CN107104149A - 一种功率半导体器件 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 124
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 124
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 14
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 14
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 210000002186 septum of brain Anatomy 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910016909 AlxOy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
- H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
一种功率半导体器件，本发明涉及一种功率半导体器件，特别是功率场效应管(Power MOSFET)的设计。为解决现有技术的屏蔽栅极沟槽型场效应管所存在的器件导电面积浪费的问题，本发明提供的功率半导体器件，内设第一类有源沟槽和第二类有源沟槽，两者通过水平沟槽连接，所述第一类有源沟槽内的栅电极与栅极金属板相连，所述第二类有源沟槽内的栅电极通过所述水平沟槽内填充的导电材料连接至第一类有源沟槽内的栅电极、再与栅极金属板连接。本发明的有益效果在于：本发明的设计方案可以有效增大屏蔽栅极沟槽场效应管的芯片导电面积利用率，从而可以在实现比通常的屏蔽栅极沟槽场效应管更低的导通电阻及更低的能量损失。
Description
技术领域
本发明涉及一种功率半导体器件，特别是功率场效应管(Power MOSFET)的设计。
背景技术
屏蔽栅极沟槽型场效应管(Shield Gate Trench MOSFET)是一种新型的功率场效应管，并被广泛应用于各种中低压功率控制系统中，如马达驱动、电能转换等。传统的沟槽型场效应管是一种纵向导电的器件，并拥有三个电极：位于器件上表面的栅极、源极、及位于器件下表面的漏极，其中栅极被置于器件上表面的一系列沟槽中。而与传统沟槽型场效应管不同，屏蔽栅极沟槽型场效应管的沟槽中有一个额外的源极电极(下文中称“屏蔽栅电极”)。该屏蔽栅电极与器件的源极相连，并被置于栅极电极的下方，此结构能有效降低栅极与漏极之间的寄生电容(Gate-Drain Capacitance)，从而有利于加快器件开关速度和降低开关过程中的能量损耗。同时，通过利用沟槽中的屏蔽栅电极的电荷平衡效应，该器件可以在维持同样的击穿电压的前提下使用更低电阻率的外延漂移层，从而实现更低导通电阻，减少导通状态下的能量损耗。
然而，由于屏蔽栅极沟槽型场效应管需要把深槽中屏蔽栅电极连接到源极金属层，所以需要特殊的版图设计。图1是一种现有技术的屏蔽栅极沟槽型场效应管100的芯片版图布局顶视图，其上表面电极金属板分为源极金属板和栅极金属板，其中源极金属板的覆盖区域有第一非导电区域(101)、第一导电区域(102)、及第二导电区域(103)，栅极金属板的覆盖区域为第二非导电区域(104)。上述区域(101)至(104)的毗连区域在图1中被标记为“X”区。图2是图1中“X”区域的放大图示，图3是图2中切线A-A’的切面结构示意图。如图2、3所示，在现有技术的屏蔽栅极沟槽型场效应管100中，栅电极(130)被置于一系列相互平行的沟槽(1111)中，且沟槽(1111)中的栅电极(130)需要通过栅极接触孔(114)连接到覆盖其上方的栅极金属板(121)上。另一方面，沟槽(1111)中的屏蔽栅电极(131)需要通过屏蔽栅极接触孔连接到源极金属板(120)上，所述屏蔽栅极接触孔一般位于竖条状排布的沟槽(1111)的中段位置，因而未在图3的横切面中显示。在沟槽(1111)的外围设有终端沟槽(112)，所述终端沟槽(112)中设有屏蔽栅电极(131)，以通过屏蔽栅电极(131)对电场的调制作用，有效截止器件100边缘区域的电场，维持器件100足够的击穿电压。器件100的导通与关断由施加在栅极金属板(121)上的电压决定。一般来讲，沟槽(1111)内的栅电极(130)的电压与栅极金属板(121)的电压近似相等，当栅极金属板(121)上施加的电压超过器件100的阈值电压时，在与沟槽(1111)的侧壁毗连的p型体区(133)内会形成n型的导电层,所形成的n型导电层又被称为MOS导电沟道。这样一来，n+源区(136)的电子载流子可以通过p型体区(133)内形成的n型导电层注入到下方的n型漂移区(142)及n+型衬底(141)内，并最终被器件100下表面的漏极所收集，从而实现器件100的导通。然而，由于栅源电极之间的隔离要求以及工艺条件的限制，栅极金属板(121)与源极金属板(120)之间必须有一定宽度的间隔区(122)。如此一来，如果在金属间隔区(122)中放置沟槽，则这些沟槽因未被栅极金属层覆盖而不能被连接到栅极金属板(121)上。而且，如图2所示，由于沟槽(1111)被设计为相互平行的竖条形状，从而导致图1中区域(101)内的沟槽(1111)均不能被连接到栅极金属板(121),这样一来，若在区域(101)中放置沟槽(1111)，则这些沟槽内的电极无法被施加栅极电压，也就无法在这些沟槽的侧壁上形成MOS导电沟道。因此，对于现有技术的屏蔽栅极沟槽型场效应管100而言，其在区域(101)内不能导通电流，从而导致了器件导电面积的浪费，这不利于降低器件导通功耗和成本。
根据上述现有技术的屏蔽栅极沟槽型场效应管所存在的器件导电面积浪费的问题，需要提供创新的器件版图及结构设计方案，以增大器件的导电面积，进而降低器件的导通损耗和成本。
发明内容
一种功率半导体器件，所述的功率半导体器件包括有源极金属板(120),栅极金属板(121)，以及设于源极金属板(120)与栅极金属板(121)之间的金属板间隔区(122)，所述的源极金属板(120)所覆盖的区域下方设有一个以上沿竖直方向平行排布的有源沟槽，所述的有源沟槽包括有第一类有源沟槽(111)和第二类有源沟槽(211)，所述的第一类有源沟槽(111)穿过间隔区(122)至栅极金属板(120)下方，所述的第二类有源沟槽(211)截止于间隔区(122)内；所述的有源沟槽末端还设有水平沟槽(241)，所述的第一类有源沟槽(111)和第二类有源沟槽(211)通过所述的水平沟槽(241)连接；所述的有源沟槽内设有栅电极(130)，所述栅电极(130)与对应沟槽侧壁之间通过第一绝缘介质层(115)隔离，所述栅电极(130)与源极金属板(120)之间通过第二绝缘介质层(135)隔离；相邻的有源沟槽之间设有p型体区(133)，所述p型体区(133)之上设有重度掺杂的n+型源区(136)，所述的n+型源区(136)与有源沟槽的侧壁毗连，所述的n+型源区(136)与p型体区(133)均通过源极接触孔(113)连接至源极金属板(120)；所述的p型体区(133)下方设有n型漂移区(142)，所述的n型漂移区(142)的下方设有重度掺杂的n+型半导体衬底(141)，n+型半导体衬底(141)下方设有漏极电极；此外，所述的第一类有源沟槽(111)在其被栅极金属板(121)所覆盖的部分设有栅极接触孔(114)，第一类有源沟槽(111)内的栅电极(130)通过栅极接触孔(114)连接至栅极金属板(121)，所述的第二类有源沟槽(211)内的栅电极(130)通过所述的水平沟槽(241)内填充的导电材料连接至第一类有源沟槽(111)，再与所述的栅极金属板(121)连接。
进一步的，所述的第一类有源沟槽(111)的宽度和深度分别等于第二类有源沟槽(211)的宽度和深度。
进一步的，所述的水平沟槽(241)的深度大于或等于所述的有源沟槽的深度。
进一步的，在所述的水平沟槽(241)和有源沟槽的外围还设置有终端沟槽(112)，一个屏蔽栅电极(131)被置于所述终端沟槽(112)中，所述屏蔽栅电极(131)与对应终端沟槽(112)的内壁之间通过第三绝缘介质层(116)隔离，且所述屏蔽栅电极(131)通过屏蔽栅极接触孔与源极金属板(120)相连。
进一步的，所述的终端沟槽(112)的深度大于或等于所述的有源沟槽的深度。
进一步的，所述的终端沟槽(112)沿竖直方向延伸入源极金属板(120)所覆盖的有源区(201)。
进一步的，所述的源极金属板(120)和栅极金属板(121)分别形成独特的凹、凸形状，其中所述栅极金属板(121)临近源极金属板(120)的角位部分沿水平方向朝源极金属板(120)所在区域凸出，且凸出距离大于或等于金属板间隔区(122)的宽度，所述源极金属板(120)在其对应栅极金属板(121)角位凸出部的区域沿水平方向朝其自身内部凹陷，且凹陷距离大于或等于栅极金属板(121)在相应位置沿水平方向凸出的距离；所述第二类有源沟槽(211)的末端被栅极金属板(121)的凸出部覆盖；在所述第二类有源沟槽(211)的末端部分设有栅极接触孔(114)，所述第二类有源沟槽内的栅电极(130)通过栅极栅极接触孔(114)连接至栅极金属板(121)的凸出部。
本发明的另一目的在于，提供：
一种功率半导体器件，所述的功率半导体器件包括有源极金属板(120),栅极金属板(121)，以及设于源极金属板(120)与栅极金属板(121)之间的金属板间隔区(122)，所述的源极金属板(120)所覆盖的区域下方设有一个以上沿竖直方向平行排布的有源沟槽，所述的有源沟槽内设有栅电极(130)，所述栅电极(130)与对应沟槽侧壁之间通过第一绝缘介质层(115)隔离，所述栅电极(130)与源极金属板(120)之间通过第二绝缘介质层(135)隔离；相邻的有源沟槽之间设有p型体区(133)，所述p型体区(133)之上设有重度掺杂的n+型源区(136)，所述的n+型源区(136)与有源沟槽的侧壁毗连，所述的n+型源区(136)与p型体区(133)均通过源极接触孔(113)连接至源极金属板(120)；所述的p型体区(133)下方设有n型漂移区(142)，所述的n型漂移区(142)的下方设有重度掺杂的n+型半导体衬底(141)，n+型半导体衬底(141)下方设有漏极电极；此外，所述的源极金属板(120)和栅极金属板(121)分别形成独特的凹、凸形状，其中所述栅极金属板(121)临近源极金属板(120)的角位部分沿水平方向朝源极金属板(120)所在区域凸出，且凸出距离大于或等于金属板间隔区(122)的宽度，所述源极金属板(120)在其对应栅极金属板(121)角位凸出部的区域沿水平方向朝其自身内部凹陷，且凹陷距离大于或等于栅极金属板(121)在相应位置沿水平方向凸出的距离；所述有源沟槽沿竖直方向延伸并穿过金属板间隔区(122)，所述有源沟槽的末端截止于栅极金属板(121)下方；在所述有源沟槽的末端部分设有栅极接触孔(114)，所述有源沟槽内的栅电极(130)通过栅极栅极接触孔(114)连接至栅极金属板(121)。
进一步的，所述p型体区(133)的深度等于或小于所述栅电极(130)的深度。
进一步的，所述的源极接触孔(113)的下方设有重度掺杂的p+型接触区(134)。
进一步的，所述栅电极(130)被完全置于有源沟槽的内部，所述栅极接触孔(114)从有源沟槽的顶部表面向下延伸并与有源沟槽内的栅电极(130)接触，所述栅极接触孔(114)的宽度小于或等于有源沟槽顶部表面的宽度。
进一步的，所述栅电极(130)自有源沟槽的内部向上延伸至有源沟槽的顶部上方，并在有源沟槽的上方形成栅电极板，所述栅电极板的宽度大于所述有源沟槽顶部表面的宽度，所述栅极接触孔(114)与所述栅电极板的上表面相连，且所述栅极接触孔(114)的宽度小于所述栅电极板的宽度。
进一步的，在所述栅电极(130)的下方填充有一个屏蔽栅电极(131)，所述屏蔽栅电极(131)与对应沟槽侧壁之间通过一个第三绝缘介质层(116)隔离，所述屏蔽栅电极(131)与其上方的栅电极(130)之间通过一个第四绝缘介质层(117)隔离，且所述屏蔽栅电极(131)通过屏蔽栅极接触孔与源极金属板(120)相连。
进一步的，在所述有源沟槽所在的有源区(201)的外围设有终端沟槽(112)，所述终端沟槽(112)将有源区(201)内所有的有源沟槽围封起来，其中围封有源区(201)左右两侧的终端沟槽(112)沿竖直方向延伸，围封有源区(201)上下两侧的终端沟槽(112)沿水平方向延伸，一个屏蔽栅电极(131)被置于所述终端沟槽(112)中，所述屏蔽栅电极(131)与对应终端沟槽(112)的内壁之间通过第三绝缘介质层(116)隔离，且所述屏蔽栅电极(131)通过屏蔽栅极接触孔与源极金属板(120)相连。
进一步的，所述终端沟槽(112)中沿水平方向延伸的部分与附近的沿竖直方向排布的有源沟槽的末端之间存在一定的间隔，且该间隔的距离小于或等于相邻有源沟槽之间的水平间距。
进一步的，所述终端沟槽(112)中沿水平方向延伸的部分与附近的沿竖直方向排布的有源沟槽的末端直接相连，并在连接处形成T字形的连接位。
进一步的，所述的终端沟槽(112)的深度大于或等于所述的有源沟槽的深度。
进一步的，所述的终端沟槽(112)沿竖直方向延伸入源极金属板(120)所覆盖的有源区(201)。
本发明的有益效果在于：本发明所提供的芯片版图布局及结构设计方案可以有效增大屏蔽栅极沟槽场效应管的芯片导电面积利用率，从而可以在实现比通常的屏蔽栅极沟槽场效应管更低的导通电阻及更低的能量损失，进而提升器件性能与成本的综合竞争力。
附图说明
图1为一现有技术的屏蔽栅极沟槽型场效应管芯片的版图的顶视图；
图2为图1中区域“X”的放大图示；
图3是图2中切线A-A’的横切面示意图；
图4为本发明的屏蔽栅极沟槽型场效应管芯片的版图的顶视图；
图5为根据本发明的第一实施例的对应图4中“Y”区域的放大图示；
图6为图5中切线A-A’的横切面示意图；
图7为根据本发明的第二实施例的对应图4中“Y”区域的放大图示；
图8为图7中切线A-A’的横切面示意图；
图9为根据本发明的第三实施例的对应图4中“Y”区域的放大图示；
图10为图9中切线A-A’的横切面示意图；
图11为根据本发明的第四实施例的对应图4中“Y”区域的放大图示；
图12为图11中切线A-A’的横切面示意图；
图13为根据本发明的第五实施例的对应图4中“Y”区域的放大图示；
图14为根据本发明的第六实施例的对应图4中“Y”区域的放大图示。
具体实施方式
本发明提供若干种新型的屏蔽栅极沟槽型场效应管的版图及结构设计方案，用以提高芯片的导电面积的利用率，从而降低器件导通损耗和成本。
图4所示是本发明的屏蔽栅极沟槽型场效应管的芯片版图布局顶视图。相对于图1中所示的现有技术的版图布局，本发明的版图布局在整个有源区(201)内均可有MOS导电沟道分布，从而消除了图1中的非导电区域(101)。为实现上述目标，本发明所提供的方案的关键在于图4中“Y”区域的版图布局及结构设计，根据图4中“Y”区域内的版图布局及器件结构的不同，可有以下具体实施例。
需要指出的是，在以下实施例的说明中，屏蔽栅极沟槽型场效应管的半导体衬底被认为由硅(Si)材料构成。但是，该衬底亦可由其他任何适合该器件制造的材料构成，如锗(Ge)、碳化硅(SiC)等。在以下说明中，该器件的电介质材料可由氧化硅(SiOx)构成。但其他电介质材料，如氮化硅(SixNy)、氧化铝(AlxOy)、及氮氧化硅(SixNyOz)等，亦可被采用。在以下说明中，半导体区的导电类型被分为p型与n型。一个p型导电的半导体区可以通过向原始半导体区掺入一种或几种杂质构成，这些杂质可以是但并不局限于：硼(B)、铝(Al)、及镓(Ga)等。一个n型导电的半导体区亦可通过向原始半导体区掺入一种或几种杂质构成，这些杂质可以是但并不局限于：磷(P)、砷(As)、碲(Sb)、硒(Se)、及质子(H+)等。此外，以下实施例将采用n型MOS沟道的器件予以说明，但需要指出的是本发明同样适用于p型MOS沟道的器件。另需指出的是，本文件中所述的对应位置词如“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”，“水平”是对应于参考图示的相对位置，具体实施中并不限制固定方向。
第一实施例
图5是根据本发明第一实施例的对应图4中“Y”区域版图的放大图示。如图5所示，器件表面的源极金属板(120)与栅极金属板(121)之间有一间隔区(122)，在一些设计中，间隔区(122)的宽度可以为5至10微米。在源极金属板(120)所覆盖的区域下方，若干有源沟槽沿竖直方向平行排布。所述有源沟槽的末端部分沿竖直方向延伸出源极金属板(120)所覆盖的区域，部分有源沟槽的末端穿过间隔区(122)截止于栅极金属板(120)下方，这些末端部分被栅极金属板(121)覆盖的有源沟槽被称为第一类有源沟槽(111)；相应的，部分有源沟槽的末端截止于间隔区(122)，对于截止于金属板间隔区(122)内的有源沟槽而言，这些有源沟槽未能被栅极金属板(121)覆盖，在此被称为第二类有源沟槽(211)。图6是图5中A-A’切线的横切面。如图6所示，第一类有源沟槽(111)和第二类有源沟槽(211)从器件上表面延伸入n型半导体漂移区(142)中。第一类有源沟槽(111)和第二类有源沟槽(211)的横切面结构参数，如沟槽宽度、深度等，可以对应相同。N型漂移区(142)下方是重度掺杂的n+型半导体衬底(141)。根据器件击穿电压的不同，漂移区(142)的掺杂浓度可以为1014cm-3至1017cm-3，厚度可以为数微米至数十微米。在第一类有源沟槽(111)和第二类有源沟槽(211)内填充有导电材料构成的栅电极(130)，所述栅电极(130)与对应沟槽侧壁之间通过一个第一绝缘介质层(115)隔离，所述源极金属板(120)与栅电极(130)之间通过一个第二绝缘介质层(135)隔离。在所述栅电极(130)的下方填充有一个屏蔽栅电极(131)，所述屏蔽栅电极(131)与对应沟槽侧壁之间通过一个第三绝缘介质层(116)隔离，所述屏蔽栅电极(131)与其上方的栅电极(130)之间通过一个第四绝缘介质层(117)隔离，此外，所述屏蔽栅电极(131)通过屏蔽栅极接触孔与源极金属板(120)相连。在相邻的第一类有源沟槽(111)和相邻的第二类有源沟槽(211)之间有p型体区(133)。P型体区(133)位于n型漂移区(142)之上，且其深度不大于栅电极(130)的深度。一个重掺杂的n+型源区(136)位于源极金属板(120)的下方。所述n+型源区(136)与第一类有源沟槽(111)或第二类有源沟槽(211)的侧壁毗连，并位于p型体区(133)之上。源级金属板(120)下方的n+型源区(136)与p型体区(133)可以共同通过源级接触孔(113)连接至源级金属板(120)。此外，在源级接触孔(113)的下方可以形成一个重度掺杂的p+型接触区(134)，以降低接触电阻。需要特别指出的是，为在有源沟槽的侧壁上形成MOS导电沟道，有源沟槽内的栅电极(130)需被连接到栅极金属板(121)。对于第一类有源沟槽(111)而言，因其末端被栅极金属板(121)覆盖，所以第一类有源沟槽(111)内的栅电极(130)可以通过栅极接触孔(114)直接连接至栅极金属板(121)。所述栅极接触孔(114)与沟槽内栅电极(130)的连接可以有两种方式：第一种连接方式如图6所示，即栅电极(130)被完全置于有源沟槽的内部，栅极接触孔(114)从沟槽顶部表面向下延伸并与沟槽内的栅电极(130)接触，需指出的是，对于第一种连接方式，栅极接触孔(114)的宽度应不大于有源沟槽顶部表面的宽度。第二种连接方式为，栅电极(130)自有源沟槽内部向上延伸至有源沟槽的顶部上方，并在有源沟槽的上方形成栅电极板(未在图中显示)，所述栅电极板的宽度大于有源沟槽顶部表面的宽度，栅极接触孔(114)与所述的栅电极板的上表面相连，并由此连接至栅电极(130)，需指出的是，对于第二种连接方式，栅极接触孔(114)的宽度小于所述栅电极板的宽度，但可以等于，大于，或小于有源沟槽顶部表面的宽度。此外，为解决第二类有源沟槽(211)内的栅电极的连接问题，本发明在第一类有源沟槽(111)和第二类有源沟槽(211)的尽头设置有一段水平方向的水平沟槽(241)，所述水平沟槽(241)内填充有导电材料，该导电填充材料可以与栅电极(130)的构成材料为同一材料，且该导电填充材料与水平沟槽(241)的侧壁之间可以通过第一绝缘介质层(115)隔离。此外，所述水平沟槽(241)将竖直排布的第一类有源沟槽(111)和第二类有源沟槽(211)连接到一起，并在连接处形成T字形或者L字形的连接位，且所述水平沟槽(241)的深度不小于有源沟槽的深度，以维持该区域的击穿电压。这样一来，第二类有源沟槽(211)内的栅电极即便不被栅极金属板(121)覆盖，亦可以通过水平沟槽(241)内填充的导电材料连接到第一类有源沟槽(111)，继而通过第一类有源沟槽上的栅极接触孔(114)最终连接至栅极金属板(121)。因此，本设计可以在金属板间隔区(122)内形成由栅极电压控制的MOS导电沟道，从而增加芯片导电面积。
此外，本实施例在水平沟槽(241)和第一类有源沟槽(111)的最外围，还设置有一段终端沟槽(112)。一个屏蔽栅电极(131)被置于终端沟槽(112)中，所述屏蔽栅电极(131)与对应终端沟槽(112)的内壁之间通过一个第三绝缘介质层(116)隔离，且终端沟槽(112)的深度不小于第一类有源沟槽(111)和第二类有源沟槽(211)的深度。在器件关断耐压状态下，可以通过终端沟槽(112)内的屏蔽栅电极(131)的电场屏蔽效应，达到截止电场的作用，从而维持足够的击穿电压。
第二实施例
图7是根据本发明第二实施例的对应图4中“Y”区域版图的放大图示。图8是图7中A-A’切线的横切面。与上述第一实施例相似，在第二实施例中，金属板间隔区(122)内的第二类有源沟槽(211)通过水平沟槽(241)连接至栅极金属板(121)，从而使得金属板间隔区(122)内可以形成MOS导电沟道，增加芯片的导电面积。第二实施例与第一实施例的不同之处在于终端沟槽(112)的设计，如图7所示，在第二实施例中，终端沟槽(112)沿竖直方向延伸入源极金属板(120)所覆盖的有源区(201)，以进一步增强第二类有源沟槽(211)与水平沟槽(241)之间的L字形拐角连接位的电场屏蔽作用，提升器件的击穿电压。
第三实施例
在上述第一实施例中，第二类有源沟槽(211)内的栅电极(130)通过水平沟槽(241)内填充的导电材料连接至栅极金属板(121)。一种常见的沟槽填充材料可以是重度掺杂的多晶硅(Poly-Si)。然而，由于沟槽填充材料自身的导电性往往不及金属导体(如铝、铜、银等)，导致沟槽栅存在一定的寄生电阻。该寄生电阻会造成器件内部各沟槽的MOS沟道之间不同的开关延迟，从而对器件的开关特性造成不良影响，为降低沟槽栅的寄生电阻，本发明亦提供第一实施例的改进方案，即第三实施例。
图9是根据本发明第三实施例的对应图4中“Y”区域版图的放大图示。图10是图9中A-A’切线的横切面。如图9所示，与第一实施例不同，在第三实施例中，栅极金属板(121)中原覆盖第一类有源沟槽(111)的部分沿水平方向朝器件有源区(201)凸出，且凸出的距离大于或等于原间隔区(122)的宽度。相应的，源极金属板(120)在维持与栅极金属板(121)之间足够的间隔宽度的条件下，在对应位置朝器件有源区(201)凹陷，且凹陷距离大于或等于栅极金属板(121)在对应位置的凸出距离。其结果是，源极金属板(120)和栅极金属板(121)分别形成独特的凹、凸形状，如图9所示。这样一来，既保证了源、栅电极之间的隔离需求，又实现了栅电极金属板(121)对原间隔区(122)内的第二类有源沟槽(211)的有效覆盖。因此，原第一实施例中需要通过水平沟槽(241)相连的第二类有源沟槽(211)均可以通过在其末端部分设置栅极接触孔(114)的方式直接连接到覆盖其上方的栅极金属板(121)，从而大大降低沟槽栅的寄生电阻。
第四实施例
图11是根据本发明第四实施例的对应图4中“Y”区域版图的放大图示。图12是图11中A-A’切线的横切面。与上述第三实施例相似，在第四实施例中，源、栅金属板分别被设计成独特的凹凸形状，以降低沟槽栅的寄生电阻。第四实施例与第三实施例的不同之处在于其终端沟槽(112)的设计，如图11所示，在第四实施例中，终端沟槽(112)沿竖直方向延伸入源极金属板(120)所覆盖的有源区(201)，以进一步增强第二类有源沟槽(211)与水平沟槽(241)之间的L字形拐角连接位的电场屏蔽作用，提升器件的击穿电压。
第五实施例
图13是根据本发明第五实施例的对应图4中“Y”区域版图的放大图示。图13中器件A-A’切线的横切面与图12中所示结构相同。与上述第四实施例相似，在第五实施例中，源、栅金属板分别被设计成独特的凹凸形状，从而使原第一实施例中需要通过水平沟槽(241)相连的第二类有源沟槽(211)内的栅电极(130)均可以通过栅极接触孔(114)直接连接到栅极金属板(121)。这样一来，原第一实施例中的水平沟槽(241)可以被省略，如图13所示。此外，在第五实施例中，第一类有源沟槽(111)和第二类有源沟槽(211)的截止末端与外围水平延伸的终端沟槽(112)之间留有一定的间隔，一般的，该间隔的距离不大于相邻有源沟槽之间的水平间距，以充分利用终端沟槽(112)对电场的屏蔽作用，维持该区域足够的击穿电压。
第六实施例
图14是根据本发明第六实施例的对应图4中“Y”区域版图的放大图示。图14中器件A-A’切线的横切面与图12中所示结构相同。与上述第五实施例相似，在第六实施例中，源、栅金属板分别被设计成独特的凹凸形状，从而在保证源、栅金属板的隔离间距的基础上，实现对第二类有源沟槽(211)内的栅电极(130)的低电阻连接。但是，与第五实施例不同的是，在第六实施例中，第一类有源沟槽(111)和第二类有源沟槽(211)的截止末端与外围水平延伸的终端沟槽(112)直接相连，并在连接处形成T字形的连接位。此设计可以增强终端沟槽(112)对所述连接位的电场屏蔽作用，从而增强该区域的耐压能力，有助于提升器件的击穿电压。
Claims (23)
1.一种功率半导体器件，所述的功率半导体器件包括有源极金属板(120)、栅极金属板(121)以及设于源极金属板(120)与栅极金属板(121)之间的金属板间隔区(122)，所述的源极金属板(120)所覆盖的区域下方设有一个以上沿竖直方向平行排布的有源沟槽，相邻的有源沟槽之间设有p型体区(133)，所述的p型体区(133)上设有n+型源区(136)，其特征在于，所述的有源沟槽包括有第一类有源沟槽(111)和第二类有源沟槽(211)，所述的第一类有源沟槽(111)穿过间隔区(122)至栅极金属板(120)下方，所述的第二类有源沟槽(211)截止于间隔区(122)内；所述的有源沟槽末端还设有水平沟槽(241)，所述的第一类有源沟槽(111)和第二类有源沟槽(211)通过所述的水平沟槽(241)连接；所述的有源沟槽内设有栅电极(130)，所述栅电极(130)与对应沟槽侧壁之间隔离，所述栅电极(130)与源极金属板(120)之间隔离；所述第一类有源沟槽(111)内的栅电极(130)与栅极金属板(121)相连，所述第二类有源沟槽(211)内的栅电极(130)通过所述水平沟槽(241)内填充的导电材料连接至第一类有源沟槽(111)内的栅电极(130)、再与栅极金属板(121)连接。
2.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述的第一类有源沟槽(111)在其被栅极金属板(121)所覆盖的部分设有栅极接触孔(114)，第一类有源沟槽(111)内的栅电极(130)通过栅极接触孔(114)连接至栅极金属板(121)。
3.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述的n+型源区(136)与p型体区(133)通过源极接触孔(113)连接至源极金属板(120)。
4.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述的水平沟槽(241)内填充的导电材料与栅电极(130)的构成材料相同。
5.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述的水平沟槽(241)内填充的导电材料与水平沟槽(241)的侧壁之间隔离。
6.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述的第一类有源沟槽(111)的宽度和深度分别等于第二类有源沟槽(211)的宽度和深度。
7.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述的水平沟槽(241)的深度大于或等于所述的有源沟槽的深度。
8.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，在所述的水平沟槽(241)和有源沟槽的外围还设置有终端沟槽(112)，所述的终端沟槽(112)内设有屏蔽栅电极(131)，所述的屏蔽栅电极(131)与对应终端沟槽(112)的内壁之间隔离。
9.如权利要求8所述的功率半导体器件，其特征在于，所述的终端沟槽(112)的深度大于或等于所述的有源沟槽的深度。
10.如权利要求8所述的功率半导体器件，其特征在于，所述的终端沟槽(112)沿竖直方向延伸入源极金属板(120)所覆盖的有源区(201)。
11.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述栅极金属板(121)临近源极金属板(120)的角位部分沿水平方向朝源极金属板(120)所在区域凸出，且凸出距离大于或等于金属板间隔区(122)的宽度；所述源极金属板(120)在其对应栅极金属板(121)角位凸出部的区域沿水平方向朝其自身内部凹陷，且凹陷距离大于或等于栅极金属板(121)在相应位置沿水平方向凸出的距离；所述第二类有源沟槽(211)的末端被栅极金属板(121)的凸出部覆盖；在所述第二类有源沟槽(211)的末端部分设有栅极接触孔(114)，第二类有源沟槽内的栅电极(130)通过栅极接触孔(114)连接至栅极金属板(121)的凸出部。
12.一种功率半导体器件，所述的功率半导体器件包括有源极金属板(120),栅极金属板(121)，以及设于源极金属板(120)与栅极金属板(121)之间的金属板间隔区(122)，所述的源极金属板(120)所覆盖的区域下方设有一个以上沿竖直方向平行排布的有源沟槽，所述的有源沟槽内设有栅电极(130)，相邻的有源沟槽之间设有p型体区(133)，所述的p型体区(133)上设有n+型源区(136)，其特征在于，所述栅极金属板(121)临近源极金属板(120)的角位部分沿水平方向朝源极金属板(120)所在区域凸出，且凸出距离大于或等于金属板间隔区(122)的宽度，所述源极金属板(120)在其对应栅极金属板(121)角位凸出部的区域沿水平方向朝其自身内部凹陷，且凹陷距离大于或等于栅极金属板(121)在相应位置沿水平方向凸出的距离；所述有源沟槽沿竖直方向延伸并穿过金属板间隔区(122)，所述有源沟槽的末端截止于栅极金属板(121)下方；所述的栅电极(130)通过栅极接触孔(114)连接至栅极金属板(121)。
13.如权利要求12所述的一种功率半导体器件，其特征在于，所述的栅极接触孔(114)设于有源沟槽的末端。
14.如权利要求1或12中任一权利要求所述的功率半导体器件，其特征在于，所述p型体区(133)的深度等于或小于所述栅电极(130)的深度。
15.如权利要求1或12中任一权利要求所述的功率半导体器件，其特征在于，所述的源极接触孔(113)的下方设有p+型接触区(134)。
16.如权利要求2或12中任一要求所述的功率半导体器件，其特征在于，所述栅极接触孔(114)的宽度小于或等于有源沟槽顶部表面的宽度。
17.如权利要求2或12中任一要求所述的功率半导体器件，其特征在于，所述栅电极(130)自有源沟槽的内部向上延伸至有源沟槽的顶部上方，并在有源沟槽的上方形成栅电极板，所述栅电极板的宽度大于所述有源沟槽顶部表面的宽度，所述栅极接触孔(114)与所述栅电极板的上表面相连，且所述栅极接触孔(114)的宽度小于所述栅电极板的宽度。
18.如权利要求1或12中任一权利要求所述的功率半导体器件，其特征在于，在所述栅电极(130)的下方填充有屏蔽栅电极(131)，所述屏蔽栅电极(131)与对应沟槽侧壁之间隔离，所述屏蔽栅电极(131)与其上方的栅电极(130)之间隔离。
19.如权利要求12所述的功率半导体器件，其特征在于，在所述有源沟槽所在的有源区(201)的外围设有将有源区(201)围封起来的终端沟槽(112)，其中围封有源区(201)左右两侧的终端沟槽(112)沿竖直方向延伸，围封有源区(201)上下两侧的终端沟槽(112)沿水平方向延伸，所述终端沟槽(112)中设有屏蔽栅电极(131)，所述屏蔽栅电极(131)与对应终端沟槽(112)的内壁之间隔离。
20.如权利要求19所述的功率半导体器件，其特征在于，所述终端沟槽(112)中沿水平方向延伸的部分与附近的沿竖直方向排布的有源沟槽的末端之间存在间隔，该间隔的距离小于或等于相邻有源沟槽之间的水平间距。
21.如权利要求19所述的功率半导体器件，其特征在于，所述终端沟槽(112)中沿水平方向延伸的部分与附近的沿竖直方向排布的有源沟槽的末端直接相连，并在连接处形成T字形的连接位。
22.如权利要求19-21中任一权利要求所述的功率半导体器件，其特征在于，所述的终端沟槽(112)的深度大于或等于所述的有源沟槽的深度。
23.如权利要求19-21中任一权利要求所述的功率半导体器件，其特征在于，所述的终端沟槽(112)沿竖直方向延伸入源极金属板(120)所覆盖的有源区(201)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710378418.XA CN107104149B (zh) | 2017-05-25 | 2017-05-25 | 一种功率半导体器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710378418.XA CN107104149B (zh) | 2017-05-25 | 2017-05-25 | 一种功率半导体器件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107104149A true CN107104149A (zh) | 2017-08-29 |
| CN107104149B CN107104149B (zh) | 2020-04-07 |
Family
ID=59670353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710378418.XA Active CN107104149B (zh) | 2017-05-25 | 2017-05-25 | 一种功率半导体器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107104149B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111415992A (zh) * | 2020-04-20 | 2020-07-14 | 安建科技(深圳)有限公司 | 一种屏蔽栅mosfet器件及其制备方法 |
| CN111725306A (zh) * | 2019-03-22 | 2020-09-29 | 中山汉臣电子科技有限公司 | 一种沟槽型功率半导体器件及其制造方法 |
| CN118571941A (zh) * | 2024-07-31 | 2024-08-30 | 芯联集成电路制造股份有限公司 | 电极引出结构及半导体器件 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060091457A1 (en) * | 2004-11-04 | 2006-05-04 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| CN103730500A (zh) * | 2012-10-12 | 2014-04-16 | 力士科技股份有限公司 | 沟槽式金属氧化物半导体场效应管 |
| CN104681448A (zh) * | 2013-11-29 | 2015-06-03 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 肖特基晶体管的结构及制造方法 |
| CN105489649A (zh) * | 2014-09-18 | 2016-04-13 | 万国半导体股份有限公司 | 在沟槽式功率器件中改善终端区低击穿电压的方法 |
| CN105895671A (zh) * | 2016-05-06 | 2016-08-24 | 张家港凯思半导体有限公司 | 超低功耗半导体功率器件及制备方法 |
| CN105914230A (zh) * | 2016-05-06 | 2016-08-31 | 张家港凯思半导体有限公司 | 一种超低功耗半导体功率器件及制备方法 |
| CN206194695U (zh) * | 2016-11-04 | 2017-05-24 | 无锡新洁能股份有限公司 | 沟槽dmos器件 |
-
2017
- 2017-05-25 CN CN201710378418.XA patent/CN107104149B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060091457A1 (en) * | 2004-11-04 | 2006-05-04 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| CN103730500A (zh) * | 2012-10-12 | 2014-04-16 | 力士科技股份有限公司 | 沟槽式金属氧化物半导体场效应管 |
| CN104681448A (zh) * | 2013-11-29 | 2015-06-03 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 肖特基晶体管的结构及制造方法 |
| CN105489649A (zh) * | 2014-09-18 | 2016-04-13 | 万国半导体股份有限公司 | 在沟槽式功率器件中改善终端区低击穿电压的方法 |
| CN105895671A (zh) * | 2016-05-06 | 2016-08-24 | 张家港凯思半导体有限公司 | 超低功耗半导体功率器件及制备方法 |
| CN105914230A (zh) * | 2016-05-06 | 2016-08-31 | 张家港凯思半导体有限公司 | 一种超低功耗半导体功率器件及制备方法 |
| CN206194695U (zh) * | 2016-11-04 | 2017-05-24 | 无锡新洁能股份有限公司 | 沟槽dmos器件 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111725306A (zh) * | 2019-03-22 | 2020-09-29 | 中山汉臣电子科技有限公司 | 一种沟槽型功率半导体器件及其制造方法 |
| CN111725306B (zh) * | 2019-03-22 | 2023-04-21 | 安建科技(深圳)有限公司 | 一种沟槽型功率半导体器件及其制造方法 |
| CN111415992A (zh) * | 2020-04-20 | 2020-07-14 | 安建科技(深圳)有限公司 | 一种屏蔽栅mosfet器件及其制备方法 |
| CN118571941A (zh) * | 2024-07-31 | 2024-08-30 | 芯联集成电路制造股份有限公司 | 电极引出结构及半导体器件 |
| CN118571941B (zh) * | 2024-07-31 | 2024-10-22 | 芯联集成电路制造股份有限公司 | 电极引出结构及半导体器件 |
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|---|---|
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