CN107024806A - 显示基板的制作方法、显示基板及液晶显示面板 - Google Patents

显示基板的制作方法、显示基板及液晶显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN107024806A
CN107024806A CN201710261634.6A CN201710261634A CN107024806A CN 107024806 A CN107024806 A CN 107024806A CN 201710261634 A CN201710261634 A CN 201710261634A CN 107024806 A CN107024806 A CN 107024806A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
graphene
base plate
electrodes
nanoscale
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710261634.6A
Other languages
English (en)
Inventor
于晓平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201710261634.6A priority Critical patent/CN107024806A/zh
Priority to PCT/CN2017/083687 priority patent/WO2018192019A1/zh
Priority to US15/543,985 priority patent/US20180329251A1/en
Publication of CN107024806A publication Critical patent/CN107024806A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/13439Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/36Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2323/00Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
    • C09K2323/04Charge transferring layer characterised by chemical composition, i.e. conductive
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00Materials and properties
    • G02F2202/16Materials and properties conductive

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显示基板的制作方法、薄膜晶体管基板、彩色滤光片基板以及液晶显示面板,所述方法包括:提供一衬底基板;在所述衬底基板上形成一具有纳米级电极图案的石墨烯电极层。通过上述方式,能够提升光的穿透效率以及电子传导速率,从而提高显示基板的显示质量。

Description

显示基板的制作方法、显示基板及液晶显示面板
技术领域
本发明涉及平面显示技术领域,特别是涉及显示基板的制作方法、显示基板及液晶显示面板。
背景技术
液晶显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点而得到广泛的应用。垂直配向(Vertical Alignment,VA)模式为目前液晶显示器件最常用的显示模式之一,具有视角广、响应快等优点。
VA模式中通常在薄膜晶体管基板(Thin Film Transistor,TFT)或者同时在彩色滤光片基板(Color filter,CF)上设置氧化铟锡/缝隙(Indium Tin Oxides/slit,ITO/slit)结构,通过施加电压,使上下基板的ITO/slit间形成倾斜的电场分布,进而驱动液晶分子。在制作电极时,通过控制上下基板的ITO/slit的排列方式,使得液晶分子的转动方位角保持45°,以获得最大的光透过效率。
为进一步提高液晶效率,人们逐步细化ITO/slit的排列,然而,由于制程工艺的限制,ITO/slit只能做到微米级,很难做到更精细化。同时,由于氧化铟锡较为昂贵、导电率低以及机械稳定性差等弊端,使其在一定程度上受到了限制。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种显示基板的制作方法、薄膜晶体管基板、彩色滤光片基板以及液晶显示面板,能够提升光的穿透效率以及电子传导速率,从而提高显示基板的显示质量。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种显示基板的制作方法,所述方法包括:提供一衬底基板;在所述衬底基板上形成一具有纳米级电极图案的石墨烯电极层。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种薄膜晶体管基板,所述薄膜晶体管基板是根据上述方法制成的。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种彩色滤光片基板,所述彩色滤光片是根据上述的方法制成的。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种液晶显示面板,所述液晶显示面板包括上述薄膜晶体管基板和/或上述彩色滤光片基板。
本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明显示基板的制作方法包括:提供一衬底基板;在所述衬底基板上形成一具有纳米级电极图案的石墨烯电极层。其中,由于石墨烯电极层具有纳米级电极图案且石墨烯层薄且透明,能够提高光的透过率,从而提高显示效率,同时石墨烯层具有良好的导电性,能够提升电子的传导速率,进而提高显示基板的显示质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施方式中的技术方案,下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。其中:
图1是本发明显示基板的制作方法一实施方式的流程示意图;
图2是本发明显示基板一实施方式的结构示意图;
图3是本发明显示基板的制作方法另一实施方式的流程示意图;
图4至图7是本发明显示基板的制作方法另一实施方式的制程示意图;
图8是本发明显示基板的制作方法又一实施方式的流程示意图;
图9至图14是本发明显示基板的制作方法又一实施方式的制程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图,对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式,而不是全部实施方式。基于本发明中的实施方式,本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1、图2,本发明显示基板的制作方法一实施方式包括:
步骤S101:提供一衬底基板101;
衬底基板101可以为透明材质,具体可以为隔水隔氧透明有机材质或玻璃,选择时可根据具体的显示基板种类选择不同的材质。常见的有玻璃基板、二氧化硅基板,也有一些应用中可采用聚氯乙烯(Polyvinylchloride,PV)、可熔性聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene,PFA)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate,PET)基板等。当然,上述衬底基板101也可以为顶层为上述材质,且尚未形成像素电极层的TFT基板或CF基板。
步骤S102:在衬底基板101上形成一具有纳米级电极图案的石墨烯电极层102。
其中,纳米级级图案的形成可通过光刻、软刻蚀、石墨烯边缘印刷术、纳米压印技术等方法中的至少一种。
石墨烯是一种新型的纳米碳材料,具有极高的比表面积、良好的机械强度、极高的导热系数和光透过效率以及超强的导电性和高温稳定性。常温下,石墨烯的电子迁移率超过15000cm2/V·s,而电阻率仅为10-6Ω·cm,是世界上电阻率最低的材料。因此,石墨烯实质上是一种透明、良好的导体,将石墨烯用作电极时,能够保证电子的传导速率和光的透过率,进而减少电极原料的用量,节省成本。
本发明显示基板在衬底基板101上形成一具有纳米级电极图案的石墨烯电极层,由于石墨烯电极层具有纳米级电极图案且石墨烯层薄且透明,能够提高光的透过率,从而提高显示效率,同时石墨烯层具有良好的导电性,能够提升电子的传导速率,进而提高显示基板的显示质量。
请参阅图3至图7,在一个实施方式中,步骤S102进一步包括:子步骤S1021、子步骤S1022以及子步骤S1023。
子步骤S1021:在衬底基板201上形成第一辅助层202;
第一辅助层202可以为透明层,具有良好的光的透过率,其材质具体可以是聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚苯乙烯(Polystyrene,PS)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚氯乙烯(Polyvinylchloride,PVC)等中的至少一种。在一个应用场景中,第一辅助层202还需可纳米压印。
其中PMMA的透光率极好。本实施方式中以PMMA为例,第一辅助层202的具体形成方法可以为:在衬底基板201上采用旋涂法涂覆液态的PMMA,均匀涂布后固化即可形成PMMA层。当然,也可以采用其它的涂覆方式,如喷涂法、浸涂法、电泳涂装法以及涂刷法等等,此处不做限定。
子步骤S1022:对第一辅助层202进行纳米级图案化处理;
对第一辅助层202进行纳米级图案化处理可以采用光刻、电子束直写、X射线曝光、极深紫外光源曝光、真空紫外光蚀技术、软刻蚀以及纳米压印技术等进行。
本实施方式中,具体采用纳米压印技术对第一辅助层202进行纳米级图案化处理。采用纳米压印技术,可以在PMMA层上形成分辨率小于10nm的大面积三维人工结构,进而实现对其纳米级图案化处理。纳米压印技术不存在光学曝光中的衍射现象和电子束曝光中的散射现象,具有超高分辨率;但却可以像光学曝光那样并行处理,同时制作成百上千个器件,从而具有高产量的优点;同时,纳米压印技术不像光学曝光机那样需要复杂的光学系统,或者电子束曝光机那样需要复杂的电磁聚焦系统,成本低;并且能够几乎无差别的将掩膜版上的图形转移到晶元上,具有高保真度。
其中,纳米压印技术包括热压印光刻技术、紫外固化纳米压印技术、微接触纳米压印技术、软压印技术等。本实施方式中具体采用热压印光刻技术对第一辅助层202进行纳米级图案化处理。
其中,进行纳米级图案化处理时采用的压印模具203可以为精度高、硬度大、化学性质稳定的SiC、Si3N4、SiO2等,可利用电子束蚀刻技术或反应离子蚀刻技术处理使得压印模具203形成所需的纳米级图形。
以PMMA为例,对第一辅助层202进行热压印形成纳米级图案的处理具体可以为:将PMMA层加热至其玻璃化转变温度之上;加热方式具体可采用加热板加热、超声波加热等。其中,采用超声波加热可以将加热过程缩短至几秒钟,有利于降低功耗、提高产量和降低成本。加热完成后,加压于压印模具203,并保持加热温度和压力一段时间,使液态的PMMA填充模具203的纳米级图形空隙,然后降低温度至玻璃化转变温度以下后脱模,此时的PMMA层便完成了纳米级图案化处理。
在一个应用场景中,为了减小空气气泡对转移图案质量的影响,整个工艺过程均在小于1Pa的真空环境中进行。其中,真空环境可以使第一辅助层202中的气体顺利排出,减少压印时气泡对图案质量的影响,进而提高所形成的纳米级图案质量。
在一个应用场景中,可以采用气体辅助纳米压印技术,具体是在压印前将模具203和具有第一辅助层202的衬底基板201对准后固定置于真空腔体内,然后真空向腔体内充入惰性气体加压。采用气体施压的方式,压力均匀,且压力大小可以根据进气量控制,进而能够避免机械施压过程中承片台需要采用多自由度自适应校正的难题,简化生产工艺。
子步骤S1023:在经过纳米级图案化处理的第一辅助层2021上形成石墨烯电极层204。
在经过纳米级图案化处理的第一辅助层2021上形成石墨烯电极层204具体通过在其上形成石墨烯薄膜层进行。
其中,石墨烯薄膜可以具有1~10层单原子石墨烯,形成石墨烯薄膜具体可以通过化学气相沉积法、氧化还原法、机械剥离法、碳纳米管裂解法以及SiC外延生长法等中的至少一种。
进一步地,在形成石墨烯电极层204后,继续进行聚酰亚胺(Polyimide,PI)涂布、液晶滴下(One Drop Filling,ODF)等制程,制备显示器件,并通过施加外部电压驱动液晶倾倒实现液晶显示的功能。
通过本实施方式,热压印技术的采用能够形成高质量、低成本的纳米级图案,且采用具有纳米级电极图案的石墨烯电极层204,能够提高显示基板的显示质量。
请参阅图8至图14,在一个实施方式中,步骤S102包括:子步骤S1024、子步骤S1025、子步骤S1026以及子步骤S1027。
子步骤S1024:在衬底基板301上依次形成石墨烯层302、第二辅助层303;
子步骤S1025:对第二辅助层303进行纳米级图案化处理,以使第二辅助层303形成纳米级电极图案;
其中,本实施方式中的石墨烯层302的形成方式与上述实施方式中的相关内容基本相同,同时,第二辅助层303的材料以及形成方式等与上述实施方式中第一辅助层的相关内容基本相同,具体参见上述实施方式,此处不再赘述。
子步骤S1026:对石墨烯层302进行处理,以使石墨烯层302形成纳米级电极图案;
对石墨烯层302进行处理,可以采用等离子体(plasma)表面处理技术、光刻、激光刻蚀等,本实施方式中具体采用RIE,使得石墨烯层302形成与具有纳米级图案的第二辅助层3031相同的图案。
子步骤S1027:去除该具有纳米级图案的第二辅助层3031。
在本实施方式中,在石墨烯层302上覆盖的具有纳米级电极图案的在墨烯层302形成纳米级电极图案之后,可去除该具有纳米级图案的第二辅助层3031。
去除上述具有纳米级图案的第二辅助层3031具体可通过浸泡在能够将其溶解的有机溶剂当中。同样以PMMA为例,可以采用例如丙酮、二甲基苯胺(Dimethylformaid,DMF)、二氯甲烷、氯苯、甲苯、四氢呋喃、氯仿等中的至少一种,也可以采用碱性溶液,如NaOH溶液。当然,也可以进一步采用加热和超声的方法作为辅助,加速PMMA层的去除。
进一步地,在形成石墨烯电极层204后,继续进行聚酰亚胺(Polyimide,PI)涂布、液晶滴下(One Drop Filling,ODF)等制程,制备显示器件,并通过施加外部电压驱动液晶倾倒实现液晶显示的功能。
通过本实施方式,最终在基板上仅形成具有纳米级电极图案的石墨烯电极层3021,最终所得到的显示基板除了具有上述实施方式的有益效果外,由于PMMA层的去除能够避免PMMA层与衬底基板造成的光的干涉现象对显示效率的影响,且能够进一步增强显示基板的光透过率,同时也使显示基板更加轻薄。
其中,在本发明薄膜晶体管基板一实施方式中,该薄膜晶体管基板具体根据上述显示基板制作方法中的任一种方法制成,具体方法如上述各实施方式,此处不再赘述。本实施方式中的薄膜晶体管基板采用具有纳米级电极图案的石墨烯电极层,而且石墨烯层薄且透明,能够提高光的透过率,从而提高显示效率,同时石墨烯层具有良好的导电性,能够提升电子的传导速率,进而提高显示基板的显示质量。
其中,在本发明彩色滤光片基板一实施方式中,该彩色滤光片基板具体根据上述显示基板制作方法中的任一种方法制成,具体方法如上述相关各实施方式,此处不再赘述。本实施方式中的彩色滤光片基板采用具有纳米级电极图案的石墨烯电极层,而且石墨烯层薄且透明,能够提高光的透过率,从而提高显示效率,同时石墨烯层具有良好的导电性,能够提升电子的传导速率,进而提高显示基板的显示质量。
其中,在本发明液晶显示面板一实施方式中,该液晶显示面板包括上述薄膜晶体管基板一实施方式和/或彩色滤光片基板一实施方式中的基板。其中,本发明液晶显示面板包括利用液晶显示的电视机、电子计算机、平板电脑、手机、MP3、MP4等电子设备所使用的液晶显示面板,尤其指MVA和PVA等VA类液晶显示面板。本实施方式中的液晶显示面板液晶效率高,具有极高的显示质量。
以上所述仅为本发明的实施方式,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种显示基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成一具有纳米级电极图案的石墨烯电极层。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述衬底基板上形成一具有纳米级电极图案的石墨烯电极层,包括:
在所述衬底基板上形成第一辅助层;
对所述第一辅助层进行纳米级图案化处理;
在经过纳米级图案化处理的所述第一辅助层上形成石墨烯电极层。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述衬底基板上形成一具有纳米级图案的石墨烯电极层,包括:
在所述衬底基板上依次形成石墨烯层、第二辅助层;
对所述第二辅助层进行纳米级图案化处理,以使所述第二辅助层形成纳米级电极图案;
对所述石墨烯层进行处理,以使所述石墨烯层形成所述纳米级电极图案;
去除所述第二辅助层。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述衬底基板上形成一具有纳米级电极图案的石墨烯电极层,包括:
采用纳米压印技术在所述衬底基板上形成一具有纳米级电极图案的石墨烯电极层。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,
所述纳米压印技术为热压印光刻技术。
6.根据权利要求2或3任一项所述的方法,其特征在于,
所述第一辅助层或所述第二辅助层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯。
7.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述对所述石墨烯层进行处理,以使所述石墨烯层形成所述纳米级电极图案,包括:
采用等离子体表面处理技术,对所述石墨烯层进行处理,以使所述石墨烯层形成所述纳米级电极图案。
8.一种薄膜晶体管基板,其特征在于,所述薄膜晶体管基板是根据权利要求1-7任一项所述的方法制成的。
9.一种彩色滤光片基板,其特征在于,所述彩色滤光片是根据权利要求1-7任一项所述的方法制成的。
10.一种液晶显示面板,其特征在于,所述液晶显示面板包括如权利要求8和/或权利要求9所述的基板。
CN201710261634.6A 2017-04-20 2017-04-20 显示基板的制作方法、显示基板及液晶显示面板 Pending CN107024806A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710261634.6A CN107024806A (zh) 2017-04-20 2017-04-20 显示基板的制作方法、显示基板及液晶显示面板
PCT/CN2017/083687 WO2018192019A1 (zh) 2017-04-20 2017-05-10 显示基板的制作方法、显示基板及液晶显示面板
US15/543,985 US20180329251A1 (en) 2017-04-20 2017-05-10 Manufacturing method of display substrate, display substrate and liquid crystal display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710261634.6A CN107024806A (zh) 2017-04-20 2017-04-20 显示基板的制作方法、显示基板及液晶显示面板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107024806A true CN107024806A (zh) 2017-08-08

Family

ID=59528173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710261634.6A Pending CN107024806A (zh) 2017-04-20 2017-04-20 显示基板的制作方法、显示基板及液晶显示面板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20180329251A1 (zh)
CN (1) CN107024806A (zh)
WO (1) WO2018192019A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108873532A (zh) * 2018-06-07 2018-11-23 深圳市华星光电技术有限公司 立体电极的制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102629035A (zh) * 2011-09-29 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN102655146A (zh) * 2012-02-27 2012-09-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制备方法及显示装置
CN103064574A (zh) * 2013-01-14 2013-04-24 无锡力合光电石墨烯应用研发中心有限公司 一种石墨烯电容式触摸屏金属电极的精细图案化方法
US20150104623A1 (en) * 2012-04-25 2015-04-16 Graphene Square Inc. Patterning method for graphene using hot-embossing imprinting
US20150109719A1 (en) * 2013-10-17 2015-04-23 Electronics And Telecommunications Research Institute Method of forming graphene electrode and capacitor including the same
CN104656996A (zh) * 2015-03-03 2015-05-27 京东方科技集团股份有限公司 触控单元、触控基板及其制作方法和柔性触控显示装置
CN104835729A (zh) * 2015-04-03 2015-08-12 西安交通大学 一种柔性还原石墨烯图形化电极的模板热场诱导成形方法
CN105892747A (zh) * 2016-04-06 2016-08-24 深圳市华星光电技术有限公司 触摸显示面板、其制备方法以及触摸显示器

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104934551B (zh) * 2015-05-14 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性电极层及其制备方法、显示基板、显示装置
CN106009015B (zh) * 2016-07-15 2019-04-02 深圳市华星光电技术有限公司 导电聚合物薄膜及其制作方法与液晶显示面板

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102629035A (zh) * 2011-09-29 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN102655146A (zh) * 2012-02-27 2012-09-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制备方法及显示装置
US20150104623A1 (en) * 2012-04-25 2015-04-16 Graphene Square Inc. Patterning method for graphene using hot-embossing imprinting
CN103064574A (zh) * 2013-01-14 2013-04-24 无锡力合光电石墨烯应用研发中心有限公司 一种石墨烯电容式触摸屏金属电极的精细图案化方法
US20150109719A1 (en) * 2013-10-17 2015-04-23 Electronics And Telecommunications Research Institute Method of forming graphene electrode and capacitor including the same
CN104656996A (zh) * 2015-03-03 2015-05-27 京东方科技集团股份有限公司 触控单元、触控基板及其制作方法和柔性触控显示装置
CN104835729A (zh) * 2015-04-03 2015-08-12 西安交通大学 一种柔性还原石墨烯图形化电极的模板热场诱导成形方法
CN105892747A (zh) * 2016-04-06 2016-08-24 深圳市华星光电技术有限公司 触摸显示面板、其制备方法以及触摸显示器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108873532A (zh) * 2018-06-07 2018-11-23 深圳市华星光电技术有限公司 立体电极的制备方法
CN108873532B (zh) * 2018-06-07 2021-03-02 Tcl华星光电技术有限公司 立体电极的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20180329251A1 (en) 2018-11-15
WO2018192019A1 (zh) 2018-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102880369B (zh) 一种单片式电容触摸屏及其制备方法
CN103547984B (zh) 导电基板和包括该导电基板的触摸式面板
CN103176650B (zh) 导电玻璃基板及其制作方法
CN106782769A (zh) 低粗糙度低方阻的柔性透明导电复合薄膜及其制备方法
TWI542478B (zh) 印刷品、印刷品的製造方法、用於所述方法的基板、用於所述方法的墨水組成物、包括所述印刷品的顯示器基板以及包含所述顯示器基板的電子裝置
KR101324104B1 (ko) 그라핀 필름 및 패턴 제조 방법
CN105093636B (zh) 触控显示基板及其制备方法和触控显示面板
Wan et al. Facile patterning of silver nanowires with controlled polarities via inkjet-assisted manipulation of interface adhesion
CN105974683A (zh) 液晶显示面板及其制作方法
JP2010020313A (ja) タッチパネルを利用した液晶表示パネルの製造方法
CN106782741A (zh) 一种基于纳米压印的柔性透明导电膜及其制备方法
TW201133547A (en) Method for patterning substrate and method for manufacturing capacitive touch panel
CN110233003A (zh) 一种图案化AgNWs/PEDOT:PSS复合导电网格薄膜的制备方法
US20120164317A1 (en) Method for fabricating polarizer
WO2014180052A1 (zh) 彩色滤光片基板及其氧化铟锡薄膜图案结构、制作方法、液晶显示器
CN107024806A (zh) 显示基板的制作方法、显示基板及液晶显示面板
CN107093607A (zh) 阵列基板、显示基板的制作方法、显示基板及显示面板
CN105957646A (zh) 导电薄膜的制备方法
CN105931757A (zh) 一种制备导电薄膜的方法
KR101433047B1 (ko) 디스플레이용 투명 전극 및 이의 제조방법
TWI423106B (zh) 觸摸式液晶顯示屏的製備方法
KR20150043676A (ko) 기판 상에 기능성 패턴을 형성하는 방법
KR20150109514A (ko) 나노 물질 패턴의 제조방법
CN104851523B (zh) 一种柔性透明导电膜制作方法及柔性透明导电膜
CN107134434A (zh) 一种提高阵列基板掩膜剥离效率的方法、阵列基板及显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20170808

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication