CN107002224A - 蒸镀装置、蒸镀方法及有机电致发光元件的制造方法 - Google Patents

蒸镀装置、蒸镀方法及有机电致发光元件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107002224A
CN107002224A CN201580061590.1A CN201580061590A CN107002224A CN 107002224 A CN107002224 A CN 107002224A CN 201580061590 A CN201580061590 A CN 201580061590A CN 107002224 A CN107002224 A CN 107002224A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask
evaporation coating
substrate
guidance part
coating device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201580061590.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107002224B (zh
Inventor
市原正浩
松本荣
松本荣一
小林勇毅
菊池克浩
川户伸
川户伸一
越智贵志
松永和树
井上智
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN107002224A publication Critical patent/CN107002224A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107002224B publication Critical patent/CN107002224B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/191Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供能对应基板的大型化的具备新颖对准机构的蒸镀装置、蒸镀方法、及有机电致发光元件的制造方法。本发明是一边在第一方向运送基板一边进行蒸镀的蒸镀装置,蒸镀装置具备:掩膜;含有基板保持部、及从基板保持部向掩膜侧突出沿着第一方向被设置的导引部的基板拖盘;被设置在掩膜一方的第一端部、或导引部的距离测定装置;被连接于掩膜另一方的第二端部的驱动装置;距离测定装置,在导引部与第一端部对向时,测定距离测定装置与导引部、或第一端部之间的距离;驱动装置,可基于距离测定装置的测定值,在与第一方向正交的第二方向驱动掩膜。

Description

蒸镀装置、蒸镀方法及有机电致发光元件的制造方法
技术领域
本发明是关于蒸镀装置、蒸镀方法及有机电致发光(Electro Luminescence,以下缩写成EL)元件的制造方法。更详细地说,是关于适用于大型基板上的有机EL元件的制造的蒸镀装置、蒸镀方法及有机EL元件的制造方法。
背景技术
近年,各式商品或领域中平板显示器被活用,持续追求平板显示器进一步大型化、高画质化及低耗电量化。
在这样的状况下,具备有利用有机材料电致发光的有机EL元件的有机EL显示装置,作为全固态型且低电压驱动、高速响应性、自体发光性等优异特点的平板显示器引起高度注目。
有机EL显示装置具备有机EL显示装置用基板,该基板,例如在玻璃基板等绝缘基板上,具有薄膜晶体管(Thin Film Transistor,以下缩写成TFT)、与被连接于TFT的有机EL元件。有机EL元件具有第一电极、有机EL层及第二电极依序被层叠之构造。其中,第一电极被与TFT连接。有机EL层具有空穴注入层、空穴输送层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子输送层、电子注入层等的层被层叠之构造。
然而,在有机EL元件之中用来形成有机EL层的有机材料,一般而言耐水性低,不适合湿式处理。因此,形成有机EL层之际,一般会进行利用真空薄膜成膜技术的真空蒸镀。因而,包含有机层形成工序的有机EL元件制造,在真空腔室内具备蒸镀源的蒸镀装置被广泛地使用。
且近年,一边使基板相对于蒸镀源往单一方向相对地移动,一边经由比基板面积小的掩膜对基板进行蒸镀,来进行成膜图案的形成的扫描蒸镀装置正在被开发。
具体而言,例如下述蒸镀装置被揭示,该蒸镀装置,一边将基板在X方向运送,一边经由蒸镀掩膜的多个开口图案进行蒸镀以形成薄膜图案,其特征在于:蒸镀掩膜在与X方向交叉的Y方向的至少一方端侧的边缘区域,设置一定形状的开口部形成对准标记,在Y方向具备一直线排列的多个光接收元件;具备:拍摄单元,同时拍摄蒸镀掩膜的对准标记、及与该对准标记对应设在Y方向的至少一方端侧的基板的边缘区域的与X方向平行的细线状的追踪标记,可以检测两标记的位置关系;以及对准单元,基于用拍摄单元拍摄检测出的两标记的位置关系,在基板运送中的任何时候,使基板和蒸镀掩膜在XY平面内相对移动,以修正基板与蒸镀掩膜间的位置偏移(例如参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2013-129898号公报
发明摘要
然而,一般的扫描蒸镀装置,会有无法对应基板的大型化的情况。
图21是本申请发明人经过检讨过的比较形态一的蒸镀装置的剖面示意图。如图21所示,比较形态一的蒸镀装置具备腔室201、被设置于腔室201的底部或是上部的对准载台202、多个驱动装置203、基座204、支撑掩膜207的多个支柱205、多个掩膜保持具206、掩膜207、对准用的两个以上的CCD摄像机208、保持玻璃基板210的静电吸盘230、限制板(未图示)、与蒸镀源(或称为蒸发源,未图示),使掩膜207的标记(未图示)对准设在玻璃基板210两端的标记(未图示)。因此,使用两个以上的CCD摄像机208测量标记间的距离。且,基于量测距离,通过对准载台202进行X轴方向、Y轴方向及θ方向的三轴对准。因而,基板210大型化蒸镀源及掩膜207成为大型的话,保持掩膜207的支柱205及对准载台202也必需大型化。
其原因在于,对准载台202包含与基板210或掩膜207的尺寸对应的大小的板件(未图示)、与安装在板件的三轴伺服马达,通过这些来进行对准。
另外,比较形态一为了提升三轴对准精度,在基板内的相离处,例如对角部分设有标记,为了拍摄这些标记,设置两个以上的CCD摄像机208是必需的。
另外,比较形态一将蒸镀源、限制板、及掩膜207一体地对准。因此,由于对准载台202的重量增加或来自蒸镀源的热影响,会造成支柱205的伸长,产生基板210与掩膜207之间的间隔变化、或热飘移(长时间运转时的微量偏移)。
另外,在专利文献1记载的蒸镀装置,为了通过设在掩膜底部的对准单元来进行对准,掩膜保持机构的设置是必需的。因此,会有蒸镀源的热或材料附着的影响。另外,将对准单元从腔室的外部驱动的情况,与比较形态一的对准方式没有任何变化。此外,腔室因排气而产生变形,根据对准单元的设置方法,为了使对准精度提升,将腔室的变形消除的机构更是必需的。
且,蒸镀源的热或材料的附着的影响,更详细如下。
即,在特许文献1记载的蒸镀装置,对准单元被配置于蒸镀源附近,另外,在蒸镀源与对准单元之间设置兜罩,因此容易发生来自蒸镀源的辐射热所造成的温度上升。此外,由于附着于兜罩上的材料剥落或再蒸发,有大的可能性造成图案的模糊。另外,需要高精度驱动的对准单元配置在蒸镀源与掩膜之间时,来自蒸镀源的辐射热造成的热膨胀或材料附着对驱动可能会产生不利影响,但专利文献1未记载冷却机构或为了防止材料附着的保护机构,认为要实现高精度的对准会有困难。另外,虽然专利文献1的段落[0039]记载,也可以将对准单元设置于基板保持具一侧,但那样的情况若无进行掩膜的θ方向的对准的机构,图案生成增厚,会对成膜图案产生影响。
本发明是有鉴于上述现状而构成,其目的在于提供能对应基板的大型化的具备新颖对准机构的蒸镀装置、可对应于基板的大型化的蒸镀方法、及有机电致发光元件的制造方法。
本发明的一样态的蒸镀装置,一边在第一方向运送基板一边进行蒸镀,其特征在于,包含:掩膜,其包含第一端部、设在所述第一端部的相反侧的第二端部、及设置有图案形成用的多个开口的主面部;基板托盘,其包含保持基板的基板保持部、及从所述基板保持部向与所述基板平行的平面交叉的方向突出且沿着所述第一方向被设置的导引部;运送导件,其将所述基板托盘往所述第一方向导引,以使所述基板保持部及所述导引部分别与所述主面部及所述第一端部对向;距离测定装置,其被设置在所述第一端部或所述导引部;以及驱动装置,其连接于所述第二端部;所述距离测定装置,在所述导引部与所述第一端部对向时,测定所述距离测定装置与所述导引部或所述第一端部之间的距离;所述驱动装置,基于所述距离测定装置的测定值,在与所述第一方向正交的第二方向驱动所述掩膜。以下也称此蒸镀装置为本发明的蒸镀装置。
在以下说明关于本发明的蒸镀装置之优选的实施方式。此外,以下优选的实施方式,适宜、互相组合也可以,将以下的两种以上优选的实施方式互相组合的实施方式也是优选的实施方式的一种。
所述距离测定装置,也可以是光学式距离测定装置。
所述距离测定装置,也可以是接触式距离测定装置,被设置于所述导引部。
所述接触式距离测定装置,也可以是包含可以伸缩的距离测定部、与以可以旋转的状态下支撑于所述距离测定部的滚轮。
所述蒸镀装置,也可以是具备多个所述距离测定装置,且具备两个所述驱动装置;所述两个驱动装置,连接于所述第二端部在所述第一方向之不同处。
所述多个距离测定装置的每一个,也可以是包含可以伸缩的距离测定部、与以可以旋转的状态下支撑于所述距离测定部的滚轮的接触式距离测定装置;所述多个距离测定装置,在所述多个距离测定部在所述第二方向可以伸缩的状态下,且所述多个滚轮在所述第一方向可以旋转的状态下,沿着所述第一方向被设置在所述导引部的整体;所述第一端部,包含所述导引部与所述第一端部对向的时候所述多个滚轮接触的接触部;所述滚轮接触部在所述第一方向的中间部为平坦;所述导引部与所述第一端部对向的时候,所述多个滚轮之中的至少两个接触所述中间部;支撑与所述中间部接触的所述至少两个滚轮的至少两个距离测定部分别通过收缩测定该距离测定装置与所述第一端部之间的距离。
所述多个距离测定装置的每一个,也可以是包含可以伸缩的距离测定部、与以可以旋转的状态下支撑于所述距离测定部的滚轮的接触式距离测定装置;所述多个距离测定装置被设置在所述导引部;所述第一端部包含所述导引部与所述第一端部对向的时候所述多个滚轮接触的滚轮接触部;所述滚轮接触部是在所述基板运送的上游侧及下游侧,部分地向所述第二端部侧倾斜。
所述驱动装置,也可以是以可拆装的状态被连接于所述第二端部。
所述蒸镀装置,也可以具备:蒸镀源;以及限制板,其设在所述蒸镀源、及所述掩膜之间;不具备位于所述限制板及所述掩膜之间并使所述掩膜与所述限制板及所述蒸镀源一体化的结合部件。
所述主面部也可以包含对准标记;所述蒸镀装置,具备可以同时摄影所述对准标记与设在保持于所述基板保持部的基板的对准标记的摄像装置。
也可以是所述蒸镀装置具备作为所述掩膜的第一及第二掩膜、作为所述距离测定装置的第一及第二距离测定装置、及作为所述驱动装置的第一及第二驱动装置;所述导引部,跨越所述基板保持部的中央部般地设置;所述第一及第二掩膜、所述第一及第二距离测定装置、与所述第一及第二驱动装置,以所述导引部为中心对称地配置。
本发明的其他样态,可以是包含于基板上成膜的蒸镀工序的蒸镀方法,所述蒸镀工序,也可以是使用本发明的蒸镀装置进行。
本发明的再一其他样态,也可以是包含使用本发明的蒸镀装置来成膜的蒸镀工序的有机电致发光元件的制造方法。
根据本发明,可实现能对应基板的大型化的具备新颖对准机构的蒸镀装置、可对应于基板的大型化的蒸镀方法、及有机电致发光元件的制造方法。
附图说明
图1是实施方式一的蒸镀装置的正面示意图。
图2是实施方式一的蒸镀装置的俯视示意图。
图3是实施方式一的蒸镀装置的正面示意图,主要表示掩膜与掩膜保持具。
图4是实施方式一的蒸镀装置的俯视示意图,表示蒸镀源。
图5是实施方式一的蒸镀装置俯视示意图,表示限制板。
图6是实施方式一的蒸镀装置的俯视示意图,主要表示掩膜与驱动装置。
图7是实施方式一的蒸镀装置的剖面示意图,主要表示掩膜与基板。
图8是实施方式二的蒸镀装置的正面示意图。
图9是表示实施方式二的蒸镀装置的接触式距离测定装置的俯视示意图。
图10是表示实施方式二的蒸镀装置的滚轮的立体示意图。
图11是表示实施方式二的蒸镀装置的滚轮的立体示意图。
图12是实施方式二的蒸镀装置的俯视示意图,表示掩膜的第一端部与其附近。
图13是实施方式二的蒸镀装置的俯视示意图,表示接触式距离测定装置接触掩膜之前的掩膜的第一端部与其附近。
图14是实施方式二的蒸镀装置的俯视示意图,表示接触式距离测定装置接触掩膜之后的掩膜的第一端部与其附近。
图15是实施方式二的蒸镀装置的俯视示意图,表示X轴方向及θ方向的对准后的掩膜的第一端部与其附近。
图16是实施方式三的蒸镀装置的正面示意图。
图17是实施方式三的蒸镀装置的俯视示意图,表示对准标记。
图18是实施方式四的蒸镀装置的正面示意图。
图19是实施方式一至三的蒸镀装置的掩膜的剖面示意图。
图20是实施方式四的蒸镀装置的掩膜的剖面示意图。
图21是本申请发明者人经过检讨过的比较形态一的蒸镀装置的剖面示意图。
具体实施方式
以下揭露实施方式,虽然参照附图更详细说明本发明,但本发明的实施方式并不只被限定于这些。
(实施方式一)
图1是实施方式一的蒸镀装置的正面示意图。图2是实施方式一的蒸镀装置的俯视示意图。
如图1及图2所示,本实施方式的蒸镀装置1具备掩膜120、支撑掩膜120的掩膜保持具104及105、基板托盘130、运输导件141、运输载台142、托盘驱动装置(未图示)、两个驱动装置150、作为多个距离测定装置160的多个光学式距离测定装置161、运算控制装置102、含有蒸镀源(蒸发源)171及限制板174的蒸镀单元170、腔室(蒸镀腔室,未图示)、真空泵(未图示)。蒸镀装置1是采用可对应大型基板的新颖的单侧对准方式,将基板10于第一方向180(以下称为运送方向180,或者,也称Y轴方向。)一边运输一边进行蒸镀。运送方向180是正交于基板10的法线方向(以下,也称Z轴方向。)。以下,与第一方向(运送方向180、Y轴方向)正交的方向称第二方向,或者,也称为X轴方向,基板10的法线方向也称为Z轴方向。又,X轴方向、Y轴方向、以及Z轴方向,相互的正交。
说明关于蒸镀装置1的各构成部件。
腔室是形成进行真空蒸镀空间的容器,在腔室内被设有掩膜120、掩膜保持具104及105、基板托盘130、运输导件141、运输载台142、托盘驱动装置的至少一部分、多个距离测量定装置160、两个驱动装置150、包含蒸镀源171及限制板174的蒸镀单元170。在腔室连接真空泵,在蒸镀进行时,腔室内通过真空泵排气(减压),腔室内被保持低压力状态。
掩膜120是中空且无底部的长方体状的部件,包含在薄板状的部件形成有图案形成用的多个开口121的主面部122、对应于多个开口121而开口的矩形的框状的框部123。框部123是用以抑制主面部122的弯曲的补强部件,主面部122是在被施加张力的状态下熔接于框部123。另外,掩膜120的框部123,包含沿着运送方向180被设置的第一端部124、与在第一端部124的相反侧的第二端部125。沿着Z轴看的时候,主面部122位于端部124及125之间。掩膜120被配置成与基板10相离,基板10的运送中,基板10与掩膜120之间被设置一定的间隔。
掩膜保持具104及105,分别支撑第一及第二端部124及125。掩膜保持具104及105支撑着掩膜120,以使基于距离测定装置160的测定数据的驱动装置150进行的掩膜120的对准动作成为可能(成为不受阻碍)。更具体而言,掩膜保持具104及105是以掩膜120可以在X轴方向移动,且在θ方向可以旋转的状态,来支撑掩膜120。但是,掩膜120在X轴方向及θ方向的移动量通常是极微量。
此外,掩膜120在θ方向旋转即是说,掩膜120在平行于X轴方向及Y轴方向的平面(XY平面)内旋转的意思。
以下,说明关于可于X轴方向移动(微动)、且可于θ方向旋转(略微旋转)的状态下保持掩膜120的机构的一例。
图3是实施方式一的蒸镀装置的正面示意图,主要表示掩膜与掩膜保持具。
如图3所示,各掩膜保持具104、105的掩膜120侧被设置有,可在X轴及Y轴方向移动的导件106。导件106,例如,也可以是同样的直线导件两根垂直组合。在这个情况下,导件106,可在X轴及Y轴方向移动,且通过这两轴(直线导件)的组合也可在θ方向旋转。
各导件106,并非被固定于掩膜120,而是被固定于掩膜保持具104或105,由于掩膜120相对于掩膜保持具104及105、与导件106是可拆卸的,能够简便地进行掩膜120的更换。
此外,在X轴方向可移动(微动),且θ方向可旋转(略微旋转)的状态下保持掩膜120的机构,没有特别限定,例如,也可以是球状的滚轮轴承。由此,掩膜保持具104及105在掩膜120可于X轴、及Y轴方向移动,且可在θ方向旋转的状态下,能支撑掩膜120。
基板托盘130是保持被真空蒸镀(成膜)的基板10、合适为有机EL元件基板的部件,其被设置于腔室内的上部。基板托盘130,将基板10保持成其被蒸镀面与掩膜120对向。如图1所示,基板托盘130,从正面看,即沿着运送方向180看的话,形成L字型,包含与掩膜120的主面部122对向且保持基板10的基板保持部131、与和掩膜120的第一端部124对向的导引部132。基板保持部131被设置有静电吸盘或吸盘等的吸附部件(未图示),且直线状的开口133沿着运送方向180被形成。导引部132,沿着运送方向180被设置,从基板保持部131的端部向着与基板10平行的平面,即与XY平面交叉的方向(例如Z轴方向)突出。
基板保持部131及导引部132的尺寸,在运送方向180之中,比基板10的尺寸大。另一方面,掩膜120的尺寸,在运送方向180之中,比基板10、基板保持部131、及导引部132的尺寸小。
运送载台142,被与腔室固定连接,具有难以受到腔室的变形等的影响的构造,保持着运送导件141。
运送导件141被与基板托盘130固定连接,运送导件141将基板托盘130向运送方向180(Y轴方向)导引,以使基板保持部131及导引部132分别对向主面部122及第一端部124。运送导件141的具体机构,没有特别限定,例如,如图1及图2所示,也可以含有向Y轴方向延伸的导引轨143、与沿着导引轨143滑动的滑件144,基板托盘130也可以被与滑块144固定连接。
基板托盘130另外连接有将基板托盘130可于Y轴方向驱动的托盘驱动装置。然后,托盘驱动装置,使保持于基板托盘130的基板10沿着运送方向180定速地移动,使其通过主面部122的附近。托盘驱动装置的具体的机构,没有特别限定,例如,也可以为含有向Y轴方向延伸的滚珠螺杆、将伺服马达、步进马达等的滚珠螺杆旋转驱动的驱动马达(电动机)、与驱动马达电连接的马达驱动控制装置。
图4是实施方式一的蒸镀装置的俯视示意图,表示蒸镀源。
蒸镀源171,是加热被真空蒸镀的材料(适合为有机材料)并使其气化,即使其蒸发或升华,然后,将气化后的材料从腔室内释放的部件,被设置于腔室内的下部。更详细地说,蒸镀源171是具备可以容纳材料的耐热性的容器(未图示),例如坩埚、将容器容纳的材料加热的加热装置(未图示),例如加热器及加热电源、与形成将气化后的材料扩散的空间的扩散部172,如图1及图4所示,在扩散部172的上部被设置有多个射出口(开口)173。然后,蒸镀源171,将容器内的材料通过加热装置加热使其气化,变成气体的材料(以下,也称为蒸镀粒子)从射出口173朝向上方释放。其结果,从射出口173产生有蒸镀粒子的流动也就是蒸镀流,蒸镀流从射出口173等向地扩散。
此外,蒸镀源171的种类没有特别限定,例如,点蒸镀源(点源)也可以、线蒸镀源(线源)也可以、面蒸镀源也可以。另外,蒸镀源171的加热方法没有特别限定,例如,可举出电阻加热法、电子束法、激光蒸镀法、高频感应加热法、电弧法等。
图5是实施方式一的蒸镀装置的俯视示意图,表示限制板。
如图1及5所示,限制板174是对应于蒸镀源171的射出口173被设置有多个开口部175的板状部件,自从射出口173释放的蒸镀粒子中排除不需要的成分。限制板174被设置于蒸镀源171及掩膜120之间,在限制板174的各个开口部175,蒸镀流从下方的对应射出口173上升。蒸镀流中含有的蒸镀粒子之中的一部份,可从限制板174的开口部175通过,而可到达掩膜120。另一方面,为使剩下的蒸镀粒子附着于限制板174,不从限制板174的开口部175通过,故无法到达掩膜120。如此一来,从各射出口173喷出之后马上均质地扩散的蒸镀流是由限制板174控制,将指向性差的成分阻断且生成指向性高的成分。另外,限制板174,防止各蒸镀流从其正上方的开口部175以外的开口175通过。限制板174,例如,可由金属材料形成。
另外,如以上所述,由于在掩膜120形成有图案形成用的多个开口121,因此到达于掩膜120的蒸镀粒子的一部份可从开口121通过,能通过对应于开口121的图案使基板10上可被堆积蒸镀粒子。
含有蒸镀源171及限制板174的蒸镀单元170被固定于腔室,且相对于基板10的运送轴、及掩膜120的驱动轴而被固定。另外,蒸镀装置1,未具备介于限制板174及掩膜120间而将掩膜120与限制板174及蒸镀源171一体化的结合部件(例如,支柱),蒸镀源171及限制板174不会接触掩膜120。
多个距离测定装置160被设置于导引部132。各个距离测定装置160,与第一端部124对向时,可测定其自身与第一端部124之间的距离,各个光学式距离测定装置161与第一端部124对向时,不与第一端部124接触,即可测定其自身与第一端部124之间的距离。各个光学式距离测定装置161的具体例子,没有特别限定,例如,激光照射被测定物,接收反射光,利用三角测量的原理测距的激光测距计也可以、使用光纤的光学距离测定器也可以。
图6是实施方式一的蒸镀装置的俯视示意图,主要表示掩膜与驱动装置。
各个驱动装置150被固定于运送载台142,同时可脱离地被连接于掩膜120的第二端部125,基于从运算控制装置102被输入的移动量,掩膜120可向X轴方向驱动。如图6所示,两个驱动装置150,同样地被连接于第二端部125,但连接于第二端部125在Y轴方向的不同处,另外,可互相独立地驱动掩膜120。据此,掩膜120不限只于X轴方向驱动,也能使其在θ方向旋转。
另一方面,不与掩膜120接触、含有蒸镀源171及限制板174的蒸镀单元170,即使掩膜120运作,其也被固定于腔室维持不动。
此外,各个驱动装置150的具体的机构,没有特别限定,例如,含有伺服马达等的驱动马达(电动机)、齿轮、与向X轴方向延伸的直线导件的机构也可以。
另外,用以使各个驱动装置150可脱离地被连接于第二端部125的具体的机构,没有特别限定,例如,夹具机构也可以。这个情况,将各个驱动装置150与第二端部125连接成一体化时,使夹具运作以使夹具悬挂于第二端部125,使各个驱动装置150从第二端部125分离时松开。
此外,各个驱动装置150,固定于掩膜120的框部123也可以,可脱离地连接于运送载台142也可以。
接下来,说明关于蒸镀装置1的运作,即使用蒸镀装置1的蒸镀工序。
首先,腔室内通过真空泵减压,成为低压力状态。另外,加热容纳于蒸镀源171的材料产生蒸镀流。接着,通过机器手臂等的运送机器人(未图示),从设置于腔室内的送入口(未图示)将基板10送入腔室内。然后,作为基板10的预对准,将相对于基板保持部131的基板10的位置通过基板定位机构调整后,通过基板保持部131保持基板10。另外,作为掩膜120的预对准,通过运算控制装置102向驱动装置150输入已定值,通过驱动装置150驱动掩膜120,将掩膜120配置于已定的位置。
然后,通过运送导件141及托盘驱动装置,基板托盘130同时与基板10向运送方向180运送(移动、扫描),使基板托盘130及基板10通过掩膜120的附近。此时,由于基板托盘130被运送以使基板保持部131、及导引部132分别与第一端部124、及主面部122对向,基板保持部131及基板10从掩膜120(主面部122)的上方的附近通过,导引部132从掩膜120(第一端部124)的侧面的附近通过。然后,在相对于蒸镀单元170相对地移动的基板10,通过掩膜120的开口121的蒸镀粒子会相继附着,对应于开口121形成成膜图案,合适为形成有机EL元件的发光层的图案。此外,基板10及主面部122之间的距离(间隔)与第一端部124及导引部132之间的距离(间隔),各自没有特别限定,可被适当地设定。
本实施方式,由于基板10一边向Y轴方向运送一边进行蒸镀,Y轴方向的掩膜120不需要对准,因此进行X轴方向及θ方向的掩膜120的对准。由于基板10及掩膜120各自被预对准,因此在X轴方向中的相对于基板10的掩膜120的位置、及相对于基板10的掩膜120的方向分别有效地符合作为目标的位置及方向,特别是关于X轴方向的掩膜120的对准精度被追求。
各个距离测定装置160,在导引部132与第一端部124对向时,测定距离测定装置160(其自身)与第一端部124之间的距离,然后,各驱动装置150基于这些距离测定装置160的测定数据(测定值),可将掩膜120在X轴方向驱动。据此,基板10一边在Y轴方向运送一边可控制掩膜120的位置及方向,以使第一端部124及导引部132之间的距离成为已定的距离,且,第一端部124的方向与导引部132的延伸方向成为对齐掩膜。
因此,基板10一边运送,可以一边补偿在X轴方向中相对于基板10的掩膜120的位置与掩膜120的θ方向的倾斜。
更详细地说,导引部132从第一端部124的侧面的附近通过的时候,多个距离测定装置160,从设在下游侧者起依序测定与对向的第一端部124之间的距离。各个距离测定装置160的测定数据,经由于腔室内被设置且与基板托盘130同时移动的电缆,被输出至运算控制装置102。
运算控制装置102,是将被输入的各个距离测定装置160的测定数据与预先设定作为目标的距离(目标值)比较,然后,基于它们的差异,算出在X轴方向及θ方向之中的掩膜120的必要移动量,以使第一端部124及导引部132之间的距离成为目标距离掩膜。目标值是被设定成第一端部124及导引部132之间的距离成为已定的距离(作为目标的距离)。
接着,运算控制装置102,基于前述掩膜120的必要移动量,算出各个驱动装置150的必要运作量,最后它们的运作量经由电缆输出到对应的驱动装置150。然后,各个驱动装置150依照被输入的运作量,将掩膜120在X轴方向驱动。
两个驱动装置150同样运作的情况下,掩膜120不在θ方向被驱动,只在X轴方向被驱动,两个驱动装置150互相不同地运作的情况下,掩膜120在X轴方向及θ方向被驱动,又或者,不在X方向被驱动,只在θ方向被驱动。
以上的结果,第一端部124及导引部132之间的距离与已定的距离一致,且沿着运送方向180第一端部124与导引部132之间的间隔大致成为固定,在X轴方向及θ方向之中掩膜120会被对准。
上述的控制,直到基板托盘130通过掩膜120的附近为止,只进行一次即可,但优选为反复(连续地)进行动作。
此外,本实施方式,基于距离测定装置160的测定数据,即基于被设有距离测定装置160的基板托盘130、与基于作为距离测定对向的掩膜120之间的位置关系,间接地进行相对于基板10的掩膜120的对准,并非基于掩膜120与基板10之间的位置关系,直接地进行相对于基板10的掩膜120的对准。然而,基板10如以上所述,相对于基板保持部131被预对准,且,此预对准的精度,在实务上是可以被容忍的。因此,即使间接地进行相对于基板10的掩膜120的对准的情况,其精度,在实务上是可以被容忍的。
关于X轴方向及θ方向的掩膜120的对准能以更高精度进行的实施方式,藉实施方式三说明。
此外,将蒸镀源171及限制板174固定,即使只有掩膜120在运作,几乎没有成膜图案的模糊的影响。
图7是实施方式一的蒸镀装置的剖面示意图,主要表示掩膜与基板。
如图7所示,例如,若蒸镀源171的射出口173与基板10之间的距离Ts为200mm,掩膜120与基板10之间的间隙G为1mm,在掩膜120的X轴方向之中偏移量Δx为0.1mm的话,成膜图案的模糊的宽度α的增加量Δα为,
Δα=(Δx+Δα)×G/Ts
Δα=(Δx×G/Ts)÷(1-G/Ts)
≒Δx×G/Ts
所以,Δα≒0.0005mm,几乎不会增加模糊的宽度。
另外,在此,说明关于多个距离测定装置160设置在导引部132的情况,多个距离测定装置160,并非设在导引部132,而是被设置在掩膜120的第一端部124也可以。然后,各个距离测定装置160,在导引部132与第一端部124对向时,测定距离测定装置160(其自身)与导引部132之间的距离也可以。但是,框部123用以扩展主面部122需要强度或平行度等的精度,其他的部件向着框部123的安装,尽量避免比较好。因此,从提升框部123的精度的观点来看,多个距离测定装置160,比起第一端部124,优选为设置在导引部132。
以下,关于本实施方式之特征构造与其效果进行汇整说明。
本实施方式的蒸镀装置1,一边在运送方向180(第一方向)运送基板10一边进行蒸镀,蒸镀装置1,具备:掩膜120,其包含第一端部124、设在第一端部124的相反侧的第二端部125、及设置有图案形成用的多个开口121的主面部122;基板托盘130,其包含保持基板10的基板保持部131、及从基板保持部131向与XY平面(与基板10平行的平面)交叉的方向突出且沿着运送方向180被设置的导引部132;运送导件,其将基板托盘130往运送方向180导引,以使基板保持部131及导引部132分别与主面部122、及第一端部124对向;多个距离测定装置160,其被设置在第一端部124或导引部132;以及两个驱动装置150,其连接于第二端部125在运送方向180之不同处;各距离测定装置160在导引部132与第一端部124对向时,测定其自身(距离测定装置160)与导引部132或第一端部124之间的距离;各个驱动装置150,可基于多个距离测定装置160的测定值,在X轴方向(正交于第一方向的第二方向)驱动掩膜120。
如此,蒸镀装置1具备,第一端部124或在导引部132被设置的多个距离测定装置160、在第二端部125的运送方向180上不同处被连接的两个驱动装置150,各个距离测定装置160在导引部132与第一端部124对向时,测定其自身(距离测定装置160)与导引部132或第一端部124之间的距离,各个驱动装置150基于多个距离测定装置160的测定值,可以在X轴方向(与第一方向正交的第二方向)驱动掩膜120,因此一边运送基板10,一边将第一端部124及导引部132之间的距离成为已定的距离,且,可以控制掩膜120以使相对于导引部132的第一端部124的方向成为已定的方向掩膜。因此,一边运送基板10,可以一边补偿在X轴方向中相对于基板10的掩膜120的位置、与掩膜120的θ方向的倾斜。
此外,作为距离测定装置160,可以使用光学式距离测定装置161或将在后述的接触式距离测定装置等的装置,在各种情况下,可以通过距离测定装置160没有被妨碍地运送基板托盘130及基板10。
本实施方式的蒸镀装置1,与比较形态一的蒸镀装置不同,腔室的上部或下部没有设置对准载台,可以进行X轴方向及θ方向的掩膜120的对准,可以实现现行未有的新颖的对准机构。另外,即使基板10大型化,多个距离测定装置160被设置在导引部132的情况,只凭通过导引部132的长度加长、多个距离测定装置160的数量变多,就可以使掩膜120的对准动作进行,多个距离测定装置160被设置在第一端部124的情况,只凭通过导引部132的长度加长,就可以使掩膜120的对准动作进行。此外,比较形态一的蒸镀装置,由于对准载台需要一边支撑掩膜整体一边驱动掩膜,若掩膜越来越大型化,则需要设有更强力的驱动装置。针对此点,本实施方式在基板10大型化时,虽然X轴方向的宽度变大掩膜120也变大,但掩膜120自体可通过其他部件,例如能通过掩膜保持具104及105保持,可以抑制掩膜120的大型化所造成的驱动装置150的负担的增加。因此,若根据本实施方式,具备可以对应基板10的大型化且新颖的对准机构的蒸镀装置得以被实现。
另外,比较形态一的蒸镀装置,基板及掩膜大型化时,伴随其,对准载台及多个驱动装置也需要大形化,但是本实施方式,因为不需要如此大型的对准载台及多个大型的驱动装置,故可以降低成本。
另外,距离测定装置160在第一端部124及导引部132的其中一方被设置,驱动装置150可以连接于腔室以外的部件,例如运送载台142,因此可使这些装置不会受到腔室变形的影响。因此,若根据本实施方式,与对准机构被连接于腔室的情况相较,可以有更高精度的对准。
此外,本实施方式的蒸镀装置1,虽然可以将多个基板托盘130连续地运送,将多个基板10连续地蒸镀(量产),这个情况,可能依据各基板托盘130产生加工精度、安装精度等的精度误差。然而,本实施方式,各个距离测定装置160在第一端部124及导引部132的其中一方被设置,测量这个距离测定装置160测量与第一端部124或导引部132之间的距离,基于其测定数据,各个驱动装置150在X轴方向驱动掩膜120。因此,可以对应于各个基板托盘130的精度误差进行对准,相对于多个基板10的掩膜120的对准的精度也可以提高。
另外,由于在运送载台142安装导引基板托盘130的行进的运送导件141、托盘驱动装置的驱动马达、或滚轮等的部件,与基板托盘130相较,有更大的震动产生的可能性。然而,各个距离测定装置160,并非被设置于运送载台142、而是设置于第一端部124及导引部132的其中一方,可用以减少因运送载台142的震动传导给掩膜120而引起的对准偏移。
另外,使用一般的对准手段的情况,基板的对准标记从掩膜的对准标记相离太远的时候,为了使两者移动到达规定的位置,需要多次反复的对准。因此,对准的耗时,会影响到量产时的生产节拍时间。针对于此,本实施方式,如以上所述,基板10一边运送,可以一边进行X轴方向及θ方向的掩膜120的对准。因此,对准时间的缩短、对准精度的提升,两者可以同时兼顾。
另外,比较形态一的蒸镀装置,掩膜的对准时一定需要将基板停止,此外,需要快门开关、及用以使速度安定的时间。针对此点,本实施方式的蒸镀装置1,不需要这些过程,能实现高生产节拍时间。更详细地说,比较形态一的蒸镀装置,需要将基板与位于掩膜的中央的对准标记对准。在此时,为了防止材料附着于基板,进行快门关闭且移动基板到达已定位置进行对准,其后,基板从掩膜上退开一次,然后,快门打开,其后,需要再次使基板通过掩膜上进行成膜。针对此点,本实施方式的蒸镀装置1,基于通过距离测定装置160所测量的测定数据,可以一边通过驱动装置150将掩膜120的X轴方向的对准进行到5μm以下的误差范围,一边将基板10运送。因此,变成基板10不需要停止,便可以缩短快门开关、及用以使速度稳定的时间。
另外,比较形态一的蒸镀装置,需要两个以上CCD摄像机。针对此点,本实施方式具备设置在第一端部124或前述导引部132的距离测定装置160。据此,基于通过只有一个测定部的测定数据,为了可以使掩膜120的对准实施,对准系统的简略化可以更进一步。
此外,专利文献1的段落[0038]记载了将对准标记、及追踪标记通过一台摄像单元摄影,来进行对准的实施方式,在这种情况,需要只在一台摄像单元的视野范围进行对准。因此,基板大型化的情况,高精度的对准需要长时间。针对此点,本实施方式,通过距离测定装置160与驱动装置150的组合进行对准,因此可以高速地进行对准。另外,被多个基板托盘130保持的多个基板10也可以连续地对准。
另外,蒸镀装置1,一方面具备蒸镀源171、蒸镀源171及掩膜120之间被设置的限制板174,另一方面不具备介于限制板174及掩膜120之间使掩膜120和限制板174及蒸镀源171一体化的结合部件。因此,可以防止经由结合部件的从限制板174及蒸镀源171向掩膜120的热传导。另外,通过限制板174造成的冷却效果,可以减少从蒸镀源171向掩膜120传导的辐射热。因此,可以抑制热的影响造成的对准偏移。另外,通过蒸镀源171与掩膜120之间设有的限制板174,可以抑制于掩膜120附着上不需要的材料。
此外,若根据本实施方式,由于使用蒸镀装置1可以实施在基板10上成膜的蒸镀工序,能够实现可以对应于基板10的大型化的蒸镀方法。
然后,若根据本实施方式,由于可以实施含有使用蒸镀装置1成膜的蒸镀工序的有机EL元件的制造方法,能够实现可以对应于基板10的大型化的有机EL元件的制造方法。
(实施方式二)
本实施方式中,主要说明关于本实施方式特有的特征,省略关于与实施方式一重复内容的说明。另外,本实施方式与实施方式一之中,在具有相同或相似功能的部件标注相同或相似的符号,在本实施方式之中,省略该部件的说明。本实施方式,除了以下说明的点之外,是与实施方式一实质地相同。
图8,是实施方式二的蒸镀装置的正面示意图。
如图8所示,本实施方式的蒸镀装置2,作为多个距离测定装置160,代替多个光学式距离测定装置,具备沿着运送方向180设在导引部132的多个接触式距离测定装置162。多个接触式距离测定装置162与运送方向180平行,被相等间隔地设置成涵盖导引部132的运送方向180的全体。
图9是表示实施方式二的蒸镀装置的接触式距离测定装置的俯视示意图。图10及图11是表示实施方式二的蒸镀装置的滚轮的立体示意图。
如图9所示,各个接触式距离测定装置162,含有可以伸缩的距离测定部163、与支撑在距离测定部163的滚轮(导引滚轮)164。如图10及图11所示,各个滚轮164在运送方向180以旋转自如的状态连接于距离测定部163,例如为圆柱状或者球状。各个滚轮164,以Z轴方向为中心旋转。多个距离测定部163相同。各个距离测定部163配置成在X轴方向可以伸缩的状态,通过使其伸缩,可以测定该距离测定装置162与第一端部124之间的距离。
各个滚轮164的X轴方向之位置被设定成在导引部132与第一端部124对向时,使滚轮164与第一端部124接触且使距离测定部163收缩。由此,各个距离测定装置162当导引部132与第一端部124对向时,与第一端部124接触,可以测定其自身与第一端部124之间的距离。此外,如上述,各个滚轮164,在运送方向180以旋转自如的状态连接于距离测定部163,且各个距离测定部163,由于在X轴方向可以伸缩,各个滚轮164与第一端部124接触时也不会阻碍基板托盘130的运送。
图12,是实施方式二的蒸镀装置的俯视示意图,表示掩膜的第一端部与其附近。图13,是实施方式二的蒸镀装置的俯视示意图,表示接触式距离测定装置接触掩膜之前的掩膜的第一端部与其附近。图14,是实施方式二的蒸镀装置的俯视示意图,表示接触式距离测定装置接触掩膜之后的掩膜的第一端部与其附近。图15,是实施方式二的蒸镀装置的俯视示意图,表示X轴方向及θ方向对准后的掩膜的第一端部与其附近。
如图12所示,在框部123的第一端部124,设有导引部132与第一端部124对向时与滚轮164接触的滚轮接触部127。滚轮接触部127,设置成沿着运送方向180。滚轮接触部127的表面,是无凹凸且平滑,优选为施加密封面加工。滚轮接触部127的运送方向180的中间部为平坦,优选为,如图12所示,滚轮接触部127于基板10的运送的上游侧及下游侧,部分地向第二端部125侧倾斜。即,优选为滚轮接触部127含有基板10的运送的上游侧的倾斜部127a、平坦的中间部127b、基板10的运送的下游侧的倾斜部127c,中间部127b与各倾斜部127a、127c被连系成没有高低差。在此情况下,如图13至15所示,在基板托盘130被运送时,各滚轮164依序接触倾斜部127a、中间部127b、及倾斜部127c,基于各个距离测定装置162的测定数据,进行X轴方向及θ方向的掩膜120的对准。
但是,各个距离测定装置162被运算控制装置102程序化,以测定除了倾斜部127a及127c以外的与中间部127b之间的距离,且不测量与各个倾斜部127a、127c之间的距离。
此外,接触式距离测定装置162的数量,只要在两个以上,没有特别限定,可考量基板10及掩膜120等的尺寸、倾斜部127a及127c的有无等的设计事项而适宜设定,但通常是三个以上,也可以是四至五个。例如,也可以是一个一个接触接触式距离测定装置162同时接触各个倾斜部127a、127c,且1~3个接触式距离测定装置162同时接触中间部127b的状态。
另外,不设置倾斜部127a、及127c,滚轮接触部127的全体也可以是平坦的。
如同以上说明,于本实施方式,多个距离测定装置160的各个,是含有可以伸缩的距离测定部163、与以可旋转状态支撑于距离测定部163的滚轮164的接触式距离测定装置162,多个距离测定装置160是多个距离测定部163于X轴方向(第二方向)可以伸缩的状态,且多个滚轮164是在运送方向180可以旋转的状态下,沿着运送方向180被设在导引部132的全体,第一端部124包含在导引部132与第一端部124对向时用于与多个滚轮164接触的滚轮接触部127,滚轮接触部127的运送方向180的中间部127b是平坦的,导引部132与第一端部124对向时,多个滚轮164之中至少两个与中间部127b接触,支撑与中间部127b接触的至少两个滚轮164的至少两个的距离测定部163,各自通过收缩来测定该距离测定装置160与第一端部124之间的距离。由此,与实施方式一相同,由于可以进行X轴方向及θ方向的掩膜120的对准,具备可以对应基板10的大型化且新颖的对准机构的蒸镀装置得以实现。
另外,多个距离测定装置160的各个优选为,是含有可以伸缩的距离测定部163、与以可旋转状态支撑于距离测定部163的滚轮164的接触式距离测定装置162,多个距离测定装置160被设在导引部132,第一端部124含有导引部132与第一端部124对向时用于与多个滚轮164接触的滚轮接触部127,滚轮接触部127于基板10的运送的上游侧及下游侧之中,部份地向第二端部侧125倾斜。由此,因为可以缓和滚轮164接触滚轮接触部127时及滚轮164从滚轮接触部127离开时的冲击,可以实现更高精度的对准。
(实施方式三)
本实施方式中,主要说明关于本实施方式特有的特征,省略关于与实施方式一重复内容的说明。另外,本实施方式与实施方式一之中,在具有相同或相似功能的部件标注相同或相似的符号,在本实施方式之中,省略该部件的说明。本实施方式,除了以下说明的点之外,与实施方式一为实质地相同。
图16,是实施方式三的蒸镀装置的正面示意图。
如图16所示,本实施方式三的蒸镀装置,具备有摄影后述的掩膜标记及基板标记的图像的摄像装置103。摄像装置103同时摄影基板标记及掩膜标记。运算控制装置102测定各个标记中心间的距离,并与通过距离测定装置160所获得的测定数据每次比较。如此一来,通过距离测定装置160可以正确地修正测定误差。
图17,是实施方式三的蒸镀装置的俯视示意图,表示对准标记。
如图17所示,本实施方式之中,在主面部122的第一端部124附近,设有对准用的标记也就是对准标记(掩膜标记)126,对应于基板10的掩膜标记126的区域,即,在基板10的导引部132侧的一部份,多个对准标记(基板标记)11被设置成沿着Y轴方向。另外,如图2所示,在基板保持部131的导引部132附近,对应于基板标记11设置有开口133,于开口133的上方配置有摄像装置103,例如CCD摄像机。摄像装置103,被设置于腔室外,固定于腔室。然后,通过基板托盘130的开口133,通过摄像装置103同时摄影对准标记11及126,其摄影数据输出至运算控制装置102。由此,对准标记11及126,被设置成收敛于一个摄像装置103视野内的地方。
此外,对准标记11及126与摄像装置103的配置处,没有特别限定,例如,也可以配置在第二端部125侧。然而,从后述的多个距离测定装置160容易被检测出缺陷,实现高精度的对准的观点来看,优选为对准标记11及126与摄像装置103,如以上所述,配置在第一端部124侧。
在距离测定装置160有缺陷(例如,测定误差)的情况,基板10在运送中会产生蒸镀错误。在此情况下,基于从摄像装置103输出的掩膜120与基板10的对准标记11及126的摄影数据,辅助距离测定装置160的功能。
具体而言,首先,摄像装置103形成的摄影数据,经由电缆向运算控制装置102输出。运算控制装置102,基于输入的摄影数据,将对准标记11及126自体的图像识别而算出各个对准标记11、126的中心点,接着,算出对准标记11及126的中心点之间的距离(以下,也称为中心间距离)。接着,运算控制装置102比较中心间距离与作为预先设定目标的距离(目标值),然后,基于其间差异,算出对准标记126的必要移动量以使中心间距离成为目标值(例如,1mm),接着,算出掩膜120的必要移动量,接着,基于上述掩膜120的必要移动量,算出各个驱动装置150的必要的运作量,最后,其运作量经由电缆输出至对应的驱动装置150。然后,各个驱动装置150,依照被输入的运作量,在X轴方向驱动掩膜120。
另外,在运算控制装置102,依照每次对准分别存储各个驱动装置150的移动量的数据、与掩膜120的移动量的数据。然后,运算控制装置102被程序化成基于上述数据修正各个驱动装置150的移动量,以使其移动量的差变小。
这些结果,即便在距离测定装置160产生缺陷的情况,X轴方向及θ方向之中掩膜120也成为被对准。
上述的控制,在蒸镀进行间,虽然可以只进行一次,优选为也可以反复(连续地)进行。
本实施方式,由于含有蒸镀源171及限制板174的蒸镀单元170与距离测定装置160及驱动装置150分离,使上述的一连串的对准动作,可以一边蒸镀一边进行。
以上,如同说明,本实施方式中,主面部122含有对准标记(掩膜标记)126,蒸镀装置3具备可将对准标记126与设在于基板保持部131被保持的基板10的对准标记(基板标记)11同时摄影的摄像装置103。由此,通过摄像装置103可以将基板标记11与掩膜标记126同时摄影,距离测定装置160产生缺陷(例如,测定误差)的情况,基于以摄像装置103的摄影数据可以将通过距离测定装置160的控制高精度地修正。因此,与实施方式一、二相比,可以有更高可靠性的对准。
另外,基板10大型化、成膜图案(面板)高精细化的情况、或面板的取数增加的情况,需要使通过距离测定装置160的对准精度更提升。特别是相对于掩膜120将基板10一边运送一边蒸镀的情况,基板10的θ方向的倾斜造成成膜图案产生位置偏移,有产生对混色等的元件性能造成影响的现象的可能性。然而,本实施方式中,可以高精度地将只有距离测定装置160时无法完全修正的基板10向X轴方向的偏移、及基板10的θ方向的倾斜修正。因此,与实施方式一、二相比,可以更容易地对应于基板10的大型化、成膜图案(面板)高精细化及面板的取数增加。
此外,本实施方式中,虽然说明将距离测定装置160的功能通过摄像装置103辅助的方法,但也可以采用主要使用摄像装置103而将距离测定装置160辅助地使用的对准方法。
(实施方式四)
本实施方式中,主要说明关于本实施方式特有的特征,省略说明关于与实施方式一的重复内容。另外,本实施方式与实施方式一之中,在具有相同或相似功能的部件标注相同或相似的符号,在本实施方式之中,省略该部件的说明。本实施方式,除了以下说明的点之外,与实施方式一为实质地相同。
本实施方式,采用将掩膜分割成两个,对一片基板使用两个小型的掩膜的对准方法。
图18,是实施方式四的蒸镀装置的正面示意图。
如同图18所示,本实施方式的蒸镀装置4具备,相对于一片基板10具备第一掩膜120A、第二掩膜120B、第一多个距离测定装置160A、第二多个距离测定装置160B、第一两个驱动装置150A、第二两个驱动装置150B、第一摄像装置103A、与第二摄像装置103B。掩膜120A及掩膜120B分别含有主面部122A及122B、框部123A及123B。
另外,导引部132如跨越基板保持部131的中央部般地设置,上述的第一及第二装置,以导引部132为中心对称地配置。具体而言,沿着运送方向看的时候,在导引部132的左侧,第一多个距离测定装置160A、第一掩膜120A、与第一两个驱动装置150A,从导引部132侧依序配置,在导引部132的左上方,配置有第一摄像装置103A,在导引部132的右侧,第二多个距离测定装置160B、第二掩膜120B、与第二两个驱动装置150B,从导引部132侧依序配置,在导引部132的右上方,配置有第二摄像装置103B。然后,蒸镀装置4,具备含有第一多个距离测定装置160A、第一两个驱动装置150A、及第一摄像装置103A的第一对准系统、与含有第二多个距离测定装置160B、第二两个驱动装置150B、及第二摄像装置103B的第二对准系统。因此,与实施方式一至三相同,通过第一及第二对准系统,分别可以将第一及第二掩膜120A及120B对准。
如此一来,本实施方式的蒸镀装置4具备,作为掩膜的第一掩膜120A及第二掩膜120B、作为距离测定装置的第一多个距离测定装置160A、及第二多个距离测定装置160B、作为驱动装置的第一两个驱动装置150A、及第二两个驱动装置150B,导引部132如跨越基板保持部131的中央部般地设置,第一掩膜120A、第二掩膜120B、第一多个距离测定装置160A、第二多个距离测定装置160B、第一两个驱动装置150A、第二两个驱动装置150B,以导引部132为中心对称地配置。因此,可以对一片基板10使用两片掩膜120A及120B,变成不需要大型的掩膜。基板大型化的时候,通常,掩膜也必须大型化。实施方式一至三说明的扫描蒸镀方式,在运送方向180之中,虽然有掩膜120的大小可以小的特征,但会担心与运送方向180垂直的方向(宽度方向)中掩膜120变大。相对于此,本实施方式中,由于可以对一片基板10设置两片掩膜,掩膜120A及掩膜120B、与两个对准系统设置,与实施方式一至三相比,相对于基板10的大型化可以更加容易地对应。
另外,由于对一片基板10设有两片掩膜的掩膜120A及掩膜120B,可使用两片掩膜掩膜120A及掩膜120B在一片基板10内形成多个面板图案。因此,面板的生产性可以提升。另外,不只将蒸镀装置4作为量产机,作为实验机也可以有效地使用。
图19,是实施方式一至三的蒸镀装置的掩膜的剖面示意图。图20,是实施方式4的蒸镀装置的掩膜的剖面示意图。
本实施方式中,由于相对于一片基板10设有两片掩膜掩膜120A及掩膜120B,各个掩膜120A、120B可以变小。因此,本实施方式中,可以达成以下的效果。
首先,大型掩膜中可能成为问题的掩膜精度(制作制度)可以提升,掩膜120A及120B的生产率可以变佳。
另外,各个掩膜120A、120B的更换容易。掩膜有需要定期地更换,但在大型掩膜,处理非常地困难,但小型掩膜的更换作业变得容易。
另外,如同图19及20所示,与使用一片掩膜120的情况相比,可以抑制各个掩膜120A、120B的中央部的自重产生的弯曲。更详细地说,在掩膜120A之中,可以抑制支撑于框部123A的主面部122A的中央部的自重产生的弯曲,在掩膜120B之中,可以抑制支撑于框部123B的主面部122B的中央部的自重产生的弯曲。因此,可以抑制基板10及各个掩膜120A、120B之间的间隙(G)的变动造成成膜图案的位置偏移或模糊量的扩大。
此外,导引部132的X轴方向之位置,只要不在基板10的外侧没有特别限定,对应于基板10的图案可以适宜调整。在此情况下,两个掩膜120A及120B互相的尺寸有改变的可能性,摄像装置103A及103B的X轴方向之位置也配合掩膜120A及120B的尺寸可以适宜变更。另一方面,比较形态一的蒸镀装置中,由于在装置上部设有对准载台,两个以上的CCD摄像机的位置被固定,造成无法变更。
另外,在图18中,蒸镀源171及限制板174在两个掩膜120A及120B被共用(一个来源),也可以是就掩膜120A、120B分别分割使用两个蒸镀源及两个限制板(两个来源)。在此情况,这些的更换作业变得容易,维护性提升。
此外,各个实施方式中虽然说明关于,蒸镀装置针对于一个掩膜具备多个距离测定装置、与两个驱动装置,两个驱动装置连接于第二端部的运送方向之不同处,各个驱动装置基于多个距离测定装置的测定值在X轴方向可以驱动掩膜的情况,但也可以是各个实施方式对于一个掩膜具备一个距离测量装置、与连接于第二端部的一个驱动装置,该驱动装置基于该距离测定装置的测定值在X轴方向驱动掩膜。在此情况,也与各个实施方式中说明的情况相同,可以基板一边运送,一边通过该距离测定装置及该驱动装置进行在X轴方向掩膜的对准。另一方面,在此情况,虽然无法进行在θ方向掩膜的对准,如此的实施方式也是可被提供于实际应用。如上述,只进行基板的预对准及掩膜的预对准,由此可将相对于基板的掩膜的方向收敛在实际应用上的容许范围内。此外,在此情况,各个掩膜保持具可以是将掩膜只能在X轴方向移动的状态下支撑掩膜,也可以是经由可以在X轴方向移动的X轴导件保持第一或第二端部。
另外,各个实施方式,不仅只在水平运送,在纵向运送也可适用。即,各个实施方式的蒸镀装置的构成部件的方向,没有特别限定,例如,也可以使上述构造以Y轴为中心90°旋转,将蒸镀源、限制板、掩膜、及基板横着排列配置。
另外,使用各个实施方式的蒸镀装置被制造的有机EL元件,也可以被使用在单色显示的显示装置。在此情况,于发光层的蒸镀工序,也可以进行只有1色的发光材料的蒸镀,形成只有1色的发光层。
另外,发光层的蒸镀工序以外的蒸镀工序适用在各个实施方式的蒸镀装置,与发光层的蒸镀工序相同,也可以形成成膜图案。例如,也可以将有机EL元件的电子输送层就各色的子像素分别形成。
再者,各个实施方式中,虽然作为例子说明有机EL元件形成的情况,但是本发明的蒸镀装置的用途,不特别限定于有机EL元件的制造,可以利用于种种成膜图案的形成。
上述的实施方式,于不脱离本发明要旨的范围,也可以适宜地被组合。另外,各个实施方式的变形例,也可以与其他的实施方式被组合。
附图标记的说明
1、2、3、4:蒸镀装置
10:基板
11:对准标记(基板标记)
102:运算控制装置
103、103A、103B:摄像装置
104、105:掩膜保持具
106:导件
120、120A、120B:掩膜
121:开口
122、122A、122B:主面部
123、123A、123B:框部
124:第一端部
125:第二端部
126:对准标记(掩膜标记)
127:滚轮接触部
127a:倾斜部
127b:中间部
127c:倾斜部
130:基板托盘
131:基板保持部
132:导引部
133:开口
141:运送导件
142:运送载台
143:导引轨
144:滑件
150、150A、150B:驱动装置
160、160A、160B:距离测定装置
161:光学式距离测定装置
162:接触式距离测定装置
163:距离测定部
164:滚轮
170:蒸镀单元
171:蒸镀源(蒸发源)
172:扩散部
173:射出口(开口)
174:限制板
175:开口部
180:运送方向

Claims (13)

1.一种蒸镀装置,一边在第一方向运送基板一边进行蒸镀,其特征在于,包含:
掩膜,其包含第一端部、设在所述第一端部的相反侧的第二端部、及设置有图案形成用的多个开口的主面部;
基板托盘,其包含保持基板的基板保持部、及从所述基板保持部向与和所述基板平行的平面交叉的方向突出且沿着所述第一方向被设置的导引部;
运送导件,其将所述基板托盘往所述第一方向导引,以使所述基板保持部及所述导引部分别与所述主面部及所述第一端部对向;
距离测定装置,其被设置在所述第一端部或所述导引部;以及
驱动装置,其连接于所述第二端部;
所述距离测定装置,在所述导引部与所述第一端部对向时,测定所述距离测定装置与所述导引部或所述第一端部之间的距离;
所述驱动装置,可基于所述距离测定装置的测定值,在与所述第一方向正交的第二方向驱动所述掩膜。
2.如权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,所述距离测定装置是光学式距离测定装置。
3.如权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,所述距离测定装置是接触式距离测定装置,被设置在所述导引部。
4.如权利要求3所述的蒸镀装置,其特征在于,所述接触式距离测定装置包含可以伸缩的距离测定部、与以可以旋转的状态下支撑于所述距离测定部的滚轮。
5.如权利要求1至4中任一项所述的蒸镀装置,其特征在于,所述蒸镀装置,具备多个所述距离测定装置,且具备两个所述驱动装置;
所述两个驱动装置,连接于所述第二端部在所述第一方向之不同处。
6.如权利要求5所述的蒸镀装置,其特征在于,所述多个距离测定装置的每一个,是包含可以伸缩的距离测定部、与以可以旋转的状态下支撑于所述距离测定部的滚轮的接触式距离测定装置;
所述多个距离测定装置,在所述多个距离测定部在所述第二方向可以伸缩的状态下,且所述多个滚轮在所述第一方向可以旋转的状态下,沿着所述第一方向被设置在所述导引部的整体;
所述第一端部包含所述导引部与所述第一端部对向的时候与所述多个滚轮接触的接触部;
所述滚轮接触部在所述第一方向的中间部为平坦;
所述导引部与所述第一端部对向的时候,所述多个滚轮之中的至少两个接触所述中间部;
支撑与所述中间部接触的所述至少两个滚轮的至少两个距离测定部分别通过收缩测定该距离测定装置与所述第一端部之间的距离。
7.如权利要求5或6所述的蒸镀装置,其特征在于,所述多个距离测定装置的每一个,是包含可以伸缩的距离测定部、与以可以旋转的状态下支撑于所述距离测定部的滚轮的接触式距离测定装置;
所述多个距离测定装置,被设置在所述导引部;
所述第一端部,包含所述导引部与所述第一端部对向的时候所述多个滚轮接触的滚轮接触部;
所述滚轮接触部,在所述基板运送的上游侧及下游侧,部分地向所述第二端部侧倾斜。
8.如权利要求1至7中任一项所述的蒸镀装置,其特征在于,所述驱动装置以可拆装的状态被连接于所述第二端部。
9.如权利要求1至8中任一项所述的蒸镀装置,其特征在于,具备:
蒸镀源;以及
限制板,其设在所述蒸镀源及所述掩膜之间;
不具备介于所述限制板及所述掩膜之间并使所述掩膜与所述限制板及所述蒸镀源一体化的结合部件。
10.如权利要求1至9中任一项所述的蒸镀装置,其特征在于,所述主面部包含对准标记;
所述蒸镀装置具备可以同时摄影所述对准标记与设在保持于所述基板保持部的基板的对准标记的摄像装置。
11.如权利要求1至10中任一项所述的蒸镀装置,其特征在于,所述蒸镀装置具备作为所述掩膜的第一及第二掩膜、作为所述距离测定装置的第一及第二距离测定装置、及作为所述驱动装置的第一及第二驱动装置;
所述导引部,跨越所述基板保持部的中央部般地设置;
所述第一及第二掩膜、所述第一及第二距离测定装置、与所述第一及第二驱动装置,以所述导引部为中心对称地配置。
12.一种蒸镀方法,包含在基板上成膜的蒸镀工序,其特征在于:
所述蒸镀工序,使用权利要求1至11中任一项所述的蒸镀装置进行。
13.一种有机电致发光元件的制造方法,包含使用权利要求1至11中任一项所述的蒸镀装置来成膜的蒸镀工序。
CN201580061590.1A 2014-11-17 2015-11-10 蒸镀装置、蒸镀方法及有机电致发光元件的制造方法 Active CN107002224B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014232809 2014-11-17
JP2014-232809 2014-11-17
PCT/JP2015/081527 WO2016080235A1 (ja) 2014-11-17 2015-11-10 蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107002224A true CN107002224A (zh) 2017-08-01
CN107002224B CN107002224B (zh) 2019-07-02

Family

ID=56013780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580061590.1A Active CN107002224B (zh) 2014-11-17 2015-11-10 蒸镀装置、蒸镀方法及有机电致发光元件的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10276797B2 (zh)
CN (1) CN107002224B (zh)
WO (1) WO2016080235A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110557955A (zh) * 2018-04-03 2019-12-10 应用材料公司 用于支撑基板或掩模的载体
CN111690895A (zh) * 2019-03-15 2020-09-22 佳能特机株式会社 成膜装置以及成膜系统
CN114318220A (zh) * 2020-09-30 2022-04-12 佳能特机株式会社 成膜装置、基板吸附方法及电子器件的制造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104894510B (zh) * 2015-05-25 2017-06-16 京东方科技集团股份有限公司 用于制作掩模集成框架的对位方法及系统
KR20190116977A (ko) * 2018-04-03 2019-10-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 디바이스에 캐리어를 클램핑하기 위한 어레인지먼트
CN110473822B (zh) * 2018-05-09 2021-11-23 京东方科技集团股份有限公司 对位方法及对位装置、蒸镀设备
KR20220129599A (ko) 2020-01-22 2022-09-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Oled 층 두께 및 도펀트 농도의 인-라인 모니터링
KR20220129598A (ko) * 2020-01-22 2022-09-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Oled 층 두께 및 도펀트 농도의 인-라인 모니터링
JP2021175824A (ja) * 2020-03-13 2021-11-04 大日本印刷株式会社 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1800436A (zh) * 2005-01-05 2006-07-12 三星Sdi株式会社 用于对准托盘和托盘固定器的装置
CN101783397A (zh) * 2008-12-15 2010-07-21 株式会社日立高新技术 有机el器件制造装置、成膜装置及其成膜方法、液晶显示基板制造、定位装置及定位方法
JP2013129898A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 V Technology Co Ltd 蒸着装置
CN103299712A (zh) * 2011-01-18 2013-09-11 夏普株式会社 被成膜基板和有机el显示装置
JP2014019913A (ja) * 2012-07-19 2014-02-03 Canon Tokki Corp 蒸着装置並びに蒸着方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2141259B1 (en) * 2008-07-04 2018-10-31 ABB Schweiz AG Deposition method for passivation of silicon wafers

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1800436A (zh) * 2005-01-05 2006-07-12 三星Sdi株式会社 用于对准托盘和托盘固定器的装置
CN101783397A (zh) * 2008-12-15 2010-07-21 株式会社日立高新技术 有机el器件制造装置、成膜装置及其成膜方法、液晶显示基板制造、定位装置及定位方法
CN103299712A (zh) * 2011-01-18 2013-09-11 夏普株式会社 被成膜基板和有机el显示装置
JP2013129898A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 V Technology Co Ltd 蒸着装置
JP2014019913A (ja) * 2012-07-19 2014-02-03 Canon Tokki Corp 蒸着装置並びに蒸着方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110557955A (zh) * 2018-04-03 2019-12-10 应用材料公司 用于支撑基板或掩模的载体
CN111690895A (zh) * 2019-03-15 2020-09-22 佳能特机株式会社 成膜装置以及成膜系统
CN111690895B (zh) * 2019-03-15 2023-11-03 佳能特机株式会社 成膜装置以及成膜系统
CN114318220A (zh) * 2020-09-30 2022-04-12 佳能特机株式会社 成膜装置、基板吸附方法及电子器件的制造方法
CN114318220B (zh) * 2020-09-30 2023-09-26 佳能特机株式会社 成膜装置、基板吸附方法及电子器件的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10276797B2 (en) 2019-04-30
CN107002224B (zh) 2019-07-02
WO2016080235A1 (ja) 2016-05-26
US20190097135A1 (en) 2019-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107002224A (zh) 蒸镀装置、蒸镀方法及有机电致发光元件的制造方法
CN106311524A (zh) 液滴排出装置和液滴排出方法
CN107541711A (zh) 基板的夹持装置、成膜装置、基板载置装置及其方法
JP4980610B2 (ja) 基板及びマスクの整列装置及び整列方法
CN104007611B (zh) 图案形成装置及图案形成方法
JP7450372B2 (ja) 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
KR102630778B1 (ko) 기판 캐리어, 성막 장치, 및 성막 방법
TW201418490A (zh) 蒸鍍裝置及蒸鍍方法
JP2022059618A (ja) 成膜装置、電子デバイスの製造装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
JP7190997B2 (ja) 吸着及びアライメント方法、吸着システム、成膜方法、成膜装置及び電子デバイスの製造方法
KR102590797B1 (ko) 흡착 시스템, 흡착 방법, 및 이를 이용한 성막 장치, 성막 방법, 전자 디바이스의 제조 방법
JP7288756B2 (ja) 静電チャックシステム、成膜装置、吸着方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法
JP7262221B2 (ja) 静電チャックシステム、成膜装置、吸着方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法
JP2021102810A (ja) 回転駆動装置、これを含む成膜装置、電子デバイスの製造方法
KR102473552B1 (ko) 상향식 증착장치 및 기판 얼라인 방법
US8969114B2 (en) Method of manufacturing organic light emitting display apparatus
KR102613397B1 (ko) 기판 캐리어, 성막 장치, 기판 캐리어의 반송 방법, 및 성막 방법
KR20200049379A (ko) 얼라인먼트 장치, 성막장치, 얼라인먼트 방법, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법
CN110777332A (zh) 静电吸盘系统、成膜装置和方法、吸附方法及电子器件的制造方法
KR101224122B1 (ko) 비접촉식 기판 이송장치
KR101989788B1 (ko) 하향식 증착장치
JP6956244B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP2020070490A (ja) 吸着及びアライメント方法、吸着システム、成膜方法、成膜装置及び電子デバイスの製造方法
KR20210079890A (ko) 성막 장치, 이를 사용한 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조방법
KR20150134121A (ko) 도포 장치, 이를 이용한 도포 방법 및 상기 도포 장치를 포함하는 도포 설비

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant