CN107074558A - 卤化硅烷齐聚物的提纯方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 83
- 238000000746 purification Methods 0.000 title claims abstract description 83
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 title claims abstract description 75
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 31
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 27
- -1 silyl halides organic compound Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 11
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 32
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 claims description 19
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 18
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 16
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 10
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 10
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 claims description 10
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 claims description 10
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 6
- 238000011017 operating method Methods 0.000 claims description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 claims description 4
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L zinc fluoride Chemical group F[Zn]F BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- NLMDJJTUQPXZFG-UHFFFAOYSA-N 1,4,10,13-tetraoxa-7,16-diazacyclooctadecane Chemical compound C1COCCOCCNCCOCCOCCN1 NLMDJJTUQPXZFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical class CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910007245 Si2Cl6 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 3
- 239000002739 cryptand Substances 0.000 claims description 3
- 238000010908 decantation Methods 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011435 rock Substances 0.000 claims description 3
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 2
- 239000002689 soil Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 abstract description 9
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 abstract description 9
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 abstract description 8
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 abstract description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910004721 HSiCl3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract 1
- 239000012629 purifying agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 abstract 1
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical compound [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical class [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Natural products C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 210000004292 cytoskeleton Anatomy 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000008241 heterogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N trichlorosilicon Chemical compound Cl[Si](Cl)Cl PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical class OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/10773—Halogenated silanes obtained by disproportionation and molecular rearrangement of halogenated silanes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D3/00—Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
- B01D3/34—Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping with one or more auxiliary substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/10778—Purification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
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- C07D323/00—Heterocyclic compounds containing more than two oxygen atoms as the only ring hetero atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/20—Purification, separation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/16—Halogen-containing compounds
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
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Abstract
本发明涉及一种卤化硅烷齐聚物的提纯方法，其中的卤化硅烷齐聚物可以是纯的化合物，也可以是一系列化合物的混合物，这些化合物中的每一种至少带有一个直接键合的Si‑Si，这些硅烷齐聚物的取代基只能是卤素，或者卤素和氢原子，在具有不同原子组成成分的取代基中，硅原子与其他原子的原子比必须大于3:2，在提纯的过程中，至少针对卤化硅烷齐聚物并通过分离卤化硅烷齐聚物实现提高卤化硅烷齐聚物的纯度。根据现有技术，诸如HSiCl3等卤化甲硅烷可以使用有机化合物(尤其是含有氨基的基团的聚合物)进行处理，对经过上述处理的混合物进行分离，即得到提纯的卤化甲硅烷。因为上述方法中使用的有机化合物中含有氨基，所以该方法不能用于提纯卤化硅烷齐聚物，因为氨基会导致副反应，并使得待提纯的产品发生分解。本发明所涉及的方法可以以高产率提纯所需的产品并且在不使用氨基的情况下实现提纯处理。对卤化硅烷齐聚物的提纯过程中使用了专门的提纯剂，此类提纯剂可以将物料中的诸如FeCl2之类的污染物转换成一种不溶于溶剂的形态或者不可挥发的物质。处理之后，分离提纯剂和产品，实现对物料的提纯。上述方法可以以高产率实现对物质的提纯处理，并且解决以现有技术进行提纯时出现的，诸如蒸馏时间长的问题。本文所述的提纯方法适合于将待提纯物料中诸如Si2Cl6、Si3Cl8、Si4Cl10或者分子量更大的同族体分离出来。这些方法可以用于诸如在化学气相沉积法中从卤化硅烷齐聚物和氮化硅的混合物中分离氮化硅层。
Description
本发明涉及一种卤化硅烷齐聚物的提纯方法，其中的卤化硅烷齐聚物可以是纯的化合物，也可以是一系列化合物的混合物，这些化合物中的每一种至少带有一个直接键合的Si-Si，这些硅烷齐聚物的取代基只能是卤素，或者是卤素和氢原子，在具有不同原子组成成分的取代基中，硅原子与其他原子的原子比必须大于3:2。
背景技术
现有技术有几种已知的去除卤化硅烷中污染物的其他方法，它们是：
当由于存在金属元素或者非金属元素，硅烷被污染时，采用在DE102009027729A1中公布的一种可以降低污染的方法，即，在待处理的硅烷物料中加入有机化合物作为捕捉剂，这种作为捕捉剂的有机化合物中含有氨基。这些氨基在上述方法中的功能为作为配体，配体与金属中心原子和非金属中心原子产生键接。除了诸如氯化铁之非金属化合物之外，采用上述方法还会去除被处理物料中的硼化合物。
Van Dyke等人(Inorg.Chem.,Vol.3,No.5,1964,S.747-752(《无机化学》，第三卷，第5期，1964年，747–752页))描述了三氯化硼和不同的甲硅烷基-硅氧烷发生反应，在这个反应中反应物被分裂为氯甲硅烷。
现有技术的缺点
在DE102009027729A1中提出的方法不适合纯化卤化硅烷齐聚物，因为实现该方法的前提是，将带有氨基的有机化合物加入到待处理的产品混合物中。在DE102009027729A1中提出的方法不能用于纯化卤化硅烷齐聚物，这是因为当存在卤化硅烷齐聚物时，氨基会导致分子内发生骨架重排，一方面会产生短链的卤代硅烷，例如SiCl4，另一方面会产生长链的，高度支化的卤代硅烷，例如(SiCl3)4Si。上述过程能够导致原本需要生产的产品完全分解，所以，在DE102009027729A1中提出的方法不适合纯化卤化硅烷齐聚物。
由Van Dyke和他的同事提出的提纯方法仅仅用于去除待处理物料中的各种硅氧烷，不能除去物料中由于存在金属元素和非金属元素而导致的污染。此外，在上述方法中还需要向产品混合物中加入BCl3，这会导致很多卤化硅烷齐聚物不能实现其原本设定的应用目的，这是因为硼在半导体生产过程中是作为掺杂剂，是一种非常关键的物质。
表1：缩写和同义词
发明内容
本发明的目的是，设计出一种卤化硅烷齐聚物的提纯方法，采用该方法进行卤化硅烷齐聚物的提纯处理时，所需的材料消耗和其他成本应比较小，该提纯方法能够将痕量污染物，尤其是由金属化合物造成的痕量污染物，准确而安全地从产品中清除掉，产品中的氯化硅烷齐聚物(OCS)的成品收率不会出现显著的降低。经过提纯处理后，产品的纯度会增加，尤其是由于掺杂物造成的污染程度和有金属化合物造成的污染程度和由其他在半导体生产领域会造成不良影响的元素造成的污染程度应下降。
现有技术存在问题的解决方案
实现上述目的的方法为，通过使用权利要求1中限定的卤化硅烷齐聚物的提纯方法进行提纯，所述卤化硅烷齐聚物为SinX2n+2，其为纯化合物或者化合物的混合物，其中n＝2至n＝6，而其中取代基X中包括氯原子或者氯原子和氢原子，该方法的特征在于：
1.在卤化硅烷齐聚物中加入一种氟化物，所述氟化物可以是以纯净物的形式和/或氟化物的混合物和/或含氟的化合物和/或含氟的添加剂，氟化物的加入量，即以相对于卤化硅烷齐聚物的量计算记作F-的量，应大于1ppb，优选大于100ppb，特别优选大于1ppm，尤其优选大于10ppm，
2.至少有一个处理阶段，至少在该处理阶段期间氟化物对卤化硅烷齐聚物产生作用，在处理阶段中，至少包括一个处理流程，该流程是由从包括有搅拌、摇摆、晃动、对回流液体加热、扩散和导出的组中选出的若干操作步骤组成的，优选包括至少两个处理阶段，且上述处理阶段包括搅拌和对回流液体加热，
3.至少有一个分离流程，以将卤化硅烷齐聚物和其他物质隔绝，该流程是由包括有滗析、过滤、蒸馏、升华的组中选出的若干操作步骤组成的，
4.在对卤化硅烷齐聚物进行提纯处理之后，其中含有的总金属含量降低了。
根据本发明开发出的提纯方法在提纯氯化硅烷齐聚物时具有一系列优点，其中尤其包括，可以使用某种净化剂，针对某种特定的污染物进行净化处理，而使用现有技术进行净化需要一个耗时更长而且成本更高的蒸馏步骤，才能达到半导体工业要求的纯度。
通过权利要求2已经开发出了一种具有优势的设计方案：
根据权利要求1开发的提纯流程的特征为，提纯使用的氟化物选自包括碱金属氟化物，碱土金属氟化物，氟化硅SinXoFp(X＝卤素、有机基、一氧硅基和/或氢原子；o+p＝2n+2；n≥l)和氟化锌剂组，优选碱金属氟化物，特别优选氟化钾。
在提纯处理中所使用的氟化物应该是成本低廉的，而且在提出的处理方法中的分离步骤中应该可以容易地将氟化物再次去除掉。此外，在提纯处理过程中加入的诸如反荷离子成分不会和氯化硅烷齐聚物(OCS)发生会生成对产品性能不利产物的化学反应，因此，在此类提纯处理中会使用例如氟化钾之类的氟化物。
化学专业人员可以从多种不同的化合物中选取合适的生产原料，但是在选取生产原料时基本上需要注意的只有，根据具体需要提纯的化合物来选择与其发生反应的氟化物(F—)。因此，在实际选择氟化物时，可能全部或者部分地以其他氟化物代替上面提到的氟化钾，如果全部或者部分地以其他氟化物代替上面提到的氟化钾来进行提纯反应，并不能因此就认为其所使用的方法不属于根据本发明开发的提纯方法。
权利要求3提供了另一有利的具体实施方式：
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向卤化硅烷齐聚物中加入螯合剂，所述螯合剂选自包括聚醚、冠醚和穴状配体的组，优选冠醚，特别优选为[18]冠醚-6。
螯合剂可以与大量的金属离子形成螯合物，并且以这种形式和目标产物进行物质交换。因此，螯合常数应该尽可能地大，而具体使用的化合物不应该过于昂贵。此处使用的螯合剂也应该在之后计划中的分离步骤中可以被容易地分离出去，在提纯处理过程中加入的螯合剂应该不会和氯化硅烷齐聚物(OCS)发生会生成对产品性能不利产物的化学反应。举例来说，符合以上两个条件的螯合剂为[18]冠醚-6。
权利要求4提供了另一有利的具体实施方式：
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在处理阶段之前或者在处理阶段期间将卤化硅烷齐聚物和/或氟化物加入到一种溶剂中，使用的溶剂选自包括烷烃、环烷烃、醚类、芳香族化合物、氯化硅烷的组，优选环烷和乙醚、三甘醇二甲醚、二甘醇二甲醚、二噁英、二丁基醚、四氢呋喃和二乙醚，特别优选环烷烃，尤其优选环己烷，与卤化硅烷齐聚物混合的溶剂的质量百分含量至少为0.01％，优选至少为0.1％，特别优选至少为1％，尤其优选至少为2％。
向待处理的物料中加入溶剂对提纯的效果有积极作用，例如，加入溶剂出现了增溶效应。溶剂被视为实现在按照本发明开发的提纯方法中的用于提纯的添加剂。被使用的溶剂必须是尽可能不与物料中的物质发生反应的，并应该可以很容易地从产品中清除出去。
权利要求5提供了另一有利的具体实施方式：
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，SinX2n+2中氯的含量大于95％的X的原子百分比含量，优选大于98％，和/或SinX2n+2中氢原子的含量小于5％的X的原子百分比含量，优选小于2％，特别优选小于1％。
在根据本发明开发的提纯过程中最重要的目标化合物是被高度氯化的硅烷齐聚物，但是，当待提纯处理的物料是液态的/经过液化处理的，或者是溶解于溶液中的，则也产生了其他卤族元素卤化硅烷齐聚物或者部分氢化的氯化硅烷齐聚物(OCS)。
权利要求6提供了另一有利的具体实施方式：
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，氯化硅烷齐聚物中含有稀释剂，所述稀释剂选自包括SiCl4、Si2Cl6、Si3Cl8、Si4Cl10的组，其中稀释剂在卤化硅烷齐聚物的质量百分比含量至少为0.001％，优选至少为0.1％，特别优选至少为1％，尤其优选至少为10％。
与上述溶剂不同，如果稀释剂可以与按照本发明提纯的氯化硅烷齐聚物(OCS)共同用于化学用途，且不会给产品带入污染，则也可以大量地使用稀释剂。
权利要求7提供了另一有利的具体实施方式：
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提纯流程至少包括一个分离流程，分离流程期间物料承受的压力小于1600hPa，优选小于800hPa。特别优选小于80hPa，尤其优选小于1hPa。
采取诸如蒸馏的方法进行分离流程时，在较小的压力下进行分离更有利于分离流程的顺利进行，以避免在存在净化剂的条件下发生分解现象。在设定分离过程中的压力时，应注意，被提纯的氯化硅烷齐聚物(OCS)的沸点越高，则分离过程中物质的压力应越低，以使得氯化硅烷齐聚物(OCS)的沸点被充分地降低。
权利要求8提供了另一有利的具体实施方式：
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，至少有一个处理阶段和/或一个分离流程是在温度高于30℃的条件下进行的，优选温度高于50℃，特别优选高于80℃，尤其优选高于100℃。
在高温下进行提纯处理有利于物料和净化剂更快地发生反应。此外，如果是对长链的氯化硅烷齐聚物OCS进行提纯，那么在高的温度下进行提纯有利于降低物料的粘度。
权利要求9提供了另一有利的具体实施方式：
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，如果卤化硅烷齐聚物中Al、Fe和Cu的浓度达到了1ppm，则经过提纯处理之后，上述物质的含量应该分别降低到100ppb以下，优选将低到30ppb以下，特别优选降低到5ppb以下，尤其优选降低到1ppb以下。
不限于按照本发明开发的提纯方法，大量不同的金属污染物在本发明权利要求中在进行提纯处理前和在提纯处理之后成为典型金属含量。
权利要求10提供了另一有利的具体实施方式：
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在处理阶段之前或者处理阶段期间，在卤化硅烷齐聚物中加入一种硅氧烷，加入的这种硅氧烷可以是化合物也可以是化合物的混合物，优选硅氧烷选自包括Cl3SiOSiCl3、Cl3SiOSiCl2SiCl3、Cl3SiOSiCl2OSiCl3的组，其中含有卤化硅烷齐聚物的混合物中硅氧烷的质量百分比至少为0.001％，优选质量百分比至少0.01％，特别优选质量百分比至少0.1％，尤其优选质量百分比至少1％。
根据本发明开发的提纯方法可以衍生出变型，在提纯方法的变型中，在反应物中加入经过卤化的二硅氧烷，以使得在经过整个处理过程之后，被处理的物料中的金属化合物和掺杂剂(如硼和磷等)的含量达到提纯处理的工艺要求。在进行按照权利要求1开发出的不同的处理步骤期间，相当大比例的金属污染物和掺杂剂污染物是以氧化物或者氧化物的混合物的形式存在的，上述氧化物或者氧化物混合物中包含例如Si-0键，在按照本发明开发的分离过程中，例如，蒸馏分离过程中，上述污染物可以作为重挥发性残渣被分离出。
根据产品的特性，在必要的时候可以在提纯过程的开始阶段将二硅氧烷混入待处理物料中，在将二硅氧烷混入待处理物料之前将二硅氧烷溶解在诸如SiCl4中或者将液态的二硅氧烷混入待处理物料中。采用上述手段可以使得提纯过程和本发明设计的一样，从处理过程的第一步开始提纯作用就已经开始产生效果。但是在特殊的情况下，也可以在按照本发明开发的提纯过程的稍晚步骤中将二硅氧烷加入到混合物中，在加入二硅氧烷之后，会产生一定程度的提纯作用。专业人员可以很容易地理解，即便是在稍晚步骤中将二硅氧烷加入到混合物中，这样的提纯方法依旧属于本发明工艺原则的覆盖范围之内。
用于提纯的添加剂的使用量取决于需要被除去的污染物的类型和含量。往往在提纯操作中使用的二硅氧烷的量越大，提纯的效果越好。然而，二硅氧烷有可能被夹带，其被夹带量的大小取决于处理过程中的蒸汽压的大小，因此，最终产品中可能会存在被夹带的二硅氧烷，从而影响最终产品的质量，因此优选通过最终的处理步骤的处理，例如，蒸馏步骤，将被处理物料中的大部分二硅氧烷去除掉。从一开始被处理物料中二硅氧烷的含量越少，在最后一部中去除二硅氧烷的效果也就越好，因此一般来说，工艺设计人员必须在提纯作用和最终产品中可接受的二硅氧烷剩余含量之间找到一个合适的折衷方案。一种有利的解决方法是，根据希望产出的最终产品的特性，选择和最终产品沸点尽量不同的二硅氧烷，以简化最终的提纯过程。
具体实施方式
根据本发明开发的卤化硅烷齐聚物的提纯方法，提供了一个显著的经济效益，这是因为通过加入了根据本发明开发的添加剂获得的产品产率与采用现有技术获得的产品产率相比，前者相对于后者可以有显著的提高。
此外，通过加入根据本发明开发的提纯剂可以提高最终产品的纯度，这会使产品在市场上获得更好的竞争地位，这可以进一步提高硅烷齐聚物(OCS)提纯工艺的经济效益。
在对此提纯工艺进行技术应用时，可以开发出不同的解决方案，在以下列出的实施例中非独占变体解决了一些之前列出的问题。
实施例1
将70kg六氯乙硅烷中加入由18g[18]冠醚-6和2.7g氟化钾(KF)溶解在50mL环己烷中形成的悬浮液中。将上述混合物静置两小时，然后进行分馏。在十个小时之后主要得到了62kg六氯化二硅(HCDS)。在上述过程中，铝的含量由提纯处理前的3.8ppm，铁的含量由提纯处理前的1.3ppm，都降低到了30ppb以下。
实施例2
将60kg六氯乙硅烷中加入由50g[18]冠醚-6和5g氟化钾(KF)溶解在150mL三甘醇二甲醚中形成的悬浮液中。将上述混合物静置一夜，然后进行分馏。在九个小时之后主要得到了45kg六氯化二硅(HCDS)。在上述过程中，铝的含量由提纯处理前的800ppb，铁的含量由提纯处理前的75ppb，镁的含量由提纯处理前的180ppb，都降低到了5ppb以下。
实施例3
将8kg氯化茚基丙硅烷(Octachlortrisilan)加入由0.5g氟化钠(NaF)和4.5g[15]冠醚-5溶解在30mL二氯甲烷中形成的悬浮液中。将上述混合物在室温环境中静置一夜，然后将不溶的固体倒出。在真空条件下(大约10hPa)迅速通过短柱蒸馏法对OCTS进行蒸馏处理，接着在真空条件下(大约10hPa)对OCTS进行分馏处理。在八个小时内主要得到了5kgOCTS。在进行提纯处理前和提纯处理之后一些具有典型意义的痕量杂质的含量以ppb表示在下表中。
实施例4
将1.5kg由90％四氯化硅异构混合物和10％的五氯乙硅烷组成的混合物加入由0.1g氟化钠(NaF)和1g[12]冠醚-4溶解在20mL二氯甲烷中形成的悬浮液中。将上述混合物在室温环境中静置两小时，然后将不溶的固体倒出。然后通过一个烧结玻璃过滤器(D3)对其进行过滤，在真空条件下(大约10hPa)迅速通过短柱浓缩。然后将浓缩物在真空条件下(大约10hPa)进行分馏。在十四个小时内主要得到了1.2kg硅烷齐聚物混合物。在提纯处理之后一些具有典型意义的痕量杂质的含量以ppb表示在下表中。
实施例5
将35kg六氯乙硅烷加入由3g氟化钾(KF)、12g[15]冠醚-5和15g[18]冠醚-6溶解在120mL二氯甲烷中形成的悬浮液中。将上述混合物在大约两小时之内加热直至出现回流，然后分馏。在八个小时内主要得到了28kg六氯化二硅(HCDS)。在提纯处理之前和之后一些具有典型意义的痕量杂质的含量以ppb表示在下表中。
实施例6
将40kg六氯乙硅烷加入由3.5g氟化钾(KF)、14g[15]冠醚-5和17g[18]冠醚-6溶解在140mL二氯甲烷中形成的悬浮液中。将上述混合物在大约两小时之内加热直至出现回流，然后分馏。在十个小时内主要得到了32kg六氯化二硅(HCDS)。从上述32kg六氯化二硅(HCDS)中取26kg六氯化二硅(HCDS)，将其加入由2.2g氟化钾(KF)和11g[18]冠醚-6溶解在100mL二氯甲烷中形成的悬浮液中，然后重新进行分馏。在九个小时之后主要离析出了20kg六氯化二硅(HCDS)。在提纯处理之后一些具有典型意义的痕量杂质的含量以ppb表示在下表中。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.卤化硅烷齐聚物的提纯方法，所述卤化硅烷齐聚物为SinX2n+2，其为纯化合物或者化合物的混合物，其中n＝2至n＝6，并且其中取代基X包括氯原子或者氯原子和氢原子，其特征在于：
(a)向卤化硅烷齐聚物中加入氟化物或者氟化物的混合物，其中具体氟化物F-用于进行反应，加入氟化物的量，即以相对于卤化硅烷齐聚物的量计算记作F-的量，应大于1ppb，
(b)至少有一个处理阶段，至少在该处理阶段期间氟化物对卤化硅烷齐聚物产生作用，在处理阶段中，至少包括一个处理流程，该流程是由从包括有搅拌、摇摆、晃动、对回流液体加热、扩散和导出的组中选出的若干操作步骤组成的，优选包括至少两个处理阶段，且上述处理阶段包括搅拌和对回流液体加热，
(c)至少有一个分离流程，以将卤化硅烷齐聚物和其他物质隔绝，该流程是由从包括有滗析、过滤、蒸馏、升华的组中选出的若干操作步骤组成。
2.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，提纯使用的氟化物选自包括碱金属氟化物、碱土金属氟化物、氟化硅SinXoFp(X＝卤素、有机基、一氧硅基和/或氢原子；o+p＝2n+2；n≥l)和氟化锌的组，优选碱金属氟化物，特别优选氟化钾。
3.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，向卤化硅烷齐聚物中加入螯合剂，所述螯合剂选自包括聚醚、冠醚和穴状配体的组，优选冠醚，特别优选[18]冠醚-6。
4.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，在处理阶段之前或者在处理阶段期间，将卤化硅烷齐聚物和/或氟化物加入到溶剂中，使用的溶剂选自包括烷烃、环烷烃、醚、芳香族化合物、氯化硅烷的组，优选环烷烃和醚，比如三甘醇二甲醚、二甘醇二甲醚、二噁英、二丁基醚、四氢呋喃、二乙醚，特别优选环烷烃，尤其优选环己烷，其中卤化硅烷齐聚物的混合物中的溶剂的质量百分含量至少为0.01％。
5.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，SinX2n+2中氯的含量大于95％的X的原子百分比含量，优选大于98％，和/或SinX2n+2中氢原子的含量小于5％的X的原子百分比含量，优选小于2％，特别优选小于1％。
6.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，氯化硅烷齐聚物中含有稀释剂，上述稀释剂选自包括SiCl4、Si2Cl6、Si3Cl8、Si4Cl10的组，其中稀释剂至少为卤化硅烷齐聚物的质量百分比含量的0.001％。
7.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，提纯流程至少包括一个分离流程，分离流程期间物料承受的压力小于1600hPa，优选小于800hPa，特别优选小于80hPa，尤其优选小于1hPa。
8.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，至少有一个处理步骤和/或一个分离流程是在温度高于30℃的条件下进行的。
9.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，在处理步骤之前或者处理步骤期间，向卤化硅烷齐聚物中加入硅氧烷，所述硅氧烷可以是化合物也可以是化合物的混合物，优选硅氧烷选自包括Cl3SiOSiCl3、Cl3SiOSiCl2SiCl3、Cl3SiOSiCl2OSiCl3的组，其中含有卤化硅烷齐聚物的混合物中硅氧烷的质量百分比至少为0.001％。
Claims (10)
1.卤化硅烷齐聚物的提纯方法，所述卤化硅烷齐聚物为SinX2n+2，其为纯的化合物或者化合物的混合物，其中n＝2至n＝6，并且其中取代基X包括氯原子或者氯原子和氢原子，其特征在于：
(a)在卤化硅烷齐聚物中加入氟化物，所述氟化物可以是以纯净物的形式和/或氟化物的混合物和/或含氟的化合物和/或含氟的添加剂，加入氟化物的量，即以相对于卤化硅烷齐聚物的量计算记作F-的量，应大于1ppb，优选大于100ppb，尤其优选大于1ppm，特别优选大于10ppm，
(b)至少有一个处理阶段，至少在该处理阶段期间氟化物对卤化硅烷齐聚物产生作用，在处理阶段中，至少包括一处理流程，该流程是由从包括有搅拌、摇摆、晃动、对回流液体加热、扩散和导出的组中选出的若干操作步骤组成的，优选包括至少两个处理阶段，且上述处理阶段包括搅拌和对回流液体加热，
(c)至少有一个分离流程，以将卤化硅烷齐聚物和其他物质隔绝，该流程是由从包括有滗析、过滤、蒸馏、升华的组中选出的若干操作步骤组成的，
(d)在对卤化硅烷齐聚物进行提纯处理之后，其中含有的总金属含量降低。
2.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，提纯使用的氟化物选自包括碱金属氟化物，碱土金属氟化物，氟化硅SinXoFp(X＝卤素、有机基、一氧硅基和/或氢原子；o+p＝2n+2；n≥l)和氟化锌的组，优选碱金属氟化物，特别优选氟化钾。
3.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，向卤化硅烷齐聚物中加入螯合剂，所述螯合剂选自包括聚醚、冠醚和穴状配体的组，优选冠醚，特别优选为[18]冠醚-6。
4.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，在处理阶段之前或者在处理阶段期间，将卤化硅烷齐聚物和/或氟化物加入到溶剂中，使用的溶剂选自包括烷烃、环烷烃、醚类、芳香族化合物、氯化硅烷的组，优选环烷烃和醚类，比如三甘醇二甲醚、二甘醇二甲醚、二噁英、二丁基醚、四氢呋喃、二乙醚，特别优选环烷烃，尤其优选环己烷，在卤化硅烷齐聚物的混合物中溶剂的质量百分含量至少为0.01％，优选至少为0.1％，特别优选至少为1％，尤其优选至少为2％。
5.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，SinX2n+2中氯的含量大于95％的X的原子百分比含量，优选大于98％，和/或SinX2n+2中氢原子的含量小于X的原子百分比含量的5％，优选小于2％，特别优选小于1％。
6.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，氯化硅烷齐聚物中含有稀释剂，所述稀释剂选自包括SiCl4、Si2Cl6、Si3Cl8、Si4Cl10的组，其中稀释剂至少为卤化硅烷齐聚物的质量百分比含量的0.001％，优选至少为0.1％，特别优选至少为1％，尤其优选至少为10％。
7.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，提纯方法至少包括一个分离流程，分离流程期间物料承受的压力小于1600hPa，优选小于800hPa，特别优选小于80hPa，尤其优选小于1hPa。
8.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，至少有一个处理步骤和/或一个分离流程是在温度高于30℃的条件下进行的，优选温度高于50℃，特别优选高于80℃，尤其优选高于100℃。
9.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，如果卤化硅烷齐聚物中Al、Fe和Cu的浓度达到了1ppm，则经过提纯处理之后，上述物质的含量应该分别降低到100ppb以下，优选将低到30ppb以下，特别优选降低到5ppb以下，尤其优选降低到1ppb以下。
10.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，在处理阶段之前或者处理阶段期间，向卤化硅烷齐聚物中加入硅氧烷，所述硅氧烷可以是化合物也可以是化合物的混合物，优选硅氧烷选自包括Cl3SiOSiCl3、Cl3SiOSiCl2SiCl3、Cl3SiOSiCl2OSiCl3的组，其中，含有卤化硅烷齐聚物的混合物中硅氧烷的质量百分比至少为0.001％，优选质量百分比至少0.01％，特别优选质量百分比至少0.1％，尤其优选质量百分比至少1％。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102014013250.1A DE102014013250B4 (de) | 2014-09-08 | 2014-09-08 | Verfahren zur Aufreinigung halogenierter Oligosilane |
| DE102014013250.1 | 2014-09-08 | ||
| PCT/DE2015/000439 WO2016037601A1 (de) | 2014-09-08 | 2015-09-07 | Verfahren zur aufreinigung halogenierter oligosilane |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107074558A true CN107074558A (zh) | 2017-08-18 |
| CN107074558B CN107074558B (zh) | 2020-12-01 |
Family
ID=54783319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201580056048.7A Active CN107074558B (zh) | 2014-09-08 | 2015-09-07 | 卤化硅烷齐聚物的提纯方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10457559B2 (zh) |
| EP (1) | EP3194410B1 (zh) |
| JP (1) | JP6795738B2 (zh) |
| KR (1) | KR102504143B1 (zh) |
| CN (1) | CN107074558B (zh) |
| DE (1) | DE102014013250B4 (zh) |
| IL (1) | IL250936A0 (zh) |
| WO (1) | WO2016037601A1 (zh) |
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| DE102014013250B4 (de) | 2014-09-08 | 2021-11-25 | Christian Bauch | Verfahren zur Aufreinigung halogenierter Oligosilane |
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- 2014-09-08 DE DE102014013250.1A patent/DE102014013250B4/de active Active
-
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- 2015-09-07 CN CN201580056048.7A patent/CN107074558B/zh active Active
- 2015-09-07 KR KR1020177009226A patent/KR102504143B1/ko active IP Right Grant
- 2015-09-07 WO PCT/DE2015/000439 patent/WO2016037601A1/de active Application Filing
- 2015-09-07 JP JP2017513032A patent/JP6795738B2/ja active Active
- 2015-09-07 US US15/508,312 patent/US10457559B2/en active Active
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| KR102504143B1 (ko) | 2023-02-28 |
| CN107074558B (zh) | 2020-12-01 |
| US10457559B2 (en) | 2019-10-29 |
| EP3194410B1 (de) | 2024-03-13 |
| KR20170049571A (ko) | 2017-05-10 |
| WO2016037601A1 (de) | 2016-03-17 |
| DE102014013250A1 (de) | 2016-03-10 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
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|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |