CN107108665B - 由含硅三元金属间化合物生产卤代硅烷的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种制备包含卤代硅烷的反应产物的方法，所述方法包括：在300℃至700℃的温度下，使不饱和烃基卤化物与三元金属间化合物接触以形成所述反应产物。所述三元金属间化合物包含铜、硅和过渡金属。所述反应产物中的所述卤代硅烷具有式R1 mR2 nHoSiX(4‑m‑n‑o)，其中每个R1独立地为饱和一价烃基基团，每个R2独立地为不饱和一价烃基基团；每个X独立地为卤素原子；下标m为1、2或3；下标n为0、1或2；下标o为0、1或2；并且(m+n+o)的量为1、2或3。所述不饱和烃基卤化物中的所述不饱和烃基基团的至少一部分被转化为所述卤代硅烷中的饱和烃基基团(R1)。
Description
根据美国法典第35篇第119(e)节的规定，本申请要求提交于2014年12月18日的美国临时专利申请62/093487的优先权。美国临时专利申请62/093487据此以引用方式并入。
制备卤代硅烷的方法在本领域中是已知的。通常，卤代硅烷通过Mueller-Rochow直接法进行商业化生产，该直接法包括在铜催化剂和各种任选促进剂的存在下将卤化物化合物传递到零价硅(Si0)上。通过直接法生产卤代硅烷的混合物。当使用不饱和烃基卤化物时，通过直接法生产有机卤代硅烷的混合物。当使用卤化氢时，通过直接法生产氢卤硅烷的混合物。
用于制备用在直接法中的Si0的典型工艺包括SiO2在电弧炉中的碳热还原。需要极高的温度以还原SiO2，因此该工艺较为耗能。因此，Si0的生产增加了用于生产卤代硅烷的直接法的成本。因此，存在对生产卤代硅烷的更经济的方法的需要，该方法可避免或减少使用Si0的需要。
各种卤代硅烷可用于不同行业。二有机二卤代硅烷，诸如二甲基二氯硅烷被水解以生产各种不同的聚有机硅氧烷，诸如聚二有机硅氧烷。有机氢卤代硅烷可用于制备聚有机氢硅氧烷，其可用作防水剂；另选地，有机氢卤代硅烷可用作用于制备其他有机卤代硅烷的原料。因此，需要选择性地生产所需卤代硅烷的方法。
发明内容
一种用于制备包含卤代硅烷的反应产物的方法，该方法包括：在300℃至700℃的温度下，使不饱和烃基卤化物与包含铜(Cu)、硅(Si)和过渡金属的三元金属间化合物接触以形成反应产物，所述过渡金属选自银(Ag)、钴(Co)、铬(Cr)、铁(Fe)、钼(Mo)和铑(Rh)，其中卤代硅烷具有通式R1 mR2 nHoSiX(4-m-n-o)，其中每个R1独立地为饱和一价烃基基团，每个R2独立地为不饱和一价烃基基团；每个X独立地为卤素原子；下标m为1、2或3；下标n为0、1或2；下标o为0、1或2；并且(m+n+o)的量为1、2或3。
具体实施方式
发明内容和说明书摘要据此以引用方式并入。除非另外指明，否则所有比率、百分比和其他量均以重量计。除非本说明书的上下文另外指明，否则冠词″一个″、″一种″和″所述″各指一个(一种)或多个(多种)。前缀″聚″意指不止一个。下表1中定义了本文所用的缩写。
表1：缩写
″烷基″意指无环、支链或非支链的饱和单价烃基基团。烷基基团的示例包括Me、Et、Pr、1-甲基乙基、Bu、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1，1-二甲基乙基、1-甲基丁基、1-乙基丙基、戊基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1，2-二甲基丙基、2，2-二甲基丙基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、壬基和癸基。烷基基团具有至少一个碳原子。另选地，烷基基团可具有1至12个碳原子、或者1至10个碳原子、或者1至6个碳原子、或者1至4个碳原子、或者1至2个碳原子、或者1个碳原子。
″芳烷基″和″烷芳基″各自指具有侧链的和/或末端的芳基基团的烷基基团或者具有侧链的烷基基团的芳基基团。示例性芳烷基基团包括苄基、甲苯基、二甲苯基、苯乙基、苯基丙基和苯基丁基。芳烷基基团具有至少4个碳原子。单环芳烷基基团可具有4至12个碳原子、或者4至9个碳原子、或者4至7个碳原子。多环芳烷基基团可具有7至17个碳原子、或者7至14个碳原子、或者9至10个碳原子。
″烯基″意指无环、支链或非支链的不饱和单价烃基基团，其中单价烃基基团具有双键。烯基基团包括Vi、烯丙基、丙烯基和己烯基。烯基基团具有至少2个碳原子。另选地，烯基基团可具有2至12个碳原子、或者2至10个碳原子、或者2至6个碳原子、或者2至4个碳原子、或者2个碳原子。
″炔基″意指无环、支链或非支链的不饱和单价烃基基团，其中单价烃基基团具有三键。炔基基团包括乙炔基和丙炔基。炔基基团具有至少2个碳原子。另选地，炔基基团可具有2至12个碳原子、或者2至10个碳原子、或者2至6个碳原子、或者2至4个碳原子、或者2个碳原子。
″芳基″意指环状的完全不饱和烃基基团。芳基的示例为但不限于Ph和萘基。芳基基团具有至少5个碳原子。单环芳基基团可具有6至9个碳原子、或者6至7个碳原子、或者6个碳原子。多环芳基基团可具有10至17个碳原子、或者10至14个碳原子、或者12至14个碳原子。
″碳环″和″碳环的″是指烃环。碳环可为单环，或者可为稠合的、桥联的或螺合的多环。碳环具有至少3个碳原子。单环碳环可具有3至9个碳原子、或者4至7个碳原子、或者5至6个碳原子。多环碳环可具有7至17个碳原子、或者7至14个碳原子、或者9至10个碳原子。碳环可为饱和的或部分不饱和的。
″环烷基″是指包含饱和碳环的饱和烃基基团。环烷基基团的示例为环丁基、环戊基、环己基和甲基环己基。环烷基基团具有至少3个碳原子。单环环烷基基团可具有3至9个碳原子、或者4至7个碳原子、或者5至6个碳原子。多环环烷基基团可具有7至17个碳原子、或者7至14个碳原子、或者9至10个碳原子。
″金属″意指该金属具有的氧化值为零。
″吹扫″意指向装有含三元金属间化合物的反应器引入气流以移除不需要的气体或液体物质。
″停留时间″意指材料在连续方法中经过反应器系统所耗费的时间，或者在分批方法中材料在反应器中所花费的时间。例如，停留时间可指三元金属间化合物在连续方法中经过反应器系统时一个反应器体积的三元金属间化合物与不饱和烃基卤化物接触的时间，或者三元金属间化合物在间歇方法中置于反应器内的时间。另选地，停留时间可指一个反应器体积的反应物气体经过装有三元金属间化合物的反应器的时间，例如，一个反应器体积的不饱和烃基卤化物经过装有三元金属间化合物的反应器的时间。
″处理″意指向含有三元金属间化合物的反应器中引入气流以在与不饱和烃基卤化物接触之前预处理三元金属间化合物。
一种制备包含卤代硅烷的反应产物的方法，该方法包括：在300℃至700℃的温度下，使不饱和烃基卤化物与三元金属间化合物接触以形成反应产物。不饱和烃基卤化物可具有式R2X，其中每个R2独立地为不饱和一价烃基基团，并且每个X独立地为卤素原子。三元金属间化合物包括铜(Cu)、硅(Si)和过渡金属，所述过渡金属选自银(Ag)、钴(Co)、铬(Cr)、铁(Fe)、钼(Mo)和铑(Rh)。反应产物包括通式R1 mR2 nHoSiX(4-m-n-o)的卤代硅烷，其中每个R1独立地为饱和一价烃基基团，每个R2独立地为不饱和一价烃基基团；每个X独立地为卤素原子；下标m为1、2或3；下标n为0、1或2；下标o为0、1或2；并且(m+n+o)的量为1、2或3。
在式R2X的不饱和烃基卤化物中，R2可选自如上所定义的烯基和炔基。另选地，R2可为烯基基团。R2的烯基基团可具有2至10个碳原子，或者2至6个碳原子，或者2至4个碳原子，或者2个碳原子。含有至少三个碳原子的烯基基团可具有支链或非支链的结构。另选地，R2可为乙烯基或烯丙基。另选地，R可为乙烯基。X的每个卤素原子可独立地选自Br、Cl或I；或者Br或Cl；或者Cl。不饱和烃基卤化物的示例包括但不限于氯乙烯、溴乙烯、碘乙烯、烯丙基氯、烯丙基溴和烯丙基碘。
三元金属间化合物包括Cu、Si和过渡金属，所述过渡金属选自Ag、Co、Cr、Fe、Mo和Rh。三元金属间化合物可具有经验式CoaCubSicAgdCreFefMogRhh，其中下标b、c、d、e、f、g和h表示每种元素存在的摩尔量，并且a≥0、b＞0、c＞0、d≥0、e≥0、f≥0、g≥0且≥0；前提条件是a、d、e、f、g和h中的至少一者不为0。在三元金属间化合物中，b＞c。另选地，2.5≤b≤8、c＝1，并且a、d、e、f和g中的一者大于0。另选地，过渡金属可选自Ag、Cr、Fe和Mo。另选地，过渡金属可选自Cr和Fe。另选地，过渡金属可选自Cr、Fe和Rh。另选地，过渡金属可为Cr。另选地，三元金属间化合物可具有式(M)i(CukSi)j，其中M为选自Ag、Co、Cr、Fe、Mo和Rh的过渡金属。下标i表示过渡金属的摩尔量，并且0＜i≤1。下标k表示铜相对于硅的摩尔量，并且2.5≤b≤8。另选地，3≤k≤5。下标j表示铜和硅共同相对于过渡金属含量的摩尔量，并且j具有足以使得量(i+j)＝100的值。示例性三元金属间化合物包括Cu、Si和Ag；Cu、Si和Co；Cu、Si和Cr；Cu、Si和Fe；Cu、Si和Mo、以及Cu、Si和Rh的三元金属间化合物。另选地，三元金属间化合物可具有式(Mm：Cu(1-m))nSi，其中M如上所述。下标0＜m≤0.01；另选地0.001≤m≤0.01且2.5≤n≤8。另选地，M选自Ag、Cr、Fe和Mo。另选地，M选自Ag、Cr和Mo。另选地，M为Cr。示例性三元金属间化合物包括(Ag0.01Cu0.99)5Si、(Cr0.01Cu0.99)5Si、(Fe0.01Cu0.99)5Si、(Mo0.01Cu0.99)5Si、(Rh0.01Cu0.99)5Si、(Co0.01Cu0.99)5Si、(Ag0.01Cu0.99)4Si、(Co0.01Cu0.99)4Si、(Rh0.01Cu0.99)4Si、(Cr0.01Cu0.99)4Si、(Fe0.01Cu0.99)4Si、(Mo0.01Cu0.99)5Si、(Ag0.01Cu0.99)3Si、(Cr0.01Cu0.99)3Si、(Fe0.01Cu0.99)3Si、(Mo0.01Cu0.99)3Si、(Co0.01Cu0.99)3Si和(Rh0.01Cu0.99)3Si。三元金属间化合物是可商购获得的。另选地，三元金属间化合物可通过常规方法来制备，诸如使用诸如电弧熔化器等加热设备以预定化学计量由各种元素的熔体来制备。另选地，三元金属间化合物可通过以下方法来制备，该方法包括在硅颗粒上真空浸渍两种金属卤化物，从而产生混合物，并在惰性气氛下机械化学处理该混合物，从而产生包含三元金属间化合物的反应产物。可以这种方式制备上述三元金属间化合物。
在上述方法中，可在使不饱和烃基卤化物和三元金属间化合物接触期间加入另外的反应物。另外的反应物可为氢气(H2)、饱和烃基卤化物、或两者。饱和烃基卤化物可具有式R1X，其中R1和X如上所述。另选地，R1可为1至10个碳原子、或者1至6个碳原子、或者1至4个碳原子的烷基基团。R1可为Me、Et、Pr或Bu；另选地R1可为Me或Et。饱和烃基卤化物的示例包括氯甲烷和氯乙烷。
该方法可在适用于气体和固体的组合的任何反应器中进行，或者可在适用于液体和固体的组合的任何反应器中进行。例如，反应器构造可为分批式容器、填充床、搅拌床、振动床、移动床、再循环床或流化床。另选地，反应器可为填充床、搅拌床或流化床。为促进反应，反应器应具有用于控制反应区的温度的装置。
三元金属间化合物和不饱和烃基卤化物接触的温度为至少300℃、或者300℃至700℃；或者300℃至600℃；或者300℃至500℃；或者500℃至700℃；或者600℃至700℃；或者500℃至600℃；或者300℃至320℃；或者350℃至400℃；或者370℃至400℃；或者300℃至400℃。不希望受理论束缚，认为如果温度低于300℃，则反应可能无法以足够的速率进行以产生所需产物；如果温度大于700℃，则反应产物中的不饱和烃基卤化物和/或卤代硅烷可分解。
不饱和烃基卤化物(以及，当存在时，H2)与三元金属间化合物接触的压力可为亚大气压、大气压或超大气压。例如，压力可在0千帕(kPag)至2000kPag；或者100kPag至1000kPag；或者100kPag至800kPag的范围内。
当加入氢气(H2)时，H2与接触三元金属间化合物的不饱和烃基卤化物的摩尔比可在10,000∶1至0.01∶1，或者100∶1至1∶1，或者20∶1至5∶1，或者20∶1至4∶1，或者20∶1至2∶1，或者20∶1至1∶1，或者4∶1至1∶1的范围内。
不饱和烃基卤化物(以及，当存在时，H2)的停留时间足以使得不饱和烃基卤化物(以及，当存在时，H2)与三元金属间化合物接触并形成反应产物。例如，足够的停留时间可为至少0.01秒，或者至少0.1秒，或者0.1秒至10分钟，或者0.1秒至1分钟，或者0.5秒至10秒。所需停留时间可通过调节不饱和烃基卤化物的流速(以及，当存在时，H2)或通过调节总反应器体积或其任何组合来实现。
当使用H2时，可将不饱和烃基卤化物和H2同时进料到反应器中；但是，还设想到其他进行合并的方法，如通过分开的脉冲或分开的流输送进行合并。
三元金属间化合物以足够的量存在。当不饱和烃基卤化物(以及，当存在时，H2)与三元金属间化合物接触时，足够量的三元金属间化合物足以形成卤代硅烷。例如，足够量的三元金属间化合物可为至少0.01mg三元金属间化合物/cm3反应器体积；或者至少0.5mg三元金属间化合物/cm3反应器体积，或者1mg至10,000mg三元金属间化合物/cm3反应器体积。
进行该方法的时间没有上限。例如，该方法可进行至少0.1秒，或者1秒至30小时，或者1分钟至8小时，或者1小时至5小时，或者3小时至30小时。
如果不饱和烃基卤化物在等于或低于标准温度和压力(或针对该方法选择的温度和压力)下为液体，则该方法可进一步包括在使不饱和烃基卤化物与三元金属间化合物接触之前通过已知方法(诸如预热)使不饱和烃基卤化物气化。另选地，该方法可进一步包括在使氢气和不饱和烃基卤化物与三元金属间化合物接触之前，通过液体不饱和烃基卤化物鼓入氢气以使不饱和烃基卤化物气化。
如果不饱和烃基卤化物在等于或低于标准温度和压力下为固体，则该方法还可包括在与三元金属间化合物接触之前，在熔点以上预加热并使不饱和烃基卤化物液化或气化。
本文所述的方法还可包括在使不饱和烃基卤化物与三元金属间化合物接触之前进行吹扫和/或处理。″吹扫″和″处理″如上所述。该步骤包括将惰性气流引入含有三元金属间化合物的反应器中。吹扫和/或处理可在环境温度或高温下进行，例如至少25℃，或者至少300℃，或者25℃至500℃，或者300℃至500℃。可进行吹扫以除去不期望物质，诸如H2、O2、H2O和/或HX，其中X如上所定义。吹扫和/或处理可用惰性气体(诸如N2或Ar)或者用反应性气体(诸如H2或不饱和烃基卤化物)来完成。
另选地，该方法可任选地进一步包括：在与不饱和烃基卤化物接触之前和/或期间使三元金属间化合物与H2接触。可将H2加入到不饱和烃基卤化物流中。另选地，可通过不同的流将H2和不饱和烃基卤化物同时加入到反应器中。
该方法还可包括从反应产物中回收卤代硅烷。卤代硅烷可通过例如以下方式回收：从反应器中除去气态产物，然后通过蒸馏分离。通过本文描述和例示的方法生产的反应产物包括通式R1 mR2 nHoSiX(4-m-n-o)的卤代硅烷，其中每个R1独立地为饱和一价烃基基团，每个R2独立地为不饱和一价烃基基团；每个X独立地为卤素原子；下标m为1、2或3；下标n为0、1或2；下标o为0、1或2；并且(m+n+o)的量为1、2或3。
本文所述的方法选择性地生产卤代硅烷。使用本文的描述，可选择工艺条件(例如，三元金属间化合物中过渡金属的选择、三元金属间化合物中每种金属的相对量、工艺温度和所选择的不饱和烃基卤化物，以及在使三元金属间化合物和不饱和烃基卤化物接触期间是否加入H2)以生产所需的卤代硅烷物质。例如，当过渡金属为Ag，每个X为氯原子，R1为乙基，并且R2为乙烯基时，那么反应产物可包括式Vi3SiCl、ViSiCl2、ViEtSiCl2、ViSiCl3、EtSiCl3和ViHSiCl2的卤代硅烷的混合物。
另选地，当过渡金属为Cr，每个X为氯原子，R1为乙基，并且R2为乙烯基时，那么反应产物可包括式ViEtSiCl2、EtSiCl3、Et2SiCl2和ViSiCl3的卤代硅烷的混合物。另选地，当在接触过程中不加入氢气时，反应产物可包括式Vi3SiCl、Vi2SiCl2、ViEtSiCl2、ViHSiCl2、Et2SiCl2、ViSiCl3和EtSiCl3的卤代硅烷。另选地，当过渡金属为Cr，每个X为氯原子，R1为乙基，并且R2为乙烯基并且在接触过程中加入氢气时，那么反应产物可包括式ViEtSiCl2、Et2SiCl2、ViSiCl3、EtSiCl3和EtHSiCl3的卤代硅烷的混合物。
另选地，当过渡金属为Fe时，每个X为氯原子，R1为乙基，并且R2为乙烯基时，那么反应产物可包括式Vi2SiCl2、ViEtSiCl2、Et2SiCl2、ViSiCl3、EtSiCl3和ViHSiCl2的卤代硅烷的混合物。
另选地，当过渡金属为Mo时，每个X为氯原子，R1为乙基，并且R2为乙烯基时，那么反应产物可包括式Vi2SiCl2、ViEtSiCl2、Et2SiCl2、ViSiCl3、EtSiCl3、ViHSiCl2和EtHSiCl2的卤代硅烷的混合物。
本文描述的方法提供了意想不到的好处，将不饱和烃基卤化物中的不饱和烃基基团的至少一部分(R2)转化为卤化硅烷中的饱和烃基基团(R1)，并且即使当在使不饱和烃基卤化物和三元金属间化合物接触期间不加入另外的反应物(即氢气和/或不饱和烃基卤化物)时同样观察到这种有益的技术效果。
实施例
这些实施例旨在说明本发明的一些实施方案，并且不应理解为限制权利要求书中所述的本发明的范围。
所有反应都在用于加热的3/8”不锈钢管内的1/4”石英管反应器中进行。用GC分析反应器流出物，并且未定量单个有机组分和其他副产物。表1中报告了氯乙烯(VCM)转化为硅烷。制备组合物(M：Cu)5Si的三元金属间化合物样品，其中M表示过渡金属，并且过渡金属：铜的摩尔比为1∶99。将每种三元金属间化合物置于反应器中，并在300℃的温度下与氯乙烯接触。将氯乙烯以5sccm的速率加入反应器中。反应器中的压力为1psi(6.89kPag)。在每个实施例中，三元金属间化合物的存在量足以在反应器中提供0.25gSi。当金属显示星号″*″时，这表明用氯乙烯将10sccm H2共同进料到反应器中。所使用的过渡金属和结果示于下表1中。
反应产物中每种卤代硅烷的选择性和表1中VCM转化的所有值都以摩尔％计。
这些实施例表明，即使利用未优化反应条件，使用本发明的方法观察到显著的氯乙烯转化(5％或更高)，并且在每次运行中都观察到由氯乙烯提供的乙烯基基团转化为反应产物中卤代硅烷的乙基基团。在A1作为过渡金属的比较例中，在本实施例中测试的条件下不形成反应产物。在Mn作为过渡金属的比较例中，未观察到来自氯乙烯的乙烯基基团转化为反应产物中卤代硅烷的乙基基团。在Zn作为过渡金属的比较例中，氯乙烯与三元金属间化合物的反应发生量仅为0.4％，因此在所测试的条件下，对于该三元金属间化合物，在商业规模生产过程中反应性不足。这些实施例表明，氯乙烯与某些三元金属间化合物在所评估的条件下发生反应。对于三元金属间化合物中存在的某些过渡金属，通过本文所述的方法实现将由氯乙烯提供的乙烯基基团的至少一部分转化为反应产物中卤代硅烷的乙基基团的有益效果。
就本文为描述各种实施方案的特定特征或方面而依赖的任何马库什群组而言，应当理解，可以从独立于所有其他马库什成员的相应的马库什群组的每个成员获得不同、特殊和/或意料之外的结果。马库什组的每个成员可以被单独地和/或组合地依赖，并且为所附权利要求的范围内的具体实施方案提供足够的支持。
还应当理解，在描述本发明的各种实施方案时依赖的任何范围和子范围独立地且共同地落入所附权利要求的范围内，并且应理解为描述和设想包括其中的整数值和/或分数值在内的所有范围，即使本文未明确写出这样的值。列举的范围和子范围充分地描述了本发明的各种实施方案并使它们成为可能，并且这样的范围和子范围可以进一步描绘成相关的二分之一、三分之一、四分之一、五分之一等。仅作为一个示例，″300至700″的范围可被进一步描绘为下三分之一(即300至433)、中三分之一(即434至566)和上三分之一(即567至700)，其单独地且共同地在所附权利要求的范围内，并且可以被单独地和/或共同地依赖并为所附权利要求的范围内的具体实施例提供足够的支持。此外，就诸如″至少″、″大于″、″小于″、″不超过″等限定或修饰范围的语言而言，应当理解，此类语言包括子范围和/或上限或下限。作为另一个示例，″至少0.1％″的范围本质上包括0.1％至35％的子范围、10％至25％的子范围、23％至30％的子范围等，并且每个子范围可以被单独地和/或共同地依赖并为所附权利要求的范围内的具体实施例提供足够的支持。最后，在所公开的范围内的独立数值可以被依赖并为所附权利要求的范围内的具体实施方案提供足够的支持。例如，″1至9″的范围包括诸如3之类的各个独立整数，以及诸如4.1之类的包括小数点(或分数)的独立数值，其可以被依赖并为所附权利要求的范围内的具体实施例提供足够的支持。
明确地设想了独立权利要求和从属权利要求(单独从属和多重从属两者兼有)的所有组合的主题，但为简洁起见，未进行详细描述。已通过示例性方式对本发明进行了描述，应当理解所用术语旨在成为本质上具有描述性的词语，而不是限制性的词语。根据以上教导，可以得出本发明的许多修改形式和变型形式，并且本发明可按与所具体描述的方式不同的方式进行实施。
Claims (15)
1.一种用于制备包含卤代硅烷的反应产物的方法，其中所述方法包括：在300℃至700℃的温度下，使不饱和烃基卤化物与包含铜、硅和过渡金属的三元金属间化合物接触以形成所述反应产物，所述过渡金属选自银、铬、铁、钼和铑，其中所述卤代硅烷具有通式R1 mR2 nHoSiX(4-m-n-o)，其中每个R1独立地为饱和一价烃基基团，每个R2独立地为不饱和一价烃基基团；每个X独立地为卤素；下标m为1、2或3；下标n为0、1或2；下标o为0、1或2；并且(m+n+o)的量为1、2或3；其中所述不饱和烃基卤化物中的不饱和烃基基团的至少一部分被转化为所述卤代硅烷中的饱和烃基基团。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括一个或多个步骤，其中所述一个或多个步骤选自：
在使所述不饱和烃基卤化物和所述三元金属间化合物接触之前吹扫和/或处理含有所述三元金属间化合物的反应器；和/或
在使所述不饱和烃基卤化物和所述三元金属间化合物接触之前使所述不饱和烃基卤化物气化；和/或
在使所述不饱和烃基卤化物和所述三元金属间化合物接触之前使所述不饱和烃基卤化物液化；和/或
在使所述三元金属间化合物和所述不饱和烃基卤化物接触之前使所述三元金属间化合物与H2接触；和/或
从所述反应产物中回收所述卤代硅烷。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，还包括在使所述不饱和烃基卤化物和所述三元金属间化合物接触期间加入氢气。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述过渡金属为Ag，每个R1为乙基，每个R2为乙烯基，并且每个X为氯。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述反应产物包括式Vi3SiCl、ViSiCl2、ViEtSiCl2、ViSiCl3、EtSiCl3和ViHSiCl2的卤代硅烷，其中Vi表示乙烯基，并且Et表示乙基。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述过渡金属为Cr，每个R1为乙烯基，每个R2为乙基，并且每个X为氯。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述反应产物包括式：Vi3SiCl、ViSiCl2、ViEtSiCl2、ViSiCl3、EtSiCl3和ViHSiCl2的卤代硅烷，其中Vi表示乙烯基，并且Et表示乙基。
8.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述过渡金属为Fe，每个R1为乙烯基，每个R2为乙基，并且每个X为氯。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述反应产物包括式：Vi2SiCl2、ViEtSiCl2、Et2SiCl2、ViSiCl3、EtSiCl3和ViHSiCl2的卤代硅烷，其中Vi表示乙烯基，并且Et表示乙基。
10.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述过渡金属为Mo，每个R1为乙烯基，每个R2为乙基，并且每个X为氯。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述反应产物包括式Vi2SiCl2、ViEtSiCl2、Et2SiCl2、ViSiCl3、EtSiCl3、ViHSiCl2和EtHSiCl2的卤代硅烷，其中Vi表示乙烯基，并且Et表示乙基。
12.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述过渡金属为Rh，每个R1为乙烯基，每个R2为乙基，并且每个X为氯。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述反应产物包括式ViSiCl3、EtSiCl3、ViHSiCl2和EtHSiCl2的卤代硅烷，其中Vi表示乙烯基，并且Et表示乙基。
14.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，还包括在使所述不饱和烃基卤化物和所述三元金属间化合物接触期间加入饱和烃基卤化物。
15.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，还包括在制备选自聚二有机硅氧烷、聚有机氢硅氧烷或不同的有机卤代硅烷的产物的方法中使用所述卤代硅烷作为反应物。
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