TWI423106B - 觸摸式液晶顯示屏的製備方法 - Google Patents

Description

觸摸式液晶顯示屏的製備方法

本發明涉及一種觸摸式液晶顯示屏的製備方法，尤其涉及一種基於奈米碳管的觸摸式液晶顯示屏的製備方法。

近年來，伴隨著移動電話與觸摸導航系統等各種電子設備的高性能化及多樣化的發展，於液晶顯示屏等顯示元件的前面安裝透光性的觸摸屏的電子設備逐步增加。

按照觸摸屏的工作原理及傳輸介質的不同，先前的觸摸屏通常分為四種類型，分別為電阻式、電容感應式、紅外線式以及表面聲波式。其中電阻式觸摸屏的應用最為廣泛，請參見文獻"Production of Transparent Conductive Films with Inserted SiO2 Anchor Layer, and Application to a Resistive Touch Panel" Kazuhiro Noda, Kohtaro Tanimura. Electronics and Communications in Japan, Part 2, Vol.84, P39-45(2001)。

先前的電阻式觸摸屏一般包括一上基板，該上基板的下表面形成有一上透明導電層；一下基板，該下基板的上表面形成有一下透明導電層；以及複數個點狀隔離物(Dot Spacer)設置於上透明導電層與下透明導電層之間。其中，該上透明導電層與該下透明導電層通常採用具有導電特性的銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)層(下稱ITO層)。當使用手指或筆按壓上基板時，上基板發生扭曲，使得按壓處的上透明導電層與下透明導電層彼此接觸。通過外接的 電子電路分別向上透明導電層與下透明導電層依次施加電壓，觸摸屏控制器通過分別測量第一導電層上的電壓變化與第二導電層上的電壓變化，並進行精確計算，將它轉換成觸點座標。觸摸屏控制器將數位化的觸點座標傳遞給中央處理器。中央處理器根據觸點座標發出相應指令，啟動電子設備的各種功能切換，並通過顯示器控制器控制顯示元件顯示。

然而，ITO層作為透明導電層通常採用離子束濺射或蒸鍍等工藝製備，在製備的過程，需要較高的真空環境及需要加熱到200~300℃，故，使得ITO層的製備成本較高。此外，ITO層作為透明導電層具有機械性能不夠好、難以彎曲及阻值分佈不均勻等缺點。另，ITO在潮濕的空氣中透明度會逐漸下降。從而導致先前的電阻式觸摸屏及顯示裝置存在耐用性不夠好，靈敏度低、線性及準確性較差等缺點。由此可見，採用該觸摸屏的觸摸式液晶顯示屏具有製備工藝複雜，成本高，耐用性差，靈敏度低，且線性及準確性差等不足。

故，提供一種工藝簡單，成本低，且製備的觸摸式液晶顯示屏耐用性好，靈敏度高，線性及準確性強的觸摸式液晶顯示屏的製備方法實為必要。

一種觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其包括以下步驟：製備一觸摸屏，該觸摸屏包括一奈米碳管層；形成一第一偏光層於上述觸摸屏的一表面；形成一第一配向層於 上述第一偏光層的表面，從而形成一上基板；製備一薄膜電晶體面板，該薄膜電晶體面板包括複數個薄膜電晶體，該薄膜晶體管包括多個奈米碳管；形成一第二配向層覆蓋於上述薄膜電晶體面板形成薄膜電晶體的表面；形成一第二偏光層於上述薄膜電晶體面板遠離第二配向層的表面，形成一下基板；設置一液晶層於上基板的第一配向層與下基板的第二配向層之間形成一三明治結構，從而得到一觸摸式液晶顯示屏。

與先前技術的觸摸式液晶顯示屏的製備方法相比較，本技術方案提供的觸摸式液晶顯示屏的製備方法具有以下優點：其一，由於奈米碳管層具有優異的力學特性並且耐彎折，故，採用上述的奈米碳管層作透明導電層，可使得透明導電層具有很好的韌性及機械強度。進一步地，與柔性基體配合，可製備一柔性觸摸式液晶顯示屏，從而適合用於柔性顯示裝置上。其二，由於本實施例所提供的奈米碳管薄膜由一拉伸工具拉取而獲得，該方法無需真空環境及加熱過程，故採用上述的方法製備的奈米碳管薄膜用作透明導電層及製備的觸摸式液晶顯示屏，具有成本低、環保及節能的優點。其三，由於所述偏光層中的奈米碳管沿同一方向排列，具有偏光作用，故，可簡化該觸摸式液晶顯示屏的結構。其四，由於本實施例提供的奈米碳管薄膜可通過一熱壓過程黏結於基體上，從而降低製作成本，簡化製作工藝。

請參閱圖1及圖2，本技術方案實施例提供一種觸摸式液晶顯示屏10的製備方法，其主要包括以下步驟：步驟一：製備一上基板20。

首先，請參閱圖3，製備一觸摸屏200。

(一)提供一第一基體206，其包括兩個相對的表面。所述第一基體206為一透明的柔性平面結構。該第一基體206的厚度為0.01毫米～1厘米，面積不限，可以根據實際情況選擇。該第一基體206由塑膠，樹脂等柔性材料形成。具體地，所述第一基體206的材料可以為聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚碸(PES)、聚亞醯胺(PI)、纖維素酯、苯並環丁烯(BCB)、聚氯乙烯(PVC)及丙烯酸樹脂等材料中的一種或幾種。可以理解，形成所述第一基體206的材料並不限於上述列舉的材料，只要確保所述第一基體206具有一定柔性及較好的透明度即可。

本技術方案實施例中，所述第一基體206為一聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜(以下簡稱PET薄膜)。該PET薄膜的厚度為2毫米，寬度為20厘米，長度為30厘米。

(二)形成一第一透明導電層208於所述第一基體206的一個表面。

(A)製備至少一個奈米碳管薄膜。

所述製備奈米碳管薄膜的方法包括直接生長法、絮化法、碾壓法或拉膜法等其他方法。所述直接生長法為用化學氣相沈積法於一基板上生長奈米碳管薄膜，該奈米碳管 薄膜為無序奈米碳管薄膜，該奈米碳管薄膜中包括複數個無序排列的奈米碳管。所述絮化法製備奈米碳管包括以下步驟：將直接生長得到的奈米碳管原料加入到溶劑中並進行絮化處理獲得奈米碳管絮狀結構；以及將上述奈米碳管絮狀結構從溶劑中分離，並對該奈米碳管絮狀結構定型處理以獲得奈米碳管薄膜，該奈米碳管薄膜為無序奈米碳管薄膜，且包括複數個相互纏繞且各向同性的奈米碳管。所述碾壓法製備奈米碳管薄膜包括以下步驟：提供一奈米碳管陣列形成於一基底；以及提供一施壓裝置擠壓上述奈米碳管陣列，從而得到奈米碳管薄膜，該奈米碳管薄膜為有序奈米碳管薄膜，且包括複數個沿一個或複數個方向擇優取向排列的奈米碳管。

本技術方案實施例以拉膜法製備一奈米碳管薄膜的方法具體包括以下步驟：(a)提供一奈米碳管陣列，優選地，該陣列為超順排奈米碳管陣列；(b)從上述奈米碳管陣列中選定一定寬度的部分奈米碳管，本實施例優選為採用具有一定寬度的膠帶接觸奈米碳管陣列以選定一定寬度的部分奈米碳管；(c)以一定速度沿基本垂直于奈米碳管陣列生長方向拉伸該部分奈米碳管，形成一連續的奈米碳管薄膜。

該超順排奈米碳管陣列的製備方法可採用化學氣相沈積法、石墨電極恒流電弧放電沈積法或鐳射蒸發沈積法。本技術方案實施例提供的奈米碳管陣列為單壁奈米碳管陣列、雙壁奈米碳管陣列及多壁奈米碳管陣列中的一種或複 數種。該超順排奈米碳管陣列為複數個彼此平行且垂直於基底生長的奈米碳管形成的純奈米碳管陣列。該生長奈米碳管的基底可迴圈多次使，從而降低該奈米碳管陣列的製造成本。用該奈米碳管陣列中的奈米碳管彼此通過凡德瓦爾力緊密接觸形成陣列。該奈米碳管陣列與上述基底面積基本相同。該奈米碳管陣列的高度大於100微米。本實施例中，優選地，奈米碳管陣列的高度為200微米～900微米。

請參閱圖4，在上述拉伸過程中，在拉力作用下超順排奈米碳管陣列中的部分奈米碳管沿拉伸方向逐漸脫離基底的同時，由於凡德瓦爾力作用，該超順排奈米碳管陣列中的其他奈米碳管首尾相連地連續地被拉出，從而形成一奈米碳管薄膜。該奈米碳管薄膜包括複數個奈米碳管首尾相連且沿拉伸方向定向排列。該直接拉伸獲得的擇優取向排列的奈米碳管薄膜比無序的奈米碳管薄膜具有更好的均勻性，即具有更均勻的厚度以及更均勻的導電性能。同時該直接拉伸獲得奈米碳管薄膜的方法簡單快速，適宜進行工業化應用。

本實施例中，所述奈米碳管薄膜的寬度與奈米碳管陣列所生長的基底的尺寸有關，該奈米碳管薄膜的長度不限，可根據實際需求制得。本實施例中採用4英寸的基底生長超順排奈米碳管陣列，該奈米碳管薄膜的寬度可為0.01厘米～10厘米，該奈米碳管薄膜的厚度為0.5奈米～100微米。該奈米碳管薄膜中的奈米碳管為單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管及多壁奈米碳管中的一種或複數種。該單壁奈 米碳管的直徑為0.5奈米～50奈米，該雙壁奈米碳管的直徑為1.0奈米～50奈米，該多壁奈米碳管的直徑為1.5奈米～50奈米。

(B)採用鐳射光處理上述奈米碳管薄膜。

由於奈米碳管薄膜中的奈米碳管本身之間存在凡德瓦爾力，奈米碳管薄膜中的某些奈米碳管容易聚集形成奈米碳管束，該奈米碳管束直徑較大，影響了奈米碳管薄膜的導電性。為提高奈米碳管薄膜的透光性，以功率密度大於0.1×10⁴ 瓦特/平方米的鐳射光照射該奈米碳管薄膜，除去奈米碳管薄膜中透光性較差奈米碳管束。採用鐳射光處理奈米碳管薄膜的步驟可以在含氧環境中進行，優選地，在空氣環境進行。

採用鐳射光處理上述奈米碳管薄膜可以通過固定奈米碳管薄膜，然後移動鐳射裝置照射該奈米碳管薄膜的方法實現；或通過固定鐳射裝置，移動奈米碳管薄膜使鐳射光照射該奈米碳管薄膜的方法實現。

上述鐳射光照射奈米碳管薄膜的過程中，由於奈米碳管對鐳射光具有良好的吸收特性，而鐳射光為一具有較高能量的光，被奈米碳管薄膜吸收後會產生一定的熱量，使奈米碳管薄膜中的奈米碳管升溫。奈米碳管薄膜中，奈米碳管薄膜中，直徑較大的奈米碳管束吸收的熱量較多，因此，在奈米碳管束中的奈米碳管的溫度較高，當奈米碳管的溫度達到足夠高時(一般大於600℃)，奈米碳管束被鐳射光燒掉。相對於鐳射光處理前的奈米碳管薄膜。鐳射光 處理後的奈米碳管薄膜的透光性有顯著的提高，其透光率大於70%。

可以理解，採用鐳射光處理奈米碳管拉膜結構的目的為進一步提高奈米碳管拉膜結構的透明度，因此本步驟為一可選擇的步驟。

(C)將所述至少一個奈米碳管薄膜設置於所述第一基體206的一個表面，形成一奈米碳管層，從而在所述第一基體206的表面形成第一透明導電層208。

本技術方案實施例中，所述第一透明導電層208為一奈米碳管層，該奈米碳管層包括複數個定向排列的奈米碳管。進一步地，所述奈米碳管層可以為單個奈米碳管薄膜或複數個平行且無間隙鋪設的奈米碳管薄膜。由於上述的奈米碳管層中的複數個奈米碳管薄膜可以平行且無間隙的鋪設，故，上述奈米碳管層的長度和寬度不限，可根據實際需要製成具有任意長度和寬度的奈米碳管層。可以理解，本技術方案所述的奈米碳管層也可為其他結構的奈米碳管層，並不僅限於本實施例所述的結構。本實施例中，所述奈米碳管層包括複數個平行且無間隙鋪設的奈米碳管薄膜。

可以理解，本實施例中，還可以將至少兩個奈米碳管薄膜重疊鋪設形成複數個奈米碳管層，且該複數個奈米碳管層依據奈米碳管的排列方向以一交叉角度α直接重疊鋪設，其中，0∘α90∘。本實施例中，α優選為90度。

具體地，所述將上述至少一個奈米碳管薄膜鋪設在所 述第一基體206的表面的步驟為：將至少一個奈米碳管薄膜直接鋪設在所述第一基體206的表面或將複數個奈米碳管薄膜平行且無間隙地鋪設在所述第一基體206的表面，形成一覆蓋在所述第一基體206的表面上的奈米碳管層。可以理解，也可將至少兩個奈米碳管薄膜重疊鋪設在所述第一基體206的表面形成複數個奈米碳管層；所述複數個奈米碳管層依據奈米碳管的排列方向以一交叉角度α直接重疊鋪設，其中，0∘α90∘。由於所述奈米碳管薄膜包括複數個定向排列的奈米碳管，且該複數個奈米碳管沿著拉膜的方向排列，故可以將上述的複數個奈米碳管層依據奈米碳管的排列方向以一交叉角度α設置。

另外，所述將上述至少一奈米碳管薄膜鋪設在所述第一基體206的表面的步驟還可為：將所述至少一個奈米碳管薄膜直接鋪設於一支撐體的表面或將複數個奈米碳管薄膜平行且無間隙地鋪設於一支撐體的表面；除去所述支撐體，形成一自支撐的奈米碳管薄膜結構；及將該奈米碳管薄膜結構直接覆蓋在所述第一基體206的表面，形成一奈米碳管層。可以理解，也可將至少兩個奈米碳管薄膜依據奈米碳管的排列方向以一交叉角度α重疊鋪設在所述支撐體的表面，從而形成複數個自支撐的奈米碳管薄膜結構，其中，0∘α90∘。將上述的複數個奈米碳管薄膜結構覆蓋在所述第一基體206的表面，從而形成複數個奈米碳管層。由於所述奈米碳管薄膜包括複數個定向排列的奈米碳管，且該複數個奈米碳管沿著拉膜的方向排列，故可以將 上述的複數個奈米碳管層中的奈米碳管以一交叉角度α設置。

上述支撐體可以為一基板，也可選用一框架結構。由於本實施例提供的超順排奈米碳管陣列中的奈米碳管非常純淨，且由於奈米碳管本身的比表面積非常大，所以該奈米碳管薄膜本身具有較強的粘性，該奈米碳管薄膜可利用其本身的粘性直接粘附於基板或框架。奈米碳管薄膜黏附在基板或框架上，基板或框架以外多餘的奈米碳管薄膜部分可以用刀子刮去。去除基板或框架，得到一奈米碳管薄膜結構。本實施例中，該基板或框架的大小可依據實際需求確定。

進一步地，在所述將至少一個奈米碳管薄膜鋪設在上述第一基體206的表面之前，或形成至少一覆蓋於所述第一基體206的表面的奈米碳管層之後，用有機溶劑處理該奈米碳管薄膜或該奈米碳管層的步驟。該有機溶劑為揮發性有機溶劑，可選用乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿等，本實施例中的有機溶劑採用乙醇。該使用有機溶劑處理的步驟可通過試管將有機溶劑滴落在奈米碳管薄膜或奈米碳管層的表面，並浸潤整個奈米碳管薄膜或奈米碳管層。也可將上述形成有奈米碳管層的第一基體206或形成有奈米碳管薄膜結構的支撐體整個浸入盛有有機溶劑的容器中浸潤。所述的奈米碳管薄膜、奈米碳管層或奈米碳管薄膜結構經有機溶劑浸潤處理後，在揮發性有機溶劑的表面張力的作用下，其中的平行的奈米碳管片斷會部分聚集 成奈米碳管束。因此，該奈米碳管薄膜、奈米碳管層或奈米碳管薄膜結構表面體積比小，無粘性，且具有良好的機械強度及韌性。

此外，本實施例中，還可以形成一奈米碳管複合材料層於所述第一基體206的表面作為第一透明導電層208，具體包括以下步驟：(A)在形成奈米碳管層於所述第一基體206的表面之前，可塗覆一高分子材料溶液層於所述第一基體206的一表面。

所述塗覆一高分子材料溶液層於所述第一基體206的一表面的方法為：採用刷子或其他工具沾取一定量的高分子材料溶液，均勻塗敷於柔性基體的表面或將柔性基體的表面浸沒於高分子材料溶液中直接沾取一定量的高分子材料溶液，形成一高分子材料溶液層。可以理解，所述在該柔性基體的表面塗敷高分子材料溶液的方式不限，只要可以在柔性基體的表面形成均勻的高分子材料層即可。所述高分子材料層的厚度為0.1微米～1毫米。

所述的高分子材料溶液包括高分子材料在一定溫度下本身所形成的熔融態的溶液或高分子材料溶於揮發性有機溶劑所形成的溶液，其具有一定的粘度，優選地，高分子材料溶液的粘度大於1Pa.s。所述的高分子材料在常溫下為固態，且具有一定的透明度。所述揮發性有機溶劑包括乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿等。所述高分子材料為一透明高分子材料，其包括聚苯乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯、 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、苯丙環丁烯(BCB)、聚環烯烴等。本實施例中，所述的高分子材料為PMMA。

(B)設置一奈米碳管層于該高分子材料溶液層上，使該高分子材料溶液均勻分散到該奈米碳管層中。使該高分子材料溶液均勻分散到該奈米碳管層中的方法包括熱壓法，冷壓法或採用一定的風力吹該奈米碳管層等。

請參見圖5，本實施例採用熱壓法使該高分子材料溶液均勻分散到該奈米碳管層中。該方法通過一熱壓裝置50實現，具體包括以下步驟：(a)將至少一個上述覆蓋有奈米碳管層與高分子材料溶液層的第一基體206放置於一具有軋輥的熱壓裝置50中。

所述熱壓裝置50包括一施壓裝置及一加熱裝置(圖中未顯示)。本實施例中，所述熱壓裝置50為熱壓機或封塑機，所述施壓裝置為兩個金屬軋輥52。

(b)加熱所述熱壓裝置50中的軋輥。具體地，用熱壓裝置50中的加熱裝置加熱所述軋輥。本實施例中，加熱的溫度為110℃~120℃。可以理解，所述加熱軋輥的溫度可以根據實際需要進行選擇。

(c)將所述覆蓋有奈米碳管層與高分子材料溶液層的第一基體206通過加熱了的軋輥。

本實施例中，將所述覆蓋有奈米碳管層與高分子材料溶液層的第一基體206慢慢通過加熱了的金屬雙輥，速度 控制在1毫米/分～10米/分。加熱了的軋輥可以施加一定的壓力於所述覆蓋有奈米碳管層與高分子材料溶液層的第一基體206，並能軟化所述奈米碳管層與高分子材料溶液層，使得所述奈米碳管層與高分子材料溶液層之間的空氣被擠壓出來，從而使得所述奈米碳管層均勻分散于奈米碳管層中。

(C)固化形成一奈米碳管複合材料層作為第一透明導電層208。該高分子材料溶液層還可起到粘結劑的作用，用於將所述奈米碳管薄膜牢固地粘結在所述第一基體206的一個表面。

具體地，在塗覆低熔點的材料於所述第一基體206的表面之前，還進一步包括一清洗所述第一基體206的步驟。所述清洗方法包括用乙醇、丙酮等有機溶劑清洗所述第一基體206的表面。可以理解，所述對第一基體206的清洗也可採用其他方法和溶劑，只需確保所述第一基體206表面無污染物即可。

(三)間隔地形成兩個電極(圖中未顯示)於上述熱壓後的奈米碳管層或第一基體206的兩端，形成一電極板202，作為第一電極板202。

所述兩個電極的材料為金屬、奈米碳管薄膜、導電的銀漿層或其他導電材料。本技術方案實施例中，所述兩個電極為導電的銀漿層。所述兩個電極的形成方法為：採用絲網印刷、移印或噴塗等方式分別將銀漿塗覆在上述奈米碳管層或第一基體206的兩端。然後，放入烘箱中烘烤 10-60分鐘使銀漿固化，烘烤溫度為100℃-120℃，即可得到所述兩個電極。上述製備方法需確保所述兩個電極與所述奈米碳管層電連接。

(四)提供一第二基體210，其包括兩個相對的表面，形成一奈米碳管層於所述第二基體210的一表面作為第二透明導電層212，且間隔地形成兩個電極(圖中未顯示)於該奈米碳管層的兩端或所述第二基體210的兩端，形成一第二電極板204。

所述第二基體210為一透明的平面結構。該第二基體210的厚度為0.01毫米～1厘米，面積不限，可以根據實際情況選擇。該第二基體210的材料可以為硬性材料或柔性材料。其中，所述硬性材料可以為玻璃、石英、金剛石或塑膠等中的一種或幾種。所述柔性材料可以為聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚碸(PES)、聚亞醯胺(PI)、纖維素酯、苯並環丁烯(BCB)、聚氯乙烯(PVC)及丙烯酸樹脂等材料中的一種或幾種。可以理解，形成所述第二基體210的材料並不限於上述列舉的材料，只要確保所述第二基體210具有一定透明度即可。

本技術方案實施例中，所述第二基體210也為一聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜(以下簡稱PET薄膜)。該PET薄膜的厚度為2毫米，寬度為20厘米，長度為30厘米。所述形成一奈米碳管層於所述第二基體210的一表面以及間隔地形成兩個電極於該奈米碳管層的兩端或所述第二基 體210的兩端的方法與上述步驟中形成一奈米碳管層於所述第一基體206的一表面以及間隔地形成兩個電極於該奈米碳管層的兩端或所述第一基體206的兩端的方法相同。

(五)封裝上述第一電極板202與第二電極板204，得到一觸摸屏200。具體包括以下步驟：(A)形成一絕緣層214於所述第二電極板204的第二透明導電層212的週邊。所述絕緣層214可採用絕緣透明樹脂或其他絕緣透明材料製成。所述絕緣層214的形成方法為：塗敷一絕緣粘合劑於所述第二電極板204的第二透明導電層212的週邊。該絕緣粘合劑用作絕緣層214。

(B)覆蓋第一電極板202於所述絕緣層214上，且使所述第一透明導電層208和所述第二透明導電層212相對設置，得到一觸摸屏200。

該步驟中，需使所述第一電極板202上的兩個電極和所述第二電極板204上的兩個電極交叉設置。

進一步，覆蓋第一電極板202於所述絕緣層214上之前還可包括一形成複數個透明點狀隔離物216於所述第一電極板202和第二電極板204之間的步驟。該透明點狀隔離物216的形成方法為：將包含該複數個透明點狀隔離物216的漿料塗敷在第二電極板204上絕緣層214之外的區域，烘乾後即形成所述透明點狀隔離物216。所述絕緣層214與所述透明點狀隔離物216均可採用絕緣樹脂或其他絕緣材料製成。設置絕緣層214與點狀隔離物216可使得 第一電極板202與第二電極板204電絕緣。可以理解，當觸摸屏200尺寸較小時，點狀隔離物216為可選擇的結構，只需確保第一電極板202與第二電極板204電絕緣即可。

可以理解，本實施例中還可以先於第一電極板202的第一透明導電層208的週邊形成一絕緣層214，然後，覆蓋第二電極板204於所述絕緣層214上，形成一觸摸屏200。

進一步，制得一觸摸屏200後還可設置一透明保護膜218於該觸摸屏200第一基體206的另一表面。該透明保護218膜可由氮化矽、氧化矽、苯丙環丁烯(BCB)、聚酯以及丙烯酸樹脂等材料中的一種或幾種形成。該透明保護膜218也可採用一層表面硬化處理、光滑防刮的塑膠層，如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜，用於保護該觸摸屏200，以提高耐用性。該透明保護膜218還可用於提供一些其他的附加功能，如可以減少眩光或降低反射。本實施例中，該透明保護膜218採用有粘性的PET膜，該PET膜可直接粘附於第一基體206遠離第一透明導電層208的表面用作透明保護膜218。

其次，請參見圖6，形成一第一偏光層220於所述第二基體210遠離第二透明導電層212的表面。

所述第一偏光層220為一奈米碳管層。該奈米碳管層包括複數個平行無間隙或重疊設置的奈米碳管有序膜，且相鄰兩個奈米碳管有序膜中奈米碳管的排列方向相同。該奈米碳管有序膜包括複數個奈米碳管首尾相連且擇優取向 排列。該複數個奈米碳管之間通過凡德瓦爾力結合。一方面，首尾相連的奈米碳管之間通過凡德瓦爾力連接；另一方面，擇優取向排列的奈米碳管之間部分通過凡德瓦爾力結合。故，該奈米碳管有序膜具有較好的自支撐性及柔韌性。

所述形成一奈米碳管層於所述第二基體210的表面的方法與上述步驟中形成一奈米碳管層於所述第一基體206的一表面的方法基本相同。其區別在於，該步驟中，奈米碳管層必須採用奈米碳管有序膜製作，且相鄰兩個奈米碳管有序膜中奈米碳管的排列方向相同。該第一偏光層220的厚度為100微米～1毫米。

可以理解，由於該奈米碳管具有優良的導電性，且該第一偏光層220包括複數個沿同一方向排列的奈米碳管，所以該第一偏光層220同時具有透明電極與偏光片的作用。

最後，形成一第一配向層222於上述第一偏光層220的表面，從而形成一上基板20。

所述第一配向層222的製備方法主要包括以下步驟：(一)在第一偏光層220表面上形成一配向膜。所述配向膜的材料包括聚苯乙烯及其衍生物、聚醯亞胺、聚乙烯醇、聚酯、環氧樹脂、聚胺酯、聚矽烷等。所述形成一配向膜的方法為絲網印刷法或噴塗法等。本實施例中，通過噴塗法於第一偏光層220表面上形成一層聚醯亞胺作為配向膜。

(二)形成複數個微小溝槽于該配向膜表面，從而形成第一配向層222。所述形成複數個微小溝槽的方法可以為經磨擦法，傾斜蒸鍍SiOx膜法和對膜進行微溝槽處理法等方法。

步驟二：製備一下基板30。

請參見圖7，圖8及圖9，製備一下基板30的方法具體包括以下步驟：首先，製備一薄膜電晶體面板300，該薄膜電晶體面板300包括複數個奈米碳管薄膜電晶體，該複數個奈米碳管薄膜電晶體組成一薄膜電晶體陣列304。

(一)提供一第三基體302，形成一導電層320於所述第三基體302表面，圖案化該導電層320，在所述第三基體表面形成複數個平行等間隔設置的行電極及複數個與行電極330電連接的閘極328。所述第三基體302的材料以及大小與上述第二基體210相同。

所述行電極330與閘極328的材料可以為金屬、合金、銦錫氧化物(ITO)、銻錫氧化物(ATO)、導電銀膠、導電聚合物以及金屬性奈米碳管薄膜等導電材料。根據形成行電極330與閘極328的材料種類的不同，可以採用不同方法形成該行電極330與閘極328。具體地，當該行電極330與閘極328的材料為金屬、合金、ITO或ATO時，可以通過蒸鍍、濺射、沈積、掩模及刻蝕等方法形成行電極330與閘極328，並使所述閘極328與對應的行電極330電連接。當該行電極330與閘極328的材料為導電銀膠、導電 聚合物或奈米碳管薄膜時，可以通過印刷塗覆或直接黏附的方法，將該導電銀膠或奈米碳管薄膜塗覆或黏附於第三基體302表面，形成行電極330與閘極328，並使所述閘極328與對應的行電極330電連接。一般地，該行電極330與閘極328的厚度為0.5奈米～100微米。

(二)在所述每一柵極328表面形成一絕緣層362。

該絕緣層362的材料可以為氮化矽、氧化矽等硬性材料或苯並環丁烯(BCB)、聚酯或丙烯酸樹脂等柔性材料。根據絕緣層362的材料種類的不同，可以採用不同方法形成該絕緣層362。具體地，當該絕緣層362的材料為氮化矽或氧化矽時，可以通過沈積的方法形成絕緣層362。當該絕緣層362的材料為苯並環丁烯(BCB)、聚酯或丙烯酸樹脂時，可以通過印刷塗附的方法形成絕緣層362。一般地，該絕緣層362的厚度為0.5奈米～100微米。

本實施方式中採用電漿體化學氣相沈積等沈積方法形成一氮化矽絕緣層362覆蓋於閘極328表面。絕緣層362的厚度約為1微米。

(三)在所述每一絕緣層362表面形成一奈米碳管半導體層360。

本實施例中，在所述每一絕緣層362表面形成一奈米碳管半導體層360的方法具體包括以下步驟：(A)提供至少一奈米碳管薄膜；(B)將所述至少一奈米碳管薄膜鋪設於所述第三基體302每一絕緣層362表面。(C)除去所述每一絕緣層362之外的奈米碳管薄膜，從而在每一絕緣層 362表面形成一奈米碳管半導體層360。

本實施例中，所述奈米碳管半導體薄膜320包括複數個平行重疊鋪設的超長奈米碳管薄膜，該超長奈米碳管薄膜包括複數個平行于奈米碳管薄膜表面的超長奈米碳管，且超長奈米碳管彼此平行排列。複數個超長奈米碳管為定向排列的單壁奈米碳管或雙壁奈米碳管奈米碳管，直徑為0.5奈米～10奈米。

所述超長奈米碳管薄膜的製備方法包括以下步驟：提供一基底；在所述基底表面形成至少一個帶狀催化劑薄膜；採用化學氣相沈積法生長至少一個帶狀奈米碳管陣列；以及處理所述至少一個帶狀奈米碳管陣列，使所述至少一個帶狀奈米碳管陣列沿垂直于其長度的方向傾倒，在基底表面形成至少一個帶狀奈米碳管薄膜。

所述超長奈米碳管薄膜還可以採用以下方法製備：提供一生長裝置，且該生長裝置包括一反應室以及間隔設置於該反應室內的一旋轉平臺與一固定平臺，反應室包括一進氣口與一出氣口，且所述固定平臺設置於靠近進氣口一邊，所述旋轉平臺設置於靠近出氣口一邊；提供一生長基底以及一接收基底，並在該生長基底表面沈積一單分散性催化劑層；將所述生長基底放置於該固定平臺上，將所述接收基底放置於該旋轉平臺上；通入碳源氣，沿著氣流的方向生長超長奈米碳管；停止通入碳源氣，超長奈米碳管平行且間隔的形成在接收基底表面；更換生長基底，並多次重複上述生長超長奈米碳管的步驟，在接收基底上形成 至少一奈米碳管薄膜；將所述至少一奈米碳管薄膜從接收基底上取下，從而得到一奈米碳管薄膜結構。

所述除去所述每一絕緣層362之外的奈米碳管薄膜的方法可以採用鐳射光刻蝕、電漿體刻蝕等方法對該奈米碳管半導體薄膜320進行切割，從而在每一絕緣層362表面形成一奈米碳管半導體層360。

(四)在所述第三基體302形成有閘極328的表面平行等間隔形成複數個列電極340，在每一奈米碳管半導體層360表面間隔設置一源極364及一汲極366，所述源極364與對應的列電極340電連接，所述每兩個相鄰的列電極340與所述每兩個相鄰的行電極330構成一網格結構350。

所述列電極340、源極364及汲極366的材料以及形成方法同所述行電極330及閘極328相同。所述列電極330與行電極340交叉處形成有絕緣層，使得行電極330與列電極340電絕緣。

奈米碳管半導體薄膜中的奈米碳管薄膜沿基本相同的方向重疊時，該源極364及汲極366應沿奈米碳管半導體層360中奈米碳管的排列方向間隔形成于奈米碳管半導體層360上，從而使奈米碳管半導體層360中的奈米碳管的排列方向均沿源極364至汲極366的方向排列。

可以理解，為了得到具有更好的奈米碳管半導體層360，在形成源極364及汲極366之後，可以進一步包括一去除奈米碳管半導體層360中的金屬性奈米碳管的步驟。 具體包括以下步驟：首先，提供一外部電源，其次，將外部電源的正負兩極連接至源極364及汲極366；最後，通過外部電源在源極364及汲極366兩端施加一電壓，使金屬性的奈米碳管發熱並燒蝕，獲得一半導體性更好的奈米碳管半導體層360。該電壓在1~1000伏範圍內。

另外，上述去除奈米碳管半導體層360中金屬性奈米碳管的方法也可以使用氫電漿體、微波、太赫茲(THz)、紅外線(IR)、紫外線(UV)或可見光(Vis)照射該奈米碳管半導體層360，使金屬性的奈米碳管發熱並燒蝕，獲得一半導體性更好的奈米碳管半導體層360。

(五)在所述每個網格結構350中形成一像素電極370，使得所述像素電極370與網格結構350中對應的汲極366電連接，從而在第三基體302表面形成一薄膜電晶體陣列304，進而得到一薄膜電晶體面板300。

所述像素電極370為一導電薄膜，該導電薄膜的材料為一導電材料，當用於液晶顯示器中時，該像素電極370可選擇為銦錫氧化物(ITO)層、銻錫氧化物(ATO)層、銦鋅氧化物(IZO)層或金屬性奈米碳管薄膜等透明導電層。所述像素電極370的面積小於對應網格結構350的面積，且所述像素電極370與網格結構350中的行電極330、列電極340電絕緣，與汲極366電連接。所述像素電極370的面積為10平方微米～0.1平方毫米。本實施例中，所述像素電極370的材料為ITO，面積為0.05平方毫米。

所述像素電極370可以通過以下方法製備：(A)在所 述第三基體302形成有網格結構350的表面形成一導電層。(B)圖案化該導電層，在每個網格結構350內形成一個像素電極，使所述像素電極370與行電極330、列電極340以及形成有間隙，與汲極366電連接。所述像素電極370與行電極330、列電極340之間形成的間隙保證所述像素電極370與網格中的行電極330、列電極340電絕緣。所述圖案化該導電層的方法包括鐳射光刻蝕、電漿體刻蝕等方法。

其次，請參閱圖9，形成一第二配向層306，覆蓋於上述薄膜電晶體面板300形成有薄膜電晶體陣列304的表面。

所述形成一第二配向層306覆蓋於該薄膜電晶體陣列304上的方法與形成一第一配向層222於上述偏光層220表面的方法相同。由於第二配向層306為一可選擇部件，所以，該步驟為一可選擇步驟。

最後，形成一第二偏光層308於所述薄膜電晶體面板遠離第二配像層306的表面，從而得到一下基板30。

本實施例中。形成第二偏光層308於所述薄膜電晶體面板遠離第二奈米碳管配像層306的表面的方法同在第一基體206的表面形成第一偏光層206的方法相同。所述第二偏光層308包括複數個重疊設置的奈米碳管有序膜，且相鄰兩個奈米碳管有序膜中奈米碳管的排列方向相同。所述第二偏光層308的光偏振方向與所述第一偏光層206的光偏振方向相互垂直。當使用偏振光源時，第二偏光層308為一可選擇部件，所以，該步驟為一可選擇步驟。

步驟三：設置一液晶層40於上基板20的第一配向層22與下基板30的第二配向層206之間形成一三明治結構，從而得到一觸摸式液晶顯示屏10。

所述設置一液晶層40於上述上基板20的第一配向層222與上述下基板30的第二配向層306之間形成一三明治結構的方法具體包括以下步驟：首先，將液晶材料滴到上基板20的第一配向層222或下基板30的第二配向層306的表面，從而形成一液晶層40。本實施例中，採用滴管吸取一定量的液晶材料，之後滴到下基板30的第二配向層306的表面，形成一液晶層40，該液晶層40包括複數個長棒狀的液晶分子。

其次，將另一基板的配向層緊鄰所述液晶層40鋪設，且保證上基板20的第一配向層222與下基板30的第二配向層306上的複數個微小溝槽的沿伸方向相互垂直。最後，將上基板20和下基板30的周邊採用密封膠進行密封。本實施例，所述的密封膠為706B型號硫化矽橡膠。將該密封膠塗敷於相對設置的上基板20和下基板30的邊緣，放置一天即可凝固。

可以理解，本實施例中還可以通過以下方法設置一液晶層40於上述上基板20的第一配向層222與上述下基板30的第二配向層306之間形成一三明治結構，具體包括以下步驟：首先，將上述上基板20與下基板30平行且間隔設置，且第一配向層222與第二配向層306正對。

其次，將上基板20和下基板30的周邊採用密封膠進行密封，且保留一小孔。

最後，通過該小孔將一定量的液晶材料注入到上基板20與下基板30之間形成一液晶層40，並密封得到一觸摸式液晶顯示屏10。

進一步，為了保持上基板20和下基板30之間的間距，還可在設置液晶層40之前，先於上基板20和下基板30之間設置複數個透明間隔物(圖中未顯出)。所述間隔物的材料和大小可根據實際需要進行選擇。本實施例，將1~10微米的聚乙烯(polyethylene, PE)小球超聲分散在無水乙醇中，用滴管吸取少量上述溶液，滴在下基板30的第一配向層306的表面。待乙醇揮發後，剩餘的PE小球將起到間隔物的作用。

本技術方案實施例提供的觸摸式液晶顯示屏10的製備方法具有以下優點：其一，由於奈米碳管層具有優異的力學特性並且耐彎折，故，採用上述的奈米碳管層作透明導電層，可使得透明導電層具有很好的韌性和機械強度。進一步地，與柔性基體配合，可以製備一柔性觸摸式液晶顯示屏10，從而適合用於柔性顯示裝置上。其二，由於本實施例所提供的奈米碳管薄膜由一拉伸工具拉取而獲得，該方法無需真空環境和加熱過程，故採用上述的方法製備的觸摸式液晶顯示屏10，具有成本低、環保及節能的優點。其三，由於所述第一偏光層220中的奈米碳管沿同一方向排列，具有偏光作用，所以可以簡化該觸摸式液晶顯 示屏10的結構。其四，由於本實施例提供的奈米碳管薄膜可通過一熱壓過程粘結在基體上，從而降低了製作成本，簡化了製作工藝。進一步地，本實施例的熱壓過程，溫度要求較低，從而對基體材料的溫度限制較小。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

觸摸式液晶顯示屏‧‧‧10

上基板‧‧‧20

觸摸屏‧‧‧200

第一電極板‧‧‧202

第二電極板‧‧‧204

第一基體‧‧‧206

第一透明導電層‧‧‧208

第二基體‧‧‧210

第二透明導電層‧‧‧212

絕緣層‧‧‧214

透明點狀隔離物‧‧‧216

透明保護膜‧‧‧218

第一偏光層‧‧‧220

第一配向層‧‧‧222

下基板‧‧‧30

薄膜電晶體面板‧‧‧300

第三基體‧‧‧302

薄膜電晶體陣列‧‧‧304

第二配向層‧‧‧306

第二偏光層‧‧‧308

導電層‧‧‧320

閘極‧‧‧328

行電極‧‧‧330

列電極‧‧‧340

網格結構‧‧‧350

奈米碳管半導體層‧‧‧360

絕緣層‧‧‧362

源極‧‧‧364

汲極‧‧‧366

像素電極‧‧‧370

液晶層‧‧‧40

熱壓裝置‧‧‧50

金屬軋輥‧‧‧52

圖1為本技術方案實施例的觸摸式液晶顯示屏的製備方法的流程圖。

圖2為本技術方案實施例的觸摸式液晶顯示屏的結構側視圖。

圖3為本技術方案實施例的觸摸屏的製備工藝流程圖。

圖4為本技術方案實施例中奈米碳管薄膜的掃描電鏡圖。

圖5為本技術方案實施例的熱壓過程示意圖。

圖6為本技術方案實施例的上基板的製備工藝流程圖。

圖7為本技術方案實施例製備的薄膜電晶體面板的俯視結構圖。

圖8為本技術方案實施例的薄膜電晶體面板的製備工 藝流程圖。

圖9為本技術方案實施例的下基板的製備工藝流程圖。

Claims (21)

1. 一種觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其包括以下步驟：製備一觸摸屏，所述觸摸屏的製備方法具體包括以下步驟：提供一第一基體，其包括兩個相對的第一表面和第二表面；形成一第一奈米碳管層於所述第一基體的第一表面；間隔地形成兩個電極於上述奈米碳管層的兩端或所述第一基體的兩端，且與該奈米碳管層電連接，形成一第一電極板；提供一第二基體，其包括兩個相對的第一表面和第二表面；形成一第二奈米碳管層於所述第二基體的第一表面；間隔地形成兩個電極於該第二奈米碳管層的兩端或所述第二基體的兩端，且與該奈米碳管層電連接，形成一第二電極板；形成一絕緣層於所述第一電極板或第二電極板的奈米碳管層的週邊；及覆蓋另一電極板於上述絕緣層上，且第一電極板的奈米碳管層與第二電極板的奈米碳管層相對設置，形成一觸摸屏；形成一第一偏光層於上述觸摸屏的一表面；製備一薄膜電晶體面板，該薄膜電晶體面板包括複數個薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括複數個奈米碳管；及設置一液晶層於上述觸摸屏的偏光層與薄膜電晶體面板的薄膜電晶體陣列之間形成一三明治結構，從而得到一觸摸式液晶顯示屏。
2. 如申請專利範圍第1項所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，所述第一或第二奈米碳管層包括至少一奈米碳管薄膜，該奈米碳管薄膜包括多個定向排列的奈米碳管。
3. 如請求項第2項所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，所述第一基 體的材料為一柔性材料，該柔性材料包括聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚碸、聚亞醯胺、纖維素酯、苯並環丁烯、聚氯乙烯或丙烯酸樹脂中的一種或幾種。
4. 如請求項第1項所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，所述形成第一奈米碳管層於上述第一基體的第一表面的方法具體包括以下步驟：製備至少一個奈米碳管薄膜；將所述至少一個奈米碳管薄膜鋪設於所述第一基體的第一表面，形成一奈米碳管層。
5. 如請求項第4項所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，所述製備至少一個奈米碳管薄膜的方法具體包括以下步驟：提供一奈米碳管陣列；從上述奈米碳管陣列中選定一定寬度的部分奈米碳管；及以一定速度沿基本垂直於奈米碳管陣列生長方向拉伸該部分奈米碳管，以形成一連續的奈米碳管薄膜。
6. 如請求項第5項所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，所述拉取獲得奈米碳管薄膜之後，進一步包括一採用鐳射光處理上述奈米碳管薄膜的步驟。
7. 如請求項第4項所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，所述形成所述第一奈米碳管層於上述第一基體的第一表面之後，進一步包括一採用有機溶劑處理該第一奈米碳管層的步驟，其具體包括以下方法：通過試管將有機溶劑滴落在該第一奈米碳管層的表面或將上述形成有該第一奈米碳管層的第一基體整個浸入盛有有機溶劑的容器中浸潤。
8. 如請求項第2項所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，所述形成所述第一奈米碳管層於上述第一基體的第一表面的方法具體包括以下步驟：塗覆一高分子材料溶液層於所述第一基體的第一表面；使該高分子材料溶液均勻分散到該第一奈米碳管層中；及固化所述高分子材料形成一奈米碳管複合材料層。
9. 如請求項第2項所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，所述覆蓋另一電極板於上述絕緣層上的步驟中，第一電極板上的兩個電極和第二電極板上的兩個電極交叉設置。
10. 如請求項第1項所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法進一步包括形成第一配向層於該觸摸屏偏光層的表面的步驟，及形成第二配向層於該薄膜電晶體面板的薄膜電晶體陣列表面的步驟。
11. 如請求項第1項所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，所述形成偏光層於上述觸摸屏表面的方法具體包括以下步驟：提供一奈米碳管陣列；從上述奈米碳管陣列中選定一定寬度的部分奈米碳管；以一定速度沿基本垂直於奈米碳管陣列生長方向拉伸該部分奈米碳管，以形成一連續的奈米碳管薄膜；及將至少一個奈米碳管薄膜直接鋪設在所述觸摸屏的表面或將複數個奈米碳管薄膜平行且無間隙地鋪設在所述觸摸屏的表面，形成一覆蓋在所述觸摸屏的表面上的奈米碳管層。
12. 如請求項第11項所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，所述將奈米碳管薄膜鋪設於觸摸屏表面的步驟為：將至少兩個奈米碳管薄膜重疊鋪設在所述觸摸屏的表面形成複數個奈米碳管層，且該複數個奈米碳管層依據奈米碳管的排列方向以一交叉角度α重疊鋪設，其中，0°≦α≦90°。
13. 如請求項第1項所述的一種觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，所述薄膜電晶體面板的製備方法包括以下步驟：提供一第三基體，形成一導電層於所述第三基體表面，圖案化該導電層，在所述第三基體表面形成複數個平行等間隔設置的行電極及複數個與行電極電連接的閘極；在所述每一柵極表面形成一絕緣層； 在所述每一絕緣層表面形成一奈米碳管半導體層；在所述第三基體形成有閘極的表面平行等間隔形成複數個列電極，在每一奈米碳管半導體層表面間隔設置一源極及一汲極，所述源極與對應的列電極電連接，所述每兩個相鄰的源極與所述每兩個相鄰的行電極構成一網格結構；及在所述每個網格結構中形成一像素電極，使得所述像素電極與網格結構中對應的汲極電連接，從而獲得一薄膜電晶體陣列。
14. 如請求項第13項所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，所述第三基體材料可以為硬性材料或柔性材料，其中，所述硬性材料包括玻璃、石英、金剛石或塑膠等中的一種或幾種，所述柔性材料包括聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚碸、聚亞醯胺、纖維素酯、苯並環丁烯、聚氯乙烯及丙烯酸樹脂中的一種或幾種。
15. 如請求項第13項所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，所述圖案化導電層的方法包括鐳射光刻蝕法或電漿刻蝕法。
16. 如請求項第13項所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，所述絕緣層為氮化矽、氧化矽、苯並環丁烯、聚酯或丙烯酸樹脂。
17. 如請求項第13項所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，所述奈米碳管層包括複數個平行重疊鋪設的超長奈米碳管薄膜，該超長奈米碳管薄膜包括複數個平行於奈米碳管薄膜表面的超長奈米碳管，且超長奈米碳管彼此平行排列，直徑為0.5奈米~10奈米。
18. 如請求項第13項所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，所述像素電極的材料為銦錫氧化物層、銻錫氧化物層、銦鋅氧化物層或金屬性奈米碳管薄膜透明導電層。
19. 如請求項第13項所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，在形成源極及汲極之後進一步包括去除奈米碳管半導體層中金屬性奈米碳管的步 驟，其包括通過氫電漿體、微波、太赫茲、紅外線、紫外線或可見光照射奈米碳管半導體層或給奈米碳管半導體層通電。
20. 如請求項第1項所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，所述製備一薄膜電晶體面板之後，進一步包括一設置一第二偏光層於該薄膜電晶體面板遠離薄膜電晶體陣列的表面的步驟，所述第二偏光層包括複數個重疊設置的奈米碳管有序膜，相鄰兩個奈米碳管有序膜中奈米碳管的排列方向相同，所述第二偏光層的光偏振方向與所述第一偏光層的光偏振方向相互垂直。
21. 如請求項第1項所述的觸摸式液晶顯示屏的製備方法，其中，所述奈米碳管薄膜中且沿奈米碳管排列方向相鄰的奈米碳管之間通過凡得瓦力首尾相連。