CN106972114A - 干燥装置和干燥处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供在对基板上的有机材料膜进行干燥处理时尽量地降低混入到处理容器内的水分的影响的干燥装置和干燥处理方法。干燥装置（100）包括能够抽成真空的处理容器（1）和用于在处理容器（1）内支承基板（S）的作为基板支承部的基板支承部（3），在干燥处理期间，在处理容器（1）内的压力为大气压～500Pa的范围内，将基板（S）保持在第1高度位置，在处理容器（1）内的压力为3Pa以下时，使基板（S）下降到比第1高度位置低的第2高度位置。通过在将基板（S）保持在第1高度位置的状态下进行减压排气，能够使处理容器（1）内的水分自底壁（11）的排气口（11a）快速地排出。

Description

干燥装置和干燥处理方法
技术领域
本发明涉及例如在有机EL元件的制造过程中能够用来进行基板上的有机材料膜的干燥的干燥装置和干燥处理方法。
背景技术
有机EL(Electro Luminescence)元件是利用通过通入电流而产生的有机化合物的发光的发光元件，成为在一对电极之间夹有多个有机功能膜的层叠体(以下将该层叠体统称作“EL层”)的构造。在此，EL层例如具有从阳极侧起按照[空穴输送层/发光层/电子输送层]、[空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层]、或者[空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电子注入层]等顺序层叠而成的构造。
通过针对各层分别在基板上蒸镀或者涂敷有机材料而形成EL层。并且，在形成高精度的微细图案的情况下，作为涂敷方法，一般认为利用喷墨印刷法是有利的。由于在利用喷墨印刷法印刷在基板上的有机材料膜中含有大量的源自墨的溶剂，因此，为了除去该溶剂而进行减压干燥。进而对干燥后的有机材料膜在低氧气氛中进行烘焙处理。利用该烘焙处理使有机材料膜变化为构成EL层的有机功能膜。因而，在利用喷墨印刷法的EL层的形成过程中，要重复进行印刷、干燥、烘焙各工序。
在用于干燥处理的减压干燥装置中设有用于搬入搬出基板的开口和用于将该开口封堵的闸阀。在搬入搬出基板时，打开闸阀，因此，大气会自所述开口流入处理容器内。在该状态下，当为了进行干燥处理而对处理容器内进行减压时，随着压力的降低，大气开放时流入的空气中的水分会聚集而产生雾。当在基板上方产生该雾时，会在基板表面产生结露而损害干燥状态的均匀性，在将基板用作有机EL显示器等产品时，会成为引起显示不均匀等不良的原因。
对于涂敷在基板上的有机功能性墨的干燥处理，在专利文献1中，为了在基板面内进行均匀的干燥处理而提出如下一种方案：使腔室内的压力为溶剂的蒸气压以下并一边自基板的周围供给溶剂一边进行减压干燥工序。
另外，在专利文献2中，提出如下一种方案：在对感光性树脂组合物的墨进行减压干燥的工序中，以使压力在第一阶段中为5000Pa～50000Pa且使压力在暂时返回大气压之后在第二阶段中为500Pa以下的方式来提高滤色器的分隔壁的品质。
另外，在专利文献3中，提出如下一种方案：在墨的真空干燥工序中，通过使自容纳室排出的气体的排气流量阶梯式变化，从而抑制涂敷膜的破裂。
并且，在专利文献4中，提出一种具有多个喷嘴的减压干燥装置，该多个喷嘴能够朝向被涂敷在基板上的有机材料膜以独立地控制气体流量和气体种类的方式喷射气体。
在以所述专利文献1～专利文献4为代表的以往技术中，在被涂敷在基板上的有机材料膜的干燥处理中进行了各种设计，但没有注意到针对混入到干燥装置的处理容器内的水分的对策。
专利文献1：日本特开2010－272382号公报(权利要求1等)
专利文献2：日本特开2008－116536号公报(段落0032等)
专利文献3：日本特开2007－253043号公报(权利要求1等)
专利文献4：日本特开2014－199808号公报(图1等)
发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的在于，提供能够在对基板上的有机材料膜进行干燥处理时尽量地降低混入到处理容器内的水分的影响的干燥装置和干燥处理方法。
用于解决问题的方案
为了解决所述问题，本发明提供一种干燥装置，该干燥装置包括：处理容器，其能够抽成真空并具有底壁、侧壁以及顶壁，在该处理容器内，在减压条件下除去被涂敷在基板的表面的有机材料膜中的溶剂而使有机材料膜干燥；基板支承部，其用于在所述处理容器内支承所述基板；排气装置，其用于对所述处理容器内进行减压排气；以及控制部，其用于对所述基板支承部支承所述基板的高度位置可变地进行调节。
并且，在本发明的干燥装置中，在对所述处理容器的内部进行减压排气的过程中,所述控制部进行控制，以便至少在所述处理容器内的压力下降到第1压力之前的期间利用所述基板支承部将所述基板保持在第1高度位置，并至少在所述处理容器内的压力为比所述第1压力低的第2压力以下时将所述基板保持在从所述第1高度位置下降后的第2高度位置。
另外，本发明提供一种干燥处理方法，该干燥处理方法包括使用干燥装置在减压条件下除去被涂敷在基板的表面的有机材料膜中的溶剂而使有机材料膜干燥的干燥处理工序，该干燥装置包括：处理容器，其能够抽成真空并具有底壁、侧壁以及顶壁；基板支承部，其用于在所述处理容器内支承所述基板；以及排气装置，其用于对所述处理容器内进行减压排气。
并且，在本发明的干燥处理方法中，所述干燥处理工序包括以下步骤：至少在所述处理容器内的压力下降到第1压力之前的期间利用所述基板支承部将所述基板保持在第1高度位置；至少在所述处理容器内的压力为比所述第1压力低的第2压力以下时将所述基板保持在从所述第1高度位置下降后的第2高度位置。
在本发明的干燥装置和干燥处理方法中，也可以是，所述第1压力为500Pa，所述第2压力为3Pa。
在本发明的干燥装置和干燥处理方法中，也可以是，在所述侧壁上设有用于自外部的输送装置搬入所述基板的开口，所述第1高度位置是所述基板的上表面被保持在比所述开口的上端靠上方的位置，所述第2高度位置是所述基板的上表面与所述顶壁的下表面分开150mm以上的位置。
在本发明的干燥装置和干燥处理方法中，也可以是，在有机EL元件的制造过程中利用喷墨印刷法在所述基板上涂敷所述有机材料膜。
发明的效果
采用本发明，能够一边尽量地排除混入到处理容器内的水分的影响一边使有机材料膜在基板面内均匀地干燥。因而，通过将本发明应用于例如有机EL显示器等制造过程中，能够提高产品的可靠性。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的干燥装置的概略结构的剖视图。
图2是图1的干燥装置的基板支承部中的多个支承板的说明图。
图3是图1的干燥装置的基板支承部中的多个支承板的另一状态的说明图。
图4是表示控制部的硬件构成的一个例子的框图。
图5是用以说明干燥处理方法的工序图。
图6是用以接着图5继续说明干燥处理方法的工序图。
图7是用以接着图6继续说明干燥处理方法的工序图。
图8A是说明本发明中的基板保持位置的作用的示意图。
图8B是说明以往技术中的基板保持位置的示意图。
图9A是说明本发明中的基板保持位置的作用的另一示意图。
图9B是说明比较例中的基板保持位置的示意图。
图10是表示处理容器内的压力与溶剂的挥发量之间的关系的图表。
图11是表示有机EL元件的制造工序的概略的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。图1是表示本发明的第1实施方式的单片式的干燥装置的概略结构的剖视图。本实施方式的干燥装置100用于对作为被处理体的例如有机EL显示器用的玻璃基板(以下简记作“基板”)S除去被涂敷在其表面的有机材料膜中的溶剂并使其干燥的干燥处理。
本实施方式的干燥装置100包括能够抽成真空的处理容器1和用于在处理容器1内支承基板S的作为基板支承部的基板支承部3。
处理容器
处理容器1是能够抽成真空的耐压容器。处理容器1利用金属材料形成。作为形成处理容器1的材料，例如能够使用铝、铝合金、不锈钢等。处理容器1包括底壁11、呈方筒状的4个侧壁13、以及顶壁15。
在一个侧壁13上设有用于向装置内搬入基板S或者自该装置搬出基板S的作为开口的搬入搬出口13a。搬入搬出口13a用于在处理容器1与外部之间搬入或搬出基板S。在搬入搬出口13a设有闸阀GV。闸阀GV具有打开或关闭搬入搬出口13a的功能，其在关闭状态下以气密的方式密封处理容器1，并且在打开状态下能够在处理容器1与外部之间移送基板S。
在底壁11上设有多个排气口11a。排气口11a经由排气管17连接于外部的排气装置19。此外，排气口也可以设于侧壁13的下部。
基板支承部
在处理容器1的内部配备有用于支承基板S的基板支承部3。如图2和图3所示，基板支承部3具有以排成一列的方式配置的多个纵长的支承板4。在图2中，图示了例如9张支承板4A～支承板4I。在支承板4的上表面设有多个销(省略图示)，基板S被这些销支承。
另外，基板支承部3具有用于使多个支承板4中的一部分的支承板4升降的升降驱动部5。在图2和图3所示的例子中，支承板4A、4C、4E、4G、4I是以能够利用升降驱动部5同步地沿上下方向进行升降位移的方式构成的可动支承板。其余的支承板4B、4D、4F、4H不进行升降位移，而是固定于底壁11。
升降驱动部5具有驱动器5a、被该驱动器5a沿上下方向驱动的轴5b、以及固定于轴5b的顶端的连结部5c。驱动器5a例如是气缸、滚珠丝杠机构等。轴5b插入到被设于底壁11的贯通开口11b。此外，贯通开口11b的周围被气密地密封。连结部5c固定于各支承板4A、4C、4E、4G、4I的底面并与轴5b的上下驱动相应地使各支承板4A、4C、4E、4G、4I上下位移。
如图2所示，基板支承部3构成为，在9张支承板4A～支承板4I排成横向一列的状态下，能够在该9张支承板4A～支承板4I之上载置基板S。另外，基板支承部3构成为，还能够在以可动的方式构成的支承板4A、4C、4E、4G、4I之上载置基板S。并且，在使支承板4A、4C、4E、4G、4I上升了的状态下，能在支承板4A、4C、4E、4G、4I与外部的输送装置(未图示)之间进行基板S的交接。此时，外部的输送装置的叉状的基板保持件(未图示)利用例如支承板4A与支承板4C之间的间隙以及支承板4G与支承板4I之间的间隙进行基板S的接收或交接。
此外，基板支承部3只要是能够使基板S升降位移的构件即可，并不限定于图2和图3所示的结构。另外，基板支承部3中的支承板4、其中的可动支承板的张数是任意的。
压力控制机构
本实施方式的干燥装置100还包括排气装置19。通过驱动该排气装置19，能够将处理容器1内减压排气至规定的真空度、例如0.1Pa左右的压力。排气装置19具有例如涡轮分子泵、干泵等真空泵。在本实施方式中，能够根据处理容器内的真空度而在干泵与涡轮分子泵之间进行切换。此外，排气装置19也可以是与干燥装置100独立的外部装置。
也可以是，干燥装置100还包括连接排气口11a和排气装置19的排气管17、以及设于排气管17的中途的APC(Adaptive Pressure Control，自适应压力控制)阀23。通过使排气装置19的真空泵工作，并且调节APC阀23的开度，能够将处理容器1的内部空间减压排气至规定的真空度。此外，APC阀23由1个主阀和多个从阀构成，各从阀与主阀连动地进行动作。
此外，本实施方式的干燥装置100还包括用于监视处理容器1内的压力的压力计25。压力计25将处理容器1内的测量压力作为电信号向所述主阀的APC阀23发送。
在本实施方式中，由排气装置19、排气管17、APC阀23以及压力计25构成对处理容器1内进行减压排气并调节到规定压力的压力控制机构。
气体供给机构
本实施方式的干燥装置100还包括气体供给装置27，该气体供给装置27用于向处理容器1内供给气体。在处理容器1的顶壁15设有气体导入部15a。在气体导入部15a上连接有气体供给装置27。气体导入部15a也可以被设置于顶壁15以外的位置、例如侧壁13等。气体供给装置27包括：气体供给源29，其用于向气体导入部15a供给气体；以及一个或多个配管31(仅图示一个)，其将气体供给源29和气体导入部15a连接起来，用于向气体导入部15a供给气体。也可以在气体导入部15a设置未图示的喷嘴、喷头。另外，气体供给装置27在配管31的中途位置包括用于控制气体流量的质量流量控制器(MFC)33和多个开闭阀35(仅图示两个)。由质量流量控制器33和开闭阀35来控制从气体导入部15a向处理容器1内导入的气体的流量等。作为从气体供给源29供给的气体，优选使用例如氮气、氩气等非活性气体、干空气等置换用气体等。此外，气体供给装置27也可以是与干燥装置100独立的外部装置。
控制部
本实施方式的干燥装置100还包括控制部50。干燥装置100的各构成部分别连接于控制部50而被控制部50控制。控制部50典型地为计算机。图4示出了控制部50的硬件构成的一个例子。控制部50包括主控制部101、键盘、鼠标等输入装置102、打印机等输出装置103、显示装置104、存储装置105、外部接口106、以及用于将这些相互连接起来的总线107。主控制部101具有CPU(中央处理装置)111、RAM(随机存取存储器)112以及ROM(只读存储器)113。存储装置105只要能够存储信息，则不论其形态，其例如为硬盘装置或光盘装置。另外，存储装置105向可计算机读取的存储介质115存储信息并自存储介质115读取信息。存储介质115只要能够存储信息，则不论其形态，其例如为硬盘、光盘、闪速存储器等。存储介质115也可以是存储有干燥处理方法的制程的存储介质。
在控制部50中，CPU111将RAM112用作作业区域来执行存储于ROM113或存储装置105的程序，由此能够在本实施方式的干燥装置100中执行针对基板S的处理。具体而言，控制部50在干燥装置100中对例如与保持基板S的高度位置、处理容器1内的压力、气体流量等工艺条件有关的各构成部(基板支承部3的升降驱动部5、排气装置19、气体供给装置27等)进行控制。例如，在干燥装置100中进行干燥处理的期间，控制部50对利用基板支承部3支承基板S的高度位置可变地进行控制。
干燥处理的步骤
接下来，参照图5～图7对在如上构成的干燥装置100中进行的本发明的一实施方式的干燥处理方法进行说明。
作为前阶段，利用外部的喷墨印刷装置(省略图示)以规定的图案在基板S上印刷有机材料膜。用于形成有机材料膜的墨包含溶质和溶剂，作为干燥处理的对象的成分主要为溶剂。作为溶剂中含有的有机化合物，大多为高沸点化合物，例如可以列举出：1,3-二甲基-2-咪唑烷酮(1,3-dimethyl-2-imidazolidinone，沸点220℃、熔点8℃)、4-叔丁基苯甲醚(4-ter-Butylanisole，沸点222℃、熔点18℃)、反式-茴香脑(Trans-Anethole，沸点235℃、熔点20℃)、邻苯二甲醚(1,2-Dimethoxybenzene，沸点206.7℃、熔点22.5℃)、2-甲氧基联苯(2-Methoxybiphenyl，沸点274℃、熔点28℃)、苯基醚(Phenyl Ether，沸点258.3℃、熔点28℃)、2-萘乙醚(2-Ethoxynaphthalene，沸点282℃、熔点35℃)、苄基苯基醚(BenzylPhenyl Ether，沸点288℃、熔点39℃)、2,6-二甲氧基甲苯(2,6-Dimethoxytoluene，沸点222℃、熔点39℃)、2-丙氧基萘(2-Propoxynaphthalene，沸点305℃、熔点40℃)、1,2,3-三甲氧基苯(1,2,3-Trimethoxybenzene，沸点235℃、熔点45℃)、环己基苯(cyclohexybenzene，沸点237.5℃、熔点5℃)、十二烷基苯(dodecylbenzene，沸点288℃、熔点-7℃)、1,2,3,4-四甲基苯(1,2,3,4-tetramethylbenzene，沸点203℃、熔点76℃)等。这些高沸点有机化合物也存在组合两种以上配合到墨中的情况。
首先，如图5所示，打开闸阀GV，利用外部的输送装置的基板保持件200将印刷有有机材料膜的基板S自搬入搬出口13a搬入干燥装置100的处理容器1内并将其交接到基板支承部3。此时，如所述那样，使升降驱动部5的驱动器5a工作而使支承板4A、4C、4E、4G、4I上升，以自下方抬起的方式从基板保持件200接收基板S。
然后，使基板保持件200退避，之后，关闭干燥装置100的闸阀GV，如图6所示，利用支承板4A、4C、4E、4G、4I将基板S保持在规定的高度位置h1。然后，使排气装置19工作而开始对处理容器1内进行减压排气，在利用压力计25监视处理容器1内的压力的同时，控制APC阀23的开度而减压至规定的真空度。这样，能够实施将形成在基板S上的有机材料膜中所含有的溶剂除去的干燥处理。在该情况下，也可以是，与使支承板4A、4C、4E、4G、4I上升而从基板保持件200接收基板S的动作相伴地使基板S上升到高度位置h1。或者，也可以是，从基板保持件200接收基板S，使基板保持件200退避，之后(根据需要，在关闭闸阀GV之后)，进一步使支承板4A、4C、4E、4G、4I上升而将基板S的位置定位于高度位置h1。
在本实施方式中，在自干燥处理的开始到干燥处理的中途的阶段中，基板S的上表面被保持在比搬入搬出口13a的上端的高度位置h0靠上方(顶壁15侧)的高度位置h1。也就是说，高度位置h1高于高度位置h0(h1＞h0)。通过如此在成为h1＞h0的高度位置开始减压干燥，能够避免因打开闸阀GV而混入到处理容器1内的空气中的水分绕到基板S的上方。对于该高度位置h1，在基板S是例如纵×横为2.5m×2.2m左右的大小的情况下，优选使自顶壁15的下表面起到基板S的上表面为止的距离(间隙)G为115mm以上，更优选在115mm～135mm的范围内。
继续保持高度位置h1，至少直至处理容器1内的压力降低到第1压力为止。在此，第1压力例如为500Pa。
接下来，一边继续进行处理容器1内的减压排气，一边使升降驱动部5的驱动器5a工作而使支承板4A、4C、4E、4G、4I下降，并如图7所示那样使基板S下降到高度位置h2。然后，在使处理容器1内的压力为低于第1压力的第2压力以下时，将基板S至少保持在高度位置h2。该高度位置h2是从顶壁15的下表面起到基板S的上表面为止的距离(间隙)G为150mm以上、优选在150mm～200mm的范围内、更优选在155mm～195mm的范围内的高度位置。这样，通过在将基板S保持在第2高度位置h2的情况下进行减压干燥，能够促进溶剂自基板S表面的有机材料膜(墨)挥发并使挥发了的溶剂充分地扩散到基板S的上方空间。
至少在处理容器1内的压力为第2压力以下时，继续保持高度位置h2。在此，第2压力为例如3Pa。
在经过规定时间之后，使排气装置19停止工作，使处理容器1内上升到规定压力，之后打开干燥装置100的闸阀GV。然后，将利用支承板4A、4C、4E、4G、4I上升后的基板S交接到外部的输送装置的基板保持件200，并将基板S自处理容器1搬出。通过以上的步骤，完成了对1张基板S进行的干燥处理。
作用
接下来，参照图8A、图8B和图9A、图9B说明本发明的作用。如上所述，由于在基板S的搬入搬出时打开闸阀GV，因此，空气会自搬入搬出口13a流入到处理容器1内。当为了进行干燥处理而对处理容器1内进行减压时，随着压力的降低，在绝热膨胀的作用下，大气开放时流入的空气中的水分W会聚集而产生雾。
与图6同样地，图8A示意地示出了将基板S保持在高度位置h1而开始减压干燥处理的状态。如图8A所示，若将基板S保持在高度位置h1，则自搬入搬出口13a进入到处理容器1内的大部分水分W会存在于基板S的下方。另外，在从基板保持件200接收基板S的动作中或在从基板保持件200接收基板S之后，通过使基板S上升到比搬入搬出口13a的上端靠上的位置，从而使基板S的上方的空间的体积缩小，结果能够使打开闸阀GV时自搬入搬出口13a进入到基板S的上方的水分W也绕到基板S的下方。因此，通过在将基板S保持在图8A所示的高度位置h1的状态下进行减压排气，能够将处理容器1内的水分W自底壁11的排气口11a快速地排出。由于排气口11a设于与保持于高度位置h1的基板S分开的下方的底壁11，因此能够利用自上而下的气流将含有水分W的空气高效地排出。
与此相对，在以往技术中，在搬入基板S并关闭闸阀GV之后，立即使基板S下降，保持在例如高度位置h2而开始减压干燥。其结果，如图8B示意性地表示那样，由于使基板S下降，从而使混入到处理容器1内的水分W绕到基板S的上方并在基板S的上方聚集而产生雾。这样，当在基板S的上方产生雾时，会在基板S的表面产生结露而损害有机材料膜的干燥状态的均匀性，在将基板用作有机EL显示器等产品时，会成为引起显示不均匀等不良的原因。
与图7同样地，图9A示出了将基板S保持在高度位置h2而进行减压干燥处理的状态。在图9A中，示意地示出了自有机材料膜中挥发的溶剂气体Gs的流动。当处理容器1内的压力接近溶剂的蒸气压时，来自有机材料膜的溶剂的挥发量急剧地增加。如上所述，在高度位置h2，作为自顶壁15的下表面起到基板S的上表面为止的距离的间隙G为150mm以上。因此，在处理容器1内的基板S的上方，能够确保使自有机材料膜挥发的高浓度的溶剂气体Gs充分地扩散的容积。在高度位置h2，如图9A所示，自有机材料膜中挥发的溶剂气体Gs充分地扩散到基板S的上方，形成气流并绕过基板S的侧部，朝向下方流动而被高效地排出。其结果，能够使有机材料膜的干燥状态在基板S的面内均匀化，并能够缩短干燥结束为止的处理时间。即使基板S是例如纵×横尺寸为2.5m×2.2m左右的大小的大型基板，通过将间隙G确保为150mm以上，也能够谋求面内的干燥处理的均匀化。
与此相对，在例如以保持高度位置h1的状态持续进行干燥处理的情况下，如图9B示意性地表示那样，由于处理容器1内的基板S的上方的空间的体积受到限制，因此，自有机材料膜中挥发的高浓度的溶剂气体Gs会滞留于基板S的上方而使干燥效率降低。其结果，不仅使干燥结束为止的处理时间变长，而且会在基板S的表面产生溶剂气体Gs的结露，从而损害干燥状态的均匀性，在将基板用作有机EL显示器等产品时，会成为引起显示不均匀等不良的原因。
如上所述，在本实施方式的干燥装置100中，在干燥处理期间，通过使基板S的高度位置与处理容器1内的压力相对应地变化，能够一边尽量地排除混入到处理容器1内的水分的影响一边在基板S面内进行有机材料膜的均匀的干燥。
接下来，参照图10说明自高度位置h1向高度位置h2切换的时刻。在图10中，靠左侧的纵轴表示在对处理容器1内进行减压排气时的压力，靠右侧的纵轴表示溶剂自有机材料膜挥发的挥发量，横轴表示时间。在自减压排气的开始t0到t1为止的时间内，处理容器1内的压力自大气压下降到500Pa，并在t2下降到3Pa。如上所述，在干燥处理的初期，需要高效地去除混入到处理容器1内的水分。因此，在处理容器1内的压力自大气压下降到500Pa的期间(在t0～t1之间)，优选保持高度位置h1。在图10中，利用剖面线来表示保持高度位置h1的区域R1。
另一方面，在处理容器1内的压力为3Pa以下时，高沸点溶剂自有机材料膜挥发的挥发量剧增。因此，为了在处理容器1内的压力成为3Pa以下的t2之后充分地确保基板S的上方的空间的体积而促进溶剂的扩散、并使有机材料膜在基板S的面内高效且均匀地干燥，优选保持高度位置h2。在图10中，利用剖面线示出了保持高度位置h2的区域R2。
如上所述，为了兼顾自处理容器1内排出水分和基板S的面内的均匀干燥，在处理容器1内的压力自500Pa达到3Pa以下的t1～t2的期间完成自高度位置h1向高度位置h2的切换是有效果的。因而，自高度位置h1向高度位置h2的切换在处理容器1内的压力大于3Pa且小于500Pa的范围内进行，优选在8Pa～500Pa的范围内进行，更优选在15Pa～100Pa的范围内进行。自高度位置h1向高度位置h2的下降既可以连续进行，也可以阶梯式地进行。另外，既可以与处理容器1内的压力的降低速度相对应花费例如t1～t2的时间自高度位置h1逐渐地下降到高度位置h2，也可以以更短时间一次性地下降。
也可以是，在自高度位置h1向高度位置h2切换时，根据预先通过实验获得的处理容器1内的压力与减压排气时间之间的关系来设定达到规定的真空度所花费的时间，控制部50对该时间进行管理并自控制部50向升降驱动部5发送控制信号而切换高度位置。或者，也可以是，在干燥处理的期间利用压力计25对处理容器1内的压力进行监视，在由压力计25测得的压力达到规定的真空度时，自控制部50向升降驱动部5发送控制信号而切换高度位置。
如上所述，在本实施方式的干燥装置100中，至少在处理容器1内的压力下降到第1压力之前，将基板S保持在高度位置h1，以便高效地排除混入了的水分。另一方面，在处理容器1内的压力为第2压力以下时，将基板S保持在高度位置h2，以便使有机材料膜在基板S的面内均匀地干燥。这样，在干燥处理的期间，通过使基板S的高度位置与处理容器1内的压力相对应地变化，能够一边尽量地排除混入到处理容器1内的水分的影响一边在基板S面内对有机材料膜进行均匀的干燥。因而，通过将本实施方式的干燥装置100应用于例如有机EL显示器等的制造过程中，能够提高产品的可靠性。
应用于有机EL元件的制造工艺的例子
就有机EL元件的制造而言，在阳极和阴极之间形成多个有机功能膜作为EL层。本实施方式的干燥装置100也能够应用于制造任何层叠构造的有机EL元件。在此，列举制造从阳极侧朝向阴极侧具有空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电子注入层作为EL层的有机EL元件的情况的例子说明利用干燥装置100进行的具体的处理。
图11表示有机EL元件的制造工序的概略。在本例子中，利用步骤1～步骤8的工序制造有机EL元件。在步骤1中，利用例如蒸镀法等以规定的图案在基板S上形成阳极(像素电极)。接着，在步骤2中，利用光刻法在阳极之间形成利用绝缘物形成的分隔壁(堤)。作为用于形成分隔壁的绝缘材料，例如能够使用感光性聚酰亚胺树脂等高分子材料。
接着，在步骤3中，于在步骤1中形成的阳极上形成空穴注入层。首先，利用喷墨印刷法在被各分隔壁划分开的阳极上印刷成为空穴注入层的材料的有机材料。接着，使用干燥装置100对这样印刷而成的有机材料膜进行用于除去溶剂的减压干燥处理。接着，通过将干燥处理后的基板S移送到烘焙装置并在大气中进行烘焙处理，从而形成空穴注入层。
接着，在步骤4中，于在步骤3中形成的空穴注入层上形成空穴输送层。首先，利用喷墨印刷法在空穴注入层上印刷成为空穴输送层的材料的有机材料。使用干燥装置100对这样印刷而成的有机材料膜进行用于除去溶剂的减压干燥处理。接着，通过将干燥处理后的基板S移送到烘焙装置并在大气中进行烘焙处理，从而形成空穴输送层。
接着，在步骤5中，在步骤4中形成的空穴输送层上形成发光层。首先，利用喷墨印刷法在空穴输送层上印刷成为发光层的材料的有机材料。使用干燥装置100对这样印刷而成的有机材料膜进行用于除去溶剂的减压干燥处理。接着，通过将干燥处理后的基板S移送到烘焙装置并在大气中进行烘焙处理，从而形成发光层。另外，在发光层由多层构成的情况下，重复所述处理。
接着，通过利用例如蒸镀法在发光层上依次形成电子输送层(步骤6)、电子注入层(步骤7)以及阴极(步骤8)，从而能够得到有机EL元件。另外，还能够通过喷墨印刷法来形成电子输送层(步骤6)、电子注入层(步骤7)。
在这样的有机EL元件的制造工艺中，干燥装置100能够优选地应用于步骤3(形成空穴注入层)、步骤4(形成空穴输送层)、步骤5(形成发光层)、步骤6(形成电子输送层)、以及步骤7(形成电子注入层)。即，在利用喷墨印刷法印刷了作为各层的前阶段的有机材料膜之后，能够使用干燥装置100对有机材料膜进行减压干燥处理。在有机材料膜的干燥处理的期间，通过使基板S的高度位置与处理容器1内的压力相对应地变化，能够一边尽量地排除混入到处理容器1内的水分的影响一边在基板S面内对有机材料膜进行均匀的干燥。另外，干燥处理的可靠性提高，例如，还能够提高有机EL显示器等产品的可靠性。
通过像以上那样使用干燥装置100，能够在有机EL元件的制造工艺中高效地进行为了形成EL层所需要的干燥工序。
以上，出于例示的目的详细地说明了本发明的实施方式，但本发明并不被限制为所述实施方式，能够进行各种变形。例如，有机EL元件的制造工序并不限定于图11所例示的工序。即使在例如EL层具有从阳极侧朝向阴极侧按照[空穴输送层/发光层/电子输送层]、[空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层]等顺序层叠的构造的有机EL元件的制造中，也能够同样地应用本发明的干燥装置100。
附图标记说明
1、处理容器；3、基板支承部；11、底壁；13、侧壁；13a、搬入搬出口；15、顶壁；15a、气体导入部；17、排气管；19、排气装置；23、APC阀；25、压力计；27、气体供给装置；31、配管；33、质量流量控制器(MFC)；35、开闭阀；50、控制部；100、干燥装置；S、基板；GV、闸阀。

Claims (8)

1.一种干燥装置，其中，
该干燥装置包括：
处理容器，其能够抽成真空并具有底壁、侧壁以及顶壁，在该处理容器内，在减压条件下除去被涂敷在基板的表面的有机材料膜中的溶剂而使有机材料膜干燥；
基板支承部，其用于在所述处理容器内支承所述基板；
排气装置，其用于对所述处理容器内进行减压排气；以及
控制部，其用于对所述基板支承部支承所述基板的高度位置可变地进行调节，
在对所述处理容器的内部进行减压排气的过程中,所述控制部进行控制，以便至少在所述处理容器内的压力下降到第1压力之前的期间利用所述基板支承部将所述基板保持在第1高度位置，并至少在所述处理容器内的压力为比所述第1压力低的第2压力以下时将所述基板保持在从所述第1高度位置下降后的第2高度位置。
2.根据权利要求1所述的干燥装置，其中，
所述第1压力为500Pa，所述第2压力为3Pa。
3.根据权利要求1或2所述的干燥装置，其中，
在所述侧壁上设有用于自外部的输送装置搬入所述基板的开口，
所述第1高度位置是所述基板的上表面被保持在比所述开口的上端靠上方的位置，
所述第2高度位置是所述基板的上表面与所述顶壁的下表面分开150mm以上的位置。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的干燥装置，其中，
在有机EL元件的制造过程中利用喷墨印刷法在所述基板上涂敷所述有机材料膜。
5.一种干燥处理方法，其中，
该干燥处理方法包括使用干燥装置在减压条件下除去被涂敷在基板的表面的有机材料膜中的溶剂而使有机材料膜干燥的干燥处理工序，该干燥装置包括：处理容器，其能够抽成真空并具有底壁、侧壁以及顶壁；基板支承部，其用于在所述处理容器内支承所述基板；以及排气装置，其用于对所述处理容器内进行减压排气，
所述干燥处理工序包括以下步骤：
至少在所述处理容器内的压力下降到第1压力之前的期间利用所述基板支承部将所述基板保持在第1高度位置；
至少在所述处理容器内的压力为比所述第1压力低的第2压力以下时将所述基板保持在从所述第1高度位置下降后的第2高度位置。
6.根据权利要求5所述的干燥处理方法，其中，
所述第1压力为500Pa，所述第2压力为3Pa。
7.根据权利要求5或6所述的干燥处理方法，其中，
在所述侧壁上设有用于自外部的输送装置搬入所述基板的开口，
所述第1高度位置是所述基板的上表面被保持在比所述开口的上端靠上方的位置，
所述第2高度位置是所述基板的上表面与所述顶壁的下表面分开150mm以上的位置。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的干燥处理方法，其中，
在有机EL元件的制造过程中利用喷墨印刷法在所述基板上涂敷所述有机材料膜。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107676498A (zh) * 2017-09-25 2018-02-09 武汉华星光电技术有限公司 软烤设备的排气阀组件
CN110328975A (zh) * 2019-07-01 2019-10-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 真空干燥装置
CN110783494A (zh) * 2018-07-27 2020-02-11 株式会社日本有机雷特显示器 有机el显示面板的制造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6886866B2 (ja) * 2017-05-31 2021-06-16 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置
JP7119617B2 (ja) * 2018-06-15 2022-08-17 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置
CN112254504B (zh) * 2020-10-19 2023-10-17 西安圣华农业科技股份有限公司 隔板可调的农产品烘干设备
CN112880307B (zh) * 2021-01-12 2022-11-22 扬州大学 多片晶圆干燥用的多孔介质型稳定可调节气悬浮流场的装置及实现方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003168643A (ja) * 2001-09-19 2003-06-13 Tokyo Electron Ltd 減圧乾燥装置及び塗布膜形成方法
CN1758142A (zh) * 2004-10-07 2006-04-12 大日本网目版制造株式会社 减压干燥装置及减压干燥方法
JP2010272382A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Panasonic Corp 機能性素子の製造方法および装置
CN104488358A (zh) * 2012-07-25 2015-04-01 东京毅力科创株式会社 烘焙处理系统

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4244555B2 (ja) * 2002-02-25 2009-03-25 東京エレクトロン株式会社 被処理体の支持機構
KR101681101B1 (ko) * 2004-06-09 2016-11-30 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 장치 및 그것을 구비하는 노광 장치, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 그리고 발액 플레이트
JP2007073833A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 減圧乾燥装置及び基板乾燥方法
JP2007253043A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Toshiba Corp 液滴噴射装置及び塗布体の製造方法
JP5172132B2 (ja) 2006-11-01 2013-03-27 凸版印刷株式会社 カラーフィルタの製造方法
JP4272230B2 (ja) * 2006-12-22 2009-06-03 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置
JP2008311250A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Tokyo Electron Ltd リフローシステムおよびリフロー方法
JP2013161946A (ja) * 2012-02-06 2013-08-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP6328434B2 (ja) * 2013-03-14 2018-05-23 東京エレクトロン株式会社 乾燥装置及び乾燥処理方法
US9053917B2 (en) 2013-03-29 2015-06-09 Agilent Technologies, Inc. Vacuum fired and brazed ion pump element

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003168643A (ja) * 2001-09-19 2003-06-13 Tokyo Electron Ltd 減圧乾燥装置及び塗布膜形成方法
CN1758142A (zh) * 2004-10-07 2006-04-12 大日本网目版制造株式会社 减压干燥装置及减压干燥方法
JP2010272382A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Panasonic Corp 機能性素子の製造方法および装置
CN104488358A (zh) * 2012-07-25 2015-04-01 东京毅力科创株式会社 烘焙处理系统

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107676498A (zh) * 2017-09-25 2018-02-09 武汉华星光电技术有限公司 软烤设备的排气阀组件
CN107676498B (zh) * 2017-09-25 2019-05-07 武汉华星光电技术有限公司 软烤设备的排气阀组件
CN110783494A (zh) * 2018-07-27 2020-02-11 株式会社日本有机雷特显示器 有机el显示面板的制造方法
CN110328975A (zh) * 2019-07-01 2019-10-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 真空干燥装置

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Publication number Publication date
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CN110048027A (zh) 2019-07-23
JP6639175B2 (ja) 2020-02-05
TW201728230A (zh) 2017-08-01
JP2017067343A (ja) 2017-04-06
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