CN107004557A - 包括集成的通风系统的离子植入机 - Google Patents

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Abstract

本发明描述一种离子植入系统，其包含：离子植入机，所述离子植入机包括壳体，所述壳体界定封围容积，在所述封围容积中定位有气体箱，所述气体箱经配置以固持一或多个气体供应容器，所述气体箱与所述封围容积中在所述气体箱外部的气体进行受限式气体流动连通；第一通风组合件，其经配置以使通风气体流动通过所述壳体，并且从所述壳体排出所述通气气体到所述离子植入机的周围环境；第二通风组合件，其经配置以将气体从所述气体箱排出到处理设备，所述处理设备适于从所述气体箱排气至少部分地移除污染物，或者所述处理设备适于稀释所述气体箱排气，以产生经处理的流出气体，所述第二通风组合件包括可变流量控制装置及运动流体驱动器，所述可变流量控制装置用于在相对较低的气体箱排气流率与相对较高的气体箱排气流率之间调整所述气体箱排气的流率，且所述运动流体驱动器适于使所述气体箱排气流动通过所述可变流量控制装置到所述理设备；以及监测及控制组合件，其经配置以监测所述离子植入机的操作是否发生气体危险事件，且当发生气体危险事件时，响应地阻止所述一或多个气体供应容器的气体分配操作，并且调整所述可变流量控制装置到所述相对较高的气体箱排气流率，使得所述运动流体驱动器以所述相对较高的气体箱排气流率使所述气体箱排气流动到所述处理设备。优选地，在气体危险事件中，从所述壳体排放的所述壳排气也终止，以促进所述壳体内、所述气体箱的内部以及外部的所有气体排出到所述处理单元。

Description

包括集成的通风系统的离子植入机
相关申请案的交叉参考
依据35U.S.C.§119，在此主张2014年10月30日申请的第62/072,980号美国临时专利申请案的优先权的权益。第62/072,980号美国临时专利申请案的揭示内容特此以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及离子植入设备及方法，且更特定来说，涉及包括集成的通风系统来增强操作的安全性及效率的此类型的设备及方法。
背景技术
离子植入在半导体制造工业中是很重要的单元操作。商用离子植入设备一般经配置以包含外部封围壳体，壳体内安置有气体箱，气体箱容纳有气体供应容器，气体供应容器与适当的气体传送流路耦合，以使气体流动到位于此壳体内的离子植入机工具。在半导体产品、平板显示器、太阳能电池板及类似物的制造中，离子植入机工具可包含离子源腔室，离子源腔室中的供应气体受到离子化的条件，以形成植入物种，植入物种然后可由原子质量选择装备、离子束产生及瞄准装备来选择，以撞击于安装在离子植入腔室中的衬底上，来植入掺杂物种于其中。
因为气体箱中的气体供应容器中容纳的气体经常为有毒的或具有其它危险特性，离子植入设备的外部封围壳体经布置使得清洁的干燥空气或其它通风气体流入壳体中。气体箱通常配置成与设备的所谓的“壳”(即，气体箱的内部容积外部的外部封围壳体内的容积)受限式气体连通，使得来自壳的气体抽入气体箱中，且然后在排气鼓风机或排气风扇或其它运动流体驱动器装备的推动下，通过气体箱的排气导管而排出。
流动通过壳的通风气体称为壳排气，且流动通过气体箱且从气体箱排出的从壳排气取得的通风气体称为气体箱排气。壳与气体箱内部容积之间的受限式气体连通可由入口门中的百叶窗或者气体箱的结构中存在的或由其所界定的其它气体流动通路来构成。
引入到第一例子中的离子植入设备的外部封围壳体的通风气体(一般为空气)在关于其湿度、温度、纯度、及无微粒特性的方面受到严格的规格限制。为了满足这些严格的规格，空气受到过滤、冷却、湿化/除湿、及净化操作，这将导致关于相关联的资本装备及操作成本的大量费用。
从壳排气取得的气体箱排气流动通过与气体箱相关的管道系统而到处理单元。处理单元可由晶片厂建筑物上的屋顶安装的处理设施来构成，离子植入设备在晶片厂建筑物中操作。处理单元可为任何合适的类型，并且可(例如)包含酸洗涤器或水洗涤器，以从气体箱排气移除污染物种，其中已洗涤的排气排放到大气中。替代地，处理单元可包括稀释单元，其中气体箱排气大体上利用大量的空气来稀释，且然后直接排放到大气中。
与离子植入设备相关联的通风气体的补充、调节、以及排气操作因此代表此设备的安全的及高效性能的关键方面，但是如以上所提及，这涉及到其中有采用离子植入设备的制造设施中的大量资本装备及操作成本。
发明内容
本发明涉及离子植入设备及方法。
在一个方面中，本发明涉及一种离子植入系统，其包括：离子植入机，离子植入机包括壳体，壳体界定封围容积，在封围容积中定位有气体箱，气体箱经配置以固持一或多个气体供应容器，气体箱是与在气体箱外部的封围容积中的气体受限式气体流动连通；第一通风组合件，第一通风组合件经配置以使通风气体流动通过壳体，并且将通气气体从壳体排出到离子植入机的周围环境；第二通风组合件，第二通风组合件经配置以将气体从气体箱排出到处理设备，所述处理设备适于从气体箱排气至少部分地移除污染物，或者所述处理设备适于稀释气体箱排气，以产生经处理的流出气体，第二通风组合件包括可变流量控制装置及运动流体驱动器，所述可变流量控制装置用于将气体箱排气的流率调整于相对较低的气体箱排气流率与相对较高的气体箱排气流率之间，且所述运动流体驱动器适于使气体箱排气流动通过可变流量控制装置到处理设备；以及监测及控制组合件，其经配置以监测离子植入机的操作是否发生气体危险事件，且当发生气体危险事件时，响应地阻止一或多个气体供应容器的气体分配操作，并且调整可变流量控制装置到相对较高的气体箱排气流率，使得运动流体驱动器以相对较高的气体箱排气流率来使气体箱排气流动到处理设备。
在另一方面中，本发明涉及一种操作离子植入系统的方法，离子植入系统包含离子植入机，离子植入机包括壳体，壳体界定封围容积，在封围容积中定位有气体箱，气体箱经配置以固持一或多个气体供应容器，气体箱是与在气体箱外部的封围容积中的气体受限式气体流动连通，此方法包括：使通风气体流动通过壳体，并且将通气气体从壳体排出到离子植入机的周围环境；从气体箱排出气体，并且处理所述气体，以从气体箱排气至少部分地移除污染物，或者稀释气体箱排气，以产生经处理的流出气体；监测离子植入机的操作是否发生气体危险事件；在所述监测期间未发生气体危险事件期间，以相对较低的气体箱排气流率从气体箱排出气体来用于所述处理；以及在所述监测期间发生气体危险事件时，阻止一或多个气体供应容器的气体分配操作，并且以相对较高的气体箱排气流率从气体箱排出气体来用于所述处理。
本发明的其它方面、特征及实施例将从随后的描述及所附权利要求书而变得完全更显而易见。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施例的包含离子植入设备的半导体制造设施的简化示意表示。
具体实施方式
本发明涉及离子植入设备及方法。
本发明的离子植入系统配置实现例如从半导体制造设施的屋顶通风口消除用于流动来自植入机的壳排气来排放壳排气到大气中的流路，所述流路是半导体制造晶片厂中目前为止的常规实践。
壳排气为流动通过离子植入系统的壳体并且随后从离子植入系统的壳体排出的通风气体。气体箱安置于离子植入系统的壳体内，并且是与在气体箱外部的壳体中的气体受限式气体连通。举例来说，气体箱可设有入口门或其它入口结构，其实现气体从壳体内的气体箱的外部环境进入气体箱中的通路，例如，通过入口门中的百叶窗，或者实现气体箱的入口结构或其它结构部分中的其它气体通路。在离子植入操作期间，气体箱通过风扇或用来从气体箱移除通风气体的其它抽气设备而排出气体。负压借此产生在气体箱中，负压用来将通风气体从气体箱的“壳侧”抽入气体箱的内部中(壳侧为气体箱的外部并且在离子植入系统壳体内)。通过抽气装备从气体箱移除的通风气体然后通过洗涤或稀释而受到处理且被排放到大气中，而壳侧排气仅从离子植入设备壳体排放到晶片厂环境，例如，在设有离子植入系统的建筑物内，而非排放到大气中(如现有技术的实施方式针对来自离子植入装备装置的壳侧排气所做的)。
通过消除用于使壳排气从植入机流动到屋顶通风系统的流路，可实现大幅减少资本成本以及用于离子植入系统的操作成本，因为不需要安装管道系统及相关的风扇/鼓风机来将壳排气移动到半导体制造设施的屋顶。此外，因为壳排气回送到晶片厂环境中，在第一例子中使周围空气进入，并且使周围空气受到过滤、纯化、及湿化/除湿来使用作为通风气体所涉及的费用可通过重新使用壳排气而减少，而非仅将壳排气以单次通过的方式从屋顶通风口排放到大气中。因此，补充用于通风气体的空气所需的设备(包含过滤器、湿化器、冷却器、鼓风机、及相关的管道系统)可在尺寸及容量上大幅减少，借此实现减少操作费用。作为具体的范例，在容纳有30台植入机的晶片厂中，部署根据本发明所配置的离子植入系统，在此设施的操作中可减少设施所需的通风气体达每分钟60000ft3的通风气体或更多。
根据本发明的离子植入系统的配置在具体实施例中包括利用气体供应瓶阀头上的气动致动器，以及配置植入机的监测及控制系统来监测壳环境及植入机的气体箱环境是否有指示有气体从气体箱中的气体供应瓶泄漏的污染物，使得在泄漏事件中，监测及控制系统操作以自动关闭气体供应瓶阀，并且打开气体箱上的调节闸，来以高体积的气体流率使气体箱排出气体，高体积的气体流率是相对于在植入机的正常操作中所使用的低体积的气体流率来说的。
气体供应瓶可经配置以进一步加强离子植入系统的操作的安全性，作为基于吸附剂的气体供应瓶，或者作为压力调节的气体供应瓶，其包含在容器的内部容积中的一或多个压力调节器。
根据本发明的离子植入系统因此可配置使得当监测及控制系统检测到壳排气中的任何有毒或其它危险污染物时，监测及控制系统操作来停止风扇吹动壳排气进入晶片厂中，并且增加通过气体箱的气流，使得植入机壳体中的壳气体抽入气体箱中，而以增加的速率排出气体到屋顶安装的或其它的处理设备。
离子植入系统在具体实施例中可配置有气体箱上的2位置调节闸，2位置调节闸在植入机操作中受到监测及控制。当离子植入系统以正常模式操作，且危险气体正从处于低于大气压力的气体箱中的气体源容器供应时，监测及控制系统以操作的“不流动/低流量模式”操作植入机。当气体箱中的气体源容器更换及/或技术人员在气体箱中工作时，监测及控制系统以高流量模式操作植入机，其中气体箱以增加的速率排出气体，其中壳气体抽入气体箱中并且以高的通风速率排放到屋顶安装的或其它处理设备。排气也可能源自离子植入装备所位于的建筑物中的内室(例如，无尘室)，例如，其中离子植入设备壳体中的门打开，以允许来自内室的气体流入壳体中，且然后从离子植入设备的壳进入气体箱中。
通过利用“智能型”调节闸组合件来配置离子植入系统以增加的通风速率模式操作，离子植入系统可实现大幅减少能源需求，因为系统能够在正常条件下以低流量操作模式操作，并且也可在气体危险事件期间(例如，危险气体的泄漏)及人员在离子植入系统中的维修操作期间，实现以高流量模式操作的离子植入系统的安全特性的大幅增强。
本发明的方法应用到新的晶片厂构造能够达到大幅减少资本装备成本，因为避免排放植入机的壳排气到大气中或晶片厂的外部的能力允许节省管道系统、风扇、空气净化系统等，如果采用排放壳排气到大气中的常规方法就需要这些设备。
在一个方面中，本发明涉及一种离子植入系统，其包括：离子植入机，离子植入机包括壳体，壳体界定封围容积，在封围容积中定位有气体箱，气体箱经配置以固持一或多个气体供应容器，气体箱与封围容积中在气体箱外部的气体进行受限式气体流动连通；第一通风组合件，其经配置以使通风气体流动通过壳体，并且从壳体排出通气气体到离子植入机的周围环境(例如，部署有离子植入系统的晶片厂建筑物内)；第二通风组合件，其经配置以将气体从气体箱排出到处理设备，所述处理设备适于从气体箱排气至少部分地移除污染物，或者所述处理设备适于稀释气体箱排气，以产生经处理且无害的流出气体，第二通风组合件包括可变流量控制装置及运动流体驱动器，所述可变流量控制装置用于在相对较低的气体箱排气流率与相对较高的气体箱排气流率之间调整气体箱排气的流率，且所述运动流体驱动器适于使气体箱排气流动通过可变流量控制装置到处理设备；以及监测及控制组合件，其经配置以监测离子植入机的操作是否发生气体危险事件，且当发生气体危险事件时，响应地阻止一或多个气体供应容器的气体分配操作，并且调整可变流量控制装置到相对较高的气体箱排气流率，使得运动流体驱动器以相对较高的气体箱排气流率使气体箱排气流动到处理设备。
如本文使用，术语“气体危险事件”希望概括地解释为涵盖：可能由于离子植入系统或部署有此系统的设施中不适当的通风气体流率而发生或增加量级或强烈程度的任何事件。此类事件可包含(但不限于)离子植入系统中有毒或危险气体成分的泄漏，例如，掺杂剂传送气体分配系统的泄漏或故障、离子植入系统的装备或组件的过热、装备或组件的故障或失效、或者损害或负面影响离子植入系统、部署有此类系统的设施、或操作或靠近此系统或设施的人员的任何其它事件。
如本文中使用，参考离子植入机的术语“周围环境”指的是：离子植入机的壳体的外部以及安置有离子植入机的建筑物或其它结构设施内的环境，例如，安装有离子植入机的无尘室。
在如上文概括地描述的离子植入系统的一个具体实施例中，监测及控制组合件可经配置以在气体危险事件时终止第一通风组合件的操作，例如，通过停止从离子植入系统的壳体排放壳排气的壳排气增压风扇的操作。
离子植入系统可配置有可变流量控制装置，其包括可变位置流量调节闸装置，例如，双位置流量调节闸装置、可变位置流量调节闸装置、或者可调整来在气体危险事件中达到气体箱的高体积流率排气的其它可变流量控制装置。
上述离子植入系统的处理设备在具体实施例中可包括：在包括离子植入机的晶片厂的屋顶上的屋顶处理单元。此屋顶处理单元在特定实施例中可包括湿式或干式洗涤器、催化氧化单元、及/或对于气体污染物具有吸附性亲和力的吸附剂，以实现从气体移除污染物。替代地，处理设备可包括稀释设备，稀释设备经配置以利用大量的空气大幅稀释气体箱排气，以产生经处理的流出气体。
监测及控制组合件在本发明的广泛实践中同样可广泛地变化。在特定实施例中，监测及控制组合件可包括气动阀致动器，其经配置以致动存在于气体箱中的一或多个气体供应容器的流量控制阀。气体箱在特定实施例中可容纳一个气体供应容器，或者一个以上气体供应容器。例如，在特定实施例中，可存在多个气体供应容器，其包含掺杂剂前驱物供应容器，掺杂剂前驱物供应容器供应用于离子化的前驱物，以形成用于离子植入操作的植入物种。可存在多个容器，其中自动切换设备经配置以将气体分配操作从排出的气体供应容器切换到气体箱中的新容器(通过适当的歧管及阀布置)。多个容器可包含纳辅助气体(例如共流物、共反应物、稀释剂、清洗或其它气体)的容器，以调节离子植入系统的操作。
气体供应容器可为基于吸附剂型的容器，其容纳有吸附剂，吸附剂对于要存附在吸附剂上且在分配条件下从吸附剂解除吸附的气体具有吸附性亲和力。此类气体供应容器可配备有气动阀致动器，气动阀致动器经布置以致动气体箱中的气体供应容器的流量控制阀。气体供应容器替代地可包括压力调节的气体供应容器，压力调节的气体供应容器具有一或多个气体压力调节器内部地安置在容器的内部容积中，以在压力调节器的设定点压力时从容器可控制地分配气体，或者，当采用串接布置的压力调节器时，在最靠近容器的阀头的下游压力调节器的设定点压力时分配气体。因此，监测及控制组合件可包括与压力调节容器相关联的气动阀致动器。在本发明的广泛实践中，可采用其它合适类型的气体供应容器。
在离子植入系统中用来使气体箱排气流动通过可变流量控制装置到处理设备的运动流体驱动器可为任何合适的类型，并且可包括可变驱动器鼓风机或风扇。运动流体驱动器可包括变频驱动器。
可采用监测及控制组合件的各种布置。在各种实施例中，一或多个传感器可经配置以感测封围体内(气体箱的内部及/或外部)的处理条件，并且基于一或多个传感器的处理条件感测来响应地调节可变流量控制装置。此类传感器可包括压力传感器、温度传感器、有毒气体监测器、或其它感测或检测装置或组合件。离子植入系统操作的最安全模式涉及低于大气压力的气体传送。传感器可对应地包括压力传感器，压力传感器监测气体供应管线，并且在气体供应管线中监测到的压力超过预定的最大值或者超过气体供应管线中预定的压力变化速率(以便于适应在特性上无害的小压力波动)时，产生警报输出或流动终止输出信号。
离子植入系统本身可多样地配置，并且可包括离子束线离子植入装备、或等离子体浸没离子植入装备、或其它类型的离子植入装备。在各种实施例中，离子植入系统中的离子植入机可包括离子源腔室，所述离子源腔室经配置以从气体箱中的一或多个气体供应容器中的至少一者接收气体，这是通过流动分配气体通过气体流路进行的，所述气体流路将此气体分配气体供应容器与离子源腔室互连。
监测及控制组合件可布置在此离子植入系统中，以在一或多个处理条件偏离预定处理条件的事件中(如前述的气体危险事件)，阻止来自气体分配气体供应容器的气体分配操作。监测及控制组合件可(例如)经配置以在气体箱中的压力偏离低于大气压力的条件时(如前述的气体危险事件)，终止来自气体分配气体供应容器的分配气体的流动。监测及控制组合件然后可通过致动阀致动器来控制气体分配气体供应容器的气体供应阀及/或关闭流路中的气体流量控制阀，而终止分配气体的流动。
因此，监测及控制组合件可经配置以在从气体箱中的一或多个气体供应容器分配气体期间，维持气体箱处于低于大气压力。
在各种实施例中，离子植入系统可经配置，其中气体箱包含入口结构，所述入口结构可打开以允许气体箱中的气体供应容器的安装或更换，且所述入口结构可关闭以配置气体箱用于操作，其中当气体箱入口结构打开时，监测及控制组合件经配置以调整可变流量控制装置到相对较高的气体箱排气流率，使得运动流体驱动器以相对较高的气体箱排气流率使气体箱排气流动到处理设备。
此配置为需要使用气体箱或者维修、检验、用气体供应容器重新装载气体箱、以及其它使用行动的人员提供高度安全性。
在其它实施例中，离子植入系统可配置有包括气体流动管线的监测及控制组合件，气体流动管线是选择性地可耦合以互连离子植入系统的真空腔室及第二通风组合件，以在操作、检验或维修人员使用真空腔室期间使真空腔室通风。针对此种目的，真空腔室可包括选择性可移除的盖体，以实现气体流动管线耦合到真空腔室。
在其它实施方案中，离子植入系统可包含监测及控制组合件，其经配置以在发生气体危险事件时终止第一通风组合件的操作。第一通风组合件可包括壳排气鼓风机、风扇、及/或其它通风装备，如适于所涉及的特定应用。
在其它实施例中，离子植入系统可经配置使得气体危险事件的发生包括：通过监测及控制组合件检测气体箱中的通风气体中或壳体中的通风气体中的危险气体。
离子植入系统可配置有未直接或间接连接到气体处理设施的第一通风组合件。
在另一方面中，本发明涉及一种半导体制造设施，其包括如本文各种描述的本发明的离子植入系统，其中处理设备包括在设施的屋顶上的屋顶处理单元。此半导体制造设施可经建构使得设施不包括用于壳排气的屋顶排出的任何管道系统。
在另一方面中，本发明涉及一种操作离子植入系统的方法，离子植入系统包括离子植入机，离子植入机包括壳体，壳体界定封围容积，在封围容积中定位有气体箱，气体箱经配置以固持一或多个气体供应容器，气体箱是与在气体箱外部的封围容积中的气体受限式气体流动连通，此方法包括：使通风气体流动通过壳体，并且将通气气体从壳体排出到离子植入机的周围环境；从气体箱排出气体，并且处理所述气体以从气体箱排气至少部分地移除污染物，或者稀释气体箱排气以产生经处理的流出气体；监测离子植入机的操作是否发生气体危险事件；在所述监测期间未发生气体危险事件期间，以相对较低的气体箱排气流率从气体箱排出气体来用于所述处理；以及在所述监测期间发生气体危险事件时，阻止一或多个气体供应容器的气体分配操作，并且以相对较高的气体箱排气流率从气体箱排出气体来用于所述处理。
此方法可以此方式实施使得在发生气体危险事件时终止：流动通风气体通过壳体，以及从壳体排出通气气体到离子植入机的周围环境。
前述方法中的处理可包括：在位于包括离子植入机的晶片厂的屋顶上的屋顶处理单元中的气体处理。
在上文概括地描述的方法中，一或多个气体供应容器中的每一者可具有操作地耦合到其的气动阀致动器，其中气动阀致动器经致动以阻止气体分配操作。前述的容器可包括一或多个基于吸附剂的气体供应容器、或者一或多个压力调节的气体供应容器、或者两种类型的容器、或者其它类型的容器。
前述方法中的监测操作可包括：监测气体箱的外部的封围体中的处理条件。监测操作可包括压力监测、温度监测、监测有毒气体的检测、及/或任何其它监测操作。
本发明的概括地描述的方法可包括：在一或多个处理条件偏离预定的处理条件的事件中(如前述的气体危险事件)，阻止一或多个气体供应容器的气体分配操作。举例来说，所述方法可包括：在监测的压力(例如，在掺杂剂气体传送管线中)偏离低于大气压力的条件时(如气体危险事件)，阻止一或多个气体供应容器的气体分配操作。
阻止一或多个气体供应容器的气体分配操作可如此实行：通过关闭气体分配气体供应容器的气体供应阀及/或通过关闭与一或多个气体供应容器相联的流路中的气体流量控制阀。
所述方法可经实践以在从气体箱中的一或多个气体供应容器分配气体期间，维持气体箱低于大气压力。
与前面的描述一致，气体箱可包含入口结构，入口结构可打开以允许安装或更换气体箱中的气体供应容器，且所述入口结构可关闭以配置气体箱用于操作，其中所述方法包括：当气体箱入口结构打开时，以相对较高的气体箱排气流率来从气体箱排出气体。
本发明的概括地描述的方法可实施于包括真空腔室的离子植入系统中，其中所述方法包含：使真空腔室排出气体到管道系统，管道系统用于从气体箱排出气体，且从真空腔室排出气体到所述处理操作。
因此，所述方法可在各种实施方案中实施为包括：在发生气体危险事件时，终止使通风气体流动通过壳体以及将通气气体从壳体排出到离子植入机的周围环境(例如，部署有离子植入系统的内室或建筑物)。气体危险事件的发生可包括：检测气体箱中的通风气体(气体箱排气)中的危险气体及/或检测壳体中的通风气体(壳排气)中的危险气体。
现在参见图式，图1为包含具有屋顶14的晶片厂建筑物12的半导体制造设施10的示意表示。在建筑物中安置有离子植入系统，离子植入系统包含离子植入系统壳体16，壳体16界定其中的内部容积18。在壳体16的内部容积18中提供气体箱20，气体箱20界定其中的内部容积22。
气体箱20的内部容积22含有气体供应容器24、26、28。气体供应容器中的每一者包含阀头30，阀头30含有阀，阀通过相联的气动致动器32而可选择性地在完全打开位置与完全关闭位置之间转变。相应容器的阀头中的每一者与气体分配管线34耦合，且相应气体分配管线以歧管布置方式连接到分配气体馈送管线36。分配气体馈送管线36含有歧管隔离阀38，当歧管隔离阀38打开时，其允许由气体供应容器中的一或多者供应的气体流到离子源腔室52。
气体箱20设有气体箱排气管道40，气体箱排气管道40含有可变位置调节闸42及气体箱排气鼓风机44，以及排气管道温度传感器98。气体箱排气管道40将来自气体箱20内部容积22的气体箱排气传送到屋顶处理单元46，在屋顶处理单元46中，气体箱排气受到处理以从气体箱排气移除污染物，及/或气体箱排气受到处理以利用大量空气来稀释气体箱排气，从而产生经处理的气体，经处理的气体在排放管线48中排放到大气。
屋顶处理单元46因此可包括催化氧化单元、用于接触气体箱排气的吸附床、湿式或干式洗涤器等，以从气体箱排气移除污染物，使得气体箱排气可在排放管线48中排放到大气。屋顶处理单元46替代地或额外地可包括通风口布置，其用于利用来自晶片厂建筑物外部的空气来稀释气体箱排气。
离子植入系统壳体16的内部容积18含有离子植入工具50，其包括前述的离子源腔室52。离子植入工具50包含入口门104，其用于维修、检验等。所述工具的离子源腔室52在离子植入系统的操作期间作为真空腔室在真空下操作，并且设有用于维修、检验等的入口门106。离子源腔室52可设有可移除的盖体108，软性排气管线110可耦合到盖体108，其中此种软性排气管线的相对端可耦合到气体箱排气管道40，用于在维修期间使离子源腔室52排气，例如，其中入口门102、104、及106打开，以允许晶片厂空气抽入离子源腔室中并且通过气体箱排气管道40而排出。
离子植入工具50中的离子源腔室52经配置以操作从而从自分配气体馈送管线流动到其的气体中的前驱物产生植入物种(通过离子化此气体)，且离子源腔室与用于产生离子束54的电极、原子质量单位选择设备、瞄准组件等(图1中未展示)相关，离子束54受到导引而入射在植入腔室60中的支撑件58上的衬底56上。
半导体制造设施10包含补充空气入口管线88，其将周围空气引入到补充空气处理单元90中，在补充空气处理单元90中补充空气受到过滤、湿化/除湿、纯化、及调节温度，以提供经由壳通风气体入口管线92引入离子植入系统壳体16的内部容积18中的通风气体。此壳排气然后流动通过壳体的内部容积18，并且通过气体箱入口门94中的百叶窗96而抽入气体箱中。进入气体箱20的内部容积22中的通风气体以由可变位置调节闸42及气体箱排气鼓风机44控制的速率排放到气体箱排气管道40，气体箱排气鼓风机44可为变速的类型，用来抽入通风气体作为进入排气管道40的气体箱排气，以流动到屋顶处理单元。引入离子植入系统壳体16的内部容积18中的通风气体在流动通过此内部容积之后，通过壳排气管线112而排放到晶片厂(除了抽入气体箱20中的所述体积部分之外)。
图1中所展示的离子植入系统设有用于系统操作的监测及控制组合件。此监测及控制组合件包括CPU 62，CPU 62操作性连结到气体箱的内部容积22中的监测元件。此类监测组件包含温度传感器64，其通过温度感测信号传输线82而以信号传输的关系接合到CPU62。监测组件包含压力传感器66，其通过压力感测信号传输线80而以信号传输的关系接合到CPU 62。监测组件也包含有毒气体监测器68，其经配置以检测有毒气体的存在，例如，因为从气体供应容器或歧管耦合件泄漏。有毒气体监测器通过有毒气体监测器信号传输线78而以信号传输的关系接合到CPU 62。将了解到，任何数目及类型的监测组件都可用于本发明的实践中，以产生由相应信号传输线传送到CPU的输出，且响应于所述输出，CPU调整离子植入系统中的装备及处理条件以实现其有效率的操作。
所说明的CPU 62可经配置以将输出控制信号传送到各种系统元件。举例来说，CPU可经配置以响应于指示气体危险事件的输入感测信号，而通过在信号传输线70、72、及74中将控制信号传送到与气体供应容器相关的相应气动阀致动器，以关闭此气体供应容器的阀头中相应阀。CPU可额外地经配置以通过在信号传输线76中将控制信号传送到歧管隔离阀38而隔离气体馈送歧管，使得响应于气体危险事件，阀接收到信号而关闭。
CPU 62也可经配置以在信号传输线84中将控制信号传送到可变位置调节闸42，以打开此调节闸并且促进增加的排气流量，结合通过CPU在信号传输线86中将控制信号传送到气体箱排气鼓风机44，使得来自气体箱20的内部容积22的高排气速率可以实现。虽然在图1的所说明的实施例中的气体箱20是展示为含有各种传感器元件，但将了解，对应元件也可定位在气体箱排气管道40中，例如，如由排气管道温度传感器98所说明，排气管道温度传感器98经布置以在信号传输线100中将排气管道温度信号输出到CPU 62。
因此，CPU 62经配置以接收指示离子植入系统中的操作及过程条件的各种感测数据，并且响应地可控制地调整可变位置调节闸42及气体箱排气鼓风机44，以在气体危险事件发生时实现增加的气体箱排气流率，并且通过关闭气体供应容器上的阀及/或关闭气体供应歧管流路中的隔离阀38而终止气体箱中的气体供应容器的气体分配。
离子植入系统也可配置有CPU以用于在入口门94、102、104、及106中的一或多者由操作、检验、或维修人员打开时增加气体箱排气流量，使得气体箱排气流率立即增加，以提高此类使用活动的安全性。
可变位置调节闸42可因此经配置为在端点位置之间完全连续可变，或者可变位置调节闸42可经配置为两个或两个以上离散位置设置，使得气体箱排气流率匹配于正常操作条件及气体危险事件条件，但是在任一情况中，气体箱排气流率在发生气体危险事件时增加到相对较高的水平，所述相对较高的水平是相对于离子植入系统的正常操作条件(即，非危险事件)所伴随的相对较低水平来说的。
将了解，本发明的广泛实践中所使用的监测及控制组合件可广泛地变化，以提供监测活动及响应控制行动的广泛范围，来增强离子植入系统的安全性及效率。
本发明的离子植入排气管理设备及过程可使得能够实现离子植入系统的能源及资本装备成本的大幅减少，所述减少是相对于未使用本发明的排气管理设备及过程的离子植入系统来说的。本发明的设备及过程提供较安全、较低成本的植入系统空气处置，并且协助最少化半导体制造操作中的温室气体排放。
相比于半导体设施中的其它制造工具，离子植入机需要气体箱与围绕壳封围体之间最大的排气容积分隔，通常使用2500CFM量级的总通风。考虑到常规半导体晶片厂可能含有30台以上的植入机，置换此容积的干净的、高度调节的空气所需的能量为大量的，并且需要大的基础设施费用。气体箱排气(可能含有危险材料)通常在释放之前发送通过洗涤器。洗涤的(或酸洗涤的)排气因此比壳排气消耗更多的资源，并且导致更多的晶片厂运营成本。
本发明认识到可通过再用与植入机操作相关联的大量排出空气体积来减少半导体制造设施的可变及资本成本，且运用多种方式来进一步减少排气要求并将通风管理集成到离子植入机的操作架构中以实现增加的效率及安全性。
本发明也认识到，响应于日益严重的全球变暖问题及能源成本上涨的一般趋势，半导体制造商必须采取积极的节能措施来保持竞争力。同时，晶片厂设计师处于不断的压力要减少晶片厂产能扩建及新建计划的资本成本。在此情况下，改进离子植入排气管理是有效的能源及成本降低策略。
离子植入工具通常包含两个排气封围体，气体箱及外部围绕壳。气体箱封围体位于末端封围体内或者独自在外部围绕壳内，这取决于工具的设计，气体箱封围体容纳有掺杂剂气瓶及相关的流量控制及监测装备。气体箱排气流率的范围可为从300cfm到500cfm，以在加压气体泄漏的事件中维持最小的面速度及稀释。末端封围体容纳有来源、离子束线、相关的强力及高真空泵、以及各种控制及功率组件。通常称为“壳”排气，末端封围体排气是利用从1500cfm到2000cfm范围的流率的排热方法。外部围绕封围体主要用作工厂操作员及高压组件之间的安全屏障。
过程流出排气速率是小的，通常小于10到50cfm，且过程流出排气在排放到大气之前，通常通过使用点的减排系统来处理，或者发送到设施的酸排气系统来洗涤。
本发明的排气管理方法有利地采用低于大气压力的气体供应封包来递送掺杂剂气体，其包含基于吸附剂的气体供应封包及/或内部压力调节型的气体供应封包，以在低于大气压力下递送气体。此类气体供应封包即使对着大气打开，也会以低于IDLH(对生命或健康的立即危险(immediately dangerous to life or health))水平的水平来释放气体，IDLH水平由美国国家职业安全及健康协会(US National Institute for OccupationalSafety and Health)(NIOSH)定义为：对于可能导致死亡或立即的或延迟的健康永久负面影响或者阻止逃离此环境的空中传播污染物的暴露。因此，相对于常规高压气瓶，本发明的低于大气压力的气体供应封包提供明显较高水平的安全性。另外，本发明的低于大气压力的气体供应封包在辅助减少排气要求时特别有效，例如，达到可能75％量级的水平，通过实现末端封围体排气的再循环，来取代将其排放到大气中。低于大气压力的气体供应封包需要过程真空来递送掺杂剂气体，实质上消除意外的气体释放。
使用低于大气压力的气体供应封包允许植入机系统中的气体箱排气重新分类(否则气体箱排气可能由于气体泄漏的可能性而被处理为酸排气)，其中气体箱排气被发送到一般的排气系统。因此，用于排气及补充空气的基础设施的资本费用可大幅减少，以及大幅减少植入机的能源成本及从植入机的CO2排放。植入工具制造商通常建议最少300cfm的排气流动通过气体箱，以提供稀释最坏的情况下的高压有毒气体泄漏。实际上，气体箱流率通常高得多，范围从400到500cfm，以便维持国家消防协会标准(National Fire ProtectionAssociation standard)NFPA 1所规定的最少200fpm的面速度。使用压力开关来确保歧管递送压力维持在低于大气压力，气体箱排气速率可降低到标称170cfm，从而足以满足适用的规范。再循环末端封围体排气并且限制气体箱排气速率在170cfm的量级可产生每个工具的排气需求的85％到90％的减少。新晶片厂建设的资本成本规避的机会因此非常显著。
针对其中新植入区域将具有专用的排气、补充空气、及再循环空气系统的植入扩建计划，并且良好的设计实践也要求要有N+1个冗余装备来用于连续的制造操作，扩建计划通过减少排气配置将实现每一工具的大幅资本减免。在新建计划的情况中，因为对于支持系统(例如，冷水、热水及蒸汽)的需求减少，成本减免可能显著增加。
额外的排气减少及安全性进展可使用涉及到智能型排气系统的本发明的集成方法来实现，智能型排气系统标称上以相对于历史水平较低的水平来操作，例如，以历史水平的百分之五。对植入机操作的相关设计及操作改变可包含：添加气动瓶阀操作器以及依据实际风险来使气体箱可变地排放气体。
最小化气体泄漏的发生及影响的关键在于在任何时候都维持离子植入机系统在低于大气压力条件下。在低于大气压力下操作涉及连续监测递送歧管中的气体压力，以及在超过预先设定的压力阈值的情况下快速反应的能力。
目前用来供应植入掺杂剂气体的低于大气压力的气体供应封包通常使用手动阀。利用正常下关闭的、气动阀操作器来装配这些掺杂剂供应封包通过确保气体可以容纳在来源处(即，在气体供应容器内)提供最高水平的安全性。预防开始于检测过压的条件，且减缓可能涉及采取数个行动来使用低于大气压力的气体供应封包上的气动操作的、正常下关闭的阀来使气体流动停止。
使用正常下关闭的气动阀实现掺杂剂气体供应封包的内容物的隔离，以免递送歧管偏离低于大气压力的协议，例如，由于内部调节器故障，或者气体箱中的高温条件、及/或其它紧急事件。
使用气动阀也在瓶安装或紧急事件反应期间减少人互动的水平。正常下关闭的条件免于考虑阀关闭不良或过度扭转的条件。气体供应封包循环净化可自动完成，更有效率，并且不会有将净化气体回填到气体供应封包中的可能性。
使用可变速率气体箱排气，排气管理系统有能力在泄漏发生之前控制泄漏并且采取行动，借此允许气体箱随风险变化而排气，相对于常规实践要以需要减轻最坏释放方案的条件的速率来连续操作来说。此常规实践是没有效率的，这是因为在低风险时期期间需要使用高水平的排气。利用低于大气压力的气体递送，低排气流率(例如，标称上为40cfm的排气流率)就足以满足适用于SEMI S2及NFPA 318标准。
双位置调节闸可以低或高流量模式来控制气体箱排气。当所有的掺杂剂递送封包都显示低于大气压力的条件或者当所有的气体供应封包阀都关闭时，将允许正常或减少排气的条件，例如，以40cfm的排气流率。
在气体箱门打开的任何时刻，或者在气体供应封包改变或维修时期期间，或者当由例如有毒气体检测、烟检测器警报、或掺杂剂递送歧管中的高于大气压力的条件的检测事件触发时，联锁可用于起始高的排气流率。
在正常操作期间，例如可为>95％的时间，气体箱将以40cfm的标称速率来操作。针对具有30台以上的植入机的设施，这在标称上减少了8500cfm。可变驱动风扇(常规晶片厂常见的)可调整由气体箱流量中的“事件驱动式”改变所预见的气体箱通风速率的相对较小改变。
离子植入中使用的主要掺杂剂气体为胂、膦及三氟化硼，其中也消耗次要数量的四氟化锗、四氟化硅、及氧化碳。在三氟化硼的情况中，>50％的三氟化硼会留在处理腔室中，并且在处理排气中排放。相比之下，金属氢化物在处理条件下被大量地消耗掉。
违反真空泵系统或处理排气管道可允许有毒气体(例如，三氟化硼)进入植入机的围绕壳中。可采用植入机围绕壳内的有毒物质的检测来触发(1)关闭用于使壳排放气体的增压风扇，及(2)增加从气体箱的排气水平(高排气模式)，以确保无尘室受到保护。因为气体箱从植入机内获得其空气供应，有毒物质将经由气体箱排气而排出，其中植入机相对于无尘室维持在负压下。
因此，通过将集成的排气系统提供给离子植入机，本发明设想到离子植入机的排气/能源减少的改进，其可包含：(i)在任何时间都在低于大气压力的条件下操作气体递送，(ii)添加气动阀操作器，(iii)以与实际风险条件成比例的速率来可变地使气体箱排放气体，以及(iv)使用适于所涉及的风险的联锁及安全控制。
在新建安装中实现了最大的益处，其中补充空气及基础设施可针对实际实践来定尺寸。
虽然本发明已参考具体的方面、特征及说明性实施例在本文提出，但是将了解，本发明的用途并不因此受到限制，而是延伸到并且涵盖众多其它变化、修改及替代实施例，如本发明的所属领域的一般技术人员基于本文的描述将想到的那些。因此，在下文所主张的本发明希望概括地理解及解释为包含在其精神及范围内的所有此类变化、修改及替代实施例。

Claims (51)

1.一种离子植入系统，其包括：
离子植入机，其包括壳体，所述壳体界定封围容积，在所述封围容积中定位有气体箱，所述气体箱经配置以固持一或多个气体供应容器，所述气体箱与所述封围容积中在所述气体箱外部的气体进行受限式气体流动连通；
第一通风组合件，其经配置以使通风气体流动通过所述壳体，并且将所述通气气体从所述壳体排出到所述离子植入机的周围环境；
第二通风组合件，其经配置以将气体从所述气体箱排出到处理设备，所述处理设备适于从所述气体箱排气至少部分地移除污染物，或者所述处理设备适于稀释所述气体箱排气，以产生经处理的流出气体，所述第二通风组合件包括可变流量控制装置及运动流体驱动器，所述可变流量控制装置用于在相对较低的气体箱排气流率与相对较高的气体箱排气流率之间调整所述气体箱排气的流率，且所述运动流体驱动器适于使所述气体箱排气流动通过所述可变流量控制装置到所述处理设备；及
监测及控制组合件，其经配置以监测所述离子植入机的操作是否发生气体危险事件，且当发生气体危险事件时，响应地阻止所述一或多个气体供应容器的气体分配操作，并且调整所述可变流量控制装置到所述相对较高的气体箱排气流率，使得所述运动流体驱动器以所述相对较高的气体箱排气流率来使所述气体箱排气流动到所述处理设备。
2.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述监测及控制组合件在发生气体危险事件时终止所述第一通风组合件的操作。
3.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述可变流量控制装置包括可变位置流量调节闸装置。
4.根据权利要求2所述的离子植入系统，其中所述可变位置流量调节闸装置包括双位置流量调节闸装置。
5.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述处理设备包括屋顶处理单元，所述屋顶处理单元在包括所述离子植入机的晶片厂的屋顶上。
6.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述处理设备适于稀释所述气体箱排气以产生所述经处理的流出气体。
7.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述监测及控制组合件包括气动阀致动器，所述气动阀致动器经布置以致动存在于所述气体箱中的所述一或多个气体供应容器的流量控制阀。
8.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中一或多个气体供应容器容纳于所述气体箱中。
9.根据权利要求8所述的离子植入系统，其中一或多个气体供应容器容纳于所述气体箱中。
10.根据权利要求9所述的离子植入系统，其中所述一或多个气体供应容器包括一或多个基于吸附剂的气体供应容器。
11.根据权利要求10所述的离子植入系统，其中所述监测及控制组合件包括气动阀致动器，其经布置以致动所述气体箱中的所述一或多个基于吸附剂的气体供应容器的流量控制阀。
12.根据权利要求9所述的离子植入系统，其中所述一或多个气体供应容器包括一或多个压力调节的气体供应容器。
13.根据权利要求10所述的离子植入系统，其中所述监测及控制组合件包括气动阀致动器，其经布置以致动所述气体箱中的所述一或多个压力调节的气体供应容器的流量控制阀。
14.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述运动流体驱动器包括可变驱动器鼓风机或风扇。
15.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述运动流体驱动器包括变频驱动器。
16.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述监测及控制组合件包括一或多个传感器，所述一或多个传感器经配置以感测所述封围体及/或所述气体箱内的处理条件，其中所述监测及控制组合件基于所述一或多个传感器的处理条件感测而响应地调节所述可变流量控制装置。
17.根据权利要求16所述的离子植入系统，其中所述一或多个传感器包括一或多个压力传感器。
18.根据权利要求16所述的离子植入系统，其中所述一或多个传感器包括一或多个温度传感器。
19.根据权利要求16所述的离子植入系统，其中所述一或多个传感器包括一或多个有毒气体监测器。
20.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述离子植入机包括离子源腔室，所述离子源腔室经配置以通过使分配的气体流动通过气体流路，而接收来自所述气体箱中的所述一或多个气体供应容器中的至少一者的气体，所述气体流路将所述气体分配气体供应容器与所述离子源腔室互连。
21.根据权利要求20所述的离子植入系统，其中所述监测及控制组合件经配置以在一或多个处理条件偏离预定的处理条件的事件中，如所述气体危险事件，阻止所述气体分配气体供应容器的气体分配操作。
22.根据权利要求21所述的离子植入系统，其中所述监测及控制组合件经配置以在所述分配的气体的压力偏离低于大气压力的条件时，如所述气体危险事件，终止来自所述气体分配气体供应容器的分配的气体的流动。
23.根据权利要求22所述的离子植入系统，其中所述监测及控制组合件通过致动阀致动器来关闭所述气体分配气体供应容器的气体供应阀及/或关闭所述流路中的气体流量控制阀来终止分配的气体的流动。
24.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述监测及控制组合件经配置以在从所述气体箱中的所述一或多个气体供应容器分配气体期间维持所述气体箱低于大气压力。
25.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述气体箱包含入口结构，所述入口结构可打开以允许安装或更换所述气体箱中的气体供应容器，且所述入口结构可关闭以配置所述气体箱用于操作，其中当所述气体箱入口结构打开时，所述监测及控制组合件经配置以调整所述可变流量控制装置到相对较高的气体箱排气流率，使得所述运动流体驱动器以所述相对较高的气体箱排气流率来使所述气体箱排气流动到所述处理设备。
26.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述监测及控制组合件包括气体流动管线，所述气体流动管线是选择性地可耦合以将所述离子植入系统的真空腔室与所述第二通风组合件互连，从而在由操作、检验或维修人员使用所述真空腔室期间使所述真空腔室通风。
27.根据权利要求26所述的离子植入系统，其中所述真空腔室包括选择性可移除的盖体，从而实现所述气体流动管线耦合到所述真空腔室。
28.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述监测及控制组合件经配置以在发生所述气体危险事件时终止所述第一通风组合件的操作。
29.根据权利要求28所述的离子植入系统，其中所述第一通风组合件包括壳排气鼓风机。
30.根据权利要求28所述的离子植入系统，其中所述气体危险事件的所述发生包括：所述监测及控制组合件检测到所述气体箱中的所述通风气体中及/或所述壳体中的所述通风气体中存在危险气体。
31.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述第一通风组合件未连接到所述处理设施。
32.一种半导体制造设施，其包括根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述处理设备包括在所设施的屋顶上的屋顶处理单元。
33.根据权利要求32所述的半导体制造设施，其中所述设施不包括将所述第一通风组合件连接到所述屋顶处理单元的任何管道系统。
34.一种操作离子植入系统的方法，所述离子植入系统包括离子植入机，所述离子植入机包括壳体，所述壳体界定封围容积，在所述封围容积中定位有气体箱，所述气体箱经配置以固持一或多个气体供应容器，所述气体箱与所述封围容积中在所述气体箱外部的气体进行受限式气体流动连通，所述方法包括：
使通风气体流动通过所述壳体，并且将所述通气气体从所述壳体排出到所述离子植入机的周围环境；
从所述气体箱排出气体，并且处理所述气体，以从所述气体箱排气至少部分地移除污染物，或者稀释所述气体箱排气，以产生经处理的流出气体；
监测所述离子植入机的操作是否发生气体危险事件；
在所述监测期间未发生气体危险事件期间，以相对较低的气体箱排气流率从所述气体箱排出气体来用于所述处理；及
在所述监测期间发生气体危险事件期间，阻止所述一或多个气体供应容器的气体分配操作，并且以相对较高的气体箱排气流率从所述气体箱排出气体来用于所述处理。
35.根据权利要求34所述的方法，其包括：在发生所述气体危险事件时，终止使通风气体流动通过所述壳体以及从所述壳体排出所述通气气体到所述离子植入机的周围环境。
36.根据权利要求34所述的方法，其中所述处理包括在屋顶处理单元中的气体处理，所述屋顶处理单元在包括所述离子植入机的晶片厂的屋顶上。
37.根据权利要求34所述的方法，其中所述一或多个气体供应容器中的每一者具有操作地耦合到其的气动阀致动器，且所述气动阀致动器经致动以阻止气体分配操作。
38.根据权利要求34所述的方法，其中所述一或多个气体供应容器包括一或多个基于吸附剂的气体供应容器。
39.根据权利要求34所述的方法，其中所述一或多个气体供应容器包括一或多个压力调节的气体供应容器。
40.根据权利要求34所述的方法，其中所述监测操作包括监测所述气体箱的外部的所述封围体中的处理条件。
41.根据权利要求34所述的方法，其中所述监测操作包括压力监测。
42.根据权利要求34所述的方法，其中所述监测操作包括温度监测。
43.根据权利要求34所述的方法，其中所述监测操作包括监测有毒气体的检测。
44.根据权利要求34所述的方法，其包括：在一或多个处理条件偏离预定的过程条件的事件中，如所述气体危险事件，阻止所述一或多个气体供应容器的气体分配操作。
45.根据权利要求34所述的方法，其包括：在所述分配的气体的压力偏离低于大气压力的条件时，如所述气体危险事件，阻止所述一或多个气体供应容器的气体分配操作。
46.根据权利要求34所述的方法，其包括：通过关闭所述气体分配气体供应容器的气体供应阀及/或通过关闭与所述一或多个气体供应容器相关的所述流路中的气体流量控制阀，而阻止所述一或多个气体供应容器的气体分配操作。
47.根据权利要求34所述的方法，其包括：在从所述气体箱中的所述一或多个气体供应容器分配气体期间维持所述气体箱低于大气压力。
48.根据权利要求34所述的方法，其中所述气体箱包含入口结构，所述入口结构可打开以允许安装或更换所述气体箱中的气体供应容器，且所述入口结构可关闭以配置所述气体箱用于操作，所述方法包括：当所述气体箱入口结构打开时，以所述相对较高的气体箱排气流率来从所述气体箱排出气体。
49.根据权利要求34所述的方法，其中所述离子植入系统包括真空腔室，所述方法包括：使所述真空腔室排出气体到管道系统，所述管道系统用于从所述气体箱排出气体，且将气体从所述真空腔室排出到所述处理。
50.根据权利要求34所述的方法，其包括：在发生所述气体危险事件时，终止使通风气体流动通过所述壳体以及将所述通气气体从所述壳体排出到所述离子植入机的周围环境。
51.根据权利要求34所述的方法，其中所述气体危险事件的发生包括：检测到所述气体箱中的所述通风气体中及/或所述壳体中的所述通风气体中存在危险气体。
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