CN107092146A - 阵列基板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 52
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 238000013499 data model Methods 0.000 claims description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Mathematical Physics (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板，包含基板、第一金属层、绝缘层、第二金属层与接地线。基板包含主动区与扇出区。扇出区位于主动区的一侧。第一金属层设置于基板上。第一金属层包含多条扫描线与多条连接线。多条扫描线位于主动区。多条连接线位于扇出区且分别连接多条扫描线。绝缘层设置于第一金属层上。第二金属层设置于绝缘层上。第二金属层包含多条数据线与虚设块。多条数据线与虚设块电性分离。多条数据线位于主动区且与多条扫描线交叉设置。虚设块位于扇出区且与多条连接线交叉设置。接地线耦接虚设块，并将虚设块电性连接至参考电位。
Description
技术领域
本发明是关于一种阵列基板，特别是一种可改善馈通效应(feed througheffect)的阵列基板。
背景技术
随着光电与半导体技术的演进，带动了显示器的蓬勃发展。在诸多显示器中，尤以液晶显示面板因具有低功率消耗、薄型量轻、色彩饱和度高、寿命长等优点而被广泛地使用，进而成为现代显示器的主流之一。
习知，液晶显示面板可包含至少二基板(可分别称的为阵列基板与对向基板)。一般而言，阵列基板可包含多条扫描线与多个像素单元。此些像素单元可以阵列形式排列，且同一横排(即沿着扫描线的延伸方向)的多个像素单元可因耦接至同一条扫描线而受控于同一个扫描信号。
在理想状态下，同一条扫描线上的各点电压应相同，而使得位于同一横排的多个像素单元可同步作动。然而，在实际状态中，由于各扫描线实际上可视为由多个串联电阻所构成，并且加上耦合电容的影响，使得各扫描信号自扫描线的输入端传送至扫描线的末端时会受到电阻电容延迟效应(RC Delay)的影响，使得原为方波的扫描信号的波形上出现圆角化(rounded)(即，扫描信号的上升时间及/或下降时间变大)，因而造成各像素单元的馈通电压(feed through voltage)随着各像素单元与扫描线的输入端的距离越远而越小，进而造成液晶显示面板于显示画面时其左右两侧(即各条扫描线的输入端与各扫描线的末端)会有画面闪烁的问题。
发明内容
在一实施例中，一种阵列基板包含基板、第一金属层、绝缘层、第二金属层以及接地线。基板包含主动区与扇出区。扇出区位于主动区的一侧。第一金属层设置于基板上。第一金属层包含多条扫描线与多条连接线。多条扫描线位于主动区。多条连接线位于扇出区且分别连接于扫描线。绝缘层设置于第一金属层上。第二金属层设置于绝缘层上。第二金属层包含多条数据线与虚设块。多条数据线与虚设块电性分离。多条数据线位于主动区且与多条扫描线交叉设置。虚设块位于扇出区且与多条连接线交叉配置。接地线耦接虚设块，且接地线将虚设块电性连接至参考电位。
综上所述，本发明实施例的阵列基板，其藉由虚设块与位于扇出区的连接线的交错设置来增加连接线的等效阻抗，使得自连接线输入的扫描信号的下降时间变大，以缩小扫描信号的下降时间在扫描线的输入端和末端之间的差异，并使得各像素单元的馈通电压的差异缩小，进而可改善其于显示时因馈通效应(feed through effect)所造成的画面闪烁等问题。
以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征及优点，其内容足以使任何熟习相关技艺者了解本发明的技术内容并据以实施，且根据本说明书所揭露的内容、申请专利范围及图式，任何熟习相关技艺者可轻易地理解本发明相关的目的及优点。
附图说明
图1为阵列基板的一实施例的概要示意图。
图2为图1中在扇出区沿第二方向剖面的侧视结构示意图。
图3为图1沿扫描线Gr剖面的侧视结构示意图。
图4为阵列基板的另一实施例的概要示意图。
其中，附图标记：
100 阵列基板 110 基板
120 第一金属层 130 第二金属层
131 虚设块 140 绝缘层
150 接地线 160 栅极驱动电路
170 保护层 A1 主动区
A2 扇出区 A21 中央区
A22、A23 外侧区 C1-CM 耦合电容
D1-DY 数据线 G1-GX 扫描线
L1-LM 连接线 S1-SN 扫描信号
V1 第一方向 V2 第二方向
Vref 参考电位 W1 延伸宽度
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
图1为阵列基板的一实施例的概要示意图，图2为图1中在扇出区沿第二方向剖面的侧视结构示意图，且图3为图1沿扫描线Gr剖面的侧视结构示意图。请参阅图1与图3，阵列基板100包含基板110、至少二金属层(以下分别称之为第一金属层120与第二金属层130)、绝缘层140以及接地线150。在一些实施例中，基板110可为透明基板，例如玻璃基板、塑胶基板、石英基板、或其他合适材质，但本发明并非仅限于此。
基板110包含主动区A1和扇出区A2。在一些实施例中，扇出区A2位于主动区A1的周边，例如位于主动区(Active Area)和驱动电路的接合区(bondingarea)之间。于此，虽仅绘示一个扇出区A2，但其数量并非用以限制本发明。换言之，扇出区A2可有多个。此外，多个扇出区A2可位于主动区A1的彼此相邻的二侧边，多个扇出区A2也可以位于主动区A1的相对两侧，本发明不对扇出区A2的位置限制。
第一金属层120设置于基板110上。第一金属层120可包含多条扫描线G1-GX与多条连接线L1-LM。各连接线L1-LM耦接至多条扫描线之一G1-GX。其中，X、M均为正整数，且X等于M。
扫描线G1-GX用以传输多个扫描信号S1-SN。扫描线G1-GX沿第一方向V1延伸，且沿第二方向V2排列于基板110的主动区A1中。在一实施例中，第二方向V2实质上正交于第一方向V1。连接线L1-LM沿第二方向V2排列于基板110的扇出区A2中，且每一连接线L1-LM分别连接于多条扫描线G1-GX之一。
在一些实施例中，阵列基板100更包含栅极驱动电路160，且栅极驱动电路160可用以输出多个扫描信号S1-SN。在一实施例中，N为正整数，且N等于X等于M。栅极驱动电路160耦接多条连接线L1-LM。栅极驱动电路160所输出的多个扫描信号S1-SN可分别经由对应的连接线L1-LM传输至扫描线G1-GX。换言之，多条连接线L1-LM是耦接于栅极驱动电路160和多条扫描线G1-GX之间，以协助将栅极驱动电路160所输出的各个扫描信号S1-SN传输至对应的扫描线G1-GX。
在一些实施例中，可利用化学气相沉积法或物理气相沉积法于基板110上覆盖一整面金属层，之后再利用蚀刻法对整面金属层进行蚀刻以在对应于主动区A1和扇出区A2之处分别形成所需的扫描线G1-GX与连接线L1-LM。换言之，扫描线G1-GX与连接线L1-LM可在相同的制程程序中形成，即第一金属层120为图案化金属层，换句话说，第一金属层120包含扫描线G1-GX与连接线L1-LM，但本发明并非以此为限。
请继续参照图1，扇出区A2包含中央区A21和二外侧区A22、A23。外侧区A22、中央区A21以及外侧区A23沿第二方向V2依序配置，且中央区A21位于此二外侧区A22、A23之间。在一些实施例中，由于栅极驱动电路160和多条扫描线G1-GX之间的间距大致上相同，且栅极驱动电路160的各个输出脚之间的间距较小而各扫描线G1-GX之间的间距较大，故至少部分设置于二外侧区A22、A23的连接线的延伸长度大于至少部分设置于中央区A21的连接线的延伸长度。举例而言，多条连接线L1-LM可排列成扇形，且各连接线L1-LM的延伸长度可由扇形的外侧(即外侧区A22、A23)往内侧(即中央区A21)递减。此外，由于各连接线L1-LM的电阻值大致上和其延伸长度成正比，因此连接线L1-LM的电阻值大致上亦由扇形的外侧往内侧递减。
根据图2的实施例，绝缘层140设置于第一金属层120上，且第二金属层130设置于绝缘层140上。于此，绝缘层140用以隔离第一金属层120与第二金属层130。在一些实施例中，绝缘层140的材质可为二氧化硅，然而本发明并非仅限于此，亦可以其他具有良好绝缘效果的材质作为绝缘层140，例如：压克力树脂、氮化硅或氮氧化硅。
第二金属层130可包含多条数据线D1-DY与虚设块131。虚设块131和数据线D1-DY之间具有一间隔且彼此电性分离。换句话说数据线D1-DY不与虚设块131直接连接，且数据线D1-DY和虚设块131之间有具有良好绝缘效果的材质将数据线D1-DY和虚设块131隔开。于此，数据线D1-DY和扫描线Gr交叉设置。其中，Y为正整数。换言之，在第一金属层120中和数据线D1-DY交叉的金属线段即为扫描线G1-GX，且其余耦接至栅极驱动电路160的金属段即为连接线L1-LM。
在一些实施例中，数据线D1-DY沿第二方向V2延伸，且沿第一方向V1排列于基板110的主动区A1。
在一些实施例中，可利用化学气相沉积法或物理气相沉积法于绝缘层140上覆盖一整面金属层，之后再利用蚀刻法对整面金属层进行蚀刻以在对应于主动区A1之处形成彼此间隔的多条数据线D1-DY，并在对应于扇出区A2之处形成所需的虚设块131。换言之，数据线D1-DY与虚设块131可在相同的制程程序中形成，即第二金属层130为图案化金属层，但本发明并非以此为限。
虚设块131可对应于基板110的扇出区A2的位置设置，而位于主动区A1和栅极驱动电路160之间。虚设块131耦接接地线150，以经由接地线150电性连接至一参考电位Vref。在一实施例中，参考电位Vref可为一地电位，例如零伏特(V)。此外，接地线150可藉由第一金属层120及/或第二金属层130形成，但本发明并非以此为限。在一实施例中，接地线150可通过其它电子元件，例如软性电路板，电性连接到一显示装置中的一外框以连接到一地电位。
在一实施例中，虚设块131于第一金属层120的正投影量可重叠于连接线L1-LM。举例而言，虚设块131与连接线L1-LM在扇出区A2可为交叉设置，以使得虚设块131于第一金属层120的正投影量可交叉地重叠于连接线L1-LM。此外，虚设块131可分别和多条连接线L1-LM之间形成多个耦合电容C1-CM。在一些实施例中，以俯视视角观看阵列基板100时，虚设块131可和位于扇出区A2的各条连接线L1-LM分别具有重叠区域。
举例而言，虚设块131和连接线L1的重叠区域可和连接线L1形成耦合电容C1，且耦合电容C1的大小相关于虚设块131和连接线L1的重叠区域的大小。虚设块131和连接线L2的重叠区域可和连接线L2形成耦合电容C2，且耦合电容C2的大小相关于虚设块131和连接线L2的重叠区域的大小。以此类推，虚设块131和连接线LM的重叠区域可和连接线LM形成耦合电容CM，且耦合电容CM的大小相关于虚设块131和连接线LM的重叠区域的大小。于此，各耦合电容CM的大小是正相关于虚设块131和各连接线L1-LM的重叠区域的大小。换言之，各连接线L1-LM和虚设块131的重叠区域的尺寸越大者，所形成的耦合电容C1-CM的电容值越大。
如图3所示，于此，是阵列基板100沿扫描线Gr剖面的侧视结构示意图，虚设块131在基板110的正投影可重叠于连接线Lr，且虚设块131和连接线Lr的重叠区域可与连接线Lr形成耦合电容Cr。其中，扫描线Gr为扫描线G1-GX中位于最中间的一条扫描线，亦即扫描线Gr可为第(X/2)条或最接近第(X/2)条的扫描线。同理，连接线Lr为连接线L1-LM中位于最中间的一条连接线，亦即连接线Lr可为第(M/2)条或最接近第(M/2)条的连接线。其中，r为正整数，且r小于X(或M)。
此些耦合电容C1-CM可导致各个扫描线G1-GX在其输入端(即，扫描线G1-GX用以耦接栅极驱动电路160的一端)的等效阻抗(electrical impedance)提升，而使得各扫描信号S1-SN在扫描线G1-GX的输入端的下降时间变大，进而使得各个扫描信号S1-SN自扫描线G1-GX的输入端传送至扫描线G1-GX的末端时，其受到电阻电容延迟效应(RC Delay)的影响所产生的圆角化(rounded)(即，扫描信号的上升时间及/或下降时间变大)效应较小，藉此来缩小各扫描信号S1-SN的下降时间在扫描线G1-GX的输入端和末端之间的差异。
在一实施例中，虚设块131可沿第二方向V2延伸。换言之，虚设块131可以第二方向V2作为其延伸方向。此外，虚设块131在垂直于其延伸方向上(即，第一方向V1)具有延伸宽度W1。在一些实施例中，虚设块131的延伸宽度W1可为定值，换言之，虚设块131在垂直于其延伸方向上可具有固定宽度，例如，如图1所示，虚设块131可呈矩形，但本发明并非以此为限。
图4为阵列基板的另一实施例的概要示意图。请参阅图4，在另一实施例中，虚设块131的延伸宽度W1可不为定值，例如根据各连接线L1-LM的延伸长度作变化，藉以使得虚设块131和接线L1-LM的之间所形的各个耦合电容C1-CM的大小可对应虚设块131的延伸宽度W1的大小而不同。举例而言，虚设块131在扇出区的外侧区A22和外侧区A23的延伸宽度小于虚设块131在扇出区的中央区A21的延伸宽度。
在一些实施例中，虚设块131和位于扇出区A2的中央区A21的各连接线的重叠区域可大于虚设块131和位于扇出区A2的二外侧区A22、A23的各连接线的重叠区域，以使得各扫描信号S1-SN在扫描线G1-GX的输入端所受到的电阻电容延迟效应(RC Delay)的影响大致上相同。
举例而言，由于连接线L1-LM的电阻值可由扇出区A2的二外侧区A22、A23朝中央区A21递减，在一实施例中，虚设块131与各连接线L1-LM的重叠区域可沿其延伸方向自扇出区A2的中央区A21朝相对的二外侧区A22、A23逐渐递减，以使得虚设块131和各条连接线L1-LM之间所形成的耦合电容C1-CM的电容值可自扇出区A2的中央区A21朝相对的二外侧区A22、A23变小。换言之，各耦合电容C1-CM可用以补偿对应的各连接线L1-LM的电阻，以使得在各扫描线G1-GX的输入端的等效阻抗可大致上相同。
在一实施例中，阵列基板100更包含保护层170。保护层170可设置于第二金属层130上，以保护第二金属层130。在一些实施例中，保护层170的材质可为二氧化硅，或其他具有保护防刮功能的合适材质。
综上所述，本发明实施例的阵列基板，其藉由虚设块与位于扇出区的连接线的交错设置来增加连接线的等效阻抗，使得自连接线输入的扫描信号的下降时间变大，以缩小扫描信号的下降时间在扫描线的输入端和末端之间的差异，并使得各像素单元的馈通电压缩小，进而可改善其于显示时因馈通效应(feed through effect)所造成的画面闪烁等问题。
虽然本发明的技术内容已经以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神所作些许的更动与润饰，皆应涵盖于本发明的范畴内，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包含：
一基板，包含一主动区与一扇出区，该扇出区位于该主动区的一侧；
一第一金属层，设置于基板上，包含多条扫描线以及多条连接线，该多条扫描线位于该主动区，该多条连接线位于该扇出区且分别连接该多条扫描线；
一绝缘层，设置于该第一金属层上；
一第二金属层，设置于该绝缘层上，包含多条数据线与一虚设块，该多条数据线与该虚设块间隔配置，该多条数据线位于该主动区且与该多条扫描线交错设置，该虚设块位于该扇出区且与该多条连接线交叉设置；及
一接地线，耦接该虚设块，并电性连接至一参考电位。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，该扇出区包含沿着该虚设块的延伸方向设置的一中央区与二外侧区，该中央区位于该二外侧区之间，在该二外侧区的该多条连接线的延伸长度大于在该中央区的该多条连接线的延伸长度，并且该虚设块与位于该中央区的各该连接线的重叠区域大于该虚设块与位于该二外侧区的各该连接线的重叠区域。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，该虚设块与各该连接线的重叠区域沿着该虚设块的延伸方向自该扇出区的中央朝相对的二外侧递减。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，该虚设块在垂直于该虚设块的延伸方向上具有一固定宽度。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，该虚设块分别与该多条连接线形成多个耦合电容，并且各该耦合电容的电容值沿该虚设块的延伸方向自该扇出区的中央朝相对的二外侧递减。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，更包含：一栅极驱动电路，该栅极驱动电路经由该多条连接线耦接该多条扫描线，且该虚设块位于该栅极驱动电路与该主动区之间。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，该多条数据线不与该虚设块电性连接。
8.一种阵列基板，其特征在于，包含：
一基板，包含一主动区与一扇出区，该扇出区位于该主动区的一侧；
一第一金属层，设置于基板上，包含多条扫描线以及多条连接线，该多条扫描线位于该主动区，该多条连接线位于该扇出区且分别连接该多条扫描线；
一绝缘层，设置于该第一金属层上；
一第二金属层，设置于该绝缘层上，包含多条数据线与一虚设块，该虚设块位于该扇出区且该虚设块于该第一金属层的正投影量与该多条连接线重叠；及
一接地线，耦接该虚设块，并电性连接至一参考电位。
9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，该扇出区包含沿着虚设块的延伸方向排列的一中央区与二外侧区，该中央区位于该二外侧区之间，在该二外侧区的该多条连接线的延伸长度大于在该中央区的该多条连接线的延伸长度，并且该虚设块于该第一金属层的正投影与位于该中央区的各该连接线的重叠面积大于该虚设块于该第一金属层的正投影与位于该两侧区的各该连接线的重叠面积。
10.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，该虚设块具有相对的两长边，且该两长边互相平行。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW106114715A TWI612364B (zh) | 2017-05-03 | 2017-05-03 | 陣列基板 |
| TW106114715 | 2017-05-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107092146A true CN107092146A (zh) | 2017-08-25 |
Family
ID=59641628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710550209.9A Pending CN107092146A (zh) | 2017-05-03 | 2017-07-07 | 阵列基板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107092146A (zh) |
| TW (1) | TWI612364B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108445684A (zh) * | 2018-02-27 | 2018-08-24 | 上海中航光电子有限公司 | 阵列基板、显示面板与显示装置 |
| WO2021077491A1 (zh) * | 2019-10-22 | 2021-04-29 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种显示面板的走线结构、显示面板走线方法及显示面板 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000056724A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Fujitsu Ltd | 表示装置 |
| CN1360296A (zh) * | 2000-12-21 | 2002-07-24 | Lg.飞利浦Lcd有限公司 | 液晶显示装置和用于制造所述液晶显示装置的方法 |
| CN1628263A (zh) * | 2002-06-07 | 2005-06-15 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板 |
| CN1746966A (zh) * | 2005-10-21 | 2006-03-15 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
| CN101086995A (zh) * | 2006-06-08 | 2007-12-12 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管基板及具有该薄膜晶体管基板的液晶显示面板 |
| CN203241671U (zh) * | 2013-05-13 | 2013-10-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板的扇出线结构及显示面板 |
| CN203721714U (zh) * | 2014-01-24 | 2014-07-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种扇出结构、阵列基板及显示装置 |
| CN105204248A (zh) * | 2015-10-10 | 2015-12-30 | 重庆京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100388101C (zh) * | 2005-10-12 | 2008-05-14 | 友达光电股份有限公司 | 扇出导线结构 |
| TWI330279B (en) * | 2006-09-20 | 2010-09-11 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display panel |
| TWI406033B (zh) * | 2009-12-11 | 2013-08-21 | Century Display Shenzhen Co | 一種陣列基板的扇出線路 |
| TWI441304B (zh) * | 2011-06-29 | 2014-06-11 | Hannstar Display Corp | 扇出信號線區的結構及顯示面板 |
-
2017
- 2017-05-03 TW TW106114715A patent/TWI612364B/zh active
- 2017-07-07 CN CN201710550209.9A patent/CN107092146A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000056724A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Fujitsu Ltd | 表示装置 |
| CN1360296A (zh) * | 2000-12-21 | 2002-07-24 | Lg.飞利浦Lcd有限公司 | 液晶显示装置和用于制造所述液晶显示装置的方法 |
| CN1628263A (zh) * | 2002-06-07 | 2005-06-15 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板 |
| CN1746966A (zh) * | 2005-10-21 | 2006-03-15 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
| CN101086995A (zh) * | 2006-06-08 | 2007-12-12 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管基板及具有该薄膜晶体管基板的液晶显示面板 |
| CN203241671U (zh) * | 2013-05-13 | 2013-10-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板的扇出线结构及显示面板 |
| CN203721714U (zh) * | 2014-01-24 | 2014-07-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种扇出结构、阵列基板及显示装置 |
| CN105204248A (zh) * | 2015-10-10 | 2015-12-30 | 重庆京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108445684A (zh) * | 2018-02-27 | 2018-08-24 | 上海中航光电子有限公司 | 阵列基板、显示面板与显示装置 |
| WO2021077491A1 (zh) * | 2019-10-22 | 2021-04-29 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种显示面板的走线结构、显示面板走线方法及显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI612364B (zh) | 2018-01-21 |
| TW201843514A (zh) | 2018-12-16 |
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|
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