CN106816444A - 晶体管基板以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种晶体管基板以及显示装置，其目的在于减小在向距离控制电路远的驱动电极输入信号时的时间常数。晶体管基板具有在电源布线(PS2)与第一导电性布线(WR1)之间形成的多个第一晶体管(Tt1)、以及在电源布线与第二导电性布线(WR2)之间形成的多个第二晶体管(Tt2)。电源布线中的位于多个第二晶体管与驱动信号生成电路(VT)之间的部分(PT2)的长度(LP2)比电源布线中的位于多个第一晶体管与驱动信号生成电路之间的部分(PT1)的长度(LP1)更长，多个第二晶体管所包含的沟道(CH2)的沟道宽度(Wt2)的总和比多个第一晶体管所包含的沟道(CH1)的沟道宽度(Wt1)的总和更宽。

Description

晶体管基板以及显示装置
技术领域
本发明涉及一种晶体管基板以及显示装置，例如涉及一种有效应用于具有多个晶体管的晶体管基板以及显示装置的技术。
背景技术
已知有一种显示装置，其向设于显示区域的多个像素经由多个扫描线供给扫描信号并经由多个信号线供给像素信号，以显示图像。就这种显示装置而言，为了使显示装置变得小型且增大显示区域，要求缩小显示区域的外侧的边框区域的宽度。
多个像素是通过多个扫描线与多个信号线交叉而形成的。各像素具有晶体管和像素电极。另外，多个像素共有还被称为公共电极的驱动电极。驱动电极在例如沿着扫描线的方向上延伸，并在例如沿着信号线的方向上排列有多个。像素电极以及驱动电极被形成于例如形成有晶体管的晶体管基板。
在这种显示装置中，用于显示图像的显示用的信号从电源布线输入至驱动电极。另外，在显示装置具有触摸检测功能的情况下，显示用的信号与触摸检测用的信号被切换输入至驱动电极。
在JP特开2014-32282号公报(专利文献1)中记载了如下的一种技术，即，在显示装置中，与多个栅极线和多个源极线交叉的各个部分对应地配置有显示像素，该显示像素具有开关元件和像素电极，该显示装置中还具有与像素电极相对的对置电极。
在JP特开平11-84428号公报(专利文献2)中记载了如下的一种技术，即，在显示装置中具有与第一薄膜晶体管的源极电极和漏极电极中的一者电连接的第一像素电极、与第二薄膜晶体管的源极电极和漏极电极中的一者电连接的第二像素电极、与第一像素电极及第二像素电极相对的公共电极。
专利文献1：JP特开2014-32282号公报
专利文献2：JP特开平11-84428号公报
这种显示装置具有电源布线和多个切换部。多个切换部基于来自驱动电极驱动器的驱动信号，将来自电源布线的显示用或者触摸检测用的信号切换地供给至多个驱动电极中的每一个。
在向驱动电极输入有信号时的时间常数与如下的两个电阻之和成正比例，这两个电阻分别是连接于多个驱动电极中的每一个与电源布线之间的切换部在导通状态下的电阻、电源布线中的位于该切换部与控制电路之间的部分的电阻。因此，越是距离控制电路远的驱动电极，则时间常数越大；越是距离控制电路近的驱动电极，则时间常数越小。
此处，多个驱动电极中的具有最大时间常数的驱动电极对触摸检测特性或者显示特性产生的影响最大。因此，距离控制电路近的驱动电极对触摸检测特性或者显示特性产生的影响小，而距离控制电路远的驱动电极对触摸检测特性或者显示特性产生的影响大。因此，就距离控制电路远的驱动电极而言，切换部在导通状态下的电阻与电源布线中的位于该切换部与控制电路之间的部分的电阻之和很大，由此而存在显示装置的触摸检测特性或者显示特性下降的担忧。
发明内容
本发明是为了解决上述这样的现有技术的问题而提出的，其目的在于，提供一种能够减小在距离控制电路远的驱动电极输入有信号时的时间常数的晶体管基板以及显示装置。
对在本申请中公开了发明中的代表性的概要，简单说明如下。
作为本发明的一方面的晶体管基板具有形成有像素的显示区域、以及位于显示区域的外侧的周边区域。该晶体管基板具有：公共布线，其形成于周边区域；控制电路，其与公共布线的一端连接；第一导电性布线和第二导电性布线，其与公共布线分开形成；多个第一晶体管，其形成于公共布线与第一导电性布线之间；以及多个第二晶体管，其形成于公共布线与第二导电性布线之间。多个第一晶体管中的每一个具有：第一栅极电极；第1A电极和第1B电极，其隔着第一栅极电极而形成于两侧；以及第一沟道，其与第一栅极电极相对。多个第二晶体管中的每一个具有：第二栅极电极；第2A电极和第2B电极，其隔着第二栅极电极而形成于两侧；以及第二沟道，其与第二栅极电极相对。在多个第一晶体管中的每一个中，第1A电极与第一导电性布线连接，第1B电极与公共布线连接；在多个第二晶体管中的每一个中，第2A电极与第二导电性布线连接，第2B电极与公共布线连接。公共布线中的位于多个第二晶体管与控制电路之间的部分的长度比公共布线中的位于多个第一晶体管与控制电路之间的部分的长度更长，多个第二晶体管所包含的第二沟道的沟道宽度的总和比多个第一晶体管所包含的第一沟道的沟道宽度的总和更宽。
另外，作为另一方面，也可以是，在将与公共布线的延伸方向交叉的方向作为宽度方向的情况下，公共布线中的在宽度方向上与形成有多个第二晶体管的区域相对的部分的面积小于公共布线中的在宽度方向上与形成有多个第一晶体管的区域相对的部分的面积。
另外，作为另一方面，该晶体管基板也可以具有：第三导电性布线，其与公共布线分开形成；以及多个第三晶体管，其形成于公共布线与第三导电性布线之间。多个第三晶体管中的每一个也可以都具有：第三栅极电极；第3A电极和第3B电极，其隔着第三栅极电极而形成于两侧；以及第三沟道，其与第三栅极电极相对。在多个第三晶体管中的每一个中，也可以是，第3A电极与第三导电性布线连接，第3B电极与公共布线连接。也可以是，公共布线中的位于多个第三晶体管与控制电路之间的部分的长度比公共布线中的位于多个第二晶体管与控制电路之间的部分的长度更长，多个第三晶体管所包含的第三沟道的沟道宽度的总和比多个第二晶体管所包含的第二沟道的沟道宽度的总和更宽。
另外，作为另一方面，也可以是，在将与公共布线的延伸方向交叉的方向作为宽度方向的情况下，公共布线中的在宽度方向上与形成有多个第二晶体管的区域相对的部分的面积小于公共布线中的在宽度方向上与形成有多个第一晶体管的区域相对的部分的面积。也可以是，公共布线中的在宽度方向上与形成有多个第三晶体管的区域相对的部分的面积小于公共布线中的在宽度方向上与形成有多个第二晶体管的区域相对的部分的面积。
另外，作为另一方面，也可以是，在将与公共布线的延伸方向交叉的方向作为宽度方向的情况下，多个第二晶体管在延伸方向和宽度方向上排列。
另外，作为另一方面，多个第一晶体管也可以在延伸方向和宽度方向上排列。
另外，作为另一方面，该晶体管基板也可以具有：多个第一晶体管组，其形成于公共布线与第一导电性布线之间，且彼此并联连接；以及多个第二晶体管组，其形成于公共布线与第二导电性布线之间，且彼此并联连接。也可以是，在将与公共布线的延伸方向交叉的方向作为宽度方向的情况下，多个第一晶体管组在延伸方向上排列，多个第二晶体管组在延伸方向上排列。多个第一晶体管组中的每一组也可以都具有在宽度方向上排列的多个第一晶体管，多个第二晶体管组中的每一组也可以都具有在宽度方向上排列的多个第二晶体管。也可以是，公共布线中的位于多个第二晶体管组与控制电路之间的部分的长度比公共布线中的位于多个第一晶体管组与控制电路之间的部分的长度更长。
另外，作为另一方面，该晶体管基板也可以具有：第四导电性布线，其与公共布线分开形成；以及多个第三晶体管组和多个第四晶体管组，其形成于公共布线与第四导电性布线之间，且彼此并联连接。多个第三晶体管组和多个第四晶体管组也可以在延伸方向上排列，多个第一晶体管组中的每一组也可以都具有在宽度方向上排列的第一数量的第一晶体管，多个第二晶体管组中的每一组也可以都具有在宽度方向上排列的比第一数量多的第二数量的第二晶体管，第一数量为两个以上。多个第三晶体管组中的每一组也可以都具有在宽度方向上排列的第一数量的第四晶体管，多个第四晶体管组中的每一组也可以都具有在宽度方向上排列的第二数量的第四晶体管。第四晶体管也可以具有：第四栅极电极；第4A电极和第4B电极，其隔着第四栅极电极而形成于两侧；以及第四沟道，其与第四栅极电极相对。也可以是，第四晶体管的第4A电极与第四导电性布线连接，第四晶体管的第4B电极与公共布线连接。公共布线中的位于多个第三晶体管组和多个第四晶体管组与控制电路之间的部分的长度也可以比公共布线中的位于第一晶体管组与控制电路之间的部分的长度更长。公共布线中的位于多个第三晶体管组和多个第四晶体管组与控制电路之间的部分的长度也可以比公共布线中的位于第二晶体管组与控制电路之间的部分的长度更短。
另外，作为另一方面，该晶体管基板也可以具有形成于显示区域的第一公共电极和第二公共电极。也可以是，第一公共电极兼作对物体的接近或者接触进行检测的第一检测电极，第二公共电极兼作对物体的接近或者接触进行检测的第二检测电极，第一公共电极与第一导电性布线电连接，第二公共电极与第二导电性布线电连接。
另外，作为另一方面，也可以是具有该晶体管基板的显示装置。
附图说明
图1是示出手指接触或者接近触摸检测设备的状态的说明图。
图2是示出手指接触或者接近触摸检测设备的状态的等效电路的例子的说明图。
图3是示出安装了实施方式的显示装置的模块的一个例子的俯视图。
图4是示出实施方式的显示装置的剖视图。
图5是示出实施方式的显示装置的电路框图。
图6是示出实施方式的显示装置的电路图。
图7是比较例的显示装置中的电源布线以及切换部的俯视图。
图8是比较例的显示装置中的电源布线以及切换部的俯视图。
图9是实施方式的显示装置中的电源布线以及切换部的俯视图。
图10是实施方式的显示装置中的电源布线以及切换部的俯视图。
图11是实施方式的显示装置中的切换部的俯视图。
图12是实施方式的显示装置中的切换部的俯视图。
图13是示意地示出切换部的电阻和电源布线的电阻之和对驱动电极的位置依存性(相关性)的图表。
图14是实施方式的显示装置中的电源布线以及切换部的剖视图。
图15是示意地示出实施方式的显示装置的变形例中的电源布线以及切换部的结构的图。
图16是示意地示出实施方式的显示装置的变形例中的电源布线以及切换部的结构的图。
其中，附图标记说明如下：
1 显示装置
2 阵列基板
3 对置基板
6 液晶层
12、12A、12B 栅极驱动器
13 源极驱动器
14、14A、14B 驱动电极驱动器
19 COG
21 基材
21a 上表面
22 像素电极
31 基材
31a 下表面
32 彩色滤光片
32B、32G、32R 颜色区域
40 触摸检测部
C1 电容元件
C2 静电容量
Cap 电容
CH、CH1～CH3 沟道
CM、CM1～CM4驱动电极
D 电介质
DET 电压检测器
DPA 显示区域
E1 驱动电极
E2 检测电极
EA、EA1～EA3、EB、EB1～EB3、EC、EC1～EC3 电极
FLA、FLA1～FLA4 边框区域
GE、GE1～GE3 栅极电极
GL 扫描线
I1 电流
IF、IF1、IF2 绝缘膜
IL 层间树脂膜
LP1～LP4 长度
OA、OB、OC、OD 开口部
PO、PO1～PO3 部分
PS1、PS2 电源布线
PT、PT1～PT4 部分
Px 像素
RG、RG1～RG3、SA、SA1～SA3、SB、SB1～SB3 区域
S 交流信号源
SC、SC1～SC3 半导体层
Sg 交流矩形波
SL 信号线
SP1～SP3 面积
SW、SW1～SW4 切换部
Sx 副像素
T 柔性印刷基板
TD 检测电极
TG、TG1～TG5 晶体管组
Tr、Tt、Tt1～Tt3 晶体管
VCK 垂直时钟脉冲
Vdet 检测信号
Vsig 图像信号
VST 垂直启动脉冲
VT 驱动信号生成电路
WP、WS 宽度
WR、WR1～WR3 导电性布线
Wt1～Wt3 沟道宽度
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
此外，本发明公开的只不过是一个例子，本领域技术人员容易想到的保持发明的主旨不变而做的适当变更当然包含在本发明的范围内。另外，为了更明确地说明附图，有时，相较于实施的形态而示意地示出各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过是一个例子，并不限定对本发明的解释。
另外，在本说明书和各附图中，针对给出的附图，对于与上述的同样的要素标付相同的附图标记，有时会适当省略详细的说明。
而且，在实施方式中使用的附图中，有时根据附图情况也会省略为了区分构造物而添加的影线(阴影)。
实施方式
以下，作为实施方式，针对将显示装置应用于带有触摸检测功能的液晶显示装置的例子进行说明。此处，带有触摸检测功能的液晶显示装置是指，在显示装置所包含的阵列基板以及对置基板中的某一者上设有触摸检测用的检测电极的液晶显示装置。另外，在实施方式中，还针对一种嵌入(In Cell)型的带有触摸检测功能的液晶显示装置进行说明，这种液晶显示装置具有将驱动电极设置成作为触摸面板的驱动电极进行动作的特征。
静电容量型触摸检测的原理
首先，参照图1和图2，针对本实施方式的显示装置的触摸检测原理进行说明。图1是示出手指接触或者接近触摸检测设备的状态的说明图。图2是示出手指接触或者接近触摸检测设备的状态的等效电路的例子的说明图。
如图1所示，在静电容量型触摸检测中，被称为触摸面板或者触摸传感器的输入装置具有隔着电介质D而彼此相对配置的驱动电极E1和检测电极E2。由该驱动电极E1和检测电极E2形成电容元件C1。如图2所示，电容元件C1的一端与作为驱动信号源的交流信号源S连接，电容元件C1的另一端与作为触摸检测部的电压检测器DET连接。电压检测器DET具有例如积分电路。
当从交流信号源S向电容元件C1的一端即向驱动电极E1施加具有例如几kHz～几百kHz左右的频率的交流矩形波Sg时，经由与电容元件C1的另一端即与检测电极E2侧连接的电压检测器DET产生作为输出波形的检测信号Vdet。
在手指不接触以及不接近的状态下，即在非接触状态下，如图2所示，伴随着对电容元件C1的充放电，流过与电容元件C1的电容值对应的电流I1。电压检测器DET将根据交流矩形波Sg的电流I1的变动转换为电压的变动。
另一方面，在手指接触或者接近的状态下，即在接触状态下，受到由手指形成的静电容量C2的影响，由驱动电极E1和检测电极E2形成的电容元件C1的电容值变小。因此，流过图2所示的电容元件C1的电流I1发生变动。电压检测器DET将根据交流矩形波Sg的电流I1的变动转换为电压的变动。
在触摸检测时，将通过作为触摸检测部的电压检测器DET检测到的因手指引起的差分电压与规定的阈值电压比较，若差分电压在该阈值电压以上，则判断为从外部接近的外部接近物体的接触状态，若不满阈值电压，则判断为外部接近物体的非接触状态。
此外，上述记载的静电容方式是对形成于驱动电极E1与检测电极E2之间的电容的变动进行检测的互电容方式。在另一方面，也可以是对形成于驱动电极E1与接地电极之间的电容的变动进行检测的自电容方式。
模块
图3是示出安装了实施方式的显示装置的模块的一个例子的俯视图。
如图3所示，显示装置1具有包含基材21的作为晶体管基板的阵列基板2、包含基材31的对置基板3和柔性印刷基板T。
基材21具有显示区域DPA和边框区域FLA。显示区域DPA是作为基材21的主面的上表面21a(参照后述的图4)侧的区域中、设有多个副像素Sx(参照后述的图5)的区域。即显示区域DPA是显示图像的区域。边框区域FLA是作为基材21的主面的上表面21a(参照后述的图4)侧的区域中、比显示区域DPA更靠基材21的外周侧的区域。边框区域FLA是不显示图像的区域。
此处，以在作为基材21的主面的上表面21a内彼此交叉、优选为正交的两个方向作为X轴方向和Y轴方向。在图3所示的例子中，基材21在俯视时呈具有在X轴方向上分别延伸的两个边和在Y轴方向上分别延伸的两个边的矩形形状。因此，在图3所示的例子中，边框区域FLA是显示区域DPA的周围的框状的区域。
此外，在本申请说明书中，“俯视时”是指，从垂直于作为基材21的主面的上表面21a(参照后述的图4)的方向观察该上表面21a的情况。另外，以下，有时将作为基材21的主面的上表面21a上方简称为基材21上方。
另外，本申请说明书中的“X轴方向上的正侧”是指表示图中的X轴方向的箭头延伸的一侧，“X轴方向上的负侧”是指上述“正侧”的相反侧。Y轴方向上的正侧、负侧也同样。
而且，在本申请说明书中，除非另有说明，以将绝缘膜IF或晶体管Tr层叠于形成像素电极的基材21的方向作为“上”，以“上”的相反侧的方向作为“下”。
在基材21上，搭载有作为控制电路的COG(Chip On Glass，玻璃上芯片)19。COG19是安装于基材21的IC(Integrated Circuit，集成电路)芯片，是内置了显示动作所需要的各电路的控制装置。
在基材21上方设有源极驱动器13。源极驱动器13也可以内置于COG19。
在基材21上方设有栅极驱动器12A和12B作为栅极驱动器12。另外，在基材21上方设有驱动电极驱动器14A和14B作为驱动电极驱动器14。栅极驱动器12A和12B被设于边框区域FLA。
此处，将边框区域FLA中的相对于显示区域DPA配置于Y轴方向上的负侧的区域设置为边框区域FLA1，将边框区域FLA中的相对于显示区域DPA配置于X轴方向上的负侧的区域设置为边框区域FLA2。另外，将边框区域FLA中的相对于显示区域DPA配置于Y轴方向上的正侧的区域设置为边框区域FLA3，将边框区域FLA中的相对于显示区域DPA配置于X轴方向上的正侧的区域设置为边框区域FLA4。此时，栅极驱动器12A和驱动电极驱动器14A设于边框区域FLA2，栅极驱动器12B和驱动电极驱动器14B设于边框区域FLA4。
如图3所示，显示装置1具有多个驱动电极CM和多个检测电极TD。多个驱动电极CM和多个检测电极TD是触摸检测用的电极，基于多个驱动电极CM中的每一个与多个检测电极TD中每一个之间的静电容量来检测输入位置。在俯视时，多个驱动电极CM在显示区域DPA在X轴方向上分别延伸，且在Y轴方向上排列。另外，在俯视时，多个检测电极TD在Y轴方向上分别延伸，且，在X轴方向上排列。
在进行触摸检测动作时，通过驱动电极驱动器14，将检测用驱动信号VcomAC作为触摸检测用的驱动信号依次供给至多个驱动电极CM中的每一个。多个检测电极TD中的每一个经由柔性印刷基板T与安装于柔性印刷基板T的触摸检测部40连接。柔性印刷基板T只要为端子即可，不限于柔性印刷基板，在这种情况下，在模块的外部设置触摸检测部40。
如后文使用图6说明的那样，在显示区域DPA，由多个副像素Sx构成的像素Px呈矩阵状(阵列状)地配置有多个。另外，如上所述，栅极驱动器12A设于边框区域FLA2，栅极驱动器12B设于边框区域FLA4。栅极驱动器12A和12B隔着显示区域DPA设置，从两侧驱动副像素Sx，该显示区域DPA为后述的副像素Sx(像素)配置成矩阵状的区域。
驱动电极驱动器14A和14B分别与在Y轴方向上排列的多个驱动电极CM中的每一个在X轴方向上的正侧和负侧这两侧连接。基于来自驱动电极驱动器14A和14B的驱动信号，将作为显示用的驱动信号的显示用驱动信号VcomDC从例如COG19所包含的驱动信号生成电路VT经由作为公共布线的电源布线PS1切换地供给至多个驱动电极CM中的每一个。另外，基于来自驱动电极驱动器14A和14B的驱动信号，将作为触摸检测用的驱动信号的检测用驱动信号VcomAC从驱动信号生成电路VT经由作为公共布线的电源布线PS2切换地供给至多个驱动电极CM中的每一个。
即，从作为控制电路的驱动信号生成电路VT向电源布线PS1供给显示用驱动信号VcomDC，从驱动信号生成电路VT向电源布线PS2供给检测用驱动信号VcomAC。电源布线PS1形成于边框区域FLA2和FLA4，在俯视时，在Y轴方向上延伸。驱动信号生成电路VT与电源布线PS1的一端连接。电源布线PS2设于边框区域FLA2和FLA4，在俯视时，在Y轴方向上延伸。驱动信号生成电路VT与电源布线PS2的一端连接。
此外，在图3中省略了图示，但是如使用后述的图9说明的那样，在电源布线PS2与多个驱动电极CM中的每一个之间形成有多个切换部SW。另外，多个切换部SW也可以形成于电源布线PS1与多个驱动电极CM中的每一个之间。
显示装置
以下，参照图3以及图4～图6，详细地说明本实施方式的显示装置的结构例。图4是示出实施方式的显示装置的剖视图。图5是示出实施方式的显示装置的电路框图。图6是示出实施方式的显示装置的电路图。
如图4所示，显示装置1(参照图3)具有阵列基板2、对置基板3和液晶层6。对置基板3以使阵列基板2的上表面与对置基板3的下表面相对的方式与阵列基板2相对配置。液晶层6设于阵列基板2与对置基板3之间。
阵列基板2具有绝缘性的基材21。另外，对置基板3具有绝缘性的基材31。基材31具有上表面和位于上表面的相反侧的下表面，并以使基材21的上表面与基材31的下表面相对的方式配置于与基材21相对的位置。另外，液晶层6夹在基材21的上表面与基材31的下表面之间。此外，如上所述，将基材21的上表面称为上表面21a。另外，将基材31的下表面称为下表面31a。
另外，如图5所示，阵列基板2在基材21上方具有显示区域DPA、COG19、栅极驱动器12A和12B以及源极驱动器13。
如图5以及图6所示，在显示区域DPA中，副像素Sx排列为矩阵状(阵列状)。另外，如图6所示，利用多个不同颜色的副像素Sx形成一个像素Px。
此外，在本申请说明书中，行是指，具有在X轴方向上排列的多个副像素Sx的像素行。另外，列是指，具有在与行排列的方向交叉、优选为正交的Y轴方向上排列的多个副像素Sx的像素列。
如图5所示，多个扫描线GL在显示区域DPA在X轴方向上分别延伸、且在Y轴方向上排列。多个信号线SL在显示区域DPA在Y轴方向上分别延伸、且在X轴方向上排列。因此，在俯视时，多个信号线SL中的每一个都与多个扫描线GL交叉。像这样，在俯视时，在彼此交叉的多个扫描线GL与多个信号线SL的交点配置有副像素Sx。
从阵列基板2的外部向COG19输入主时钟、水平同步信号以及垂直同步信号。COG19基于被输入至COG19的主时钟、水平同步信号以及垂直同步信号，生成垂直启动脉冲VST和垂直时钟脉冲VCK并供给至栅极驱动器12A和12B。
栅极驱动器12A和12B依次输出基于所输入的垂直启动脉冲VST和垂直时钟脉冲VCK的扫描信号，并供给至扫描线GL，由此以行为单位依次选择副像素Sx。
源极驱动器13被赋予例如红、绿和蓝的图像信号Vsig。源极驱动器13对由栅极驱动器12A和12B选择出的行的各副像素Sx，经由信号线SL向每一个像素或者每多个像素供给像素信号。
如图6所示，在俯视时，在多个扫描线GL中的每一个与多个信号线SL中的每一个交叉的交叉部，形成有由作为场效应晶体管的薄膜晶体管(Thin Film Transistor：TFT)构成的晶体管Tr。因此，在显示区域DPA，在基材21上方形成有多个晶体管Tr，该多个晶体管Tr沿着X轴方向和Y轴方向排列成矩阵状。即，在多个副像素Sx中的每一个中都设有晶体管Tr。另外，在多个副像素Sx中的每一个中，除了设有晶体管Tr，还设有像素电极22。
晶体管Tr由例如作为n沟道型的MOS(Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体)的薄膜晶体管构成。晶体管Tr的栅极电极与扫描线GL连接。晶体管Tr的源极电极或者漏极电极中的一者与信号线SL连接，或者就是信号线SL。晶体管Tr的源极电极或者漏极电极的另一者与像素电极22连接。
如图4所示，阵列基板2具有基材21、作为公共电极的驱动电极CM、绝缘膜IF和多个像素电极22。在俯视时，驱动电极CM在显示区域DPA的内部设于基材21的上表面21a。在包含驱动电极CM的表面在内的基材21的上表面21a上方形成有绝缘膜IF。在显示区域DPA，在绝缘膜IF上方形成有多个像素电极22。因此，绝缘膜IF将驱动电极CM与像素电极22电绝缘。
此外，阵列基板2是具有形成了副像素Sx的显示区域DPA以及位于显示区域DPA的外侧的作为周边区域的边框区域FLA的晶体管基板。
如图6所示，在俯视时，多个像素电极22分别形成于多个副像素Sx中每一个的内部，该多个副像素Sx在显示区域DPA的内部沿着X轴方向以及Y轴方向排列成矩阵状。因此，多个像素电极22沿着X轴方向和Y轴方向排列成矩阵状。
在图4所示的例子中，驱动电极CM形成于基材21与像素电极22之间。另外，在俯视时，驱动电极CM以与多个像素电极22中的每一个重叠的方式设置，并与扫描线GL(参照图6)重叠。而且，向多个像素电极22中的每一个与驱动电极CM之间施加电压，在多个像素电极22中的每一个与驱动电极CM之间，即在多个副像素Sx中的每一个中形成有电场。由此，液晶层6中的液晶取向，在显示区域DPA显示出图像。此时，在驱动电极CM与像素电极22之间形成电容Cap，电容Cap发挥保持电容的功能。
此外，驱动电极CM也可以形成于与像素电极22相比靠液晶层6侧。而且，驱动电极CM还可以形成于基材31。另外，在图4所示的例子中，驱动电极CM与像素电极22的配置是驱动电极CM与像素电极22在俯视时重叠的、作为横向电场模式的FFS(Fringe FieldSwitching，边缘场开关)模式下的配置。但是，驱动电极CM与像素电极22的配置也可以是驱动电极CM与像素电极22在俯视时不重叠的、作为横向电场模式的IPS(In PlaneSwitching，面内开关)模式下的配置。或者，驱动电极CM与像素电极22的配置还可以是在作为纵向电场模式的TN(Twisted Nematic，扭曲向列)模式或者VA(Vertical Alignment，垂直取向)模式等的配置。
液晶层6根据电场的状态来调制从该液晶层6通过的光，例如，使用与上述的FFS模式或者IPS模式等横向电场模式对应的液晶层。此外，也可以在图4所示的液晶层6与阵列基板2之间以及液晶层6与对置基板3之间分别设置有取向膜。
栅极驱动器12A和12B经由扫描线GL向副像素Sx的晶体管Tr的栅极供给扫描信号，由此依次选择在显示区域DPA配置成矩阵状的副像素Sx中的一行(一个水平行)来作为显示驱动的对象。源极驱动器13经由信号线SL向由栅极驱动器12A和12B依次选择出的一个水平行所包含的各副像素Sx供给像素信号。而且，通过这些副像素Sx根据供给来的像素信号而进行一个水平行的显示动作。在进行该显示动作时，作为驱动电极驱动器14的驱动电极驱动器14A和14B向驱动电极CM供给显示用驱动信号VcomDC来驱动该驱动电极CM。
本实施方式的显示装置1中的驱动电极CM作为液晶显示设备的驱动电极进行动作，且，作为触摸检测设备的驱动电极进行动作。
如图3以及图4所示，本实施方式的显示装置具有设于阵列基板2的多个驱动电极CM和设于对置基板3的多个检测电极TD。在俯视时，多个检测电极TD分别在与多个驱动电极CM中的每一个所延伸的方向交叉的方向上延伸。
多个检测电极TD中的每一个分别与触摸检测部40连接。在多个驱动电极CM中的每一个与多个检测电极TD中的每一个在俯视时的交叉部产生静电容量。基于多个驱动电极CM中的每一个与多个检测电极TD中的每一个之间的静电容量来检测输入位置。
在触摸检测部40进行触摸检测动作时，通过驱动电极驱动器14，沿着扫描方向(Y轴方向)依次选择例如一个或者多个驱动电极CM。而且，向选择出的一个或者多个驱动电极CM供给并输入检测用驱动信号VcomAC，从检测电极TD产生并输出用于检测输入位置的检测信号Vdet。在一个驱动范围中包含的一个或者多个驱动电极CM与上述触摸检测的原理中的驱动电极E1对应，检测电极TD与检测电极E2对应。
在俯视时，彼此交叉的多个驱动电极CM与多个检测电极TD形成排列成矩阵状的静电容量式触摸传感器。因此，通过扫描触摸检测面整体，能够对手指等接触或者接近的位置进行检测。
如图4所示，对置基板3具有基材31和彩色滤光片32。彩色滤光片32形成于基材31的下表面31a。
作为彩色滤光片32，被着色成例如R(红)、G(绿)以及B(蓝)这三种颜色的彩色滤光片在X轴方向上排列。由此，如图6所示，形成与红、绿以及蓝这三种颜色的颜色区域32R、32G以及32B中的每一个分别对应的多个副像素Sx，由与一组颜色区域32R、32G以及32B中的每一个分别对应的多个副像素Sx形成一个像素Px。红、绿以及蓝各色的副像素Sx显示红、绿以及蓝各色。
作为彩色滤光片32的颜色组合，也可以是包含除了红、绿以及蓝以外的其他颜色的多种颜色的组合。另外，一个像素Px也可以包含未设有彩色滤光片32的副像素Sx，即显示白色的W(白)的副像素Sx。或者，也可以通过COA(Color filter On Array，色彩滤光阵列)技术，将彩色滤光片设于阵列基板2。
此外，在阵列基板2的下方还可以设有偏振片(图示省略)，在对置基板3的上方还可以设有偏振片(图示省略)。
电源布线以及切换部的结构
以下，一边比较实施方式与比较例，一边对电源布线以及切换部的结构进行说明。图7以及图8是比较例的显示装置中的电源布线以及切换部的俯视图。图9以及图10是实施方式的显示装置中的电源布线以及切换部的俯视图。图11以及图12是实施方式的显示装置中的切换部的俯视图。图13是示意地示出切换部的电阻与电源布线的电阻之和对驱动电极的位置依存性的图表。
图8是省略了图7中的扫描线GL、导电性布线WR、驱动电极CM、电极EA和EB、以及开口部OA、OB和OC的图示而便于观察的图。图10是省略了图9中的扫描线GL、导电性布线WR、驱动电极CM、电极EA和EB以及开口部OA、OB和OC的图示而便于观察的图。图11放大示出图9中的切换部SW2附近。另外，图12放大示出图10中的切换部SW2附近。此外，图11中的切换部SW2与放大示出了图7中的切换部SW2附近的图中的切换部SW2同样。另外，图12与放大示出了图8中的切换部SW2的附近的图同样。
首先，针对比较例的显示装置中的与实施方式的显示装置同样的部分进行说明。换言之，针对实施方式的显示装置中的与比较例的显示装置同样的部分进行说明。
如图7～图10所示，在比较例和实施方式中，显示装置均具有多个切换部SW和多个导电性布线WR。另外，图11和图12放大示出作为切换部SW的切换部SW2。
多个切换部SW形成于例如基材21(参照图3)。多个切换部SW中的每一个都与多个驱动电极CM中的每一个对应地形成。多个切换部SW是基于来自驱动电极驱动器14的驱动信号，将来自电源布线PS2的检测用驱动信号VcomAC(参照图3)切换供给至多个驱动电极CM中的每一个电路。驱动电极驱动器14具有例如移位寄存器电路。
此外，虽然在以下省略说明，但多个切换部SW也可以是基于来自驱动电极驱动器14的驱动信号，将显示用驱动信号VcomDC(参照图3)切换供给至多个驱动电极CM中的每一个电路。而且，多个切换部SW还可以是基于来自驱动电极驱动器14的驱动信号，将显示用驱动信号VcomDC和检测用驱动信号VcomAC选择性地进行切换来供给至多个驱动电极CM中的每一个电路。
在切换部SW和驱动电极CM的组中，多个导电性布线WR中的每一个形成于切换部SW与驱动电极CM之间。因此，切换部SW在边框区域FLA2配置于电源布线PS2与导电性布线WR之间。另外，多个导电性布线WR中的每一个都与电源布线PS2分开而形成。
多个切换部SW中的每一个将电源布线PS2切换连接到多个导电性布线WR中的每一个。另外，多个导电性布线WR中的每一个与多个驱动电极CM中的每一个电连接。因此，多个切换部SW中的每一个将电源布线PS2切换连接到多个驱动电极CM中的每一个。而且，在通过多个切换部SW将检测用驱动信号VcomAC(参照图3)切换供给至多个驱动电极CM中的每一个时，检测输入位置。
此外，在通过多个切换部SW将显示用驱动信号VcomDC(参照图3)切换供给至多个驱动电极CM中的每一个的情况下，此时，由多个副像素Sx(参照图6)显示图像。
而且，在多个切换部SW基于来自驱动电极驱动器14的驱动信号，将显示用驱动信号VcomDC和检测用驱动信号VcomAC选择性地切换供给至多个驱动电极CM中的每一个的情况下，作为公共电极的驱动电极CM兼作显示用的驱动电极和对物体的接近或者接触进行检测的检测电极。
多个切换部SW在俯视时在Y轴方向上排列。多个切换部SW中的每一个与多个驱动电极CM中的每一个一对一地对应设置。多个切换部SW中的每一个包含多个作为切换元件的晶体管Tt。优选为，多个晶体管Tt中的每一个可以是n沟道型的场效应晶体管，也可以是p沟道型的场效应晶体管。另外，多个晶体管Tt还可以是薄膜晶体管。
在切换部SW和驱动电极CM的组中，多个晶体管Tt彼此并联连接在电源布线PS2与驱动电极CM之间。
将多个切换部SW设置为切换部SW1、SW2和SW3，将多个驱动电极CM设置为驱动电极CM1、CM2和CM3。此时，切换部SW1设于电源布线PS2与驱动电极(第一公共电极)CM1之间，切换部SW2设于电源布线PS2与驱动电极(第二公共电极)CM2之间，切换部SW3设于电源布线PS2与驱动电极(第三公共电极)CM3之间。而且，驱动电极CM1兼作对物体的接近或者接触进行检测的第一检测电极，驱动电极CM2兼作对物体的接近或者接触进行检测的第二检测电极，驱动电极CM3兼作对物体的接近或者接触进行检测的第三检测电极。
切换部SW1包含多个作为晶体管Tt的晶体管(第一晶体管)Tt1。多个晶体管Tt1彼此并联连接在电源布线PS2与驱动电极CM1之间。切换部SW2包含多个作为晶体管Tt的晶体管(第二晶体管)Tt2。多个晶体管Tt2彼此并联连接在电源布线PS2与驱动电极CM2之间。切换部SW3包含多个作为晶体管Tt的晶体管(第三晶体管)Tt3。多个晶体管Tt3彼此并联连接在电源布线PS2与驱动电极CM3之间。
此外，针对多个晶体管Tt中的每一个的详细结构在后文说明。
如图7～图10所示，电源布线PS2中的位于多个晶体管Tt2与驱动信号生成电路VT之间的部分PT2的长度LP2比电源布线PS2中的位于多个晶体管Tt1与驱动信号生成电路VT之间的部分PT1的长度LP1长。另外，电源布线PS2中的位于多个晶体管Tt3与驱动信号生成电路VT之间的部分PT3的长度LP3比电源布线PS2中的位于多个晶体管Tt2与驱动信号生成电路VT之间的部分PT2的长度LP2长。
以下，针对比较例的显示装置中的与实施方式的显示装置不同的部分、以及比较例的显示装置中存在的问题点进行说明。
如图7以及图8所示，在比较例的显示装置中，切换部SW2中包含的多个晶体管Tt2的个数与切换部SW1中包含的多个晶体管Tt1的个数相等。另外，切换部SW3中包含的多个晶体管Tt3的个数与切换部SW2中包含的多个晶体管Tt2的个数相等。在图7和图8中示出切换部SW1、SW2和SW3均包含6个晶体管Tt的例子。此外，本申请的发明中的晶体管的个数是以沟道的个数为基准的。
即，在切换部SW2中多个晶体管Tt2所具有的沟道CH2的沟道宽度Wt2的总和等于在切换部SW1中多个晶体管Tt1所具有的沟道CH1的沟道宽度Wt1的总和。另外，在切换部SW3中多个晶体管Tt3所具有的沟道CH3的沟道宽度Wt3的总和等于在切换部SW2中多个晶体管Tt2所具有的沟道CH2的沟道宽度Wt2的总和。此外，沟道CH是半导体层SC(参照后述的图14)中的与栅极电极GE相对的部分。
与电源布线PS2的延伸方向交叉即与Y轴方向交叉的方向是电源布线PS2的宽度方向，即是X轴方向。在这种情况下，在比较例的显示装置中，电源布线PS2中的部分PO2(参照图8)的面积SP2等于电源布线PS2中的部分PO1(参照图8)的面积SP1，其中，部分PO2是电源布线PS2中的在X轴方向上与形成有多个晶体管Tt2的区域RG2相对的部分，部分PO1是电源布线PS2中的在X轴方向上与形成有多个晶体管Tt1的区域RG1相对的部分。另外，电源布线PS2中的部分PO3(参照图8)的面积SP3等于部分PO2(参照图8)的面积SP2，其中，部分PO3是电源布线PS2中的在X轴方向上与形成有多个晶体管Tt3的区域RG3相对的部分。此外，在图8中将部分PO1、PO2和PO3中的每一个都标上影线来表示。
此处，当驱动电极CM输入有例如具有矩形形状的信号时的时间常数τ与以下记载的两个电阻R1和R2之和成正比例。电阻R1是指连接于多个驱动电极CM中的每一个与电源布线PS2之间的切换部SW在导通状态下的电阻。另一方面，电阻R2是指电源布线PS2中的位于该切换部SW与驱动信号生成电路VT之间的部分PT的电阻。
在比较例的显示装置中，电阻R1在多个驱动电极CM之间是相等的。另一方面，越是距离驱动信号生成电路VT远的驱动电极CM，则电阻R2越大。因此，如图13所示，在比较例的显示装置中，越是距离驱动信号生成电路VT远的驱动电极CM，则电阻R1与电阻R2之和越大，越是距离驱动信号生成电路VT近的驱动电极CM，则电阻R1与电阻R2之和越小。而且，由于在向驱动电极CM输入例如具有矩形形状的信号时的时间常数τ与电阻R1和电阻R2之和成正比例，所以越是距离驱动信号生成电路VT远的驱动电极CM，则时间常数τ越大，越是距离驱动信号生成电路VT近的驱动电极CM，则时间常数τ越小。
多个驱动电极CM中具有最大的时间常数τ的驱动电极CM对触摸检测特性产生的影响也最大。因此，在比较例的显示装置中，距离驱动信号生成电路VT越近的驱动电极CM对触摸检测特性产生的影响越小，距离驱动信号生成电路VT越远的驱动电极CM对触摸检测特性产生的影响越大。即，在比较例的显示装置中，就距离驱动信号生成电路VT远的驱动电极CM而言，存在因电阻R1和电阻R2之和很大而导致显示装置的触摸检测特性下降的担忧。
此外，在多个驱动电极CM中的每一个用作显示用的公共电极的情况下，就距离驱动信号生成电路VT远的驱动电极CM而言，存在因电阻R1和电阻R2之和很大而导致显示装置的显示特性下降的担忧。
本实施方式的显示装置中的技术思想用于解决这种比较例的显示装置的问题，用于减小当向距离作为控制电路的驱动信号生成电路VT远的驱动电极CM输入信号时的时间常数τ。以下，针对本实施方式的显示装置中的电源布线和切换部的结构进行说明。由于已经针对实施方式的显示装置中的与比较例的显示装置同样的部分进行了说明，所以以下，以实施方式的显示装置中的与比较例的显示装置不同的部分作为中心进行说明。
如图9以及图10所示，多个晶体管Tt1中的每一个具有作为第一栅极电极的栅极电极GE1、作为第1A电极的电极EA1、作为第1B电极的电极EB1、作为第一沟道的沟道CH1、以及作为源极区域或者漏极区域的区域SA1和SB1。电极EA1和EB1隔着栅极电极GE1形成于两侧。沟道CH1是半导体层SC1中的与栅极电极GE1相对的部分，区域SA1和SB1是半导体层SC1中的隔着栅极电极GE1形成于两侧的部分。电极EA1与区域SA1电连接，电极EB1与区域SB1电连接。此外，相邻的两个晶体管Tt1也可以共用电极EA1或者电极EB1。
如图9～图12所示，多个晶体管Tt2中的每一个具有作为第二栅极电极的栅极电极GE2、作为第2A电极的电极EA2、作为第2B电极的电极EB2、作为第二沟道的沟道CH2、以及作为源极区域或者漏极区域的区域SA2和SB2。电极EA2和EB2隔着栅极电极GE2形成于两侧。沟道CH2是半导体层SC2中的与栅极电极GE2相对的部分，区域SA2和SB2是半导体层SC2中的隔着栅极电极GE2形成于两侧的部分。电极EA2与区域SA2电连接，电极EB2与区域SB2电连接。此外，相邻的两个晶体管Tt2也可以共用电极EA2或者电极EB2。
如图9以及图10所示，多个晶体管Tt3中的每一个具有作为第三栅极电极的栅极电极GE3、作为第3A电极的电极EA3、作为第3B电极的电极EB3、作为第三沟道的沟道CH3、作为源极区域或者漏极区域的区域SA3和SB3。电极EA3和EB3隔着栅极电极GE3形成于两侧。沟道CH3是半导体层SC3中的与栅极电极GE3相对的部分，区域SA3和SB3是半导体层SC3中的隔着栅极电极GE3形成于两侧的部分。电极EA3与区域SA3电连接，电极EB3与区域SB3电连接。此外，相邻的两个晶体管Tt3也可以共用电极EA3或者电极EB3。
在多个晶体管Tt1中的每一个中，电极EA1与导电性布线(第一导电性布线)WR1连接，电极EB1与电源布线PS2连接。多个晶体管Tt1形成于电源布线PS2与导电性布线WR1之间。在多个晶体管Tt2中的每一个中，电极EA2与导电性布线(第二导电性布线)WR2连接，电极EB2与电源布线PS2连接。多个晶体管Tt2形成于电源布线PS2与导电性布线WR2之间。在多个晶体管Tt3中的每一个中，电极EA3与导电性布线(第三导电性布线)WR3连接，电极EB3与电源布线PS2连接。多个晶体管Tt3形成于电源布线PS2与导电性布线WR3之间。
此外，导电性布线WR1与驱动电极CM1电连接，导电性布线WR2与驱动电极CM2电连接，导电性布线WR3与驱动电极CM3电连接。
此处，说明晶体管Tt周边的截面结构。图14是实施方式的显示装置中的电源布线以及切换部的剖视图。图14示出沿着图9以及图11的A-A线的截面。
如图14所示，在基材21上形成有作为栅极电极GE的栅极电极GE2。栅极电极GE由例如铬(Cr)或者钼(Mo)等金属或者它们的合金构成。即，优选栅极电极GE由金属膜或者合金膜等具有遮光性的导电膜构成。
在基材21上方以覆盖栅极电极GE的方式形成有作为栅极绝缘膜的绝缘膜IF1。绝缘膜IF1是由例如氮化硅或者氧化硅等形成的透明的绝缘膜。
在绝缘膜IF1上方形成有作为半导体层SC的半导体层SC2。如上所述，半导体层SC中的与栅极电极GE相对的部分是沟道CH，半导体层SC中的隔着栅极电极GE形成于两侧的部分是区域SA和SB。半导体层SC由例如非晶硅或者多晶硅等形成。
此外，在图14所示的例子中，晶体管Tt具有栅极电极GE配置于半导体层SC下方的底部栅极构造。但是，晶体管Tt也可以具有栅极电极GE配置于半导体层SC上方的顶部栅极构造。
在绝缘膜IF1上方以覆盖半导体层SC的方式形成有绝缘膜IF2。绝缘膜IF2是由例如氮化硅或者氧化硅等形成的透明的绝缘膜。
在绝缘膜IF2形成有贯穿绝缘膜IF2到达区域SA的开口部OA以及贯穿绝缘膜IF2到达区域SB的开口部OB。在开口部OA的底部露出的区域SA上、开口部OA的侧面以及开口部OA的外部的绝缘膜IF2上形成有作为电极EA的电极EA2，在开口部OB的底部露出的区域SB上、开口部OB的侧面以及开口部OB的外部的绝缘膜IF2上形成有作为电极EB的电极EB2。电极EA以及EB中的每一个都由例如钼(Mo)等夹着铝(Al)的多层构造的金属膜构成。即，优选电极EA以及EB中的每一个都由金属膜等具有遮光性的导电膜构成。
在绝缘膜IF2上形成有电源布线PS2。电源布线PS2与电极EB形成于同层，并由与电极EB相同的材料形成。而且，电极EB与电源布线PS2连接。
在绝缘膜IF2上以覆盖电极EA和EB的方式形成有层间树脂膜IL。层间树脂膜IL由例如丙烯酸类的感光性树脂形成。
在层间树脂膜IL形成有贯穿层间树脂膜IL到达电极EA的开口部OC。在开口部OC的底部露出的电极EA上、开口部OC的侧面以及开口部OC的外部的层间树脂膜IL上形成有作为导电性布线WR的导电性布线WR2。导电性布线WR由例如ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)或者IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)等透明导电性材料形成。
在层间树脂膜IL上以覆盖导电性布线WR的方式形成有绝缘膜IF。绝缘膜IF是由例如氮化硅或者氧化硅等形成的透明的绝缘膜。
如图9～图12所示，在本实施方式的显示装置中，切换部SW2中包含的多个晶体管Tt2的个数比切换部SW1中包含的多个晶体管Tt1的个数多。另外，切换部SW3中包含的多个晶体管Tt3的个数比切换部SW2中包含的多个晶体管Tt2的个数多。在图9～图12中示出了如下的例子：切换部SW1中包含2个晶体管Tt1，切换部SW2中包含6个晶体管Tt3，切换部SW3中包含10个晶体管Tt3。
即，切换部SW2中的多个晶体管Tt2所包含的沟道CH2的沟道宽度Wt2的总和大于切换部SW1中的多个晶体管Tt1所包含的沟道CH1的沟道宽度Wt1的总和。另外，切换部SW3中的多个晶体管Tt3所包含的沟道CH3的沟道宽度Wt3的总和大于切换部SW2中的多个晶体管Tt2所包含的沟道CH2的沟道宽度Wt2的总和。
如上所述，在向驱动电极CM输入信号时的时间常数τ与以下记载的两个电阻R1和R2的和成正比例。电阻R1是指连接于多个驱动电极CM中的每一个与电源布线PS2之间的切换部SW的导通状态中的电阻。另一方面，电阻R2是指电源布线PS2中的位于其切换部SW与驱动信号生成电路VT之间的部分PT的电阻。
在本实施方式的显示装置中，越是距离驱动信号生成电路VT远的驱动电极CM，则电阻R1越小。另一方面，越是距离驱动信号生成电路VT远的驱动电极CM，则电阻R2越大。因此，如图13所示，在本实施方式的显示装置中，电阻R1和电阻R2之和与驱动电极CM到驱动信号生成电路VT的距离无关地，对任一驱动电极CM来讲都大致相等。而且，在本实施方式的显示装置中，就距离驱动信号生成电路VT近的驱动电极CM而言，与比较例的显示装置相比电阻R1和电阻R2之和更大，但是就距离驱动信号生成电路VT远的驱动电极CM而言，与比较例的显示装置相比电阻R1和电阻R2之和更小。
如上所述，多个驱动电极CM中的具有最大的时间常数τ的驱动电极CM对触摸检测特性产生的影响最大。因此，在本实施方式的显示装置中，距离驱动信号生成电路VT近的驱动电极CM对触摸检测特性产生的影响比比较例的显示装置更大，而距离驱动信号生成电路VT远的驱动电极CM对触摸检测特性产生的影响比比较例的显示装置更小。即，在本实施方式的显示装置中，与比较例的显示装置相比，针对距离驱动信号生成电路VT远的驱动电极CM，能够缩小电阻R1和电阻R2之和，能够提高显示装置的触摸检测特性。
此外，在多个驱动电极CM中的每一个都被用作显示用的公共电极的情况下，针对距离驱动信号生成电路VT远的驱动电极CM，能够缩小电阻R1和电阻R2之和，能够提高显示装置的显示特性。
但是，在驱动电极CM中的每一个都被作用触摸检测用的驱动电极的情况下，由于测量的是驱动电极CM与检测电极TD之间充电的电量，所以若在规定期间内电荷未全部到达驱动电极CM和检测电极TD，则位置检测容易发生错误。因此，在多个驱动电极CM中的每一个都被用作触摸检测用的驱动电极的情况下，与例如多个驱动电极CM中的每一个都被用作显示用的公共电极的情况相比，输入至驱动电极CM的信号的波形需要急剧地变化，时间常数τ必须很短。
优选地，在本实施方式的显示装置中，电源布线PS2中的在X轴方向上与形成有多个晶体管Tt2的区域RG2相对的部分PO2(参照图10)的面积SP2小于电源布线PS2中的在X轴方向上与形成有多个晶体管Tt1的区域RG1相对的部分PO1(参照图10)的面积SP1。另外，电源布线PS2中的在X轴方向上与形成有多个晶体管Tt3的区域RG3相对的部分PO3(参照图10)的面积SP3小于部分PO2(参照图10)的面积SP2。此外，在图10中，对部分PO1、PO2和PO3中的每一个都标上影线而示出。
由此，针对距离驱动信号生成电路VT远的驱动电极CM，能够使电源布线PS2中的与形成有多个晶体管Tt的区域RG相对的部分PO的X轴方向上的宽度变窄。因此，能够使形成电源布线PS2和多个切换部SW的区域的X轴方向上的宽度变窄，能够使边框区域FLA的宽度变窄。
即，越是距离驱动信号生成电路VT远的驱动电极CM，越减少电源布线PS2的X轴方向上的宽度，增加形成有包含多个晶体管Tt的切换部SW的区域RG的面积。由此，不必增加边框区域FLA的面积，就能够减少在向距离驱动信号生成电路VT远的驱动电极CM输入信号时的时间常数τ。
此外，在越是距离驱动信号生成电路VT远的驱动电极CM则越使部分PO的X轴方向的宽度变窄的情况下，越是距离驱动信号生成电路VT远的驱动电极CM则电阻R2越大的倾向变得更加明显。但是，由于电阻R2小于电阻R1，所以电阻R2的增加对电阻R1与电阻R2之和的影响小于电阻R1的减少对电阻R1和电阻R2之和的影响。因此，能够使电阻R1和电阻R2之和与驱动电极CM到驱动信号生成电路VT的距离无关地，对任一驱动电极CM来讲都大致相等。
多个晶体管Tt1也可以在X轴方向和Y轴方向上排列，多个晶体管Tt2也可以在X轴方向和Y轴方向上排列，多个晶体管Tt3也可以在X轴方向和Y轴方向上排列。在这种情况下，能够提高在配置彼此并联连接的多个晶体管Tt时的自由度，能够使边框区域FLA的宽度变窄。
此外，在图9和图10所示的例子中，示出了设有2个晶体管Tt1、6个晶体管Tt2和10个晶体管Tt3的例子，但是也可以设有6个晶体管Tt1、10个晶体管Tt2和14个晶体管Tt3。在这种情况下，如上所述，6个即多个晶体管Tt1在X轴方向和Y轴方向上排列。
或者，多个切换部SW中的每一个也可以具有多个晶体管组TG。而且，在切换部SW和驱动电极CM的组中，晶体管组TG也可以形成于电源布线PS2与导电性布线WR之间，且彼此并联连接。
此时，切换部SW1具有多个作为晶体管组TG的晶体管组(第一晶体管组)TG1。多个晶体管组TG1中的每一组具有在X轴方向上排列的多个晶体管Tt1。而且，这些多个晶体管组TG1在Y轴方向上排列。晶体管组TG1内的多个晶体管Tt1形成于电源布线PS2与导电性布线WR1之间，且彼此并联连接。
切换部SW2具有多个作为晶体管组TG的晶体管组(第二晶体管组)TG2。多个晶体管组TG2中的每一组具有在X轴方向上排列的多个晶体管Tt2。而且，这些多个晶体管组TG2在Y轴方向上排列。晶体管组TG2内的多个晶体管Tt2形成于电源布线PS2与导电性布线WR2之间，且彼此并联连接。
切换部SW3具有多个作为晶体管组TG的晶体管组TG3。多个晶体管组TG3中的每一组具有在X轴方向上排列的多个晶体管Tt3。而且，这些多个晶体管组TG3在Y轴方向上排列。晶体管组TG3内的多个晶体管Tt3形成于电源布线PS2与导电性布线WR3之间，且彼此并联连接。
此外，如图9以及图10所示，相邻的两个晶体管组TG1中的每一组分别包含的两个栅极电极GE1经由作为电极EC的电极EC1而电连接。电极EC1例如经由贯穿绝缘膜IF2和IF1(参照图14)到达栅极电极GE1的开口部OD(参照图11和图12)而与栅极电极GE1电连接。
另外，如图9～图12所示，相邻的两个晶体管组TG2中的每一组分别包含的两个栅极电极GE2经由作为电极EC的电极EC2而电连接。电极EC2例如经由贯穿绝缘膜IF2和IF1(参照图14)到达栅极电极GE2的开口部OD(参照图11和图12)而与栅极电极GE2电连接。
另外，如图9和图10所示，相邻的两个晶体管组TG3中的每一组分别包含的两个栅极电极GE3经由作为电极EC的电极EC3而被电连接。电极EC3例如经由贯穿绝缘膜IF2以及IF1(参照图14)到达栅极电极GE3的开口部OD(参照图11和图12)而与栅极电极GE3电连接。
电源布线PS2中的位于多个晶体管组TG2与驱动信号生成电路VT之间的部分PT2的长度LP2比电源布线PS2中的位于多个晶体管组TG1与驱动信号生成电路VT之间的部分PT1的长度LP1长。另外，电源布线PS2中的位于多个晶体管组TG3与驱动信号生成电路VT之间的部分PT3的长度LP3比电源布线PS2中的位于多个晶体管组TG2与驱动信号生成电路VT之间的部分PT2的长度LP2长。
此外，如上所述，在设有6个晶体管Tt1、10个晶体管Tt2以及14个晶体管Tt3的情况下，分别由3个晶体管Tt1组成的2个晶体管组TG1成为在Y轴方向上排列。
另外，如上所述，在多个切换部SW基于来自驱动电极驱动器14的驱动信号，将显示用驱动信号VcomDC(参照图3)切换供给至多个驱动电极CM中的每一个的情况下，驱动电极CM也可以不是触摸检测用的驱动电极。此时，显示装置也可以不具有触摸检测功能。
在本实施方式中，就距离驱动信号生成电路VT远的驱动电极CM而言，通过增加彼此并联连接的晶体管Tt的个数，来增加沟道宽度的总和。但是，距离驱动信号生成电路VT远的驱动电极CM也可以通过使彼此并联连接的晶体管Tt的个数相等，增加一个晶体管Tt的沟道宽度，来增加沟道宽度的总和。
另外，在本实施方式中，在各晶体管Tt内，栅极电极GE在Y轴方向上延伸。但是，栅极电极GE也可以在X轴方向上延伸。
或者，导电性布线WR也可以不是与驱动电极CM连接的导电性布线，而是与扫描线GL连接的导电性布线。此时，切换部SW也可以是驱动各扫描线GL的外围电路内的缓冲晶体管，电源布线PS2也可以是向各扫描线GL供给信号的电源布线。
实施方式的显示装置的变形例
以下，针对本实施方式的变形例进行说明。图15和图16是示意地示出实施方式的显示装置的变形例中的电源布线和切换部的结构的图。图15示出设有3个驱动电极CM的例子，图16示出从第一行(LN＝1)到第62行(LN＝62)设有62个驱动电极CM的例子。此外，在图15中省略晶体管Tt的内部的详细结构的图示。另外，在图16中示意地示出，在驱动电极CM和切换部SW的组中形成有切换部SW的区域RG的X轴方向上的宽度WS以及电源布线PS2中的在X轴方向上与区域RG相对的部分PO的X轴方向上的宽度WP对驱动电极CM的位置依存性(相关性)。
如图15所示，本变形例的显示装置在切换部SW1与切换部SW2之间具有切换部SW4。切换部SW4具有作为晶体管组TG的多个晶体管组(第三晶体管组)TG4，且具有作为晶体管组TG的多个晶体管组(第四晶体管组)TG5。多个晶体管组TG4和多个晶体管组TG5在Y轴方向上排列，形成于电源布线PS2与导电性布线WR之间，且彼此并联连接。
多个晶体管组TG1中的每一组具有在X轴方向上排列的两个以上的N1个(第一数量)晶体管Tt1。多个晶体管组TG2中的每一组具有在X轴方向上排列的大于N1的N2个(第二数量)晶体管Tt2。多个晶体管组TG4中的每一组具有在X轴方向上排列的N1个晶体管(第四晶体管)Tt2。多个晶体管组TG5中的每一组具有在X轴方向上排列的N2个晶体管(第四晶体管)Tt2。
晶体管组TG4中包含的N1个晶体管Tt2中的每一个具有作为第四栅极电极的栅极电极GE2(参照图14)、作为第4A电极的电极EA2(参照图14)、作为第4B电极的电极EB2(参照图14)、作为第四沟道的沟道CH2(参照图14)。另外，晶体管组TG5中包含的N2个晶体管Tt2中的每一个具有作为第四栅极电极的栅极电极GE2(参照图14)、作为第4A电极的电极EA2(参照图14)、作为第4B电极的电极EB2(参照图14)、作为第四沟道的沟道CH2(参照图14)。电极EA2与导电性布线WR2连接，电极EB2与电源布线PS2连接。另外，如图15所示，与晶体管组TG4和TG5中的每一个连接的导电性布线WR2与驱动电极CM4连接。
电源布线PS2中的位于多个晶体管组TG4和多个晶体管组TG5与驱动信号生成电路VT之间的部分PT4的长度LP4比电源布线PS2中的位于多个晶体管组TG1与驱动信号生成电路VT之间的部分PT1的长度LP1长。另外，电源布线PS2中的位于多个晶体管组TG4和多个晶体管组TG5与驱动信号生成电路VT之间的部分PT4的长度LP4比电源布线PS2中的位于多个晶体管组TG2与驱动信号生成电路VT之间的部分PT2的长度LP2短。
在图15所示的例子中，在切换部SW1中将多个晶体管组TG1中的每一组中包含的晶体管Tt1的个数(N1个)设置为3个，在切换部SW2中将多个晶体管组TG2中的每一组中包含的晶体管Tt2的个数(N2个)设置为5个。此时，能够使切换部SW4中的多个晶体管组TG4和多个晶体管组TG5中的每一组中所包含的晶体管Tt2的平均个数设置为4个。因此，能够不使各晶体管组TG(参照图15)所包含的晶体管Tt(参照图15)的个数发生很细微的变化，如图16所示，使形成有切换部SW的区域RG的X轴方向的宽度WS发生很细微的变化。即，如图16所示，从第一行的驱动电极CM到第62行的驱动电极CM，使形成有切换部SW的区域RG的X轴方向上的宽度WS和电源布线PS2中的在X轴方向上与区域RG相对的部分PO的X轴方向上的宽度WP平滑地变化。
换言之，即使在使形成有切换部SW的区域RG的X轴方向上的宽度WS发生很细微的变化的情况下，由于不需要使各晶体管组TG中包含的晶体管Tt的个数发生很细微的变化，所以能够使掩模设计变得容易，从而能够减少显示装置的制造成本。
以上，基于本发明的实施方式具体地说明了本发明的发明人作出的发明，但是，本发明当然并不限定于上述实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种各样的变更。
另外，在上述实施方式中，作为公开例而举例说明了液晶显示装置的情况，但是作为其他的应用例，还可举出有机EL显示装置、其他的自发光型显示装置或者具有电泳元件等的电子纸型显示装置等一切平板型的显示装置。另外，当然也能够不特别限定地应用到从中小型到大型的显示装置。
应了解到，关于在本发明的思想范围内只要是本领域技术人员可想到的各种变更例以及修正例，也属于本发明的范围。
例如，对于上述的各实施方式，本领域技术人员适当地进行了结构要素的追加、删除或者设计变更，或者，进行了工序的追加、省略或者条件变更得到的实施方式，只要具有本发明的主旨，就包含在本发明的范围内。
工业实用性
本发明可以有效地应用于晶体管基板和显示装置。

Claims (20)

1.一种晶体管基板，其具有形成有像素的显示区域、以及位于所述显示区域的外侧的周边区域，所述晶体管基板的特征在于，
所述晶体管基板具有：
公共布线，其形成于所述周边区域；
控制电路，其与所述公共布线的一端连接；
第一导电性布线和第二导电性布线，其与所述公共布线分开形成；
多个第一晶体管，其形成于所述公共布线与所述第一导电性布线之间；以及
多个第二晶体管，其形成于所述公共布线与所述第二导电性布线之间，
所述多个第一晶体管中的每一个具有：
第一栅极电极；
第1A电极和第1B电极，其隔着所述第一栅极电极而形成于两侧；以及
第一沟道，其与所述第一栅极电极相对，
所述多个第二晶体管中的每一个具有：
第二栅极电极；
第2A电极和第2B电极，其隔着所述第二栅极电极而形成于两侧；以及
第二沟道，其与所述第二栅极电极相对，
在所述多个第一晶体管的每一个中，所述第1A电极与所述第一导电性布线连接，所述第1B电极与所述公共布线连接，
在所述多个第二晶体管的每一个中，所述第2A电极与所述第二导电性布线连接，所述第2B电极与所述公共布线连接，
所述公共布线中的位于所述多个第二晶体管与所述控制电路之间的部分的长度比所述公共布线中的位于所述多个第一晶体管与所述控制电路之间的部分的长度更长，
所述多个第二晶体管所包含的所述第二沟道的沟道宽度的总和比所述多个第一晶体管所包含的所述第一沟道的沟道宽度的总和更宽。
2.如权利要求1所述的晶体管基板，其特征在于，
在将与所述公共布线的延伸方向交叉的方向作为宽度方向的情况下，
所述公共布线中的在所述宽度方向上与形成有所述多个第二晶体管的区域相对的部分的面积小于所述公共布线中的在所述宽度方向上与形成有所述多个第一晶体管的区域相对的部分的面积。
3.如权利要求1所述的晶体管基板，其特征在于，具有：
第三导电性布线，其与所述公共布线分开形成；以及
多个第三晶体管，其形成于所述公共布线与所述第三导电性布线之间，
所述多个第三晶体管中的每一个具有：
第三栅极电极；
第3A电极和第3B电极，其隔着所述第三栅极电极而形成于两侧；以及
第三沟道，其与所述第三栅极电极相对，
在所述多个第三晶体管中的每一个中，所述第3A电极与所述第三导电性布线连接，所述第3B电极与所述公共布线连接，
所述公共布线中的位于所述多个第三晶体管与所述控制电路之间的部分的长度比所述公共布线中的位于所述多个第二晶体管与所述控制电路之间的部分的长度更长，
所述多个第三晶体管所包含的所述第三沟道的沟道宽度的总和比所述多个第二晶体管所包含的所述第二沟道的沟道宽度的总和更宽。
4.如权利要求3所述的晶体管基板，其特征在于，
在将与所述公共布线的延伸方向交叉的方向作为宽度方向的情况下，
所述公共布线中的在所述宽度方向上与形成有所述多个第二晶体管的区域相对的部分的面积小于所述公共布线中的在所述宽度方向上与形成有所述多个第一晶体管的区域相对的部分的面积，
所述公共布线中的在所述宽度方向上与形成有所述多个第三晶体管的区域相对的部分的面积小于所述公共布线中的在所述宽度方向上与形成有所述多个第二晶体管的区域相对的部分的面积。
5.如权利要求1所述的晶体管基板，其特征在于，
在将与所述公共布线的延伸方向交叉的方向作为宽度方向的情况下，
所述多个第二晶体管在所述延伸方向和所述宽度方向上排列。
6.如权利要求5所述的晶体管基板，其特征在于，
所述多个第一晶体管在所述延伸方向和所述宽度方向上排列。
7.如权利要求1所述的晶体管基板，其特征在于，具有：
多个第一晶体管组，其形成于所述公共布线与所述第一导电性布线之间，且彼此并联连接；以及
多个第二晶体管组，其形成于所述公共布线与所述第二导电性布线之间，且彼此并联连接，
在将与所述公共布线的延伸方向交叉的方向作为宽度方向的情况下，
所述多个第一晶体管组在所述延伸方向上排列，
所述多个第二晶体管组在所述延伸方向上排列，
所述多个第一晶体管组中的每一组具有在所述宽度方向上排列的所述多个第一晶体管，
所述多个第二晶体管组中的每一组具有在所述宽度方向上排列的所述多个第二晶体管；
所述公共布线中的位于所述多个第二晶体管组与所述控制电路之间的部分的长度比所述公共布线中的位于所述多个第一晶体管组与所述控制电路之间的部分的长度更长。
8.如权利要求7所述的晶体管基板，其特征在于，具有：
第四导电性布线，其与所述公共布线分开形成；以及
多个第三晶体管组和多个第四晶体管组，其形成于所述公共布线与所述第四导电性布线之间，且彼此并联连接，
所述多个第三晶体管组和多个第四晶体管组在所述延伸方向上排列，
所述多个第一晶体管组中的每一组具有在所述宽度方向上排列的第一数量的所述第一晶体管，所述第一数量为两个以上，
所述多个第二晶体管组中的每一组具有在所述宽度方向上排列的比所述第一数量多的第二数量的所述第二晶体管，
所述多个第三晶体管组中的每一组具有在所述宽度方向上排列的所述第一数量的第四晶体管，
所述多个第四晶体管组中的每一组具有在所述宽度方向上排列的所述第二数量的所述第四晶体管，
所述第四晶体管具有：
第四栅极电极；
第4A电极和第4B电极，其隔着所述第四栅极电极而形成于两侧；以及
第四沟道，其与所述第四栅极电极相对，
所述第四晶体管的所述第4A电极与所述第四导电性布线连接，所述第四晶体管的所述第4B电极与所述公共布线连接，
所述公共布线中的位于所述多个第三晶体管组和多个第四晶体管组与所述控制电路之间的部分的长度比所述公共布线中的位于所述第一晶体管组与所述控制电路之间的部分的长度更长，
所述公共布线中的位于所述多个第三晶体管组和多个第四晶体管组与所述控制电路之间的部分的长度比所述公共布线中的位于所述第二晶体管组与所述控制电路之间的部分的长度更短。
9.如权利要求1所述的晶体管基板，其特征在于，
具有形成于所述显示区域的第一公共电极和第二公共电极，
所述第一公共电极兼作对物体的接近或者接触进行检测的第一检测电极，
所述第二公共电极兼作对物体的接近或者接触进行检测的第二检测电极，
所述第一公共电极与所述第一导电性布线电连接，
所述第二公共电极与所述第二导电性布线电连接。
10.一种显示装置，其特征在于，
具有权利要求1所述的晶体管基板。
11.如权利要求2所述的晶体管基板，其特征在于，具有：
第三导电性布线，其与所述公共布线分开形成；以及
多个第三晶体管，其形成于所述公共布线与所述第三导电性布线之间，
所述多个第三晶体管中的每一个具有：
第三栅极电极；
第3A电极和第3B电极，其隔着所述第三栅极电极而形成于两侧；以及
第三沟道，其与所述第三栅极电极相对，
在所述多个第三晶体管的每一个中，所述第3A电极与所述第三导电性布线连接，所述第3B电极与所述公共布线连接，
所述公共布线中的位于所述多个第三晶体管与所述控制电路之间的部分的长度比所述公共布线中的位于所述多个第二晶体管与所述控制电路之间的部分的长度更长，
所述多个第三晶体管所包含的所述第三沟道的沟道宽度的总和比所述多个第二晶体管所包含的所述第二沟道的沟道宽度的总和更宽。
12.如权利要求2所述的晶体管基板，其特征在于，
在将与所述公共布线的延伸方向交叉的方向作为宽度方向的情况下，
所述多个第二晶体管在所述延伸方向和所述宽度方向上排列。
13.如权利要求3所述的晶体管基板，其特征在于，
在将与所述公共布线的延伸方向交叉的方向作为宽度方向的情况下，
所述多个第二晶体管在所述延伸方向和所述宽度方向上排列。
14.如权利要求4所述的晶体管基板，其特征在于，
在将与所述公共布线的延伸方向交叉的方向作为宽度方向的情况下，
所述多个第二晶体管在所述延伸方向和所述宽度方向上排列。
15.如权利要求2所述的晶体管基板，其特征在于，具有：
多个第一晶体管组，其形成于所述公共布线与所述第一导电性布线之间，且彼此并联连接；以及
多个第二晶体管组，其形成于所述公共布线与所述第二导电性布线之间，且彼此并联连接，
在将与所述公共布线的延伸方向交叉的方向作为宽度方向的情况下，
所述多个第一晶体管组在所述延伸方向上排列，
所述多个第二晶体管组在所述延伸方向上排列，
所述多个第一晶体管组中的每一组具有在所述宽度方向上排列的所述多个第一晶体管，
所述多个第二晶体管组中的每一组具有在所述宽度方向上排列的所述多个第二晶体管，
所述公共布线中的位于所述多个第二晶体管组与所述控制电路之间的部分的长度比所述公共布线中的位于所述多个第一晶体管组与所述控制电路之间的部分的长度更长。
16.如权利要求3所述的晶体管基板，其特征在于，具有：
多个第一晶体管组，其形成于所述公共布线与所述第一导电性布线之间，且彼此并联连接；以及
多个第二晶体管组，其形成于所述公共布线与所述第二导电性布线之间，且彼此并联连接，
在将与所述公共布线的延伸方向交叉的方向作为宽度方向的情况下，
所述多个第一晶体管组在所述延伸方向上排列，
所述多个第二晶体管组在所述延伸方向上排列，
所述多个第一晶体管组中的每一组具有在所述宽度方向上排列的所述多个第一晶体管，
所述多个第二晶体管组中的每一组具有在所述宽度方向上排列的所述多个第二晶体管，
所述公共布线中的位于所述多个第二晶体管组与所述控制电路之间的部分的长度比所述公共布线中的位于所述多个第一晶体管组与所述控制电路之间的部分的长度更长。
17.如权利要求4所述的晶体管基板，其特征在于，具有：
多个第一晶体管组，其形成于所述公共布线与所述第一导电性布线之间，且彼此并联连接；
多个第二晶体管组，其形成于所述公共布线与所述第二导电性布线之间，且彼此并联连接，
在将与所述公共布线的延伸方向交叉的方向作为宽度方向的情况下，
所述多个第一晶体管组在所述延伸方向上排列，
所述多个第二晶体管组在所述延伸方向上排列，
所述多个第一晶体管组中的每一组具有在所述宽度方向上排列的所述多个第一晶体管，
所述多个第二晶体管组中的每一组具有在所述宽度方向上排列的所述多个第二晶体管，
所述公共布线中的位于所述多个第二晶体管组与所述控制电路之间的部分的长度比所述公共布线中的位于所述多个第一晶体管组与所述控制电路之间的部分的长度更长。
18.如权利要求5所述的晶体管基板，其特征在于，具有：
多个第一晶体管组，其形成于所述公共布线与所述第一导电性布线之间，且彼此并联连接；
多个第二晶体管组，其形成于所述公共布线与所述第二导电性布线之间，且彼此并联连接，
在将与所述公共布线的延伸方向交叉的方向作为宽度方向的情况下，
所述多个第一晶体管组在所述延伸方向上排列，
所述多个第二晶体管组在所述延伸方向上排列，
所述多个第一晶体管组中的每一组具有在所述宽度方向上排列的所述多个第一晶体管，
所述多个第二晶体管组中的每一组具有在所述宽度方向上排列的所述多个第二晶体管，
所述公共布线中的位于所述多个第二晶体管组与所述控制电路之间的部分的长度比所述公共布线中的位于所述多个第一晶体管组与所述控制电路之间的部分的长度更长。
19.如权利要求6所述的晶体管基板，其特征在于，具有：
多个第一晶体管组，其形成于所述公共布线与所述第一导电性布线之间，且彼此并联连接；以及
多个第二晶体管组，其形成于所述公共布线与所述第二导电性布线之间，且彼此并联连接，
在将与所述公共布线的延伸方向交叉的方向作为宽度方向的情况下，
所述多个第一晶体管组在所述延伸方向上排列，
所述多个第二晶体管组在所述延伸方向上排列，
所述多个第一晶体管组中的每一组具有在所述宽度方向上排列的所述多个第一晶体管，
所述多个第二晶体管组中的每一组具有在所述宽度方向上排列的所述多个第二晶体管，
所述公共布线中的位于所述多个第二晶体管组与所述控制电路之间的部分的长度比所述公共布线中的位于所述多个第一晶体管组与所述控制电路之间的部分的长度更长。
20.如权利要求2所述的晶体管基板，其特征在于，
具有形成于所述显示区域的第一公共电极和第二公共电极，
所述第一公共电极兼作对物体的接近或者接触进行检测的第一检测电极，
所述第二公共电极兼作对物体的接近或者接触进行检测的第二检测电极，
所述第一公共电极与所述第一导电性布线电连接，
所述第二公共电极与所述第二导电性布线电连接。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015210802A1 (de) * 2015-06-12 2016-12-15 Siemens Aktiengesellschaft Schnellschaltende Schaltungsanordnung für einen Umrichter
JP6773528B2 (ja) * 2016-11-15 2020-10-21 株式会社ジャパンディスプレイ 感圧センサ及び感圧センサ付表示装置
KR102677776B1 (ko) * 2018-05-04 2024-06-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN109901337B (zh) * 2019-04-12 2022-04-12 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN110060621B (zh) * 2019-05-31 2022-06-07 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050242349A1 (en) * 2004-05-03 2005-11-03 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Multi-channel type thin film transistor and method of fabricating the same
CN101726895A (zh) * 2008-10-17 2010-06-09 爱普生映像元器件有限公司 液晶显示装置
CN103927963A (zh) * 2013-01-10 2014-07-16 三菱电机株式会社 显示装置及其检查方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3072984B2 (ja) 1997-07-11 2000-08-07 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6903956B2 (en) * 2002-09-27 2005-06-07 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor memory device
US7453531B2 (en) * 2003-11-22 2008-11-18 Lg Display Co., Ltd. LCD driving device having plural TFT channels connected in parallel with either increasing channel widths or decreasing channel distances from central part to edges of the device
JP2014032282A (ja) 2012-08-02 2014-02-20 Sharp Corp 表示装置および当該表示装置を備えたテレビ受信装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050242349A1 (en) * 2004-05-03 2005-11-03 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Multi-channel type thin film transistor and method of fabricating the same
CN101726895A (zh) * 2008-10-17 2010-06-09 爱普生映像元器件有限公司 液晶显示装置
CN103927963A (zh) * 2013-01-10 2014-07-16 三菱电机株式会社 显示装置及其检查方法

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