换)。此外,温度控制元件可以是外壳本身的整体部分或区段,其由外部加热设备加热。例如,外壳的区段可形成温度控制元件,其由从位于外壳外面的加热器或冷却器加热
对流加热由形成到外壳中的进气口提供,气体可流过该进气口以便控制温度控制部的温度。
在常规方法中,连续式熔炉使用对流加热,其中,必须在温度控制部内部提供大质量流量的气体以便准确地调整温度。
因此,必须将大量的气体加热,使得降低效率。
用本发明的方法,除对流加热之外,另外,温度控制元件提供辐射加热,使得可减少质量流量和因此的气体的量,其中,温度控制部中的温度仍可准确地调整。
温度控制元件可以是例如板状元件,其分别地包括大的热辐射表面和/或热吸收表面。温度控制元件的材料可包括超过50 W/(m*K)、特别地超过90 W/(m*K)的传热系数。温度控制元件可例如由金属材料形成,以便提供适当的传热特性。
可将温度控制元件例如布置在外壳的底部、顶壁或侧壁处。此外,可将温度控制元件联接到电源,使得温度控制元件形成电加热的一部分。替换地或另外,温度控制元件可包括诸如加热气体或加热液体的加热流体可流过的多个辐射管。替换地,通过辐射管的还有冷却流体,诸如冷却液体或冷却气体,如果温度控制部被布置成用于冷却基板的话。还可将温度控制元件布置在外壳的底部处,并且可沿着运输方向在温度控制元件上滑动或引导用于承载基板的下述载体元件。因此,载体元件通过来自温度控制元件的辐射热加热。因此,载体元件本身充当温度控制元件并通过辐射将基板加热。
可在外壳内、特别是在外壳的底部、顶部或侧壁内形成进气口,使得气体可注入到温度控制部中。气体可以是例如来自环境的加热或冷却空气或过程气体。此外,气体(即过程气体)可以是例如惰性气体,诸如氮气。例如,诸如鼓风机、具体地径流式鼓风机的压缩机可为气体提供期望的压力,使得气体可通过温度控制部内部的进气口注入。
根据另一示例性实施例,温度控制元件布置在温度控制部内,使得气体可抵靠或通过温度控制元件流动以便控制温度控制元件的温度。温度控制元件可包括板状形状,其可充当导风板。如果抵靠或通过温度控制元件引导气体,则温度控制元件分别地加热或冷却,并且温度控制元件用期望的温度、特别是通过辐射或吸收来控制温度控制部的温度。因此,可减少温度控制部的气氛中的湍流,因为温度控制元件沿着预定方向引导气体。
根据另一示例性实施例,以这样的方式形成进气口,即气体可以以基板特别地可从载体元件提升的方式抵靠基板流动。
具体地,外壳包括包含进气口的底部,其中,气体可以以基板可从底部提升的方式抵靠基板从底部流动。
具体地,进气口被布置在外壳内,特别是底部,其方式为由注入气体引起的提升力抵靠基板的重力作用在基板处,使得基板提升并悬浮。因此,基板可没有与外壳或载体的一部分的任何接触。因此,可减少由于由撞击基板的保持结构(诸如外壳壁或下述载体元件)造成的基板接触所引起的机械缺陷或不均匀加热或冷却。
可通过控制气体的质量流量来控制由注入气体引起的提升力。气体的质量流量由压缩机且由外壳的进气口的开口特性控制。例如,进气口可形成喷嘴或喷嘴的样式以便产生基板的适当提升力。
此外,可用位置传感器、诸如照相机来识别温度控制部内的基板的位置。此外,可用温度控制部内的压力传感器来控制质量流量的提升力。各传感器和压缩机联接到的控制单元可控制基板的提升和悬浮位置。
根据另一示例性实施例,进气口布置在温度控制部内,其方式为气体可用流动方向抵靠基板吹送,所述流动方向包括相对于运输方向平行或垂直的分量。因此,可将进气口分别地布置在外壳的侧壁和温度控制部处,使得进气口包括相对于重力的方向不平行的流动方向。因此,气体沿着基板的表面流动。替换地,可将进气口布置在外壳的底部中,并且温度控制元件使气体偏转到气流的期望方向。
根据另一示例性实施例,温度控制部包括用于从温度控制部排出气体的出气口。
根据另一示例性实施例,进风口和出风口中的至少一个包括另一进气口,通过该进气口可注入阻挡气体,使得产生用于将温度控制部与温度控制部的周围环境且特别地与布置在温度控制部的上游或下游的邻接温度控制部隔离的气体阻挡。
阻挡气体可以是例如空气或惰性气体,诸如氮气。阻挡气体流过各进风口和各出风口,使得产生气体阻挡。因此,阻止来自温度控制部的气体通过气体阻挡,并且因此可阻止其流出温度控制部。因此,虽然提供了开口,即外壳中的进风口和出风口,但可阻止气体流出温度控制部。
根据另一示例性实施例,熔炉还包括另一温度控制元件,布置在温度控制部内部以便控制温度控制部的温度。该另一温度控制元件相对于温度控制元件布置,其方式为基板当在进风口与出风口之间沿着运输方向移动时通过温度控制元件(例如上加热或冷却元件)与另一温度控制元件(例如下加热或冷却元件)之间的区域。
可以以与上述温度控制元件相同的方式形成和设计另一温度控制元件。另一温度控制元件布置在温度控制部内,其方式为基板布置在两者、即温度控制元件与另一温度控制元件之间。因此,提供了基板的均匀回火。
根据另一示例性实施例,载体元件包括基板可布置到其上面的载体底部,其中,该载体底部包括气体可抵靠基板流过的通道。
载体元件的底部可包括例如通道,诸如孔或例如网孔或点阵的样式,使得气体可流过载体元件的底部并因此通过对流将基板加热。此外,气体流过载体元件的底部,使得基板可悬浮在底部上方。
根据另一示例性实施例,熔炉包括力传递元件,其联接到载体元件,使得力传递元件将驱动力传递到载体元件以便沿着运输方向驱动载体元件。所述力传递元件可沿着运输方向移动。
力传递元件可以是例如推杆或拉杆,其分别地沿着运输方向推或拉载体元件。力传递元件在示例性实施例中可以是另一载体元件,其通过摩擦接触或通过形状配合接触而联接到载体元件。在另一示例性实施例中,可以以力传递方式沿着运输方向接连地布置多个其它载体元件。因此,所述多个载体元件例如可形成链。链中的第一或最后一个载体元件可联接到驱动单元,其向链的其它载体元件传递驱动力。在另一示例性实施例中,链的所述多个载体元件以可交换且可移除方式相互联接,使得可将相对于运输方向的最后一个载体元件从链移除并附着到链的第一载体元件。
可将力传递元件联接到驱动单元,其在示例性实施例中位于外壳外面,例如在环境内且因此在温度控制部之外且例如在外壳之外。力传递元件特别地联接到各载体元件装置的各部,其位于各温度控制部之外。力传递元件包括例如拉杆或推杆。替换地,力传递元件在示例性实施例中可从环境延伸通过在温度控制部内部的外壳的进风口。替换地,力传递元件从温度控制部的内部延伸通过在外壳外面的出风口,例如如果力传递元件是拉杆的话。
驱动单元是例如电或液压马达,其产生由力传递元件传递到载体元件的驱动力。驱动单元可产生恒定驱动力,使得载体元件连续地沿着运输方向驱动通过外壳。替换地,驱动单元可产生连续驱动力,使得载体元件沿着运输方向连续地移动。因此,载体元件在期望位置上停留达预定时间,并且在下一步骤中移动到在外壳中的另一期望位置。具体地,驱动单元产生具有沿着平移方向、即沿着运输方向的分量的驱动力。
如上所述,根据示例性实施例,力传递元件是用于承载另一基板的另一载体元件。
如上所述,根据示例性实施例,力传递元件被联接到载体元件,使得驱动力是(平移)推力,其可从力传递元件传递到载体元件。
如上所述,根据示例性实施例,力传递元件被联接到载体元件,使得驱动力是(平移)拉力,其可从力传递元件传递到载体元件。
根据另一示例性实施例,可应用多个力传递元件。例如,一个力传递元件向各载体元件传递拉力,并且另一其它力传递元件向各载体元件传递推力。
根据另一示例性实施例,力传递元件被通过形状配合连接、特别是鸠尾连接而联接到载体元件。此外,力传递元件包括载体元件的接触表面,并且载体元件的一个载体元件包括另一接触表面,使得两个接触表面可提供摩擦接触,其中,可在力传递元件与载体元件之间沿着各接触表面的各法线的方向传递驱动力。
如上所述,根据另一示例性实施例,提供了布置在外壳外面的驱动单元。力传递元件联接到驱动单元,使得驱动力被经由力传递元件从驱动单元传递到载体元件。
根据另一示例性实施例,其中,外壳包括用于引导载体元件通过外壳的引导系统,其中,载体元件联接到引导系统,使得载体元件可沿着运输方向引导。
引导系统包括例如至少一个导轨,其中,各载体元件可被联接到该导轨。可将载体元件形成为用于沿着导轨滑动。此外,导轨或各载体元件可包括滚柱,使得载体元件可沿着导轨滚动。
替换地,引导系统可包括沿着外壳的底部布置的多个支撑片材。该支撑片材可包括光滑且均匀的表面,以便提供载体元件与各支撑片材之间的低摩擦。载体元件由于载体元件与支撑片材之间的低摩擦而可沿着各支撑片材滑动。
因此,载体元件被布置到底部上,使得载体元件可沿着运输方向滑动到底部上。因此,从动辊或其它驱动部件可以是老式的而布置在外壳内部。具体地,如果力传递元件是推杆或拉杆,则驱动力沿着平移方向从外壳的外面向外壳的内部作用,并且分别地沿着运输方向拉动或推动载体元件。
外壳的底部和/或各载体元件的底部可形成为光滑的,并包括低粗糙度以便提供相互之间的适当可滑动接触。如上所述,可将支撑片材布置到底面上。
根据另一示例性实施例,熔炉包括另一载体元件,其包括用于承载另一基板的至少一个另一载体元件,其中,所述另一载体元件包括另一第一端部和另一第二端部。载体元件装置形成且可布置在外壳内,使得第一端部位于进风口,并且第二端部位于出风口内。
根据另一示例性实施例,所述至少一个载体元件包括第一边缘部、第二边缘部和所述至少一个基板内可承载到其中的凹部。该凹部在第一边缘部与第二边缘部之间沿着运输方向形成,其中,第一边缘部形成载体元件装置的第一端部。
根据另一示例性实施例,第二边缘形成载体元件装置的第二端部。因此,载体元件可形成且可以可布置在外壳内,使得第一边缘部位于进风口内,第二边缘部位于出风口内,并且凹部位于温度控制部内。
载体元件装置的所述至少一个载体元件以这样的方式设计和形成,即使得如果基板或所述多个基板承载到其中的载体元件凹部位于熔炉的温度控制部内,则第一边缘部、例如第一端部位于进风口内,并且第二边缘部、例如第二端部位于出风口内。第一边缘和第二边缘可包括比凹部更大的载体元件宽度。换言之,第一边缘和第二边缘可以是载体元件相对于载体元件的凹部(厚度)的突出体,即更厚部。然而,在替换实施例中,第一边缘和第二边缘可包括载体元件相对于凹部的类似宽度。
根据另一示例性实施例,载体元件装置包括用于承载多个基板的多个载体元件,其中,每个载体元件包括各自的第一边缘部、各自的第二边缘部和至少一个基板可被承载到其中的各自的凹部。各第二边缘部形成载体元件装置的第二端部。
第一端部和第二端部相对于运输方向在载体元件装置的相对端部处形成。各第一边缘和各第二边缘相对于运输方向在各载体元件的相对端部处形成。
因此,载体元件装置提供外壳、特别是温度控制部的适当隔离,因为如果载体元件装置的所述至少一个载体元件的凹部位于温度控制部内,则载体元件装置的第一端部和第二端部位于各进风口和各出风口处。如果第一端部位于进风口内且第二端部位于出风口处,则减小载体元件装置的各第一和第二端部和各进气或出风口的尺寸和分别地其之间的距离,使得可减少气体可通过其从温度控制部流向环境的流动体积。
根据另一示例性实施例,第一端部以这样的方式确定尺寸,即第一端部可形成与外壳的进风口的松配合连接,使得在第一端部与进风口之间不存在或者仅存在小的间隙。因此,根据另一示例性实施例,第二端部以这样的方式确定尺寸,即第二端部可与外壳的出风口形成松配合连接,使得在第二端部与进风口之间不存在或者仅存在小的间隙。
根据另一示例性实施例,载体元件可沿着运输方向通过进风口移动到温度控制部中并从温度控制部通过出风口。
根据另一示例性实施例,外壳包括另一出风口和另一温度控制部,其中,所述另一温度控制部沿着运输方向g在出风口与另一出风口之间形成。因此,如上所述,外壳可包括被各出风口分离的多个温度控制部。每个温度控制部可通过各温度控制部内的载体元件装置的分别布置端部而相互隔离。
根据另一示例性实施例,熔炉包括另一载体元件装置,其包括用于承载另一基板的至少一个另一载体元件,其中,所述另一载体元件装置包括另一第一端部和另一第二端部。所述另一载体元件装置被形成且可布置在外壳内,使得所述另一第一端部位于出风口内,并且所述另一第二端部位于所述另一出风口内。
所述另一载体元件装置可包括一个或多个其它载体元件,其沿着运输方向接连地联接,并且该凹部布置在另一温度控制部内。载体元件装置的第二端部可接触或者可被联接到另一载体元件装置的另一第一端部。
必须注意的是已参考不同的主题描述了本发明的实施例。特别地,已参考装置类型权利要求来描述某些实施例,同时参考方法类型权利要求来描述其它实施例。然而,本领域的技术人员从以上和以下描述将得知除非另外通知,除属于一种主题的特征的任何组合之外,关于不同主题的特征之间、特别是装置类型权利要求的特征与方法类型的权利要求的特征之间的任何组合也视为用本申请公开。
附图说明
下面将参考本发明不限于的实施例的示例更详细地描述本发明。
图1示出了根据本发明的示例性实施例的包括温度控制元件和进气口的熔炉的示意图,
图2示出了根据本发明的示例性实施例的包括载体元件和力传递元件的熔炉的示意图,以及
图3示出了根据本发明的示例性实施例的包括两个载体元件和绝缘部的熔炉的示意图。
具体实施方式
图中的示出是示意性的。在不同图中,为类似或相同元件提供相同的附图标记。
图1示出了用于控制至少一个基板102的温度的熔炉,特别是连续式熔炉。外壳100包括进风口103和出风口104,其中,在进风口103与出风口104之间形成温度控制部105。
用于承载所述至少一个基板102的载体元件120可沿着运输方向101移动通过进风口103进入温度控制部105且从温度控制部105通过出风口104。温度控制元件106布置在温度控制部105内部以便控制温度控制部105的温度。温度控制部105包括进气口108,气体110可通过该进气口吹送以便控制温度控制部105的温度。
可对温度控制部105进行温度控制(例如加热或冷却),以便在温度控制部105内部提供期望的温度以便分别地用期望的温度来控制基板102的温度。外壳100形成隧道,基板102在回火过程期间被运输通过该隧道。可例如在200℃与2000℃之间对温度控制部105进行回火。
温度控制元件106可以是例如板状元件,其包括大的热辐射表面。将温度控制元件106例如布置在外壳100的底部底部112或侧壁处。此外,可将温度控制元件106联接到电源,使得温度控制元件106形成电加热的一部分。替换地或另外,温度控制元件106可包括诸如加热气体或加热液体的加热流体可流过的多个辐射管。替换地,通过辐射管的还有冷却流体,诸如冷却液体或冷却气体,如果温度控制部105布置成用于冷却基板102的话。可将温度控制元件106布置在外壳100的底部112处,并且可沿着运输方向101在温度控制元件106上滑动或引导用于承载基板102的下述载体元件120。因此,载体元件120通过来自温度控制元件106的辐射热加热。因此,载体元件120本身充当温度控制元件并通过辐射将基板102加热。
此外,温度控制元件106可充当用于吸收热能以便使基板102冷却的吸收元件。
在底部112内形成进气口108。气体110例如是来自环境的具有预定温度的空气。此外,气体110可以是例如预定温度的惰性气体,诸如氮气。例如,诸如鼓风机、具体地径流式鼓风机的压缩机可为气体110提供期望的压力,使得气体110可通过温度控制部105内部的进气口108注入。
温度控制元件106布置在温度控制部105内,使得气体110可抵靠或通过温度控制元件106流动以便控制温度控制元件106的温度。温度控制元件106可包括板状形状,其可充当导风板。如果抵靠温度控制元件106引导气体110,则温度控制元件106分别地加热或冷却,并且温度控制元件106用期望的温度来控制温度控制部105的温度。
此外,气体110可抵靠载体元件120流动以便控制载体元件120的温度。
此外,如图1中所示,气体110可以以基板102可从底部112提升的方式抵靠基板102从底部112流动。具体地,进气口108布置在外壳100内,特别是底部112,其方式为由注入气体110引起的提升力抵靠基板102的重力作用在基板102处,使得基板102提升并悬浮。因此,基板102可没有与外壳100的一部分的任何接触。因此,可减少由对基板102的保持机构、诸如外壳100壁或下述载体元件120的撞击引起的基板102的机械缺陷(和例如不均匀加热/冷却)。
可通过控制气体110的质量流量来控制由注入气体110引起的提升力。气体110的质量流量由压缩机且由外壳100的进气口108的开口特性控制。例如,进气口108可形成喷嘴或喷嘴的样式以便产生基板102的适当提升力。
此外,可用位置传感器、诸如照相机来识别温度控制部105内的基板102的位置。此外,可用温度控制部105内的压力传感器来控制质量流量的提升力。各传感器和压缩机被联接到的控制单元可控制基板102的提升和悬浮位置。
此外,可例如由充当导风板的温度控制元件106沿着基板102的表面引导气体110。
温度控制部105包括用于从温度控制部105排出气体110的出气口109。
此外,进风口103和出风口104包括分别地包括另一进气口111,通过该进气口可注入阻挡气体118,使得产生用于将温度控制部105与温度控制部105的环境绝缘的气体阻挡。
阻挡气体118可以是例如空气或惰性气体,诸如氮气。阻挡气体118流过各进风口103或各出风口104,使得产生气体阻挡。因此,阻止来自温度控制部105的气体110通过气体阻挡,并且因此可阻止其流出温度控制部105。因此,虽然提供了开口,即外壳100中的进风口103和出风口104,但可阻止气体110流出温度控制部105。
此外,如图1中所示,熔炉还包括另一温度控制元件107,去被布置在温度控制部105内部以便控制温度控制部105的温度。所述另一温度控制元件107相对于温度控制元件106布置,其方式为基板102当在进风口103与出风口104之间沿着运输方向101移动时通过温度控制元件106与另一温度控制元件107之间的区域。
可以以与上述温度控制元件106相同的方式形成和设计另一温度控制元件107。另一温度控制元件107布置在温度控制部105内,其方式为基板102布置在两者、即温度控制元件106与另一温度控制元件107之间。因此,提供了基板102的均匀回火。
如图1中所示,基板102用于承载基板102的载体元件120支撑,其中,载体元件120可沿着运输方向101移动通过进风口103进入温度控制部105并从温度控制部105通过出风口104。
载体元件120可移动通过外壳100。载体元件120包括基板102位于其上面的载体部。该载体元件120可例如包括矩形、圆形和/或杯形形状。载体元件120可由耐高温材料、诸如陶瓷、CFC、石墨或金属材料制成。此外,载体元件120可包括平底112,载体元件120用该平底站立到外壳100的底部112上。例如,该底部112包括用于提供载体元件120的底部124与外壳100的底部112之间的低摩擦。例如,载体元件120可到其底部124上的滚柱,以便提供载体元件120与外壳100的底部112之间的低摩擦。
此外,载体元件120包括基板102可布置到其上面的载体底部124,其中,该载体底部124包括气体110可抵靠基板102流过的通道。
载体元件120的底部124可包括例如通道,诸如孔或例如网孔或点阵的样式,使得气体110可流过载体元件120的底部124并因此通过对流将基板102加热。此外,气体110流过载体元件120的底部124,使得基板102可悬浮在载体底部124上方。
载体元件120包括第一边缘部121、第二边缘部122和基板102可承载到其中的凹部123。凹部123在第一边缘部121与第二边缘部122之间沿着运输方向101形成,其中,载体元件120形成且可以可布置在外壳100内,使得第一边缘部121位于进风口内,第二边缘部122位于出风口104内,并且凹部123位于温度控制部105内。
载体元件120是以这样的方式设计和形成的,即如果基板102承载到其中的载体元件120的凹部123位于熔炉的温度控制部105内,则第一边缘部121、即端部位于进风口103内,并且第二边缘部122、例如另一端部位于出风口104内。第一边缘部121和第二边缘部122可包括比凹部123更大的载体元件120宽度。换言之,第一边缘部121和第二边缘部122可以是载体元件120相对于载体元件120的凹部123的突出体。然而,在替换实施例中,第一边缘部121和第二边缘部122可包括载体元件120相对于凹部123的类似宽度。
第一边缘部121和第二边缘部122相对于运输方向101在载体元件120的相对端部处形成。
因此,载体元件120提供外壳100、特别是温度控制部105的适当隔离,因为如果载体元件120的凹部123位于温度控制部105内,则第一边缘部121和第二边缘部122位于各进风口103和各出风口104处。如果第一边缘部121位于进风口103内且第二边缘部122位于出风口104处,则减小第一和第二边缘121、122和各进风或出风口103、104的尺寸和分别地其之间的间距,使得可减少气体110可通过其从温度控制部105流向环境的流动体积。
载体元件120可沿着运输方向101移动通过进风口103进入温度控制部105并从温度控制部105通过出风口104。
图2示出了具有多个温度控制部105、114的外壳100。可将每个温度控制部105、114沿着基板102可通过其运输通过外壳100的运输方向101接连地布置。每个温度控制部105、114包括各进风口103和各出风口104、113。此外,每个温度控制部105、114可包括期望的温度,使得基板102或多个其它基板102可在每个温度控制部105、114内以期望的温度加热或冷却。例如,沿着运输方向101,第一温度控制部105可以是预热区,随后的另一温度控制部114可以是加热部,在那里例如达到基板102的最大温度,并且后续温度控制部(在图2中未示出)可以是冷却部,在那里可用期望的温度梯度(每时间温度,例如T/s)将加热的基板102冷却。
在回火部105内布置有载体元件装置,并且可在另一回火部114内布置另一载体元件装置。载体元件装置包括至少一个载体元件120且所述另一载体元件装置包括至少一个另一载体元件140。每个载体元件装置包括第一端部和第二端部。
载体元件装置形成且可布置在外壳100内,使得第一端部位于进风口103内,并且第二端部位于出风口104内。
外壳100包括另一出风口113和另一温度控制部114,其中,另一温度控制部114在出风口104与另一出风口113之间形成。所述另一载体元件装置形成且可布置在外壳100内,使得所述另一载体元件装置的另一第一端部位于出风口104内,并且另一载体元件装置的另一第二端部位于另一出风口113内。
载体元件装置的所述至少一个载体元件120包括第一边缘不121、第二边缘部122和基板102可承载到其中的凹部123,其中,凹部123在第一边缘部121与第二边缘部122之间沿着运输方向101形成。第一边缘部121形成载体元件装置的第一端部。
在图2中所示的示例性实施例中,载体元件120的第二边缘部122形成载体元件装置的第二端部。替换地,载体元件装置可包括位于公共温度控制部105内的多个载体元件120,其中,相对于运输方向101位于载体元件装置的下游端部的载体元件120的第二边缘部122形成载体元件装置的第二端部。
另一载体元件装置的相应另一载体元件140包括另一第一边缘部121'、另一第二边缘部122和另一载体102可承载到其中的另一凹部123。另一凹部123在另一第一边缘部121'与另一第二边缘部122之间沿着运输方向101形成,其中,另一载体元件140形成且可以可布置在外壳100内,使得另一第一边缘部121'位于进风口104内,另一第二边缘部122位于另一出风口113内,并且另一凹部123位于另一温度控制部114内。
熔炉还包括力传递元件130熔炉还包括力传递元件130将驱动力分别地传递到载体元件装置和载体元件120、140,以便沿着运输方向101驱动载体元件120、140。所述力传递元件130可沿着传输方向101和温度控制部105移动。
力传递元件130可以是例如推杆或拉杆,其分别地沿着运输方向101推或拉载体元件装置。力传递元件130可以是另一载体元件装置的另一载体元件140,其被通过摩擦接触或通过形状配合接触而联接到载体元件装置的载体元件120。可以以力传递方式沿着运输方向101接连地布置多个其它载体元件装置。因此,载体元件装置的所述多个载体元件120、140可形成例如链。链中的第一或最后一个载体元件120、140可联接到驱动单元150,其向链的其它载体元件120、140传递驱动力。在另一示例性实施例中,链的各载体元件装置的所述多个载体元件120、140以可交换且可移除的方式相互联接,使得相对于运输方向101的最后一个载体元件120、140可被从链移除并相对于运输方向101附着到链的第一载体元件120、140。
可将力传递元件130联接到驱动单元150,其位于外壳100外面,例如在外壳100的环境内。因此,力传递元件130从环境、例如从在外壳100外面的馈送部115开始延伸通过在温度控制部105内部的外壳100的进风口103。替换地,力传递元件130从温度控制部105的内部延伸通过在外壳100外面的出风口104,例如如果力传递元件130是拉杆的话。
驱动单元150是例如电或液压马达,其产生被力传递元件130传递到载体元件120、140的驱动力。驱动单元150可产生恒定驱动力,使得载体元件120、140连续地沿着运输方向101驱动通过外壳100。替换地,驱动单元150可产生连续驱动力,使得载体元件120、140沿着运输方向101连续地移动。因此,载体元件120、140在期望位置上停留达预定时间,并且在下一步骤中移动到在外壳100中的另一期望位置。具体地,驱动单元150产生具有沿着平移方向、即沿着运输方向101的分量的驱动力。
其中,所述力传递元件130可通过形状配合连接、特别是鸠尾连接而联接到各载体元件装置的载体元件120、140。此外,力传递元件130包括接触表面,并且载体元件120包括另一接触表面,使得两个接触表面可提供摩擦接触,其中,可在力传递元件130与载体元件120、140之间沿着各接触表面的各法线的方向传递驱动力。
驱动单元150布置在外壳100外面。力传递元件130联接到驱动单元150,使得驱动力被经由力传递元件130从驱动单元150传递到载体元件120。
外壳100包括底部112,其中该载体元件120、140布置到底部112上,使得载体元件120、140可沿着运输方向101滑动到底部112上。因此,从动辊或其它驱动部件可以是老式的而布置在外壳100内部。具体地,如果力传递元件130是推杆或拉杆,则驱动力沿着平移方向从外壳100的外面向外壳100的内部作用,并且分别地沿着运输方向101拉动或推动载体元件120、140。
外壳100的底部112和/或各载体元件120、140的底部124可形成为光滑的,并包括低粗糙度以便提供相互之间的适当可滑动接触。
此外,外壳100包括另一出风口113和另一温度控制部114, 其中,另一温度控制部114在出风口104与另一出风口113之间形成。因此,如上所述,外壳100可包括多个温度控制部105、114,其各出风口104、113分离。每个温度控制部105、114可通过载体元件装置的分别地布置的端部、即各温度控制部105、114内的载体元件装置的载体元件120、140的各边缘121、122相互隔离。
图3更详细地示出了两个载体元件装置,其中,一个载体元件装置包括载体元件120且另一载体元件装置包括载体元件140。此外,示出了外壳100的绝缘部116(门部117)。
外壳100包括在两个相邻温度控制部105、114之间的门部117。在门部117的区域中,外壳100包括绝缘部116。绝缘部116例如是外壳100的一部分,具有用于提供下通道(进风口或出风口103、104、113)的突出体,各载体元件装置的各载体元件120、140可通过该小通道在相邻温度控制部105、114引导。绝缘部116可由热隔离材料制成。
应注意的是术语“包括”不排除其它元件或步骤,并且“一”或“一个”不排除多个。还可将与不同实施例相关联地描述的元件组合。还应注意的是不应将权利要求中的任何附图标记理解为限制权利要求的范围。
附图标记列表:
100 外壳
101 运输方向
102 基板
103 进风口
104 出风口
105 温度控制部
106 温控制元件
107 另一温度控制元件
108 进气口
109 出气口
110 气体
111 另一进气口
112 底部
113 另一出风口
114 另一温度控制部
115 馈送部
116 绝缘部
117 门部
118 阻挡气体
120 载体元件
121 第一边缘部
122 第二边缘部
123 凹部
124 载体底部
130 力传递元件
140 另一载体元件
150 驱动单元。

Claims (22)

1.一种用于控制至少一个基板(102)的温度的熔炉,特别是连续式熔炉,该熔炉包括
外壳(100),其包括进风口(103)和出风口(104),
其中,在进风口(103)与出风口(104)之间形式温度控制部(105),
载体元件(120),其用于承载所述至少一个基板(102),
其中,所述载体元件(120)可沿着运输方向(101)移动通过进风口(103)进入温度控制部(105)且从温度控制部(105)通过出风口(104),
温度控制元件(106),其热联接到温度控制部(105)以便控制温度控制部(105)的温度,
其中,所述温度控制部(105)包括进气口(108),气体(110)可通过该进气口吹送以便控制温度控制部(105)的温度。
2.根据权利要求1所述的熔炉,
其中,所述温度控制元件(106)布置在温度控制部(105)内部,使得气体(110)可抵靠或通过温度控制元件(106)流动以便控制温度控制元件(106)的温度以对流地向或远离基板(102)载送热量。
3.根据权利要求1或2所述的熔炉,
其中,进气口(108)是以这样的方式形成的,即气体(110)可以以基板(102)可提升的方式抵靠基板(102)流动。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的熔炉,
其中,所述进气口(108)布置在温度控制部(105)内,其方式为气体(110)可用流动方向抵靠基板(102)吹送,所述流动方向包括相对于运输方向(101)平行或垂直的分量。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的熔炉,
其中,所述温度控制部(105)包括用于从温度控制部(105)排出气体(110)的出气口(109)。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的熔炉,
其中,所述进风口(103)和出风口(104)中的至少一个包括另一进气口(111),通过该进气口可注入阻挡气体(118),使得产生用于将温度控制部(105)与温度控制部(105)的外面环境或温度控制部(105)的邻接部隔离的气体阻挡。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的熔炉,还包括
另一温度控制元件(107),其布置在温度控制部(105)内部以便控制温度控制部(105)的温度,
其中,所述另一温度控制元件(107)相对于温度控制元件(106)布置,其方式为基板(102)当在进风口(103)与出风口(104)之间沿着运输方向(101)移动时通过温度控制元件(106)与另一温度控制元件(107)之间的区域。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的熔炉,
其中,所述载体元件(120)包括基板(102)可布置到其上面的载体底部(124),
其中,所述载体底部(124)包括通道,气体(110)可抵靠基板(102)流过该通道。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的熔炉,还包括
力传递元件(130),其联接到载体元件(120),使得力传递元件(130)向载体元件(120)传递驱动力以便沿着运输方向(101)驱动载体元件(120),
其中,所述力传递元件(130)可沿着传输方向(101)移动。
10.根据权利要求9所述的熔炉,
其中,所述力传递元件(130)是用于承载另一基板(102)的另一载体元件(140)。
11.根据权利要求9或10所述的熔炉,
其中,所述力传递元件(130)联接到载体元件(120),使得驱动力是可从力传递元件(130)传递至载体元件(120)的推力。
12.根据权利要求9至11中的任一项所述的熔炉,
其中,所述力传递元件(130)联接到载体元件(120),使得驱动力是可从力传递元件(130)传递至载体元件(120)的拉力。
13.根据权利要求9至12中的任一项所述的熔炉,
其中,所述力传递元件(130)通过形状配合连接、特别是鸠尾连接而联接到载体元件(120)。
14.根据权利要求9至13中的任一项所述的熔炉,还包括
驱动单元(150),其布置在外壳(100)外面,
其中,所述力传递元件(130)联接到驱动单元(150),使得驱动力经由力传递元件(130)从驱动单元(150)传递到载体元件(120)。
15.根据权利要求1至14中的任一项所述的熔炉,
其中,所述外壳(100)包括用于引导载体元件(120)通过外壳的引导系统,
其中,所述载体元件(120)联接到引导系统,使得载体元件(120)可沿着运输方向(101)引导。
16.根据权利要求1至15中的任一项所述的熔炉,还包括
载体元件装置,其包括用于承载基板(102)的至少所述载体元件(120),
其中,所述载体元件装置包括第一端部和第二端部,
其中,所述载体元件装置形成且可布置在外壳(100)内,使得第一端部位于进风口(103)内且第二端部位于出风口(104)内。
17.根据权利要求16所述的熔炉,
其中,所述至少一个载体元件(120)包括第一边缘部(121)、第二边缘部(122)和在其内部可承载基板(102)的凹部(123),
其中,在第一边缘部(121)与第二边缘部(122)之间沿着运输方向(101)形成凹部(123),
其中,第一边缘部形成载体元件装置的第一端部。
18.根据权利要求17所述的熔炉,
其中,第二边缘部(122)形成载体第二件装置的第二端部。
19.根据权利要求17所述的熔炉,
其中,所述载体元件装置包括用于承载另一基板(102)的另一载体元件(104),
其中,所述另一载体元件(140)包括另一第一边缘部、另一第二边缘部和所述另一基板(102)可承载到其中的另一凹部,
其中,所述另一第二边缘部形成载体元件装置的第二端部。
20.根据权利要求1至19中的任一项所述的熔炉,
其中,所述外壳(100)包括另一出风口(113)和另一温度控制部(114),
其中,在出风口(104)与另一出风口(113)之间形成另一温度控制部(114)。
21.根据权利要求20所述的熔炉,还包括
另一载体元件装置,其包括用于承载另一基板(102)的至少一个另一载体元件(140),其中,所述另一载体元件装置包括另一第一端部和另一第二端部,
其中,所述另一载体元件装置形成且可布置在外壳(100)内,使得所述另一第一端部位于出风口(104)内,并且所述另一第二端部位于所述另一出风口(113)内。
22.一种用于通过熔炉来控制至少一个基板(102)的温度的方法,该方法包括
使用于承载所述至少一个基板(102)的载体元件(120)沿着运输方向(101)移动通过进风口(103)进入温度控制部(105)且从温度控制部(105)通过出风口(104),
其中,所述熔炉包括外壳(100),其包括进风口(103)和出风口(104),
其中,在进风口(103)与出风口(104)之间形成温度控制部(105),
用热联接到温度控制部(105)的温度控制元件(106)来控制温度控制部(105)的温度,以及
通过进气口(108)向温度控制部(105)中吹送用于控制温度控制部(105)的温度的气体(110)。
CN201480065142.4A 2013-09-27 2014-09-25 具有对流和辐射加热的熔炉 Expired - Fee Related CN107110602B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB1317170.7A GB201317170D0 (en) 2013-09-27 2013-09-27 Furnace with a convection and radiation heating
GB1317170.7 2013-09-27
PCT/EP2014/070580 WO2015044320A1 (en) 2013-09-27 2014-09-25 Furnace with a convection and radiation heating

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107110602A true CN107110602A (zh) 2017-08-29
CN107110602B CN107110602B (zh) 2019-11-15

Family

ID=49553514

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480065142.4A Expired - Fee Related CN107110602B (zh) 2013-09-27 2014-09-25 具有对流和辐射加热的熔炉

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9970709B2 (zh)
EP (1) EP3049744B1 (zh)
JP (1) JP6491216B2 (zh)
KR (1) KR20160068820A (zh)
CN (1) CN107110602B (zh)
GB (1) GB201317170D0 (zh)
WO (1) WO2015044320A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201317194D0 (zh) * 2013-09-27 2013-11-13 Ebner Ind Ofenbau
JP7477754B2 (ja) 2020-03-30 2024-05-02 日本製鉄株式会社 加熱炉および加熱方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1251419A (zh) * 1998-08-20 2000-04-26 松下电器产业株式会社 气体漂浮装置、气体漂浮运送装置及热处理装置
CN1309758A (zh) * 1998-06-18 2001-08-22 罗斯空气设备公司 用于材料热处理的可转换设备
US6336755B1 (en) * 1999-02-16 2002-01-08 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image forming apparatus
US20030057198A1 (en) * 2001-09-25 2003-03-27 Shouzou Kobayashi Method and apparatus for performing baking treatment to semiconductor wafer
CN101257060A (zh) * 2008-03-05 2008-09-03 荀建华 太阳能电池烧结炉温区隔断装置
CN201331256Y (zh) * 2008-12-15 2009-10-21 合肥恒力电子技术开发公司 一种高温炉管气隔断装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61149781A (ja) * 1984-12-24 1986-07-08 日立金属株式会社 雰囲気焼結用連続炉
FR2579501B1 (fr) * 1985-03-30 1990-03-02 Neitz Heinrich Verwaltung Procede et dispositif pour le brasage de pieces en aluminium
US4767324A (en) * 1987-05-26 1988-08-30 General Electric Company Transition section for muffle furnace
JPH01167582A (ja) * 1987-12-23 1989-07-03 Shinagawa Refract Co Ltd 被熱物の浮上・輸送焼成炉およびその焼成法
JP2910061B2 (ja) * 1989-06-30 1999-06-23 松下電器産業株式会社 焼成炉
JP4090585B2 (ja) * 1997-08-04 2008-05-28 松下電器産業株式会社 対象物体の加熱処理方法およびそのための装置
MY117325A (en) * 1997-08-04 2004-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of heat treating object and apparatus for the same.
JPH11281259A (ja) * 1998-03-27 1999-10-15 Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd 連続式雰囲気炉
JP2000128346A (ja) * 1998-08-20 2000-05-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 浮揚装置、浮揚搬送装置および熱処理装置
JP2003329372A (ja) * 2002-05-14 2003-11-19 Nittetsu Elex Co Ltd 連続処理設備
JP4741307B2 (ja) * 2005-05-20 2011-08-03 富士フイルム株式会社 加熱装置及び加熱方法
JP2008020112A (ja) * 2006-07-12 2008-01-31 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd 加熱処理方法および装置
US20100127418A1 (en) * 2008-11-25 2010-05-27 Ronald Alan Davidson Methods For Continuous Firing Of Shaped Bodies And Roller Hearth Furnaces Therefor
DE102009037299A1 (de) * 2009-08-14 2011-08-04 Leybold Optics GmbH, 63755 Vorrichtung und Behandlungskammer zur thermischen Behandlung von Substraten
US9163877B2 (en) * 2011-06-07 2015-10-20 Berndorf Band Gmbh Conveyor oven

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1309758A (zh) * 1998-06-18 2001-08-22 罗斯空气设备公司 用于材料热处理的可转换设备
CN1251419A (zh) * 1998-08-20 2000-04-26 松下电器产业株式会社 气体漂浮装置、气体漂浮运送装置及热处理装置
US6336755B1 (en) * 1999-02-16 2002-01-08 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image forming apparatus
US20030057198A1 (en) * 2001-09-25 2003-03-27 Shouzou Kobayashi Method and apparatus for performing baking treatment to semiconductor wafer
CN101257060A (zh) * 2008-03-05 2008-09-03 荀建华 太阳能电池烧结炉温区隔断装置
CN201331256Y (zh) * 2008-12-15 2009-10-21 合肥恒力电子技术开发公司 一种高温炉管气隔断装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160068820A (ko) 2016-06-15
WO2015044320A1 (en) 2015-04-02
EP3049744B1 (en) 2018-10-24
GB201317170D0 (en) 2013-11-06
EP3049744A1 (en) 2016-08-03
US20160290719A1 (en) 2016-10-06
CN107110602B (zh) 2019-11-15
JP6491216B2 (ja) 2019-03-27
US9970709B2 (en) 2018-05-15
JP2016536557A (ja) 2016-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100619463B1 (ko) 연속 소성로 및 그 사용 방법
CN102686965B (zh) 用于对连续运动的钢带进行预热的装置和方法
TW201139942A (en) Method for reclaiming energy in smelting systems and smelting system based on thermocouples
CN107110602B (zh) 具有对流和辐射加热的熔炉
CN104321605A (zh) 具有排气装置的烧结炉
CN208685025U (zh) 一种双条双金属带锯条淬火加热炉装置
CN207050434U (zh) 一种网带式烧结炉
CN105899902B (zh) 包括密封温度控制部的熔炉
CN108550656B (zh) 一种电注入均衡退火装置
CN209960963U (zh) 热处理窑炉
JP6167453B2 (ja) シンターハードニング方法
CN208269641U (zh) 热风循环隧道炉
JP5706737B2 (ja) 基板冷却装置、基板キュア装置、並びに基板の製造方法
CN201605301U (zh) 带金属板材导向装置的高温立式热处理炉
CN216378316U (zh) 钢管连续生产用退火炉
CN100357691C (zh) 分室炉腔的冷却装置及方法
CN114166033B (zh) 一种窑炉冷却结构及一种窑炉冷却方法
CN217031988U (zh) 一种鱼竿竿坯固化用固化炉
CN116839357B (zh) 氮化硅陶瓷基片连续烧结装置及方法
CN214842572U (zh) 氧化石墨烯膜高温连续还原设备
CN219713961U (zh) 用于碳化硅辊棒烧结的真空炉
JP2013117328A (ja) 加熱炉
CN113307479A (zh) 一种钢化玻璃水平连续式退火装置
JP2017089934A (ja) 成形体の連続焼成装置および成形体の連続焼成方法
JP2004218978A (ja) 輻射管式真空炉

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1241453

Country of ref document: HK

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20191115

Termination date: 20200925