CN106941069B - 射频返回路径的阻抗的控制 - Google Patents

射频返回路径的阻抗的控制 Download PDF

Info

Publication number
CN106941069B
CN106941069B CN201710083055.7A CN201710083055A CN106941069B CN 106941069 B CN106941069 B CN 106941069B CN 201710083055 A CN201710083055 A CN 201710083055A CN 106941069 B CN106941069 B CN 106941069B
Authority
CN
China
Prior art keywords
radio
frequency
impedance
return path
radio frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710083055.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106941069A (zh
Inventor
阿列克谢·马拉霍塔诺夫
拉金德尔·迪恩赛
肯·卢彻斯
卢克·奥巴伦德
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of CN106941069A publication Critical patent/CN106941069A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106941069B publication Critical patent/CN106941069B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Burglar Alarm Systems (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明涉及射频返回路径的阻抗的控制。具体而言，一种用于控制射频(RF)返回路径的阻抗的系统包括匹配盒，该匹配盒进一步包括匹配电路。该系统进一步包括射频发生器，该射频发生器与匹配盒联接上以经由射频供应路径的第一部分供应射频供应信号到匹配盒。射频发生器联接到匹配盒以经由射频返回路径的第一部分接收射频返回信号。该系统还包括开关电路以及经由射频返回路径的第二部分与该开关电路联接上的等离子体反应器。等离子体反应器经由射频供应路径的第二部分联接到匹配电路。该系统包括联接到所述开关电路上的控制器，所述控制器被配置成基于调节配方控制所述开关电路以改变所述射频返回路径的阻抗。

Description

射频返回路径的阻抗的控制
本申请是申请日为2014年9月24日、中国专利申请号为201410494730.1、发明名称为“射频返回路径的阻抗的控制”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明的实施方式涉及控制射频(RF)返回路径的阻抗。
背景技术
基于等离子体的系统包括用于产生信号的供应源。基于等离子体的系统进一步包括接收信号以产生等离子体的室。等离子体用于多种操作，包括清洁晶片，在晶片上沉积氧化物和薄膜，以及蚀刻除去一部分晶片或一部分氧化物和薄膜。
等离子体的一些性能，例如等离子体中的驻波等，难以控制以便能控制等离子体蚀刻或沉积的均匀性。控制等离子体性能的困难导致蚀刻晶片的材料或者在晶片上沉积材料的不均匀性。例如，晶片在距离其中心的第一位置处比在距离中心的第二位置处被蚀刻多。第二距离到中心的距离比第一距离到中心的距离远。作为另一个实例，晶片在第一距离比在第二距离蚀刻较少。作为又一个实例，在晶片上在第一距离处比在第二距离处沉积较多的材料。作为还有的一个实例，在晶片上在第二距离处比在第一距离处沉积较多的材料。蚀刻的不均匀性导致晶片的M形蚀刻或W形蚀刻。蚀刻或沉积的不均匀性导致减少的晶片产量。
正是在这种背景下提出本发明中描述的实施方式。
发明内容
本发明的实施方式提供了用于控制射频(RF)返回路径的阻抗的设备、方法和计算机程序。应当理解，这些实施方式可以用多种方式实施，这些方式例如，方法、设备、系统、硬件设备或计算机可读的介质上的方法。以下描述了几个实施方式。
在一些实施方式中，通过控制等离子体设备中的射频返回路径的阻抗来获得均匀性。通过控制等离子体设备的阻抗匹配电路与等离子体设备的等离子体反应器之间的电容和/或电感来控制阻抗。当阻抗受到控制时，获得均匀性。
在多种实施方式中，描述了用于控制射频(RF)返回路径的阻抗的一种系统。该系统包括匹配盒，该匹配盒进一步包括匹配电路。该系统进一步包括射频发生器，该射频发生器与匹配盒联接上以经由射频供应路径的第一部分供应射频供应信号到匹配盒。射频发生器联接到匹配盒以经由射频返回路径的第一部分接收射频返回信号。该系统还包括匹配电路以及经由射频返回路径的第二部分与该匹配电路联接上的等离子体反应器。等离子体反应器经由射频供应路径的第二部分联接到匹配电路。该系统包括联接到所述开关电路上的控制器，所述控制器被配置成基于调节配方控制所述开关电路以改变所述射频返回路径的阻抗。
在多种实施方式中，一种用于控制射频返回信号的阻抗的系统包括射频传输线，该射频传输线进一步包括射频棒和接地射频通道。该系统包括等离子体反应器以及经由射频传输线联接到等离子体反应器的阻抗匹配电路。射频传输线用于经由射频棒供应射频供应信号到等离子体反应器并且用于经由接地的射频通道接收来自射频反应器的射频返回信号。该系统包括开关电路，该开关电路联接在所述阻抗匹配电路与所述等离子体反应器之间，用于控制所述射频返回信号的阻抗。
在几个实施方式中，一种用于控制射频返回路径的阻抗的方法包括经由射频传输线的射频返回路径部分接收来自等离子体反应器的射频返回信号。该方法进一步包括调节包括所述射频返回路径部分的射频返回路径的阻抗以获得可测量的因素；并且经由射频电缆护套将经过调节的射频返回信号发送到射频发生器。
一些上述实施方式的一些优点包括控制作用在衬底上的蚀刻速率或沉积速率的均匀性。例如，开关电路控制射频返回路径的阻抗以获得均匀性。改变开关电路的电容、电感或它们的组合来控制射频返回路径的阻抗。射频返回路径形成在等离子体室的间隙与用于产生射频信号的射频发生器之间。均匀性控制减小了蚀刻速率和沉积速率的不均匀性。
一些上述实施方式的附加优点包括控制等离子体系统的射频返回路径的阻抗以获得蚀刻速率或沉积速率的预定均匀性。预定的均匀性存储在调节配方中。此外，均匀性与开关电路的电感、电容或它们的组合之间的一一对应关系存储在调节配方中。处理器经过编程来获得调节配方中的均匀性。处理器从调节配方检索与可测量因素(例如，蚀刻速率，或沉积速率，或蚀刻速率的均匀性，或沉积速率的均匀性，或它们的组合等)对应的电感、电容或它们的组合，并且发送一个或多个信号到开关电路的对应的一个或多个开关。通过信号打开或关闭一个或多个开关以改变开关电路的电感、电容或它们的组合，从而获得调节配方的对应电感、对应电容或它们的组合。开关电路的电感、电容或它们的组合的变化允许处理器获得蚀刻衬底的蚀刻速率的均匀性或在衬底上沉积材料的沉积速率的均匀性。
结合附图，从以下详细描述会明白其他方面。具体而言，本发明的一些方面可以描述如下：
1.一种匹配盒，包括：
壳体；
位于所述壳体内的匹配电路；
位于所述壳体内的开关电路，所述开关电路包括：
多个开关；和
彼此间隔开的多个参数元件，其中所述参数元件中的每一个连接到所述开关中的对应一个，其中所述开关中的每一个被配置为连接到射频(RF)传输线的返回路径以修改所述返回路径的阻抗。
2.根据条款1所述的匹配盒，其中所述匹配电路包括多个电路元件，以将耦合到所述匹配电路的负载的阻抗与耦合到所述匹配电路的源的阻抗匹配。
3.根据条款1所述的匹配盒，其中所述开关中的一个连接到所述参数元件中的一个，并且所述开关中的另一个连接到所述参数元件中的另一个，其中所述参数元件中的每一个是金属带。
4.根据条款1所述的匹配盒，其中所述返回路径包括围绕所述射频传输线的射频棒的射频通道。
5.根据条款1所述的匹配盒，其中所述返回路径包括所述壳体的一部分和将所述匹配电路耦合到射频发生器的射频电缆的射频护套。
6.根据条款1所述的匹配盒，其中所述参数元件中的每一个是电容器或电感器。
7.根据条款1所述的匹配盒，其中所述匹配电路耦合到所述射频传输线的射频棒。
8.一种系统，包括：
壳体；
位于所述壳体内的匹配电路；
位于所述壳体外部的开关电路，所述开关电路包括：
多个开关；和
彼此间隔开的多个参数元件，其中所述参数元件中的每一个连接到所述开关中的对应一个，其中所述开关中的每一个连接到射频(RF)传输线的返回路径以修改射频返回路径的阻抗。
9.根据条款8所述的系统，其中所述匹配电路包括多个电路元件，以将耦合到所述匹配电路的负载的阻抗与耦合到所述匹配电路的源的阻抗匹配。
10.根据条款8所述的系统，其中所述开关中的一个连接到所述参数元件中的一个，并且所述开关中的另一个连接到所述参数元件中的另一个，其中每个所述参数元件是金属带。
11.根据条款8所述的系统，其中所述返回路径包括围绕所述射频传输线的射频棒的射频通道。
12.根据条款8所述的系统，其中所述返回路径包括所述壳体的一部分和将所述匹配电路耦合到射频发生器的射频电缆的射频护套。
13.根据条款8所述的系统，其中所述参数元件中的每一个是电容器或电感器。
14.根据条款8所述的系统，其中所述匹配电路耦合到所述射频传输线的射频棒。
15.一种系统，包括：
控制器；
耦合到所述控制器的开关电路，所述开关电路包括：
多个开关；和
彼此间隔开的多个参数元件，其中所述参数元件中的每一个连接到所述开关中的每一个，其中所述开关连接到射频(RF)传输线的返回路径，其中所述控制器是被配置为控制所述开关以修改所述返回路径的阻抗。
16.根据条款15所述的系统，其中所述开关电路耦合到匹配电路的壳体，其中所述匹配电路被配置为将连接到所述匹配电路的负载的阻抗与连接到所述匹配电路的源匹配。
17.根据条款15所述的系统，其中所述开关中的一个连接到所述参数元件中的一个，并且所述开关中的另一个连接到所述参数元件中的另一个，其中所述参数元件中的每一个是金属带。
18.根据条款15所述的系统，其中所述返回路径包括围绕所述射频传输线的射频棒的射频通道。
19.根据条款15所述的系统，其中所述返回路径包括匹配电路的壳体的一部分和将所述匹配电路耦合到射频发生器的射频电缆的射频护套，其中所述匹配电路耦合到射频棒的射频传输线。
20.根据条款15所述的系统，其中所述参数元件中的每一个是电容器或电感器。
附图说明
结合附图，参照以下描述可以理解实施方式。
图1是用于说明根据本发明中描述的一个实施方式的归一化电压在60MHz信号的高阶谐波的不均匀性的坐标图的实施方式。
图2是图示根据本发明中描述的一个实施方式的等离子体中驻波波长λ随着射频(RF)信号的频率的变化和间隙的变化而变化的曲线图。
图3是曲线图，示出了根据本发明中描述的一个实施方式的蚀刻速率的不均匀性随着与上电极的输入连接上的滤波器的电容值的增大以及射频信号的谐波的增大而变化。
图4A是根据本发明中描述的一个实施方式的系统的视图，该系统用于控制射频返回路径的阻抗以控制蚀刻速率或沉积速率的不均匀性。
图4B是根据本发明中描述的一个实施方式的系统的视图，该系统用于控制射频返回路径的阻抗以控制蚀刻速率或沉积的不均匀性。
图5A是根据本发明中描述的一个实施方式的开关电路的视图，该开关电路用于控制射频返回路径的阻抗。
图5B是根据本发明中描述的一个实施方式的电容器作为参数元件的视图。
图5C是根据本发明中描述的一个实施方式的电感器作为参数元件的视图。
图5D是根据本发明中描述的一个实施方式的电容器和电感器的组合作为参数元件的视图。
图6是根据本发明中描述的一个实施方式的系统的视图，图示了射频信号的射频返回路径的一部分。
图7是根据本发明中描述的一个实施方式的系统的视图，图示了射频返回信号的射频返回路径的一部分。
图8是根据本发明中描述的一个实施方式的电感器系统的视图，该电感器系统连接在匹配盒壳体与射频通道之间以调节射频返回信号的阻抗。
图9是曲线图，示出了根据本发明中描述的一个实施方式的对于不同数量的电感器带，蚀刻衬底的蚀刻速率与衬底的半径的关系。
图10是曲线图，示出了根据本发明中描述的一个实施方式的对于两种不同数量的电感器带，蚀刻衬底的蚀刻速率与衬底的半径之间的关系。
图11是曲线图，示出了根据本发明中描述的一个实施方式的对于不同数量的电感器带，射频返回信号的相位与射频返回信号的频率的关系曲线图。
图12是根据本发明中描述的一个实施方式的系统的实施方式的视图，用于说明反馈控制来获得蚀刻速率，或沉积速率，或蚀刻速率的均匀性，或沉积速率的均匀性。
具体实施方式
以下实施方式描述了用于控制射频(RF)返回路径的阻抗的系统和方法。这些实施方式可以在没有一些或所有的这些具体细节的情况下实施将是显而易见的。在其他实例中，未详细描述公知的方法操作以便不会不必要地模糊这些实施方式。
图1是用于说明归一化电压在60MHz信号的高阶谐波的不均匀性的坐标图100的实施方式。高阶谐波在等离子体中形成驻波电压，并且驻波电压导致蚀刻衬底的不均匀性或在衬底上沉积材料的不均匀性。
在多种实施方式中，高阶谐波是三阶或更高阶谐波。在一些实施方式中，高阶谐波是二阶或更高阶谐波。
坐标图100图示了在等离子体室的上电极输入处测得的射频信号的归一化电压幅值与射频信号的频率的坐标图。在几个实施方式中，在上电极的输入处测得电压，并且电压被归一化以产生归一化电压。
如坐标图100所示，在射频信号的三阶谐波，对于与上电极的输入联接上的滤波器的三种不同的电容值，在上电极的输入处测得的电压存在不均匀性。例如，B3C1条与滤波器的电容值C1对应，B3C2条与滤波器的电容值C2对应。
在一些实施方式中，上电极的输出是在上电极的底面。顶面与上电极的底面相反并且是上电极的输入。上电极的底面面对等离子体室内的间隙。间隙形成在上电极与例如静电卡盘(ESC)之类的卡盘之间。卡盘位于等离子体室内并且包括面对上电极的下电极。卡盘设置在下电极下方的设施板上。
此外，如坐标图100所示，在射频信号的五阶谐波和十阶谐波处，在上电极测得的电压存在不均匀性。例如，B5C1条与电容值C1对应，B5C2条与电容值C2对应，并且B5C3条与滤波器的电容值C3对应。作为另一个实例，在第十阶谐波处，B10C2条与电容值C2对应，并且B10C3条与电容值C3对应。
另外，坐标图100示出了与电容值C1对应的B1C1条，与电容值C2对应的B1C2条，以及与电容值C3对应的B1C3条。
此外，以下提供的表1示出了等离子体的驻波波长λ随着射频信号的频率的增大而减小。
表1
应该指出的是，在多种实施方式中，表1是针对等离子体室内上下电极之间的间隙与射频信号的电压而生成的。
在一些实施方式中，等离子体中的驻波波长被确定为所施加的射频电压、射频信号的频率和间隙的函数。用以下方程来表示函数：
其中，V0是所施加的射频电压，l是间隙的长度，λ0是真空中测得的驻波波长，并且f是射频信号的频率。间隙的长度l是下电极与上电极之间的距离。所施加的射频电压施加在等离子体室的电极上。
驻波波长λ随着射频信号的谐波频率的增大而减小导致蚀刻速率或沉积速率的不均匀性。蚀刻速率的不均匀性包括在等离子体室中的衬底(例如，晶片)或用来制造集成电路的晶片的蚀刻速率的不均匀性。此外，沉积速率的不均匀性包括在衬底上沉积材料的速率的不均匀性。以下图3示出了蚀刻速率的不均匀性。
图2是曲线图110的实施方式，示出了等离子体中驻波波长λ随着射频信号的频率的变化和/或上下电极之间的间隙的变化而变化。曲线图110示出了驻波波长λ与射频信号的频率的关系。在曲线图110中，射频信号的频率以兆赫兹(MHz)示出，并且驻波波长以米(m)示出。如曲线图110所示，对于每种间隙1cm、3cm和5cm，驻波波长λ随着射频信号的频率的增大而减小。
图3是曲线图121的实施方式，用于图示蚀刻速率沿着衬底半径随距离的变化而出现的蚀刻速率的不均匀性。曲线图121示出了蚀刻速率与衬底的半径的关系曲线，蚀刻速率以埃每分钟(A/min)计，并且衬底有三种不同的电容值C1至C3。衬底的半径以毫米(mm)计。
要注意，在曲线图121中与电容值C1对应的曲线是通过射频信号的第三谐波形成的。曲线图121中与电容值C2和C3对应的曲线是通过射频信号的第二谐波形成的。曲线图121中与电容值C2和C3对应的曲线比曲线图121中与电容值C1对应的曲线具有较高的均匀性。
应该指出的是，曲线图121是为工艺条件而生成的，工艺条件包括间隙大小，或等离子体室内的压力，或供应到等离子体室中的一种或多种工艺气体的组合，或供应工艺气体的时间，或开启的射频发生器的标识，或它们的组合等。当产生的射频通电并供应功率时，就开启了射频发生器。
射频发生器的实例包括x MHz射频发生器、y MHz射频发生器和z MHz射频发生器。x、y、z的实例包括2、27和60。应当指出的是，射频发生器的工作频率不限于且包含在预定的频率工作范围内的其他频率。例如，尽管发生器在本文中指的是2MHz的射频发生器，但是发生器在1MHz与3MHz之间工作。又如，尽管发生器在本文中指的是27MHz的射频发生器，但是发生器在25MHz与29MHz之间工作。再如，尽管发生器在本文中指的是60MHz的射频发生器，但是发生器在57MHz与63MHz之间工作。
图4A是用于控制系统200的射频返回路径的阻抗的系统200的实施方式的示意图。系统200包括射频发生器204，射频电缆系统283，匹配盒202，射频传输线282，等离子体反应器218和控制器253。射频电缆系统283将射频发生器204联接到匹配盒202，射频传输线282将匹配盒202联接到等离子体反应器218。
本文中使用的控制器包括处理器和存储设备。本文中使用的处理器可以是中央处理器、或微处理器、或专用集成电路、或数字信号处理器、或可编程逻辑器件。存储设备的实例包括随机存取处理器(RAM)和只读存储器(ROM)。在一些实施方式中，存储设备是闪存、或硬盘，或存储磁盘冗余阵列(RAID)或它们的组合。
射频发生器204的实例包括x、y、或z MHz射频发生器。在一些实施方式中，任意数量的射频发生器，例如，x MHz射频发生器、y MHz射频发生器和/或z MHz射频发生器等联接到匹配盒202上。
射频电缆系统283包括射频电缆232和射频电缆护套238。射频电缆护套238包围射频电缆232以保护射频电缆232。在一些实施方式中，本文中所指的射频电缆和射频电缆护套是由导体制成的，导体例如，金属等。金属的实例包括铜，或铝，或它们的组合等。在一些实施方式中，射频电缆护套238封闭射频电缆232。射频电缆系统283联接到射频发生器204和匹配盒202上。
类似地，射频传输线282包括射频棒234和射频通道240。射频通道240包围射频棒234。在多种实施方式中，射频通道240是由金属制成的，包围并封闭射频棒234，并且通过绝缘材料与射频棒234隔开。射频传输线282联接到匹配盒202上并且联接到等离子体反应器218上。在一些实施方式中，射频通道240接地，例如，联接到接地电位，或者联接到参考电位，或者联接到零电位等。
在一些实施方式中，参考电压是非零电压。在多种实施方式中，绝缘体包围射频棒234，并且射频通道240封闭绝缘体。绝缘体位于射频棒234与射频通道240之间。
应该指出的是，在一些实施方式中，射频电缆232、射频电缆护套238、射频棒234和射频通道240中的每一个具有任意形状的截面，例如，圆形、多边形、方形等。
匹配盒202包括壳体224。在一些实施方式中，壳体224封闭并包围匹配电路214以保护匹配电路214。此外，壳体224封闭并包围匹配盒202的开关电路216以保护开关电路216。在一些实施方式中，在打开用于形成壳体224的壁的联接机构(例如，螺钉、螺栓等)之后，从壳体224内进入开关电路216。匹配电路214联接到射频电缆232且联接到射频棒234。此外，开关电路216联接到射频通道240并且经由连接件225联接到壳体224，在一些实施方式中，连接件225包括一个或多个射频带，或者一个或多个射频棒，或者一个或多个射频带和一个或多个射频棒的组合。
匹配电路214包括电路元件(例如，电阻器，或电容器，或电感器，或它们的组合等)的组合，以使源的阻抗与负载的阻抗匹配。源供应射频信号到匹配电路214，并且负载消耗由匹配电路214供应的射频信号。匹配电路214从源接收的射频信号通过匹配电路214进行组合以产生经由射频棒234供应到等离子体反应器218的射频信号。
源的实例包括：x、y和z MHz射频发生器中的一个或多个，将射频发生器联接到匹配电路214的一个或多个射频电缆系统，以及联接在射频发生器与匹配电路214之间的任意的其他电路。负载的实例包括联接在等离子体反应器218与匹配电路214之间的射频传输线282以及任意的其他电路，例如，开关电路216等。
射频发生器204产生经由射频电缆232供应(例如，输送等)到匹配电路214的射频信号206。例如，射频发生器204的驱动器及放大器系统产生射频信号206。匹配电路214将射频信号206与从一个或多个其他的射频发生器接收到的一个或多个射频信号结合以产生经由射频棒234供应到等离子体反应器218的射频供应信号264。在多种实施方式中，匹配电路214将射频信号206与从一个或多个其他的射频发生器接收到的一个或多个射频信号结合，以使源的阻抗与负载的阻抗匹配。在一些实施方式中，当源的阻抗与负载的阻抗匹配时，就产生射频信号264和210。
等离子体反应器218的等离子体室具有工艺气体，例如，含氧气体，或氧气，或含氟气体，或四氟甲烷(CF4)，或六氟化硫(SF6)，或六氟乙烷(C2F6)，或它们的组合等。射频供应信号264点燃工艺气体以在等离子体室内产生等离子体。
等离子体产生从等离子体反应器218朝着射频发生器204反射的返回射频信号210。返回射频信号210经由射频通道240输送到开关电路216。
开关电路216控制(例如，调节等)射频返回信号210的阻抗以产生射频返回信号263。例如，开关电路216改变射频返回信号210的电容，或电感，或它们的组合。又如，闭合开关电路216的一个或多个开关S1至S8，并且断开开关S1至S8的剩余部分以调节射频返回信号210的阻抗。
当闭合开关电路216的开关时，参数元件(P)，例如，电感器、电容器或它们的组合等，经由开关联接到射频通道240，并且调节射频返回信号210的阻抗。例如，当闭合开关电路216的开关时，从等离子体反应器218接收的射频返回信号210的阻抗加上或减去联接到开关的参数元件的阻抗。此外，当闭合开关电路216的开关时，参数元件经由连接件225联接到接地的壳体224的一部分上。另一方面，当断开开关电路216的开关时，从射频通道240断开联接到开关的参数元件。
射频返回信号263经由连接件225和壳体224的联接到连接件225上的接地部分以及经由射频电缆护套238被输送到射频发生器204。例如，射频返回信号263经由射频电缆护套238朝着射频发生器204的射频驱动器及放大器系统反射。
在一些实施方式中，射频供应路径219包括第一部分219A，匹配电路214的电路元件，第二部分219B，以及射频棒234与等离子体反应器218的射频棒之间的连接件。在图4A中，射频供应路径219由点线表示，虚线从射频发生器204行进到等离子体反应器218。射频供应路径的第一部分219A包括射频电缆232，并且第二部分219B包括射频棒234。等离子体反应器218的射频棒联接到卡盘的下电极上。匹配电路214的电路元件的实例包括电感器，或电容器，使电感器与另一个电感器或电容器联接上的导体，或它们的组合。
在多种实施方式中，射频返回路径221的至少一部分接地，例如，联接到接地电压，或者联接到参考电压，或者联接到零电压等。射频返回路径221包括第一部分221A和第二部分221B。在图4A中，射频返回路径221沿着点线从等离子体反应器214行进到射频发生器204。射频返回路径的第一部分221A包括射频电缆护套238，并且射频返回路径的第二部分221B包括射频通道240。
在一些实施方式中，射频返回路径221包括等离子体室的C形覆盖物，等离子体反应器218的接地环，等离子体反应器218的射频带，等离子体反应器218的底电极壳体，等离子体反应器218的接地罩，第二部分221B，开关电路216，连接件225，使连接件225和第一部分221A联接上的壳体224的接地部分221C，和第一部分221A。
在多种实施方式中，控制器253联接到开关电路216上。控制器253包括开关选择电路287，例如，处理器等。开关选择电路287选择开关S1至S8中的一个或多个，以使开关电路216的参数元件P1至P8中的一个或多个对应的参数元件与射频通道240联接上，或者不选择开关S1至S8中的一个或多个，从而使参数元件P1至P8中的一个或多个对应的参数元件与开关S1至S8断开，进而获得蚀刻速率和/或均匀性。当开关S1至S8中的一个或多个联接到参数元件P1至P8中的一个或多个对应的参数元件或者从其断开时，控制射频返回信号210的阻抗、电感、电容或它们的组合以获得蚀刻衬底的蚀刻速率和/或蚀刻衬底的蚀刻速率的均匀性。
在这些实施方式中，开关选择电路287应用调节配方289以标识将要闭合(例如，联接等)或断开(例如，分开等)的开关S1至S8中的一个或多个。调节配方289存储在控制器253的存储设备内。调节配方289包括蚀刻速率E1至E4与调节参数T1至T4之间的对应关系。例如，蚀刻速率E1映射到调节参数T1，蚀刻速率E2映射到调节参数T2，蚀刻速率E3映射到调节参数T3，并且蚀刻速率E4映射到调节参数T4。调节配方289包括蚀刻速率的均匀性U1至U4与调节参数T1至T4之间的对应关系。例如，调节参数T1映射到蚀刻速率的均匀性U1，调节参数T2映射到蚀刻速率的均匀性U2，调节参数T3映射到蚀刻速率的均匀性U3，并且调节参数T4映射到蚀刻速率的均匀性U4。
在一些实施方式中，蚀刻速率或蚀刻速率的均匀性，或者沉积速率或沉积速率的均匀性在本文中指的是可测量的因素。
调节参数的实例包括阻抗，或电感(L)，或电容(C)，或电压，或电流，或复电压和复电流，或它们的组合。蚀刻速率的均匀性的实例包括表示蚀刻速率与衬底的半径之间的关系的曲线。例如，图示蚀刻衬底的氧化物蚀刻速率与衬底的半径之间的关系的每条曲线表示蚀刻衬底的均匀性。在一些实施方式中，蚀刻速率的均匀性包括处于蚀刻速率的预定标准偏差内的蚀刻速率。
应该指出的是，在一些实施方式中，开关电路216包括任意数量的开关和相同数量的参数元件。此外，在多种实施方式中，调节配方289包括任意数量的蚀刻速率与相同数量的调节参数之间的对应关系。在几个实施方式中，调节配方289包括任意数量的均匀性与相同数量的调节参数之间的对应关系。
在一些实施方式中，不是蚀刻速率E1至E4，而是使用沉积速率D1至D4，并且沉积速率与调节参数T1至T4具有一一对应的关系。例如，沉积速率D1与调节参数T1对应，沉积速率D2与调节参数T2对应，如此等等。此外，在这些实施方式中，均匀性U1至U4是沉积速率的均匀性，并且每种均匀性与调节参数具有一一对应的关系。例如，沉积速率中的均匀性U1映射到调节参数T1，沉积速率的均匀性U2映射到调节参数T2，如此等等。在一些实施方式中，图示在衬底上沉积氧化物的氧化物沉积速率与晶片半径的曲线关系的每条曲线代表在衬底上沉积的均匀性。在一些实施方式中，沉积速率的均匀性包括处于沉积速率的预定标准偏差内的沉积速率。
图4B是用于控制射频返回路径的阻抗的系统300的实施方式的视图。系统300包括射频发生器204，射频电缆系统283，匹配盒230，射频传输线282，等离子体反应器218，和控制器253。系统300类似于系统200，不同之处在于开关电路216位于匹配盒230的壳体226之外。开关电路216经由连接件304(例如，射频带或射频导体等)并且经由壳体226的壁联接到匹配电路214。射频电缆系统283将匹配盒230连接到射频发生器204。
壳体226包围并封闭匹配电路214以保护匹配电路214。当开关电路216位于壳体226之外时，容易接触到开关电路216。例如，当壳体226包括门以进入壳体226的外壳时，与壳体226内的匹配电路相比，接触到壳体226外的开关电路216是容易的。
在一些实施方式中，壳体226比壳体224小(图4A)。例如，壳体226的体积小于壳体224的体积。
射频返回信号210被发送到开关电路216，该开关电路调节射频返回信号210以产生射频返回信号263。射频返回信号被提供作为从开关电路216经由连接件304到壳体226的接地部分的输出。射频返回信号263经由壳体226的接地部分和射频电缆护套238被输送到射频发生器204。
在几个实施方式中，不是开关S1至S8和参数元件P1至P8，开关电路216而是包括可变电容器，或可变电感器，或与可变电容器串联的可变电感器。可变电容器的电容由开关选择电路287经由马达和马达的驱动器进行控制以获得蚀刻速率E1至E4之一并且/或者获得均匀性U1至U4中的一个或多个。类似地，可变电感器的电感由开关选择电路287和马达的驱动器经由马达进行控制以获得蚀刻速率E1至E4之一和/或均匀性U1至U4中的一个或多个。
在多种实施方式中，射频返回路径212的至少一部分接地，例如，联接到接地电压，或者联接到参考电压，或者联接到零电压等。射频返回路径212包括第一部分221A和第二部分221B。
在一些实施方式中，射频返回路径212包括等离子体室的C形覆盖物，等离子体反应器218的接地环，等离子体反应器218的射频带，等离子体反应器218的底电极壳体，等离子体反应器218的接地罩，第二部分221B，开关电路216，连接件304，使连接件304和第一部分221A连接上的壳体226的接地部分212A，和第一部分221A。射频返回路径212沿着图4B的点线设置。
在多种实施方式中，系统200或系统300中包括任意数量的射频带。
图5A是开关电路216的实施方式的视图。开关电路216包括开关与参数元件之间的串联。例如，开关电路216包括开关S1与参数元件P1之间的串联，开关S2与参数元件P2之间的串联，开关S3与参数元件P3之间的串联，开关S4与参数元件P4之间的串联，开关S5与参数元件P5之间的串联，开关S6与参数元件P6之间的串联，开关S7与参数元件P7之间的串联，以及开关S8与参数元件P8之间的串联。
开关电路216的开关和参数元件的每个组合与开关电路216的另一个开关和另一个参数元件的组合并联。例如，开关S1和参数元件P1的组合与开关S2和参数元件P2的组合并联。又如，开关S2和参数元件P2的组合与开关S3和参数元件P3的组合并联。
开关S1至S8联接到射频通道240，并且参数元件P1至P8联接到连接件310，该连接件310是连接件255(图4A)或连接件304(图4B)的实施例。
在一些实施方式中，每个开关是继电器，例如，固态继电器，或电磁继电器，或真空继电器等。在多种实施方式中，射频返回信号210的功率在开关电路216的闭合的开关之间等分。
图5A中以点线示出了射频返回路径231的一部分，这是射频返回路径221或212(图4A，图4B)的实例。
图5B是电容器250作为参数元件的实施方式的视图。电容器250与开关252串联。电容器250是参数元件P1至P8中的任意一个的实例，并且开关252是开关S1至S8中的任意一个的实例。
图5C是电感器254作为参数元件的实施方式的视图。电感器254与开关252串联。电感器254是参数元件P1至P8中的任意一个的实例。在一些实施方式中，每个电感器254是射频带。
图5D是电容器250和电感器254的组合作为参数元件的实施方式的视图。电感器254与电容器250串联，并且电容器250与开关252串联。
图6是用于说明射频信号的返回路径的一部分的系统的实施方式的视图。系统包括等离子体反应器320和射频传输线324。射频传输线324联接到等离子体反应器320上。
等离子体反应器320是等离子体反应器218的实例(图4A和图4B)。此外，射频传输线324是射频传输线282的实例(图4A和图4B)。射频传输线324包括射频棒261和接地的射频通道262。比如，射频通道262联接到接地电位或参考电位或零电位。接地射频通道262是射频通道240的实例(图4A和图4B)，并且射频棒261是射频棒234的实例(图4A和图4B)。
射频反应器320包括等离子体室326和射频圆柱体360，该射频圆柱体经由射频带368联接到射频棒261。等离子体反应器320进一步包括返回射频带274和277，接地罩280和底电极壳体276。C形覆盖物、接地罩和返回射频带的实例详见于2012年11月21日提交的申请号为13/684,098，美国公开号为2013-0133834的专利申请，该申请的全部内容通过引用的方式并入本文中。
等离子体室326包括上电极260，上电极延伸体328，C形覆盖物270，接地环272和卡盘组件。卡盘组件包括卡盘258和设施板330。衬底291位于用于加工衬底291的卡盘258的顶部上。加工衬底291的实例包括清洁衬底291，或者蚀刻衬底291，或者蚀刻衬底291顶部上的氧化物，或者在衬底291上沉积材料(例如，氧化物，二氧化物，光致抗蚀材料等)，或者它们的组合。
C形覆盖物270包括用于控制等离子体室326内的压力的狭槽。例如，打开狭槽以增大流过狭槽的气体流量，从而减小等离子体室326的间隙370中的气压。关闭狭槽以减小气体流量，从而增大间隙370中的气压。
在多种实施方式中，底电极壳体276具有任意形状，例如，圆柱形，方形，多边形等。
在多种实施方式中，射频圆柱体360不是圆柱体并且具有多边形形状，例如，矩形形状，方形形状等。
上电极延伸体328包围上电极260。C形覆盖物270包括部分270A和270B。接地环272包括接地环部分272A和另一个接地环部分272B。底电极壳体276包括底电极壳体部分276A，另一个底电极壳体部分276B，和还有的另一个底电极壳体部分276C。每个底电极壳体部分276A和276B形成底电极壳体276的侧壁。底电极壳体276C形成导电壳体276的底壁。接地罩280包括接地罩部分280A和另一个接地罩部分280B。
卡盘258的顶面面对上电极260的底面336。等离子体室326被上电极260和上电极延伸体328包围，上电极延伸体包围上电极260。等离子体室326进一步被C形覆盖物270和卡盘258包围。
接地环272位于C形覆盖物270下方。在一些实施方式中，接地环272位于C形覆盖物270下方并与其相邻。返回射频带274连接到接地环部分272A，并且返回射频带277连接到接地环部分272B。返回射频带274连接到底电极壳体部分276A，并且返回射频带277连接到底电极壳体部分276B。底电极壳体部分276A连接到接地罩部分280A，并且底电极壳体部分276B连接到接地罩部分280B。接地罩部分280A经由底电极壳体部分276A连接到接地的射频通道262，接地罩部分280B经由底电极壳体部分276C连接到接地的射频通道262。
在一些实施方式中，底电极壳体部分276是包围射频圆柱体360的筒体。射频圆柱体360是输送射频供应信号264的介质。射频供应信号264经由射频棒261、射频带368和射频圆柱体360供应到卡盘258的下电极以在等离子体室326的间隙370内产生等离子体。间隙370形成在上电极260与卡盘258下电极之间。
射频返回信号210的一部分350从上电极260的底面336传送到上电极延伸体328的底面部分338A，进一步传送到C形覆盖物部分270A，进一步传送到接地环部分272A，进一步传送到返回射频带274，进一步传送到底电极壳体部分276A，进一步传送到接地罩部分280A，传送到接地的射频通道262。
在一些实施方式中，射频返回信号210的部分350从上电极260的底面336，进一步沿着上电极延伸体328的底面部分338A，进一步沿着C形覆盖物部分270A，进一步沿着接地环部分272A，进一步沿着返回射频带274，进一步沿着底电极壳体部分276A，进一步沿着接地罩部分280A，传送到接地的射频通道262。
在一些实施方式中，射频返回信号210的部分350沿着射频返回路径221(图4A)的一部分或射频返回路径212(图4B)的一部分传送。
此外，射频返回信号210的一部分352从底面336传送到上电极延伸体328的底面部分338B，进一步传送到C形覆盖物部分270B，进一步传送到接地环部分272B，进一步传送到返回射频带277，进一步传送到底电极壳体部分276B，进一步传送到接地罩部分280B，进一步传送到底电极壳体部分276C的一部分，进一步传送到底电极壳体部分276B，传送到接地的射频通道262。
在多种实施方式中，射频返回信号210的一部分352从底面336，沿着上电极延伸体328的底面部分338B，进一步沿着C形覆盖物部分270B，进一步沿着接地环部分272B，进一步沿着返回射频带277，进一步沿着底电极壳体部分276B，进一步沿着接地罩部分280B，进一步沿着底电极壳体部分276C，进一步沿着底电极壳体部分276B，传送到接地的射频通道262。
在一些实施方式中，射频返回信号210的部分352沿着射频返回路径221(图4A)的一部分或射频返回路径212(图4B)的一部分传送。
应当指出的是，射频返回信号210的射频返回路径221或212(图4A，图4B)的一部分从上电极260的底面336，进一步沿着上电极延伸体328的底面部分338A，进一步沿着C形覆盖物部分270A，进一步沿着接地环部分272A，进一步沿着返回射频带274，进一步沿着底电极壳体部分276A，进一步沿着接地罩部分280A，传送到接地的射频通道262。
此外，射频返回信号210的射频返回路径221或212(图4A，图4B)的一部分从上电极260的底面336，沿着上电极延伸体328的底面部分338B，进一步沿着C形覆盖物部分270B，进一步沿着接地环部分272B，进一步沿着返回射频带277，进一步沿着底电极壳体部分276B，进一步沿着接地罩部分280B，进一步沿着底电极壳体部分276C，传送到接地的射频通道262。在图6中以虚线示出了射频返回信号210的路径。
在一些实施方式中，上电极260接地。
在多种实施方式中，不是一个射频带368，而是多个射频带用于将射频圆柱体360联接到射频棒261。
图7是系统382的实施方式的视图，图示了射频返回信号210的射频返回路径的一部分。射频棒261延伸穿过底电极壳体部分276A。此外，射频棒261经由射频通道延伸体388连接到匹配盒的壳体384。射频通道延伸体388是射频通道262的一部分，并且附接到，例如，通过螺钉等附接到壳体384的侧壁390。在一些实施方式中，附接到侧壁390上的接地板被去除，以便将射频通道延伸体388附接到侧壁390上。壳体384是壳体224(图4A)或壳体226(图4B)的实例。
射频返回信号210经由射频通道262的一部分、射频通道延伸体388和侧壁390输送到壳体384的底壁392上。此外，射频返回信号210经由射频通道262的一部分、射频通道延伸体388和侧壁390输送到壳体384的顶壁394。图7以虚线示出了射频返回信号210的路径。
图8是电感器系统400的实施方式的视图，该电感器系统联接在匹配盒壳体与射频通道之间以调节射频返回信号的阻抗。电感器系统400包括一个或多个电感器带A至H，例如，由导电金属制成的带，由铜制成的带，由铝制成的带等。
带A至H将射频通道262联接到匹配盒的壳体402。壳体402是壳体384(图7)的实例，并且接地，例如，联接到接地电位，或者联接到参考电位，或者联接到零电位，等。
由于射频通道262与壳体402之间的多个带A至H发生变化，例如，被去除或有所增加，或它们的组合等，作为输出从壳体402到与壳体402联接上的射频电缆护套238(图4A，图4B)返回的射频返回信号，(例如，射频返回信号263(图4A，图4B)等)的阻抗发生变化。
应该指出的是，在一些实施方式中，电感器系统400包括任意数量的带。
图9是曲线图410的实施方式，示出了对于不同数量的电感器带，蚀刻衬底的蚀刻速率与衬底的半径的曲线关系图。随着电感器带的数量从3增加到6，蚀刻速率的不均匀性增大。此外，随着电感器带的数量从10增加到19，蚀刻速率的不均匀性减小。应该指出的是，当电感器带的数量为3时，靠近衬底的中心的蚀刻速率有均匀性，例如，靠近零半径，在距离衬底中心预定的距离内等处，蚀刻速率有均匀性。通过控制电感器带的数量，实现了对蚀刻速率的不均匀性的控制(例如，减少等)。
在一些实施方式中，蚀刻速率的不均匀性靠近衬底的中心测得。
图10是曲线图420的实施方式，示出了对于两种不同数量的电感器带，蚀刻衬底的蚀刻速率与衬底半径的关系。如曲线图420所示，随着电感器带的数量增加，蚀刻速率的不均匀性减小。
图11是曲线图430的实施方式，示出了对于不同数量的电感器带，射频返回信号的相位与射频返回信号的曲线关系图。如曲线图430所示，在射频返回信号的第三个谐波处，与在使用4个电感器带时的射频返回信号的相位进行比较，在使用19个电感器带时的射频返回信号的相位减小。相位的减小有助于控制(例如，获得等)蚀刻衬底的蚀刻速率的均匀性或在衬底上沉积材料的沉积速率的均匀性。
应该指出的是，在一些实施方式中，除使用开关电路之外，还通过控制等离子体室的上电极与下电极之间的间隙来控制蚀刻速率或沉积速率的不均匀性。例如，处理器，例如，开关选择电路287(图4A和图4B)等，经由马达驱动器连接到与上电极和/或下电极连接上的马达。处理器发送信号到马达驱动器，从而使马达的转子转动。转子转动导致上下电极之间的距离发生变化以控制间隙，该间隙包括上下电极之间的距离。间隙的变化用于减小不均匀性。在几个实施方式中，上下电极之间的间隙包括上下电极之间的空间体积。在多种实施方式中，处理器经由马达驱动器控制马达以控制间隙，同时通过发送信号到开关电路216来控制开关电路216(图4A，图4B)，从而减小不均匀性。
在多种实施方式中，通过控制等离子体室内的压力大小并且通过使用开关电路来减小蚀刻速率或沉积速率的不均匀性。例如，处理器，例如，开关选择电路287(图4A，图4B)等，连接到与阀门连接上的马达。阀门经由管材联接到存储一种或多种气体的气源。处理器发送信号到马达驱动器以操作马达的转子，从而打开或关闭阀门。阀门打开和关闭以控制(例如，增大或减小等)一种或多种气体进入等离子体室内在上下电极之间的间隙中的流量。流量的增大使室中的压力增大，并且流量的减小使压力减小。除使用开关电路216(图4A和图4B)之外，压力用于减小不均匀性。在一些实施方式中，处理器在控制开关电路216的同时控制间隙中的压力，以减小不均匀性。
图12是使用反馈回路的系统450的实施方式的视图，该反馈回路用于控制蚀刻速率的均匀性，或沉积速率的均匀性，或者获得蚀刻速率，或者获得沉积速率。系统450包括等离子体反应器452，其为等离子体反应器218(图4A，图4B)的实例。等离子体反应器452包括等离子体室454，等离子体室454为等离子体室326(图6)的实例。等离子体反应器452进一步包括底电极壳体456，底电极壳体456为导电壳体276(图6)的实例。
底电极壳体456联接到射频通道240。传感器458，例如，电压电流探针，电压探针等，联接到射频通道240。传感器458测量射频返回信号210的参数，例如，电压或复电压和电流等。
在一些实施方式中，传感器458沿着射频返回路径212或221(图4A，图4B)连接到任意点上。例如，传感器458连接到射频通道240上的任意点。
在一些实施方式中，传感器458沿着射频传输路径219(图4A，图4B)连接到任意点上。例如，传感器458联接到射频棒234上的任意点。
传感器458提供所测得的参数到开关选择电路287。开关选择电路287确定所测得的参数是否类似于调节配方289(图4A，图4B)内的调节参数，例如，等于该调节参数或在该调节参数的预定范围内等。调节参数与蚀刻速率的均匀性或沉积速率的均匀性或沉积速率或蚀刻速率对应。在确定所测得的参数不类似于调节参数时，开关选择电路287发送信号到开关电路216以打开或关闭开关S1至S8中的一个或多个，从而使参数元件P1至P8中的对应的一个或多个与接地的匹配盒壳体，例如，壳体224或壳体226(图4A，图4B)断开或连接上。发送信号以获得用于确定所测得的参数是否类似于调节参数的调节参数。另一方面，在确定所测得的参数类似于调节参数时，开关选择电路287不发送允许打开或关闭开关S1至S8中的一个或多个的信号到开关电路216。
要指出的是，尽管参照例如电容耦合等离子体室等平行板等离子体室描述了上述操作，但是在一些实施方式中，上述操作适用于其他类型的等离子体室，例如，包括电感耦合等离子体(ICP)反应器、变压器耦合等离子体(TCP)反应器、导体工具、电介质工具的等离子体室，包括电子回旋共振(ECR)反应器的等离子体室等。例如，x MHz射频发生器、y MHz射频发生器和/或z MHz射频发生器联接至ICP等离子体室内的电感器。
还要指出的是，尽管上述操作被描述为由开关选择电路287(图4A和图4B)实施，但是在一些实施方式中，可以由x MHz射频发生器、y MHz射频发生器和z MHz射频发生器中的一个或多个的一个或多个数字信号处理器实施。
应该指出的是，在上述实施方式的一些中，射频供应信号提供给卡盘的下电极，并且上电极接地。在多种实施方式中，射频供应信号提供给上电极，并且卡盘的下电极接地。
在一些实施方式中，本文所述的操作用各种计算机系统配置实施，这些计算机系统配置包括手持式硬件单元，微处理器系统，基于微处理器或可编程的消费电子产品，微型计算机，大型计算机等。实施方式还可以由分布式计算环境来实施，其中任务由通过网络联接的远程处理硬件设备来执行。
在阅读上述实施方式之后，应当理解实施方式可以采用涉及存储在计算机系统中的数据的多种由计算机实施的操作。这些操作是需要对物理量进行物理操作的操作。本文中所述的构成实施方式的一部分的任意上述操作是可用的机械操作。实施方式还涉及硬件设备或用于执行这些操作的设备。在多种实施方式中，设备还可以专门构造成用于专用计算机。当限定为专用计算机时，计算机在能进行专用操作的同时还可以执行并非专用的的一部分的其他处理、程序运行或子程序。在一些实施方式中，这些操作由存储在计算机内存、缓存中或通过网络获得的一个或多个计算机程序选择性地激活或配置的通用计算机来执行。当通过网络获得数据时，由网络上的其他计算机，例如，云计算资源来处理这些数据。
一个或多个实施方式还可以制造成非临时性计算机可读介质上的计算机可读的代码。非临时性计算机可读介质是可以存储数据的任意的存储设备等，这些数据随后可以被计算机系统读取。非临时性计算机可读介质的实例包括硬盘驱动器、网络附加存储(NAS)、ROM、RAM、紧凑型只读存储器(CD-ROM)、可记录光盘驱动器(CD-R)、可擦写光盘驱动器(CD-RW)、磁带和其他的光学和非光学数据存储硬件设备。非临时性计算机可读介质可以包括分布在网络耦合的计算机系统上的计算机可读的有形介质，使得计算机可读的代码以分布方式存储和执行。
尽管按照一些实施方式中的特定顺序描述了一些上述方法操作，但应当理解，在多种实施方式中，在操作之间执行其他的内务操作，或者操作经过调节使得这些操作在稍微不同的时间执行，或者分布在允许加工操作在与加工相关的多个间隔进行的系统中，只要按照期望的方式执行叠加操作的加工即可。
在一些实施方式中，在不脱离由本发明描述的多个实施方式中描述的范围内，任何实施方式的一个或多个特征与任何其他实施方式的一个或多个特征结合。
尽管为了理解清楚的目的描述了上述实施方式的一些细节，但是应当认识到，在所附权利要求书的范围内可以进行某些变化和修改。因此，本发明的实施方式应当看成是说明性的而不是限制性的，并且实施方式不限于本文给出的细节，但是可以在所附权利要求书的范围和等同方案内进行修改。

Claims (20)

1.一种匹配盒，包括：
壳体；
位于所述壳体内的匹配电路；
位于所述壳体内的开关电路，所述开关电路包括：
多个开关；和
彼此间隔开的多个参数元件，其中所述多个参数元件中的每一个连接到所述多个开关中的对应一个，其中所述多个开关中的每一个被配置为连接到射频(RF)传输线的接地射频通道以修改具有该接地射频通道的返回路径的阻抗。
2.根据权利要求1所述的匹配盒，其中所述匹配电路包括多个电路元件，以将耦合到所述匹配电路的负载的阻抗与耦合到所述匹配电路的源的阻抗匹配。
3.根据权利要求1所述的匹配盒，其中所述开关中的一个连接到所述多个参数元件中的一个，并且所述多个开关中的另一个连接到所述多个参数元件中的另一个，其中所述多个参数元件中的每一个是金属带。
4.根据权利要求1所述的匹配盒，其中所述接地射频通道围绕所述射频传输线的射频棒。
5.根据权利要求1所述的匹配盒，其中所述返回路径包括所述壳体的一部分和将所述匹配电路耦合到射频发生器的射频电缆的射频护套。
6.根据权利要求1所述的匹配盒，其中所述多个参数元件中的每一个是电容器或电感器。
7.根据权利要求1所述的匹配盒，其中所述匹配电路耦合到所述射频传输线的射频棒。
8.一种用于控制射频返回路径的阻抗的系统，包括：
壳体；
位于所述壳体内的匹配电路；
位于所述壳体外部的开关电路，所述开关电路包括：
多个开关；和
彼此间隔开的多个参数元件，其中所述多个参数元件中的每一个连接到所述多个开关中的对应一个，其中所述多个开关中的每一个连接到射频(RF)传输线的接地射频通道以修改具有该接地射频通道的返回路径的阻抗。
9.根据权利要求8所述的用于控制射频返回路径的阻抗的系统，其中所述匹配电路包括多个电路元件，以将耦合到所述匹配电路的负载的阻抗与耦合到所述匹配电路的源的阻抗匹配。
10.根据权利要求8所述的用于控制射频返回路径的阻抗的系统，其中所述多个开关中的一个连接到所述多个参数元件中的一个，并且所述多个开关中的另一个连接到所述多个参数元件中的另一个，其中每个所述多个参数元件是金属带。
11.根据权利要求8所述的用于控制射频返回路径的阻抗的系统，其中所述接地射频通道围绕所述射频传输线的射频棒。
12.根据权利要求8所述的用于控制射频返回路径的阻抗的系统，其中所述返回路径包括所述壳体的一部分和将所述匹配电路耦合到射频发生器的射频电缆的射频护套。
13.根据权利要求8所述的用于控制射频返回路径的阻抗的系统，其中所述多个参数元件中的每一个是电容器或电感器。
14.根据权利要求8所述的用于控制射频返回路径的阻抗的系统，其中所述匹配电路耦合到所述射频传输线的射频棒。
15.一种用于控制射频返回路径的阻抗的系统，包括：
控制器；
耦合到所述控制器的开关电路，所述开关电路包括：
多个开关；和
彼此间隔开的多个参数元件，其中所述多个参数元件中的每一个连接到所述多个开关中的每一个，其中所述多个开关连接到射频(RF)传输线的接地射频通道，其中所述控制器是被配置为控制所述多个开关以修改具有该接地射频通道的返回路径的阻抗。
16.根据权利要求15所述的用于控制射频返回路径的阻抗的系统，其中所述开关电路耦合到匹配电路的壳体，其中所述匹配电路被配置为将连接到所述匹配电路的负载的阻抗与连接到所述匹配电路的源匹配。
17.根据权利要求15所述的用于控制射频返回路径的阻抗的系统，其中所述多个开关中的一个连接到所述多个参数元件中的一个，并且所述多个开关中的另一个连接到所述多个参数元件中的另一个，其中所述多个参数元件中的每一个是金属带。
18.根据权利要求15所述的用于控制射频返回路径的阻抗的系统，其中所述接地射频通道围绕所述射频传输线的射频棒。
19.根据权利要求15所述的用于控制射频返回路径的阻抗的系统，其中所述返回路径包括匹配电路的壳体的一部分和将所述匹配电路耦合到射频发生器的射频电缆的射频护套，其中所述匹配电路耦合到射频棒的射频传输线。
20.根据权利要求15所述的用于控制射频返回路径的阻抗的系统，其中所述多个参数元件中的每一个是电容器或电感器。
CN201710083055.7A 2013-10-01 2014-09-24 射频返回路径的阻抗的控制 Active CN106941069B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/043,525 US9337000B2 (en) 2013-10-01 2013-10-01 Control of impedance of RF return path
US14/043,525 2013-10-01
CN201410494730.1A CN104517794B (zh) 2013-10-01 2014-09-24 射频返回路径的阻抗的控制

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410494730.1A Division CN104517794B (zh) 2013-10-01 2014-09-24 射频返回路径的阻抗的控制

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106941069A CN106941069A (zh) 2017-07-11
CN106941069B true CN106941069B (zh) 2019-06-25

Family

ID=52739422

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410494730.1A Active CN104517794B (zh) 2013-10-01 2014-09-24 射频返回路径的阻抗的控制
CN201710083055.7A Active CN106941069B (zh) 2013-10-01 2014-09-24 射频返回路径的阻抗的控制

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410494730.1A Active CN104517794B (zh) 2013-10-01 2014-09-24 射频返回路径的阻抗的控制

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9337000B2 (zh)
KR (3) KR102377961B1 (zh)
CN (2) CN104517794B (zh)
SG (2) SG10201406212QA (zh)
TW (1) TWI650938B (zh)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011080035A1 (de) * 2011-07-28 2013-01-31 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zum Schutz von an einen Hochfrequenzgenerator angeschlossenen passiven Komponenten
US9401264B2 (en) 2013-10-01 2016-07-26 Lam Research Corporation Control of impedance of RF delivery path
US9337000B2 (en) * 2013-10-01 2016-05-10 Lam Research Corporation Control of impedance of RF return path
US9745660B2 (en) * 2014-05-02 2017-08-29 Reno Technologies, Inc. Method for controlling a plasma chamber
US10431428B2 (en) 2014-01-10 2019-10-01 Reno Technologies, Inc. System for providing variable capacitance
US10049862B2 (en) * 2015-04-17 2018-08-14 Lam Research Corporation Chamber with vertical support stem for symmetric conductance and RF delivery
US10153136B2 (en) * 2015-08-04 2018-12-11 Lam Research Corporation Hollow RF feed with coaxial DC power feed
US9761414B2 (en) * 2015-10-08 2017-09-12 Lam Research Corporation Uniformity control circuit for use within an impedance matching circuit
US10431425B2 (en) * 2016-02-23 2019-10-01 Tokyo Electron Limited Poly-phased inductively coupled plasma source
US10699881B2 (en) * 2016-03-23 2020-06-30 Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. Impedance matching system, impedance matching method, and semiconductor processing apparatus thereof
EP3280224A1 (en) 2016-08-05 2018-02-07 NXP USA, Inc. Apparatus and methods for detecting defrosting operation completion
EP3280225B1 (en) * 2016-08-05 2020-10-07 NXP USA, Inc. Defrosting apparatus with lumped inductive matching network and methods of operation thereof
US10109460B2 (en) * 2016-11-30 2018-10-23 Lam Research Corporation Universal non-invasive chamber impedance measurement system and associated methods
US10734195B2 (en) * 2017-06-08 2020-08-04 Lam Research Corporation Systems and methods for transformer coupled plasma pulsing with transformer coupled capacitive tuning switching
EP3432360A1 (en) * 2017-07-17 2019-01-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Distributed rc termination
US10917948B2 (en) 2017-11-07 2021-02-09 Nxp Usa, Inc. Apparatus and methods for defrosting operations in an RF heating system
US10771036B2 (en) 2017-11-17 2020-09-08 Nxp Usa, Inc. RF heating system with phase detection for impedance network tuning
US10785834B2 (en) 2017-12-15 2020-09-22 Nxp Usa, Inc. Radio frequency heating and defrosting apparatus with in-cavity shunt capacitor
EP3503679B1 (en) 2017-12-20 2022-07-20 NXP USA, Inc. Defrosting apparatus and methods of operation thereof
EP3547801B1 (en) 2018-03-29 2022-06-08 NXP USA, Inc. Defrosting apparatus and methods of operation thereof
US10916409B2 (en) 2018-06-18 2021-02-09 Lam Research Corporation Active control of radial etch uniformity
US10622972B2 (en) * 2018-09-10 2020-04-14 Advanced Energy Industries, Inc. Variable capacitor bank
US10952289B2 (en) 2018-09-10 2021-03-16 Nxp Usa, Inc. Defrosting apparatus with mass estimation and methods of operation thereof
US11800608B2 (en) 2018-09-14 2023-10-24 Nxp Usa, Inc. Defrosting apparatus with arc detection and methods of operation thereof
WO2020068107A1 (en) * 2018-09-28 2020-04-02 Lam Research Corporation Systems and methods for optimizing power delivery to an electrode of a plasma chamber
US11166352B2 (en) 2018-12-19 2021-11-02 Nxp Usa, Inc. Method for performing a defrosting operation using a defrosting apparatus
US11039511B2 (en) 2018-12-21 2021-06-15 Nxp Usa, Inc. Defrosting apparatus with two-factor mass estimation and methods of operation thereof
US11804362B2 (en) * 2018-12-21 2023-10-31 Advanced Energy Industries, Inc. Frequency tuning for modulated plasma systems
US10720305B2 (en) * 2018-12-21 2020-07-21 Advanced Energy Industries, Inc. Plasma delivery system for modulated plasma systems
US11515123B2 (en) 2018-12-21 2022-11-29 Advanced Energy Industries, Inc. Apparatus and system for modulated plasma systems
JP7101628B2 (ja) * 2019-02-04 2022-07-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置および電極構造体
KR20200126177A (ko) * 2019-04-29 2020-11-06 삼성전자주식회사 Rf 파워 모니터링 장치, 및 그 장치를 포함하는 pe 시스템
US11158488B2 (en) 2019-06-26 2021-10-26 Mks Instruments, Inc. High speed synchronization of plasma source/bias power delivery
US11527385B2 (en) * 2021-04-29 2022-12-13 COMET Technologies USA, Inc. Systems and methods for calibrating capacitors of matching networks
JP2022102688A (ja) 2020-12-25 2022-07-07 株式会社ダイヘン 高周波電源システム
CN114695045A (zh) * 2020-12-29 2022-07-01 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体刻蚀设备
CN114242554B (zh) * 2021-12-20 2024-01-05 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及射频回路中阻抗的补偿方法
JP2023097863A (ja) 2021-12-28 2023-07-10 株式会社ダイヘン 高周波電源システム

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1358324A (zh) * 1999-06-29 2002-07-10 拉姆研究公司 等离子体处理系统和设备,及用于输送射频功率至等离子体处理室的方法
CN102568993A (zh) * 2010-12-30 2012-07-11 细美事有限公司 可调电容器、等离子体阻抗匹配装置、方法和基板处理设备

Family Cites Families (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5195045A (en) 1991-02-27 1993-03-16 Astec America, Inc. Automatic impedance matching apparatus and method
US6313584B1 (en) 1998-09-17 2001-11-06 Tokyo Electron Limited Electrical impedance matching system and method
US6178919B1 (en) * 1998-12-28 2001-01-30 Lam Research Corporation Perforated plasma confinement ring in plasma reactors
DE19933842A1 (de) * 1999-07-20 2001-02-01 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung und Verfahren zum Ätzen eines Substrates mittels eines induktiv gekoppelten Plasmas
US6335288B1 (en) 2000-08-24 2002-01-01 Applied Materials, Inc. Gas chemistry cycling to achieve high aspect ratio gapfill with HDP-CVD
US6887339B1 (en) * 2000-09-20 2005-05-03 Applied Science And Technology, Inc. RF power supply with integrated matching network
JP3670206B2 (ja) 2000-11-06 2005-07-13 アルプス電気株式会社 プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能評価方法、保守方法、性能管理システム、及び性能確認システム、並びにプラズマ処理装置
US6583572B2 (en) 2001-03-30 2003-06-24 Lam Research Corporation Inductive plasma processor including current sensor for plasma excitation coil
JP2002316040A (ja) * 2001-04-24 2002-10-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及び装置
US6727655B2 (en) 2001-10-26 2004-04-27 Mcchesney Jon Method and apparatus to monitor electrical states at a workpiece in a semiconductor processing chamber
TWI279169B (en) 2002-01-24 2007-04-11 Alps Electric Co Ltd Plasma processing apparatus capable of performing uniform plasma treatment by preventing drift in plasma discharge current
US6703080B2 (en) 2002-05-20 2004-03-09 Eni Technology, Inc. Method and apparatus for VHF plasma processing with load mismatch reliability and stability
US20040118344A1 (en) 2002-12-20 2004-06-24 Lam Research Corporation System and method for controlling plasma with an adjustable coupling to ground circuit
US7083702B2 (en) 2003-06-12 2006-08-01 Applied Materials, Inc. RF current return path for a large area substrate plasma reactor
US20050022736A1 (en) 2003-07-29 2005-02-03 Lam Research Inc., A Delaware Corporation Method for balancing return currents in plasma processing apparatus
US7435926B2 (en) * 2004-03-31 2008-10-14 Lam Research Corporation Methods and array for creating a mathematical model of a plasma processing system
US7169256B2 (en) 2004-05-28 2007-01-30 Lam Research Corporation Plasma processor with electrode responsive to multiple RF frequencies
US7666464B2 (en) * 2004-10-23 2010-02-23 Applied Materials, Inc. RF measurement feedback control and diagnostics for a plasma immersion ion implantation reactor
TWI298909B (en) * 2005-04-12 2008-07-11 Nat Univ Tsing Hua An inductively-coupled plasma etch apparatus and a feedback control method thereof
US7342361B2 (en) 2005-05-11 2008-03-11 Dublin City University Plasma source
CN1942045A (zh) * 2005-09-30 2007-04-04 联华电子股份有限公司 等离子体制程稳定系统
US20070091540A1 (en) 2005-10-20 2007-04-26 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece in a plasma reactor using multiple zone feed forward thermal control
US8262847B2 (en) 2006-12-29 2012-09-11 Lam Research Corporation Plasma-enhanced substrate processing method and apparatus
US20080178803A1 (en) * 2007-01-30 2008-07-31 Collins Kenneth S Plasma reactor with ion distribution uniformity controller employing plural vhf sources
US8894804B2 (en) 2007-12-13 2014-11-25 Lam Research Corporation Plasma unconfinement sensor and methods thereof
KR101625516B1 (ko) 2008-02-08 2016-05-30 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 장치 및 플라즈마 프로세싱 장치에서 반도체 기판을 처리하는 방법
KR20110046437A (ko) * 2008-07-07 2011-05-04 램 리써치 코포레이션 플라즈마 처리 챔버 내의 막을 특성화하기 위한 ｒｆ 바이어스된 용량-결합형 정전 프로브 장치
US8313664B2 (en) * 2008-11-21 2012-11-20 Applied Materials, Inc. Efficient and accurate method for real-time prediction of the self-bias voltage of a wafer and feedback control of ESC voltage in plasma processing chamber
CN102239542A (zh) * 2008-12-03 2011-11-09 应用材料股份有限公司 用于均匀性控制的射频返回带的调控方法与设备
US9287086B2 (en) 2010-04-26 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for controlling ion energy distribution
US9767988B2 (en) 2010-08-29 2017-09-19 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
WO2011026129A2 (en) * 2009-08-31 2011-03-03 Lam Research Corporation Radio frequency (rf) ground return arrangements
US9039864B2 (en) * 2009-09-29 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Off-center ground return for RF-powered showerhead
JP5643062B2 (ja) * 2009-11-24 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8330432B2 (en) 2009-12-22 2012-12-11 Advanced Energy Industries, Inc Efficient active source impedance modification of a power amplifier
US20130059448A1 (en) 2011-09-07 2013-03-07 Lam Research Corporation Pulsed Plasma Chamber in Dual Chamber Configuration
US9117767B2 (en) 2011-07-21 2015-08-25 Lam Research Corporation Negative ion control for dielectric etch
US9362089B2 (en) 2010-08-29 2016-06-07 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
US9123762B2 (en) * 2010-10-22 2015-09-01 Applied Materials, Inc. Substrate support with symmetrical feed structure
KR20120077509A (ko) * 2010-12-30 2012-07-10 세메스 주식회사 가변 커패시터, 플라즈마 임피던스 매칭 장치 및 그 방법
US9059678B2 (en) 2011-04-28 2015-06-16 Lam Research Corporation TCCT match circuit for plasma etch chambers
DE102011080035A1 (de) * 2011-07-28 2013-01-31 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zum Schutz von an einen Hochfrequenzgenerator angeschlossenen passiven Komponenten
US8652298B2 (en) 2011-11-21 2014-02-18 Lam Research Corporation Triode reactor design with multiple radiofrequency powers
US8872525B2 (en) * 2011-11-21 2014-10-28 Lam Research Corporation System, method and apparatus for detecting DC bias in a plasma processing chamber
US9508530B2 (en) * 2011-11-21 2016-11-29 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with flexible symmetric RF return strap
US8898889B2 (en) * 2011-11-22 2014-12-02 Lam Research Corporation Chuck assembly for plasma processing
US10586686B2 (en) * 2011-11-22 2020-03-10 Law Research Corporation Peripheral RF feed and symmetric RF return for symmetric RF delivery
KR102192742B1 (ko) * 2011-11-23 2020-12-18 램 리써치 코포레이션 대칭적 ｒｆ 전달을 위한 주변부에서의 ｒｆ 공급 및 대칭적 ｒｆ 복귀
US9502216B2 (en) 2013-01-31 2016-11-22 Lam Research Corporation Using modeling to determine wafer bias associated with a plasma system
US9320126B2 (en) * 2012-12-17 2016-04-19 Lam Research Corporation Determining a value of a variable on an RF transmission model
US8932429B2 (en) 2012-02-23 2015-01-13 Lam Research Corporation Electronic knob for tuning radial etch non-uniformity at VHF frequencies
US9111722B2 (en) 2012-04-24 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Three-coil inductively coupled plasma source with individually controlled coil currents from a single RF power generator
US9245720B2 (en) 2012-06-12 2016-01-26 Lam Research Corporation Methods and apparatus for detecting azimuthal non-uniformity in a plasma processing system
US9210790B2 (en) * 2012-08-28 2015-12-08 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for calibrating a switched mode ion energy distribution system
US9408288B2 (en) * 2012-09-14 2016-08-02 Lam Research Corporation Edge ramping
US9401264B2 (en) * 2013-10-01 2016-07-26 Lam Research Corporation Control of impedance of RF delivery path
US9620334B2 (en) * 2012-12-17 2017-04-11 Lam Research Corporation Control of etch rate using modeling, feedback and impedance match
US9337000B2 (en) * 2013-10-01 2016-05-10 Lam Research Corporation Control of impedance of RF return path
KR102168064B1 (ko) * 2013-02-20 2020-10-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US9119283B2 (en) 2013-03-14 2015-08-25 Lam Research Corporation Chamber matching for power control mode
US9406485B1 (en) 2013-12-18 2016-08-02 Surfx Technologies Llc Argon and helium plasma apparatus and methods
US9306533B1 (en) 2015-02-20 2016-04-05 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US9595424B2 (en) * 2015-03-02 2017-03-14 Lam Research Corporation Impedance matching circuit for operation with a kilohertz RF generator and a megahertz RF generator to control plasma processes
US10109460B2 (en) 2016-11-30 2018-10-23 Lam Research Corporation Universal non-invasive chamber impedance measurement system and associated methods

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1358324A (zh) * 1999-06-29 2002-07-10 拉姆研究公司 等离子体处理系统和设备,及用于输送射频功率至等离子体处理室的方法
CN102568993A (zh) * 2010-12-30 2012-07-11 细美事有限公司 可调电容器、等离子体阻抗匹配装置、方法和基板处理设备

Also Published As

Publication number Publication date
US10249476B2 (en) 2019-04-02
CN104517794B (zh) 2017-05-24
KR20230038448A (ko) 2023-03-20
CN104517794A (zh) 2015-04-15
SG10201406212QA (en) 2015-05-28
CN106941069A (zh) 2017-07-11
KR102509476B1 (ko) 2023-03-10
TW201531024A (zh) 2015-08-01
KR20150039119A (ko) 2015-04-09
SG10201807580PA (en) 2018-10-30
US20160233058A1 (en) 2016-08-11
KR102377961B1 (ko) 2022-03-22
KR20220041062A (ko) 2022-03-31
US9337000B2 (en) 2016-05-10
TWI650938B (zh) 2019-02-11
KR102624267B1 (ko) 2024-01-11
US20150091440A1 (en) 2015-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106941069B (zh) 射频返回路径的阻抗的控制
CN104517795B (zh) 射频输送路径的阻抗的控制
KR102265231B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
TWI606481B (zh) 處理晶圓之方法和設備
KR100582096B1 (ko) 플라스마 프로세싱 시스템에서 이온 에너지 및 플라스마 밀도를 제어하는 장치 및 방법
US10381201B2 (en) Control of etch rate using modeling, feedback and impedance match
CN103367206B (zh) 用于等离子体均匀性调谐的多射频阻抗控制
CN107887247A (zh) 在一个状态中频率和匹配调谐以及在另一状态中频率调谐
CN103926850B (zh) 调谐与等离子体阻抗有关联的参数
US20190318919A1 (en) Control of etch rate using modeling, feedback and impedance match
CN107154787A (zh) 用于以逐步方式调谐阻抗匹配网络的系统和方法
Qu et al. Power matching to pulsed inductively coupled plasmas
KR101986744B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 방법
Piskin et al. E–H transitions in Ar/O2 and Ar/Cl2 inductively coupled plasmas: Antenna geometry and operating conditions
TWI716796B (zh) 電漿處理裝置、電漿處理方法、程式及記憶媒體
Long Power efficiency oriented optimal design of high density CCP and ICP sources for semiconductor RF plasma processing equipment
KR102175079B1 (ko) 가변 인덕터, 이를 포함하는 임피던스 매칭 장치 및 기판 처리 장치
JP2022078495A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR20130115826A (ko) 가변 인덕터, 이를 포함하는 임피던스 매칭 장치 및 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant