CN107104097B - 光电子器件和用于制造光电子器件的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及光电子器件和用于制造光电子器件的方法。该光电子器件(100)具有：衬底(102)，在所述衬底(102)上设置的半导体芯片(104)，设置在所述衬底(102)上的能润湿的吸引子元件(106a，106b，106c，106d)，和具有颜料(110)的介质(108)，其中所述介质至少局部覆盖所述衬底(102)的空出的区域，所述空出的区域没有被所述半导体芯片(104)和所述吸引子元件(106a，106b，106c，106d)所遮盖，所述介质至少部分地润湿所述半导体芯片(104)和所述吸引子元件(106a，106b，106c，106d)，并且所述吸引子元件具有限界元件和内部结构。

Description

光电子器件和用于制造光电子器件的方法
本发明申请是于申请日为2012年6月27日提交的、申请号为201280036001.0(国际申请号为PCT/EP2012/062465)以及发明名称为“光电子器件和用于制造光电子器件的方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种光电子器件和一种用于制造这种器件的方法。
背景技术
光电子器件具有可发射电磁辐射的半导体芯片。半导体芯片可以设置在吸收光的衬底上。为了改进或者改变衬底的反射特性，可以用引入有颜料的介质覆盖衬底的空出的区域。半导体芯片可以通过具有颜料的介质来润湿。特别地，可以润湿半导体芯片的侧面。在润湿时，半导体芯片的侧面由于表面张力而将介质上拉。这会引起介质在衬底上不均匀的层厚度，其中介质的厚度随着距半导体芯片的间距上升而下降。介质的小厚度会是不利的，因为随着用颜料填充的介质的厚度下降使光电子器件的反射特性变差并且进而使光电子器件的效率变差。
发明内容
本发明的目的是，提出一种光电子器件以及一种用于制造这种光电子器件的方法，其提供在衬底上有足够厚度的以颜料填充的介质，使得光电子器件的反射特性并且进而光电子器件的效率具有足够的品质。
所述目的通过根据本发明的实施例所述的光电子器件和通过根据本发明的实施例所述的用于制造这种光电子器件的方法来实现。
光电子器件的和用于制造光电子器件的方法的有利的设计方案和改进方案在如下描述中予以说明。
不同的实施形式具有带有半导体芯片的光电子器件，所述半导体芯 片设置在衬底上。在衬底上设置有可润湿的吸引子元件。具有颜料的介质至少局部覆盖衬底的空出的区域，所述空出的区域没有被半导体芯片和吸引子元件所遮盖。介质至少部分润湿半导体芯片和吸引子元件。介质在衬底上的厚度通过使用吸引子元件来增大。由此，相对于没有吸引子元件的实施形式改善该光电子器件的反射特性。因此，提高光电子器件的效率。换言之，降低衬底对光电子器件的光学特性的负面影响。
可以使用陶瓷衬底、金属芯电路板、引线框或塑料叠层作为衬底。塑料叠层由具有金属化部的玻璃纤维强化的塑料构成。上述全部衬底类型至少部分吸收光。
半导体芯片可以如吸引子元件那样通过具有颜料的介质来润湿。通过液态介质的表面张力将介质在半导体芯片的侧面上上拉。半导体芯片的背离衬底的、吸收光的表面在此不允许被介质润湿。
在一种优选的实施形式中，半导体芯片基于III-V族化合物半导体材料、尤其基于氮化镓(GaN)。半导体芯片具有发射电磁辐射的至少一个有源区。有源区可以是pn结、双异质结、多量子阱结构(MQW)、单量子阱结构(SQW)。量子阱结构指的是：量子阱(三维)、量子线(二维)和量子点(一维)。
在一种优选的实施形式中，半导体芯片构成为表面发射体、尤其构成为所谓的薄膜芯片。薄膜芯片例如从公开文献WO2005081319A1中已知。
在一种优选的实施形式中，介质具有硅树脂。硅树脂具有低表面张力。因此，硅树脂具有良好的可润湿性。硅树脂是透明的、辐射稳定的和热稳定的。尤其优选的是，化合物材料具有软的硅树脂。软的硅树脂具有大致邵氏硬度20至大致邵氏硬度60的硬度。软的硅树脂具有高的热稳定性、高的辐射稳定性和高的断裂伸长率，由此使硅树脂中形成断裂的风险最小化。
替选地或附加地，介质也可以具有环氧树脂或混合材料。
在一种优选的实施形式中，填充颜料的介质在衬底上方具有最小高度，该最小高度为衬底上的吸引子元件和半导体芯片的较小高度的至少10％。这是有利的，因为由此填充颜料的介质的反射率足够高。换言之，可以忽略衬底对光电子器件的反射率的负面影响。
在一种优选的实施形式中，通过介质仅仅润湿吸引子器件的侧面。液态介质由于表面张力而在吸引子元件的侧面上上拉。由此提升液体膜、更确切地说提升液体的表面。这是有利的，因为由此增大在吸引子元件周围环境中介质在衬底上的高度。吸引子元件的覆盖面没有被介质覆盖。换言之，没有出现过度浇注。有利的是，在半导体芯片与吸引子元件之间略微欠浇注介质。在略微欠浇注的情况下，所浇注的介质具有半月板的形状。
在一种可替选的优选实施形式中，吸引子元件可以完全通过介质覆盖。吸引子元件的侧面对液态介质的吸引作用在此情况下尽管比上述实施形式中的情况低。也存在下述风险：半导体芯片的发射光的表面至少部分被介质覆盖。然而，通过介质完全覆盖吸引子元件具有工艺技术的优点。
通过具有颜料的介质的近似均匀的层厚度可以提高色彩印象的均匀性。层厚度确定与由介质反射的光的份额相对的由颜料反射的光的份额。
为了进一步提高光电子器件的反射率，衬底可以用贵金属、如金或银涂覆。银覆层是尤其有利的，因为银对在整个可见光谱范围内的电磁辐射具有高反射率。附加地，为了提高填充颜料的介质的层厚度可以用贵金属对衬底进行涂覆。
在一种优选的实施形式中，吸引子元件在衬底上方具有高度，所述高度为半导体芯片的高度的10％至300％、优选80％至120％。光电子半导体芯片的高度可以在大约40μm到大约1000μm之间、优选80μm到200μm之间。可润湿的吸引子元件的该高度范围是尤其有利的，因为由此一方面达到介质的足够高度，而另一方面对光电子器件的结构高度没有负面影响。
在一种优选的实施形式中，光电子器件具有至少一个另外的半导体芯片。这种多芯片布置是尤其有利的，因为其具有高的光效率。
在一种优选的实施形式中，光电子器件具有至少一个另外的吸引子元件。多个吸引子元件可以是有利的，因为由此可以在彼此相距较远的半导体芯片之间也遵守介质的所需的最小厚度。尤其有利的是，遵守全部元件之间的、即相邻半导体芯片之间的、相邻吸引子元件之间的和相邻半导体芯片与吸引子元件之间的近似统一的间距。例如，吸引子元件与最近的半导体芯片相距应为两个相邻半导体芯片之间的间距的2/3到3/2之间。
在一种优选的实施形式中，至少一个吸引子元件可以围绕至少一个半导体芯片设置。由此，任意成形的芯片布置可以匹配于光电子器件的任意成形的边界。
在一种优选的实施形式中，吸引子元件具有接合线。接合线可以具有金。接合线的大部分通过具有颜料的介质来润湿。仅结合线的尖部从液体表面伸出。这是尤其有利的，因为仅损失反射性介质的最小份额的反射率。此外，接合线可以尤其简单地通过焊接固定在衬底上。
在一种可替选的优选实施形式中，整个接合线包括尖部在内被介质覆盖。这是尤其有利的，因为由此与上述实施形式相比再次提高反射率。
在一种优选的实施形式中，吸引子元件具有块状元件，尤其由硅、砷化镓、锗、塑料、玻璃、蓝宝石或金属(如铜或金)构成。块状元件可以具有正方形形状。块状元件是尤其有利的，因为由此可以实现填充颜料的介质的高的层厚度并进而实现层的高的反射率。此外，可以尤其简单地通过粘贴或焊接将块状元件固定在衬底上。块状元件优选以与半导体芯片相同的方法固定在衬底上。这确保尤其简单地制造光电子器件。
在一种优选的实施形式中，吸引子元件具有限界元件。限界元件可以具有聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)。聚对苯二甲酸丁二酯可以是白色的或染色的。所述限界元件可以通过如硅树脂的介质润湿、电绝缘、对于整个可见光谱范围中的电磁辐射具有高反射率并且是耐热的。限界元件可以围绕至少一个半导体芯片设置。限界元件是尤其有利的，因为由此可以使半导体芯片的布置与光电子器件的不同的边界匹配。
在一种优选的实施形式中，吸引子元件具有限界元件连带内部结构。限界元件和内部结构一件式地构成。限界元件和内部结构在吸引子元件中的组合是尤其有利的，因为可以使半导体芯片的布置与光电子器件的不同的边界匹配并且同时可以将吸引子结构放置在半导体芯片之间。吸引子元件可以在唯一的工艺步骤中被施加。
限界元件和内部结构的一件式的组合具有聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)。
在一种优选的实施形式中，吸引子元件的内部结构具有网格形状。该规则的结构是尤其有利的，因为半导体芯片距吸引子元件的间距是近似统一的。
在一种优选的实施形式中，介质具有白色颜料。白色颜料用于反射在整个可见光谱范围中的电磁辐射。换言之，白色颜料在宽频带上是高反射的。其目的是，反射尽可能多的白色光。可以将由二氧化钛(TiO2)和/或氧化铝(Al2O3)和/或氧化锆(ZrO)构成的颜料用作白色颜料。颜料填充的介质的反射率与颜料填充的介质的层厚度的相关性不是线性的。在层厚度在大约1μm到20μm之间的情况下，反射率强烈地上升。在层厚度在50μm到100μm之间的情况下，反射率仅尚不显著地增加。优选地，最小层厚度应在至少大约20μm。对于200μm厚的半导体芯片而言，这是半导体芯片的高度的10％。
在一种优选的实施形式中，介质具有黑色颜料。黑色颜料可以是炭黑颗粒或石墨颗粒。介质的反射率可以下降为衰落的值。这是尤其有利的，因为由此可以实现半导体芯片与包围半导体芯片的衬底面之间的高对比度。半导体芯片之间和围绕半导体芯片的以及吸引子元件之间和围绕吸引子元件的用黑色颜料填充的介质的大的厚度增强了黑色印象。
在一种优选的实施形式中，介质具有彩色颜料。彩色颜料可以具有红色的氧化铁颜料。通过使用彩色颜料仅反射特定波长的可见光。如果白光射到用红色颜料填充的介质上，那么主要反射红色光。对于具有彩色颜料的足够厚的介质尤其有利的是，可以实现高色彩均匀性。
在一种优选的实施形式中，颜料在介质中的浓度达到70％的重量百 分比、优选从25％至35％的重量百分比。白色颜料的浓度越高，则介质对白色光的反射率就越高。彩色颜料的浓度越高，则介质的彩色印象就越强烈。
在一种优选的实施形式中，在半导体芯片的背离衬底的面上、在吸引子元件的背离衬底的面上和在介质上施加具有发光材料颗粒的层。具有发光材料颗粒的层可以具有硅树脂作为基体材料。发光材料颗粒可以具有磷光体。掺杂镧的氧化钇(Y2O3-La2O3)、钇铝石榴石(Y3Al5O12-YAG)、氧化镝(Dy2O3)、氮氧化铝(Al23O27N5)或氮化铝(AlN)以大约5重量百分比至大约15重量百分比的浓度作为磷光体存在。钇铝石榴石例如将蓝色光转换成较长波长的在黄绿光谱范围中的光。
在一种优选的实施形式中，在半导体芯片的背离衬底的面上、在吸引子元件的背离衬底的面上和在介质上施加具有漫射体颗粒的层。漫射体颗粒散射光，而不影响其波长，并且用于光的混合。漫射体颗粒可以具有氧化铝(Al2O3)。
漫射体颗粒和发光材料颗粒与由半导体芯片发射的光相互作用并且将所述光的一部分散射回到用颜料填充的介质中。在介质具有白色颜料的情况下，由白色颜料反射所散射回的光，并且所散射回的光可以至少部分从光电子器件中耦合输出。
在一种优选的实施形式中，在半导体芯片的背离衬底的面上、在吸引子元件的背离衬底的面上和在介质上施加具有发光材料颗粒的层。在具有发光材料颗粒的层上施加具有漫射体颗粒的层。
在一种优选的实施形式中，在半导体芯片的背离衬底的面上、在吸引子元件的背离衬底的面上和在介质上施加具有发光材料颗粒和漫射体颗粒的层。
在一种可替选的优选实施形式中，在半导体芯片的背离衬底的、发射光的表面上施加转换小板。转换小板可以由陶瓷基体材料构成，发光材料颗粒引入到所述基体材料中。具有漫射体颗粒的层可以施加到转换小板、吸引子元件的背离衬底的面和介质上。
用于制造光电子器件的方法具有不同的实施形式。首先，提供衬底， 在所述衬底上设置半导体芯片。此外，将可润湿的吸引子元件设置在衬底上。之后，将具有颜料的液态介质至少局部施加到衬底的空出的区域上，所述空出的区域没有被半导体芯片和吸引子元件所遮盖。接下来，硬化液态介质。
在一种优选的实施形式中，液态介质通过分散、尤其通过喷射施加到衬底上。
在一种优选的实施形式中，在具有颜料的介质硬化之后，将具有漫射体颗粒的层施加到半导体芯片的背离衬底的面上、吸引子元件的背离衬底的面上和硬化的介质上。
在一种可替选的优选实施形式中，在具有颜料的介质硬化之后，将具有发光材料颗粒的层施加到半导体芯片的背离衬底的面上、吸引子元件的背离衬底的面上和硬化的介质上。
在另一种可替选的优选实施形式中，在具有颜料的介质硬化之后，首先将具有发光材料颗粒的层施加到半导体芯片的和吸引子元件的背离衬底的面上以及硬化的介质上。接下来，施加具有漫射体颗粒的层。
在另一种可替选的优选实施形式中，在具有颜料的介质硬化之后，将具有发光材料颗粒和漫射体颗粒的层施加到半导体芯片的和吸引子元件的背离衬底的面上以及硬化的介质上。
在另一种可替选的优选实施形式中，在具有颜料的介质硬化之后，首先将转换小板施加到半导体芯片上。接下来，将具有漫射体颗粒的层施加到转换小板上、吸引子元件的背离衬底的面上以及硬化的介质上。
附图说明
下面根据附图详细阐明了不同的实施例。相同的、同类的或起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图和附图中示出的元件彼此间的大小关系不可视为是符合比例的。更确切地说，为了更好的可示性和为了更好的理解可以夸大地或缩小地示出各个元件。
图1a示出已知的光电子器件的一种实施例的俯视图；
图1b示出图1a中的已知的光电子器件的实施例的剖面图；
图2a示出光电子器件的一种实施例的俯视图；
图2b示出图2a中的光电子器件的实施例的剖面图；
图3a示出光电子器件的一种实施例的俯视图；
图3b、3c和3d示出图3a中的光电子器件的实施例的剖面图；
图4a示出光电子器件的一种实施例的俯视图；
图4b示出图4a中的光电子器件的实施例的剖面图；
图5a示出光电子器件的一种实施例的俯视图；
图5b示出图5a中的光电子器件的实施例的剖面图；
图6a示出光电子器件的一种实施例的俯视图；
图6b示出图6a中的光电子器件的实施例的剖面图；
图7a示出光电子器件的一种实施例的俯视图；
图7b示出图7a中的光电子器件的实施例的剖面图；
图8a示出光电子器件的一种实施例的俯视图；
图8b示出图8a中的光电子器件的实施例的剖面图；
图9a示出光电子器件的一种实施例的俯视图；
图9b示出图9a中的光电子器件的实施例的剖面图；
图10a示出光电子器件的一种实施例的剖面图；
图10b示出光电子器件的一种实施例的剖面图；
图10c示出光电子器件的一种实施例的剖面图；
图10d示出光电子器件的一种实施例的剖面图。
具体实施方式
图1a示出已知的光电子器件100的一种实施例的俯视图。在俯视图中不可见的衬底上规则地设置有四个半导体芯片104。衬底的在四个半导体芯片104之间和围绕所述半导体芯片空出的区域完全地用具有颜料110的介质108覆盖。介质108可以具有硅树脂。颜料110可以是由二氧化钛构成的白色颜料。光电子器件具有限定的边缘118。在具有颜料110的介质108上可以施加具有发光材料颗粒和/或漫射体颗粒的层。出于清楚性原因，所述层在图1a中没有示出。绘制出剖面轴线120，沿着所述剖面轴线在图1b中示出光电子器件100的剖面图。
图1b示出图1a中的已知的光电子器件的实施例的剖面图。在剖面图中可以看到两个半导体芯片104，所述半导体芯片设置在衬底102上。衬底102可以具有陶瓷。陶瓷衬底102吸收可见光谱范围中的电磁辐射。为了改变衬底102的反射特性，在衬底102上施加包含颜料110的介质108。颜料110可以是白色颜料。具有颜料110的介质108完全地润湿半导体芯片104的侧面；在半导体芯片104之间和在半导体芯片104与边缘118之间将介质108以欠浇注形式设置成半月板形状。半导体芯片104之间的间距大到使得介质108在其最薄的部位112处、在两个半导体芯片104之间的中部在衬底102上方具有高度，所述高度为小于半导体芯片104的高度的10％。这引起半导体芯片之间的陶瓷衬底102通过介质显露出。换言之，降低介质108的反射率。射到介质108上的在可见光谱范围中的电磁辐射增多地被衬底吸收并由此不再可以从光电子器件中耦合输出。光电子器件的效率下降。射到的辐射是从施加在填充颜料的介质108上的层114、116中向回散射的光。具有发光材料颗粒124的层114直接地施加在填充颜料的介质108上。使用如钇铝石榴石(YAG)的磷光体作为发光材料，所述磷光体将由半导体芯片104发射的蓝色初级辐射转换成较长波长的黄绿色的次级辐射。在具有发光材料颗粒124的层114上施加具有漫射体颗粒122的层116。氧化铝(Al2O3)用作漫射体颗粒122。漫射体颗粒与蓝色的初级辐射和黄色的次级辐射相互作用，而不改变其波长。具有漫射体颗粒122的层116用于混合初级辐射和次级辐射。发光材料颗粒124和漫射体颗粒122沿所有空间方向发射光。因此，蓝色的初级辐射的一部分和黄色的次级辐射的一部分射到用颜料110填充的介质108上。因为半导体芯片104之间所浇注的、 具有颜料110的介质108非常薄，所以向回散射的初级和次级辐射的一部分经过介质，而不被白色颜料110反射。该部分可以被衬底102吸收。
出于清楚原因，在附图2a、2b、3a、3b、3c、3d、4a、4b、5a、5b、6a、6b、7a、7b、8a、8b、9a和9b中没有示出具有发光材料颗粒124或漫射体颗粒122的层114、116。具有发光材料颗粒124和/或漫射体颗粒122的层114、115、116与具有颜料110的介质108的共同作用在附图10a、10b、10c和10d中示出。
图2a示出光电子器件的一种实施例的俯视图。光电子器件具有带有线形边界118的正方形形状或至少一个矩形形状。在俯视图中不可见的衬底上规则地设置四个半导体芯片104。此外，将可润湿的吸引子元件106a居中地设置在衬底上。因此，吸引子元件106a设置在半导体芯片104之间。吸引子元件距四个半导体芯片104的每个大致具有相同的间距。吸引子元件(106a)是接合线。所述接合线由金构成。
光电子器件具有限定的边缘118。衬底的在四个半导体芯片104之间和围绕其空出的区域完全地用具有颜料110的介质108覆盖。介质108可以具有硅树脂。替选地或附加地，介质108可以具有环氧树脂或混合材料。颜料110可以具有白色颜料。白色颜料可以具有二氧化钛(TiO2)和/或氧化铝(Al2O3)和/或氧化锆(ZrO)。替选地，颜料110可以是黑色颜料、尤其是炭黑颗粒或石墨颗粒。替选地，颜料110可以是彩色颜料、尤其是氧化铁颜料。
图2b沿着剖面轴线120示出图2a中的光电子器件的实施例的剖面图。在两个半导体芯片104之间，将接合线作为可润湿的吸引子元件106设置在衬底102上。衬底102可以是陶瓷衬底、金属芯电路板、引线框或塑料叠层。具有颜料110的介质108几乎完全润湿接合线106a。仅接合线106a的尖部稍微从介质108中伸出。因此，接合线106a对介质108的反射特性的影响最小。具有颜料110的介质108在衬底102上方具有为衬底102上的吸引子元件106a和半导体芯片104的较小高度的至少10％的最小厚度112。在图2b中，接合线106a大致具有与相邻半导体芯片104相同的高度。在当前的图2b中，最小厚度112为相邻半导体芯片104的高度的大约60％。介质108的大厚度确保：光电子器件的反射特性不受或者几乎不受位于其下的衬底102影响。在白色颜料110的 情况下，射入介质上的电磁辐射的大部分被反射。通过由衬底吸收电磁辐射所产生的损耗被最小化。颜料110在介质108中的浓度达到70％重量百分比、优选从25％至35％重量百分比。具有颜料110的介质108的最小厚度112在接合线106a与半导体芯片104之间和在光电子器件的边缘118与半导体芯片104之间大致相同大。这确保：光电子器件的整个面具有大致统一的反射率。这在白色颜料的情况下引起光电子器件的与位置无关的、均匀的亮度。
图3a示出光电子器件的一种实施例的俯视图。吸引子元件106b是块状元件。块状元件106b可以具有硅、砷化镓、锗、塑料、玻璃、蓝宝石或金属(如铜或金)。吸引子元件106b居中地设置在四个半导体芯片104之间。
图3b示出图3a中的光电子器件的实施例的剖面图。块状元件106b在衬底102上具有与半导体芯片104相同的高度。最小厚度112为块状元件106b的高度的或半导体芯片104的高度的大约60％。块状吸引子元件106b的侧面通过介质108完全润湿。此外，该实施例对应于图2b中示出的实施例。
图3c示出图3a中的光电子器件的另一种实施例的剖面图。吸引子元件106b在衬底102上方具有高度，所述高度为半导体芯片104的高度的大约130％。填充颜料110的介质108的最小厚度112大于在图3b中示出的实施例中的最小厚度112。相对于图3b的实施例，通过填充颜料110的介质108的较大厚度进一步减小衬底对光电子器件的反射特性的影响。在白色颜料110的情况下，射入介质108上的电磁辐射被几乎完全反射。通过由衬底102吸收的辐射引起的损耗被最小化。
图3d示出图3a中的光电子器件的另一种实施例的剖面图。吸引子元件106b在衬底102上方具有高度，所述高度为半导体芯片104的高度的大约60％。填充颜料110的介质108的最小厚度112小于在图3b和3c中示出的实施例中的最小厚度112。然而，介质108的厚度足以确保光电子器件的反射特性受衬底102仅少量影响。
在未示出的实施例中，吸引子元件的高度可以为半导体芯片104的高度的10％至300％之间、优选80％至120％之间。
图4a示出光电子器件的一种实施例的俯视图。发射光的半导体芯片104居中地设置在光电子器件的衬底上。四个块状吸引子元件106b以规则的间距围绕半导体芯片设置。此外，该实施例对应于图3a中示出的实施例。
图4b示出图4a中的光电子器件的实施例的剖面图。半导体芯片104居中地在块状吸引子元件106b之间设置在衬底102上。此外，该实施例对应于图3b中示出的实施例。
图5a示出光电子器件的一种实施例的俯视图。半导体芯片在衬底上分别设置在光电子器件的角部附近。多个吸引子元件106a以规则的方式在衬底上设置在半导体芯片104之间。这得出接合线106a的场。此外，该实施例对应于图2a中示出的实施例。
图5b示出图5a中的光电子器件的实施例的剖面图。沿着剖面轴线120在两个半导体芯片104之间大致等间距地设置四个接合线106a。介质108的最小厚度112为最近的半导体芯片104或最近的接合线106a的高度的大约60％。此外，该实施例对应于图2b中示出的实施例。
图6a示出光电子器件的一种实施例的俯视图。光电子器件的边界118是圆形的。在中央以矩形形式设置多个半导体芯片104。将接合线106a的场以彼此间规则的间距并且以距半导体芯片104规则的间距围绕半导体芯片104设置。该实施例示出半导体芯片104的矩形布置与光电子器件中的圆形边界118的匹配。此外，该实施例对应于图2a中示出的实施例。
图6b示出图6a中的光电子器件的实施例的剖面图。沿着剖面轴线120在两个接合线106a之间以近似等间距地设置三个半导体芯片104。此外，该实施例对应于图2b中示出的实施例。
图7a示出光电子器件的一种实施例的俯视图。该实施例是替选于图6a的实施例的实施例。光电子器件的边界118是圆形的。该实施例用于使矩形芯片布置匹配于圆形边界。在中央以矩形形状设置多个半导体芯片104。吸引子元件106c是限界元件并且围绕由半导体芯片104构成的矩形场设置。限界元件106c完全地围绕由半导体芯片104构成 的场。限界元件106由聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)制成。
图7b示出图7a中的光电子器件的实施例的剖面图。沿着剖面轴线120以彼此近似等间距的方式将三个半导体芯片104设置在限界元件106c的凹陷部中。限界元件106c具有底座，所述底座大致具有与半导体芯片104相同的高度。限界元件106c的环绕的底座通过突出的、环绕的边缘118围住。
图8a示出光电子器件的一种实施例的俯视图。示出半导体芯片104在衬底上的不规则布置，所述衬底具有圆形边界118。限界元件106c朝半导体芯片104具有折弯的形状。该形状确保：半导体芯片104与吸引子元件106c之间的间距对于每个半导体芯片104而言大致相同。此外，该实施例对应于图7a中示出的实施例。
图8b示出图8a中的光电子器件的实施例的剖面图。通过不规则成形的限界元件106c实现，介质108的最小厚度112在所有半导体芯片104与限界元件106c之间大致相同。这确保在光电子器件的整个延伸之上统一的反射特性。此外，该实施例对应于图7b中示出的实施例。
图9a示出光电子器件的一种实施例的俯视图。光电子器件的边界118是圆形的。该实施例用于使矩形芯片布置匹配于圆形边界。一件式构成的吸引子元件106d具有限界元件106d.1和网格形的内部结构106d.2。通过网格形的内部结构106d.2构造在半导体芯片104之间规则设置的连接片。限界元件106d.1围绕由半导体芯片104构成的矩形场设置。限界元件106d.1和网格形的内部结构106d.2由聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)制成。
图9b示出图9a中的实施例的剖面图。沿着剖面轴线120将三个半导体芯片104设置在吸引子元件106d的凹陷部中。限界元件106d.1具有底座，所述底座大致具有与半导体芯片104相同的高度。限界元件106d.1的环绕的底座通过突出的、环绕的边缘118围住。在半导体芯片104之间设置内部结构106d.2，使得半导体芯片104距限界元件106d.1和距内部结构106d.2的间距大致是统一的。通过该统一的间距实现，介质108的最小厚度112在半导体芯片104与吸引子元件106d.1、106d.2之间在所有位置上是大致相同大的。
图10a示出光电子器件的一种实施例的剖面图。图10a中的实施例是图3b中示出的实施例的改进方案。颜料110为白色颜料。在介质108上、在半导体芯片104上和在块状吸引子元件106b上施加具有发光材料颗粒124的层114。发光材料颗粒可以具有钇铝石榴石(YAG)。半导体芯片104发射蓝色初级光。初级光的一部分通过发光材料颗粒124转换成黄绿光谱范围中的次级光。蓝色初级光的和黄绿次级光的一部分散射回介质108上。白色颜料110同样反射初级光和次级光。被反射的初级光和次级光可以从光电子器件中耦合输出。光电子器件的光效率可以通过使用以白色颜料110填充的介质108来显著地提高，所述介质具有为相邻半导体芯片104的或相邻吸引子元件106b的高度的10％的最小厚度112。
图10b示出光电子器件的一种实施例的剖面图。图10b是图10a中的实施例的一种改进方案。将具有漫射体颗粒122的层116施加到具有发光材料颗粒124的层114上。漫射体颗粒122具有氧化铝(Al2O3)。漫射体颗粒122散射初级光和次级光，而不改变光的波长。层116用于更好地混合初级光和次级光。在蓝色初级光和黄色次级光的情况下，光电子器件在光电子器件的整个表面之上均匀地发射均匀白光。
图10c示出光电子器件的一种实施例的剖面图。图10c示出替选于图10a和10b中示出的实施例的一种实施形式。在此，转换小板126分别直接地施加到半导体芯片104的背离衬底的面上。转换小板126构成为转换剂填充的硅树脂小板。发光材料颗粒114用作为转换剂。发光材料可以嵌入到硅树脂小板中。替选地，小板可以构成为烧结的陶瓷小板，其中发光材料嵌入到陶瓷小板中。发光材料颗粒具有发磷光的材料。发磷光的材料可以具有钇铝石榴石或正硅酸盐。所述的层转换示例地在WO2010017831中描述。所谓的芯片附近转换是有利的，因为电磁辐射的转换在焦点平面中利用芯片进行。具有漫射体颗粒122的层116直接地施加到转换小板126上、吸引子元件106b上和填充颜料110的介质108上。该层将蓝色初级光和黄绿色次级光混合。又得到均匀白色光，所述白色光在光电子器件的面上均匀地发射。
图10d示出光电子器件的一种实施例的剖面图。图10d示出替选于图10a、10b和10c中示出的实施例的一种实施形式。代替两个单独的层114 和116，设置具有发光材料颗粒124和漫射体颗粒122的唯一的层115。发光材料颗粒124和漫射体颗粒122在层115中混匀并且近似均匀地分布。
根据上述描述可知，本发明的实施例涵盖但不限于以下技术方案：
方案1.一种光电子器件，具有：
-衬底，
-在所述衬底上设置的半导体芯片，
-设置在所述衬底上的能润湿的吸引子元件，
-具有颜料的介质，所述介质至少局部覆盖所述衬底的空出的区域，所述空出的区域没有被所述半导体芯片和所述吸引子元件所遮盖，并且所述介质至少部分地润湿所述半导体芯片和所述吸引子元件。
方案2.根据方案1所述的光电子器件，其中具有颜料的所述介质在所述衬底上方具有最小厚度，所述最小厚度为所述衬底上的半导体芯片和吸引子元件的较小的高度的至少10％。
方案3.根据方案1或2所述的光电子器件，其中所述吸引子元件的至少一个侧面通过所述介质来润湿。
方案4.根据上述方案中的任一项所述的光电子器件，其中所述吸引子元件在所述衬底上方具有高度，所述高度为所述半导体芯片的高度的10％至300％、优选80％至120％。
方案5.根据上述方案中的任一项所述的光电子器件，其具有至少一个另外的半导体芯片和/或至少一个另外的吸引子元件。
方案6.根据方案5所述的光电子器件，其中至少一个所述吸引子元件设置在所述半导体芯片之间。
方案7.根据方案5或6所述的光电子器件，其中至少一个所述吸引子元件围绕至少一个所述半导体芯片设置。
方案8.根据上述方案中的任一项所述的光电子器件，其中所述吸 引子元件具有接合线、尤其由金制成的接合线。
方案9.根据上述方案中的任一项所述的光电子器件，其中所述吸引子元件构成为块状元件，所述块状元件具有下述材料中的至少一种：
-硅，
-砷化镓，
-锗，
-塑料
-玻璃，
-蓝宝石，或
-金属、尤其是铜或金。
方案10.根据上述方案中的任一项所述的光电子器件，其中所述吸引子元件具有限界元件、尤其由聚对苯二甲酸丁二酯制成的限界元件。
方案11.根据上述方案中的任一项所述的光电子器件，其中所述吸引子元件具有限界元件连带内部结构、尤其是由聚对苯二甲酸丁二酯制成的限界元件。
方案12.根据方案11所述的光电子器件，其中所述内部结构具有网格形状。
方案13.根据上述方案求中的任一项所述的光电子器件，其中所述介质具有下述材料中的至少一种：
-硅树脂，
-环氧树脂，或
-混合材料。
方案14.根据上述方案中的任一项所述的光电子器件，其中所述 介质用白色颜料填充，所述白色颜料由下述材料中的至少一种构成：
-二氧化钛(TiO2)，
-氧化铝(Al2O3)，或
-氧化锆(ZrO)。
方案15.根据方案1至13中的任一项所述的光电子器件，其中所述介质用黑色颜料填充，所述黑色颜料由下述材料中的至少一种构成：
-炭黑颗粒，或
-石墨颗粒。
方案16.根据方案1至13中的任一项所述的光电子器件，其中所述介质用彩色颜料、尤其是氧化铁颜料填充。
方案17.根据上述方案中的任一项所述的光电子器件，其中所述颜料在所述介质中的浓度达到70％的重量百分比、优选从25％至35％的重量百分比。
方案18.根据上述方案求中的任一项所述的光电子器件，其中所述衬底具有下述元素中的一种：
-陶瓷衬底，
-金属芯电路板，
-引线框，或
-塑料叠层。
方案19.根据上述方案中的任一项所述的光电子器件，其中在所述半导体芯片的背离所述衬底的面上、在所述吸引子元件的背离所述衬底的面上和在所述介质上施加具有发光材料颗粒的层和/或具有漫射体颗粒的层。
方案20.一种用于制造光电子器件的方法，具有下述步骤：
-提供衬底，所述衬底具有设置在其上的半导体芯片；
-将能润湿的吸引子元件设置在所述衬底上；
-将具有颜料的液态介质至少局部施加到所述衬底的空出的区域上，所述空出的区域没有被所述半导体芯片和所述吸引子元件所遮盖，其中至少部分地润湿所述半导体芯片和所述吸引子元件；
-将所述液态介质硬化。
方案21.根据方案20所述的方法，其中通过分散、尤其通过喷射来进行所述液态介质的施加。
附图标记表
100 光电子器件
102 衬底
104 半导体芯片
106a 作为接合线的吸引子元件
106b 作为块状元件的吸引子元件
106c 作为限界元件的吸引子元件
106d 作为具有内部结构的限界元件的吸引子元件
106d.1 吸引子元件106d的限界元件
106d.2 吸引子元件106d的内部结构
108 介质
110 介质中的颜料
112 介质的最小厚度
114 具有发光材料颗粒124的层
115 具有发光材料颗粒124和漫射体颗粒122的层
116 具有漫射体颗粒122的层
118 光电子器件的边缘
120 剖面轴线
122 漫射体颗粒
124 发光材料颗粒
126 转换小板

Claims (20)

1.一种光电子器件(100)，其具有：衬底(102)，在所述衬底(102)上设置的半导体芯片(104)，另外的半导体芯片(104)，设置在所述衬底(102)上的能润湿的吸引子元件(106a，106b，106c，106d)和具有颜料(110)的介质(108)，其中
-所述介质至少局部覆盖所述衬底(102)的空出的区域，所述空出的区域没有被所述半导体芯片(104)和所述吸引子元件(106a，106b，106c，106d)所遮盖，
-所述介质至少部分地润湿所述半导体芯片(104)和所述吸引子元件(106a，106b，106c，106d)，
-所述吸引子元件(106d)具有限界元件(106d.1)和内部结构(106d.2)，
-所述半导体芯片(104)分别具有发射光的表面，
-所述介质(108)润湿所述半导体芯片(104)的侧面，以及
-所述半导体芯片(104)的发射光的表面没有介质。
2.根据权利要求1所述的光电子器件，其中，具有颜料(110)的所述介质(108)在所述衬底(102)上方具有最小厚度(112)，所述最小厚度为所述衬底(102)上方的半导体芯片(104)和吸引子元件(106a，106b，106c，106d)的较小的高度的至少10％。
3.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述吸引子元件(106a，106b，106c，106d)的至少一个侧面通过所述介质(108)来润湿。
4.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述吸引子元件(106a，106b，106c，106d)在所述衬底(102)上方具有高度，所述高度为所述半导体芯片(104)的高度的10％至300％。
5.根据权利要求1所述的光电子器件，其具有至少一个另外的半导体芯片(104)，其中所述吸引子元件(106d)的内部结构(106.2)至少部分设置在所述半导体芯片(104)之间。
6.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述吸引子元件(106a，106b，106c，106d)围绕所述半导体芯片(104)设置。
7.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述吸引子元件(106a)构成为块状元件，所述块状元件具有下述材料中的至少一种：
-硅，
-砷化镓，
-锗，
-塑料
-玻璃，
-蓝宝石，或
-金属。
8.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述吸引子元件(106c)具有聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)。
9.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述限界元件(106d.1)和所述内部结构(106d.2)一件式地构成。
10.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述内部结构(106d.2)具有网格形状。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的光电子器件，其中所述介质(108)具有下述材料中的至少一种：
-硅树脂，或
-环氧树脂。
12.根据权利要求1至10中的任一项所述的光电子器件，其中所述介质(108)用白色颜料(110)填充，所述白色颜料由下述材料中的至少一种构成：
-二氧化钛(TiO2)，
-氧化铝(Al2O3)，或
-氧化锆(ZrO)。
13.根据权利要求1至10中的任一项所述的光电子器件，其中所述介质(108)用黑色颜料(110)填充，所述黑色颜料由下述材料中的至少一种构成：
-炭黑颗粒，或
-石墨颗粒。
14.根据权利要求1至10中的任一项所述的光电子器件，其中所述介质(108)用彩色颜料(110)填充。
15.根据权利要求1至10中的任一项所述的光电子器件，其中在所述半导体芯片(104)的背离所述衬底(102)的面上、在所述吸引子元件(106a，106b，106c，106d)的背离所述衬底(102)的面上和在所述介质(108)上施加具有发光材料颗粒(124)的层(114)和/或具有漫射体颗粒(122)的层(116)。
16.一种用于制造光电子器件(100)的方法，具有下述步骤：
-提供衬底(102)，所述衬底具有设置在其上的半导体芯片(104)和另外的半导体芯片(104)；
-将能润湿的吸引子元件(106a，106b，106c，106d)设置在所述衬底(102)上；
-将具有颜料(110)的液态介质(108)至少局部施加到所述衬底(102)的空出的区域上，所述空出的区域没有被所述半导体芯片(104)和所述吸引子元件(106a，106b，106c，106d)所遮盖，其中至少部分地润湿所述半导体芯片(104)和所述吸引子元件(106a，106b，106c，106d)，其中所述吸引子元件(106d)具有限界元件(106d.1)和内部结构(106d.2)；
-将所述液态介质(108)硬化，其中
-所述半导体芯片(104)分别具有发射光的表面，
-所述介质(108)润湿所述半导体芯片(104)的侧面，以及
-所述半导体芯片(104)的发射光的表面没有介质。
17.根据权利要求16所述的方法，其中通过分散来进行所述液态介质(108)的施加。
18.一种光电子器件(100)，其具有：衬底(102)；在所述衬底(102)上设置的至少两个半导体芯片(104)，所述半导体芯片分别具有发射光的表面；设置在所述衬底(102)上的能润湿的吸引子元件(106a，106b，106c，106d)；和具有颜料(110)的介质(108)，其中
-所述介质至少局部覆盖所述衬底(102)的空出的区域，所述空出的区域没有被所述半导体芯片(104)和所述吸引子元件(106a，106b，106c，106d)所遮盖，
-所述介质至少部分润湿所述半导体芯片(104)和所述吸引子元件(106a，106b，106c，106d)，
-所述吸引子元件设置在所述半导体芯片(104)之间，其中所述介质至少部分地润湿所述半导体芯片(104)的侧面并且发射光的表面没有所述介质。
19.根据权利要求18所述的光电子器件(100)，其中所述光电子器件(100)具有多个吸引子元件，其中遵守在相邻的半导体芯片(104)之间、在相邻的吸引子元件之间和在相邻的半导体芯片(104)和吸引子元件之间统一的间距。
20.一种光电子器件(100)，其具有：衬底(102)，在所述衬底(102)上设置的半导体芯片(104)，设置在所述衬底(102)上的能润湿的吸引子元件(106a，106b，106c，106d)，和具有颜料(110)的介质(108)，其中
-所述介质至少局部覆盖所述衬底(102)的空出的区域，所述空出的区域没有被所述半导体芯片(104)和所述吸引子元件(106a，106b，106c，106d)所遮盖，
-所述介质至少部分润湿所述半导体芯片(104)和所述吸引子元件(106a，106b，106c，106d)，并且
-所述吸引子元件(106)具有接合线，其中所述接合线通过具有颜料的介质(108)润湿，使得仅所述接合线的尖部从所述介质(108)中伸出。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013214486A1 (de) * 2013-07-24 2015-01-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102015112042B4 (de) 2015-07-23 2021-07-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische Leuchtvorrichtung
JP2017212384A (ja) * 2016-05-27 2017-11-30 ソニー株式会社 発光素子及び表示装置
JP2019046989A (ja) * 2017-09-04 2019-03-22 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
US11101410B2 (en) * 2018-05-30 2021-08-24 Creeled, Inc. LED systems, apparatuses, and methods
WO2019236325A1 (en) * 2018-06-04 2019-12-12 Cree, Inc. Led apparatuses, and method
JP7240907B2 (ja) * 2019-03-12 2023-03-16 シチズン電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
DE102020118260B3 (de) * 2020-07-10 2021-05-06 Jenoptik Optical Systems Gmbh Verfahren zum Herstellen einer optischen Vorrichtung
EP4068355A1 (en) * 2021-03-31 2022-10-05 Nichia Corporation Light emitting module and method of manufacturing light emitting module
WO2024061878A1 (en) * 2022-09-21 2024-03-28 Ams-Osram International Gmbh Optoelectronic device, mold for producing a molded body for an optoelectronic device and method for producing an optoelectronic device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007029369A1 (de) * 2007-06-26 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
CN101636675A (zh) * 2007-03-16 2010-01-27 欧姆龙株式会社 光传输路径封装、光传输模块、电子设备及光传输模块的制造方法
DE102009039982A1 (de) * 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10229067B4 (de) * 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
TWI347022B (en) 2004-02-20 2011-08-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component, device with several optoelectronic components and method to produce an optoelectronic component
US7638808B2 (en) 2004-03-18 2009-12-29 Phoseon Technology, Inc. Micro-reflectors on a substrate for high-density LED array
US20100072416A1 (en) 2006-10-31 2010-03-25 Techno Polymer Co. Ltd Heat-dissipating resin composition, substrate for led mounting, reflector, and substrate for led mounting having reflector portion
CN101325193B (zh) * 2007-06-13 2010-06-09 先进开发光电股份有限公司 发光二极管封装体
US7967476B2 (en) * 2007-07-04 2011-06-28 Nichia Corporation Light emitting device including protective glass film
WO2009075530A2 (en) 2007-12-13 2009-06-18 Amoleds Co., Ltd. Semiconductor and manufacturing method thereof
CN102119450B (zh) 2008-08-11 2014-07-09 奥斯兰姆有限公司 转换型发光二极管
JP4808244B2 (ja) * 2008-12-09 2011-11-02 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
DE202009018419U1 (de) 2009-03-09 2011-08-17 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit verbesserter Lichtleistung
KR101039994B1 (ko) * 2010-05-24 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
DE102010029368A1 (de) * 2010-05-27 2011-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101636675A (zh) * 2007-03-16 2010-01-27 欧姆龙株式会社 光传输路径封装、光传输模块、电子设备及光传输模块的制造方法
DE102007029369A1 (de) * 2007-06-26 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE102009039982A1 (de) * 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements

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