CN107018623A - 电解铜箔及其制造方法、覆铜积层板、印刷配线板及其制造方法以及电子机器的制造方法 - Google Patents

电解铜箔及其制造方法、覆铜积层板、印刷配线板及其制造方法以及电子机器的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及电解铜箔及其制造方法、覆铜积层板、印刷配线板及其制造方法以及电子机器的制造方法。具体提供一种电路形成性良好的电解铜箔。该电解铜箔在光泽面侧不具有粗化处理层，且光泽面的面粗糙度Sa为0.270μm以下。

Description

电解铜箔及其制造方法、覆铜积层板、印刷配线板及其制造方 法以及电子机器的制造方法
技术领域
本发明涉及一种电解铜箔、电解铜箔的制造方法、覆铜积层板、印刷配线板、印刷配线板的制造方法以及电子机器的制造方法。
背景技术
一般来说，印刷配线板是经过在使绝缘基板粘结于铜箔而制成覆铜积层板后通过蚀刻在铜箔面形成导体图案的步骤来制造。伴随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增大，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化不断进展，而对印刷配线板要求导体图案的微细化(微间距化)或高频应对等。
为了使用电解铜箔实现如上所述的导体图案的微细化，以往在用来制造电解铜箔的电解液中添加光泽剂而制作析出面侧的表面平滑的电解铜箔，在该表面形成电路(专利文献1)。
[背景技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本特开2004-162172号公报
发明内容
[发明所要解决的课题]
然而，在像所述那样在用来制造电解铜箔的电解液中添加光泽剂而制作析出面侧的表面平滑的电解铜箔，在该表面形成电路的情况下，受光泽镀层中所含的添加剂影响，当制造电解铜箔时因常温下的再结晶及伴随于其的收缩而容易在铜箔产生褶皱。而且，在产生了该褶皱的情况下，存在当其后将电解铜箔与树脂基板贴合时也会产生褶皱的问题。如果这样在电解铜箔产生褶皱，则在该电解铜箔形成电路时，难以微间距化。
因此，本发明的课题在于提供一种电路形成性良好的电解铜箔。
[解决课题的技术手段]
本发明的一态样是一种电解铜箔，其在光泽面侧不具有粗化处理层，且所述光泽面的面粗糙度Sa为0.270μm以下。
本发明的另一态样是一种电解铜箔，其在光泽面侧不具有粗化处理层，且所述光泽面的均方根高度Sq为0.315μm以下。
本发明的电解铜箔的一实施方式中，所述光泽面的均方根高度Sq为0.315μm以下。另外，本发明的电解铜箔的另一实施方式中，在光泽面侧不具有粗化处理层，且所述光泽面的面粗糙度Sa为0.150μm以下。
本发明的电解铜箔的另一实施方式中，所述光泽面的均方根高度Sq为0.200μm以下。另外，本发明的电解铜箔的另一实施方式中，在光泽面侧不具有粗化处理层，所述光泽面的均方根高度Sq为0.200μm以下。另外，本发明的电解铜箔的另一实施方式中，所述光泽面的面粗糙度Sa为0.133μm以下或0.130μm以下。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，所述光泽面的均方根高度Sq为0.180μm以下。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，所述光泽面的均方根高度Sq为0.120μm以下。
本发明的又一态样是一种电解铜箔，其在光泽面侧具有粗化处理层，且所述光泽面的面粗糙度Sa为0.470μm以下。
本发明的又一态样是一种电解铜箔，其在光泽面侧具有粗化处理层，且所述光泽面的均方根高度Sq为0.550μm以下。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，在光泽面侧具有粗化处理层，且所述光泽面的面粗糙度Sa为0.380μm以下。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，所述光泽面侧的面粗糙度Sa为0.355μm以下或0.300μm以下。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，所述光泽面侧的面粗糙度Sa为0.200μm以下。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，所述光泽面侧的均方根高度Sq为0.550μm以下、0.490μm以下、或0.450μm以下。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，所述光泽面侧的均方根高度Sq为0.400μm以下。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，所述光泽面侧的均方根高度Sq为0.330μm以下。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，在光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的面粗糙度Sa为0.270μm以下或0.150μm以下。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，在所述光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的面粗糙度Sa为0.133μm以下。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，在所述光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的面粗糙度Sa为0.130μm以下。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，在光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的均方根高度Sq为0.315μm以下或0.200μm以下。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，在光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的均方根高度Sq为0.180μm以下。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，在所述光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的均方根高度Sq为0.120μm以下。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，常温抗拉强度为30kg/mm2以上。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，常温伸长率为3％以上。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，高温抗拉强度为10kg/mm2以上。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，高温伸长率为2％以上。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，在所述电解铜箔的与光泽面为相反侧的面具有粗化处理层。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，所述粗化处理层是由选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、铁、钒、钴及锌所组成的群中的任一单质或含有任意一种以上单质的合金所构成的层。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，在所述粗化处理层的表面，具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，在所述电解铜箔的光泽面、及与光泽面为相反侧的面中的其中一个或两个上，具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，在所述电解铜箔的光泽面、及与光泽面为相反侧的面中的其中一个或两个上具备树脂层。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，在所述粗化处理层上具备树脂层。
本发明的电解铜箔的又一实施方式中，在所述选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层上具备树脂层。
本发明的又一态样是一种电解铜箔的制造方法，其是使用表面的面粗糙度Sa为0.270μm以下的电解滚筒来制作电解铜箔。另外，本发明在一实施方式中是一种电解铜箔的制造方法，其是使用表面的面粗糙度Sa为0.150μm以下的电解滚筒来制作电解铜箔。
本发明的又一态样是一种电解铜箔的制造方法，其是使用表面的均方根高度Sq为0.315μm以下的电解滚筒来制作电解铜箔。另外，本发明在一实施方式中是一种电解铜箔的制造方法，其是使用表面的均方根高度Sq为0.200μm以下的电解滚筒来制作电解铜箔。
本发明的又一态样是一种覆铜积层板，其具有本发明的电解铜箔。
本发明的又一态样是一种印刷配线板，其具有本发明的电解铜箔。
本发明的又一态样是一种印刷配线板的制造方法，其是使用本发明的电解铜箔来制造印刷配线板。
本发明的又一态样是一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：将本发明的电解铜箔与绝缘基板进行积层而形成覆铜积层板，其后通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法来形成电路。
本发明的又一态样是一种电子机器的制造方法，其是使用由本发明的方法制造的印刷配线板来制造电子机器。
[发明的效果]
根据本发明，可提供一种电路形成性良好的电解铜箔。
附图说明
图1A是实施例2的电解铜箔的光泽面的SEM像。
图1B是实施例10的电解铜箔的光泽面的SEM像。
具体实施方式
以下，对本发明的电解铜箔的实施方式进行说明。此外，本说明书中，“光泽面的面粗糙度Sa”、“光泽面的均方根高度Sq”分别表示在电解铜箔的光泽面设置有粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶联剂处理层等表面处理层的情况下，设置该表面处理层之后的表面(最外层的表面)的面粗糙度Sa、均方根高度Sq。另外，“在光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的面粗糙度Sa”及“在光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的均方根高度Sq”分别表示于在光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面设置有耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶联剂处理层等粗化处理层以外的表面处理层的情况下，设置该表面处理层之后的表面(最外层的表面)的面粗糙度Sa、均方根高度Sq。
＜在光泽面侧不具有粗化处理层的电解铜箔＞
本发明的电解铜箔的一态样中，在光泽面侧不具有粗化处理层，且所述光泽面的面粗糙度Sa为0.270μm以下，优选0.150μm以下。本发明中，所谓电解铜箔的光泽面，表示制作该电解铜箔时的滚筒侧的表面(光面：S面)。此外，本发明的电解铜箔中，所谓与光泽面为相反侧的面，表示制作该电解铜箔时的与滚筒为相反侧(析出面侧)的表面(糙面：M面)。
通过这种构成，关于使用该电解铜箔形成的电路的间距，可实现L/S(线/间隙)＝22μm以下/22μm以下、优选20μm以下/20μm以下的微间距。光泽面的面粗糙度Sa优选0.230μm以下，优选0.180μm以下，优选0.150μm以下，优选0.133μm以下，更优选0.130μm以下，更优选0.120μm以下。电解铜箔的光泽面的面粗糙度Sa的下限没有特别限定，例如为0.001μm以上、或0.010μm以上、或0.050μm以上、或0.100μm以上。
本发明的电解铜箔的另一态样中，在光泽面侧不具有粗化处理层，所述光泽面的均方根高度Sq为0.315μm以下，优选0.200μm以下。
通过这种构成，关于使用该电解铜箔形成的电路的间距，可实现L/S(线/间隙)＝22μm以下/22μm以下、优选20μm以下/20μm以下的微间距。光泽面的均方根高度Sq优选0.292μm以下，优选0.230μm以下，优选0.200μm以下，优选0.180μm以下，优选0.120μm以下，更优选0.115μm以下。电解铜箔的光泽面的均方根高度Sq的下限没有特别限定，例如为0.001μm以上、或0.010μm以上、或0.050μm以上、或0.100μm以上。
＜在光泽面侧具有粗化处理层的电解铜箔＞
本发明的电解铜箔的另一态样是一种电解铜箔，其在光泽面侧具有粗化处理层，且所述光泽面的面粗糙度Sa为0.470μm以下，优选0.380μm以下。
通过这种构成，关于使用该电解铜箔形成的电路的间距，可实现L/S(线/间隙)＝22μm以下/22μm以下、优选20μm以下/20μm以下的微间距。该光泽面的面粗糙度Sa优选0.385μm以下，优选0.380μm以下，优选0.355μm以下，优选0.340μm以下，优选0.300μm以下，优选0.295μm以下，优选0.230μm以下，更优选0.200μm以下。电解铜箔的光泽面的面粗糙度Sa的下限没有特别限定，例如为0.001μm以上、或0.010μm以上、或0.050μm以上、或0.100μm以上。
另外，该电解铜箔在光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的面粗糙度Sa优选0.270μm以下，优选0.230μm以下，优选0.180μm以下，优选0.150μm以下，更优选0.133μm以下，进而更优选0.130μm以下，进而更优选0.120μm以下。根据这种构成，可将设置粗化处理层后的电解铜箔的光泽面的面粗糙度Sa、及/或设置粗化处理层后的电解铜箔的光泽面的均方根高度Sq控制为适当值，关于使用该电解铜箔形成的电路的间距，可实现L/S(线/间隙)＝22μm以下/22μm以下、更优选20μm以下/20μm以下的微间距。电解铜箔的在光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的面粗糙度Sa的下限没有特别限定，例如为0.001μm以上、或0.010μm以上、或0.050μm以上、或0.100μm以上。
本发明的电解铜箔的另一态样中，在光泽面侧具有粗化处理层，所述光泽面的均方根高度Sq为0.550μm以下，优选0.490μm以下。
通过这种构成，关于使用该电解铜箔形成的电路的间距，可实现L/S(线/间隙)＝22μm以下/22μm以下、优选20μm以下/20μm以下的微间距。光泽面的均方根高度Sq优选0.490μm以下，优选0.450μm以下，优选0.435μm以下，优选0.400μm以下，优选0.395μm以下，更优选0.330μm以下，更优选0.290μm以下。电解铜箔的光泽面的均方根高度Sq的下限没有特别限定，例如为0.001μm以上、或0.010μm以上、或0.050μm以上、或0.100μm以上。
另外，该电解铜箔在光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的均方根高度Sq优选0.315μm以下，优选0.292μm以下，优选0.230μm以下，优选0.200μm以下，优选0.180μm以下，更优选0.120μm以下，更优选0.115μm以下。根据这种构成，可将设置粗化处理层之后的电解铜箔的光泽面的面粗糙度Sa、及/或设置粗化处理层之后的电解铜箔的光泽面的均方根高度Sq控制为适当值，关于使用该电解铜箔形成的电路的间距，可实现L/S(线/间隙)＝22μm以下/22μm以下、优选20μm以下/20μm以下的微间距。在电解铜箔的光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的均方根高度Sq的下限没有特别限定，例如为0.001μm以上、或0.010μm以上、或0.050μm以上、或0.100μm以上。
本发明的电解铜箔的常温抗拉强度优选30kg/mm2以上。所谓“常温抗拉强度”，表示室温下的抗拉强度，依据IPC-TM-650进行测定。如果常温抗拉强度为30kg/mm2以上，则具有操作时不易产生褶皱的效果。更优选35kg/mm2以上。
本发明的电解铜箔的常温伸长率优选3％以上。所谓“常温伸长率”，表示室温下的伸长率，依据IPC-TM-650进行测定。如果常温伸长率为3％以上，则具有不易破裂的效果。常温伸长率更优选4％以上。
本发明的电解铜箔的高温抗拉强度优选10kg/mm2以上。所谓“高温抗拉强度”，表示180℃下的抗拉强度，依据IPC-TM-650进行测定。如果高温抗拉强度为10kg/mm2以上，则具有不易产生与树脂贴附时的褶皱的效果。更优选15kg/mm2以上。
本发明的电解铜箔的高温伸长率优选2％以上。所谓“高温伸长率”，表示180℃下的伸长率，依据IPC-TM-650进行测定。如果高温伸长率为2％以上，则具有防止电路的龟裂产生的效果。高温伸长率优选3％以上，更优选6％以上，更优选15％以上。
本发明的电解铜箔在没有设置下述表面处理层的情况下，关于除该表面处理层以外的部分，除可使用纯铜以外，也可使用例如掺入Sn的铜、掺入Ag的铜、添加有Ti、W、Mo、Cr、Zr、Mg、Ni、Sn、Ag、Co、Fe、As、P等的铜合金。本说明书中单独使用用语“铜箔”时，也包括铜合金箔。这些铜合金箔可通过如下方式进行制造，即，在制造电解铜箔时使用的电解液中添加合金元素(例如选自由Ti、W、Mo、Cr、Zr、Mg、Ni、Sn、Ag、Co、Fe、As及P所组成的群中的一种或两种以上元素)而制造电解铜箔。另外，该电解铜箔的厚度没有特别限定，典型来说为0.5～3000μm，优选1.0～1000μm，优选1.0～300μm，优选1.0～100μm，优选3.0～75μm，优选4～40μm，优选5～37μm，优选6～28μm，优选7～25μm，优选8～19μm。
＜电解铜箔的制造方法＞
本发明的电解铜箔是从硫酸铜镀浴中在钛或不锈钢的滚筒上电解析出铜而制造。以下表示该电解条件。
＜电解条件＞
电解液组成：Cu 50～150g/L，H2SO4 60～150g/L，
电流密度：30～120A/dm2
电解液温度：50～60度
添加物：氯离子20～80ppm，胶0.01～10.0ppm
此外，本说明书所记载的用于电解、蚀刻、表面处理或镀覆等的处理液(蚀刻液、电解液等)的剩余部分如果没有特别明确说明，则为水。
此时使用的电解滚筒的滚筒表面的面粗糙度Sa为0.270μm以下，优选0.15μm以下。另外，滚筒表面的均方根高度Sq为0.315μm以下，优选0.20μm以下。表面具有该面粗糙度Sa或均方根高度Sq的电解滚筒首先通过粒度号数为300(P300)～500(P500)号的研磨带对钛或不锈钢的滚筒的表面进行研磨。此时，将研磨带在滚筒的宽度方向上以特定宽度卷绕，通过一边以特定速度使研磨带向滚筒的宽度方向移动一边使滚筒旋转而进行研磨。该研磨时的滚筒表面的旋转速度设为130～190m/分钟。另外，研磨时间设为在研磨带的1次行程中通过滚筒表面的(宽度方向的位置的)1点的时间与行程次数的积。此外，所述在1次行程中通过滚筒表面的1点的时间设为将研磨带的宽度除以研磨带的滚筒的宽度方向的移动速度所得的值。另外，所谓研磨带的1次行程，意指利用研磨带将滚筒的圆周方向的表面从滚筒的轴(宽度)方向(电解铜箔的宽度方向)的一端部至另一端部研磨1次。即，研磨时间以下式表示。
研磨时间(分钟)＝每1行程的研磨带的宽度(cm/次)/研磨带的移动速度(cm/分钟)×行程次数(次)
以往在电解铜箔的制造中，研磨时间设为1.6～3分钟，本发明中设为3.5～10分钟，另外，本发明中，在研磨时以水润湿滚筒表面的情况下设为6～10分钟。作为所述研磨时间的算出例，例如在以宽度10cm的研磨带将移动速度设为20cm/分钟时，滚筒表面的1点的1行程的研磨时间成为0.5分钟。通过将其乘以总行程次数而算出(例如0.5分钟×10行程＝5分钟)。通过增大研磨带的粒度号数、及/或提高滚筒表面的旋转速度、及/或延长研磨时间、及/或在研磨时以水润湿滚筒表面，可减小滚筒表面的面粗糙度Sa及滚筒表面的均方根高度Sq。另外，通过减小研磨带的粒度号数、及/或降低滚筒表面的旋转速度、及/或缩短研磨时间、及/或在研磨时使滚筒表面干燥，可增大滚筒表面的面粗糙度Sa及滚筒表面的均方根高度Sq。此外，通过延长研磨时间，可减小面粗糙度Sa，并且以比Sa变小的程度大的程度减小均方根高度Sq。另外，通过缩短研磨时间，可增大面粗糙度Sa，并且以比面粗糙度Sa变大的程度大的程度增大均方根高度Sq。此外，所述研磨带的粒度号数是指用于研磨带的研磨材的粒度。而且，该研磨材的粒度是基于FEPA(Federation of European Producers ofAbrasives，欧洲磨料生产者联合会)-standard 43-1：2006、43-2：2006。
另外，通过在研磨时以水润湿滚筒表面，可减小均方根高度Sq，并且以比均方根高度Sq变小的程度大的程度减小面粗糙度Sa。另外，通过在研磨时使滚筒表面干燥，可增大均方根高度Sq，并且以比均方根高度Sq变大的程度大的程度增大面粗糙度Sa。
这样，可制作光泽面的面粗糙度Sa为0.270μm以下、优选0.150μm以下、及/或均方根高度Sq为0.315μm以下、优选0.200μm以下的电解铜箔。
另外，通过对光泽面的面粗糙度Sa为0.270μm以下、优选0.150μm以下、及/或均方根高度Sq为0.315μm以下、优选0.200μm以下的电解铜箔的光泽面侧进行下述粗化处理或表面处理，可制作在光泽面侧具有粗化处理层，且所述光泽面的面粗糙度Sa为0.470μm以下、优选0.380μm以下、及/或所述光泽面的均方根高度Sq为0.550μm以下、优选0.490μm以下的电解铜箔。
此外，电解滚筒表面的面粗糙度Sa及均方根高度Sq能以如下方式进行测定。
·通过使树脂膜(聚氯乙烯)浸渍于溶剂(丙酮)中而膨润。
·使所述膨润的树脂膜接触于电解滚筒表面，在丙酮从树脂膜挥发后将树脂膜剥离，采集电解滚筒表面的复制品。
·利用激光显微镜对该复制品进行测定，测定面粗糙度Sa及均方根高度Sq的值。
然后，将所获得的复制品的面粗糙度Sa及均方根高度Sq的值设为电解滚筒表面的面粗糙度Sa及均方根高度Sq。
＜粗化处理及其他表面处理＞
对于电解铜箔的光泽面、及与光泽面为相反侧的面的其中一个或两个，例如为了使与绝缘基板的密接性良好等，也可通过实施粗化处理而设置粗化处理层。粗化处理例如可通过由铜或铜合金形成粗化粒子来进行。粗化处理可为微细的粗化处理，也可通过形成针状、棒状或粒子状的粗化粒子来进行。粗化处理层也可为由选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、铁、钒、钴及锌所组成的群中的任一单质或含有任意一种以上单质的合金所构成的层等。另外，在由铜或铜合金形成粗化粒子后，也可进而进行以镍、钴、铜、锌的单质或合金等设置二次粒子或三次粒子的粗化处理。其后，可以镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，也可进而对该表面实施铬酸盐处理、硅烷偶联剂处理等处理。或者，也可不进行粗化处理，而以镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，进而对该表面实施铬酸盐处理、硅烷偶联剂处理等处理。即，可在粗化处理层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层，也可在电解铜箔的表面形成选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。此外，所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶联剂处理层也可分别以多层形成(例如2层以上、3层以上等)。
另外，粗化处理层可使用包含选自硫酸烷基酯盐、钨离子、砷离子中的至少一种以上物质的由硫酸·硫酸铜所构成的电解浴来形成。关于粗化处理层，为了防止落粉、提高剥离强度，宜利用由硫酸·硫酸铜所构成的电解浴进行包镀。
具体处理条件如以下所述。
(液体组成1)
CuSO4·5H2O：39.3～118g/L
Cu：10～30g/L
H2SO4：10～150g/L
Na2WO4·2H2O：0～90mg/L
W：0～50mg/L
十二烷基硫酸钠：0～50mg
H3AsO3(60％水溶液)：0～6315mg/L
As：0～2000mg/L
(电镀条件1)
温度：30～70℃
(电流条件1)
电流密度：25～110A/dm2
粗化库仑量：50～500As/dm2
镀覆时间：0.5～20秒
(液体组成2)
CuSO4·5H2O：78～314g/L
Cu：20～80g/L
H2SO4：50～200g/L
(电镀条件2)
温度：30～70℃
(电流条件2)
电流密度：5～50A/dm2
粗化库仑量：50～300As/dm2
镀覆时间：1～60秒
另外，作为粗化处理层的铜-钴-镍合金镀覆层可通过电解镀覆，以形成像附着量为15～40mg/dm2的铜-100～3000μg/dm2的钴-100～1500μg/dm2的镍这样的3元系合金层的方式实施。如果Co附着量小于100μg/dm2，则有耐热性变差，蚀刻性变差的情况。如果Co附着量超过3000μg/dm2，则在必须考虑磁性的影响的情况下并不优选，而有产生蚀刻斑，且耐酸性及耐化学品性变差的情况。如果Ni附着量小于100μg/dm2，则有耐热性变差的情况。另一方面，如果Ni附着量超过1500μg/dm2，则有蚀刻残余变多的情况。优选Co附着量为1000～2500μg/dm2，优选镍附着量为500～1200μg/dm2。于此，所谓蚀刻斑是指在利用氯化铜进行蚀刻的情况下，Co不溶解而残留，且所谓蚀刻残余是指在利用氯化铵进行碱性蚀刻的情况下，Ni不溶解而残留。
用来形成这种3元系铜-钴-镍合金镀层的镀浴及镀覆条件的一例如以下所述：
镀浴组成：Cu10～20g/L，Co1～10g/L，Ni1～10g/L
pH值：1～4
温度：30～50℃
电流密度：20～30A/dm2
镀覆时间：1～5秒
用来形成这种3元系铜-钴-镍合金镀层的镀浴及镀覆条件的其他例如下所述：
镀浴组成：Cu10～20g/L，Co1～10g/L，Ni1～10g/L
pH值：1～4
温度：30～50℃
电流密度：30～45A/dm2
镀覆时间：0.1～2.0秒
此外，在形成所述粗化处理层的处理中，通过缩短镀覆时间，可减小在光泽面侧具有粗化处理层的电解铜箔的所述光泽面的面粗糙度Sa、及/或所述光泽面的均方根高度Sq。另外，在形成所述粗化处理层的处理中，通过延长镀覆时间，可增大在光泽面侧具有粗化处理层的电解铜箔的所述光泽面的面粗糙度Sa及/或所述光泽面的均方根高度Sq。
另外，在形成所述粗化处理层的处理中，通过提高电流密度且使镀覆时间非常短，可进一步减小在光泽面侧具有粗化处理层的电解铜箔的所述光泽面的面粗糙度Sa及/或所述光泽面的均方根高度Sq。另外，在形成所述粗化处理层的处理中，通过提高电流密度且延长镀覆时间，可进一步增大在光泽面侧具有粗化处理层的电解铜箔的所述光泽面的面粗糙度Sa及/或所述光泽面的均方根高度Sq。
本发明的电解铜箔可在光泽面及与光泽面为相反侧的面中的其中一个或两个上具备粗化处理层，也可在粗化处理层上具备选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的一种以上的层。另外，可在电解铜箔上具备粗化处理层，可在粗化处理层上具备耐热层、防锈层，可在耐热层、防锈层上具备铬酸盐处理层，也可在铬酸盐处理层上具备硅烷偶联剂处理层。
本发明的电解铜箔也可在光泽面、及与光泽面为相反侧的面的其中一个或两个、或粗化处理层上、或耐热层、防锈层、或铬酸盐处理层、或硅烷偶联剂处理层上具备树脂层。树脂层也可为绝缘树脂层。
另外，作为耐热层、防锈层，可使用公知的耐热层、防锈层。例如，耐热层及/或防锈层可为包含选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上元素的层，也可为由选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上元素所构成的金属层或合金层。另外，耐热层及/或防锈层也可包含含有选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上元素的氧化物、氮化物、硅化物。另外，耐热层及/或防锈层也可为铜-锌合金层、锌-镍合金层、镍-钴合金层、铜-镍合金层、铬-锌合金层。另外，耐热层及/或防锈层也可为包含镍-锌合金的层。另外，耐热层及/或防锈层也可为镍-锌合金层。所述镍-锌合金层也可除不可避免的杂质以外，含有镍50wt％～99wt％、锌50wt％～1wt％。所述镍-锌合金层的锌及镍的合计附着量也可为5～1000mg/m2、优选10～500mg/m2、优选20～100mg/m2。另外，包含所述镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍的附着量与锌的附着量的比(＝镍的附着量/锌的附着量)优选1.5～10。另外，包含所述镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍的附着量优选0.5mg/m2～500mg/m2，更优选1mg/m2～50mg/m2。
例如耐热层及/或防锈层也可为依序积层有附着量为1mg/m2～100mg/m2、优选5mg/m2～50mg/m2的镍或镍合金层与附着量为1mg/m2～80mg/m2、优选5mg/m2～40mg/m2的锡层的层，所述镍合金层也可由镍-钼、镍-锌、镍-钼-钴中的任一种构成。另外，耐热层及/或防锈层的镍或镍合金与锡的合计附着量优选2mg/m2～150mg/m2，更优选10mg/m2～70mg/m2。另外，耐热层及/或防锈层优选[镍或镍合金中的镍附着量]/[锡附着量]＝0.25～10，更优选0.33～3。
所谓铬酸盐处理层是指经包含铬酸酐、铬酸、二铬酸、铬酸盐或二铬酸盐的液体处理过的层。铬酸盐处理层也可包含钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛等元素(可为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任一形态)。作为铬酸盐处理层的具体例，可列举经铬酸酐或二铬酸钾水溶液处理过的铬酸盐处理层、或经包含铬酸酐或二铬酸钾及锌的处理液处理过的铬酸盐处理层等。
用于硅烷偶联剂处理的硅烷偶联剂可使用公知的硅烷偶联剂，例如可使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂、巯基系硅烷偶联剂。另外，硅烷偶联剂也可使用乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、4-缩水甘油基丁基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、咪唑硅烷、三嗪硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷等。
所述硅烷偶联剂处理层也可使用环氧系硅烷、氨基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巯基系硅烷等硅烷偶联剂等来形成。此外，这种硅烷偶联剂也可混合2种以上而使用。其中，优选使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂而形成的硅烷偶联剂处理层。
于此所谓氨基系硅烷偶联剂，可为选自由N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、氨基丙基三甲氧基硅烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(3-丙烯酰氧基-2-羟基丙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、4-氨基丁基三乙氧基硅烷、(氨基乙基氨基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基-3-氨基丙基)三(2-乙基己氧基)硅烷、6-(氨基己基氨基丙基)三甲氧基硅烷、氨基苯基三甲氧基硅烷、3-(1-氨基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、ω-氨基十一烷基三甲氧基硅烷、3-(2-N-苄基氨基乙基氨基丙基)三甲氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、(N,N-二乙基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、(N,N-二甲基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷所组成的群中的氨基系硅烷偶联剂。
以硅原子换算计，硅烷偶联剂处理层宜在0.05mg/m2～200mg/m2、优选0.15mg/m2～20mg/m2、优选0.3mg/m2～2.0mg/m2的范围内设置。在所述范围的情况下，可进一步提高树脂基材与金属箔的密接性。
所述树脂层可为粘结剂，也可为粘结用半硬化状态(B-阶段状态)的绝缘树脂层。所谓半硬化状态(B-阶段状态)，包括即使用手指接触于该树脂层的表面也没有粘附感，可将该绝缘树脂层重叠而进行保管，当进一步受到加热处理时会引起硬化反应的状态。
另外，所述树脂层可包含热硬化性树脂，也可为热塑性树脂。另外，所述树脂层也可包含热塑性树脂。树脂的种类没有特别限定，作为优选树脂，例如可列举包含环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、顺丁烯二酰亚胺化合物、聚乙烯醇缩醛树脂、氨基甲酸酯树脂等的树脂。
所述树脂层可包含公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、电介质(可使用含有无机化合物及/或有机化合物的电介质、含有金属氧化物的电介质等任意电介质)、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材等。另外，所述树脂层也可使用例如国际公开编号WO2008/004399、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本特开平11-5828号、日本特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000-43188号、日本专利第3612594号、日本特开2002-179772号、日本特开2002-359444号、日本特开2003-304068号、日本专利第3992225号、日本特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004-82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005-262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005-53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本特开2006-257153号、日本特开2007-326923号、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009-67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本特开2009-173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本特开2011-14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本特开2013-19056号中所记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、电介质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材等)及/或树脂层的形成方法、形成装置来形成。
将这些树脂溶解于例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶剂中而制成树脂液，并利用例如辊式涂布法等将该树脂液涂布于所述电解铜箔上、或所述耐热层、防锈层、或所述铬酸盐皮膜层、或所述硅烷偶联剂层上，继而视需要进行加热干燥而将溶剂去除，成为B-阶段状态。干燥时使用例如热风干燥炉即可，干燥温度为100～250℃、优选130～200℃即可。
具备所述树脂层的电解铜箔可以如下形态使用，即，在将该树脂层重叠于基材后对整体进行热压接而使该树脂层热硬化，其后形成特定的配线图案。
如果使用该附树脂的电解铜箔，则可减少制造多层印刷配线基板时的预浸体材的使用片数。并且，即使将树脂层的厚度设为像可确保层间绝缘那样的厚度、或完全不使用预浸体材，也可制造覆铜积层板。另外，此时也可在基材的表面底漆涂布绝缘树脂而进一步改善表面的平滑性。
此外，在不使用预浸体材的情况下，具有如下优点：节约预浸体材的材料成本，另外，积层步骤也变得简单，因此经济上变得有利，并且相应于预浸体材的厚度，制造的多层印刷配线基板的厚度变薄，可制造1层的厚度为100μm以下的极薄多层印刷配线基板。
该树脂层的厚度优选0.1～80μm。如果树脂层的厚度薄于0.1μm，则有粘结力降低，不介隔预浸体材而将该附树脂的附载体铜箔积层于具备内层材的基材时难以确保与内层材的电路之间的层间绝缘的情况。
另一方面，如果树脂层的厚度厚于80μm，则难以通过1次涂布步骤形成目标厚度的树脂层，会花费多余的材料费与步骤数，因此经济上变得不利。而且，由于所形成的树脂层的可挠性差，因此有在操作时容易产生龟裂等，且在与内层材的热压接时产生过量的树脂流动而难以顺利地进行积层的情况。
进而，作为该附树脂的电解铜箔的另一个制品形态，也可利用树脂层被覆于所述光泽面、或所述耐热层、防锈层、或所述铬酸盐处理层、或所述硅烷偶联剂处理层上，在成为半硬化状态后，以附树脂的电解铜箔的形态制造。
进而，通过在印刷配线板搭载电子零件类，印刷电路板完成。在本发明中，“印刷配线板”也包含这样搭载有电子零件类的印刷配线板及印刷电路板、印刷基板、挠性印刷配线板及刚性印刷配线板。
另外，可使用该印刷配线板来制作电子机器，可使用该搭载有电子零件类的印刷电路板来制作电子机器，也可使用该搭载有电子零件类的印刷基板来制作电子机器。以下，表示一些使用本发明的电解铜箔的印刷配线板的制造步骤的例子。
在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：将本发明的电解铜箔与绝缘基板进行积层而形成覆铜积层板，其后通过半加成法、改良型半加成法、部分加成法及减成法中的任一方法来形成电路。绝缘基板也可设为内设内层电路的绝缘基板。
本发明中，所谓半加成法是指在绝缘基板或铜箔籽晶层上进行薄的无电解镀覆，在形成图案后使用电镀及蚀刻形成导体图案的方法。
因此，在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：
将本发明的电解铜箔与绝缘基板进行积层；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述电解铜箔全部去除；
在通过利用蚀刻将所述电解铜箔去除而露出的所述树脂设置通孔或/及盲孔；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；
对包含所述树脂及所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀覆层；
在所述无电解镀覆层上设置抗镀覆层；
对所述抗镀覆层进行曝光，其后将形成电路的区域的抗镀覆层去除；
在所述抗镀覆层被去除后的形成所述电路的区域设置电解镀覆层；
将所述抗镀覆层去除；及
通过快速蚀刻等将位于形成所述电路的区域以外的区域的无电解镀覆层去除。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括以下步骤：
将本发明的电解铜箔与绝缘基板进行积层；
在所述电解铜箔与所述绝缘树脂基板设置通孔或/及盲孔；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述电解铜箔全部去除；
在通过利用蚀刻等将所述电解铜箔去除而露出的包含所述树脂及所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀覆层；
在所述无电解镀覆层上设置抗镀覆层；
对所述抗镀覆层进行曝光，其后将形成电路的区域的抗镀覆层去除；
在所述抗镀覆层被去除后的形成所述电路的区域设置电解镀覆层；
将所述抗镀覆层去除；及
通过快速蚀刻等将位于形成所述电路的区域以外的区域的无电解镀覆层去除。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括以下步骤：
将本发明的电解铜箔与绝缘基板进行积层；
在所述电解铜箔与所述绝缘树脂基板设置通孔或/及盲孔；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述电解铜箔全部去除；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；
在通过利用蚀刻等将所述电解铜箔去除而露出的包含所述树脂及所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀覆层；
在所述无电解镀覆层上设置抗镀覆层；
对所述抗镀覆层进行曝光，其后将形成电路的区域的抗镀覆层去除；
在所述抗镀覆层被去除后的形成所述电路的区域设置电解镀覆层；
将所述抗镀覆层去除；及
通过快速蚀刻等将位于形成所述电路的区域以外的区域的无电解镀覆层去除。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括以下步骤：
将本发明的电解铜箔与绝缘基板进行积层；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述电解铜箔全部去除；
对通过利用蚀刻将所述电解铜箔去除而露出的所述树脂的表面设置无电解镀覆层；
在所述无电解镀覆层上设置抗镀覆层；
对所述抗镀覆层进行曝光，其后将形成电路的区域的抗镀覆层去除；
在所述抗镀覆层被去除后的形成所述电路的区域设置电解镀覆层；
将所述抗镀覆层去除；及
通过快速蚀刻等将位于形成所述电路的区域以外的区域的无电解镀覆层及电解铜箔去除。
本发明中，所谓改良型半加成法是指在绝缘层上积层金属箔，通过抗镀覆层保护非电路形成部，通过电解镀覆进行电路形成部的铜层加厚后，去除抗蚀剂，并通过(快速)蚀刻将所述电路形成部以外的金属箔去除，由此在绝缘层上形成电路的方法。
因此，在使用改良型半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：
将本发明的电解铜箔与绝缘基板进行积层；
在所述电解铜箔与绝缘基板设置通孔或/及盲孔；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀覆层；
在所述电解铜箔设置抗镀覆层；
在设置所述抗镀覆层后，通过电解镀覆形成电路；
将所述抗镀覆层去除；及
利用快速蚀刻将通过去除所述抗镀覆层而露出的电解铜箔去除。
在使用改良型半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括以下步骤：
将本发明的电解铜箔与绝缘基板进行积层；
在所述电解铜箔上设置抗镀覆层；
对所述抗镀覆层进行曝光，其后将形成电路的区域的抗镀覆层去除；
在所述抗镀覆层被去除后的形成所述电路的区域设置电解镀覆层；
将所述抗镀覆层去除；及
通过快速蚀刻等将位于形成所述电路的区域以外的区域的无电解镀覆层及电解铜箔去除。
本发明中，所谓部分加成法是指如下方法，即，对设置导体层而成的基板、视需要穿设通孔或导通孔用孔而成的基板上赋予催化剂核，进行蚀刻而形成导体电路，视需要设置阻焊剂层或抗镀覆层后，在所述导体电路上通过无电解镀覆处理对通孔或导通孔等进行加厚，由此制造印刷配线板。
因此，在使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：
将本发明的电解铜箔与绝缘基板进行积层；
在所述电解铜箔与绝缘基板设置通孔或/及盲孔；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域赋予催化剂核；
在所述电解铜箔设置抗蚀涂层；
对所述抗蚀涂层进行曝光，形成电路图案；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述电解铜箔及所述催化剂核去除，形成电路；
将所述抗蚀涂层去除；
在通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述电解铜箔及所述催化剂核去除而露出的所述绝缘基板表面，设置阻焊剂层或抗镀覆层；及
在没有设置所述阻焊剂层或抗镀覆层的区域设置无电解镀覆层。
本发明中，所谓减成法是指通过蚀刻等将覆铜积层板上的铜箔的多余部分选择性地去除而形成导体图案的方法。
因此，在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：
将本发明的电解铜箔与绝缘基板进行积层；
在所述电解铜箔与绝缘基板设置通孔或/及盲孔；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀覆层；
在所述无电解镀覆层的表面设置电解镀覆层；
在所述电解镀覆层或/及所述电解铜箔的表面设置抗蚀涂层；
对所述抗蚀涂层进行曝光，形成电路图案；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述电解铜箔及所述无电解镀覆层及所述电解镀覆层去除，形成电路；及
将所述抗蚀涂层去除。
在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括以下步骤：
将本发明的电解铜箔与绝缘基板进行积层；
在所述电解铜箔与绝缘基板设置通孔或/及盲孔；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀覆层；
在所述无电解镀覆层的表面形成掩模；
在没有形成掩模的所述无电解镀覆层的表面设置电解镀覆层；
在所述电解镀覆层或/及所述电解铜箔的表面设置抗蚀涂层；
对所述抗蚀涂层进行曝光，形成电路图案；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述电解铜箔及所述无电解镀覆层去除，形成电路；及
将所述抗蚀涂层去除。
也可不进行设置通孔或/及盲孔的步骤、及其后的去污步骤。
[实施例]
以下，通过本发明的实施例进一步详细地说明本发明，但本发明并不受这些实施例的任何限定。
1.电解铜箔的制作
(实施例1～14、比较例1)
准备钛制旋转滚筒(电解滚筒)。其次，在表1所记载的电解滚筒表面控制条件下进行研磨，制成具有特定的面粗糙度Sa及均方根高度Sq的电解滚筒。具体来说，通过表1所记载的粒度号数的研磨带对该电解滚筒的表面进行研磨。此时，将研磨带在滚筒的宽度方向上以特定宽度卷绕，通过一边使研磨带向滚筒的宽度方向移动一边使滚筒旋转而进行研磨。将该研磨时的滚筒表面的旋转速度示于表1。另外，研磨时间设为根据研磨带的宽度与研磨带的移动速度所得的在1次行程中通过滚筒表面的1点的时间、与行程次数的积。于此，所谓研磨带的1次行程是指利用研磨带将旋转滚筒的圆周方向的表面从轴方向(电解铜箔的宽度方向)的一端部至另一端部研磨1次。
即，研磨时间以下式表示。
研磨时间(分钟)＝每1行程的研磨带的宽度(cm/次)/研磨带的移动速度(cm/分钟)×行程次数(次)
其次，在电解槽中，配置有所述电解滚筒，且在滚筒的周围，隔开特定极间距离而配置有电极。其次，在电解槽中，在下述条件下进行电解，一边使电解滚筒旋转一边使铜在该电解滚筒的表面析出直至厚度成为18μm。
＜电解条件＞
电解液组成：Cu 50～150g/L，H2SO4 60～150g/L
电流密度：30～120A/dm2
电解液温度：50～60度
添加物：氯离子20～80质量ppm，胶0.01～5.0质量ppm
此外，在实施例1、2、5、6、10～12、比较例1中，将胶浓度在所述范围内设为偏低。
另外，在实施例3、4、7、8、9、13、14中，将胶浓度在所述范围内设为偏高。
其次，将在旋转的电解滚筒的表面析出的铜剥离，连续地制造厚度18μm的电解铜箔。
关于实施例1～4、10、比较例1，对以所述方式制作的电解铜箔的电解滚筒侧的表面(光泽面)进而依序实施以下(1)～(4)所示的表面处理。
(1)粗化处理
使用由Cu、H2SO4、As、W所构成的以下所记载的铜粗化镀浴形成粗化粒子。
(液体组成1)
CuSO4·5H2O：39.3～118g/L
Cu：10～30g/L
H2SO4：10～150g/L
Na2WO4·2H2O：0～90mg/L
W：0～50mg/L
十二烷基硫酸钠：0～50mg
H3AsO3(60％水溶液)：0～6315mg/L
As：0～2000mg/L
(电镀条件1)
温度：30～70℃
(电流条件1)
电流密度：25～110A/dm2
粗化库仑量：50～500As/dm2
镀覆时间：0.5～20秒
(液体组成2)
CuSO4·5H2O：78～314g/L
Cu：20～80g/L
H2SO4：50～200g/L
(电镀条件2)
温度：30～70℃
(电流条件2)
电流密度：5～50A/dm2
粗化库仑量：50～300As/dm2
镀覆时间：1～60秒
(2)阻隔处理(耐热处理)
镍锌合金镀覆
(液体组成)
Ni 13g/L
Zn 5g/L
pH值2
(电镀条件)
温度 40℃
电流密度 8A/dm2
(3)铬酸盐处理
锌铬酸盐处理
(液体组成)
CrO3 2.5g/L
Zn 0.7g/L
Na2SO4 10g/L
pH值4.8
(锌铬酸盐条件)
温度 54℃
电流密度 0.7As/dm2
(4)硅烷偶联剂处理
(液体组成)
四乙氧基硅烷含量0.4vol％
pH值 7.5
涂布方法 溶液喷雾
关于实施例5～8、14，对以所述方式制作的电解铜箔的电解滚筒侧的表面(光泽面)进而依序实施以下(1)～(5)所示的表面处理。
(1)粗化处理
为了形成3元系铜-钴-镍合金镀层的粗化处理粒子，在以下镀浴及镀覆条件下进行粗化处理。
镀浴组成：Cu10～20g/L，Co1～10g/L，Ni1～10g/L
pH值：1～4
温度：30～50℃
电流密度：20～30A/dm2
镀覆时间：1～5秒
(2)耐热处理
进行Co-Ni合金镀覆。以下记载Co-Ni合金镀覆条件。
(电解液组成)
Co：1～30g/L
Ni：1～30g/L
pH值：1.0～3.5
(电解液温)
30～80℃
(电流条件)
电流密度5.0A/dm2
镀覆时间：0.1～5秒
(3)防锈处理
锌-镍合金镀覆
(液体组成)
Ni 1～15g/L
Zn 10～40g/L
pH值3～4
(电镀条件)
温度 40～55℃
电流密度 2～5A/dm2
(4)铬酸盐处理
锌铬酸盐处理
(液体组成)
CrO3 2.5g/L
Zn 0.7g/L
Na2SO4 10g/L
pH值4.8
(锌铬酸盐条件)
温度 54℃
电流密度 0.7As/dm2
(5)硅烷偶联剂处理
(液体组成)
N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷含量0.4vol％
pH值7.5
涂布方法溶液喷雾
关于实施例9，对以所述方式制作的电解铜箔的电解滚筒侧的表面(光泽面)进而依序实施以下(1)～(3)所示的表面处理。
(1)阻隔处理(耐热处理)
镍-锌合金镀覆
(液体组成)
Ni 13g/L
Zn 5g/L
pH值2
(电镀条件)
温度40℃
电流密度8A/dm2
(2)铬酸盐处理
锌铬酸盐处理
(液体组成)
CrO3 2.5g/L
Zn 0.7g/L
Na2SO4 10g/L
pH值4.8
(锌铬酸盐条件)
温度 54℃
电流密度 0.7As/dm2
(3)硅烷偶联剂处理
(液体组成)
四乙氧基硅烷含量 0.4％
pH值 7.5
涂布方法 溶液喷雾
在所述表面处理后，进而在下述条件下，在铜箔的表面处理层的表面进行树脂层的形成。
(树脂合成例)
向在附有不锈钢制锚型搅拌棒、氮气导入管及停止旋塞的收集器上安装有设有球形冷却管的回流冷却器的2L三口烧瓶中，添加3,4,3',4'-联苯基四羧酸二酐117.68g(400mmol)、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯87.7g(300mmol)、γ-戊内酯4.0g(40mmol)、吡啶4.8g(60mmol)、N-甲基-2-吡咯烷酮(以下记作NMP)300g、甲苯20g，在180℃下加热1小时后冷却至室温附近，其后，添加3,4,3',4'-联苯基四羧酸二酐29.42g(100mmol)、2,2-双{4-(4-氨基苯氧基)苯基}丙烷82.12g(200mmol)、NMP200g、甲苯40g，在室温下混合1小时后，在180℃下加热3小时，获得固体成分38％的嵌段共聚聚酰亚胺。该嵌段共聚聚酰亚胺为下述所示的通式(1)：通式(2)＝3：2，数量平均分子量：70000，重量平均分子量：150000。
利用NMP将合成例中所获得的嵌段共聚聚酰亚胺溶液进一步稀释，制成固体成分10％的嵌段共聚聚酰亚胺溶液。在60℃下，在该嵌段共聚聚酰亚胺溶液中，以双(4-顺丁烯二酰亚胺苯基)甲烷(BMI-H，K-I化成)的固体成分重量比率为35、嵌段共聚聚酰亚胺的固体成分重量比率为65的方式(即，树脂溶液中所含的双(4-顺丁烯二酰亚胺苯基)甲烷固体成分重量：树脂溶液中所含的嵌段共聚聚酰亚胺固体成分重量＝35：65)，溶解并混合双(4-顺丁烯二酰亚胺苯基)甲烷20分钟，而制成树脂溶液。其后，在实施例28中，在铜箔的M面(高光泽面)，在实施例8中，在铜箔的极薄铜表面，使用逆辊涂敷机涂敷所述树脂溶液，在氮气环境下，在120℃下进行3分钟干燥处理，在160℃下进行3分钟干燥处理后，最后在300℃下进行2分钟加热处理，从而制作具备树脂层的铜箔。此外，树脂层的厚度设为2μm。
关于实施例11～13，对以所述方式制作的电解铜箔的电解滚筒侧的表面(光泽面)进而进行以下(1)所示的粗化处理后，依序实施实施例5的(2)～(5)的表面处理。
(1)粗化处理
为了形成3元系铜-钴-镍合金镀层的粗化处理粒子，在以下的镀浴及镀覆条件下进行粗化处理。
镀浴组成：Cu10～20g/L，Co1～10g/L，Ni1～10g/L
pH值：1～4
温度：30～50℃
电流密度：30～45A/dm2
镀覆时间：0.1～1.5秒
2.电解铜箔的评价
＜光泽面的面粗糙度Sa及均方根高度Sq＞
对表面处理前(即不具有粗化处理层)的电解铜箔的光泽面及表面处理后的电解铜箔的光泽面，依据ISO-25178-2：2012，利用Olympus公司制造的激光显微镜OLS4100(LEXTOLS 4100)，测定面粗糙度Sa及均方根高度。此时，使用激光显微镜中的物镜50倍，进行3处的200μm×1000μm面积(具体来说为200000μm2)的测定，算出面粗糙度Sa及均方根高度Sq。将3处所获得的面粗糙度Sa及均方根高度Sq的算术平均值分别设为面粗糙度Sa及均方根高度Sq的值。此外，在激光显微镜测定中，在测定结果的测定面并非平面而成为曲面的情况下，在进行平面修正后，算出面粗糙度Sa及均方根高度Sq。此外，激光显微镜的对于面粗糙度Sa的测定环境温度设为23～25℃。
＜常温抗拉强度、高温抗拉强度＞
电解铜箔的常温抗拉强度及高温抗拉强度依据IPC-TM-650进行测定。
＜常温伸长率、高温伸长率＞
电解铜箔的常温伸长率及高温伸长率依据IPC-TM-650进行测定。此外，如上所述，所谓“高温抗拉强度”表示180℃下的抗拉强度。另外，所谓“高温伸长率”表示180℃下的伸长率。
＜电路形成性＞
利用热压接将表面处理后的电解铜箔分别从光泽面侧贴合于双顺丁烯二酰亚胺三嗪树脂预浸体。其后，将贴合于该预浸体的电解铜箔从与预浸体贴合的一侧的相反侧进行蚀刻直至厚度成为9μm为止。然后，在进行蚀刻后的电解铜箔表面设置抗蚀涂层后，进行曝光、显影而形成抗蚀剂图案后，利用三氯化铁进行蚀刻，以L/S＝25μm/25μm、L/S＝22μm/22μm、L/S＝20μm/20μm、及L/S＝15μm/15μm分别形成20条长度1mm的配线。继而，测定从电路上方观察的电路下端宽度的最大值与最小值的差(μm)，取测定5处所得的平均值。如果最大值与最小值的差为2μm以下，则判断具有良好的电路直线性，设为◎。另外，当该最大值与最小值的差超过2μm且为4μm以下时，设为〇。另外，当该最大值与最小值的差超过4μm时，设为×。
将试验条件及试验结果示于表2。另外，图1A是实施例2的电解铜箔的光泽面的SEM像。图1B是实施例10的电解铜箔的光泽面的SEM像。
＜评价结果＞
实施例1～14中，不具有粗化处理层的电解铜箔的光泽面的面粗糙度Sa均为0.270μm以下且均方根高度Sq均为0.315μm以下，另外，具有粗化处理层的电解铜箔的光泽面的面粗糙度Sa均为0.470μm以下且均方根高度Sq均为0.550μm以下，电路形成性均良好。
比较例1中，不具有粗化处理层的电解铜箔的光泽面的面粗糙度Sa超过0.270μm且均方根高度Sq超过0.315μm，另外，具有粗化处理层的电解铜箔的光泽面的面粗糙度Sa超过0.470μm且均方根高度Sq超过0.550μm，电路形成性不良。

Claims (59)

1.一种电解铜箔，其在光泽面侧不具有粗化处理层，且所述光泽面的面粗糙度Sa为0.270μm以下。
2.根据权利要求1所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的均方根高度Sq为0.315μm以下。
3.一种电解铜箔，其在光泽面侧不具有粗化处理层，且所述光泽面的均方根高度Sq为0.315μm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的面粗糙度Sa为0.230μm以下。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的面粗糙度Sa为0.180μm以下。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的均方根高度Sq为0.292μm以下。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的均方根高度Sq为0.230μm以下。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的电解铜箔，其在光泽面侧不具有粗化处理层，且所述光泽面的面粗糙度Sa为0.150μm以下。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的均方根高度Sq为0.200μm以下。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的面粗糙度Sa为0.133μm以下。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的面粗糙度Sa为0.130μm以下。
12.根据权利要求1至3中任一项所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的均方根高度Sq为0.180μm以下。
13.根据权利要求1至3中任一项所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的均方根高度Sq为0.120μm以下。
14.根据权利要求1至3中任一项所述的电解铜箔，其满足以下A及B中的一个或两个：
(A)所述光泽面的面粗糙度Sa满足以下(a1)-(a10)中的一个或两个：
(a1)Sa为0.230μm以下、
(a2)Sa为0.180μm以下、
(a3)Sa为0.150μm以下、
(a4)Sa为0.133μm以下、
(a5)Sa为0.130μm以下、
(a6)Sa为0.120μm以下、
(a7)Sa为0.001μm以上、
(a8)Sa为0.010μm以上、
(a9)Sa为0.050μm以上、
(a10)Sa为0.100μm以上，
(B)所述光泽面的均方根高度Sq满足以下(b1)-(b10)中的一个或两个：
(b1)Sq为0.292μm以下、
(b2)Sq为0.230μm以下、
(b3)Sq为0.200μm以下、
(b4)Sq为0.180μm以下、
(b5)Sq为0.120μm以下、
(b6)Sq为0.115μm以下、
(b7)Sq为0.001μm以上、
(b8)Sq为0.010μm以上、
(b9)Sq为0.050μm以上、
(b10)Sq为0.100μm以上。
15.一种电解铜箔，其在光泽面侧具有粗化处理层，且所述光泽面的面粗糙度Sa为0.470μm以下。
16.根据权利要求15所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的均方根高度Sq为0.550μm以下。
17.一种电解铜箔，其在光泽面侧具有粗化处理层，且所述光泽面的均方根高度Sq为0.550μm以下。
18.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的面粗糙度Sa为0.380μm以下。
19.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的均方根高度Sq为0.490μm以下。
20.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，所述光泽面侧的面粗糙度Sa为0.355μm以下。
21.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，所述光泽面侧的面粗糙度Sa为0.300μm以下。
22.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，所述光泽面侧的面粗糙度Sa为0.200μm以下。
23.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，所述光泽面侧的均方根高度Sq为0.450μm以下。
24.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，所述光泽面侧的均方根高度Sq为0.400μm以下。
25.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，所述光泽面侧的均方根高度Sq为0.330μm以下。
26.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其满足以下C～F中的任一个或两个或三个或四个：
(C)所述光泽面的面粗糙度Sa满足以下(c1)-(c12)中的一个或两个：
(c1)Sa为0.385μm以下、
(c2)Sa为0.380μm以下、
(c3)Sa为0.355μm以下、
(c4)Sa为0.340μm以下、
(c5)Sa为0.300μm以下、
(c6)Sa为0.295μm以下、
(c7)Sa为0.230μm以下、
(c8)Sa为0.200μm以下、
(c9)Sa为0.001μm以上、
(c10)Sa为0.010μm以上、
(c11)Sa为0.050μm以上、
(c12)Sa为0.100μm以上，
(D)所述光泽面的均方根高度Sq满足以下(d1)-(d11)中的一个或两个：
(d1)Sq为0.490μm以下、
(d2)Sq为0.450μm以下、
(d3)Sq为0.435μm以下、
(d4)Sq为0.400μm以下、
(d5)Sq为0.395μm以下、
(d6)Sq为0.330μm以下、
(d7)Sq为0.290μm以下、
(d8)Sq为0.001μm以上、
(d9)Sq为0.010μm以上、
(d10)Sq为0.050μm以上、
(d11)Sq为0.100μm以上，
(E)在光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的面粗糙度Sa满足以下(e1)-(e11)中的一个或两个：
(e1)Sa为0.270μm以下、
(e2)Sa为0.230μm以下、
(e3)Sa为0.180μm以下、
(e4)Sa为0.150μm以下、
(e5)Sa为0.133μm以下、
(e6)Sa为0.130μm以下、
(e7)Sa为0.120μm以下、
(e8)Sa为0.001μm以上、
(e9)Sa为0.010μm以上、
(e10)Sa为0.050μm以上、
(e11)Sa为0.100μm以上，
(F)在光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的均方根高度Sq满足以下(f1)-(f11)中的一个或两个：
(f1)Sq为0.315μm以下、
(f2)Sq为0.292μm以下、
(f3)Sq为0.230μm以下、
(f4)Sq为0.200μm以下、
(f5)Sq为0.180μm以下、
(f6)Sq为0.120μm以下、
(f7)Sq为0.115μm以下、
(f8)Sq为0.001μm以上、
(f9)Sq为0.010μm以上、
(f10)Sq为0.050μm以上、
(f11)Sq为0.100μm以上。
27.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，在光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的面粗糙度Sa为0.270μm以下。
28.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，在光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的面粗糙度Sa为0.150μm以下。
29.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，在所述光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的面粗糙度Sa为0.133μm以下。
30.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，在所述光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的面粗糙度Sa为0.130μm以下。
31.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，在光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的均方根高度Sq为0.315μm以下。
32.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，在光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的均方根高度Sq为0.200μm以下。
33.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，在所述光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的均方根高度Sq为0.180μm以下。
34.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，在所述光泽面侧设置粗化处理层之前的光泽面的均方根高度Sq为0.120μm以下。
35.根据权利要求1至3、15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，常温抗拉强度为30kg/mm2以上。
36.根据权利要求1至3、15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，常温伸长率为3％以上。
37.根据权利要求1至3、15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，高温抗拉强度为10kg/mm2以上。
38.根据权利要求1至3、15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，高温伸长率为2％以上。
39.根据权利要求1至3、15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，在所述电解铜箔的与光泽面为相反侧的面具有粗化处理层。
40.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，所述粗化处理层是由选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、铁、钒、钴及锌所组成的群中的任一单质或含有任意一种以上单质的合金所构成的层。
41.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，在所述电解铜箔的光泽面侧的粗化处理层的表面，具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。
42.根据权利要求39所述的电解铜箔，其中，在所述电解铜箔的光泽面侧、及与光泽面为相反侧的面侧中的其中一个或两个粗化处理层的表面，具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。
43.根据权利要求1至3、15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，在所述电解铜箔的光泽面侧、及与光泽面为相反侧的面侧中的其中一个或两个上，具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。
44.根据权利要求1至3、15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，在所述电解铜箔的光泽面侧、及与光泽面为相反侧的面侧中的其中一个或两个上具备树脂层。
45.根据权利要求15至17中任一项所述的电解铜箔，其中，在所述粗化处理层上具备树脂层。
46.根据权利要求39所述的电解铜箔，其中，在所述粗化处理层上具备树脂层。
47.根据权利要求41所述的电解铜箔，其中，在所述选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层上具备树脂层。
48.根据权利要求42所述的电解铜箔，其中，在所述选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层上具备树脂层。
49.根据权利要求43所述的电解铜箔，其中，在所述选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层上具备树脂层。
50.一种电解铜箔的制造方法，其是使用表面的面粗糙度Sa为0.270μm以下的电解滚筒来制作电解铜箔。
51.根据权利要求50所述的电解铜箔的制造方法，其是使用表面的均方根高度Sq为0.315μm以下的电解滚筒来制作电解铜箔。
52.一种电解铜箔的制造方法，其是使用表面的均方根高度Sq为0.315μm以下的电解滚筒来制作电解铜箔。
53.根据权利要求50至52的中任一项所述的电解铜箔的制造方法，其是使用所述表面的面粗糙度Sa为0.150μm以下的电解滚筒来制作电解铜箔。
54.根据权利要求50至52中任一项所述的电解铜箔的制造方法，其是使用表面的均方根高度Sq为0.200μm以下的电解滚筒来制作电解铜箔。
55.一种覆铜积层板，其具有根据权利要求1至49中任一项所述的电解铜箔。
56.一种印刷配线板，其具有根据权利要求1至49中任一项所述的电解铜箔。
57.一种印刷配线板的制造方法，其是使用根据权利要求1至49中任一项所述的电解铜箔来制造印刷配线板。
58.一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：将根据权利要求1至49中任一项所述的电解铜箔与绝缘基板进行积层而形成覆铜积层板，其后通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法来形成电路。
59.一种电子机器的制造方法，其是使用由根据权利要求57或58所述的方法制造的印刷配线板来制造电子机器。
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