CN106920889B - 一种屏幕封装方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种屏幕封装方法，通过光刻蚀的方法在制备密封材料下层金属时，使该密封材料下层金属的表面形成凹槽，从而使通过该带有凹槽的密封材料下层金属封装玻璃盖板与玻璃基板时，由于该凹槽的构造可以限制密封材料的流动，从而使采用丝网印刷方式印刷在玻璃盖板上的密封材料即使存在缺失或者气泡，也不会影响屏幕封装的密封效果，使生产的屏幕的良品率提高，并保证了屏幕的使用寿命不会因封装效果而受到影响。

Description

一种屏幕封装方法

技术领域

本发明涉及屏幕封装领域，尤其涉及一种屏幕封装方法。

背景技术

近年来，由于采用低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)的显示屏幕相对于传统的显示屏幕，其质量更轻、厚度更薄、耗电量更低，所以应用范围和领域越来越广。

但是由于采用LTPS的显示屏幕内部的有机材料和金属电极等部分，容易受到空气中水汽和氧气的腐蚀，所以为了避免屏幕内部被空气中的水汽和氧气腐蚀，从而影响屏幕的整体使用寿命，人们将屏幕内部的各层材料置于玻璃基板和玻璃盖板之间，并在玻璃基板以及玻璃盖板之间填补上用于密封的材料，将屏幕内部的各层材料封装在两层玻璃之间，以达到隔绝空气中水汽和氧气对内部材料腐蚀的目的。由此可见采用LTPS的显示屏幕的封装好坏，将直接影响到该屏幕的使用寿命，所以人们对于屏幕的封装要求更加严格。

现有封装方法中，由于丝网印刷技术成本低廉、应用方便，所以一般使用丝网印刷技术进行屏幕的封装，其过程为：

首先，通过丝网印刷技术在玻璃盖板上印刷上密封材料，如，玻璃料(Frit)。

其次，将印刷该玻璃盖板上的密封材料进行预烘。

再次，将该进行预烘后的玻璃盖板覆盖到对应的玻璃基板上，其中该密封材料的位置与该玻璃基板上密封材料下层金属的位置相对应。

最后，通过脉冲激光的照射，使该密封材料软化并将玻璃盖板与玻璃基板粘连在一起，即完成了封装过程。

但是，在由于丝网印刷技术的缺陷，所以印刷在玻璃盖板上的密封材料容易出现缺失或内部存有气泡，使得在封装时出现密封材料密封不紧密的情况，从而达不到屏幕封装所要的到的提高屏幕使用寿命的目的。

通过上述说明可以知道，现有采用丝网印刷技术进行屏幕封装的方法，由于其存在缺陷，使得屏幕封装的效果不佳，容易出现屏幕未被密封的情况，影响了通过该方法生产的屏幕的良品率，并影响了屏幕的使用寿命。

发明内容

本发明实施例提供一种屏幕封装方法，用以解决现有技术中由于采用丝网印刷技术印刷的密封材料容易存在缺失或者气泡，导致屏幕封装的效果不佳，容易出现屏幕未被密封的情况，影响了通过该方法生产的屏幕的良品率，并影响了屏幕的使用寿命的问题。

本发明实施例提供的一种屏幕封装方法，玻璃基板上铺设有预先制备好的金属电极层，所述方法包括：

在所述金属电极层上铺设有机光刻胶；

对所述有机光刻胶曝光；

对所述金属电极层进行刻蚀，用以将所述金属电极层刻蚀成带有凹槽的密封材料下层金属；

通过所述带有凹槽的密封材料下层金属进行屏幕封装。

本发明提供一种屏幕封装方法，玻璃基板上铺设有预先制备好的金属电极层，所述方法包括：

在所述金属电极层上铺设无机材料层；

在所述无机材料层上铺设有机光刻胶；

对所述有机光刻胶曝光；

对所述无机材料层和金属电极层进行刻蚀，用以将所述无机材料层和金属电极层刻蚀成带有无机材料凹槽的密封材料下层金属，其中，所述凹槽的底面为所述金属电极层；

通过所述带有无机材料凹槽的密封材料下层金属进行屏幕封装。

本发明实施例提供一种屏幕封装方法，通过光刻蚀的方法在制备密封材料下层金属时，使该密封材料下层金属的表面形成凹槽，从而使通过该带有凹槽的密封材料下层金属封装玻璃盖板与玻璃基板时，由于该凹槽的构造可以限制密封材料的流动，从而使采用丝网印刷方式印刷在玻璃盖板上的密封材料即使存在缺失或者气泡，也不会影响屏幕封装的密封效果，使生产的屏幕的良品率提高，并保证了屏幕的使用寿命不会因封装效果而受到影响。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例提供的第一种屏幕封装过程；

图2a为本发明实施例提供的在金属电极层刻蚀出凹槽的截面示意图；

图2b为本发明实施例提供的在金属电极层刻蚀出凹槽的截面示意图；

图3为本发明实施例提供的带有凹槽的密封材料下层金属的截面示意图；

图4为本发明实施例提供的屏幕封装时，玻璃基板与玻璃盖板贴合在一起时的截面示意图；

图5为本发明实施例提供的密封材料存在缺陷时第一种封装区域的截面示意图；

图6为本发明实施例提供的第二种屏幕封装过程；

图7为本发明实施例提供的在无机材料层刻蚀出凹槽的截面示意图；

图8为本发明实施例提供的带有由无机材料层刻蚀出凹槽的密封材料下层金属的截面示意图；

图9为本发明实施例提供的屏幕封装时，玻璃基板与玻璃盖板贴合在一起时的截面示意图；

图10为本发明实施例提供的密封材料存在缺陷时第二种封装区域的截面示意图；

图11为本发明实施例提供的凹槽的槽边在密封材料下层金属的两侧的截面示意图。

具体实施方式

由于在现有技术中，屏幕封装一般采用丝网印刷技术将密封材料印刷在屏幕的玻璃盖板上，而丝网印刷的技术缺陷使得印刷在玻璃盖板上的密封材料容易出现缺失或者气泡，这就导致在封装时容易出现密封材料对屏幕密封效果不佳的情况。为了解决这一问题，本发明实施例提供了一种屏幕封装方法，在制备屏幕的玻璃基板上的密封材料下层金属这一步骤时，通过光刻蚀的方法，在该密封材料下层金属上刻蚀形成凹槽，使通过该带有凹槽的密封材料下层金属进行屏幕封装时，当密封材料在激光的照射下熔融后，该凹槽可以限制该熔融的密封材料的流动，从而可以避免密封材料的缺失或者气泡对封装效果的影响，解决了现有技术生产的屏幕受封装效果影响良品率降低，屏幕的使用寿命受到影响的问题。

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

图1为本发明实施例提供的第一种屏幕封装过程，其中，玻璃基板105上铺设有预先制备好的金属电极层101，则本发明提供的方法具体包括以下步骤：

S101：在所述金属电极层101上铺设有机光刻胶102。

在本发明实施例中，可以采用通用的屏幕生产流程中的使用光刻法对金属电极层101进行刻蚀，所以本发明可以在已经铺设有预先制备好的金属电极层101上铺设有机光刻胶102。

为了方便后续描述，本发明中将金属电极层101中需要刻蚀成密封材料下层金属103的区域简称为封装区域，即，在生产屏幕的过程中，用于封装屏幕的结构所在的区域。

需要说明的是，由于有机光刻胶102分为正性和负性，而选用何种有机光刻胶102本发明并不做具体限定，通常需要较高的刻蚀精度时可以选用正性光刻胶，对刻蚀精度要求较低时可以选用负性光刻胶，需要使用碱性腐蚀溶液时可以选用负性光刻胶，而使用酸性腐蚀溶液时可以选用正性光刻胶。

S102：对所述有机光刻胶102曝光。

在本发明实施例中，当经过步骤S101后，便可以对已经铺设有机光刻胶102的金属电极层101进行曝光，以使玻璃基板105上的金属电极层101在通过腐蚀溶液刻蚀后可以形成需要的结构。

具体的，根据在步骤S101中使用的有机光刻胶102的种类选用相应的模板，使用该模版对该有机光刻胶102进行曝光，从而使该有机光刻胶102的一部分易于被腐蚀溶液刻蚀掉，而另一部分有机光刻胶102则不易于被腐蚀溶液刻蚀掉。则该部分不易于被刻蚀的有机光刻胶102就成为金属电极层101上的保护层，可以避免这部分金属电极层101被腐蚀溶液刻蚀掉。而该金属电极层101需要被刻蚀的部分铺设的有机光刻胶102经过曝光后，易于被腐蚀溶液刻蚀，从而使该部分金属电极层101被腐蚀溶液刻蚀。

S103：对所述金属电极层101进行刻蚀，用以将所述金属电极层101刻蚀成带有凹槽的密封材料下层金属103。

在本发明实施例中，需要将金属电极层101的封装区域刻蚀成带有凹槽的密封材料下层金属103，由于需要刻蚀成凹槽的结构，所以需要进行两次刻蚀。

具体的，带有凹槽的密封材料下层金属103可分别通过两步刻蚀得到，即，先在金属电极层101上刻蚀出凹槽，再将带凹槽的金属电极层刻101蚀成带凹槽的密封材料下层金属103。其中，使用何种腐蚀溶液，需要根据有机光刻胶102的种类、以及金属电极层101的材料种类确定，在本发明中并不做具体限定。

首先，将该带有已曝光好的有机光刻胶102的金属电极层101在腐蚀溶液中进行刻蚀，使该金属电极层101需要被刻蚀的部分在腐蚀溶液的刻蚀下，可以在金属电极层101的表面形成凹槽结构，其截面可以如图2a或者图2b中的任意一种所示。

其次，将经过曝光的该有机光刻胶102清洗掉。清洗有机光刻胶102的原因在于：由于需要将该金属电极层101再次刻蚀，以制成带有凹槽的密封材料下层金属103，而此时刻蚀的区域与之前刻蚀的区域已经产生了变化，所以需要将之前经过曝光的该有机光刻胶102清洗掉。

再次，在该带有凹槽的金属电极层101上再次铺设有机光刻胶102。

然后，对所述再次铺设的有机光刻胶102曝光，此时由于是需要刻蚀出密封材料下层金属103，且不能破坏之前刻蚀好的凹槽结构，所以使用模板与在步骤S102中使用的模板不同。

最后，将该带有再次曝光的有机光刻胶102的金属电极层101在腐蚀溶液中进行刻蚀，使该带有凹槽的金属电极层101在封装区域被刻蚀成带有凹槽的密封材料下层金属103，其截面如图3所示。

图2a为本发明实施例提供的在金属电极层101刻蚀出凹槽104的截面示意图，其中只显示封装区域的截面示意图，图2a中包括：金属电极层101、刻蚀出的凹槽104、未被刻蚀掉的有机光刻胶102，以及玻璃基板105。

图2b为本发明实施例提供的在金属电极层101刻蚀出凹槽104’的截面示意图，图2b中包括：金属电极层101、刻蚀出的凹槽104’、未被刻蚀掉的有机光刻胶102，以及玻璃基板105。

图3为本发明实施例提供的带有凹槽的密封材料下层金属103的截面示意图，其中只显示封装区域的截面示意图，图3中包括：带有凹槽的密封材料下层金属103，以及玻璃基板105。

S104:通过所述带有凹槽的密封材料下层金属103进行屏幕封装。

在本发明实施例中，在通过步骤S103制成带有凹槽的密封材料下层金属103后，便可以通过该带有凹槽的密封材料下层金属103进行屏幕的封装，如图4所示。

图4为本发明实施例提供的屏幕封装时，玻璃基板105与玻璃盖板106贴合在一起时的截面示意图。图4中，将有凹槽的密封材料下层金属103的玻璃基板105，与对应的印刷有密封材料107的玻璃盖板106贴合在一起，即，使该密封材料107对应贴合到带有凹槽的密封材料下层金属103上，将需要封装在屏幕内的各功能层108夹在该玻璃盖板106和玻璃基板105之间，之后使用激光照射该密封材料107，使该密封材料107熔融，并在该密封材料下层金属103的凹槽中流动，最终当激光不再照射该密封材料107后该密封材料107凝固，使该玻璃基板105与玻璃盖板106粘合在一起，完成屏幕封装过程。

通过上述屏幕封装方法，利用两次刻蚀使得制成的密封材料下层金属103的表面带有凹槽，使得在最终进行屏幕封装时，密封材料107在激光的作用下熔融后，被限制在该凹槽中流动，而不会流动溢出，使得密封材料107的缺陷不会影响到封装效果，即，封装后的屏幕密封性更好，使生产的屏幕的良品率提高，并保证了屏幕的使用寿命不会因封装效果而受到影响。

另外，本发明中由于在步骤S103中需要刻蚀出带有凹槽的密封材料下层金属103，是为了使在最终封装时玻璃盖板106上印刷的密封材料107在熔融后可以在如图4所示的凹槽内流动，所以该凹槽的位置与玻璃盖板106上的密封材料107的位置相对应，并且该凹槽的形状与玻璃盖板106上的密封材料107的形状相对应，即，当玻璃盖板106和玻璃基板105贴合时，该密封材料107可嵌入该凹槽中。如图4所示，在图4中可见，该密封材料107位置位于该密封材料下层金属103的凹槽中，该密封材料107的形状也与该密封材料下层金属103的凹槽一致。

进一步的，所述凹槽的宽度大于该密封材料107的截面宽度，具体的，该凹槽的内壁与密封材料107的最短距离可以是5μm至50μm。该凹槽的深度可以低于该玻璃盖板106上密封材料107的最大高度，该密封材料107的最大高度可以是该密封材料107在经过预烘之后的最大高度，具体可以是通过实时测量确定的或者是通过大量测量后确定的经验数值。该凹槽的深度可以高于该玻璃盖板106上密封材料107的最小高度，该密封材料107的最小高度可以通过大量测量后确定一个平均值，即经验数值。其中，密封材料107出现最大高度和最小高度是由于密封材料107存在的缺陷所导致，如图5所示。

图5为本发明实施例提供的密封材料107存在缺陷时第一种封装区域的截面示意图。在图5中，密封材料107存在缺陷的情况下，由于该凹槽宽度略宽于密封材料107的宽度，所以使密封材料107在熔融流动时也不会从凹槽中溢出，由于该凹槽的深度小于密封材料107的最大高度，所以该凹槽不会在封装时与玻璃盖板106接触，从而使密封材料107可以接触到密封材料下层金属103，由于该凹槽的深度又大于密封材料107的最小高度(即，密封材料107出现缺失时的高度)，所以可以使密封材料107在熔融时可以通过在凹槽内流动，填补缺失密封材料107的部分。并且在图5中，该密封材料107的最大高度为L，该密封材料107的最小高度为l。

更进一步的，由于相对于现有密封材料下层金属，本发明所述的密封材料下层金属103需要刻蚀出一个凹槽，所以在本发明中带有凹槽的密封材料下层金属103的大小，不能继续保持现有密封材料下层金属的大小，而需要增高、增宽以留出刻蚀凹槽结构的空间。

具体的，带有凹槽的密封材料下层金属103相较于现有的密封材料下层金属可以加宽10μm至100μm，即，使该凹槽的槽边宽度为5μm至50μm。带有凹槽的密封材料下层金属103相较于现有的密封材料下层金属可以增高0.1μm至1μm，即，使凹槽的深度为0.1μm至1μm。该带有凹槽的密封材料下层金属103具体加宽、增高多少可以根据实际使用的需求而选择，选择上述取值范围是为了尽量减少对现有屏幕生产过程中其他步骤的改变(例如，不需要改变印刷密封材料107的丝网印刷的网板)。

实施例二

基于图1同样的原理，本发明还提供第二种屏幕封装过程，如图6所示，其中，玻璃基板105上铺设有预先制备好的金属电极层101，则本发明提供的方法具体包括以下步骤：

S601：在所述金属电极层101上铺设无机材料层109。

在本发明实施例中，区别于图1所示的方法，并不直接在金属电极层101刻蚀出凹槽，而是在该金属电极层101上铺设无机材料层109，并刻蚀该无机材料层109，使得无机材料层109与金属电极层101可以制成带有无机材料凹槽的密封材料下层金属110，所以在本发明中，需要先在该电金属电极层101上铺设无机材料层109。

具体的，可以通过化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)，在该金属电极层101上沉积无机材料层109，该无机材料层109的厚度可为0.1μm至1μm。

另外，该无机材料可以选用氮化硅、氧化硅等，具体选用何种无机材料本发明并不做具体限定。

S602：在所述无机材料层109上铺设有机光刻胶102。

S603：对所述有机光刻胶102曝光。

在本发明实施例中，当经过步骤S602后，便可以对已经铺设有机光刻胶102的无机材料层109进行曝光，以使玻璃基板105上的无机材料层109在通过腐蚀溶液刻蚀后可以形成需要的结构。

具体的，根据在步骤S602中使用的有机光刻胶102的种类选用相应的模板，使用该模版对该有机光刻胶102进行曝光。从而使该有机光刻胶102的一部分易于被腐蚀溶液刻蚀掉，而另一部分有机光刻胶102则不易于被腐蚀溶液刻蚀掉。则该部分不易于被刻蚀的有机光刻胶102就成为金属电极层101上的保护层，可以避免这部分金属电极层101被腐蚀溶液刻蚀掉。而该无机材料层109需要被刻蚀的部分铺设的有机光刻胶102经过曝光后，易于被腐蚀溶液刻蚀，从而使该部分无机材料层109被腐蚀溶液刻蚀。

S604：对所述无机材料层109和金属电极层101进行刻蚀，用以将所述无机材料层109和金属电极层101刻蚀成带有无机材料凹槽的密封材料下层金属110。

在本发明实施例中，需要进行两次刻蚀以便将无机材料层109和金属电极层101刻蚀成带有凹槽的密封材料下层金属110，其中该凹槽由无机材料层109刻蚀成。

具体的，带有凹槽的密封材料下层金属110可分别通过两步刻蚀得到，即，先在无机材料层109刻蚀出凹槽，再将带凹槽的无机材料层109和金属电极层101刻蚀出带凹槽的密封材料下层金属110。并且，由于无机材料层109和金属电极层101的材质明显不同，所以在刻蚀无机材料层109时可以使用与刻蚀金属电极层101时不同的腐蚀溶液，或者选择对无机材料层109的无机材料刻蚀速度较快，但是对金属电极层101的金属材料刻蚀较慢的腐蚀溶液，例如，使用氢氟酸可以快速腐蚀氧化硅，但是氢氟酸对金、铂、铅等金属材料的腐蚀速度很慢。

首先，将该带有已曝光好的有机光刻胶102的无机材料层109在腐蚀溶液中进行刻蚀，使该无机材料层109需要被刻蚀的部分在腐蚀溶液的刻蚀下，可以在无机材料层109的表面形成凹槽结构，其中该凹槽的底面为被刻蚀干净，并露出下方的金属电极层101，其截面如图7所示。

其次，将经过曝光的该有机光刻胶102清洗掉。清洗有机光刻胶102的原因在于：由于需要进一步将该无机材料层109和金属电极层101再次刻蚀，以制成带凹槽的密封材料下层金属110，而此时刻蚀区域与刻蚀无机材料层109时的刻蚀区域已经产生了变化，所以需要将之前经过曝光的该有机光刻胶102清洗掉。

再次，在该带有无机材料凹槽的金属电极层101上再次铺设有机光刻胶102。

然后，对所述再次铺设的有机光刻胶102曝光，此时由于是需要刻蚀出密封材料下层金属110，且不能破坏之前刻蚀好的无机材料凹槽的结构，所以使用模板与在步骤S603中使用的模板不同。

最后，将该带有再次曝光的有机光刻胶102的无机材料凹槽以及金属电极层101在腐蚀溶液中进行刻蚀，使该带有无机材料凹槽的金属电极层101在封装区域被刻蚀成带凹槽的密封材料下层金属110，其截面如图8所示。

图7为本发明实施例提供的在无机材料层109刻蚀出凹槽的截面示意图，其中只显示封装区域的截面示意图，图7中包括：刻蚀出凹槽的无机材料层109、未被刻蚀掉的有机光刻胶102、未被刻蚀掉的金属电极层101，以及玻璃基板105。

图8为本发明实施例提供的带有由无机材料层109刻蚀出凹槽的密封材料下层金属110的截面示意图，其中只显示封装区域的截面示意图，图8中包括：带有凹槽的密封材料下层金属110，以及玻璃基板105。

S605：通过所述带有无机材料凹槽的密封材料下层金属110进行屏幕封装。

在本发明实施例中，在通过步骤S604制成带凹槽的密封材料下层金属110后，便可以通过该带凹槽的密封材料下层金属110进行屏幕的封装，如图9所示。

图9为本发明实施例提供的屏幕封装时，玻璃基板105与玻璃盖板106贴合在一起时的截面示意图。图9中，将带有凹槽的密封材料下层金属110的玻璃基板105，与对应的印刷有密封材料107的玻璃盖板106贴合在一起，即，使该密封材料107对应贴合到带凹槽的密封材料下层金属110上，将需要封装在屏幕内的各功能层108夹在该玻璃盖板106和玻璃基板105之间，之后使用激光照射该密封材料107，使该密封材料107熔融，并在该密封材料下层金属110的无机材料凹槽中流动，最终当激光不再照射该密封材料107后该密封材料107凝固，使该玻璃基板105与玻璃盖板106粘合在一起，完成屏幕封装过程。

另外，本发明中由于在步骤S604中需要刻蚀出带凹槽的密封材料下层金属110，是为了使在最终封装时玻璃盖板106上印刷的密封材料107在熔融后可以在如图9所示的该凹槽内流动，所以该凹槽的位置与玻璃盖板106上的密封材料107的位置相对应，并且该凹槽的形状与玻璃盖板106上的密封材料107的形状相对应，即，当玻璃盖板106和玻璃基板105贴合时，该密封材料107可嵌入该凹槽中。如图9所示，在图9中可见，该密封材料107位置位于该密封材料下层金属110的凹槽中，该密封材料107的形状也与该密封材料下层金属110的凹槽一致，并且该凹槽由无机材料层109刻蚀成。

进一步的，所述凹槽的宽度大于该密封材料107的截面宽度，具体的，该凹槽的内壁与密封材料107最短距离可以是5μm至50μm。该凹槽的深度可以低于该玻璃盖板106上密封材料107的最大高度，该密封材料107的最大高度可以是该密封材料107在经过预烘之后的最大高度，具体可以是通过实时测量确定的或者是通过大量测量后确定的经验数值。该凹槽的深度可以高于该玻璃盖板106上密封材料107的最小高度，该密封材料107的最小高度可以通过大量测量后确定一个平均值，即经验数值。并且如本发明步骤S601所述，该无机材料层109的厚度可为0.1μm至1μm，所以该由无机材料层109刻蚀成的凹槽的深度是通过步骤S601中采用CVD法沉降的无机材料层109厚度来确定的。其中，密封材料107出现最大高度和最小高度是由于密封材料107存在的缺陷所导致，如图10所示。

图10为本发明实施例提供的密封材料107存在缺陷时第二种封装区域的截面示意图。在图10中，密封材料107存在缺陷的情况下，由于该凹槽宽度略宽于密封材料107的宽度，所以使密封材料107在熔融流动时也不会从凹槽中溢出，由于该凹槽的深度小于密封材料107的最大高度，所以该凹槽不会在封装时与玻璃盖板106接触，从而使密封材料107可以接触到密封材料下层金属110，由于该凹槽的深度又大于密封材料107的最小高度(即，密封材料107出现缺失时的高度)，所以可以使密封材料107在熔融时可以通过在凹槽内流动，填补缺失密封材料107的部分。并且在图10中，该密封材料107的最大高度为L，该密封材料107的最小高度为l。

进一步的，由于本发明中所述的带有凹槽的密封材料下层金属110相较于现有密封材料下层金属，表面多增加了无机材料凹槽，所以本发明中的带有凹槽的密封材料下层金属110的大小与现有密封材料下层金属的大小也有所改变。

具体的，带有凹槽的密封材料下层金属110相较于原有密封材料下层金属可以加宽10μm至100μm，即，使该刻蚀在密封材料下层金属110上的凹槽的槽边宽度可以为5μm至50μm。同时，由于该凹槽的深度是由层109厚度确定的，即，在步骤S601中沉积了多厚的无机材料层109，则最终由无机材料层109刻蚀出的凹槽就有多深，所以该预先制备好的金属电极层101的厚度可以不做改变，带有凹槽的密封材料下层金属110的高度改变由无机材料层109的厚度来确定。则该带有凹槽的密封材料下层金属110具体加宽多少，该无机材料层109厚度具体是多少可以根据实际使用的需求而选择，选择上述取值范围是为了尽量减少对现有屏幕生产过程中其他步骤的改变。

基于图6所示的方法，在本发明实施例中，还可先在玻璃基板105上制备出由金属电极层101刻蚀成的密封材料下层金属111，再在已制备好的该密封材料下层金属111上铺设无机材料层109(可以使用与同步骤S601相同的方法，采用CVD沉降一层无机材料层109，并且按照需求可以沉降比已经制备好的密封材料下层金属111厚0.1μm至1μm的无机材料层109，或者直接沉降0.1μm至1μm的无机材料层109)，之后再在无机材料层109上铺设有机光刻胶102，并对该有机光刻胶102曝光，然后将该无机材料层109刻蚀出凹槽113，其中，该凹槽113的结构通过由金属电极层101刻蚀成的密封材料下层金属111，以及由无机材料层109刻蚀出的槽边112共同组成，并构成带有凹槽的密封材料下层金属，最后通过所述带有凹槽的密封材料下层金属进行屏幕封装。即，先制备密封材料下层金属111，再制备凹槽113。

区别于图6所示的方法，该方法可以在制备好密封材料下层金属111后，再制备一个凹槽113。并且，构成该凹槽113的槽边112可以不在该密封材料下层金属111的上表面上，而是在该密封材料下层金属111的两侧，如图11所示。

图11为本发明实施例提供的凹槽113的槽边112在密封材料下层金属111的两侧的截面示意图。其中包括：金属电极层101刻蚀出的密封材料下层金属111、无机材料层109刻蚀出的槽边112、由无机材料层刻109蚀出的槽边112以及金属电极层101刻蚀出的密封材料下层金属111构成的凹槽113，以及玻璃基板105。

通过该方法，可以不改动现有密封材料下层金属111的制作方式，而是在该密封材料下层金属111制作完毕后，再铺设无机材料层109，并将该无机材料层109刻蚀成槽边112。可以更少的改动现有屏幕生产流程中已有步骤的方式和/或方法，而仅是增加一些步骤，以得到带有凹槽的密封材料下层金属，可以作为一种更加灵活的制作带有凹槽的密封材料下层金属的方式。

以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (5)

1.一种屏幕封装方法，玻璃基板上铺设有预先制备好的金属电极层，其特征在于，所述方法包括：

在所述金属电极层上铺设有机光刻胶；

对所述有机光刻胶曝光；

对所述金属电极层进行刻蚀，用以将所述金属电极层刻蚀成带有凹槽的密封材料下层金属；

通过所述带有凹槽的密封材料下层金属进行屏幕封装；

其中，所述凹槽的位置与玻璃盖板上的密封材料的位置相对应；

所述凹槽的形状与玻璃盖板上的密封材料的形状相对应；

所述凹槽的宽度大于所述玻璃盖板上密封材料的截面宽度；

所述凹槽的深度低于所述玻璃盖板上密封材料的最大高度，所述凹槽的深度高于所述玻璃盖板上密封材料的最小高度。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

将所述金属电极层刻蚀成带有凹槽的密封材料下层金属，具体包括：

将所述金属电极层刻蚀出凹槽；

清洗经过曝光的所述有机光刻胶；

在所述带有凹槽的金属电极层上再次铺设有机光刻胶；

对所述再次铺设的有机光刻胶曝光；

对所述金属电极层进行刻蚀，用以制成带有凹槽的密封材料下层金属。

3.一种屏幕封装方法，玻璃基板上铺设有预先制备好的金属电极层，其特征在于，所述方法包括：

在所述金属电极层上铺设无机材料层；

在所述无机材料层上铺设有机光刻胶；

对所述有机光刻胶曝光；

对所述无机材料层和金属电极层进行刻蚀，用以将所述无机材料层和金属电极层刻蚀成带有无机材料凹槽的密封材料下层金属，其中，所述凹槽的底面为所述金属电极层；

通过所述带有无机材料凹槽的密封材料下层金属进行屏幕封装；

其中，所述凹槽的位置与玻璃盖板上的密封材料的位置相对应；

所述凹槽的形状与玻璃盖板上的密封材料的形状相对应；

所述凹槽的宽度大于所述玻璃盖板上密封材料的截面宽度；

所述凹槽的深度低于所述玻璃盖板上密封材料的最大高度，所述凹槽的深度高于所述玻璃盖板上密封材料的最小高度。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，

将所述无机材料层和金属电极层刻蚀成带有无机材料凹槽的密封材料下层金属，具体包括：

将所述无机材料刻蚀出底面为金属电极层的凹槽；

清洗经过曝光的所述有机光刻胶；

在所述带有无机材料凹槽的金属电极层上再次铺设有机光刻胶；

对所述再次铺设的有机光刻胶曝光；

对所述金属电极层进行刻蚀，用以制成带有无机材料凹槽的密封材料下层金属。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，

在所述金属电极层上铺设无机材料层，具体包括：

通过化学气相沉积法，在所述金属电极层上沉积无机材料层。