CN107063225A - 电子装置、电子装置的制造方法、电子设备以及移动体 - Google Patents
电子装置、电子装置的制造方法、电子设备以及移动体 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107063225A CN107063225A CN201610936407.4A CN201610936407A CN107063225A CN 107063225 A CN107063225 A CN 107063225A CN 201610936407 A CN201610936407 A CN 201610936407A CN 107063225 A CN107063225 A CN 107063225A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- terminal
- substrate
- electronic device
- functional element
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 26
- 238000009434 installation Methods 0.000 title abstract 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 112
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 7
- 238000005275 alloying Methods 0.000 abstract description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 25
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/007—Interconnections between the MEMS and external electrical signals
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
- G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
- G01C19/5705—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using masses driven in reciprocating rotary motion about an axis
- G01C19/5712—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using masses driven in reciprocating rotary motion about an axis the devices involving a micromechanical structure
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
- G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
- G01C19/5719—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using planar vibrating masses driven in a translation vibration along an axis
- G01C19/5769—Manufacturing; Mounting; Housings
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/09—Packages
- B81B2207/091—Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
- B81B2207/097—Interconnects arranged on the substrate or the lid, and covered by the package seal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
本发明提供一种端子与线状配线的连接强度优异的电子装置、电子装置的制造方法、电子设备以及移动体。电子装置(1)具有:基板(4);功能元件片(6),其被配置在基板(4)上;端子(7),其被配置在基板(4)上,且与功能元件片(6)电连接;接合引线(BW1),其与端子(7)连接,其中,端子(7)在与接合引线(BW1)连接的连接部上具有与接合引线(BW1)进行合金化的合金部(70),端子(7)的厚度(T1)与合金部(70)的厚度(T2)相比而较厚。此外,端子(7)由与功能元件片(6)相同的材料(硅)构成。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子装置、电子装置的制造方法、电子设备以及移动体。
背景技术
一直以来,作为加速度传感器,已知有专利文献1中记载的结构。专利文献1中记载的加速度传感器具有基部、可相对于基部而进行位移的可动电极、以及被固定在基部上且在与可动电极之间形成静电电容的固定电极,并且构成为能够基于随可动电极的位移而发生变化的所述静电电容而检测出所施加的加速度。此外,可动电极以及固定电极分别经由配线而与端子电连接,并且端子经由接合引线(线状配线)等而与IC等外部装置电连接。
然而,在专利文献1的加速度传感器中,由于端子由铝构成,因此能够推测出端子的厚度比较薄。如此,如果端子较薄,则端子与接合引线之间的连接强度容易变弱,从而接合引线有可能从端子上脱落。
专利文献1:日本特表2000-82824号公报
发明内容
本发明的目的在于,提供一种在端子与线状配线的连接强度方面较为优异的电子装置、电子装置的制造方法、电子设备以及移动体。
这样的目的通过下述的本发明而达成。
本发明的电子装置的特征在于,具有:基板;功能元件片,其被配置在所述基板上;端子,其被配置在所述基板上,且与所述功能元件片电连接;线状配线,其与所述端子连接,其中,所述端子在与所述线状配线连接的连接部上与所述线状配线合金化;线状配线,其与所述端子连接,其中,所述端子在与所述线状配线连接的连接部上与所述线状配线合金化,所述端子的厚度与所述合金化的部分的厚度相比而较厚。
由此,能够获得在端子与线状配线的连接强度方面较为优异的电子装置。
在本发明的电子装置中,优选为,所述端子由与所述功能元件片相同的材料构成。
由此,能够通过利用蚀刻等对一张板片进行图案形成,从而形成功能元件片和端子。因此,使电子装置的制造变得容易。
在本发明的电子装置中,优选为,所述功能元件片以及所述端子包含硅。
由此,例如能够通过利用蚀刻对硅基板进行图案形成,从而形成功能元件片以及端子。因此,使电子装置的制造变得容易。尤其是硅基板,能够通过蚀刻实现高精度的图案形成。
在本发明的电子装置中,优选为,所述基板的一侧的主面具有配置有所述功能元件片的功能元件片配置面、以及配置有所述端子的端子配置面。
由此,能够通过将板片接合在基板的一侧的主面上,并利用蚀刻等对该板片进行图案形成,从而简单地形成功能元件片以及端子。
在本发明的电子装置中,优选为,所述基板具有在所述一侧的主面上开放的槽部,在所述槽部内配置有配线,所述配线经由第一连接部件而与所述功能元件片电连接,并且经由第二连接部件而与所述端子电连接。
由此,能够以比较简单的结构对功能元件片与端子进行电连接。
在本发明的电子装置中,优选为,在所述端子的表面上配置有金属膜。
由此,能够减少端子的氧化。
在本发明的电子装置中,具有盖体,所述盖体以将所述功能元件片收容在所述盖体与所述基板之间的方式而与所述基板接合,所述端子位于所述盖体的外侧。
由此,能够对功能元件片进行保护,并且使端子与线状配线之间的连接变得容易。
在本发明的电子装置中,优选为,所述基板与所述盖体通过玻璃材料而被接合在一起。
由此,能够对基板和盖体进行气密性接合。此外,能够抑制收容有功能元件片的空间内的逸气的产生。
本发明的电子装置的制造方的特征在于,包括:对第一基板和第二基板进行接合的工序、以及通过对所述第二基板进行图案形成从而由所述第二基板形成功能元件以及端子的工序。
由此,能够简单地形成厚度较厚的端子。
本发明的电子设备的特征在于,具有本发明的电子装置。
由此,能够获得一种可靠性较高的电子设备。
本发明的移动体的特征在于,具有本发明的电子装置。
由此,能过获得一种可靠性较高的移动体。
附图说明
图1为表示本发明的第一实施方式所涉及的电子装置的侧视图。
图2为图1所示的电子装置所具备的陀螺仪传感器元件的俯视图。
图3为图2中的A-A线剖视图。
图4为图2中的B-B线剖视图。
图5为用于对图1所示的电子装置的制造方法进行说明的剖视图。
图6为用于对图1所示的电子装置的制造方法进行说明的剖视图。
图7为用于对图1所示的电子装置的制造方法进行说明的剖视图。
图8为用于对图1所示的电子装置的制造方法进行说明的剖视图。
图9为用于对图1所示的电子装置的制造方法进行说明的剖视图。
图10为用于对图1所示的电子装置的制造方法进行说明的剖视图。
图11为用于对图1所示的电子装置的制造方法进行说明的剖视图。
图12为用于对图1所示的电子装置的制造方法进行说明的剖视图。
图13为用于对图1所示的电子装置的制造方法进行说明的剖视图。
图14为本发明的第二实施方式所涉及的电子装置的剖视图。
图15为表示应用了本发明的电子设备的移动型(或笔记本型)的个人计算机的结构的立体图。
图16为表示应用了本发明的电子设备的移动电话机(也包含PHS)的结构的立体图。
图17为表示应用了本发明的电子设备的数字静态照相机的结构的立体图。
图18为表示应用了本发明的移动体的汽车的立体图。
具体实施方式
以下,基于附图所示的实施方式对本发明的电子装置、电子装置的制造方法、电子设备以及移动体进行详细说明。
第一实施方式
图1为表示本发明的第一实施方式所涉及的电子装置的侧视图。图2为图1所示的电子装置所具备的陀螺仪传感器元件的俯视图。图3为图2中的A-A线剖视图。图4为图2中的B-B线剖视图。图5至图13均为用于对图1所示的电子装置的制造方法进行说明的剖视图。另外,在以下的说明中,将相互正交的3个轴作为X轴、Y轴以及Z轴。此外,将沿着X轴的方向也称为“X轴方向”,将沿着Y轴方向的方向也称为“Y轴方向”,将沿着Z轴的方向也称为“Z轴方向”。
电子装置
图1所示的电子装置1为能够检测围绕Y轴的角速度ωy的陀螺仪传感器。该电子装置1具有:基板2、被固定在基板2的上表面上的陀螺仪传感器元件3、被固定在陀螺仪传感器元件3的上表面上的IC(电子部件)9、对陀螺仪传感器元件3和IC9进行电连接的接合引线BW1、对基板2和IC9进行电连接的接合引线BW2、以及对陀螺仪传感器元件3以及IC9进行模塑的模塑材料(密封材料)M。以下,依次对上述各个构成要素进行说明。
基板
基板2对陀螺仪传感器元件3进行支承。此外,在基板2的上表面上配置有多个端子21,而在下表面上配置有经由未图示的内部配线等与端子21连接的多个安装端子22。作为这样的基板2,虽然并未特别限定,但例如可以使用硅基板、陶瓷基板、樹脂基板、玻璃基板、玻璃环氧树脂基板等。
陀螺仪传感器元件
如图2及图3所示,陀螺仪传感器元件3具有基板4、盖体5、功能元件片6、端子7。
基板4具有在上表面(一侧的主面)4a上开放的凹部41、被设置在凹部41内的支柱42,并且通过上表面4a和支柱42而对功能元件片6进行支承。此外,基板4具有在上表面4a上开放且与凹部41相比深度较浅的槽部43、44、45、46、47,并且,槽部43~47的至少一部分位于盖体5的外侧。在这些槽部43、44、45、46、47内,布置有配线81、82、83、84、85。
这样的基板4由例如玻璃材料构成。但是,作为基板4的构成材料,并未特别限定,例如,也可以由硅构成。此外,作为配线81~85的构成材料,只要具有导电性则并不特别限定,能够使用例如铝、金、铂、ITO(Indium TinOxide:铟锡氧化物)等。
盖体5具有在下表面上开放的凹部51。而且,基板4与盖体5以由凹部41和凹部51形成内部空间S的方式而被接合在一起,功能元件片6被收容在该内部空间S内。内部空间S被气密密封,并成为减压状态(优选为10Pa以下)。由此,粘性阻力减少,从而能够使功能元件片6有效地进行振动。此外,如图3所示,盖体5具有用于将内部空间S设置为减压状态的密封孔52,密封孔52通过密封材料53而被密封。作为密封材料53,虽然未特别限定,但能够使用例如Au-Ge类的合金。
这样的盖体5例如由硅构成。但是,作为盖体5的构成材料,并不限定于此,例如也可以由玻璃材料构成。
以上这种基板4以及盖体5通过接合部件10而被接合在一起。由于通过使用接合部件10,从而能够简单地对基板4与盖体5进行接合,并且能够利用接合部件10对槽部43~47进行封堵,因此能够简单地对内部空间S进行密封。作为接合部件10,虽然未特别限定,但优选使用玻璃粉等玻璃材料。尤其是通过使用低融点的玻璃材料作为接合部件10,即使在基板4上形成槽部43~47等凹凸,也能够以较低的温度流入玻璃材料从而进行接合以及密封。因此,能够防止内部空间S内的真空度的降低或污染。
另外,作为接合部件10,并不限定于玻璃材料,也可以使用例如焊锡、金焊、银焊等各种金属材料。即使使用这种材料,也能够简单地对基板4和盖体5进行密封。但是,将使用金属材料作为接合部件10的情况下,为了使配线81~85不会经由接合部件10而短路,需要例如在配线81~85上形成绝缘膜等绝缘处理。此外,基板4和盖体5也可以通过例如被配置在基板4的上表面上的镀金属层与被配置在盖体5的下表面上的镀金属层的共晶结合而进行接合。
此外,如前所述,由于基板4由玻璃构成,且盖体5由硅构成,因此可以省略接合部件10,通过对基板4与盖体5进行阳极接合而进行接合。在该情况下,由于无法封堵槽部43~47,因此只要通过例如由使用了TEOS(tetraethylorthosilicate:硅酸四乙酯)的CVD法等形成的SiO2膜来封堵槽部43~47,从而对内部空间S进行气密密封即可。
如前所述,功能元件片6被配置在内部空间S内,并且与基板4的上表面4a和支柱42接合。这种功能元件片6具有在X轴方向上排列的两个结构体60(60a、60b)。
结构体60具有:振动部61、驱动弹簧部62、固定部63、可动驱动电极64、固定驱动电极65、66、检测用翼板67、以及梁部68。这种结构体60,通过利用蚀刻(例如干蚀刻)对掺入有磷、硼等杂质的导电性的硅基板进行进行图案形成而一体形成。尤其是通过使用硅,从而能够提高蚀刻的加工精度。
振动部61为矩形的框体,并且在其4角处连接有驱动弹簧部62的一个端部。驱动弹簧部62的另一个端部与固定部63连接,固定部63与基板4的上表面4a或支柱42接合。由此,成为振动部61以及驱动弹簧部62以从基板4上腾空的状态而被支承的状态。因此,能够通过使驱动弹簧部62在X轴方向上发生弹性变形,从而使振动部61相对于基板4而在X轴方向上振动。另外,作为固定部63与基板4的接合方法,虽未特别限定,可以使用例如阳极接合。
此外,固定部63中的至少一个经由导电性凸块(第一连接部件)B11而与槽部43内的配线81电连接。由此,能够简单地实施固定部63与配线81之间的电连接。另外,作为导电性凸块B11的构成材料,虽未特别限定,但可以使用例如金、银、铂、焊锡等金属材料。
可动驱动电极64被设置在振动部61上。另一方面,固定驱动电极65、66被接合在基板4上,并以中间隔着可动驱动电极64的方式而设置。此外,固定驱动电极65经由导电性凸块(第一连接部件)B21而与槽部44内的配线82电连接,并且,固定驱动电极66经由导电性凸块(第一连接部件)B31而与槽部45内的配线83电连接。如此,通过使用导电性凸块B21、B31,从而能够简单地实施固定驱动电极65、66与配线82、83之间的电连接。另外,作为导电性凸块B21、B31,虽未特别限定,但可以设为例如与导电性凸块B11相同的结构。
当在可动驱动电极64与固定驱动电极65、66之间施加驱动电压时,在可动驱动电极64与固定驱动电极65、66之间生成静电力,由此,能够在使驱动弹簧部62在X轴方向上发生弹性变形的同时,使振动部61在X轴方上振动。在结构体60a与结构体60b中,由于固定驱动电极65、66的配置相反,因此结构体60a的振动部61与结构体60b的振动部61以相互接近、分离的方式在X轴方向上以相反相位进行振动。由此,结构体60a、60b的振动被抵消,从而能够减少振动泄漏。
另外,在本实施方式中,如上文所述,虽然对通过静电力而使振动部61进行振动的方式(静电驱动方式)进行了说明,但使振动部61进行振动的方法并不特别限定,可以应用压电驱动方式、利用磁场的洛伦兹力的电磁驱动方式等。
检测用翼板67位于振动部61的内侧,并且在+Y轴侧的端部处通过梁部68而与振动部61连结。这种检测用翼板67通过向使振动部61在X轴方向上振动的状态下的电子装置1施加围绕Y轴的角速度ωy,从而通过科里奥利力而使梁部68在扭动变形的同时围绕由梁部68形成的转动轴而进行转动(倾倒)。
在与基板4的检测用翼板67对置的区域(凹部41的底面)上分别设置有固定检测电极89,并且,在检测用翼板67与固定检测电极89之间形成有静电电容C。此外,结构体60a侧的固定检测电极89与槽部46内的配线84电连接,结构体60b侧的固定检测电极89与槽部47内的配线85电连接。作为固定检测电极89的构成材料,只要具有导电性则并不特别限定,可以使用例如铝、金、铂、ITO等。
接着,对功能元件片6的动作进行说明。首先,在可动驱动电极64与固定驱动电极65、66之间施加驱动电压,并且使结构体60a的振动部61与结构体60b的振动部61以相反相位且预定的频率在X轴方向上进行振动。在该状态下,在向电子装置1施加角速度ωy时,科里奥利力发挥作用,并且结构体60a的检测用翼板67与结构体60b的检测用翼板67围绕转动轴以相互反向的相位地进行位移。通过检测用翼板67进行位移,从而使检测用翼板67与固定检测电极89之间的间距发生变化,进而使静电电容C随之发生变化。因此,能够通过对该静电电容C的变化量进行检测,从而求出角速度ωy。
在基板4的上表面4a,即盖体5的外侧处配置有多个端子7。如此,通过将端子7配置在盖体5的外侧处,从而能够容易地实施端子7与IC9之间的电连接。
此外,如图2所示,在多个端子7中包含如下端子,即,经由导电性凸块(第二连接部件)B12而与配线81电连接的端子71、经由导电性凸块(第二连接部件)B22而与配线82电连接的端子72、经由导电性凸块(第二连接部件)B32而与配线83电连接的端子73、经由导电性凸块B42而与配线84电连接的端子74、经由导电性凸块B52而与配线85电连接的端子75。如此,通过使用导电性凸块B12~B52,从而能够简单地实施配线81~85与端子71~75之间的电连接。
这些端子71~75由掺杂有磷、硼等杂质的导电性的硅构成。即,端子71~75由与功能元件片6相同的材料构成。此处,如上文所述,功能元件片6通过对导电性的硅基板进行图案形成而形成。在将端子71~75设为与功能元件片6相同的材料时,能够通过对所述硅基板进行图案形成,而使端子71~75与与功能元件片6一起形成。因此,能够简单地形成比较厚的端子71~75。
特别是,在本实施方式中,基板4的上表面4a上包含固定有功能元件片6的功能元件片配置面4a’、以及配置有端子71~75的端子配置面4a”。即,功能元件片配置面4a’以及端子配置面4a”位于同一平面上。因此,能够在功能元件片配置面4a’以及端子配置面4a”双方上接合前文所述的硅基板,而容易使端子71~75与功能元件片6一起形成。
如图1所示,端子7(端子71~75)分别经由通过金线、铜线等构成的接合引线(线状配线)BW1而与IC9电连接。接合引线BW1与端子71~75的连接使用一般的引线接合法(在本实施方式中,为球形接合法)而实施,另外,端子71~75侧成为引线接合的起始点,而IC9侧成为引线接合的终点。但是,还可以将引线接合的起始点设为IC9侧,而将终点设为端子71~75侧,也可以代替球形接合法而使用楔形接合法。
如图4所示,在端子71的与接合引线BW1的连接部上形成有接合引线BW1、金属膜79以及端子71进行合金化(共晶化)的合金部70。而且,端子71的厚度T1成为与合金部70的厚度T2相比较厚。作为一个示例,接合引线BW1的直径为20μm、金属膜79的厚度为0.2μm、端子71的厚度为25μm时,合金部为3~4μm。如此,通过满足T1>T2的关系,从而能够稳定地提高端子71与接合引线BW1的连接强度。同时,能够减少使端子71与基板4之间的接合状态损坏的情况。因此,能够减少从接合引线BW1的端子71的脱落,从而成为可靠性较高的电子装置1。另外,虽然未图示,但即使对于端子72~75,也会成为与端子71相同的结构。此外,在T1=T2的情况下,能够获得端子71与接合引线BW1之间的稳定的接合强度。但是,合金部70可能会到达基板4与端子71的接合部,从而有可能损坏基板4与端子71的接合强度。
此外,在本实施方式中,端子71~75的厚度与功能元件片6的厚度大致相同。如上文所述,这是由于使硅基板图案形成并与功能元件片6一起形成端子71~75。但是,只要确保与接合引线BW1的机械性的连接强度,则端子71~75的厚度可以与功能元件片6的厚度相比而较厚,也可以较薄。此外,作为端子71~75的厚度T1,虽然未特别限定,但例如在接合引线BW1的直径为20μm时,优选为5μm以上、25μm以下。由此,能够将端子71~75设为合适的厚度。
此外,在本实施方式中,在端子71~75的表面上形成有金属膜79。金属膜79具有减少端子71~75的表面的氧化的功能(即,作为抗氧化膜的功能)。也考虑到,当端子71~75的表面被氧化时(即,形成了硅氧化膜时),根据引线接合的条件等,会妨碍端子71~75与接合引线BW1之间的合金化,从而无法充分地提高这些端子的连接强度的情况。因此,能够通过在端子71~75的表面上设置金属膜79以防止端子71~75的氧化,从而减少端子71~75与接合引线BW1之间的连接强度的降低。
另外,作为金属膜79的厚度,虽未特别限定,但优选为0.1μm以上、0.5μm以下。由此,能够在充分地发挥作为抗氧化膜的功能的同时,将金属膜79设置得更薄。因此,能够降低金属膜79妨碍端子71~75与接合引线BW1之间的合金化的情况。
IC
如图1所示,IC9被固定在陀螺仪传感器元件3的上表面(盖体5上)上。IC9中包含有例如对陀螺仪传感器元件3进行驱动的驱动电路、以及基于来自陀螺仪传感器元件3的输出信号而对角速度ωy进行检测的检测电路、以及将来自检测电路的信号转换为预定的信号并输出的输出电路等。这种IC9经由接合引线BW1而与陀螺仪传感器元件3的端子71~75电连接,并且经由接合引线BW2而与基板2的端子21电连接。
模塑材料
如图1所示,模塑材料M模塑成陀螺仪传感器元件3以及IC9。由此,能够保护陀螺仪传感器元件3或IC9避免受到水分、尘埃、冲击等损坏。作为模塑材料M,虽未特别限定,但例如能够使用热硬化型的环氧树脂樹脂,例如,可以通过传递模塑法进行模塑。
电子装置的制造方法
电子装置1的制造方法包括:制造陀螺仪传感器元件3的制造工序、将陀螺仪传感器元件3配置在基板2上的陀螺仪传感器元件配置工序、将IC9配置在陀螺仪传感器元件3上的IC配置工序、对陀螺仪传感器元件3和IC9进行电连接,并且对IC9和基板2进行电连接的电连接工序、对陀螺仪传感器元件3以及IC9进行密封的密封工序。
此外,制造陀螺仪传感器元件3的制造工序包括将硅基板600接合在基板4上的硅基板接合工序、通过对硅基板600进行图案形成从而由硅基板600形成功能元件片6以及端子7的图案形成工序、以及将盖体5接合在基板4上的盖体接合工序。以下,对这些各个工序依次进行说明。
硅基板接合工序
首先,准备配置有配线81~85的基板(第一基板)4。例如,通过如下方式获得该基板4,即,准备玻璃板,通过湿式蚀刻而形成凹部41、支柱42以及槽部43~47,并对配线81~85以及固定检测电极89进行配置。
接着,如图5所示,在将导电性凸块B11~B52配置在基板4上之后,将硅基板(第二基板)600接合在基板4的上表面4a(功能元件片配置面4a’以及端子配置面4a”)上。作为基板4与硅基板600的接合方法,例如可以使用阳极接合。接着,如图6所示,通过CMP(化学机械研磨)等将硅基板600薄壁化至所需的厚度。另外,如果功能元件片6与端子7为相同的厚度,则以成为预定的厚度的方式均匀地薄壁化即可,如果功能元件片6与端子7为不同的厚度,则在进行薄壁化的同时在功能元件片配置面4a’上的部分和端子配置面4a”上的部分对厚度进行改变即可。
图案形成工序
接着,在硅基板600中掺杂磷、硼等杂质,并向硅基板600赋予导电性。接着,通过光刻技法以及蚀刻技法对硅基板600进行图案形成,从而如图7所示,由硅基板600形成功能元件片6与端子7。如此,根据本制造方法,由于能够由硅基板600同时形成功能元件片6与端子7,因此使电子装置1的制造变得容易。
盖体接合工序
接着,准备盖体5,并如图8所示,经由接合部件10对盖体5与基板4进行接合。另外,通过将接合部件10预先配置在盖体5的下表面上,从而能够顺利地实施盖体5与基板4的接合。接着,经由盖体5的密封孔52将内部空间S设为减压状态之后,如图9所示,用密封材料53对密封孔52进行密封。由密封材料53实现的密封,例如通过将球状的密封材料53配置在密封孔52中,再通过激光照射等使密封材料53溶融而实施。通过上述过程,获得陀螺仪传感器元件3。
陀螺仪传感器元件配置工序
接着,准备基板2,并如图10所示,将陀螺仪传感器元件3固定在基板2的上表面上。
IC配置工序
接着,准备IC9,并如图11所示,将IC9固定在陀螺仪传感器元件3的上表面上。
电连接工序
接着,如图12所示,使用接合引线BW1对陀螺仪传感器元件3(端子71~75)和IC9进行电连接,并且使用接合引线BW2对IC9与基板2进行电连接。
密封工序
接着,如图13所示,通过模塑材料M,对陀螺仪传感器元件3以及IC9进行密封。通过上述过程获得电子装置1。
第二实施方式
图14为本发明的第二实施方式所涉及的电子装置的剖视图。
以下,以与前述的实施方式之间的不同点为中心对第二实施方式的电子装置进行说明,关于相同的事项,省略其说明。
第二实施方式的电子装置,除了主要是陀螺仪传感器元件的端子以及功能元件与配线之间的连接方法不同以外,与前述的第一实施方式的电子装置相同。另外,在图14中,对与前述的实施方式相同的结构标记相同的符号。
在本实施方式中,如图14所示,基板4具有从槽部43的底面突出的突起部431、432。这些突起部431、432与基板4一体形成。而且,配线81以跨过这些突起部431、432的方式配置。另外,在突起部431上的配线81上设置有导电部(第一连接部件)881,并且在突起部432上的配线81上设置有导电部(第二连接部件)882。而且,经由导电部881对配线81与固定部63进行电连接,并且经由导电部882对配线81与端子71进行电连接。根据这种结构,能够使配线81与端子71的连接部分以及配线81与固定部63的连接部分的强度与例如前述的第一实施方式的情况相比而有所提高。另外,虽然在上述部分以槽部43为代表进行了说明,但其他槽部44~47也成为相同的结构。
即使通过这样的第二实施方式,也能够发挥与前述的第一实施方式相同的效果。
电子设备
接着,对具备本发明的电子装置的电子设备进行说明。
图15为表示应用了本发明的电子设备的移动型(或笔记本型)的个人计算机的结构的立体图。
在该图中,个人计算机1100由具备键盘1102的主体部1104、和具备显示部1108的显示单元1106构成,显示单元1106以经由铰链结构部而相对于主体部1104可转动的方式被支承。在这种个人计算机1100中内置有电子装置1。
图16为表示,应用了本发明的电子设备的移动电话机(还包含PHS:PersonalHandy-phone System:个人手持电话系统)的结构的立体图。
在该图中,移动电话机1200具备,天线(未图示)、多个操作按钮1202、听筒1204以及话筒1206,并且在操作按钮1202与听筒1204之间配置有显示部1208。在这种移动电话机1200中,内置有电子装置1。
图17为表示应用了本发明的电子设备的数字静态照相机的结构的立体图。
在数字静态照相机1300的外壳1302的背面上设置有显示部1310,并且成为基于由CCD所产生的成像信号而实施显示的结构,显示部1310作为将被摄物体作为电子图像而显示的定位器来发挥功能。此外,在外壳1302的正面侧(图中背面侧)设置有光学透镜(成像光学系统)或包含CCD等的受光单元1304。而且,当拍摄者对显示在显示部1310上的被摄物体图像进行确认并按下快门按钮1306时,该时刻的CCD的成像信号被输送并存储到存储器1308中。在这样的数字静态照相机1300中内置有例如用于手抖校正的电子装置1。
由于这种电子设备具备电子装置1,因此具有优异的可靠性。
另外,本发明的电子设备除了图15的个人计算机、图16的移动电话机、图17的数字静态照相机以外,还可以应用于例如智能手机、平板终端、时钟(包括智能手表)、喷墨式喷出装置(例如喷墨式打印机)、膝上型个人计算机、电视、摄像机、录像机、汽车导航装置、寻呼器、电子记事本(也包含附加通信功能的产品)、电子辞典、台式计算器、电子游戏设备、文字处理器、工作站、可视电话、防盗用视频监视器、电子双筒望远镜、POS终端、医疗设备(例如电子体温计、血压仪、血糖仪、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测量设备、计量仪器类(例如,车辆、航空器、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器等。
移动体
接着,对本发明的移动体进行说明。
图18为表示应用了本发明的移动体的汽车的立体图。
汽车1500中内置有电子装置1,例如,能够通过电子装置1对车身1501的姿态进行检测。电子装置1的检测信号被供给至车身姿态控制装置1502,车身姿态控制装置1502基于该信号而对车身1501的姿态进行检测,并根据检测结果而对悬架的硬软进行控制,并对各个车轮1503的制动进行控制。
此外,这种姿态控制可以在双足步行机器人或遥控直升机(包含无人机)中利用。如上那样,为了实现各种移动体的姿态控制,组装电子装置1。
以上,虽然基于图示的实施方式而对本发明的电子装置、电子装置的制造方法、电子设备以及移动体进行了说明,但本发明并不限定于此,各个部分的结构可以置换为具有相同的功能的任意的结构。此外,本发明中还可以附加其他任意的构成物。
此外,在前述的实施方式中,虽然对检测用翼板围绕转动轴进行转动的结构进行了说明,但作为检测用翼板,只要能够在Z轴方向上进行位移,则以任意方式进行位移都可以。例如,检测用翼板可以围绕转动轴进行跷跷板式摆动,也可以在保持姿态的状态下在Z轴方向上进行位移。即,可以为跷跷板式摆动型的物理量传感器,也可以为平行平板型的物理量传感器。
此外,作为功能元件片,并不限定于对角速度进行检测的元件,例如,还可以为对加速度进行检测的元件、或对气压进行检测的元件。此外,作为功能元件片,并不限定于对前述的角速度、加速度、气压等物理量进行检测的元件,例如,还可以为用于振荡器等的振子。
符号说明
1…电子装置;10…接合部件;2…基板;21…端子;22…安装端子;3…陀螺仪传感器元件;4…基板;4a…上表面;4a”…端子配置面;4a’…功能元件片配置面;41…凹部;42…支柱;43、44、45、46、47…槽部;431、432…突起部;5…盖体;51…凹部;52…密封孔;53…密封材料;6…功能元件片;60、60a、60b…结构体;600…硅基板;61…振动部;62…驱动弹簧部;63…固定部;64…可动驱动电极;65、66…固定驱动电极;67…检测用翼板;68…梁部;7…端子;70…合金部;71、72、73、74、75…端子;79…金属膜;81、82、83、84、85…配线;881、882…导电部;89…固定检测电极;9…IC;1100…个人计算机;1102…键盘;1104…主体部;1106…显示单元;1108…显示部;1200…移动电话机;1202…操作按钮;1204…听筒;1206…话筒;1208…显示部;1300…数字静态照相机;1302…外壳;1304…受光单元;1306…快门按钮;1308…存储器;1310…显示部;1500…汽车;1501…车身;1502…车身姿态控制装置;1503…车轮;B11、B12、B21、B22、B31、B32、B42、B52…导电性凸块;BW1、BW2…接合引线;C…静电电容;M…模塑材料;S…内部空间;T1、T2…厚度;ωy…角速度。
Claims (20)
1.一种电子装置,其特征在于,具有:
基板;
功能元件片,其被配置在所述基板上;
端子,其被配置在所述基板上,且与所述功能元件片电连接;
线状配线,其与所述端子连接,
其中,
所述端子在与所述线状配线连接的连接部上与所述线状配线合金化,
所述端子的厚度与所述合金化的部分的厚度相比而较厚。
2.如权利要求1所述的电子装置,其中,
所述端子由与所述功能元件片相同的材料构成。
3.如权利要求2所述的电子装置,其中,
所述功能元件片以及所述端子含有硅。
4.如权利要求1所述的电子装置,其中,
所述基板的一侧的主面具有配置有所述功能元件片的功能元件片配置面、以及配置有所述端子的端子配置面。
5.如权利要求1所述的电子装置,其中,
所述基板具有在所述一侧的主面上开放的槽部,
在所述槽部内配置有配线,
所述配线经由第一连接部件而与所述功能元件片电连接,并且经由第二连接部件而与所述端子电连接。
6.如权利要求1所述的电子装置,其中,
在所述端子的表面上配置有金属膜。
7.如权利要求1所述的电子装置,其中,
具有盖体,所述盖体以将所述功能元件片收容在所述盖体与所述基板之间的方式而与所述基板接合,
所述端子位于所述盖体的外侧。
8.如权利要求7所述的电子装置,其中,
所述基板与所述盖体经由玻璃材料而接合在一起。
9.一种电子装置的制造方法,其特征在于,包括:
对第一基板和第二基板进行接合的工序;
通过对所述第二基板进行图案形成,从而由所述第二基板来形成功能元件以及端子的工序。
10.如权利要求2所述的电子装置,其中,
所述基板的一侧的主面具有配置有所述功能元件片的功能元件片配置面、以及配置有所述端子的端子配置面。
11.如权利要求3所述的电子装置,其中,
所述基板的一侧的主面具有配置有所述功能元件片的功能元件片配置面、以及配置有所述端子的端子配置面。
12.如权利要求2所述的电子装置,其中,
所述基板具有在所述一侧的主面上开放的槽部,
在所述槽部内配置有配线,
所述配线经由第一连接部件而与所述功能元件片电连接,并且经由第二连接部件而与所述端子电连接。
13.如权利要求3所述的电子装置,其中,
所述基板具有在所述一侧的主面上开放的槽部,
在所述槽部内配置有配线,
所述配线经由第一连接部件而与所述功能元件片电连接,并且经由第二连接部件而与所述端子电连接。
14.如权利要求4所述的电子装置,其中,
所述基板具有在所述一侧的主面上开放的槽部,
在所述槽部内配置有配线,
所述配线经由第一连接部件而与所述功能元件片电连接,并且经由第二连接部件而与所述端子电连接。
15.如权利要求2所述的电子装置,其中,
在所述端子的表面上配置有金属膜。
16.如权利要求3所述的电子装置,其中,
在所述端子的表面上配置有金属膜。
17.如权利要求4所述的电子装置,其中,
在所述端子的表面上配置有金属膜。
18.如权利要求5所述的电子装置,其中,
在所述端子的表面上配置有金属膜。
19.一种电子设备,其特征在于,
具有权利要求1所述的电子装置。
20.一种移动体,其特征在于,
具有权利要求1所述的电子装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015216933A JP6641899B2 (ja) | 2015-11-04 | 2015-11-04 | 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体 |
JP2015-216933 | 2015-11-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107063225A true CN107063225A (zh) | 2017-08-18 |
Family
ID=58638200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610936407.4A Pending CN107063225A (zh) | 2015-11-04 | 2016-10-24 | 电子装置、电子装置的制造方法、电子设备以及移动体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10384931B2 (zh) |
JP (1) | JP6641899B2 (zh) |
CN (1) | CN107063225A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111623760A (zh) * | 2019-02-28 | 2020-09-04 | 精工爱普生株式会社 | 惯性传感器、电子设备以及移动体 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106254773B (zh) * | 2016-07-29 | 2018-01-23 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 光学图像稳定系统、成像装置及电子装置 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4622576A (en) * | 1984-10-22 | 1986-11-11 | National Semiconductor Corporation | Conductive non-metallic self-passivating non-corrodable IC bonding pads |
US20050224984A1 (en) * | 2004-03-25 | 2005-10-13 | Hortaleza Edgardo R | Structure and method for contact pads having a protected bondable metal plug over copper-metallized integrated circuits |
JP2008046078A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Hitachi Ltd | 微小電気機械システム素子およびその製造方法 |
US20120001336A1 (en) * | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Texas Instruments Incorporated | Corrosion-resistant copper-to-aluminum bonds |
CN102749091A (zh) * | 2011-04-20 | 2012-10-24 | 精工爱普生株式会社 | 功能元件、传感器元件、电子设备和功能元件的制造方法 |
JP2013015477A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Seiko Epson Corp | 物理量センサーの製造方法 |
CN103364586A (zh) * | 2012-04-02 | 2013-10-23 | 精工爱普生株式会社 | 物理量传感器以及电子设备 |
JP2014021065A (ja) * | 2012-07-23 | 2014-02-03 | Denso Corp | 物理量センサ |
CN103635999A (zh) * | 2012-01-12 | 2014-03-12 | 松下电器产业株式会社 | 半导体装置 |
CN104205314A (zh) * | 2012-03-22 | 2014-12-10 | 住友电木株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
CN104422789A (zh) * | 2013-09-10 | 2015-03-18 | 精工爱普生株式会社 | 物理量传感器、振动装置、电子设备以及移动体 |
CN104925735A (zh) * | 2014-03-18 | 2015-09-23 | 精工爱普生株式会社 | 电子装置、电子模块、电子设备以及移动体 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4201578A1 (de) | 1992-01-22 | 1993-11-04 | Bosch Gmbh Robert | Kapazitiver sensor |
US5661081A (en) * | 1994-09-30 | 1997-08-26 | United Microelectronics Corporation | Method of bonding an aluminum wire to an intergrated circuit bond pad |
JP3604243B2 (ja) | 1996-11-27 | 2004-12-22 | 長野計器株式会社 | 静電容量型トランスデューサ |
JP4214572B2 (ja) | 1998-09-04 | 2009-01-28 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサの製造方法 |
KR100413789B1 (ko) | 1999-11-01 | 2003-12-31 | 삼성전자주식회사 | 고진공 패키징 마이크로자이로스코프 및 그 제조방법 |
US8861227B2 (en) * | 2010-08-02 | 2014-10-14 | Emf Safety, Llc | Smart meter protection system and methods |
KR101223736B1 (ko) * | 2011-07-29 | 2013-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 염료감응 태양전지용 전해질 및 이를 이용한 염료감응 태양전지 |
JP5999298B2 (ja) | 2011-11-08 | 2016-09-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイスおよびその製造方法、並びに、電子機器 |
US9038463B2 (en) * | 2011-09-22 | 2015-05-26 | Seiko Epson Corporation | Electronic device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
JP2015001459A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-01-05 | セイコーエプソン株式会社 | 機能素子、電子機器、および移動体 |
-
2015
- 2015-11-04 JP JP2015216933A patent/JP6641899B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-09-27 US US15/277,227 patent/US10384931B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-10-24 CN CN201610936407.4A patent/CN107063225A/zh active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4622576A (en) * | 1984-10-22 | 1986-11-11 | National Semiconductor Corporation | Conductive non-metallic self-passivating non-corrodable IC bonding pads |
US20050224984A1 (en) * | 2004-03-25 | 2005-10-13 | Hortaleza Edgardo R | Structure and method for contact pads having a protected bondable metal plug over copper-metallized integrated circuits |
JP2008046078A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Hitachi Ltd | 微小電気機械システム素子およびその製造方法 |
US20120001336A1 (en) * | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Texas Instruments Incorporated | Corrosion-resistant copper-to-aluminum bonds |
CN102749091A (zh) * | 2011-04-20 | 2012-10-24 | 精工爱普生株式会社 | 功能元件、传感器元件、电子设备和功能元件的制造方法 |
JP2013015477A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Seiko Epson Corp | 物理量センサーの製造方法 |
CN103635999A (zh) * | 2012-01-12 | 2014-03-12 | 松下电器产业株式会社 | 半导体装置 |
CN104205314A (zh) * | 2012-03-22 | 2014-12-10 | 住友电木株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
CN103364586A (zh) * | 2012-04-02 | 2013-10-23 | 精工爱普生株式会社 | 物理量传感器以及电子设备 |
JP2014021065A (ja) * | 2012-07-23 | 2014-02-03 | Denso Corp | 物理量センサ |
CN104422789A (zh) * | 2013-09-10 | 2015-03-18 | 精工爱普生株式会社 | 物理量传感器、振动装置、电子设备以及移动体 |
CN104925735A (zh) * | 2014-03-18 | 2015-09-23 | 精工爱普生株式会社 | 电子装置、电子模块、电子设备以及移动体 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
赵飞: "堆叠式封装和组装技术的研究", 《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(硕士) 信息科技辑》 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111623760A (zh) * | 2019-02-28 | 2020-09-04 | 精工爱普生株式会社 | 惯性传感器、电子设备以及移动体 |
US11714101B2 (en) * | 2019-02-28 | 2023-08-01 | Seiko Epson Corporation | Inertial sensor, electronic apparatus, and vehicle |
CN111623760B (zh) * | 2019-02-28 | 2023-09-29 | 精工爱普生株式会社 | 惯性传感器、电子设备以及移动体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017092117A (ja) | 2017-05-25 |
JP6641899B2 (ja) | 2020-02-05 |
US10384931B2 (en) | 2019-08-20 |
US20170121171A1 (en) | 2017-05-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107010588B (zh) | 物理量传感器以及物理量传感器的制造方法 | |
CN106338619B (zh) | 物理量传感器、物理量传感器装置、电子设备以及移动体 | |
CN105372451B (zh) | 物理量传感器、物理量传感器装置、电子设备以及移动体 | |
CN107063313B (zh) | 物理量传感器、传感器器件、电子设备以及移动体 | |
US9247664B2 (en) | Electronic device and manufacturing method thereof, electronic apparatus, and moving body | |
CN106338620B (zh) | 物理量传感器、物理量传感器装置、电子设备以及移动体 | |
JP6655281B2 (ja) | 物理量センサー、電子機器および移動体 | |
JP6572603B2 (ja) | 物理量センサー、電子機器および移動体 | |
CN107063335B (zh) | 物理量传感器、电子设备以及移动体 | |
JP2022116029A (ja) | 角速度センサー、電子機器および移動体 | |
JP2018185188A (ja) | 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体 | |
US9067777B2 (en) | MEMS device, electronic module, electronic apparatus, and mobile unit | |
CN107063225A (zh) | 电子装置、电子装置的制造方法、电子设备以及移动体 | |
JP2017167026A (ja) | 電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子デバイス装置、電子機器および移動体 | |
JP2016044979A (ja) | 物理量センサー、電子機器および移動体 | |
JP2018148137A (ja) | 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子モジュール、電子機器および移動体 | |
JP6922325B2 (ja) | 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体 | |
JP6398730B2 (ja) | 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体 | |
JP2016033481A (ja) | 物理量センサー装置、物理量センサー装置の製造方法、電子機器および移動体 | |
JP6070924B2 (ja) | 半導体素子および電子機器 | |
JP6679890B2 (ja) | 物理量センサー、電子機器および移動体 | |
JP6855853B2 (ja) | 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体 | |
JP6665950B2 (ja) | 物理量センサー、電子機器および移動体 | |
JP2016018949A (ja) | 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子モジュール、電子機器および移動体 | |
JP2019035590A (ja) | 電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器、および移動体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20170818 |