CN106917128A - 一种锡‑钼共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极及制备方法 - Google Patents

一种锡‑钼共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106917128A
CN106917128A CN201710142796.8A CN201710142796A CN106917128A CN 106917128 A CN106917128 A CN 106917128A CN 201710142796 A CN201710142796 A CN 201710142796A CN 106917128 A CN106917128 A CN 106917128A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
preparation
titanium dioxide
pieces
tio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710142796.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106917128B (zh
Inventor
孙治荣
麻晓越
王雪云
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing University of Technology
Original Assignee
Beijing University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing University of Technology filed Critical Beijing University of Technology
Priority to CN201710142796.8A priority Critical patent/CN106917128B/zh
Publication of CN106917128A publication Critical patent/CN106917128A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106917128B publication Critical patent/CN106917128B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02Anodisation
    • C25D11/26Anodisation of refractory metals or alloys based thereon
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/16Acidic compositions
    • C23F1/26Acidic compositions for etching refractory metals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Water Treatment By Electricity Or Magnetism (AREA)
  • Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)

Abstract

一种锡‑钼共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极及制备方法,属于光电催化领域。本发明将锡酸钠(Na2SnO3·3H2O)、钼酸钠(Na2MoO4·H2O)和氟化铵(NH4F)溶解于乙二醇‑水混合溶液中,以钛片为阳极,铂片为阴极,采用两电极体系在钛片表面制备含Sn和Mo的二氧化钛纳米管阵列。在清洗干燥后,放置于马弗炉中高温煅烧制成Sn、Mo共掺杂的二氧化钛纳米管阵列电极(Sn‑Mo‑TiO2‑NTs/Ti)。掺杂后的电极提高了TiO2对可见光的响应能力,实现了在可见光下的光电催化氧化能力。

Description

一种锡-钼共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极及制备方法
技术领域
本发明属于光电催化领域,特别涉及一种基于阳极氧化技术的一步法制备锡-钼(Sn-Mo)共掺杂二氧化钛纳米管(TiO2-NTs)阵列电极的方法,该电极可用于环境水体中苯酚的光电催化降解。
背景技术
光电催化是二十世纪末期发展起来的一种电化学辅助光催化的方法,对光电催化的研究源于半导体光催化,这其中以TiO2的研究和应用最为深入和广泛。TiO2具有无毒、催化活性高、氧化能力强、稳定性好、反应条件温和、不产生二次污染、制备材料易得等优点。TiO2禁带宽度为3.2eV,在紫外光下有催化作用,在紫外光辐照下处理废水时,TiO2受光激发后产生光生电子和空穴,由价带空穴诱发氧化反应,由导带电子诱发还原反应,使吸附在空穴表面的水、氧气和OH-生成自由基·OH,能够将有机污染物降解成H2O、CO2等无机小分子。同时,光生电子和空穴之间会发生复合反应,热和光的形式将能量释放。但是,TiO2的禁带宽度也使得其对可见光几乎无响应,限制了其在自然条件下的应用。为此,通过元素掺杂或半导体复合的方法进行改性,减小禁带宽度,增加其对可见光的响应,提高了TiO2的实际应用型。为了减少光生电子与空穴的复合几率,将TiO2催化剂负载于电极板上,并施加外加偏压,形成了光电催化体系,提高了光催化性能。在光电极上施加阳极偏电压可以在电极内部形成一个电势梯度,促使光生电子和空穴向相反的方向移动,加速了它们的分离,增强光电流,提高催化能力。
近些年来,随着光电催化技术的发展,TiO2纳米管及元素掺杂的TiO2纳米管阵列电极得到了大量研究,研究者通过掺杂Fe、Zn、Cu、Ni、Cd等元素及其氧化物,以实现减小TiO2禁带宽度,增强可见光响应能力的目的。但目前研究多采用两步沉积的方法对TiO2纳米管进行掺杂及改性,增加了制备工艺流程,而且目前多种元素共掺杂,尤其对于金属Sn和Mo的共掺杂未见报道。
本发明将待掺杂的Sn、Mo元素加入至电解质溶液中,以Ti片为基体材料,采用一步阳极氧化的方法,在Ti片表面氧化形成TiO2-NTs的同时,将Sn和Mo掺杂在纳米管中,以制备Sn-Mo共掺杂的TiO2-NTs阵列电极,提高了其对可见光的响应能力。
发明内容
本发明提供了一种有较高光电催化反应能力的锡-钼共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极,并提供了上述电极的制备方法。
本发明中配制含有Sn和Mo的电解质溶液,以预处理后的Ti片为阳极,在恒定电压下阳极氧化制备锡-钼共掺杂的二氧化钛纳米管阵列电极,记为Sn-Mo-TiO2-NTs/Ti电极。
本发明的制备步骤如下:
(1)将Ti片用砂纸打磨至表面光滑后依次浸入丙酮、异丙醇和无水乙醇溶液中分别超声处理,去除Ti片表面的氧化物和油,然后用去离子水冲洗干净,氮气吹干备用;
(2)将NH4F溶解于去离子水、浓硝酸、氢氟酸的混合溶液中,制得刻蚀液,将(1)中制备的Ti片置于刻蚀液中刻蚀30s,然后用去离子水冲洗干净,氮气吹干备用;
优选NH4F在刻蚀液中的质量分数为2wt%~4wt%;去离子水、浓硝酸、分析纯氢氟酸体积比为10:8:1;
(3)将适量Na2SnO3·3H2O、Na2MoO4·H2O和NH4F溶解于乙二醇-水混合溶液中,搅拌混合均匀制备成电解质溶液;
优选电解质溶液中NH4F质量分数为0.25wt%~0.5wt%,乙二醇-水的体积比为24:1;
(4)将(2)中刻蚀后的Ti片作为阳极,将Pt片作为阴极,置于(3)中制备的电解质溶液中进行阳极氧化;优选在20℃水浴条件下,20V~60V电压下,阳极氧化0.5h~6h;
(5)将(4)中阳极氧化后的Ti片依次用无水乙醇和去离子水清洗干净后,放置于恒温鼓风干燥箱中干燥,干燥后取出冷却至室温,然后置于马弗炉中,以2℃/min的速率升温至450℃~600℃,煅烧2h,冷却至室温后,用去离子水清洗,室温干燥,得到Sn-Mo-TiO2-NTs/Ti电极。
所述步骤(3)电解质溶液中Sn和Mo的摩尔浓度分别为0.01mol/L~0.1mol/L和0.01mol/L~0.1mol/L。
本发明所述的一步法阳极氧化制备锡-钼共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极的方法有以下特点:
(1)制备便捷。通过将待掺杂的Sn、Mo元素加入到阳极氧化电解质溶液中,在阳极氧化生成TiO2纳米管的同时将两种元素掺杂进去。
(2)此发明将Sn和Mo两种元素共掺杂于TiO2纳米管之中,提高了TiO2纳米管对可见光的响应能力,拓展了TiO2纳米管阵列电极的应用范围。
(3)电极稳定性高。通过一步法阳极氧化,可以使得掺杂物质与TiO2纳米管本体融合得更为均匀,结合得更为紧密。
本发明所制备的锡-钼共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极可用于处理环境水体中的苯酚,通过光照和外加偏压,使苯酚氧化降解为小分子酸类,并最终降解为二氧化碳和水,实现有机物染污的无机化降解。
附图说明
图1为实施例2所制备的Sn-Mo-TiO2-NTs/Ti电极的表面SEM图。
图2为实施例1、实施例2、实施例3、实施例4和实施例5所制备的Sn-Mo-TiO2-NTs/Ti电极的光电流响应曲线图。其中:(1)实施例1制备电极的光电流响应曲线图;(2)实施例2制备电极的光电流响应曲线图;(3)实施例3制备电极的光电流响应曲线图;(4)实施例4制备电极的光电流响应曲线图;(5)实施例5制备电极的光电流响应曲线图。
图3为实施例2制备的Sn-Mo-TiO2-NTs/Ti电极和对比例制备的TiO2-NTs/Ti电极的紫外-可见漫反射光谱图。
具体实施方式
下面实施例和对比例将结合附图对本发明作进一步的说明,但本发明并不限于以下实施例。
实施例1:
1、将Ti片用砂纸打磨至表面光滑后依次浸入丙酮、异丙醇和无水乙醇溶液中超声处理15min,去除Ti片表面的氧化物和油,然后用去离子水冲洗干净,氮气吹干备用;
2、将质量分数为3.5wt%的NH4F溶解于体积比为10:8:1的去离子水、65%的浓硝酸、分析纯氢氟酸混合溶液中,制得刻蚀液,将1中制备的Ti片置于刻蚀液中刻蚀30s,然后用去离子水冲洗干净,氮气吹干备用;
3、将Na2SnO3·3H2O、Na2MoO4·H2O和质量分数为0.5wt%的NH4F溶解于体积比为24:1的乙二醇-水混合溶液中,搅拌混合均匀制备成电解质溶液,溶液中Sn的摩尔浓度为0.01mol/L,Mo的摩尔浓度为0.01mol/L;
4、将2中刻蚀后的Ti片作为阳极,将Pt片作为阴极,置于3中制备的电解质溶液中,在20℃水浴条件下,30V电压下,阳极氧化2h;
5、将4中阳极氧化后的Ti片依次用无水乙醇和去离子水清洗干净后,放置于恒温鼓风干燥箱中干燥,干燥后取出冷却至室温,然后置于马弗炉中,以2℃/min的速率升温至550℃,煅烧2h,冷却至室温后,用去离子水清洗,室温干燥,得到Sn-Mo-TiO2-NTs/Ti电极。
6、光电性能测试:分别以Sn-Mo-TiO2-NTs/Ti电极作为工作电极,铂片为对电极,Hg/Hg2SO4电极为参比电极,以0.05mol/L Na2SO4为电解质溶液,用配有AM 1.5模拟太阳光反光片的300W氙灯为光源,在0.5V外加偏压下,采用计时电流法测定电极的光响应能力。测得在光照条件下最大光响应电流为470μA,如图2中曲线(1)所示。
实施例2:
本实施方式与实施例1不同之处在于制备成的电解质溶液中Sn的摩尔浓度为0.05mol/L,Mo的摩尔浓度为0.05mol/L。
扫描电子显微镜(SEM)测试:对制备的Sn-Mo-TiO2-NTs/Ti电极表面形貌进行表征测试,结果如图1所示。
光电性能测试:分别以Sn-Mo-TiO2-NTs/Ti电极作为工作电极,铂片为对电极,Hg/Hg2SO4电极为参比电极,以0.05mol/L Na2SO4为电解质溶液,用配有AM 1.5模拟太阳光反光片的300W氙灯为光源,在0.5V外加偏压下,采用计时电流法测定电极的光响应能力。测得在光照条件下最大光响应电流为780μA,如图2曲线(2)所示。
紫外-可见漫反射光谱测试:以BaSO4为参比标准白板,在200–800nm区间内对电极进行漫反射吸收光谱扫描测试,测定Sn-Mo-TiO2-NTs/Ti电极的吸收波长,结果如图3所示。
实施例3:
本实施方式与实施例1不同之处在于制备成的电解质溶液中Sn的摩尔浓度为0.05mol/L,Mo的摩尔浓度为0.1mol/L。
光电性能测试:分别以Sn-Mo-TiO2-NTs/Ti电极作为工作电极,铂片为对电极,Hg/Hg2SO4电极为参比电极,以0.05mol/L Na2SO4为电解质溶液,用配有AM 1.5模拟太阳光反光片的300W氙灯为光源,在0.5V外加偏压下,采用计时电流法测定电极的光响应能力。测得在光照条件下最大光响应电流为514μA,如图2曲线(3)所示。
实施例4:
本实施方式与实施例1不同之处在于制备成的电解质溶液中Sn的摩尔浓度为0.1mol/L,Mo的摩尔浓度为0.05mol/L。
光电性能测试:分别以Sn-Mo-TiO2-NTs/Ti电极作为工作电极,铂片为对电极,Hg/Hg2SO4电极为参比电极,以0.05mol/L Na2SO4为电解质溶液,用配有AM 1.5模拟太阳光反光片的300W氙灯为光源,在0.5V外加偏压下,采用计时电流法测定电极的光响应能力。测得在光照条件下最大光响应电流为502μA,如图2曲线(4)所示。
实施例5:
本实施方式与实施例1不同之处在于制备成的电解质溶液中Sn的摩尔浓度为0.1mol/L,Mo的摩尔浓度为0.1mol/L。
光电性能测试:分别以Sn-Mo-TiO2-NTs/Ti电极作为工作电极,铂片为对电极,Hg/Hg2SO4电极为参比电极,以0.05mol/L Na2SO4为电解质溶液,用配有AM 1.5模拟太阳光反光片的300W氙灯为光源,在0.5V外加偏压下,采用计时电流法测定电极的光响应能力。测得在光照条件下最大光响应电流为687μA,如图2曲线(5)所示。
对比例:
本对比例与实施例1不同之处在于将质量分数为0.5wt%的NH4F溶解于体积比为96:4的乙二醇-水混合溶液中,搅拌混合均匀制备成电解质溶液,电解质溶液无Sn和Mo。最终制备的电极记为TiO2-NTs/Ti电极。
紫外-可见漫反射光谱测试:以BaSO4为参比标准白板,在200–800nm区间内对电极进行漫反射吸收光谱扫描测试,测定TiO2-NTs/Ti电极的吸收波长,结果如图3所示。
实施例与对比例之间的对比结果表明,在掺杂Sn和Mo后,电极的吸收边带出现红移,吸收光谱由紫外光区红移至可见光区,提高了电极对可见光的响应能力。不同实施例之间的对比结果说明电解质溶液中不同Sn和Mo浓度,对Sn-Mo-TiO2-NTs/Ti电极的光响应能力有显著影响。

Claims (8)

1.一种锡-钼(Sn-Mo)共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极制备方法,其特征在于,按照下述步骤进行:
(1)将Ti片用砂纸打磨至表面光滑后依次浸入丙酮、异丙醇和无水乙醇溶液中分别超声处理,去除Ti片表面的氧化物和油,然后用去离子水冲洗干净,氮气吹干备用;
(2)将NH4F溶解于去离子水、浓硝酸、氢氟酸的混合溶液中,制得刻蚀液,将(1)中制备的Ti片置于刻蚀液中刻蚀30s,然后用去离子水冲洗干净,氮气吹干备用;
(3)将适量Na2SnO3·3H2O、Na2MoO4·H2O和NH4F溶解于乙二醇-水混合溶液中,搅拌混合均匀制备成电解质溶液;
(4)将(2)中刻蚀后的Ti片作为阳极,将Pt片作为阴极,置于(3)中制备的电解质溶液中进行阳极氧化;优选在20℃水浴条件下,20V~60V电压下,阳极氧化0.5h~6h;
(5)将(4)中阳极氧化后的Ti片依次用无水乙醇和去离子水清洗干净后,放置于恒温鼓风干燥箱中干燥,干燥后取出冷却至室温,然后置于马弗炉中,以2℃/min的速率升温至450℃~600℃,煅烧2h,冷却至室温后,用去离子水清洗,室温干燥,得到Sn-Mo-TiO2-NTs/Ti电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)NH4F在刻蚀液中的质量分数为2wt%~4wt%。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)去离子水、浓硝酸、分析纯氢氟酸体积比为10:8:1。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)电解质溶液中NH4F质量分数为0.25wt%~0.5wt%。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)乙二醇、水的体积比为24:1。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)电解质溶液中Sn和Mo的摩尔浓度分别为0.01mol/L~0.1mol/L和0.01mol/L~0.1mol/L。
7.按照权利要求1-7任一项所述的方法制备得到的锡-钼(Sn-Mo)共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极。
8.按照权利要求1-7任一项所述的方法制备得到的锡-钼(Sn-Mo)共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极的应用,用于处理环境水体中的苯酚,通过光照和外加偏压,使苯酚氧化降解为小分子酸类,并最终降解为二氧化碳和水,实现有机物染污的无机化降解。
CN201710142796.8A 2017-03-10 2017-03-10 一种锡-钼共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极及制备方法 Active CN106917128B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710142796.8A CN106917128B (zh) 2017-03-10 2017-03-10 一种锡-钼共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710142796.8A CN106917128B (zh) 2017-03-10 2017-03-10 一种锡-钼共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极及制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106917128A true CN106917128A (zh) 2017-07-04
CN106917128B CN106917128B (zh) 2019-10-15

Family

ID=59460287

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710142796.8A Active CN106917128B (zh) 2017-03-10 2017-03-10 一种锡-钼共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106917128B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108043378A (zh) * 2017-10-09 2018-05-18 华南理工大学 一种非金属掺杂多孔壁钛纳米管阵列可见光催化剂及其制备方法与应用
CN109537021A (zh) * 2018-11-26 2019-03-29 天津师范大学 一种用于钠离子电池负极的氧化钛/氧化锡复合膜的制备方法
CN110161099A (zh) * 2019-05-21 2019-08-23 河南大学 以二氧化钛纳米棒复合材料为电化学示踪剂的电化学适配体传感器的构建方法
CN111139509A (zh) * 2020-01-10 2020-05-12 北京工业大学 一种铋改性二氧化钛纳米管阵列电极的制备方法
CN113800605A (zh) * 2021-08-23 2021-12-17 南开沧州渤海新区绿色化工研究有限公司 一种基于光电催化生成自由基处理养殖海水尾水的方法
CN114411190A (zh) * 2022-02-16 2022-04-29 厦门稀土材料研究所 一种稀土铈掺杂二氧化钛纳米管阵列结构材料的制备方法和应用

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5185075A (en) * 1990-10-25 1993-02-09 The Alta Group Surface treated titanium/titanium alloy articles and process for producing
CN1598075A (zh) * 2004-07-29 2005-03-23 大连理工大学 二氧化钛纳米管电极及其制备方法和应用
CN101109096A (zh) * 2007-06-22 2008-01-23 湖南大学 钼钨掺杂阳极氧化法制备二氧化钛纳米管阵列的方法
CN102051621A (zh) * 2009-11-03 2011-05-11 北京有色金属研究总院 钛及钛合金的化学抛光溶液
CN103282549A (zh) * 2010-11-12 2013-09-04 Oci有限公司 用于刻蚀金属层的组合物
CN104313661A (zh) * 2014-09-28 2015-01-28 西北有色金属研究院 一种Ca和Si共掺杂的TiO2膜
CN106086991A (zh) * 2016-08-19 2016-11-09 长江水利委员会长江科学院 一种调控式金属离子原位掺杂TiO2纳米管阵列的制备方法
CN106245091A (zh) * 2016-07-26 2016-12-21 斌源材料科技(上海)有限公司 二氧化钛复合材料及其制备方法和应用

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5185075A (en) * 1990-10-25 1993-02-09 The Alta Group Surface treated titanium/titanium alloy articles and process for producing
CN1598075A (zh) * 2004-07-29 2005-03-23 大连理工大学 二氧化钛纳米管电极及其制备方法和应用
CN101109096A (zh) * 2007-06-22 2008-01-23 湖南大学 钼钨掺杂阳极氧化法制备二氧化钛纳米管阵列的方法
CN102051621A (zh) * 2009-11-03 2011-05-11 北京有色金属研究总院 钛及钛合金的化学抛光溶液
CN103282549A (zh) * 2010-11-12 2013-09-04 Oci有限公司 用于刻蚀金属层的组合物
CN104313661A (zh) * 2014-09-28 2015-01-28 西北有色金属研究院 一种Ca和Si共掺杂的TiO2膜
CN106245091A (zh) * 2016-07-26 2016-12-21 斌源材料科技(上海)有限公司 二氧化钛复合材料及其制备方法和应用
CN106086991A (zh) * 2016-08-19 2016-11-09 长江水利委员会长江科学院 一种调控式金属离子原位掺杂TiO2纳米管阵列的制备方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108043378A (zh) * 2017-10-09 2018-05-18 华南理工大学 一种非金属掺杂多孔壁钛纳米管阵列可见光催化剂及其制备方法与应用
CN108043378B (zh) * 2017-10-09 2020-12-22 华南理工大学 一种非金属掺杂多孔壁钛纳米管阵列可见光催化剂及其制备方法与应用
CN109537021A (zh) * 2018-11-26 2019-03-29 天津师范大学 一种用于钠离子电池负极的氧化钛/氧化锡复合膜的制备方法
CN109537021B (zh) * 2018-11-26 2020-07-21 天津师范大学 一种用于钠离子电池负极的氧化钛/氧化锡复合膜的制备方法
CN110161099A (zh) * 2019-05-21 2019-08-23 河南大学 以二氧化钛纳米棒复合材料为电化学示踪剂的电化学适配体传感器的构建方法
CN111139509A (zh) * 2020-01-10 2020-05-12 北京工业大学 一种铋改性二氧化钛纳米管阵列电极的制备方法
CN113800605A (zh) * 2021-08-23 2021-12-17 南开沧州渤海新区绿色化工研究有限公司 一种基于光电催化生成自由基处理养殖海水尾水的方法
CN113800605B (zh) * 2021-08-23 2024-01-12 南开沧州渤海新区绿色化工研究有限公司 一种基于光电催化生成自由基处理养殖海水尾水的方法
CN114411190A (zh) * 2022-02-16 2022-04-29 厦门稀土材料研究所 一种稀土铈掺杂二氧化钛纳米管阵列结构材料的制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN106917128B (zh) 2019-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106917128B (zh) 一种锡-钼共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极及制备方法
Teng et al. Enhanced photoelectrochemical performance of MoS2 nanobelts-loaded TiO2 nanotube arrays by photo-assisted electrodeposition
Momeni et al. Fabrication, characterization and photoelectrochemical behavior of Fe–TiO2 nanotubes composite photoanodes for solar water splitting
CN106498372B (zh) 光沉积制备Bi/BiVO4复合光电阳极材料的方法
CN104835648B (zh) 氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法
US20150345034A1 (en) Systems, methods, and materials for producing hydrocarbons from carbon dioxide
CN107723777B (zh) 电沉积二硫化钼量子点修饰二氧化钛纳米管阵列的制备方法
CN106745474B (zh) 可见光响应的三氧化钨-钒酸铋异质结薄膜电极制备方法
CN101814375B (zh) 一种氮掺杂二氧化钛纳米线电极的制备方法
KR102289708B1 (ko) 바나듐-기능화된 그래핀 양자점을 함유하는 비스무스바나데이트 전극 및 이의 제조방법
CN107574456A (zh) 一种超薄二硫化钼纳米片/硅纳米线异质结结构的制备方法
CN105347694A (zh) 一种分枝状异相氢化二氧化钛纳米棒阵列电极及制备方法
CN102660763B (zh) 一种高催化性质TiO2纳米管阵列薄膜的制备方法及应用
CN105788870A (zh) 介孔空心球状二氧化钛/三氧化钨复合材料在薄膜电极制备中的应用
CN103861576A (zh) 一种暴露锐钛矿二氧化钛高能面的异质结纳米管阵列薄膜光催化材料及制备方法和应用
CN104549400A (zh) 一种可见光响应型TiO2纳米管阵列及其制备方法与应用
CN103320839B (zh) 去除有机污染物的二氧化钛纳米管阵列光电极的制备方法
CN105986292A (zh) 一种钴、镍双层氢氧化物修饰的二氧化钛纳米管阵列的制备方法及光电化学水解制氢应用
CN104801295B (zh) 金属钛表面氧化钛/氧化钨纳米复合物薄膜及制备与应用
CN104399503B (zh) 铁、氮、氟共掺杂二氧化钛纳米管阵列光催化剂及其制备方法和应用
CN108505098B (zh) Pt负载富硫二硫化钼边界位点修饰二氧化钛纳米管阵列的制备方法
CN105506710A (zh) 一种CuS纳米颗粒敏化二氧化钛纳米管阵列的制备方法
CN112691664A (zh) 一种Fe2O3/TiO2纳米光催化剂薄膜复合材料及其制备方法
CN108677208B (zh) 一种锰修饰二氧化钛纳米管增强光电响应的制备方法
CN104278310B (zh) 一种氧化钨改性的二氧化钛纳米管的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant