JP2004218978A - 輻射管式真空炉 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被処理品1を静置する加熱領域11を囲みその内側に上下方向に断面一定の流路を形成する複数の整流パネル12と、整流パネルを間隔を隔てて囲み上下方向の流路を形成する内壁14と、整流パネルの上方に設置され整流パネルの内側を上昇する上昇ガス流2とその外側を下降する下降ガス流3を形成する循環ファン16と、整流パネルの上端及び下端を塞ぎ前記上昇ガス流2の速度分布を均一化させる上下の整流器18と、整流パネルと内壁との間に位置し前記下降ガス流3を対流加熱しかつ整流パネルを輻射加熱する輻射管20とを備える。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、輻射管を用いて被処理品を加熱する輻射管式真空炉に関する。
【0002】
【従来の技術】
真空炉は、内部を減圧した後、不活性ガス等を再充填して被処理品を熱処理する熱処理炉である。真空炉は、加熱後に炉内及び処理品についた水分等がガス化した後に再度減圧し、不活性ガス等を再充填することで、水分を完全に除去できるため、水分による色付きのない熱処理(例えば焼戻し処理)ができる利点がある。
【0003】
真空炉は、熱源として電気ヒータを用いる「抵抗加熱式」と、熱源として輻射管(ラジアントヒート)を用いる「輻射管式」とに大別される。抵抗加熱式真空炉は、ヒータの配置が自由であり、温度分布調整が行いやすいため、温度分布精度の厳しい焼戻し用として従来から広く用いられている。しかし、抵抗加熱式真空炉は、電力消費量が大きくランニングコストが嵩む問題点がある。そこで、ランニングコストの低い輻射管式真空炉により、温度分布精度の厳しい焼戻しを行うことが要望されていた。
【0004】
この要望を満たすために、例えば[特許文献1][特許文献2]が提案されている。
【0005】
【特許文献1】
特開平11−142060号公報
【特許文献2】
特開2001−263957号公報
【0006】
[特許文献1]の「雰囲気循環式熱処理炉」は、図5に示すように、炉内天井部に設けた循環ファン117と炉内に設けたバッフル113により雰囲気循環路116を形成し、循環ファンの下方にドーナツ状の邪魔板120を配設するとともに、この邪魔板の下方にバッフル内を上下に区画する多孔板124を設け、炉内雰囲気を多孔板を介して下方に噴出させて処理材Wを熱処理したのちバッフル側板下方から前記雰囲気循環路に循環させる雰囲気循環式熱処理炉において、前記循環雰囲気通路を形成するバッフル側板114の前記循環雰囲気通路を形成するバッフル側板114の前記循環ファンの真横下部に平板状の邪魔板114aを下方に突設し、この部分で雰囲気の流れを分散して炉巾方向においてほぼ均一の流量としたものである。
【0007】
[特許文献2]の「真空炉」は、図6に示すように、真空チャンバー212内に断熱壁214で囲まれた処理室216を設け、該処理室216に装入される処理品218と断熱壁214との間にラジアントチューブヒータ234を配設した真空炉において、前記処理品218とラジアントチューブヒータ234との間に、処理品218の均一な温度分布を向上させる伝熱板236を配置したものである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献1の装置では、多孔板124の直下ではほぼ均一の流量分布となるが、ガス温度を均一化する手段はなく、多孔板直下の温度分布も不均一となる。また、処理材Wの熱処理した後の流量分布は温度も流量分布も不均一となる。そのため、対流加熱により処理材全体を均一に加熱/熱処理することが困難であり、温度分布精度の厳しい焼戻し用には適用できなかった。
【0009】
また、特許文献2の装置では、伝熱板236により処理品218の側面は輻射加熱により均一加熱できるが、流量分布は不均一であり処理品218全体を対流加熱することは困難であった。
【0010】
本発明は、上述した問題点を解決するために創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、対流加熱と輻射加熱の両方を併用し、被処理材全体を均一に加熱/熱処理することができる輻射管式真空炉を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、被処理品を静置する加熱領域を囲みその内側に上下方向に断面一定の流路を形成する複数の整流パネルと、該整流パネルを間隔を隔てて囲み上下方向の流路を形成する内壁と、整流パネルの上方に設置され整流パネルの内側を上昇する上昇ガス流とその外側を下降する下降ガス流を形成する循環ファンと、前記整流パネルの上端及び下端を塞ぎ前記上昇ガス流の速度分布を均一化させる上下の整流器と、整流パネルと内壁との間に位置し前記下降ガス流を対流加熱しかつ整流パネルを輻射加熱する輻射管と、を備えたことを特徴とする輻射管式真空炉が提供される。
【0012】
上記本発明の構成によれば、複数の整流パネルにより被処理品を静置する加熱領域を囲み、その内側に上下方向に断面一定の流路を形成するので、加熱領域を通過するガス流の速度変化を最少限度に抑えることができる。
また、内壁により整流パネルを間隔を隔てて囲み、上下方向の流路を形成するので、整流パネルの上方に設置された循環ファンにより、整流パネルの内側を上昇する上昇ガス流とその外側を下降する下降ガス流を形成して加熱領域を循環する循環ガス流を形成することができる。
【0013】
更に、整流パネルの上端及び下端を塞ぐ上下の整流器により、整流パネルの内側を上昇する上昇ガス流の速度分布を均一化させることができる。
また、整流パネルと内壁との間に位置する輻射管により、整流パネルの外側を下降する下降ガス流を対流加熱するので、下側の整流器に流入するガスの温度を均一化し、対流加熱により被処理材全体を均一に加熱/熱処理することができる。
更に、輻射管により整流パネルを輻射加熱するので、加熱された整流パネルを介して被処理品の外周部を輻射加熱することができ、外周部の温度低下を抑制することができる。
【0014】
本発明の好ましい実施形態によれば、前記上下の整流器は、上流側の均等分配部と下流側の整流部とからなり、
均等分配部は、上昇ガス流の全圧損の1/2以上の流路抵抗をつけることにより流速の均等分配化を図るために前記上昇ガス流に直交する方向に均等に配置された複数の圧損発生手段を有し、
整流部は、均等分配部を通過した上昇ガス流の流れ方向を整流する複数の整流フィンからなる。
【0015】
この構成により、複数の圧損発生手段により流速分布を均等化し、複数の整流フィンによりガス流の流れ方向を均等化できる。
【0016】
また、前記加熱領域を間に挟んで対向する1対の整流パネルは、均等分配部より広く熱伝導率の高い熱伝導板からなり、
前記輻射管は、該熱伝導板を均等に輻射加熱するように熱伝導板に沿って延びるU型輻射管又はW型輻射管である。
【0017】
均等分配部より広く熱伝導率の高い熱伝導板で整流パネルを構成することにより、U型輻射管又はW型輻射管による輻射加熱のアンバランスを面内の熱伝導で均温化することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態を図面を参照して説明する。なお、各図において、共通する部分には同一の符号を付し、重複した説明を省略する。
【0019】
図1は、本発明による輻射管式真空炉の全体構成図である。この図において、(A)は縦断面図、(B)はそのB−B断面図である。
【0020】
この図に示すように、本発明の輻射管式真空炉10は、複数の整流パネル12、内壁14、及び外壁15を備える。
複数(例えば4枚)の整流パネル12は、被処理品1を静置する加熱領域11を囲み、その内側に上下方向に断面一定の流路を形成する。被処理品1は、例えばジェットエンジンの動翼、静翼、ボルト等の小型金属部品であり、トレーやバスケット内に収容し、所定の加熱領域11に静置する。
【0021】
図1A,Bに示すように、この例では、1対(2枚)の整流パネル12と、装入・取出ドア13、及び背面内壁14aで加熱領域11が構成されている。またこの例で、1対(2枚)の整流パネル12は、均等分配部18aより広くかつ熱伝導率の高い熱伝導板(例えば、金属板、グラファイト板)からなり、輻射加熱のアンバランスを面内の熱伝導で均温化するようになっている。
【0022】
真空炉の内壁14は、整流パネル12を水平方向に間隔を隔てて囲み、その隙間に上下方向の流路を形成する。真空炉の外壁15は、気密容器であり、排気管15aを介して内部を真空に減圧し、かつ図示しない管路から内部に不活性ガス(アルゴン、ヘリウム、窒素等)を充填できるようになっている。内壁14と外壁15の間には、断熱材17が充填され放熱を低減している。
【0023】
図2は、図1Aの拡大図である。この図に示すように、本発明の輻射管式真空炉10は、更に、循環ファン16、上下の整流器18及び輻射管20を備える。
循環ファン16は、整流パネル12の上方の空間内に設置され、その部分のガスを上向きに吸引し、これにより、整流パネル12の内側を上昇する上昇ガス流2と、その外側(整流パネル12と内壁14の隙間)を下降する下降ガス流3を形成する。
21の冷却用熱交換器は、加熱・熱処理温度保持後に処理品及び炉内温度を冷やす際に、循環ガス流の発生している部位に移動させて循環ガス温度を下げることで、結果として処理品及び炉内温度を下げる。
図1Bに示すように、循環ファン16は、外部に設置された循環ファンモータ16aによりベルト等を介して回転駆動するようになっている。
【0024】
図3は、整流器の構成図である。上下の整流器18は、整流パネル12の上端及び下端を塞ぎ、かつ整流パネル12の内側を上昇する上昇ガス流2の速度分布を均一化させる機能を有する。
【0025】
図3に示すように、上下の整流器18は、上流側(図で下側)の均等分配部18aと、下流側(図で上側)の整流部18bとからなる。
均等分配部18aは、上昇ガス流2に直交する方向(この例で水平方向)に均等に配置された複数の圧損発生手段19aを有する。圧損発生手段19aは、例えば貫通孔であり、流路抵抗をつけることにより流速の均等分配化を図るようになっている。流路抵抗(圧損)は、上昇ガス流2の全圧損に占める割合が高いほど均等分配化の効果が高く、好ましくは上下の圧損発生手段19aの流路抵抗(圧損)を上昇ガス流2の全圧損の1/2以上に設定する。
【0026】
整流部18bは、例えば格子状に配列した複数の整流フィン19bからなり、均等分配部18aを通過した上昇ガス流2の流れ方向を整流し、流れ方向を均等化する。
【0027】
輻射管20は、整流パネル12と内壁14との間に位置し、整流パネル12と内壁14の隙間を下降する下降ガス流3を対流加熱し、かつ整流パネルを輻射加熱する機能を有する。
【0028】
この例において、加熱領域11を間に挟んで対向する1対の整流パネル12は、均等分配部18aより広く、かつ熱伝導率の高い熱伝導板からなる。また輻射管20は、熱伝導板12(整流パネル)を均等に輻射加熱するように熱伝導板に沿って延びるW型輻射管である。なお、輻射管20は、U型輻射管でもよく、その他の形態でもよい。
輻射管20は、その一端から高温の燃焼ガスが流入し、他端から燃焼ガスを排気し、輻射管を内面から加熱する。下降ガス流3は輻射管20の外面に接触して加熱され高温となり、加熱領域11において被処理品1を対流加熱する。また高温となった輻射管20は、熱伝導板12の外面を輻射加熱する。
【0029】
図4は、熱伝導板と輻射管との関係を示す図である。この図に示すように、均等分配部18aより広く、かつ熱伝導率の高い熱伝導板12で整流パネル12を構成することにより、U型輻射管又はW型輻射管による輻射加熱のアンバランスを面内の熱伝導で均温化するようになっている。
【0030】
上述したように、本発明では加熱手段として、対流加熱と輻射加熱の両方を併用する。また、主加熱を対流加熱とし、輻射加熱を補助的に用いて流速分布と温度分布の両方を均一化する。
処理品の有効加熱帯における温度分布の精度を向上させるために、ガス流分布の均一化を図る。そのために上下の整流器18と、側面パネル12を用いる。
上下の整流器18は、ガスの吐出側(処理品に対して下側)とガス吸入側(処理品に対して上側)に整流器を取り付ける。
整流器18は、流れ方向の上流側の均等分配部18aと、その下流の整流部18bからなる。
【0031】
均等分配部18aは、例えばほぼ均等に穴開けされたパンチングメタルであり、このパンチングメタルによる吐出側の上流と下流側との間に圧損(ガス流抵抗)を生じさせ、どの穴からもほぼ均等のガス量を得る。ただしこれだけでは、対流ガスのベクトルの進行方向が乱れているために、下流側の整流部18b(例えば格子板)によりガス流の流れ方向を安定化させる。
【0032】
また、入口側だけの調整ではガス流の途中から乱れが生じてしまう。例えば、ファンの吸込み口があるとガス流はそこに向かってしまう。そのために有効加熱帯の一部に不均一を生じてしまうおそれがあるため、ガス吸入側にも整流器を設けることで有効加熱帯のガス流を安定化させる。
【0033】
さらに副加熱の輻射加熱の不均一化を緩和するために輻射管による直接加熱でなしにガス流の流れを整流化する側面パネル(以下、側面整流板)を暖めることで輻射管の部位による温度の不均一を緩和する。輻射管の部位による温度の不均一があっても側面整流板は熱伝導により板全体に熱が伝わりかつ対流ガスにより側面整流板の熱も奪っていくために一層の温度不均一化を緩和する。いわば側面整流板は緩衝材的な役割を果たす。以上により温度分布精度を向上させるようになっている。
なお、ガスの吐出側の均等分配部で意図的に偏った流れを作ることも可能である。例えば中心にガスを流したくない場合には中心の穴を塞ぐ、等の処置がとれる。
【0034】
上述した本発明の構成によれば、複数の整流パネル12により被処理品1を静置する加熱領域11を囲み、その内側に上下方向に断面一定の流路を形成するので、加熱領域11を通過するガス流の速度変化を最少限度に抑えることができる。
また、内壁14により整流パネル12を間隔を隔てて囲み、上下方向の流路を形成するので、整流パネルの上方に設置された循環ファン16により、整流パネルの内側を上昇する上昇ガス流2とその外側を下降する下降ガス流3を形成して加熱領域11を循環する循環ガス流を形成することができる。
【0035】
更に、整流パネルの上端及び下端を塞ぐ上下の整流器18により、整流パネルの内側を上昇する上昇ガス流2の速度分布を均一化させることができる。
また、整流パネルと内壁との間に位置する輻射管20により、整流パネル12の外側を下降する下降ガス流3を対流加熱するので、下側の整流器18に流入するガスの温度を均一化し、対流加熱により被処理材全体を均一に加熱/熱処理することができる。
更に、輻射管20により整流パネル12を輻射加熱するので、加熱された整流パネル12を介して被処理品1の外周部を輻射加熱することができ、外周部の温度低下を抑制することができる。
【0036】
なお、本発明は上述した実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない限りで自由に変更することができることは勿論である。
【0037】
【発明の効果】
上述したように、本発明の輻射管式真空炉は、対流加熱と輻射加熱の両方を併用し、被処理材全体を均一に加熱/熱処理することができる、等の優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による輻射管式真空炉の全体構成図である。
【図2】図1Aの拡大図である。
【図3】整流器の構成図である。
【図4】熱伝導板と輻射管との関係を示す図である。
【図5】従来の輻射管式真空炉の構成図である。
【図6】従来の別の輻射管式真空炉の構成図である。
【符号の説明】
1 被処理品、2 上昇ガス流、3 下降ガス流、
10 輻射管式真空炉、11 加熱領域、
12 整流パネル(熱伝導板)、14 内壁、
15 外壁、15a排気管、
16 循環ファン、16a 循環ファンモータ、
17 断熱材、18 整流器、
18a 均等分配部(パンチングメタル)、18b 整流部、
19a 圧損発生手段(貫通孔)、19b 整流フィン、
20 輻射管(U型輻射管又はW型輻射管)、
21 冷却用熱交換器
Claims (3)
- 被処理品を静置する加熱領域を囲みその内側に上下方向に断面一定の流路を形成する複数の整流パネルと、該整流パネルを間隔を隔てて囲み上下方向の流路を形成する内壁と、整流パネルの上方に設置され整流パネルの内側を上昇する上昇ガス流とその外側を下降する下降ガス流を形成する循環ファンと、前記整流パネルの上端及び下端を塞ぎ前記上昇ガス流の速度分布を均一化させる上下の整流器と、整流パネルと内壁との間に位置し前記下降ガス流を対流加熱しかつ整流パネルを輻射加熱する輻射管と、を備えたことを特徴とする輻射管式真空炉。
- 前記上下の整流器は、上流側の均等分配部と下流側の整流部とからなり、
均等分配部は、上昇ガス流の全圧損の1/2以上の流路抵抗をつけることにより流速の均等分配化を図るために前記上昇ガス流に直交する方向に均等に配置された複数の圧損発生手段を有し、
整流部は、均等分配部を通過した上昇ガス流の流れ方向を整流する複数の整流フィンからなる、ことを特徴とする請求項1に記載の輻射管式真空炉。 - 前記加熱領域を間に挟んで対向する1対の整流パネルは、均等分配部より広く熱伝導率の高い熱伝導板からなり、
前記輻射管は、該熱伝導板を均等に輻射加熱するように熱伝導板に沿って延びるU型輻射管又はW型輻射管である、ことを特徴とする請求項1に記載の輻射管式真空炉。
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