TWI716796B - 電漿處理裝置、電漿處理方法、程式及記憶媒體 - Google Patents

電漿處理裝置、電漿處理方法、程式及記憶媒體 Download PDF

Info

Publication number
TWI716796B
TWI716796B TW107146926A TW107146926A TWI716796B TW I716796 B TWI716796 B TW I716796B TW 107146926 A TW107146926 A TW 107146926A TW 107146926 A TW107146926 A TW 107146926A TW I716796 B TWI716796 B TW I716796B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
terminal
plasma processing
voltage
aforementioned
Prior art date
Application number
TW107146926A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202001978A (zh
Inventor
田名部正治
関谷一成
井上忠
笹本浩
佐藤辰憲
土屋信昭
竹田敦
Original Assignee
日商佳能安內華股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from PCT/JP2017/023603 external-priority patent/WO2019003309A1/ja
Priority claimed from PCT/JP2017/023611 external-priority patent/WO2019003312A1/ja
Priority claimed from PCT/JP2018/024149 external-priority patent/WO2019004187A1/ja
Priority claimed from PCT/JP2018/024146 external-priority patent/WO2019004184A1/ja
Priority claimed from PCT/JP2018/024148 external-priority patent/WO2019004186A1/ja
Application filed by 日商佳能安內華股份有限公司 filed Critical 日商佳能安內華股份有限公司
Publication of TW202001978A publication Critical patent/TW202001978A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI716796B publication Critical patent/TWI716796B/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

電漿處理裝置具備： 阻抗匹配電路； 巴倫，其係具有：被連接至前述阻抗匹配電路的第1不平衡端子、被接地的第2不平衡端子、第1平衡端子及第2平衡端子； 真空容器，其係被接地； 第1電極，其係被電性連接至前述第1平衡端子； 第2電極，其係被電性連接至前述第2平衡端子； 調整電抗器，其係影響被施加於前述第1電極的第1電壓與被施加於前述第2電極的第2電壓的關係； 高頻電源，其係產生經由前述阻抗匹配電路來供給至前述第1不平衡端子與前述第2不平衡端子之間的高頻；及 控制部，其係控制前述阻抗匹配電路的阻抗及前述調整電抗器的電抗。

Description

電漿處理裝置、電漿處理方法、程式及記憶媒體
本發明是有關電漿處理裝置、電漿處理方法、程式及記憶媒體。
在專利文獻1是記載具備：高頻變壓器(Tr7)、匹配器(MB7)、真空容器(10)、第1靶(T5)、第2靶(T6)、高頻電壓產生器(OSC5)、電壓放大器(PA5)、基板夾具(21)及馬達(22)的濺射裝置。在被記載於日本特開平2-156080號公報的濺射裝置中，2個的靶(T5、T6)的電壓是依據電漿的產生條件等而定者，為不能調整的參數。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平2-156080號公報
本發明是根據認知上述的課題而研發者，提供一種為了調整用以產生電漿的2個電極的電壓而有利的技術。
本發明的第1形態，係有關電漿處理裝置，前述電漿處理裝置，係具備： 阻抗匹配電路； 巴倫，其係具有：被連接至前述阻抗匹配電路的第1不平衡端子、被接地的第2不平衡端子、第1平衡端子及第2平衡端子； 真空容器，其係被接地； 第1電極，其係被電性連接至前述第1平衡端子； 第2電極，其係被電性連接至前述第2平衡端子； 調整電抗器，其係影響被施加於前述第1電極的第1電壓與被施加於前述第2電極的第2電壓的關係； 高頻電源，其係產生經由前述阻抗匹配電路來供給至前述第1不平衡端子與前述第2不平衡端子之間的高頻；及 控制部，其係控制前述阻抗匹配電路的阻抗及前述調整電抗器的電抗。
本發明的第2形態，係有關在電漿處理裝置中處理基板的電漿處理方法，前述電漿處理裝置，係具備： 阻抗匹配電路； 巴倫，其係具有：被連接至前述阻抗匹配電路的第1不平衡端子、被接地的第2不平衡端子、第1平衡端子及第2平衡端子； 真空容器，其係被接地； 第1電極，其係被電性連接至前述第1平衡端子； 第2電極，其係被電性連接至前述第2平衡端子； 調整電抗器，其係影響被施加於前述第1電極的第1電壓與被施加於前述第2電極的第2電壓的關係；及 高頻電源，其係產生經由前述阻抗匹配電路來供給至前述第1不平衡端子與前述第2不平衡端子之間的高頻； 前述電漿處理方法，係包含： 匹配工程，其係以能匹配於從前述第1平衡端子及前述第2平衡端子的側來看前述第1電極及前述第2電極的側時的阻抗之方式控制前述阻抗匹配電路的阻抗； 調整工程，其係以能調整前述關係的方式調整前述調整電抗器；及 處理工程，其係於前述調整工程之後，處理前述基板。
本發明的第3形態，係有關電漿處理裝置，前述電漿處理裝置，係具備： 阻抗匹配電路； 巴倫，其係具有：被連接至前述阻抗匹配電路的第1不平衡端子、被接地的第2不平衡端子、第1平衡端子及第2平衡端子； 真空容器，其係被接地； 第1電極，其係被電性連接至前述第1平衡端子； 第2電極，其係被電性連接至前述第2平衡端子； 調整電抗器，其係影響被施加於前述第1電極的第1電壓與被施加於前述第2電極的第2電壓的關係； 高頻電源，其係產生經由前述阻抗匹配電路來供給至前述第1不平衡端子與前述第2不平衡端子之間的高頻；及 測定部，其係測定前述第1電極的電壓及前述第2電極的電壓， 按照在前述測定部所測定的前述第1電極的電壓與前述第2電極的電壓來調整前述調整電抗器的電抗。
以下，一邊參照附圖，一邊經由其舉例表示的實施形態來說明本發明。
在圖1中模式性地表示本發明的第1實施形態的電漿處理裝置1的構成。第1實施形態的電漿處理裝置是可作為藉由濺射來將膜形成於基板112的濺射裝置動作。電漿處理裝置1是具備：巴倫(平衡不平衡變換電路)103、真空容器110、第1電極106及第2電極111。或，亦可理解為電漿處理裝置1是具備巴倫103及本體10，本體10具備真空容器110、第1電極106及第2電極111。本體10是具有第1端子251及第2端子252。第1電極106是亦可配置成為與真空容器110一起分離真空空間與外部空間(亦即構成真空隔壁的一部分)，或亦可配置於真空容器110之中。第2電極111是亦可配置成為與真空容器110一起分離真空空間與外部空間(亦即構成真空隔壁的一部分)，或亦可配置於真空容器110之中。
巴倫103是具有第1不平衡端子201、第2不平衡端子202、第1平衡端子211及第2平衡端子212。在巴倫103的第1不平衡端子201及第2不平衡端子202的側是連接有不平衡電路，在巴倫103的第1平衡端子211及第2平衡端子212的側是連接有平衡電路。真空容器110是導體所構成，被接地。
在第1實施形態中，第1電極106是陰極，保持標靶109。標靶109是例如可為絕緣體材料或導電體材料。並且，在第1實施形態中，第2電極111是陽極，保持基板112。第1實施形態的電漿處理裝置1是可作為藉由標靶109的濺射來將膜形成於基板112的濺射裝置動作。第1電極106是被電性連接至第1平衡端子211，第2電極111是被電性連接至第2平衡端子212。第1電極106與第1平衡端子211被電性連接是意思以電流能流動於第1電極106與第1平衡端子211之間的方式，在第1電極106與第1平衡端子211之間構成有電流路徑。同樣，在此說明書中，a與b被電性連接是意思以電流能流動於a與b之間的方式，在a與b之間構成有電流路徑。
上述的構成亦可理解為第1電極106被電性連接至第1端子251，第2電極111被電性連接至第2端子252，第1端子251被電性連接至第1平衡端子211，第2端子252被電性連接至第2平衡端子212的構成。
在第1實施形態中，第1電極106與第1平衡端子211(第1端子251)會經由阻塞電容器104來電性連接。阻塞電容器104是在第1平衡端子211與第1電極106之間(或第1平衡端子211與第2平衡端子212之間)遮斷直流電流。亦可取代阻塞電容器104，以後述的阻抗匹配電路102會遮斷流動於第1不平衡端子201與第2不平衡端子202之間的直流電流之方式構成。第1電極106是可隔著絕緣體107來藉由真空容器110所支撐。第2電極111可隔著絕緣體108來藉由真空容器110所支撐。或，可在第2電極111與真空容器110之間配置有絕緣體108。
電漿處理裝置1是可更具備：高頻電源101、及被配置於高頻電源101與巴倫103之間的阻抗匹配電路102。高頻電源101是經由阻抗匹配電路102來供給高頻(高頻電流、高頻電壓、高頻電力)至巴倫103的第1不平衡端子201與第2不平衡端子202之間。換言之，高頻電源101是經由阻抗匹配電路102、巴倫103及阻塞電容器104來供給高頻(高頻電流、高頻電壓、高頻電力)至第1電極106與第2電極111之間。或，亦可理解為高頻電源101是經由阻抗匹配電路102及巴倫103來供給高頻至本體10的第1端子251與第2端子252之間。
在真空容器110的內部空間是經由被設在真空容器110之未圖示的氣體供給部來供給氣體(例如Ar、Kr或Xe氣體)。並且，在第1電極106與第2電極111之間是經由阻抗匹配電路102、巴倫103及阻塞電容器104來藉由高頻電源101供給高頻。藉此，在第1電極106與第2電極111之間產生電漿，在標靶109的表面產生自偏置電壓，電漿中的離子會衝突於標靶109的表面，從標靶109放出構成那個的材料的粒子。然後，藉由此粒子來形成膜於基板112上。
在圖2A是表示巴倫103的一構成例。被表示於圖2A的巴倫103是具有連接第1不平衡端子201與第1平衡端子211的第1線圈221、及連接第2不平衡端子202與第2平衡端子212的第2線圈222。第1線圈221及第2線圈222是同一捲數的線圈，共有鐵芯。
在圖2B是表示巴倫103的其他的構成例。被表示於圖2B的巴倫103是具有：連接第1不平衡端子201與第1平衡端子211的第1線圈221、及連接第2不平衡端子202與第2平衡端子212的第2線圈222。第1線圈221及第2線圈222是同一捲數的線圈，共有鐵芯。並且，被表示於圖2B的巴倫103是更具有被連接至第1平衡端子211與第2平衡端子212之間的第3線圈223及第4線圈224，第3線圈223及第4線圈224是被構成為以第3線圈223與第4線圈224的連接節點213的電壓作為第1平衡端子211的電壓與第2平衡端子212的電壓之中點。第3線圈223及第4線圈224是同一捲數的線圈，共有鐵芯。連接節點213是亦可被接地，亦可被連接至真空容器110，亦可被形成浮動。
一邊參照圖3，一邊說明巴倫103的機能。將流動於第1不平衡端子201的電流設為I1，將流動於第1平衡端子211的電流設為I2，將流動於第2不平衡端子202的電流設為I2’，將電流I2之中流至接地的電流設為I3。I3=0，亦即，在平衡電路的側電流不流至接地時，平衡電路對於接地的隔離(isolation)性能為最佳。I3=I2，亦即，當流動於第1平衡端子211的電流I2的全部對於接地流動時，平衡電路對於接地的隔離性能為最差。表示如此的隔離性能的程度的指標ISO是可賦予以下的式子。在此定義之下，ISO的值的絕對值較大，隔離性能較佳。
Figure 02_image001
在圖3中，Rp-jXp是表示在真空容器110的內部空間產生電漿的狀態下，從第1平衡端子211及第2平衡端子212的側來看第1電極106及第2電極111的側(本體10的側)時的阻抗(包含阻塞電容器104的電抗)。Rp是表示電阻成分，-Xp是表示電抗成分。並且，在圖3中，X是表示巴倫103的第1線圈221的阻抗的電抗成分(電感成分)。ISO是對於X/Rp具有相關性。
在圖4中舉例表示電流I1(=I2)、I2’、I3、ISO、α(=X/Rp)的關係。本發明者發現經由巴倫103來從高頻電源101供給高頻至第1電極106與第2電極111之間的構成，特別是在該構成中符合1.5≦X/Rp≦5000會有利於為了使被形成於真空容器110的內部空間(第1電極106與第2電極111之間的空間)的電漿的電位(電漿電位)對於真空容器110的內面的狀態形成鈍感。在此，電漿電位對於真空容器110的內面的狀態形成鈍感是意思即使是長期間使用電漿處理裝置1的情況，也可使電漿電位安定。1.5≦X/Rp≦5000是相當於-10.0dB≧ISO≧-80dB。
在圖5A～5D是表示模擬符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位及第1電極106的電位(陰極電位)的結果。圖5A是表示在真空容器110的內面未形成有膜的狀態的電漿電位及陰極電位。圖5B是表示在真空容器110的內面形成有電阻性的膜(1000Ω)的狀態的電漿電位及陰極電位。圖5C是表示在真空容器110的內面形成有感應性的膜(0.6μH)的狀態的電漿電位及陰極電位。圖5D是表示在真空容器110的內面形成有電容性的膜(0.1nF)的狀態的電漿電位及陰極電位。由圖5A～5D可理解，符合1.5≦X/Rp≦5000會有利於為了真空容器110的內面在各種的狀態中使電漿電位安定。
在圖6A～6D是表示模擬不符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位及第1電極106的電位(陰極電位)的結果。圖6A是表示在真空容器110的內面未形成有膜的狀態的電漿電位及陰極電位。圖6B是表示在真空容器110的內面形成有電阻性的膜(1000Ω)的狀態的電漿電位及陰極電位。圖6C是表示在真空容器110的內面形成有感應性的膜(0.6μH)的狀態的電漿電位及陰極電位。圖6D是表示在真空容器110的內面形成有電容性的膜(0.1nF)的狀態的電漿電位及陰極電位。由圖6A～6D可理解，不符合1.5≦X/Rp≦5000時，電漿電位會依真空容器110的內面的狀態而變化。
在此，在X/Rp＞5000(例如X/Rp=∞)的情況與X/Rp＜1.5的情況(例如X/Rp=1.0，X/Rp=0.5)的雙方，電漿電位會容易依真空容器110的內面的狀態而變化。X/Rp＞5000的情況，在真空容器110的內面未形成有膜的狀態，只在第1電極106與第2電極111之間發生放電。但，X/Rp＞5000的情況，一旦膜開始被形成於真空容器110的內面，則對於此，電漿電位會敏感地反應，成為圖6A～6D所舉例表示般的結果。另一方面，X/Rp＜1.5的情況，由於經由真空容器110來流入至接地的電流大，因此真空容器110的內面的狀態(被形成於內面的膜的電性的特性)所造成的影響顯著，電漿電位會依膜的形成而變化。因此，如前述般，以符合1.5≦X/Rp≦5000的方式構成電漿處理裝置1的情形有利。
一邊參照圖7，一邊舉例表示Rp-jXp(實際所欲得知者是僅Rp)的決定方法。首先，從電漿處理裝置1卸下巴倫103，將阻抗匹配電路102的輸出端子230連接至本體10的第1端子251(阻塞電容器104)。並且，將本體10的第2端子252(第2電極111)接地。在此狀態下從高頻電源101經由阻抗匹配電路102來供給高頻至本體10的第1端子251。在圖7所示的例子中，阻抗匹配電路102是等效地以線圈L1、L2及可變電容器VC1、VC2所構成。可藉由調整可變電容器VC1、VC2的電容值來使電漿產生。在電漿安定的狀態中，阻抗匹配電路102的阻抗是被匹配於電漿產生時的本體10的側(第1電極106及第2電極111的側)的阻抗Rp-jXp。此時的阻抗匹配電路102的阻抗是Rp+jXp。
因此，可根據阻抗匹配時的阻抗匹配電路102的阻抗Rp+jXp來取得Rp-jXp(實際所欲得知者是僅Rp)。Rp-jXp是其他例如可根據設計資料來藉由模擬求取。
根據如此取得的Rp，可特定X/Rp。例如，以符合1.5≦X/Rp≦5000的方式，根據Rp，可決定巴倫103的第1線圈221的阻抗的電抗成分(電感成分)X。
在圖8是模式性地表示本發明的第2實施形態的電漿處理裝置1的構成。第2實施形態的電漿處理裝置1是可作為蝕刻基板112的蝕刻裝置動作。在第2實施形態中，第1電極106是陰極，保持基板112。並且，在第2實施形態中，第2電極111是陽極。在第2實施形態的電漿處理裝置1中，第1電極106與第1平衡端子211會經由阻塞電容器104來電性連接。換言之，在第2實施形態的電漿處理裝置1中，阻塞電容器104會被配置於第1電極106與第1平衡端子211的電性的連接路徑。
在圖9是模式性地表示本發明的第3實施形態的電漿處理裝置1的構成。第3實施形態的電漿處理裝置1是第1實施形態的電漿處理裝置1的變形例，更具備使第2電極111昇降的機構及使第2電極111旋轉的機構的至少一 方。在圖9所示的例子，電漿處理裝置1是具備包含使第2電極111昇降的機構及使第2電極111旋轉的機構的雙方之驅動機構114。在真空容器110與驅動機構114之間是可設有構成真空隔壁的波紋管113。
同樣，第2實施形態的電漿處理裝置1也可更具備使第1電極106昇降的機構及使第2電極111旋轉的機構的至少一方。
在圖10是模式性地表示本發明的第4實施形態的電漿處理裝置1的構成。第4實施形態的電漿處理裝置是可作為藉由濺射來將膜形成於基板112的濺射裝置動作。作為第4實施形態的電漿處理裝置1未言及的事項是可按照第1~第3實施形態。電漿處理裝置1是具備：第1巴倫103、第2巴倫303、真空容器110、構成第1組的第1電極106及第2電極135、構成第2組的第1電極141及第2電極145。或，亦可理解為電漿處理裝置1是具備：第1巴倫103、第2巴倫303及本體10，本體10具備：真空容器110、構成第1組的第1電極106及第2電極135、構成第2組的第1電極141及第2電極145。本體10是具有第1端子251、第2端子252、第3端子451、第4端子452。
第1巴倫103是具有：第1不平衡端子201、第2不平衡端子202、第1平衡端子211及第2平衡端子212。在第1巴倫103的第1不平衡端子201及第2不平衡端子202的側是連接有不平衡電路，在第1巴倫103的第1平衡端子211及第2平衡端子212是連接有平衡電路。第2巴倫303是可具有與第1巴倫103同樣的構成。第2巴倫303是具有：第1不平衡端子401、第2不平衡端子402、第1平衡端子411及第2平衡端子412。在第2巴倫303的第1不平衡端子401及第2不平衡端子402的側是連接有不平衡電路，在第2巴倫303的第1平衡端子411及第2平衡端子412是連接有平衡電路。真空容器110是被接地。
第1組的第1電極106是保持標靶109。標靶109是例如可為絕緣體材料或導電體材料。第1組的第2電極135是被配置於第1電極106的周圍。第1組的第1電極106是被電性連接至第1巴倫103的第1平衡端子211，第1組的第2電極135是被電性連接至第1巴倫103的第2平衡端子212。第2組的第1電極141是保持基板112。第2組的第2電極145是被配置於第1電極141的周圍。第2組的第1電極141是被電性連接至第2巴倫303的第1平衡端子411，第2組的第2電極145是被電性連接至第2巴倫303的第2平衡端子412。
上述的構成是可理解為第1組的第1電極106被電性連接至第1端子251，第1組的第2電極135被電性連接至第2端子252，第1端子251被電性連接至第1巴倫103的第1平衡端子211，第2端子252被電性連接至第1巴倫103的第2平衡端子212的構成。又，上述的構成是可理解為第2組的第1電極141被電性連接至第3端子451，第2組的第2電極145被電性連接至第4端子452，第3端子451被電性連接至第2巴倫303的第1平衡端子411，第4端子452被電性連接至第2巴倫303的第2平衡端子412。
第1組的第1電極106與第1巴倫103的第1平衡端子211(第1端子251)是可經由阻塞電容器104來電性連接。阻塞電容器104是在第1巴倫103的第1平衡端子211與第1組的第1電極106之間(或第1巴倫103的第1平衡端子211與第2平衡端子212之間)遮斷直流電流。亦可取代阻塞電容器104，以第1阻抗匹配電路102會遮斷流動於第1巴倫103的第1不平衡端子201與第2不平衡端子202之間的直流電流之方式構成。第1組的第1電極106及第2電極135是可隔著絕緣體132來藉由真空容器110所支撐。
第2組的第1電極141與第2巴倫303的第1平衡端子411(第3端子451)是可經由阻塞電容器304來電性連接。阻塞電容器304是在第2巴倫303的第1平衡端子411與第2組的第1電極141之間(或第2巴倫303的第1平衡端子411與第2平衡端子412之間)遮斷直流電流。亦可取代阻塞電容器304，以第2阻抗匹配電路302會遮斷流動於第2巴倫303的第1不平衡端子201與第2不平衡端子202之間的直流電流之方式構成。第2組的第1電極141及第2電極145是可隔著絕緣體142來藉由真空容器110所支撐。
電漿處理裝置1是可具備：第1高頻電源101、及被配置於第1高頻電源101與第1巴倫103之間的第1阻抗匹配電路102。第1高頻電源101是經由第1阻抗匹配電路102來供給高頻至第1巴倫103的第1不平衡端子201與第2不平衡端子202之間。換言之，第1高頻電源101是經由第1阻抗匹配電路102、第1巴倫103及阻塞電容器104來供給高頻至第1電極106與第2電極135之間。或，第1高頻電源101是經由第1阻抗匹配電路102、第1巴倫103來供給高頻至本體10的第1端子251與第2端子252之間。第1巴倫103以及第1組的第1電極106及第2電極135是構成供給高頻至真空容器110的內部空間之第1高頻供給部。
電漿處理裝置1是可具備：第2高頻電源301、及被配置於第2高頻電源301與第2巴倫303之間的第2阻抗匹配電路302。第2高頻電源301是經由第2阻抗匹配電路302來供給高頻至第2巴倫303的第1不平衡端子401與第2不平衡端子402之間。換言之，第2高頻電源301是經由第2阻抗匹配電路302、第2巴倫303及阻塞電容器304來供給高頻至第2組的第1電極141與第2電極145之間。或，第2高頻電源301是經由第2阻抗匹配電路302、第2巴倫303來供給高頻至本體10的第3端子451與第4端子452之間。第2巴倫303以及第2組的第1電極141及第2電極145是構成供給高頻至真空容器110的內部空間之第2高頻供給部。
藉由來自第1高頻電源101的高頻的供給，在真空容器110的內部空間產生電漿的狀態下，將由第1巴倫103的第1平衡端子211及第2平衡端子212的側來看第1組的第1電極106及第2電極135的側(本體10的側)時的阻抗設為Rp1-jXp1。並且，將第1巴倫103的第1線圈221的阻抗的電抗成分(電感成分)設為X1。在此定義中，符合1.5≦X1/Rp1≦5000是有利於為了使被形成於真空容器110的內部空間之電漿的電位安定。
又，藉由來自第2高頻電源301的高頻的供給，在真空容器110的內部空間產生電漿的狀態下，將由第2巴倫303的第1平衡端子411及第2平衡端子412的側來看第2組的第1電極141及第2電極145的側(本體10的側)時的阻抗設為Rp2-jXp2。並且，將第2巴倫303的第1線圈221的阻抗的電抗成分(電感成分)設為X2。在此定義中，符合1.5≦X2/Rp2≦5000是有利於使被形成於真空容器110的內部空間之電漿的電位安定。
在圖11是模式性地表示本發明的第5實施形態的電漿處理裝置1的構成。第5實施形態的裝置1是相對於第4實施形態的電漿處理裝置1，具有追加驅動機構114、314的構成。驅動機構114是可具備使第1電極141昇降的機構及使第1電極141旋轉的機構的至少一方。驅動機構314是可具備使第2電極145昇降的機構。
在圖12是模式性地表示本發明的第6實施形態的電漿處理裝置1的構成。第6實施形態的電漿處理裝置是可作為藉由濺射來將膜形成於基板112的濺射裝置動作。作為第6實施形態未言及的事項是可按照第1～第5實施形態。第6實施形態的電漿處理裝置1是具備：複數的第1高頻供給部、及至少1個的第2高頻供給部。複數的第1高頻供給部之中的1個是可包含第1電極106a、第2電極135a及第1巴倫103a。複數的第1高頻供給部之中的其他的1個是可包含第1電極106b、第2電極135b及第1巴倫103b。在此，說明複數的第1高頻供給部為以2個的高頻供給部所構成的例子。並且，以下標符號a、b來互相區別2個的高頻供給部及其關聯的構成要素。同樣，有關2個的標靶也是以下標符號a、b來互相區別。
在其他的觀點，電漿處理裝置1是具備：複數的第1巴倫103a、103b、第2巴倫303、真空容器110、第1電極106a及第2電極135a、第1電極106b及第2電極135b、第1電極141及第2電極145。或，亦可理解為電漿處理裝置1是具備：複數的第1巴倫103a、103b、第2巴倫303及本體10，本體10具備：真空容器110、第1電極106a及第2電極135a、第1電極106b及第2電極135b、第1電極141及第2電極145。本體10是具有：第1端子251a、251b、第2端子252a、252b、第3端子451、第4端子452。
第1巴倫103a是具有：第1不平衡端子201a、第2不平衡端子202a、第1平衡端子211a及第2平衡端子212a。在第1巴倫103a的第1不平衡端子201a及第2不平衡端子202a的側是連接有不平衡電路，在第1巴倫103a的第1平衡端子211a及第2平衡端子212a是連接有平衡電路。第1巴倫103b是具有：第1不平衡端子201b、第2不平衡端子202b、第1平衡端子211b及第2平衡端子212b。在第1巴倫103b的第1不平衡端子201b及第2不平衡端子202b的側是連接有不平衡電路，在第1巴倫103b的第1平衡端子211b及第2平衡端子212b是連接有平衡電路。
第2巴倫303是可具有與第1巴倫103a、103b同樣的構成。第2巴倫303是具有：第1不平衡端子401、第2不平衡端子402、第1平衡端子411及第2平衡端子412。在第2巴倫303的第1不平衡端子401及第2不平衡端子402的側是連接有不平衡電路，在第2巴倫303的第1平衡端子411及第2平衡端子412是連接有平衡電路。真空容器110是被接地。
第1電極106a、106b是分別保持標靶109a、109b。標靶109a、109b是例如可為絕緣體材料或導電體材料。第2電極135a、135b是分別被配置於第1電極106a、106b的周圍。第1電極106a、106b是分別被電性連接至第1巴倫103a、103b的第1平衡端子211a、211b，第2電極135a、135b是分別被電性連接至第1巴倫103a、103b的第2平衡端子212a、212b。
第1電極141是保持基板112。第2電極145是被配置於第1電極141的周圍。第1電極141是被電性連接至第2巴倫303的第1平衡端子411，第2電極145是被電性連接至第2巴倫303的第2平衡端子412。
上述的構成是可理解為第1電極106a、106b分別被電性連接至第1端子251a、251b，第2電極135a、135b分別被電性連接至第2端子252a、252b，第1端子251a、251b分別被電性連接至第1巴倫103a、103b的第1平衡端子211a、111b，第2端子252a、252b分別被電性連接至第1巴倫103a、103b的第2平衡端子212a、212b的構成。又，上述的構成是可理解為第1電極141被電性連接至第3端子451，第2電極145被電性連接至第4端子452，第3端子451被電性連接至第2巴倫303的第1平衡端子411，第4端子452被電性連接至第2巴倫303的第2平衡端子412。
第1電極106a、106b與第1巴倫103a、103b的第1平衡端子211a、211b(第1端子251a、251b)是可分別經由阻塞電容器104a、104b來電性連接。阻塞電容器104a、104b是在第1巴倫103a、103b的第1平衡端子211a、211b與第1電極106a、106b之間(或第1巴倫103a、103b的第1平衡端子211a、211b與第2平衡端子212a、212b之間)遮斷直流電流。亦可取代阻塞電容器104a、104b，以第1阻抗匹配電路102a、102b會遮斷流動於第1巴倫103a、103b的第1不平衡端子201a、201b與第2不平衡端子202a、202b之間的直流電流之方式構成。或，阻塞電容器104a、104b是亦可被配置於第2電極135a、135b與第1巴倫103a、103b的第2平衡端子212a、212b(第2端子252a、252b)之間。第1電極106a、106b及第2電極135a、135b是可分別隔著絕緣體132a、132b來藉由真空容器110所支撐。
第1電極141與第2巴倫303的第1平衡端子411(第3端子451)是可經由阻塞電容器304來電性連接。阻塞電容器304是在第2巴倫303的第1平衡端子411與第1電極141之間(或第2巴倫303的第1平衡端子411與第2平衡端子412之間)遮斷直流電流。亦可取代阻塞電容器304，以第2阻抗匹配電路302會遮斷流動於第2巴倫303的第1不平衡端子201與第2不平衡端子202之間的直流電流之方式構成。或，阻塞電容器304是亦可被配置於第2電極145與第2巴倫303的第2平衡端子412(第4端子452)之間。第1電極141及第2電極145是可隔著絕緣體142來藉由真空容器110所支撐。
電漿處理裝置1是可具備：複數的第1高頻電源101a、101b、及分別被配置於複數的第1高頻電源101a、101b與複數的第1巴倫103a、103b之間的第1阻抗匹配電路102a、102b。第1高頻電源101a、101b是分別經由第1阻抗匹配電路102a、102b來供給高頻至第1巴倫103a、103b的第1不平衡端子201a、201b與第2不平衡端子202a、202b之間。換言之，第1高頻電源101a、101b是分別經由第1阻抗匹配電路102a、102b、第1巴倫103a、103b及阻塞電容器104a、104b來供給高頻至第1電極106a、106b與第2電極135a、135b之間。或，第1高頻電源101a、101b是經由第1阻抗匹配電路102a、102b、第1巴倫103a、103b來供給高頻至本體10的第1端子251a、251b與第2端子252a、252b之間。
電漿處理裝置1是可具備：第2高頻電源301、及被配置於第2高頻電源301與第2巴倫303之間的第2阻抗匹配電路302。第2高頻電源301是經由第2阻抗匹配電路302來供給高頻至第2巴倫303的第1不平衡端子401與第2不平衡端子402之間。換言之，第2高頻電源301是經由第2阻抗匹配電路302、第2巴倫303及阻塞電容器304來供給高頻至第1電極141與第2電極145之間。或，第2高頻電源301是經由第2阻抗匹配電路302、第2巴倫303來供給高頻至本體10的第3端子451與第4端子452之間。
在圖13是模式性地表示本發明的第7實施形態的電漿處理裝置1的構成。第7實施形態的電漿處理裝置是可作為藉由濺射來將膜形成於基板112的濺射裝置動作。作為第7實施形態未言及的事項是可按照第1～第6實施形態。電漿處理裝置1是具備：第1巴倫103、第2巴倫303、真空容器110、構成第1組的第1電極105a及第2電極105b、構成第2組的第1電極141及第2電極145。或，亦可理解為電漿處理裝置1是具備：第1巴倫103、第2巴倫303及本體10，本體10具備：真空容器110、構成第1組的第1電極105a及第2電極105b、構成第2組的第1電極141及第2電極145。本體10是具有：第1端子251、第2端子252、第3端子451、第4端子452。
第1巴倫103是具有：第1不平衡端子201、第2不平衡端子202、第1平衡端子211及第2平衡端子212。在第1巴倫103的第1不平衡端子201及第2不平衡端子202的側是連接有不平衡電路，在第1巴倫103的第1平衡端子211及第2平衡端子212是連接有平衡電路。第2巴倫303是可具有與第1巴倫103同樣的構成。第2巴倫303是具有：第1不平衡端子401、第2不平衡端子402、第1平衡端子411及第2平衡端子412。在第2巴倫303的第1不平衡端子401及第2不平衡端子402的側是連接有不平衡電路，在第2巴倫303的第1平衡端子411及第2平衡端子412是連接有平衡電路。真空容器110是被接地。
第1組的第1電極105a是保持第1標靶109a，隔著第1標靶109a來與基板112的側的空間對向。第1組的第2電極105b是被配置於第1電極105a的旁邊，保持第2標靶109b，隔著第2標靶109b來與基板112的側的空間對向。標靶109a及109b是例如可為絕緣體材料或導電體材料。第1組的第1電極105a是被電性連接至第1巴倫103的第1平衡端子211，第1組的第2電極105b是被電性連接至第1巴倫103的第2平衡端子212。
第2組的第1電極141是保持基板112。第2組的第2電極145是被配置於第1電極141的周圍。第2組的第1電極141是被電性連接至第2巴倫303的第1平衡端子411，第2組的第2電極145是被電性連接至第2巴倫303的第2平衡端子412。
上述的構成是可理解為第1組的第1電極105a被電性連接至第1端子251，第1組的第2電極105b被電性連接至第2端子252，第1端子251被電性連接至第1巴倫103的第1平衡端子211，第2端子252被電性連接至第1巴倫103的第2平衡端子212的構成。又，上述的構成是可理解為第2組的第1電極141被電性連接至第3端子451，第2組的第2電極145被電性連接至第4端子452，第3端子451被電性連接至第2巴倫303的第1平衡端子411，第4端子452被電性連接至第2巴倫303的第2平衡端子412。
第1組的第1電極105a與第1巴倫103的第1平衡端子211(第1端子251)是可經由阻塞電容器104a來電性連接。阻塞電容器104a是在第1巴倫103的第1平衡端子211與第1組的第1電極105a之間(或第1巴倫103的第1平衡端子211與第2平衡端子212之間)遮斷直流電流。第1組的第2電極105b與第1巴倫103的第2平衡端子212(第2端子252)是可經由阻塞電容器104b來電性連接。阻塞電容器104b是在第1巴倫103的第2平衡端子212與第1組的第2電極105b之間(或第1巴倫103的第1平衡端子211與第2平衡端子212之間)遮斷直流電流。第1組的第1電極105a、第2電極105b是可分別隔著絕緣體132a、132b來藉由真空容器110所支撐。
第2組的第1電極141與第2巴倫303的第1平衡端子411(第3端子451)是可經由阻塞電容器304來電性連接。阻塞電容器304是在第2巴倫303的第1平衡端子411與第2組的第1電極141之間(或第2巴倫303的第1平衡端子411與第2平衡端子412之間)遮斷直流電流。亦可取代阻塞電容器304，以第2阻抗匹配電路302會遮斷流動於第2巴倫303的第1不平衡端子401與第2不平衡端子402之間的直流電流之方式構成。第2組的第1電極141、第2電極145是可分別隔著絕緣體142、146來藉由真空容器110所支撐。
電漿處理裝置1是可具備：第1高頻電源101、及被配置於第1高頻電源101與第1巴倫103之間的第1阻抗匹配電路102。第1高頻電源101是經由第1阻抗匹配電路102、第1巴倫103及阻塞電容器104a、104b來供給高頻至第1電極105a與第2電極105b之間。或，第1高頻電源101是經由第1阻抗匹配電路102、第1巴倫103來供給高頻至本體10的第1端子251與第2端子252之間。第1巴倫103以及第1組的第1電極105a及第2電極105b是構成供給高頻至真空容器110的內部空間之第1高頻供給部。
電漿處理裝置1是可具備：第2高頻電源301、及被配置於第2高頻電源301與第2巴倫303之間的第2阻抗匹配電路302。第2高頻電源301是經由第2阻抗匹配電路302來供給高頻至第2巴倫303的第1不平衡端子401與第2不平衡端子402之間。第2高頻電源301是經由第2阻抗匹配電路302、第2巴倫303及阻塞電容器304來供給高頻至第2組的第1電極141與第2電極145之間。或，第2高頻電源301是經由第2阻抗匹配電路302、第2巴倫303來供給高頻至本體10的第3端子451與第4端子452之間。第2巴倫303以及第2組的第1電極141及第2電極145是構成供給高頻至真空容器110的內部空間之第2高頻供給部。
藉由來自第1高頻電源101的高頻的供給，在真空容器110的內部空間產生電漿的狀態下，將由第1巴倫103的第1平衡端子211及第2平衡端子212的側來看第1組的第1電極105a及第2電極105b的側(本體10的側)時的阻抗設為Rp1-jXp1。並且，將第1巴倫103的第1線圈221的阻抗的電抗成分(電感成分)設為X1。在此定義中，符合1.5 ≦X1/Rp1≦5000是有利於為了使被形成於真空容器110的內部空間之電漿的電位安定。
又，藉由來自第2高頻電源302的高頻的供給，在真空容器110的內部空間產生電漿的狀態下，將由第2巴倫303的第1平衡端子411及第2平衡端子412的側來看第2組的第1電極127及第2電極130的側(本體10的側)時的阻抗設為Rp2-jXp2。並且，將第2巴倫303的第1線圈221的阻抗的電抗成分(電感成分)設為X2。在此定義中，符合1.5 ≦X2/Rp2≦5000是有利於為了使被形成於真空容器110的內部空間之電漿的電位安定。
第7實施形態的電漿處理裝置1是可更具備使構成第2組的第1電極141昇降的機構及使構成第2組的第1電極141旋轉的機構的至少一方。在圖13所示的例子中，電漿處理裝置1是具備包含使第1電極141昇降的機構及使第1電極141旋轉的機構的雙方之驅動機構114。並且，在圖13所示的例子中，電漿處理裝置1是具備使構成第2組的第2電極145昇降的機構314。在真空容器110與驅動機構114、314之間是可設有構成真空隔壁的波紋管。
一邊參照圖14，一邊說明在圖13所示的第7實施形態的電漿處理裝置1的第1巴倫103的機能。將流動於第1不平衡端子201的電流設為I1，將流動於第1平衡端子211的電流設為I2，將流動於第2不平衡端子202的電流設為I2’，將電流I2之中流至接地的電流設為I3。I3=0，亦即，在平衡電路的側電流不流至接地時，平衡電路對於接地的隔離(isolation)性能為最佳。I3=I2，亦即，當流動於第1平衡端子211的電流I2的全部對於接地流動時，平衡電路對於接地的隔離性能為最差。表示如此的隔離性能的程度的指標ISO是與第1～第5實施形態同樣，可賦予以下的式子。在此定義之下，ISO的值的絕對值較大，隔離性能較佳。
Figure 02_image003
在圖14中，Rp-jXp(=Rp/2-jXp/2+Rp/2-jXp/2)是表示在真空容器110的內部空間產生電漿的狀態下，從第1平衡端子211及第2平衡端子212的側來看第1電極105a及第2電極105b的側(本體10的側)時的阻抗(包含阻塞電容器104a及104b的電抗)。Rp是表示電阻成分，-Xp是表示電抗成分。並且，在圖14中，X是表示第1巴倫103的第1線圈221的阻抗的電抗成分(電感成分)。ISO是對於X/Rp具有相關性。
在第1實施形態的說明中參照的圖4是舉例表示電流I1(=I2)、I2’、I3、ISO、α(=X/Rp)的關係。圖4的關係是在第7實施形態中也成立。本發明者是發現在第7實施形態中也在符合1.5≦X/Rp≦5000是有利於為了使被形成於真空容器110的內部空間(第1電極105a與第2電極105b之間的空間)的電漿的電位(電漿電位)對於真空容器110的內面的狀態形成鈍感。在此，電漿電位對於真空容器110的內面的狀態形成鈍感是意思即使是長期間使用電漿處理裝置1的情況，也可使電漿電位安定。1.5≦X/Rp≦5000是相當於-10.0dB≧ISO≧-80dB。
在圖15A～15D是表示模擬符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位、第1電極105a的電位(陰極1電位)及第2電極105b的電位(陰極2電位)的結果。圖15A是表示在真空容器110的內面形成有電阻性的膜(1mΩ)的狀態的電漿電位、第1電極105a的電位(陰極1電位)及第2電極105b的電位(陰極2電位)。圖15B是表示在真空容器110的內面形成有電阻性的膜(1000Ω)的狀態的電漿電位、第1電極105a的電位(陰極1電位)及第2電極105b的電位(陰極2電位)。圖15C是表示在真空容器110的內面形成有感應性的膜(0.6μH)的狀態的電漿電位、第1電極105a的電位(陰極1電位)及第2電極105b的電位(陰極2電位)。圖15D是表示在真空容器110的內面形成有電容性的膜(0.1nF)的狀態的電漿電位、第1電極105a的電位(陰極1電位)及第2電極105b的電位(陰極2電位)。由圖15A～15D可理解，符合1.5≦X/Rp≦5000是有利於真空容器110的內面在各種的狀態中使電漿電位安定。
在圖16A～16D是表示模擬不符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位、第1電極105a的電位(陰極1電位)及第2電極105b的電位(陰極2電位)的結果。圖16A是表示在真空容器110的內面形成有電阻性的膜(1mΩ)的狀態的電漿電位、第1電極105a的電位(陰極1電位)及第2電極105b的電位(陰極2電位)。圖16B是表示在真空容器110的內面形成有電阻性的膜(1000Ω)的狀態的電漿電位、第1電極105a的電位(陰極1電位)及第2電極105b的電位(陰極2電位)。圖16C是表示在真空容器110的內面形成有感應性的膜(0.6μH)的狀態的電漿電位、第1電極105a的電位(陰極1電位)及第2電極105b的電位(陰極2電位)。圖16D是表示在真空容器110的內面形成有電容性的膜(0.1nF)的狀態的電漿電位、第1電極105a的電位(陰極1電位)及第2電極105b的電位(陰極2電位)。由圖16A～16D可理解，不符合1.5≦X/Rp≦5000時，電漿電位會依真空容器110的內面的狀態而變化。
在此，在X/Rp＞5000(例如X/Rp=∞)的情況與X/Rp＜1.5的情況(例如X/Rp=1.16、X/Rp=0.87)的雙方，電漿電位會容易依真空容器110的內面的狀態而變化。X/Rp＞5000的情況，在膜未被形成於真空容器110的內面的狀態，只在第1電極105a與第2電極105b之間發生放電。但，X/Rp＞5000的情況，一旦膜開始被形成於真空容器110的內面，則對於此，電漿電位會敏感地反應，成為圖16A～16D所舉例表示般的結果。另一方面，X/Rp＜1.5的情況，由於經由真空容器110來流入至接地的電流大，因此真空容器110的內面的狀態(被形成於內面的膜的電性的特性)所造成的影響顯著，電漿電位會依膜的形成而變化。因此，如前述般，以符合1.5≦X/Rp≦5000的方式構成電漿處理裝置1的情形有利。
在圖17是模式性地表示本發明的第8實施形態的電漿處理裝置1的構成。第8實施形態的電漿處理裝置是可作為藉由濺射來將膜形成於基板112的濺射裝置動作。作為第8實施形態的電漿處理裝置1未言及的事項是可按照第1～第7實施形態。第8實施形態的電漿處理裝置1是具備：巴倫(第1巴倫)103、真空容器110、第1電極105a及第2電極105b。或，亦可理解為電漿處理裝置1是具備巴倫103及本體10，本體10具備：真空容器110、第1電極105a及第2電極105b。本體10是具有第1端子251及第2端子252。
第1電極105a是可具有保持作為第1構件的第1標靶109a的第1保持面HS1，第2電極105b是可具有保持作為第2構件的第2標靶109b的第2保持面HS2。第1保持面HS1及第2保持面HS2是可屬於1個的平面PL。
第8實施形態的電漿處理裝置1是亦可更具備：第2巴倫303、第3電極141及第4電極145。換言之，電漿處理裝置1是可具備：第1巴倫103、第2巴倫303、真空容器110、第1電極105a、第2電極105b、第3電極141及第4電極145。或，亦可理解為電漿處理裝置1是具備：第1巴倫103、第2巴倫303及本體10，本體10具備：真空容器110、第1電極105a、第2電極105b、第3電極141及第4電極145。本體10是具有：第1端子251、第2端子252、第3端子451及第4端子452。
第1巴倫103是具有：第1不平衡端子201、第2不平衡端子202、第1平衡端子211及第2平衡端子212。在第1巴倫103的第1不平衡端子201及第2不平衡端子202的側是連接有不平衡電路，在第1巴倫103的第1平衡端子211及第2平衡端子212的側是連接有平衡電路。第2巴倫303是可具有與第1巴倫103同樣的構成。第2巴倫303是具有：第3不平衡端子401、第4不平衡端子402、第3平衡端子411及第4平衡端子412。在第2巴倫303的第3不平衡端子401及第4不平衡端子402的側是連接有不平衡電路，在第2巴倫303的第3平衡端子411及第4平衡端子412的側是連接有平衡電路。真空容器110是被接地。巴倫103、303是例如可具有被記載於圖2A、2B(圖14)的構成。
第1電極105a是保持第1標靶109a，隔著第1標靶109a來與處理對象的基板112的側的空間對向。第2電極105b是被配置於第1電極105a的旁邊，保持第2標靶109b，隔著第2標靶109b來與處理對象的基板112的側的空間對向。標靶109a及109b是例如可為絕緣體材料或導電體材料。第1電極105a是被電性連接至第1巴倫103的第1平衡端子211，第2電極105b是被電性連接至第1巴倫103的第2平衡端子212。
第3電極141是保持基板112。第4電極145是可被配置於第3電極141的周圍。第3電極141是被電性連接至第2巴倫303的第1平衡端子411，第4電極145是被電性連接至第2巴倫303的第2平衡端子412。
上述的構成是可理解為第1電極105a被電性連接至第1端子251，第2電極105b被電性連接至第2端子252，第1端子251被電性連接至第1巴倫103的第1平衡端子211，第2端子252被電性連接至第1巴倫103的第2平衡端子212之構成。又，上述的構成是可理解為第3電極141被電性連接至第3端子451，第4電極145被電性連接至第4端子452，第3端子451被電性連接至第2巴倫303的第1平衡端子411，第4端子452被電性連接至第2巴倫303的第2平衡端子412者。
第1電極105a與第1巴倫103的第1平衡端子211(第1端子251)是可藉由第1路徑PTH1來電性連接。在第1路徑PTH1是可配置有可變電抗器511a。換言之，第1電極105a與第1巴倫103的第1平衡端子211(第1端子251)是可經由可變電抗器511a來電性連接。可變電抗器511a是可包含電容器，該電容器是可作為在第1巴倫103的第1平衡端子211與第1電極105a之間(或第1巴倫103的第1平衡端子211與第2平衡端子212之間)遮斷直流電流的阻塞電容器機能。第2電極105b與第1巴倫103的第2平衡端子212(第2端子252)是可藉由第2路徑PTH2來電性連接。在第2路徑PTH2是可配置有可變電抗器511b。換言之，第2電極105b與第1巴倫103的第2平衡端子212(第3端子252)是可經由可變電抗器511b來電性連接。可變電抗器511b是可包含電容器，該電容器是可作為在第1巴倫103的第2平衡端子212與第2電極105b之間(或第1巴倫103的第1平衡端子211與第2平衡端子212之間)遮斷直流電流的阻塞電容器機能。第1電極105a、第2電極105b是可分別隔著絕緣體132a、132b來藉由真空容器110所支撐。
電漿處理裝置1是可具備被配置於第1電極105a與接地之間的可變電抗器521a。電漿處理裝置1是可具備被配置於第2電極105b與接地之間的可變電抗器521b。電漿處理裝置1是可具備連接第1路徑PTH1與第2路徑PTH2的可變電抗器530。
在1個的構成例中，電漿處理裝置1，作為影響被施加於第1電極105a的第1電壓與被施加於第2電極105b的第2電壓的關係之調整電抗器，包含(a)被配置於連接第1平衡端子211與第1電極105a的第1路徑PTH1之可變電抗器511a、(b)被配置於第1電極105a與接地之間的可變電抗器521a、(c)被配置於連接第2平衡端子212與第2電極105b的第2路徑PTH2之可變電抗器511b、(d)被配置於第2電極105b與接地之間的可變電抗器521b、及(e)連接第1路徑PTH1與第2路徑PTH2的可變電抗器530之至少1個。
藉由調整影響被施加於第1電極105a的第1電壓與被施加於第2電極105b的第2電壓的關係之調整電抗器的值，可調整第1標靶109a所濺射的量與第2標靶109b所濺射的量的關係。或，藉由將調整電抗器的值調整，可調整第1標靶109a所濺射的量與第2標靶109b所濺射的量的平衡。藉此，可調整第1標靶109a的消費量與第2標靶109b的消費量的關係。或，可調整第1標靶109a的消費量與第2標靶109b的消費量的平衡。如此的構成是例如將第1標靶109a的更換時機與第2標靶109b的更換時機形成相同的時機，有利於為了減低電漿處理裝置1的停機時間。又，亦可調整被形成於基板112的膜的厚度分佈。
第3電極141與第2巴倫303的第1平衡端子411(第3端子451)是可經由阻塞電容器304來電性連接。阻塞電容器304是在第2巴倫303的第1平衡端子411與第3電極141之間(或第2巴倫303的第1平衡端子411與第2平衡端子412之間)遮斷直流電流。亦可取代阻塞電容器304，以第2阻抗匹配電路302會遮斷流動於第2巴倫303的第1不平衡端子401與第2不平衡端子402之間的直流電流之方式構成。第3電極141、第4電極145是可分別隔著絕緣體142、146來藉由真空容器110所支撐。
電漿處理裝置1是可具備：第1高頻電源101、及被配置於第1高頻電源101與第1巴倫103之間的第1阻抗匹配電路102。第1高頻電源101是經由第1阻抗匹配電路102、第1巴倫103及第1路徑PTH1來供給高頻至第1電極105a與第2電極105b之間。或，第1高頻電源101是經由第1阻抗匹配電路102、第1巴倫103來供給高頻至本體10的第1端子251與第2端子252之間。第1巴倫103以及第1電極105a及第2電極105b是構成供給高頻至真空容器110的內部空間的第1高頻供給部。
電漿處理裝置1是可具備：第2高頻電源301、及被配置於第2高頻電源301與第2巴倫303之間的第2阻抗匹配電路302。第2高頻電源301是經由第2阻抗匹配電路302來供給高頻至第2巴倫303的第1不平衡端子401與第2不平衡端子402之間。第2高頻電源301是經由第2阻抗匹配電路302、第2巴倫303及阻塞電容器304來供給高頻至第3電極141與第4電極145之間。或，第2高頻電源301是經由第2阻抗匹配電路302、第2巴倫303來供給高頻至本體10的第3端子451與第4端子452之間。第2巴倫303以及第3電極141及第4電極145是構成供給高頻至真空容器110的內部空間之第2高頻供給部。
將藉由來自第1高頻電源101的高頻的供給而在真空容器110的內部空間產生電漿的狀態下從第1巴倫103的第1平衡端子211及第2平衡端子212的側來看第1電極105a及第2電極105b的側(本體10的側)時的阻抗設為Rp1-jXp1。並且，將第1巴倫103的第1線圈221的阻抗的電抗成分(電感成分)設為X1。在此定義中，符合1.5≦X1/Rp1≦5000是特別有利於為了使被形成於真空容器110的內部空間的電漿的電位安定。但，符合1.5≦X/Rp1≦5000的條件，在第8實施形態中不是必須，為有利的條件想要被留意。在第8實施形態中，藉由設置巴倫103，要比不設巴倫103的情況，更可使電漿的電位安定。而且，藉由設置調整電抗器，可調整第1標靶109a所濺射的量與第2標靶109b所濺射的量的關係。
又，將藉由來自第2高頻電源301的高頻的供給而在真空容器110的內部空間產生電漿的狀態下從第2巴倫303的第1平衡端子411及第2平衡端子412的側來看第3電極141及第4電極145的側(本體10的側)時的阻抗設為Rp2-jXp2。並且，將第2巴倫303的第1線圈221的阻抗的電抗成分(電感成分)設為X2。在此定義中，符合1.5≦X2/Rp2≦5000是特別有利於為了使被形成於真空容器110的內部空間的電漿的電位安定。但，符合1.5≦X/Rp2≦5000的條件，在第8實施形態中不是必須，為有利的條件想要被留意。
以下，一邊參照圖18～圖25，一邊說明將第8實施形態的電漿處理裝置1具體化的第9～第14實施形態。在圖18是模式性地表示本發明的第9實施形態的電漿處理裝置1的構成。作為第9實施形態未言及的事項是可按照第8實施形態。第9實施形態的電漿處理裝置1是包含被配置於第1路徑PTH1的可變電抗器511a及被配置於第2路徑PTH2的可變電抗器511b的至少1個。在此，電漿處理裝置1是包圍被配置於第1路徑PTH1的可變電抗器511a及被配置於第2路徑PTH2的可變電抗器511b的雙方為理想，但任一方皆可值為固定的電抗。
第1可變電抗器511a是至少包含可變電感器601a，較理想是可包含可變電感器601a及電容器602a。可變電感器601a是亦可被配置於第1平衡端子211(第1端子251)與電容器602a之間，亦可被配置於電容器602a與第1電極105a之間。第2可變電抗器511b是至少包含可變電感器601b，較理想是可包含可變電感器601b及電容器602b。可變電感器601b是亦可被配置於第2平衡端子212(第2端子252)與電容器602b之間，亦可被配置於電容器602b與第2電極105b之間。
在圖24是表示在第9實施形態的電漿處理裝置1中，將第1路徑PTH1的可變電感器601a及第2路徑PTH2的可變電感器601b的值設定於200nH時被形成於基板112的膜的厚度分佈。並且，在圖24是表示在第9實施形態的電漿處理裝置1中，將第1路徑PTH1的可變電感器601a及第2路徑PTH2的可變電感器601b的值設定於400nH時被形成於基板112的膜的厚度分佈。橫軸是圖18的橫方向(與基板112的表面平行的方向)的位置，表示離基板112的中心的距離。當可變電感器601a、601b的值為400nH時，在基板112的中心的左側及右側，膜的厚度分佈大不同。另一方面，當可變電感器601a、601b的值為200nH時，在基板112的中心的左側及右側，膜的厚度分佈的對稱性高。給予第1電極105a的第1電壓與給予第2電極105b的第2電壓的平衡是可變電感器601a、601b的值為200nH時要比可變電感器601a、601b的值為400nH時更佳。
在圖25是表示在第9實施形態的電漿處理裝置1中，將第1路徑PTH1的可變電感器601a及第2路徑PTH2的可變電感器601b的值變更時的第1電極105a、第2電極105b的電壓。當可變電感器601a、601b的值約為225nH時，給予第1電極105a的電壓與給予第2電極105b的電壓會形成大致相等。
在圖19是模式性地表示本發明的第10實施形態的電漿處理裝置1的構成。作為第10實施形態未言及的事項是可按照第8實施形態。第10實施形態的電漿處理裝置1是包含：被配置於第1路徑PTH1的可變電抗器511a、及被配置於第2路徑PTH2的可變電抗器511b之至少1個。在此，電漿處理裝置1是包含：被配置於第1路徑PTH1的可變電抗器511a、及被配置於第2路徑PTH2的可變電抗器511b的雙方為理想，但亦可為任一一方是值為固定的電抗。
第1可變電抗器511a是至少包含可變電容器604a，較理想是可包含可變電容器604a及電感器603a。可變電容器604a是亦可被配置於電感器603a與第1電極105a之間，或亦可被配置於第1平衡端子211(第1端子251)與電感器603a之間。第2可變電抗器511b是至少包含可變電容器604b，較理想是可包含可變電容器604b及電感器603b。可變電容器604b是亦可被配置於電感器603b與第2電極105b之間，亦可被配置於第2平衡端子212(第2端子252)與電感器603b之間。
在圖20是模式性地表示本發明的第11實施形態的電漿處理裝置1的構成。作為第11實施形態未言及的事項是可按照第8實施形態。第11實施形態的電漿處理裝置1是具備：作為被配置於第1電極105a與接地之間的可變電抗器521a之可變電容器605a、及作為被配置於第2電極105b與接地之間的可變電抗器521b之可變電容器605b的至少1個。電漿處理裝置1是可更具備：被配置於第1路徑PTH1的電抗(此例是電感器603a、電容器602a)、及被配置於第2路徑PTH2的電抗(此例是電感器603b、電容器602b)。
在圖21是模式性地表示本發明的第12實施形態的電漿處理裝置1的構成。作為第12實施形態未言及的事項是可按照第8實施形態。第12實施形態的電漿處理裝置1是具備：被配置於第1電極105a與接地之間的可變電抗器521a、及被配置於第2電極105b與接地之間的可變電抗器521b之至少1個。可變電抗器521a是至少包含可變電感器607a，例如，可包含可變電感器607a及電容器606a。可變電抗器521b是至少包含可變電感器607b，例如，可包含可變電感器607b及電容器606b。
電漿處理裝置1是可更具備：被配置於第1路徑PTH1的電抗(此例是電感器603a、電容器602a)、及被配置於第2路徑PTH2的電抗(此例是電感器603b、電容器602b)。
在圖22是模式性地表示本發明的第13實施形態的電漿處理裝置1的構成。作為第13實施形態未言及的事項是可按照第8實施形態。第13實施形態的電漿處理裝置1是具備作為連接第1路徑PTH1與第2路徑PTH2的可變電抗器530之可變電感器608。電漿處理裝置1是可更具備：被配置於第1路徑PTH1的電抗(此例是電感器603a、電容器602a)、及被配置於第2路徑PTH2的電抗(此例是電感器603b、電容器602b)。
在圖23是模式性地表示本發明的第14實施形態的電漿處理裝置1的構成。作為第14實施形態未言及的事項是可按照第8實施形態。第14實施形態的電漿處理裝置1是具備作為連接第1路徑PTH1與第2路徑PTH2的可變電抗器530之可變電容器609。電漿處理裝置1是可更具備：被配置於第1路徑PTH1的電抗(此例是電感器603a、電容器602a)、及被配置於第2路徑PTH2的電抗(此例是電感器603b、電容器602b)。
另外，在參照圖18～25說明的第9～第14實施形態中，在標靶109a、109b的對向面配置有電極，但亦可構成為不被電極限定，配置有被稱為所謂Carousel型的型式的電漿裝置的圓筒形的基板旋轉座(holder)(例如日本特開2003-1555526，特開昭62-133065)或被稱為所謂In-Line型的型式的電漿裝置的矩形形狀等的基板托盤(例如日本特許5824072、特開2011-144450)。
以下，一邊參照圖26～圖31，一邊說明根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2來將調整電抗器的值調整的動作。在圖26是模式性地表示本發明的第15實施形態的電漿處理裝置1的構成。第15實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖18所示的第9實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1與第2電壓V2能相等的方式，將調整電抗器的值調整。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2來產生分別調整作為調整電抗器的可變電感器601a、601b的值之第1指令值CNT1、第2指令值CNT2。第1指令值CNT1、第2指令值CNT2是分別被供給至可變電感器601a、601b。可變電感器601a、601b是分別按照第1指令值CNT1、第2指令值CNT2來變更自己的電感。
在圖27是模式性地表示本發明的第16實施形態的電漿處理裝置1的構成。第16實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖19所示的第10實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1與第2電壓V2能相等的方式，將調整電抗器的值調整。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2來產生分別調整作為調整電抗器的可變電容器604a、604b的值之第1指令值CNT1、第2指令值CNT2。第1指令值CNT1、第2指令值CNT2是分別被供給至可變電容器604a、604b。可變電容器604a、604b是分別按照第1指令值CNT1、第2指令值CNT2來變更自己的電容。
在圖28是模式性地表示本發明的第17實施形態的電漿處理裝置1的構成。第17實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖20所示的第11實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1與第2電壓V2能相等的方式，將調整電抗器的值調整。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2來產生分別調整作為調整電抗器的可變電容器605a、605b的值之第1指令值CNT1、第2指令值CNT2。第1指令值CNT1、第2指令值CNT2是分別被供給至可變電容器605a、605b。可變電容器605a、605b是分別按照第1指令值CNT1、第2指令值CNT2來變更自己的電容。
在圖29是模式性地表示本發明的第18實施形態的電漿處理裝置1的構成。第18實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖21所示的第12實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1與第2電壓V2能相等的方式，將調整電抗器的值調整。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2來產生分別調整作為調整電抗器的可變電感器607a、607b的值之第1指令值CNT1、第2指令值CNT2。第1指令值CNT1、第2指令值CNT2是分別被供給至可變電感器607a、607b。可變電感器607a、607b是分別按照第1指令值CNT1、第2指令值CNT2來變更自己的電感。
在圖30是模式性地表示本發明的第19實施形態的電漿處理裝置1的構成。第19實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖22所示的第13實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1與第2電壓V2能相等的方式，將調整電抗器的值調整。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2來產生調整作為調整電抗器的可變電感器608的值之指令值CNT。指令值CNT是被供給至可變電感器608。可變電感器608是按照指令值來變更自己的電感。
在圖31是模式性地表示本發明的第20實施形態的電漿處理裝置1的構成。第20實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖23所示的第14實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1與第2電壓V2能相等的方式，將調整電抗器的值調整。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2來產生作為調整電抗器的調整可變電容器609的值之指令值CNT。指令值CNT是被供給至可變電容器609。可變電容器609是按照指令值CNT來變更自己的電容。
在圖32是模式性地表示本發明的第21實施形態的電漿處理裝置1的構成。第21實施形態的電漿處理裝置1是可作為蝕刻基板112a、112b的蝕刻裝置動作。第21實施形態的電漿處理裝置1是第1電極105a、第2電極105b會分別保持蝕刻對象的第1基板112a、第2基板112b，第3電極141不會保持基板的點，與第8實施形態的電漿處理裝置1不同，其他的點是可具有與第8實施形態的電漿處理裝置1同樣的構成。
在1個的構成例中，電漿處理裝置1，作為影響被施加於第1電極105a的第1電壓與被施加於第2電極105b的第2電壓的關係之調整電抗器，包含：(a)被配置於連接第1平衡端子211與第1電極105a的第1路徑PTH1之可變電抗器511a、(b)被配置於第1電極105a與接地之間的可變電抗器521a、(c)被配置於連接第2平衡端子212與第2電極105b的第2路徑PTH2之可變電抗器511b、(d)被配置於第2電極105b與接地之間的可變電抗器521b、及(e)連接第1路徑PTH1與第2路徑PTH2的可變電抗器530之至少1個。
藉由調整影響被施加於第1電極105a的第1電壓與被施加於第2電極105b的第2電壓的關係之調整電抗器的值，可調整第1基板112a的蝕刻量分佈及第2基板112b的蝕刻量分佈。或，藉由調整影響被施加於第1電極105a的第1電壓與被施加於第2電極105b的第2電壓的關係之調整電抗器的值，可將第1基板112a的蝕刻量分佈與第2基板112b的蝕刻量分佈形成相同。
另外，在參照圖26～31說明的第15～第20實施形態中，在標靶109a、109b的對向面配置有電極，但亦可構成為不被電極限定，配置有被稱為所謂Carousel型的型式的電漿裝置的圓筒形的基板旋轉座(holder)(例如日本特開2003-1555526，特開昭62-133065)或被稱為所謂In-Line型的型式的電漿裝置的矩形形狀等的基板托盤(例如日本特許5824072、特開2011-144450)。
在參照圖26～圖31說明的第15～第20實施形態中，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2來將調整電抗器的值調整。亦可取代如此的構成，構成為控制部700會根據第1電極105a的附近的電漿強度及第2電極105b的附近的電漿強度來將調整電抗器調整。第1電極105a的附近的電漿強度是可例如藉由光電變換裝置來檢測出。同樣，第2電極105b的附近的電漿強度是可例如藉由光電變換裝置來檢測出。可被構成為控制部700是根據第1電極105a的附近的電漿強度及第2電極105b的附近的電漿強度，例如，以第1電極105a的附近的電漿強度與第2電極105b的附近的電漿強度會相等的方式，將調整電抗器的值調整。
其次，說明作為本發明的第22實施形態的電漿處理方法。作為第22實施形態的電漿處理方法是在第8～第21實施形態的任一的電漿處理裝置1中處理基板112。該電漿處理方法是可包含：以被施加於第1電極105a的第1電壓與被施加於第2電極105b的第2電壓的關係能被調整的方式將調整電抗器調整的工程、及在該工程之後處理基板112的工程。該處理是可包含：在基板112藉由濺射來形成膜的工程、或蝕刻基板112的工程。
在圖33是模式性地表示本發明的第23實施形態的電漿處理裝置1的構成。第23實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖18所示的第9實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，將調整電抗器的值調整。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，以第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，產生分別調整作為調整電抗器的可變電感器601a、601b的值之第1指令值CNT1、第2指令值CNT2。在此，第1目標值與第2目標值是亦可為彼此相等的值，或亦可被設定為第1目標值與第2目標值的差分一致於目標差分值。控制部700是可包含測定第1電極105a的電壓的第1電壓V1及第2電極105b的電壓的第2電壓V2的測定部。或，如此的測定是亦可與控制部700分開設置。
控制部700是產生控制阻抗匹配電路102的指令值CNT3。控制部700是在點燃電漿時，以阻抗匹配電路102成為電漿的點燃用的阻抗之方式控制阻抗匹配電路102。又，控制部700是以在電漿的點燃後電漿會安定的方式，變更阻抗匹配電路102的阻抗。在電漿安定的狀態中，阻抗匹配電路102的阻抗是匹配於電漿產生時的本體10的側的阻抗Rp-jXp(從第1平衡端子211及第2平衡端子212的側來看第1電極105a及第2電極105b的側(本體10的側)時的阻抗)。此時的阻抗匹配電路102的阻抗是Rp+jXp。
控制部700是例如可藉由FPGA(Field Programmable Gate Array的簡稱)等的PLD(Programmable Logic Device的簡稱)，或ASIC(Application Specific Integrated Circuit的簡稱)，或安裝有程式的泛用或專用的電腦，或該等的全部或一部分的組合所構成。該程式是被儲存於記憶媒體(電腦可讀記憶媒體)，或可經由通訊線路提供。
在圖40是例示第23實施形態的電漿處理裝置1的動作。此動作是可藉由控制部700來控制。在工程S401中，控制部700是以阻抗匹配電路102的阻抗(Rpi+jXpi)被設定或變更成電漿的點燃用的阻抗(Rpi-jXpi)之方式決定指令值CNT3，將該指令值CNT3供給至阻抗匹配電路102。阻抗匹配電路102是按照指令值CNT3來設定或變更自己的阻抗。
然後，在工程S402(點燃工程)中，控制部700是在阻抗匹配電路102的阻抗被設定成電漿的點燃用的阻抗之狀態下，將高頻電源402起動(ON)，使高頻產生。高頻電源402所產生的高頻是經由阻抗匹配電路102、巴倫103、調整電抗器(可變電感器601a、601b、電容器602a、602b)來供給至第1電極105a及第2電極105b。藉此，電漿會被點燃。
在工程S403(匹配工程)中，控制部700是以在電漿的點燃後電漿會安定的方式，變更阻抗匹配電路102的阻抗。具體而言，在工程S403中，控制部700是以電漿安定的阻抗會被設定於阻抗匹配電路700的方式決定指令值CNT3，將該指令值CNT3供給至阻抗匹配電路700。在電漿安定的狀態中，阻抗匹配電路102的阻抗是匹配於電漿產生時的本體10的側(第1電極106及第2電極111的側)的阻抗Rp-jXp。此時的阻抗匹配電路102的阻抗是Rp+jXp。另外，Rp的值是與Rpi不同，Xp的值是與Xpi不同。
然後，在工程S404中，控制部700是取得第1電極105a的電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2。然後，在工程S405(調整工程)中，控制部700是根據第1電極105a的電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，以第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，產生分別調整作為可變電抗器的可變電感器601a、601b的值之第1指令值CNT1、第2指令值CNT2。第1指令值CNT1、第2指令值CNT2是分別被供給至可變電感器601a、601b。可變電感器601a、601b是分別按照第1指令值CNT1、第2指令值CNT2來調整或變更自己的電感。
在圖41是在電漿產生於真空容器110的內部空間的狀態下，從第1平衡端子211及第2平衡端子212的側來看第1電極105a及第2電極105b的側(本體10的側)時的電抗與第1電極105a及第2電極105b的電壓的關係。此電抗是相當於前述的-XP。如圖41所例示般，第1電極105a及第2電極105b的電壓是藉由變更調整電抗器的電抗，該等之間的大小關係更換。換言之，第1電極105a及第2電極105b的電壓對於電抗的變化的變化曲線是顯示互相交叉的特性。
在圖41所例示的特性是例如可藉由預先實驗或計算來決定。此情況，在工程S405中，控制部700是可根據此特性與第1電極105a的電壓V1及第2電極105b的電壓V2，以第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，產生分別調整可變電感器601a、601b的值之第1指令值CNT1、第2指令值CNT2。在圖41所例示的特性未預先被決定時，在工程S405中，控制部700是可根據第1電極105a的電壓V1及第2電極105b的電壓V2來微調整第1指令值CNT1、第2指令值CNT2。
然後，在工程S407中，控制部700是取得第1電極105a的電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2。然後，在工程S408中，控制部700是判斷是否第1電壓V1形成第1目標值，第2電壓V2形成第2目標值，當第1電壓V1形成第1目標值，第2電壓V2形成第2目標值時，前進至工程S409，不是時回到工程S405。在工程S409(處理工程)中，控制部700是以基板112會被處理的方式進行控制。該控制是例如可包含控制被配置於靶109a與基板112之間的擋板(shutter)(未圖示)及被配置於靶109b與基板112之間的擋板(未圖示)的開閉。圖40所示的處理是亦可手動實行。
在日本特開平2-156080號公報的圖3是記載具備高頻變壓器(Tr7)、匹配器(MB7)、真空容器(10)、第1靶(T5)、第2靶(T6)、高頻電壓產生器(OSC5)、電壓放大器(PA5)、基板夾具(21)及馬達(22)的濺射裝置。記載於日本特開平2-156080號公報的濺射裝置是配置於高頻變壓器(Tr7)與第1靶(T5)之間及高頻變壓器(Tr7)與第2靶(T7)之間的匹配器(MB7)具有可調整的電抗。
然而，在日本特開平2-156080號公報所記載的濺射裝置的匹配器(MB7)是無法使如上述的第23實施形態的調整電抗器(可變電感器601a、601b)般動作。原因是為了阻抗匹配，匹配器(MB7)是不可缺少，若容許自由地調整匹配器(MB7)的電抗，則為了阻抗匹配，無法使用匹配器(MB7)，也無法使電漿產生，也無法使電漿安定。
在此，在日本特開平2-156080號公報所記載的濺射裝置中產生的電漿(P5)是可理解成在靶(T5、T6)的附近具有被稱為鞘層(sheath)的離子過多的區域及接觸於彼的主體電漿(bulk plasma)的區域。鞘層是與電容器同樣地具有負的電抗成分，主體電漿是與電感器同樣地具有正的電抗成分。該等的電抗成分是依存於產生電漿的條件之施加電力、放電壓力、電極材料等。因此，電漿的電抗是取正的值或取負的值，且其絕對值也可變化。由於在日本特開平2-156080號公報所記載的濺射裝置是不具有第23實施形態所例示般的調整電抗器，因此無法控制2個的靶(T5、T6)，換言之，2個的電極的電壓之間的關係。
在圖34是模式性地表示本發明的第24實施形態的電漿處理裝置1的構成。第24實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖19所示的第10實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。作為第24實施形態未言及的事項是可按照第23實施形態。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，將調整電抗器的值調整。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，以第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，產生分別調整作為調整電抗器的可變電容器604a、604b的值之第1指令值CNT1、第2指令值CNT2。第1指令值CNT1、第2指令值CNT2是分別被供給至可變電容器604a、604b。可變電容器604a、604b是分別按照第1指令值CNT1、第2指令值CNT2來變更自己的電容。又，控制部700是產生控制阻抗匹配電路102的指令值CNT3。控制部700是可包含測定第1電極105a的電壓的第1電壓V1及第2電極105b的電壓的第2電壓V2的測定部。或，如此的測定是亦可與控制部700分開設置。
在圖35是模式性地表示本發明的第25實施形態的電漿處理裝置1的構成。第25實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖20所示的第25實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，將調整電抗器的值調整。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，以第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，產生分別調整作為調整電抗器的可變電容器605a、605b的值之第1指令值CNT1、第2指令值CNT2。在此，第1目標值與第2目標值是亦可為彼此相等的值，或亦可設定為第1目標值與第2目標值的差分一致於目標差分值。第1指令值CNT1、第2指令值CNT2是分別被供給至可變電容器605a、605b。可變電容器605a、605b是分別按照第1指令值CNT1、第2指令值CNT2來變更自己的電容。控制部700是可包含測定第1電極105a的電壓的第1電壓V1及第2電極105b的電壓的第2電壓V2的測定部。或，如此的測定是亦可與控制部700分開設置。
在圖36是模式性地表示本發明的第26實施形態的電漿處理裝置1的構成。第26實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖21所示的第12實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。作為第26實施形態未言及的事項是可按照第23實施形態。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，將調整電抗器的值調整。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，以第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，產生分別調整作為調整電抗器的可變電感器607a、607b的值之第1指令值CNT1、第2指令值CNT2。第1指令值CNT1、第2指令值CNT2是分別被供給至可變電感器607a、607b。可變電感器607a、607b是分別按照第1指令值CNT1、第2指令值CNT2來變更自己的電感。又，控制部700是產生控制阻抗匹配電路102的指令值CNT3。控制部700是可包含測定第1電極105a的電壓的第1電壓V1及第2電極105b的電壓的第2電壓V2的測定部。或，如此的測定是亦可與控制部700分開設置。
在圖37是模式性地表示本發明的第27實施形態的電漿處理裝置1的構成。第27實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖22所示的第13實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。作為第27實施形態未言及的事項是可按照第23實施形態。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，將調整電抗器的值調整。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，以第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，產生調整作為調整電抗器的可變電感器608的值之指令值CNT。指令值CNT是被供給至可變電感器608。可變電感器608是按照指令值來變更自己的電感。又，控制部700是產生控制阻抗匹配電路102的指令值CNT3。控制部700是可包含測定第1電極105a的電壓的第1電壓V1及第2電極105b的電壓的第2電壓V2的測定部。或，如此的測定是亦可與控制部700分開設置。
在圖38是模式性地表示本發明的第28實施形態的電漿處理裝置1的構成。第28實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖23所示的第14實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。作為第28實施形態未言及的事項是可按照第23實施形態。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，將調整電抗器的值調整。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，以第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值，產生調整作為調整電抗器的可變電容器609的值之指令值CNT。指令值CNT是被供給至可變電容器609。可變電容器609是按照指令值CNT來變更自己的電容。又，控制部700是產生控制阻抗匹配電路102的指令值CNT3。控制部700是可包含測定第1電極105a的電壓的第1電壓V1及第2電極105b的電壓的第2電壓V2的測定部。或，如此的測定是亦可與控制部700分開設置。
在圖39是模式性表示本發明的第29實施形態的電漿處理裝置1的構成。第29實施形態的電漿處理裝置1是可作為蝕刻基板112a、112b的蝕刻裝置動作。第29實施形態的電漿處理裝置1有關控制部700以外是可具有與第21實施形態的電漿處理裝置1同樣的構成。作為第29實施形態未言及的事項是可按照第23實施形態。
在1個的構成例中，電漿處理裝置1是包含：(a)被配置於連接第1平衡端子211與第1電極105a的第1路徑PTH1之可變電抗器511a、(b)被配置於第1電極105a與接地之間的可變電抗器521a、(c)被配置於連接第2平衡端子212與第2電極105b的第2路徑PTH2之可變電抗器511b、(d)被配置於第2電極105b與接地之間的可變電抗器521b、及(e)連接第1路徑PTH1與第2路徑PTH2的可變電抗器530的至少1個，作為影響被施加於第1電極105a的第1電壓與被施加於第2電極105b的第2電壓的關係之調整電抗器。
藉由調整影響被施加於第1電極105a的第1電壓與被施加於第2電極105b的第2電壓的關係之調整電抗器的值，可調整第1基板112a的蝕刻量分佈及第2基板112b的蝕刻量分佈。或，藉由調整影響被施加於第1電極105a的第1電壓與被施加於第2電極105b的第2電壓的關係之調整電抗器的值，可將第1基板112a的蝕刻量分佈與第2基板112b的蝕刻量分佈設為相同。
另外，參照圖33～39說明的第23～第29實施形態是在靶109a、109b的對向面配置有電極，但不限於電極，亦可被構成為配置有所謂旋轉式型的樣式的電漿裝置的圓筒形的基板旋轉座架(例如，日本特開2003-1555526、特開昭62-133065)或所謂一列式型的樣式的電漿裝置的矩形形狀等的基板托盤(例如，日本特許5824072、特開2011-144450)。
在參照圖33～圖39說明的第23～第29實施形態中，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2來將調整電抗器的值調整。亦可取代如此的構成，構成為控制部700是根據第1電極105a的附近的電漿強度及第2電極105b的附近的電漿強度來將調整電抗器調整。第1電極105a的附近的電漿強度是可例如藉由光電變換裝置來檢測出。同樣，第2電極105b的附近的電漿強度是可例如藉由光電變換裝置來檢測出。可被構成為控制部700是根據第1電極105a的附近的電漿強度及第2電極105b的附近的電漿強度，例如，以第1電極105a的附近的電漿強度與第2電極105b的附近的電漿強度會相等的方式，將調整電抗器的值調整。
在圖42是模式性地表示本發明的第30實施形態的電漿處理裝置1的構成。第30實施形態的電漿處理裝置是可作為藉由濺射來將膜形成於基板112的濺射裝置動作。作為第30實施形態的電漿處理裝置1未言及的事項是可按照第1～第29實施形態。第30實施形態的電漿處理裝置1是具備巴倫(第1巴倫)103、真空容器110、第1電極105a及第2電極105b。或，亦可理解為電漿處理裝置1是具備巴倫103及本體10，本體10具備真空容器110、第1電極105a及第2電極105b者。本體10是具有第1端子251及第2端子252。
第1電極105a是可具有保持作為第1構件的第1靶109a的第1保持面HS1，第2電極105b是可具有保持作為第2構件的第2靶109b的第2保持面HS2。第1保持面HS1及第2保持面HS2是可屬於1個的平面PL。
第30實施形態的電漿處理裝置1是亦可更具備第2巴倫303、第3電極141及第4電極145。換言之，電漿處理裝置1是可具備第1巴倫103、第2巴倫303、真空容器110、第1電極105a、第2電極105b、第3電極141及第4電極145。或，亦可理解為電漿處理裝置1是具備第1巴倫103、第2巴倫303及本體10，本體10具備真空容器110、第1電極105a、第2電極105b、第3電極141及第4電極145者。本體10是具有第1端子251、第2端子252、第3端子451、第4端子452。
第1巴倫103是具有第1不平衡端子201、第2不平衡端子202、第1平衡端子211及第2平衡端子212。在第1巴倫103的第1不平衡端子201及第2不平衡端子202的側是連接不平衡電路，在第1巴倫103的第1平衡端子211及第2平衡端子212的側是連接平衡電路。第2巴倫303是可具有與第1巴倫103同樣的構成。第2巴倫303是具有第3不平衡端子401、第4不平衡端子402、第3平衡端子411及第4平衡端子412。在第2巴倫303的第3不平衡端子401及第4不平衡端子402的側是連接不平衡電路，在第2巴倫303的第3平衡端子411及第4平衡端子412的側是連接平衡電路。真空容器110是被接地。巴倫103、303是例如可具有記載於圖2A、2B(圖14)的構成。
第1電極105a是保持第1靶109a，經由第1靶109a來與處理對象的基板112的側的空間對向。第2電極105b是配置於第1電極105a的旁邊，保持第2靶109b，經由第2靶109b來與處理對象的基板112的側的空間對向。靶109a及109b是例如可為絕緣體材料或導電體材料。第1電極105a是被電性連接至第1巴倫103的第1平衡端子211，第2電極105b是被電性連接至第1巴倫103的第2平衡端子212。
第3電極141是保持基板112。第4電極145是可配置於第3電極141的周圍。第3電極141是被電性連接至第2巴倫303的第1平衡端子411，第4電極145是電性連接至第2巴倫303的第2平衡端子412。
上述的構成是可理解為第1電極105a被電性連接至第1端子251，第2電極105b被電性連接至第2端子252，第1端子251被電性連接至第1巴倫103的第1平衡端子211，第2端子252被電性連接至第1巴倫103的第2平衡端子212的構成。又，上述的構成是可被理解為第3電極141被電性連接至第3端子451，第4電極145被電性連接至第4端子452，第3端子451被電性連接至第2巴倫303的第1平衡端子411，第4端子452被電性連接至第2巴倫303的第2平衡端子412者。
第1電極105a與第1巴倫103的第1平衡端子211(第1端子251)是可藉由第1路徑PTH1來電性連接。在第1路徑PTH1是可配置有電抗511a。換言之，第1電極105a與第1巴倫103的第1平衡端子211(第1端子251)是可經由電抗511a來電性連接。電抗511a是可包含電容器，該電容器是在第1巴倫103的第1平衡端子211與第1電極105a之間(或第1巴倫103的第1平衡端子211與第2平衡端子212之間)可作為遮斷直流電流的阻塞電容器機能。第2電極105b與第1巴倫103的第2平衡端子212(第2端子252)是可藉由第2路徑PTH2來電性連接。在第2路徑PTH2是可配置電抗511b。換言之，第2電極105b與第1巴倫103的第2平衡端子212(第3端子252)是可經由電抗511b來電性連接。電抗511b是可包含電容器，該電容器是在第1巴倫103的第2平衡端子212與第2電極105b之間(或第1巴倫103的第1平衡端子211與第2平衡端子212之間)可作為遮斷直流電流的阻塞電容器機能。第1電極105a、第2電極105b是可分別隔著絕緣體132a、132b來藉由真空容器110所支撐。
電漿處理裝置1是可具備配置於第1電極105a與接地之間的電抗521a。電漿處理裝置1是可具備配置於第2電極105b與接地之間的電抗521b。電漿處理裝置1是可具備連接第1路徑PTH1與第2路徑PTH2的電抗530。
在1個的構成例中，電漿處理裝置1是包含：(a)被配置於連接第1平衡端子211與第1電極105a的第1路徑PTH1之電抗511a、(b)被配置於第1電極105a與接地之間的電抗521a、(c)被配置於連接第2平衡端子212與第2電極105b的第2路徑PTH2之電抗511b、(d)被配置於第2電極105b與接地之間的電抗521b、及(e)連接第1路徑PTH1與第2路徑PTH2的電抗530的至少1個，作為影響被施加於第1電極105a的第1電壓與被施加於第2電極105b的第2電壓的關係。
第3電極141與第2巴倫303的第1平衡端子411(第3端子451)是可經由阻塞電容器304來電性連接。阻塞電容器304是在第2巴倫303的第1平衡端子411與第3電極141之間(或第2巴倫303的第1平衡端子411與第2平衡端子412之間)遮斷直流電流。亦可構成為第2阻抗匹配電路302會遮斷流動於第2巴倫303的第1不平衡端子401與第2不平衡端子402之間的直流電流，取代設置阻塞電容器304。第3電極141、第4電極145是可分別隔著絕緣體142、146來藉由真空容器110所支撐。
電漿處理裝置1是可具備產生被供給至第1不平衡端子201與第2不平衡端子202之間的高頻之第1高頻電源101。高頻電源101是可變更被供給至第1不平衡端子201與第2不平衡端子202之間的高頻的頻率。藉由變更該頻率，可調整被施加於第1電極105a的第1電壓及被施加於第2電極105b的第2電壓。或，藉由變更該頻率，可調整被施加於第1電極105a的第1電壓與被施加於第2電極105b的第2電壓的關係。
因此，藉由調整該頻率，可調整第1靶109a所濺射的量與第2靶109b所濺射的量的關係。或，藉由調整該頻率，可調整第1靶109a所濺射的量與第2靶109b所濺射的量的平衡。藉由，可調整第1靶109a的消費量與第2靶109b的消費量的關係。或，可調整第1靶109a的消費量與第2靶109b的消費量的平衡。如此的構成是例如有利為了將第1靶109a的更換時機與第2靶109b的更換時機設為相同時機，減低電漿處理裝置1的停機時間。又，藉由調整該頻率，亦可調整被形成於基板112的膜的厚度分佈。
電漿處理裝置1是可更具備配置於第1高頻電源101與第1巴倫103之間的第1阻抗匹配電路102。第1高頻電源101是經由第1阻抗匹配電路102、第1巴倫103及第1路徑PTH1來供給高頻至第1電極105a與第2電極105b之間。或，第1高頻電源101是經由第1阻抗匹配電路102、第1巴倫103來供給高頻至本體10的第1端子251與第2端子252之間。第1巴倫103以及第1電極105a及第2電極105b是構成供給高頻至真空容器110的內部空間的第1高頻供給部。
電漿處理裝置1是可具備第2高頻電源301、及配置於第2高頻電源301與第2巴倫303之間的第2阻抗匹配電路302。第2高頻電源301是經由第2阻抗匹配電路302來供給高頻至第2巴倫303的第1不平衡端子401與第2不平衡端子402之間。第2高頻電源301是經由第2阻抗匹配電路302、第2巴倫303及阻塞電容器304來供給高頻至第3電極141與第4電極145之間。或，第2高頻電源301是經由第2阻抗匹配電路302、第2巴倫303來供給高頻至本體10的第3端子451與第4端子452之間。第2巴倫303以及第3電極141及第4電極145是構成供給高頻至真空容器110的內部空間的第2高頻供給部。
藉由來自第1高頻電源101的高頻的供給，在真空容器110的內部空間產生電漿的狀態下，將由第1巴倫103的第1平衡端子211及第2平衡端子212的側來看第1電極105a及第2電極105b的側(本體10的側)時的阻抗設為Rp1-jXp1。並且，將第1巴倫103的第1線圈221的阻抗的電抗成分(電感成分)設為X1。在此定義中，符合1.5≦X1/Rp1≦5000是特別有利於為了使形成於真空容器110的內部空間的電漿的電位安定。但，符合1.5≦X/Rp1≦5000的條件，在第30實施形態中不是必須，為有利的條件想要被留意。在第30實施形態中，藉由設置巴倫103，要比不設巴倫103的情況亦可使電漿的電位安定。又，藉由設置可變更產生的高頻的頻率的高頻電源101，可調整第1靶109a所濺射的量與第2靶109b所濺射的量的關係。
又，藉由來自第2高頻電源301的高頻的供給，在真空容器110的內部空間產生電漿的狀態下，將由第2巴倫303的第1平衡端子411及第2平衡端子412的側來看第3電極141及第4電極145的側(本體10的側)時的阻抗設為Rp2-jXp2。並且，將第2巴倫303的第1線圈221的阻抗的電抗成分(電感成分)設為X2。在此定義中，符合1.5≦X2/Rp2≦5000是特別有利於為了使被形成於真空容器110的內部空間的電漿的電位安定。但，符合1.5≦X/Rp2≦5000的條件，在第30實施形態中不是必須，為有利的條件想要被留意。
以下，一邊參照圖43～圖48，一邊說明將第29實施形態的電漿處理裝置1具體化的第31～第34實施形態。在圖43是模式性地表示本發明的第31實施形態的電漿處理裝置1的構成。作為第31實施形態未言及的事項是可按照第30實施形態。第31實施形態的電漿處理裝置1是包含配置於第1路徑PTH1的電抗511a及配置於第2路徑PTH2的電抗511b的至少1個。在此，電漿處理裝置1是包含配置於第1路徑PTH1的電抗511a及配置於第2路徑PTH2的電抗511b的雙方為理想。
第1電抗511a是可包含電感器601a及電容器602a。電感器601a是亦可配置於第1平衡端子211(第1端子251)與電容器602a之間，亦可配置於電容器602a與第1電極105a之間。第2電抗511b是可包含電感器601b及電容器602b。電感器601b是亦可配置於第2平衡端子212(第2端子252)與電容器602b之間，亦可配置於電容器602b與第2電極105b之間。
在圖47是表示在第31實施形態的電漿處理裝置1中，將高頻電源101所產生的高頻的頻率設定於12.56MHz時被形成於基板112的膜之被正規化的厚度分佈。又，在圖47是表示在第31實施形態的電漿處理裝置1中，將高頻電源101所產生的高頻的頻率設定於13.56MHz時被形成於基板112的膜之被正規化的厚度分佈。橫軸是圖43的橫方向(與基板112的表面平行的方向)的位置，表示離基板112的中心的距離。當高頻電源101所產生的高頻的頻率為12.56MHz時，在基板112的中心的左側及右側，膜的厚度分佈大不同。另一方面，當高頻電源101所產生的高頻的頻率為13.56MHz時，在基板112的中心的左側及右側，膜的厚度分佈的對稱性高。高頻電源101所產生的高頻的頻率為13.56MHz時，給予第1電極105a的第1電壓與給予第2電極105b的第2電壓的平衡，要比高頻電源101所產生的高頻的頻率為12.56MHz時更佳。
在圖48是例示在第30實施形態的電漿處理裝置1中，使高頻電源101所產生的高頻的頻率變化時的第1電極105a的電壓(第1電壓)及第2電極105b的電壓(第2電壓)。藉由使高頻電源101所產生的高頻的頻率變化，可調整第1電極105a的電壓(第1電壓)及第2電極105b的電壓(第2電壓)。或，藉由使高頻電源101所產生的高頻的頻率變化，可調整第1電極105a的電壓(第1電壓)與第2電極105b的電壓(第2電壓)的關係。例如，高頻電源101所產生的高頻的頻率是可被調整為第1電極105a的電壓(第1電壓)與第2電極105b的電壓(第2電壓)形成相等。藉此，可將第1靶109a所濺射的量與第2靶109b所濺射的量設為相同。這例如有利為了將第1靶109a的更換時機與第2靶109b的更換時機設為相同時機，減低電漿處理裝置1的停機時間。
在圖44是模式性地表示本發明的第32實施形態的電漿處理裝置1的構成。作為第32實施形態未言及的事項是可按照第30實施形態。第32實施形態的電漿處理裝置1是具備配置於第1電極105a與接地之間的電抗521a及配置於第2電極105b與接地之間的電抗521b的至少1個。電抗521a是例如可包含電感器607a及電容器606a。電抗521b是例如可包含電感器607b及電容器606b。
電漿處理裝置1是可更具備配置於第1路徑PTH1的電抗511a(在此例是電感器603a、電容器602a)及配置於第2路徑PTH2的電抗511b(在此例是電感器603b、電容器602b)。
在圖45是模式性地表示本發明的第33實施形態的電漿處理裝置1的構成。作為第33實施形態未言及的事項是可按照第30實施形態。第33實施形態的電漿處理裝置1是具備作為連接第1路徑PTH1與第2路徑PTH2的電抗530之電感器608。電漿處理裝置1是可更具備配置於第1路徑PTH1的電抗511a(在此例是電感器603a、電容器602a)及配置於第2路徑PTH2的電抗511b(在此例是電感器603b、電容器602b)。
在圖46是模式性地表示本發明的第33實施形態的電漿處理裝置1的構成。作為第33實施形態未言及的事項是可按照第30實施形態。第33實施形態的電漿處理裝置1是具備作為連接第1路徑PTH1與第2路徑PTH2的可變電抗器530之電容器609。電漿處理裝置1是可更具備配置於第1路徑PTH1的電抗511a(在此例是電感器603a、電容器602a)及配置於第2路徑PTH2的電抗511b(在此例是電感器603b、電容器602b)。
另外，參照圖43～圖48說明的第30～第33實施形態是在靶109a、109b的對向面配置有電極，但不限於電極，亦可被構成為配置有所謂旋轉式型的樣式的電漿裝置的圓筒形的基板旋轉座架(例如，日本特開2003-1555526、特開昭62-133065)或所謂一列式型的樣式的電漿裝置的矩形形狀等的基板托盤(例如，日本特許5824072、特開2011-144450)。
以下，一邊參照圖49～圖53，一邊說明根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2來將高頻電源101所產生的高頻的頻率調整的動作。在圖49是模式性地表示本發明的第35實施形態的電漿處理裝置1的構成。第35實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖43所示的第31實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1與第2電壓V2形成相等的方式，調整高頻電源101所產生的高頻的頻率。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，以調整電抗器的值會變化的方式，產生調整高頻電源101所產生的高頻的頻率之指令值CNT。指令值CNT是被供給至高頻電源101。高頻電源101是按照指令值CNT來變更自己所產生的高頻的頻率。控制部700是可包含測定第1電極105a的電壓的第1電壓V1及第2電極105b的電壓的第2電壓V2的測定部。或，如此的測定是亦可與控制部700分開設置。
在圖50是模式性地表示本發明的第36實施形態的電漿處理裝置1的構成。第36實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖44所示的第32實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1與第2電壓V2形成相等的方式，調整高頻電源101所產生的高頻的頻率。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，以調整電抗器的值會變化的方式，產生調整高頻電源101所產生的高頻的頻率之指令值CNT。指令值CNT是被供給至高頻電源101。高頻電源101是按照指令值CNT來變更自己所產生的高頻的頻率。控制部700是可包含測定第1電極105a的電壓的第1電壓V1及第2電極105b的電壓的第2電壓V2的測定部。或，如此的測定是亦可與控制部700分開設置。
在圖51是模式性地表示本發明的第37實施形態的電漿處理裝置1的構成。第37實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖45所示的第33實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1與第2電壓V2形成相等的方式，調整高頻電源101所產生的高頻的頻率。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，以調整電抗器的值會變化的方式，產生調整高頻電源101所產生的高頻的頻率之指令值CNT。指令值CNT是被供給至高頻電源101。高頻電源101是按照指令值CNT來變更自己所產生的高頻的頻率。控制部700是可包含測定第1電極105a的電壓的第1電壓V1及第2電極105b的電壓的第2電壓V2的測定部。或，如此的測定是亦可分開設置控制部700。
在圖52是模式性地表示本發明的第38實施形態的電漿處理裝置1的構成。第38實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖46所示的第34實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1與第2電壓V2形成相等的方式，調整高頻電源101所產生的高頻的頻率。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，以調整電抗器的值會變化的方式，產生調整高頻電源101所產生的高頻的頻率之指令值CNT。指令值CNT是被供給至高頻電源101。高頻電源101是按照指令值CNT來變更自己所產生的高頻的頻率。控制部700是可包含測定第1電極105a的電壓的第1電壓V1及第2電極105b的電壓的第2電壓V2的測定部。或，如此的測定是亦可與控制部700分開設置。
在圖53是模式性地表示本發明的第39實施形態的電漿處理裝置1的構成。第39實施形態的電漿處理裝置1是可作為蝕刻基板112a、112b的蝕刻裝置動作。第39實施形態的電漿處理裝置1是第1電極105a、第2電極105b分別保持蝕刻對象的第1基板112a、第2基板112b，第3電極141不保持基板的點，與第30實施形態的電漿處理裝置1不同，其他的點是可具有與第30實施形態的電漿處理裝置1同樣的構成。
在1個的構成例中，電漿處理裝置1是包含(a)被配置於連接第1平衡端子211與第1電極105a的第1路徑PTH1之電抗511a、(b)被配置於第1電極105a與接地之間的電抗521a、(c)被配置於連接第2平衡端子212與第2電極105b的第2路徑PTH2之電抗511b、(d)被配置於第2電極105b與接地之間的電抗521b、及(e)連接第1路徑PTH1與第2路徑PTH2的電抗530的至少1個，作為影響被施加於第1電極105a的第1電壓與被施加於第2電極105b的第2電壓的關係之調整電抗器。
藉由調整高頻電源101所產生的高頻的頻率，可調整第1基板112a的蝕刻量分佈及第2基板112b的蝕刻量分佈。或，藉由調整高頻電源101所產生的高頻的頻率，可將第1基板112a的蝕刻量分佈與第2基板112b的蝕刻量分佈設為相同。
另外，參照圖49～圖53說明的第35～第39實施形態是在靶109a、109b的對向面配置有電極，但不限於電極，亦可被構成為配置有所謂旋轉式型的樣式的電漿裝置的圓筒形的基板旋轉座架(例如，日本特開2003-1555526、特開昭62-133065)或所謂一列式型的樣式的電漿裝置的矩形形狀等的基板托盤(例如，日本特許5824072、特開2011-144450)。
在參照圖49～圖53說明的第35～第39實施形態中，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2來調整高頻電源101所產生的高頻的頻率。亦可取代如此的構成，構成為控制部700是根據第1電極105a的附近的電漿強度及第2電極105b的附近的電漿強度來調整高頻電源101所產生的高頻的頻率。第1電極105a的附近的電漿強度是可例如藉由光電變換裝置來檢測出。同樣，第2電極105b的附近的電漿強度是可例如藉由光電變換裝置來檢測出。可被構成為控制部700是根據第1電極105a的附近的電漿強度及第2電極105b的附近的電漿強度，例如，以第1電極105a的附近的電漿強度與第2電極105b的附近的電漿強度會相等的方式，調整高頻電源101所產生的高頻的頻率。
其次，說明作為本發明的第40實施形態的電漿處理方法。作為第40實施形態的電漿處理方法是在第30～第39實施形態的任一個的電漿處理裝置1中處理基板112。該電漿處理方法是可包含：以能調整被施加於第1電極105a的第1電壓與被施加於第2電極105b的第2電壓的關係之方式調整高頻電源101所產生的高頻的頻率的工程、及在該工程之後處理基板112的工程。該處理是可包含在基板112藉由濺射來形成膜的工程或蝕刻基板112的工程。
在圖54是模式性地表示本發明的第41實施形態的電漿處理裝置1的構成。第41實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖43所示的第31實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，調整高頻電源101所產生的高頻的頻率。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，以第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，且調整電抗器的值會變化的方式，產生調整高頻電源101所產生的高頻的頻率之指令值CNTosc。指令值CNTosc是被供給至高頻電源101。高頻電源101是按照指令值CNTosc來變更自己所產生的高頻的頻率。控制部700是可包含測定第1電極105a的電壓的第1電壓V1及第2電極105b的電壓的第2電壓V2的測定部。或，如此的測定是亦可與控制部700分開設置。
控制部700是產生控制阻抗匹配電路102的指令值CNTmb。控制部700是在點燃電漿時，以阻抗匹配電路102成為電漿的點燃用的阻抗之方式控制阻抗匹配電路102。又，控制部700是以在電漿的點燃後電漿會安定的方式，變更阻抗匹配電路102的阻抗。在電漿安定的狀態中，阻抗匹配電路102的阻抗是匹配於電漿產生時的本體10的側的阻抗Rp-jXp(從第1平衡端子211及第2平衡端子212的側來看第1電極105a及第2電極105b的側(本體10的側)時的阻抗)。此時的阻抗匹配電路102的阻抗是Rp+jXp。
控制部700是例如可藉由FPGA(Field Programmable Gate Array的簡稱)等的PLD(Programmable Logic Device的簡稱)，或ASIC(Application Specific Integrated Circuit的簡稱)，或安裝有程式的泛用或專用的電腦，或該等的全部或一部分的組合所構成。該程式是被儲存於記憶媒體(電腦可讀記憶媒體)，或可經由通訊線路提供。
在圖40是例示第39實施形態的電漿處理裝置1的動作。此動作是可藉由控制部700來控制。在工程S401中，控制部700是以阻抗匹配電路102的阻抗會被設定或變更成電漿的點燃用的阻抗之方式，將指令值CNTmb供給至阻抗匹配電路102。阻抗匹配電路102是按照指令值CNTmb來設定或變更自己的阻抗。
然後，在工程S402(點燃工程)中，控制部700是在阻抗匹配電路102的阻抗被設定成電漿的點燃用的阻抗之狀態下，將高頻電源402起動(ON)，使高頻產生。高頻電源402所產生的高頻是經由阻抗匹配電路102、巴倫103、調整電抗器(可變電感器601a、601b、電容器602a、602b)來供給至第1電極105a及第2電極105b。藉此，電漿會被點燃。
在工程S403(匹配工程)中，控制部700是以在電漿的點燃後電漿會安定的方式，變更阻抗匹配電路102的阻抗。具體而言，在工程S403中，控制部700是以電漿安定的阻抗會被設定於阻抗匹配電路700的方式決定指令值CNTmb，將指令值CNTmb供給至阻抗匹配電路700。阻抗匹配電路102是按照指令值CNTmb來設定或變更自己的阻抗。
然後，在工程S404中，控制部700是取得第1電極105a的電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2。然後，在工程S405(調整工程)中，控制部700是根據第1電極105a的電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，以第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，且以作為可變電抗的可變電感器601a、601b的值分別被調整的方式，產生指令值CNTosc。指令值CNTosc是被供給至高頻電源402。高頻電源101是按照指令值CNTosc來變更自己產生的高頻的頻率。
在圖59是例示高頻電源101所產生的高頻的頻率與第1電極105a及第2電極105b的電壓的關係。此電抗是相當於前述的-XP。如圖59所例示般，第1電極105a及第2電極105b的電壓是藉由高頻電源101所產生的高頻的頻率的變更而調整電抗器的電抗變化，藉此該等之間的大小關係更換。換言之，第1電極105a及第2電極105b的電壓對於高頻電源101所產生的高頻的頻率的變化的變化曲線是顯示互相交叉的特性。
在圖59所例示的特性是例如預先藉由實驗或計算來決定。此情況，在工程S405中，控制部700是可根據此特性與第1電極105a的電壓V1及第2電極105b的電壓V2，以第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，產生調整高頻電源101所產生的高頻的頻率之指令值CNTosc。在圖59所例示的特性未預先被決定時，在工程S405中，控制部700是可根據第1電極105a的電壓V1及第2電極105b的電壓V2來微調整指令值CNTosc。
然後，在工程S407中，控制部700是取得第1電極105a的電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2。然後，在工程S408中，控制部700是判斷是否第1電壓V1形成第1目標值，第2電壓V2形成第2目標值，當第1電壓V1形成第1目標值，第2電壓V2形成第2目標值時，前進至工程S409，不是時回到工程S405。在工程S409(處理工程)中，控制部700是以基板112會被處理的方式進行控制。該控制是例如可包含控制被配置於靶109a與基板112之間的擋板(shutter)(未圖示)及被配置於靶109b與基板112之間的擋板(未圖示)的開閉。圖40所示的處理是亦可手動實行。
在圖55是模式性地表示本發明的第42實施形態的電漿處理裝置1的構成。第42實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖44所示的第32實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。作為第42實施形態未言及的事項是可按照第41實施形態。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1會形成第1目標值，第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，調整高頻電源101所產生的高頻的頻率。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，以調整電抗器的值會變化的方式，產生調整高頻電源101所產生的高頻的頻率之指令值CNTosc。指令值CNTosc是被供給至高頻電源101。高頻電源101是按照指令值CNTosc來變更自己所產生的高頻的頻率。
在圖56是模式性地表示本發明的第43實施形態的電漿處理裝置1的構成。第43實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖45所示的第33實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。作為第43實施形態未言及的事項是可按照第41實施形態。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1會形成第1目標值，第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，調整高頻電源101所產生的高頻的頻率。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，以調整電抗器的值會變化的方式，產生調整高頻電源101所產生的高頻的頻率之指令值CNTosc。指令值CNTosc是被供給至高頻電源101。高頻電源101是按照指令值CNTosc來變更自己所產生的高頻的頻率。控制部700是可包含測定第1電極105a的電壓的第1電壓V1及第2電極105b的電壓的第2電壓V2的測定部。或，如此的測定是亦可與控制部700分開設置。
在圖57是模式性地表示本發明的第44實施形態的電漿處理裝置1的構成。第44實施形態的電漿處理裝置1是具有對於圖46所示的第34實施形態的電漿處理裝置1追加控制部700的構成。作為第42實施形態未言及的事項是可按照第41實施形態。控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，例如，以第1電壓V1會形成第1目標值，第1電壓V1會形成第1目標值，第2電壓V2會形成第2目標值的方式，調整高頻電源101所產生的高頻的頻率。例如，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2，以調整電抗器的值會變化的方式，產生調整高頻電源101所產生的高頻的頻率之指令值CNTosc。指令值CNTosc是被供給至高頻電源101。高頻電源101是按照指令值CNTosc來變更自己所產生的高頻的頻率。控制部700是可包含測定第1電極105a的電壓的第1電壓V1及第2電極105b的電壓的第2電壓V2的測定部。或，如此的測定是亦可與控制部700分開設置。
在圖58是模式性地表示本發明的第45實施形態的電漿處理裝置1的構成。第45實施形態的電漿處理裝置1是可作為蝕刻基板112a、112b的蝕刻裝置動作。第45實施形態的電漿處理裝置1是有關控制部700以外，可具有與第30實施形態的電漿處理裝置1同樣的構成。作為第45實施形態未言及的事項是可按照第41實施形態。
在1個的構成例中，電漿處理裝置1是包含：(a)被配置於連接第1平衡端子211與第1電極105a的第1路徑PTH1之電抗511a、(b)被配置於第1電極105a與接地之間的電抗521a、(c)被配置於連接第2平衡端子212與第2電極105b的第2路徑PTH2之電抗511b、(d)被配置於第2電極105b與接地之間的電抗521b、及(e)連接第1路徑PTH1與第2路徑PTH2的電抗530的至少1個，作為影響被施加於第1電極105a的第1電壓與被施加於第2電極105b的第2電壓的關係之調整電抗器。
藉由調整高頻電源101所產生的高頻的頻率，可調整第1基板112a的蝕刻量分佈及第2基板112b的蝕刻量分佈。或，藉由調整高頻電源101所產生的高頻的頻率，可將第1基板112a的蝕刻量分佈與第2基板112b的蝕刻量分佈設為相同。
另外，參照圖54～圖58說明的第41～第45實施形態是在靶109a、109b的對向面配置有電極，但不限於電極，亦可被構成為配置有所謂旋轉式型的樣式的電漿裝置的圓筒形的基板旋轉座架(例如，日本特開2003-1555526、特開昭62-133065)或所謂一列式型的樣式的電漿裝置的矩形形狀等的基板托盤(例如，日本特許5824072、特開2011-144450)。
在參照圖54～圖58說明的第41～第45實施形態中，控制部700是根據第1電極105a的第1電壓V1及第2電極105b的第2電壓V2來調整高頻電源101所產生的高頻的頻率。亦可取代如此的構成，構成為控制部700是根據第1電極105a的附近的電漿強度及第2電極105b的附近的電漿強度來調整高頻電源101所產生的高頻的頻率。第1電極105a的附近的電漿強度是可例如藉由光電變換裝置來檢測出。同樣，第2電極105b的附近的電漿強度是可例如藉由光電變換裝置來檢測出。可被構成為控制部700是根據第1電極105a的附近的電漿強度及第2電極105b的附近的電漿強度，例如，以第1電極105a的附近的電漿強度與第2電極105b的附近的電漿強度會相等的方式，調整高頻電源101所產生的高頻的頻率。
在圖60是模式性地表示本發明的第46實施形態的電漿處理裝置1的構成。第46實施形態的電漿處理裝置1是參照圖33～圖41說明的第23～第29實施形態的電漿處理裝置1的變形例。第46實施形態的電漿處理裝置1是更具備使保持基板112的第1電極141昇降的機構及使第1電極141旋轉的機構的至少一方。在圖60所示的例子中，電漿處理裝置1是具備包含使第1電極141昇降的機構及使第1電極141旋轉的機構的雙方之驅動機構114。在真空容器110與驅動機構114之間是設有構成真空隔壁的波紋管113。
在圖61是模式性地表示本發明的第47實施形態的電漿處理裝置1的構成。第47實施形態的電漿處理裝置1是參照圖42～圖59說明的第30～第45實施形態的電漿處理裝置1的變形例。第47實施形態的電漿處理裝置1是更具備使保持基板112的第1電極141昇降的機構及使第1電極141旋轉的機構的至少一方。在圖61所示的例子中，電漿處理裝置1是具備包含使第1電極141昇降的機構及使第1電極141旋轉的機構的雙方之驅動機構114。在真空容器110與驅動機構114之間是設有構成真空隔壁的波紋管113。
本發明是不限於上述實施形態，可不脫離本發明的精神及範圍實施各種的變更及變形。因此，為了將本發明的範圍公諸於世，而附上以下的請求項。
1‧‧‧電漿處理裝置 10‧‧‧本體 101‧‧‧高頻電源 102‧‧‧阻抗匹配電路 103‧‧‧巴倫 104‧‧‧阻塞電容器 106‧‧‧第1電極 107、108‧‧‧絕緣體 109‧‧‧靶 110‧‧‧真空容器 111‧‧‧第2電極 112‧‧‧基板 201‧‧‧第1不平衡端子 202‧‧‧第2不平衡端子 211‧‧‧第1平衡端子 212‧‧‧第2平衡端子 251‧‧‧第1端子 252‧‧‧第2端子 221‧‧‧第1線圈 222‧‧‧第2線圈 223‧‧‧第3線圈 224‧‧‧第4線圈 511a、511b、521a、521b、530‧‧‧可變電抗器 700‧‧‧控制部
圖1是模式性地表示本發明的第1實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖2A是表示巴倫的構成例的圖。 圖2B是表示巴倫的其他的構成例的圖。 圖3是說明巴倫103的機能的圖。 圖4是例示電流I1(=I2)、I2’、I3、ISO、α(=X/Rp)的關係的圖。 圖5A是表示模擬符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位及陰極電位的結果的圖。 圖5B是表示模擬符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位及陰極電位的結果的圖。 圖5C是表示模擬符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位及陰極電位的結果的圖。 圖5D是表示模擬符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位及陰極電位的結果的圖。 圖6A是表示模擬未符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位及陰極電位的結果的圖。 圖6B是表示模擬未符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位及陰極電位的結果的圖。 圖6C是表示模擬未符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位及陰極電位的結果的圖。 圖6D是表示模擬未符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位及陰極電位的結果的圖。 圖7是例示Rp-jXp的確認方法的圖。 圖8是模式性地表示本發明的第2實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖9是模式性地表示本發明的第3實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖10是模式性地表示本發明的第4實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖11是模式性地表示本發明的第5實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖12是模式性地表示本發明的第6實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖13是模式性地表示本發明的第7實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖14是說明本發明的第7實施形態的巴倫的機能的圖。 圖15A是表示模擬符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位及2個的陰極電位的結果的圖。 圖15B是表示模擬符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位及2個的陰極電位的結果的圖。 圖15C是表示模擬符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位及2個的陰極電位的結果的圖。 圖15D是表示模擬符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位及2個的陰極電位的結果的圖。 圖16A是表示模擬未符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位及2個的陰極電位的結果的圖。 圖16B是表示模擬未符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位及2個的陰極電位的結果的圖。 圖16C是表示模擬未符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位及2個的陰極電位的結果的圖。 圖16D是表示模擬未符合1.5≦X/Rp≦5000時的電漿電位及2個的陰極電位的結果的圖。 圖17是模式性地表示本發明的第8實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖18是模式性地表示本發明的第9實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖19是模式性地表示本發明的第10實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖20是模式性地表示本發明的第11實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖21是模式性地表示本發明的第12實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖22是模式性地表示本發明的第13實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖23是模式性地表示本發明的第14實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖24是說明本發明的第9實施形態的電漿處理裝置1的機能的圖。 圖25是說明本發明的第9實施形態的電漿處理裝置1的機能的圖。 圖26是模式性地表示本發明的第15實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖27是模式性地表示本發明的第16實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖28是模式性地表示本發明的第17實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖29是模式性地表示本發明的第18實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖30是模式性地表示本發明的第19實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖31是模式性地表示本發明的第20實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖32是模式性地表示本發明的第21實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖33是模式性地表示本發明的第23實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖34是模式性地表示本發明的第24實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖35是模式性地表示本發明的第25實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖36是模式性地表示本發明的第26實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖37是模式性地表示本發明的第27實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖38是模式性地表示本發明的第28實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖39是模式性地表示本發明的第29實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖40是例示本發明的第23實施形態的電漿處理裝置1的動作的流程圖。 圖41是例示電抗與第1電極及第2電極的電壓的關係的圖。 圖42是模式性地表示本發明的第30實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖43是模式性地表示本發明的第31實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖44是模式性地表示本發明的第32實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖45是模式性地表示本發明的第33實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖46是模式性地表示本發明的第34實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖47是例示將高頻電源所產生的高頻的頻率設定於12.56MHz時被形成於基板的膜之被正規化的厚度分佈的圖。 圖48是例示使高頻電源所產生的高頻的頻率變化時的第1電極的電壓(第1電壓)及第2電極的電壓(第2電壓)的圖。 圖49是模式性地表示本發明的第35實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖50是模式性地表示本發明的第36實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖51是模式性地表示本發明的第37實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖52是模式性地表示本發明的第38實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖53是模式性地表示本發明的第39實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖54是模式性地表示本發明的第41實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖55是模式性地表示本發明的第42實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖56是模式性地表示本發明的第43實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖57是模式性地表示本發明的第44實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖58是模式性地表示本發明的第45實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖59是例示高頻電源所產生的高頻的頻率與第1電極及第2電極的電壓的關係的圖。 圖60是模式性地表示本發明的第46實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。 圖61是模式性地表示本發明的第47實施形態的電漿處理裝置1的構成的圖。
1‧‧‧電漿處理裝置
10‧‧‧本體
101‧‧‧高頻電源
102‧‧‧阻抗匹配電路
103‧‧‧巴倫
105a‧‧‧第1電極
105b‧‧‧第2電極
109a、109b‧‧‧標靶
110‧‧‧真空容器
112‧‧‧基板
132a、132b‧‧‧絕緣體
141‧‧‧第3電極
142、146‧‧‧絕緣體
145‧‧‧第4電極
201‧‧‧第1不平衡端子
202‧‧‧第2不平衡端子
211‧‧‧第1平衡端子
212‧‧‧第2平衡端子
251‧‧‧第1端子
252‧‧‧第2端子
301‧‧‧第2高頻電源
302‧‧‧第2阻抗匹配電路
303‧‧‧第2巴倫
304‧‧‧阻塞電容器
401‧‧‧第1不平衡端子
402‧‧‧第2不平衡端子
411‧‧‧第1平衡端子
412‧‧‧第2平衡端子
451‧‧‧第3端子
452‧‧‧第4端子
601a、601b‧‧‧可變電感器
602a、602b‧‧‧電容器
V1‧‧‧第1電壓
V2‧‧‧第2電壓
HS1‧‧‧第1保持面
HS2‧‧‧第2保持面
PTH1‧‧‧第1路徑
PTH2‧‧‧第2路徑
PL‧‧‧平面
CNT1‧‧‧第1指令值
CNT2‧‧‧第2指令值
CNT3‧‧‧指令值

Claims (28)

  1. 一種電漿處理裝置，其特徵係具備：阻抗匹配電路；巴倫，其係具有：被連接至前述阻抗匹配電路的第1不平衡端子、被接地的第2不平衡端子、第1平衡端子及第2平衡端子；真空容器，其係被接地；第1電極，其係被電性連接至前述第1平衡端子；第2電極，其係被電性連接至前述第2平衡端子；調整電抗器，其係影響被施加於前述第1電極的第1電壓與被施加於前述第2電極的第2電壓的關係；高頻電源，其係產生經由前述阻抗匹配電路來供給至前述第1不平衡端子與前述第2不平衡端子之間的高頻；及控制部，其係控制前述阻抗匹配電路的阻抗及前述調整電抗器的電抗，前述第1電極，係保持第1靶，前述第2電極，係保持第2靶，前述第1電極係隔著前述第1靶來與處理對象的基板的側的空間對向，前述第2電極係隔著前述第2靶來與前述空間對向，前述調整電抗器，係包含：被配置於連接前述第1電極與接地的路徑之電容器、及被配置於連接前述第2電極與接地的路徑之電容器。
  2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述控制部，係以能匹配於從前述第1平衡端子及前述第2平衡端子的側來看前述第1電極及前述第2電極的側時的阻抗之方式控制前述阻抗匹配電路的阻抗。
  3. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述控制部，係將前述阻抗匹配電路的阻抗控制成電漿的點燃用的阻抗，在電漿被點燃後，以能匹配於從前述第1平衡端子及前述第2平衡端子的側來看前述第1電極及前述第2電極的側時的阻抗之方式控制前述阻抗匹配電路的阻抗。
  4. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述控制部，係以前述第1電極的電壓會形成第1目標值，前述第2電極的電壓會形成第2目標值的方式，控制前述調整電抗器的電抗。
  5. 一種電漿處理裝置，其特徵係具備：阻抗匹配電路；巴倫，其係具有：被連接至前述阻抗匹配電路的第1不平衡端子、被接地的第2不平衡端子、第1平衡端子及第2平衡端子；真空容器，其係被接地；第1電極，其係被電性連接至前述第1平衡端子；第2電極，其係被電性連接至前述第2平衡端子； 調整電抗器，其係影響被施加於前述第1電極的第1電壓與被施加於前述第2電極的第2電壓的關係；高頻電源，其係產生經由前述阻抗匹配電路來供給至前述第1不平衡端子與前述第2不平衡端子之間的高頻；及控制部，其係控制前述阻抗匹配電路的阻抗及前述調整電抗器的電抗，前述控制部，係將前述阻抗匹配電路的阻抗控制成電漿的點燃用的阻抗，電漿被點燃之後，以能匹配成從前述第1平衡端子及前述第2平衡端子的側來看前述第1電極及前述第2電極的側時的阻抗之方式控制前述阻抗匹配電路的阻抗，前述第1電極的電壓與前述第2電極的電壓的大小關係，係可藉由變更前述調整電抗器的電抗來更換，前述控制部，係以前述第1電極的電壓與前述第2電極的電壓的差分會形成目標差分值的方式，控制前述調整電抗器的電抗。
  6. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述控制部，係將用以控制前述調整電抗器的電抗之指令值供給至前述調整電抗器，前述調整電抗器，係按照前述指令值來變更自己的電抗。
  7. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述高頻電源，係可變更前述高頻的頻率，前述控制部，係以 能藉由前述頻率的變更來調整前述關係之方式，將用以控制前述高頻電源的頻率之指令值供給至前述高頻電源。
  8. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述第1電極，係具有保持第1構件的第1保持面，前述第2電極，係具有保持第2構件的第2保持面，前述第1保持面及前述第2保持面，係屬於1個平面。
  9. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述調整電抗器，係更包含：被配置於連接前述第1平衡端子與前述第1電極的第1路徑之電抗器、被配置於連接前述第2平衡端子與前述第2電極的第2路徑之電抗器、及連接前述第1路徑與前述第2路徑的電抗器的至少1個。
  10. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述調整電抗器，係包含：被配置於連接前述第1平衡端子與前述第1電極的第1路徑之第1電抗器、及被配置於連接前述第2平衡端子與前述第2電極的第2路徑之第2電抗器的至少1個。
  11. 如申請專利範圍第10項之電漿處理裝置，其中，前述第1電抗器，係包含電感器，前述第2電抗器，係包含電感器。
  12. 如申請專利範圍第10項之電漿處理裝置，其中，前述第1電抗器，係包含電容器，前述第2電抗器，係包含電容器。
  13. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述控制部，係根據前述第1電極的電壓及前述第2電極的電壓來控制前述調整電抗器。
  14. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述控制部，係根據前述第1電極的附近的電漿強度及前述第2電極的附近的電漿強度來控制前述調整電抗器。
  15. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，更具備：保持基板的基板保持部；及使前述基板保持部旋轉的驅動機構。
  16. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，將由前述第1平衡端子及前述第2平衡端子的側來看前述第1電極及前述第2電極的側時的前述第1平衡端子與前述第2平衡端子之間的電阻成分設為Rp，且將前述第1不平衡端子與前述第1平衡端子之間的電感設為X時，符合1.5≦X/Rp≦5000。
  17. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述巴倫，係具有：連接前述第1不平衡端子與前述第1平衡端子的第1線圈、及連接前述第2不平衡端子與前述第2平衡端子的第2線圈。
  18. 如申請專利範圍第17項之電漿處理裝置，其中，前述巴倫，係更具有：被連接至前述第1平衡端子與前述第2平衡端子之間的第3線圈及第4線圈，前述第3線圈及前述第4線圈，係被構成為以前述第3線圈與前述第4線圈的連接節點的電壓作為前述第1平衡端子的電壓與前述第2平衡端子的電壓的中點。
  19. 一種電漿處理方法，係在電漿處理裝置中處理基板的電漿處理方法，該電漿處理裝置，係具備：阻抗匹配電路；巴倫，其係具有：被連接至前述阻抗匹配電路的第1不平衡端子、被接地的第2不平衡端子、第1平衡端子及第2平衡端子；真空容器，其係被接地；第1電極，其係被電性連接至前述第1平衡端子；第2電極，其係被電性連接至前述第2平衡端子；調整電抗器，其係影響被施加於前述第1電極的第1電壓與被施加於前述第2電極的第2電壓的關係；及高頻電源，其係產生經由前述阻抗匹配電路來供給至 前述第1不平衡端子與前述第2不平衡端子之間的高頻，前述第1電極，係保持第1靶，前述第2電極，係保持第2靶，前述第1電極係隔著前述第1靶來與處理對象的基板的側的空間對向，前述第2電極係隔著前述第2靶來與前述空間對向，前述調整電抗器，係包含：被配置於連接前述第1電極與接地的路徑之電容器、及被配置於連接前述第2電極與接地的路徑之電容器，其特徵為包含：匹配工程，其係以能匹配於從前述第1平衡端子及前述第2平衡端子的側來看前述第1電極及前述第2電極的側時的阻抗之方式控制前述阻抗匹配電路的阻抗；調整工程，其係以能調整前述關係的方式調整前述調整電抗器；及處理工程，其係於前述調整工程之後，處理前述基板。
  20. 如申請專利範圍第19項之電漿處理方法，其中，更包含：在前述阻抗匹配電路的阻抗被設定成電漿的點燃用的阻抗之狀態下點燃電漿的點燃工程，在前述點燃工程之後實施前述匹配工程。
  21. 如申請專利範圍第19項之電漿處理方法，其中，前述調整工程，係包含：以前述第1電極的電壓會形成第1目標 值，前述第2電極的電壓會形成第2目標值的方式，控制前述調整電抗器的電抗。
  22. 一種電漿處理方法，係在電漿處理裝置中處理基板的電漿處理方法，該電漿處理裝置，係具備：阻抗匹配電路；巴倫，其係具有：被連接至前述阻抗匹配電路的第1不平衡端子、被接地的第2不平衡端子、第1平衡端子及第2平衡端子；真空容器，其係被接地；第1電極，其係被電性連接至前述第1平衡端子；第2電極，其係被電性連接至前述第2平衡端子；調整電抗器，其係影響被施加於前述第1電極的第1電壓與被施加於前述第2電極的第2電壓的關係；及高頻電源，其係產生經由前述阻抗匹配電路來供給至前述第1不平衡端子與前述第2不平衡端子之間的高頻，其特徵為包含：點燃工程，其係於前述阻抗匹配電路的阻抗被設定成電漿的點燃用的阻抗的狀態下點燃電漿；匹配工程，其係以能匹配成從前述第1平衡端子及前述第2平衡端子的側來看前述第1電極及前述第2電極的側時的阻抗之方式控制前述阻抗匹配電路的阻抗；調整工程，其係以前述關係會被調整的方式調整前述調整電抗器；及 處理工程，其係於前述調整工程之後，處理前述基板，前述第1電極的電壓與前述第2電極的電壓的大小關係，係可藉由變更前述調整電抗器的電抗來更換，前述調整工程，係包含：以前述第1電極的電壓與前述第2電極的電壓的差分會形成目標差分值的方式，控制前述調整電抗器的電抗。
  23. 如申請專利範圍第19~22項中的任一項所記載之電漿處理方法，其中，前述調整工程，係包含：將用以控制前述調整電抗器的電抗之指令值供給至前述調整電抗器，前述調整電抗器會按照前述指令值來變更自己的電抗。
  24. 如申請專利範圍第19~22項中的任一項所記載之電漿處理方法，其中，前述高頻電源，係可變更前述高頻的頻率，前述調整工程，係包含：以能藉由前述頻率的變更來調整前述關係之方式，將用以控制前述高頻電源的頻率之指令值供給至前述高頻電源。
  25. 一種程式，其特徵為：使如申請專利範圍第19~22項中的任一項所記載之電漿處理方法實行於電腦。
  26. 一種記憶媒體，其特徵為：儲存有使如申請專利範圍第19~22項中的任一項所記載之電漿處理方法實行於電腦 的程式。
  27. 一種電漿處理裝置，其特徵係具備：阻抗匹配電路；巴倫，其係具有：被連接至前述阻抗匹配電路的第1不平衡端子、被接地的第2不平衡端子、第1平衡端子及第2平衡端子；真空容器，其係被接地；第1電極，其係被電性連接至前述第1平衡端子；第2電極，其係被電性連接至前述第2平衡端子；調整電抗器，其係影響被施加於前述第1電極的第1電壓與被施加於前述第2電極的第2電壓的關係；高頻電源，其係產生經由前述阻抗匹配電路來供給至前述第1不平衡端子與前述第2不平衡端子之間的高頻；及測定部，其係測定前述第1電極的電壓及前述第2電極的電壓，前述第1電極，係保持第1靶，前述第2電極，係保持第2靶，前述第1電極係隔著前述第1靶來與處理對象的基板的側的空間對向，前述第2電極係隔著前述第2靶來與前述空間對向，前述調整電抗器，係包含：被配置於連接前述第1電極與接地的路徑之電容器、及被配置於連接前述第2電極與接地的路徑之電容器，按照在前述測定部所測定的前述第1電極的電壓與前 述第2電極的電壓來調整前述調整電抗器的電抗。
  28. 如申請專利範圍第27項之電漿處理裝置，其中，前述調整電抗器，係包含可變電感器及可變電容器。
TW107146926A 2017-06-27 2018-12-25 電漿處理裝置、電漿處理方法、程式及記憶媒體 TWI716796B (zh)

Applications Claiming Priority (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2017/023603 WO2019003309A1 (ja) 2017-06-27 2017-06-27 プラズマ処理装置
PCT/JP2017/023611 WO2019003312A1 (ja) 2017-06-27 2017-06-27 プラズマ処理装置
JP2018017551 2018-02-02
PCT/JP2018/024149 WO2019004187A1 (ja) 2017-06-27 2018-06-26 プラズマ処理装置
PCT/JP2018/024146 WO2019004184A1 (ja) 2017-06-27 2018-06-26 プラズマ処理装置
WOPCT/JP2018/024149 2018-06-26
PCT/JP2018/024148 WO2019004186A1 (ja) 2017-06-27 2018-06-26 プラズマ処理装置
WOPCT/JP2018/024147 2018-06-26
PCT/JP2018/024147 WO2019004185A1 (ja) 2017-06-27 2018-06-26 プラズマ処理装置
WOPCT/JP2018/024146 2018-06-26
WOPCT/JP2018/024148 2018-06-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202001978A TW202001978A (zh) 2020-01-01
TWI716796B true TWI716796B (zh) 2021-01-21

Family

ID=64742978

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107121806A TWI679924B (zh) 2017-06-27 2018-06-26 電漿處理裝置
TW108125826A TWI680697B (zh) 2017-06-27 2018-06-26 電漿處理裝置
TW107146926A TWI716796B (zh) 2017-06-27 2018-12-25 電漿處理裝置、電漿處理方法、程式及記憶媒體

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107121806A TWI679924B (zh) 2017-06-27 2018-06-26 電漿處理裝置
TW108125826A TWI680697B (zh) 2017-06-27 2018-06-26 電漿處理裝置

Country Status (3)

Country Link
JP (2) JP6656479B2 (zh)
TW (3) TWI679924B (zh)
WO (1) WO2019004185A1 (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010045664A (ja) * 2008-08-14 2010-02-25 Tokyo Electron Ltd マッチング装置、マッチング方法、プラズマ処理装置、及び記憶媒体
JP2012174682A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Samsung Electronics Co Ltd プラズマ処理装置
US20160289837A1 (en) * 2012-06-19 2016-10-06 Aixtron, Inc. Apparatus and method for forming thin protective and optical layers on substrates
TWI601309B (zh) * 2013-03-14 2017-10-01 Canon Anelva Corp Film-forming method, semiconductor light-emitting device manufacturing method, semiconductor light-emitting device, lighting device
JP6280677B1 (ja) * 2017-06-27 2018-02-14 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53141937U (zh) * 1977-04-15 1978-11-09
US4887005A (en) * 1987-09-15 1989-12-12 Rough J Kirkwood H Multiple electrode plasma reactor power distribution system
JPH02156080A (ja) * 1988-12-09 1990-06-15 Tokuda Seisakusho Ltd スパッタ装置
US5330578A (en) * 1991-03-12 1994-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma treatment apparatus
US8438990B2 (en) * 2008-09-30 2013-05-14 Applied Materials, Inc. Multi-electrode PECVD source
JP2009302566A (ja) * 2009-09-16 2009-12-24 Masayoshi Murata トランス型平衡不平衡変換装置を備えたプラズマ表面処理装置
WO2012095961A1 (ja) * 2011-01-12 2012-07-19 日新電機株式会社 プラズマ装置
JP6574547B2 (ja) 2013-12-12 2019-09-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010045664A (ja) * 2008-08-14 2010-02-25 Tokyo Electron Ltd マッチング装置、マッチング方法、プラズマ処理装置、及び記憶媒体
JP2012174682A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Samsung Electronics Co Ltd プラズマ処理装置
US20160289837A1 (en) * 2012-06-19 2016-10-06 Aixtron, Inc. Apparatus and method for forming thin protective and optical layers on substrates
TWI601309B (zh) * 2013-03-14 2017-10-01 Canon Anelva Corp Film-forming method, semiconductor light-emitting device manufacturing method, semiconductor light-emitting device, lighting device
JP6280677B1 (ja) * 2017-06-27 2018-02-14 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202001978A (zh) 2020-01-01
TWI679924B (zh) 2019-12-11
WO2019004185A1 (ja) 2019-01-03
TW201907756A (zh) 2019-02-16
TWI680697B (zh) 2019-12-21
JPWO2019004185A1 (ja) 2020-01-09
JP2020024926A (ja) 2020-02-13
JP7145833B2 (ja) 2022-10-03
JP6656479B2 (ja) 2020-03-04
TW201941667A (zh) 2019-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6688440B1 (ja) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、プログラムおよびメモリ媒体
JP6280677B1 (ja) プラズマ処理装置
TWI699140B (zh) 電漿處理裝置
JP7202199B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2019009099A (ja) プラズマ処理装置
JP7145832B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
TWI716796B (zh) 電漿處理裝置、電漿處理方法、程式及記憶媒體
TWI680696B (zh) 電漿處理裝置
JP7145136B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2019133929A (ja) プラズマ処理装置
JPWO2019004189A1 (ja) プラズマ処理装置