CN110196659A - 带传感器的显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种使连接于检测电极的传感器布线不显眼的带传感器的显示装置。带传感器的显示装置在第一基板上具备多个检测电极、多个传感器布线、多个像素、多个扫描线和多个信号线。多个检测电极在第一方向及第二方向上呈矩阵状地排列。在一个检测电极连接多个传感器布线。像素包含多个子像素。多个扫描线对开关元件进行扫描，并在第一方向上延伸。多个信号线连接于开关元件，并在第二方向上延伸。一个传感器布线重叠于一个信号线。传感器布线在一部分具有与检测电极连接的连接部。包含连接部的第一像素和不包含连接部的第二像素在第一方向上交替地配置，第一像素和第二像素在第二方向上交替地配置。

Description

带传感器的显示装置

技术领域

本发明涉及带传感器的显示装置。

背景技术

在专利文献1中记载了一种带静电电容型传感器的显示装置。该静电电容型传感器具有多个检测电极和多个传感器布线。多个传感器布线用金属形成，并一对一地连接于多个检测电极。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015－143933号公报

发明内容

发明要解决的问题

为了抑制向检测电极供给的驱动信号的波形劣化，期望使多个传感器布线电连接于检测电极来降低布线电阻。然而，连接于检测电极的传感器布线被配置于显示区域。因此，若连接于检测电极的传感器布线变多，则传感器布线有可能会被视觉识别到。

本发明的目的在于提供一种使连接于检测电极的传感器布线不显眼的带传感器的显示装置。

用于解决问题的技术方案

一个方式的带传感器的显示装置，包括：第一基板；多个检测电极，其在所述第一基板的上方在第一方向及与所述第一方向交叉的第二方向上呈矩阵状排列；多个传感器布线，其连接于一个所述检测电极；多个像素，其包含多个子像素并在所述第一方向及所述第二方向上呈矩阵状排列；在所述第一方向上延伸的多个扫描线，其对所述子像素的开关元件进行扫描；以及在所述第二方向上延伸的多个信号线，其连接于所述子像素的所述开关元件，一个所述传感器布线重叠于一个所述信号线，所述传感器布线的一部分具有与对应的所述检测电极连接的连接部，所述像素包括包含所述连接部的第一像素和不包含所述连接部的第二像素，所述第一像素和所述第二像素在所述第一方向上交替地配置，所述第一像素和所述第二像素在所述第二方向上交替地配置。

附图说明

图1是示出实施方式1的显示装置的分解立体图。

图2是示意性地示出阵列基板的俯视图。

图3是示出实施方式1的显示区域的像素排列的电路图。

图4是在像素的示意性的俯视图中说明检测电极的俯视图。

图5是在像素的示意性的俯视图中说明像素电极的俯视图。

图6是用于说明开关元件的俯视图。

图7是说明图6的VII-VII’截面的局部剖视图。

图8是说明图4的VIII-VIII’截面的局部剖视图。

图9是用于说明传感器布线的扩宽部的说明图。

图10是说明图9的X-X’截面的局部剖视图。

图11是说明图9的XI-XI’截面的局部剖视图。

图12是说明图9的XII-XII’截面的局部剖视图。

图13是用于说明传感器布线的扩宽部的说明图。

图14是用于说明传感器布线与检测电极的连接位置的说明图。

图15是示出实施方式1的显示装置的工作例的定时波形图。

图16是用于说明实施方式2的开关元件的俯视图。

图17是用于说明实施方式2的子像素的示意性的说明图。

附图标记说明

10 第一绝缘基板

15 第五绝缘膜

16 第六绝缘膜

20 第二绝缘基板

AL1 第一取向膜

AL2 第二取向膜

BE 周边区域

BM 遮光层

CB1 第一图案

CB2 第二图案

CE-G 外缘布线

CE、CE1、CE2、CE3、CE4 检测电极

CEA、CEB 副检测电极

CEP 主检测电极

DA 显示区域

G1、G2、G3、GL 扫描线

Pd 显示期间

PE1、PE2、PE3 像素电极

Pix 像素

PNL 显示装置

PT 检测期间

PT1 第一连接区域

PT2 第二连接区域

PT3 第三连接区域

PTN 非连接区域

RE1、RE2、RE3 中继电极

S1、S2、S3、SL 信号线

SPix、SPix1、SPix2、SPix3、SPix13 子像素

SUS1 阵列基板

SUS2 对置基板

TCE1、TCE2、TCE3 扩宽部

TH 接触孔

TL、TL1、TL2、TL3 传感器布线

TrD1、TrD2、TrD3 开关元件

具体实施方式

参照附图对用于实施本发明的形态(实施方式)详细地进行说明。本公开并不受以下的实施方式所记载的内容限定。另外，以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易地想到的构成要素和与之实际相同的构成要素。而且，以下所记载的构成要素能够适当组合。需要说明的是，公开始终只是一例而已，对于本领域技术人员而言能够容易地想到的保有本公开主旨的适当变更，当然也包含于本公开的范围内。另外，附图使说明更清楚，因此存在与实际的形态相比示意性地示出各部分的宽度、厚度、形状等的情况，始终只是一例而已并不对本公开的解释构成限定。另外，在本公开和各图中，针对已有附图对与前述的要素相同的要素标注相同的附图标记，有时适当省略详细的说明。

(实施方式1)

图1是示出实施方式1的显示装置的分解立体图。如图1所示，带传感器的显示装置PNL具备阵列基板SUS1和对置基板SUS2。如图1所示，在带传感器的显示装置PNL中，在显示区域DA的外侧设置有周边区域BE。显示区域DA形成为四边形形状，但显示区域DA的外形的形状不受限定。例如，可以在显示区域DA存在缺口，或者，显示区域DA也可以形成为其它的多边形形状，显示区域DA也可以形成为圆形形状或椭圆形状等其它形状。

在本实施方式中，第一方向X是沿着显示区域DA的短边的方向。第二方向Y是与第一方向X交叉(或正交)的方向。不限定于此，第二方向Y也可以相对于第一方向X以90°以外的角度交叉。由第一方向X和第二方向Y所规定的平面与阵列基板SUS1的面平行。另外，与第一方向X及第二方向Y正交的第三方向Z是阵列基板SUS1的厚度方向。

显示区域DA是用于显示图像的区域，是与多个像素Pix重叠的区域。周边区域BE表示比阵列基板SUS1的外周靠内侧且比显示区域DA靠外侧的区域。需要说明的是，周边区域BE可以是包围显示区域DA的框状，在该情况下，也可以说周边区域BE是边框区域。

显示图像的显示区域DA包括检测静电电容的检测装置所含的传感器区域。如图1所示，检测电极CE在显示区域DA中在第一方向X及第二方向Y上呈矩阵状地排列有多个。各检测电极CE俯视按矩形状或正方形状示意性地示出，检测电极CE的详细形状在后叙述。检测电极CE例如由ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)等具有透光性的导电性材料形成。

如图1所示，在阵列基板SUS1的一个面侧的周边区域BE设置有外缘布线CE-G和集成电路CP。例如，外缘布线CE-G沿着显示区域DA的长边和短边连续设置，包围着显示区域DA。

带传感器的显示装置PNL是传感器区域一体化于显示区域DA后的显示装置。具体而言，在带传感器的显示装置PNL中，显示区域DA的部件的一部分为传感器区域的检测电极CE。

图2是示意性地示出阵列基板的俯视图。如图2所示，检测电极CE由缝隙SPB在第一方向X及第二方向Y上划分成矩阵状。在周边区域BE的短边侧设置有连接电路MP和集成电路CP。另外，未图示的柔性基板连接于周边区域BE的短边侧。需要说明的是，连接电路MP和集成电路CP的配置不限定于此，也可以是，例如设置于模块外部的控制基板和/或柔性基板上。

检测电极CE经由传感器布线TL及连接电路MP而与集成电路CP电连接。多个传感器布线TL分别电连接于在显示区域DA配置的多个检测电极CE的各个检测电极，并被引出至周边区域BE。多个传感器布线TL的各布线沿着第二方向Y延伸，多个传感器布线TL在第一方向X上排列配置。例如，内置于集成电路CP的驱动电路经由配置于周边区域BE的连接电路MP、和传感器布线TL而分别连接于多个检测电极CE。

在接触孔TH具有连接部CT(参照图10到图12)，该连接部CT将检测电极CE和与检测电极CE重叠的传感器布线TL电连接。一个传感器布线TL在图2中示意性地与一个检测电极CE连接。如后述那样，实际上，传感器布线TL将多个布线束集并引绕到显示区域DA内。

带传感器的显示装置PNL还具备连接电路MP。连接电路MP设置于检测电极CE与集成电路CP之间。连接电路MP是基于从集成电路CP所供给的控制信号Vsc1(参照图15)来对成为检测驱动的对象的检测电极CE与集成电路CP的连接和截断进行切换的电路。连接电路MP具有模拟前端。

图3是示出实施方式1的显示区域的像素排列的电路图。以下，有时将多个扫描线G1、G2、G3统称为GL。有时将多个信号线S1、S2、S3统称为信号线SL。在阵列基板SUS1形成有图3所示的各子像素SPix1、SPix2、SPix3的开关元件TrD1、TrD2、TrD3、信号线SL、扫描线GL等。信号线S1、S2、S3是用于向各像素电极PE1、PE2、PE3(参照图4)供给像素信号VPix(参照图15)的布线。扫描线G1、G2、G3是用于供给对各开关元件TrD1、TrD2、TrD3进行驱动的栅信号的布线。

图1所示的显示区域DA的像素Pix中包含如图3所示那样呈矩阵状排列的多个子像素SPix1、SPix2、SPix3。以下，有时将多个子像素SPix1、SPix2、SPix3统称为子像素SPix。子像素SPix1、SPix2、SPix3分别具备开关元件TrD1、TrD2、TrD3及液晶层LC的电容。开关元件TrD1、TrD2、TrD3是由薄膜晶体管构成的，在该例子中，由n沟道的MOS(Metal OxideSemiconductor，金属氧化物半导体)型的TFT构成。在后述的像素电极PE1、PE2、PE3与检测电极CE之间设置第六绝缘膜16(参照图8)，由它们来形成图3所示的保持电容Cs。

关于图3所示的彩色滤光片CFR、CFG、CFB，着色成例如红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)这3色的颜色区域周期性排列。R、G、B这3色的颜色区域作为1组与上述的图3所示的各子像素SPix1、SPix2、SPix3相关联。并且，与3色的颜色区域对应的子像素SPix1、SPix2、SPix3作为1组来构成像素Pix。需要说明的是，彩色滤光片也可以包含4色以上的颜色区域。

图4是在像素的示意性俯视图中说明检测电极的俯视图。图5是在像素的示意性俯视图中说明像素电极的俯视图。图6是用于说明开关元件的俯视图。图7是说明图6的VII-VII’截面的局部剖视图。图8是说明图4的VIII-VIII’截面的局部剖视图。图9是用于说明传感器布线的扩宽部的说明图。图10是说明图9的X-X’截面的局部剖视图。图11是说明图9的XI-XI’截面的局部剖视图。图12是说明图9的XII-XII’截面的局部剖视图。图13是用于说明传感器布线的扩宽部的说明图。图14是用于说明传感器布线与检测电极的连接位置的说明图。以下，使用图1到图14对实施方式1的具体的显示装置进行说明。

如图8所示，第一绝缘基板10的上方形成有多个信号线S1、S2、S3、多个像素电极PE1、PE2、PE3、多个检测电极CE、和多个传感器布线TL1、TL2、TL3。以下，有时将多个传感器布线TL1、TL2、TL3统称为传感器布线TL。如图4所示，扫描线G1～G3沿着第一方向X分别延伸并在第二方向Y上以等间距排列。从扫描线G1到G3虽未在图8中出现但也形成在第一绝缘基板10的上方。

在图4及图5中，将相对于第二方向Y逆时针呈锐角交叉的方向定义为方向D1，将相对于第二方向Y顺时针呈锐角交叉的方向定义为方向D2。需要说明的是，第二方向Y与方向D1所成的角度θ1和第二方向Y与方向D2所成的角度θ2大致相同。信号线S1～S3基本上沿着第二方向Y分别延伸并在第一方向X上以等间距排列。在图示的例子中，从信号线S1到S3在扫描线G1与扫描线G2之间在方向D1上延伸，而在扫描线G2与扫描线G3之间在方向D2上延伸。俯视X-Y平面，这些扫描线G1～G3和信号线S1～S3相互交叉。

如图6所示，开关元件TrD1位于扫描线G2与信号线S1的交叉部附近，与扫描线G2及信号线S1电连接。开关元件TrD2位于扫描线G2与信号线S2的交叉部附近，与扫描线G2及信号线S2电连接。开关元件TrD3位于扫描线G2与信号线S3的交叉部附近，与扫描线G2及信号线S3电连接。

如图5所示，多个像素电极PE1、PE2、PE3在第一方向X上隔开间隔地排列。像素电极PE1位于两个信号线之间。像素电极PE1具有接触部PA1、电极部PB1以及连结部PC1。接触部PA1与开关元件TrD1(参照图6)电连接。电极部PB1从接触部PA1向相对于扫描线G2而言接近于作为另一侧的扫描线G1的一侧延伸。也存在电极部PB1被称为带状电极、线状电极、梳齿电极等的情况。在图5中，1个像素电极PE1具有两条电极部PB1。两条电极部PB1连接于接触部PA1。这些电极部PB1在第一方向X上隔开间隔地排列。连结部PC1与两条电极部PB1的端部相连。由此，即使在一方的电极部PB1的一部分发生了断线，也能够经由连结部PC1从另一方的电极部PB1向一方的电极部PB1供给像素电位。

需要说明的是，像素电极PE1的形状不限于图5的例子，例如也可以省略连结部PC1，电极部PB1的条数也可以不是两条而是例如3条或4条。

像素电极PE2也形成为与像素电极PE1大致相同的形状。像素电极PE2位于两个信号线之间。像素电极PE2具有接触部PA2、电极部PB2以及连结部PC2。接触部PA2与开关元件TrD2(参照图6)电连接。电极部PB2从接触部PA2朝向扫描线G1延伸。

像素电极PE3也形成为与像素电极PE1大致相同的形状。像素电极PE3位于两个信号线之间。像素电极PE3具有接触部PA3、电极部PB3以及连结部PC3。接触部PA3与开关元件TrD3(参照图6)电连接。电极部PB3从接触部PA3朝向扫描线G1延伸。

电极部PB1、PB2、PB3均向同一方向延伸，并向与方向D1平行的方向延伸。电极部PB1、PB2、PB3均从各接触部朝向扫描线G1延伸。需要说明的是，处在扫描线G2与G3之间的像素电极也成为与从像素电极PE1到像素电极PE3相同的构成，但电极部的延伸沿着方向D2。

如图4所示，检测电极CE具有主检测电极CEP、副检测电极CEA和副检测电极CEB。主检测电极CEP在阵列基板SUS1的显示区域DA(参照图1)的大致整个区域范围形成。也就是说，子像素具有像素电极PE1、PE2、PE3，在与像素电极PE1、PE2、PE3重叠的区域设置有主检测电极CEP(检测电极CE)。俯视X-Y平面，主检测电极CEP与像素电极PE1、PE2、PE3、信号线S1、S2、S3以及传感器布线TL1、TL2重叠，并且与扫描线G1、G2、G3不重叠。

如图4所示，副检测电极CEA在第二方向Y上延伸，将在第二方向Y上相邻的主检测电极CEP电连接。俯视X-Y平面，副检测电极CEA与扫描线G1、G2、G3、信号线S2及传感器布线TL2重叠，并且与像素电极PE1、PE2、PE3、信号线S1、S3及传感器布线TL1、TL3不重叠。在第二方向Y上相邻的主检测电极CEP之间，若没有副检测电极CEA则会出现缝隙SPB。

如图4所示，副检测电极CEB在第一方向X上延伸，将在第一方向X上相邻的主检测电极CEP电连接。如图4所示，在第一方向X上相邻的主检测电极CEP之间，若没有副检测电极CEB则会出现缝隙SPB。俯视X-Y平面，副检测电极CEB与信号线S3及传感器布线TL3、扩宽部TCE3重叠，并且与像素电极PE1、PE2、PE3、扫描线G1、G2、G3、信号线S1、S2及传感器布线TL1、TL2不重叠。副检测电极CEB与扩宽部TCE3重叠并且形成有缝隙SPA，能够减小与位于在第一方向X上相邻的检测电极CE之间的缝隙SPB的视觉辨认性之差。

如以上说明的那样，检测电极CE具有主检测电极CEP、和副检测电极CEA、CEB。主检测电极CEP为岛状。在第一方向X或第二方向Y上相邻的主检测电极CEP通过副检测电极CEA或CEB而电连接。结果，检测电极CE能够具有任意大小的面积。

俯视X-Y平面，多个传感器布线TL1、TL2、TL3分别与信号线S1、S2、S3重叠，并与这些信号线平行地延伸。

在图8中，阵列基板SUS1以玻璃基板、树脂基板等具有透光性的第一绝缘基板10为基体。阵列基板SUS1在第一绝缘基板10的与对置基板SUS2相对的一侧具备第一绝缘膜11、第二绝缘膜12、第三绝缘膜13、第四绝缘膜14、第五绝缘膜15、第六绝缘膜16、信号线S1～S3、像素电极PE1～PE3、检测电极CE、第一取向膜AL1等。在以下的说明中，将从阵列基板SUS1朝向对置基板SUS2的方向称为上方、或简称为上。

第一绝缘膜11位于第一绝缘基板10之上。第二绝缘膜12位于第一绝缘膜11之上。第三绝缘膜13位于第二绝缘膜12之上。从信号线S1～S3位于第三绝缘膜13之上。第四绝缘膜14位于第三绝缘膜13之上并覆盖着信号线S1～S3。

传感器布线TL1、TL2、TL3位于第四绝缘膜14之上。传感器布线TL1、TL2、TL3由包含AL、Mo、W中的任意一种的电阻比检测电极CE低的金属材料形成。另外，传感器布线TL1、TL2、TL3隔着第四绝缘膜14与信号线S1、S2、S3相对。也就是说，传感器布线TL1、TL2、TL3重叠于信号线S1、S2、S3之上。传感器布线TL1、TL2、TL3由第五绝缘膜15覆盖着。第一绝缘膜11、第二绝缘膜12、第三绝缘膜13以及第六绝缘膜16例如由硅氧化物、硅氮化物等具有透光性的无机类材料形成。第四绝缘膜14及第五绝缘膜15由具有透光性的树脂材料形成，具有比由无机类材料形成的其它绝缘膜厚的膜厚。不过，第五绝缘膜15也可以由无机类材料形成。

检测电极CE位于第五绝缘膜15之上。另外，在图8中，检测电极CE隔着第五绝缘膜15与传感器布线TL1、TL2相对。在图8中，检测电极CE的缝隙SPA位于传感器布线TL3的正上方。检测电极CE由第六绝缘膜16覆盖着。第六绝缘膜16例如由硅氧化物、硅氮化物等具有透光性的无机类材料形成。

像素电极PE1～PE3位于第六绝缘膜16之上，隔着第六绝缘膜16与检测电极CE相对。像素电极PE1～PE3以及检测电极CE例如由ITO(Indium Tin Oxides，铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)等具有透光性的导电材料形成。从像素电极PE1到PE3由第一取向膜AL1覆盖着。第一取向膜AL1也由第六绝缘膜16覆盖着。

对置基板SUS2以玻璃基板、树脂基板等具有透光性的第二绝缘基板20为基体。对置基板SUS2在第二绝缘基板20与阵列基板SUS1相对的一侧具有遮光层BM、彩色滤光片CFR、CFG、CFB、外覆层OC、第二取向膜AL2等。

如图8所示，遮光层BM位于第二绝缘基板20的与阵列基板SUS1相对的一侧。并且，如图5所示，遮光层BM规定有与像素电极PE1～PE3分别相对的开口部AP。遮光层BM由黑色的树脂材料和/或遮光性的金属材料形成。

彩色滤光片CFR、CFG、CFB分别位于第二绝缘基板20的与阵列基板SUS1相对的一侧，各自的端部重叠于遮光层BM。彩色滤光片CFR与像素电极PE1相对。彩色滤光片CFG与像素电极PE2相对。彩色滤光片CFB与像素电极PE3相对。在一例中，彩色滤光片CFR、CFG、CFB分别由着色成红色、绿色、蓝色的树脂材料形成。

外覆层OC覆盖着彩色滤光片CFR、CFG、CFB。外覆层OC由具有透光性的树脂材料形成。第二取向膜AL2覆盖着外覆层OC。第一取向膜AL1及第二取向膜AL2例如由显示水平取向性的材料形成。

如以上说明的那样，对置基板SUS2具备遮光层BM、彩色滤光片CFR、CFG、CFB等。遮光层BM配置于与图4所示的扫描线G1、G2、G3、信号线S1、S2、S3、接触部PA1、PA2、PA3、开关元件TrD1、TrD2、TrD3等的布线部相对的区域。

在图8中，对置基板SUS2具备3色的彩色滤光片CFR、CFG、CFB，但也可以具备包含与蓝色、红色及绿色不同的其它颜色、例如白色、透明色、黄色、品红色、青绿色等的彩色滤光片的4色以上的彩色滤光片。另外，这些彩色滤光片CFR、CFG、CFB也可以设备于阵列基板SUS1。

上述的阵列基板SUS1及对置基板SUS2以第一取向膜AL1与第二取向膜AL2相向的方式配置。液晶层LC被封入于第一取向膜AL1与第二取向膜AL2之间。液晶层LC由介电常数各向异性为负的负型液晶材料、或者介电常数各向异性为正的正型液晶材料构成。

阵列基板SUS1与背光单元IL相对，对置基板SUS2位于显示面一侧。作为背光单元IL，能够适用各种各样的形态的单元，关于其详细的构成省略说明。

包含第一偏振板PL1的第一光学元件OD1配置于第一绝缘基板10的外表面或者与背光单元IL相对的面。包含第二偏振板PL2的第二光学元件OD2配置于第二绝缘基板20的外表面或者观察位置侧的面。第一偏振板PL1的第一偏振轴及第二偏振板PL2的第二偏振轴例如在X-Y平面内处于交叉尼克尔的位置关系。需要说明的是，第一光学元件OD1及第二光学元件OD2也可以包含相位差板等其它的光学功能元件。

例如，在液晶层LC为负型液晶材料的情况下，在未对液晶层LC施加电压的状态下，液晶分子LM在X-Y平面内其长轴在沿着第一方向X的方向上进行了初始取向。另一方面，在对液晶层LC施加了电压的状态下、也就是、在像素电极PE1～PE3与检测电极CE之间形成有电场的导通时，液晶分子LM受到电场的影响导致其取向状态变化。在导通时，关于入射了的直线偏振光，其偏振状态在经过液晶层LC时根据液晶分子LM的取向状态而变化。

接着，更详细说明图6所示的开关元件TrD1、TrD2、TrD3的构造。需要说明的是，以下说明的开关元件TrD1、TrD2、TrD3为顶栅型，但也可以为底栅型。在图6中，仅图示出开关元件TrD1、TrD2、TrD3的说明所必需的主要部分，省略了检测电极CE、从像素电极PE1到PE3、从传感器布线TL1到TL3等的图示。

开关元件TrD1、TrD2、TrD3在第一方向X上排列。开关元件TrD1具备遮光体SL1、半导体层SC1以及中继电极RE1。开关元件TrD2具备遮光体SL2、半导体层SC2以及中继电极RE2。开关元件TrD3具备遮光体SL3、半导体层SC3以及中继电极RE3。半导体层SC1～SC3均形成为大致U字状，与扫描线G2在两处交叉。

在开关元件TrD1中，半导体层SC1具有端部E11及端部E12。端部E11经由接触孔CH11与信号线S1电连接。端部E12经由接触孔CH12与中继电极RE1电连接。中继电极RE1位于相邻的像素的信号线与信号线S1之间。另外，中继电极RE1、端部部E11及E12均相对于扫描线G2而言位于扫描线G1一侧。

在扫描线G2中，与半导体层SC1交叉的两个部分分别成为栅电极WG11及WG12。遮光体SL1位于半导体层SC1中的俯视X-Y平面与栅电极WG12交叉的部分的正下方。

在开关元件TrD2中，半导体层SC2具有端部E21及端部E22。端部E21经由接触孔CH21与信号线S2电连接。端部E22经由接触孔CH22与中继电极RE2电连接。中继电极RE2位于信号线S1与S2之间。另外，中继电极RE2、端部E21及E22均相对于扫描线G2而言位于扫描线G1一侧。

在扫描线G2中，与半导体层SC2交叉的两个部分分别成为上电极WG21及WG22。遮光体SL2位于半导体层SC2中的俯视X-Y平面与栅电极WG22交叉的部分的正下方。

在开关元件TrD3中，半导体层SC3具有端部E31及端部E32。端部E31经由接触孔CH31与信号线S3电连接。端部E32经由接触孔CH32与中继电极RE3电连接。中继电极RE3位于信号线S2与S3之间。另外，中继电极RE3、端部E31及E32均相对于扫描线G2而言位于扫描线G1一侧。

在扫描线G2中，与半导体层SC3交叉的两个部分分别成为栅电极WG31及WG32。遮光体SL3位于俯视X-Y平面下、半导体层SC3中的与栅电极WG32交叉的部分的正下方。

如图7所示，像素电极PE1的接触部PA1与中继电极RE1相对，经由接触孔CH12与中继电极RE1电连接。像素电极PE2的接触部PA2与中继电极RE2相对，经由接触孔CH22与中继电极RE2电连接。像素电极PE3的接触部PA3与中继电极RE3相对，经由接触孔CH32与中继电极RE3电连接。需要说明的是，在图7中，仅示出了比图8所示的第一取向膜AL1靠下且比第二绝缘膜12靠上的构成。

接触部PA1、PA2、PA3分别经由导电层CEE而电连接于中继电极RE1、RE2、RE3之间。多个导电层CEE在接触孔CH12、CH22、CH32的外侧分别由第五绝缘膜15、第六绝缘膜16来进行绝缘。多个导电层CEE与检测电极CE同时形成，利用与检测电极CE相同的材料形成。

中继电极RE1、RE2、RE3与传感器布线TL1、TL2、TL3同时形成，利用与传感器布线TL1、TL2、TL3相同的材料形成。中继电极RE1、RE2、RE3电连接于漏电极DE12、DE22、DE32之上。漏电极DE12、DE22、DE32连接于图6所示的开关元件TrD1、TrD2、TrD3的端部E12、E22、E32。漏电极DE12、DE22、DE32与信号线S1、S2、S3同时形成，利用与信号线S1、S2、S3相同的材料形成。

遮光体SL1、SL2、SL3(参照图6)位于在图7及图8中未图示的位置，位于图8所示的第一绝缘基板10与第一绝缘膜11之间。半导体层SC1、SC2、SC3如图10～图12所示那样位于第一绝缘膜11与第二绝缘膜12之间。半导体层SC1、SC2、SC3例如由多晶硅形成，但也可以由非晶硅、氧化物半导体等形成。

如图7所示，中继电极RE1～RE3位于沿着第一方向X的同一直线上。在图7所示的截面中，要将副检测电极CEA与传感器布线TL2连接，在第一方向X上在接触孔CH12与接触孔CH22之间也就再需要一个接触孔。假设在第一方向X上在接触孔CH12与接触孔CH22之间再形成一个接触孔，为了维持第五绝缘膜15的厚度就必需增大接触孔CH12与接触孔CH22之间的距离。结果，子像素SPix的第一方向X上的宽度变大。因此，在实施方式1中，检测电极CE与传感器布线TL1、TL2、TL3中任一布线的电连接被配置于与接触孔CH12、CH22、CH32不排列在一条直线上的位置。

如图4所示，检测电极CE和传感器布线TL1、TL2、TL3通过作为传感器布线TL1、TL2、TL3的一部分的扩宽部TCE1、TCE2、TCE3中的任一方而电连接。参照图4及图6，扩宽部TCE1、TCE2、TCE3被配置于与接触孔CH12、CH22、CH32不排列在一条直线上的位置。由此，在图7所示的截面中，副检测电极CEA与传感器布线TL2通过第五绝缘膜15而绝缘。也就是说，将在第二方向Y上相邻的主检测电极CEP连接的副检测电极CEA位于与传感器布线TL2重叠的位置。因此，能够维持第五绝缘膜15的厚度，能够减小子像素SPix的第一方向X上的宽度。结果，实施方式1的带传感器的显示装置PNL可高精细化。

如图8所示，在第一方向X上，传感器布线TL1、TL2、TL3的主线ML(参照图4)的宽度为遮光层BM的宽度以下。由此，传感器布线TL1、TL2、TL3的主线ML难以被视觉辨认。

如图5所示，扩宽部TCE1、TCE2、TCE3在第一方向X上具有比传感器布线TL1、TL2、TL3的主线ML的宽度宽的宽度。在图5中，遮光层BM具备在第一方向X延伸的多个第一部分BM1、和在第二方向Y上延伸的多个第二部分BM2。俯视X-Y平面，遮光层BM包围子像素SPix的开口部AP。由此，俯视X-Y平面，扩宽部TCE1、TCE2、TCE3中的至少一部分重叠于第二部分BM2，其它部分从第二部分BM2伸出。也就是说，如图5所示，在第一方向X上，扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的宽度比遮光层BM的第二部分BM2的宽度大。

因此，在实施方式1的带传感器的显示装置PNL中，如图9或图13所示那样，通过具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3，由此存在具有连接部CT(参照图10～图12)的像素Pix(第一像素)。相对于此，在实施方式1的带传感器的显示装置PNL中，没有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3，由此存在不具有连接部CT的像素Pix(第二像素)。并且，具有连接部CT(参照图10～图12)的像素Pix(第一像素)与不具有连接部CT的像素Pix(第二像素)在第一方向X上交替地配置。另外，具有连接部CT的像素Pix和不具有连接部CT的像素Pix在第二方向Y上交替地配置。这样，不具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的非连接区域PTN以像素Pix为单位每隔一个像素Pix而存在一个，因此可降低因扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的影响而产生的遮光量。

如图9所示，在第一图案CB1中，第一连接区域PT1、第二连接区域PT2、第三连接区域PT3、非连接区域PTN配置于6行6列的像素Pix。在第一连接区域PT1、第二连接区域PT2及第三连接区域PT3中，对于像素Pix，在各子像素SPix具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3中的任一方。在第一连接区域PT1中，扩宽部TCE1通过接触孔TH与检测电极CE电连接。由此，如图10所示那样，扩宽部TCE1作为连接部CT与检测电极CE连接。在第一连接区域PT1中，扩宽部TCE2、TCE3不与检测电极CE连接。在第二连接区域PT2中，扩宽部TCE2通过接触孔TH与检测电极CE电连接。由此，如图11所示那样，扩宽部TCE2作为连接部CT与检测电极CE连接。在第二连接区域PT2中，扩宽部TCE1、TCE3不与检测电极CE连接。在第三连接区域PT3中，扩宽部TCE3通过接触孔TH与检测电极CE电连接。由此，如图12所示那样，扩宽部TCE3作为连接部CT与检测电极CE连接。在第三连接区域PT3中，扩宽部TCE1、TCE2与检测电极CE不连接。

如图9所示，具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第一像素)包含子像素SPix1、SPix2、SPix3。同样地，不具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第二像素)也包含子像素SPix1、SPix2、SPix3。具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第一像素)隔着不具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第二像素)在第二方向Y上排列三个。对于这三个具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第一像素)中的任意一个像素Pix，在第一连接区域PT1，子像素SPix1的扩宽部TCE1和检测电极CE通过接触孔TH而连接。同样地，对于三个具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第一像素)中的任意一个像素Pix，在第二连接区域PT2中，子像素SPix2的扩宽部TCE2和检测电极CE通过接触孔TH而连接。由此，如图11所示那样，扩宽部TCE2作为连接部CT与检测电极CE连接。而且，对于三个具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第一像素)中的任意一个像素Pix，在第三连接区域PT3，子像素SPix3的扩宽部TCE3与检测电极CE通过接触孔TH而连接。

具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第一像素)隔着不具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第二像素)在第一方向X上排列三个。对于这三个具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第一像素)中的任意一个像素Pix，在第一连接区域PT1中，子像素SPix1的扩宽部TCE1与检测电极CE通过接触孔TH而连接。同样地，对于三个具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第一像素)中的任意一个像素Pix，在第二连接区域PT2中，子像素SPix2的扩宽部TCE2与检测电极CE通过接触孔TH而连接。而且，对于三个具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第一像素)中的任意一个像素Pix，在第三连接区域PT3，子像素SPix3的扩宽部TCE3与检测电极CE通过接触孔TH而连接。

由此，接触孔TH的位置均等地分散。结果，因接触孔TH的影响而产生的第一取向膜AL1的变形不显眼。结果，显示品质难以劣化。

在第一连接区域PT1、第二连接区域PT2、第三连接区域PT3的各区域，在子像素SPix1、SPix2、SPix3存在扩宽部TCE1、TCE2、TCE3。因此，扩宽部TCE1、TCE2、TCE3对子像素SPix1、SPix2、SPix3分别造成影响，因此遮光的偏差小。

如图10所示那样，在接触孔TH中，扩宽部TCE1与检测电极CE电连接。对于连接部CT，扩宽部TCE1与检测电极CE直接相接。需要说明的是，在连接部CT中，也可以是，在扩宽部TCE1与检测电极CE之间插设有其它导电层。扩宽部TCE2与检测电极CE在图9中的X-X’截面上没有电连接。扩宽部TCE3与检测电极CE在图9中的X-X’截面上没有电连接。

如图11所示那样，在接触孔TH中，扩宽部TCE2与检测电极CE电连接。对于连接部CT，扩宽部TCE2与检测电极CE直接相接。需要说明的是，在连接部CT中，也可以是，在扩宽部TCE2与检测电极CE之间插设有其它导电层。扩宽部TCE1与检测电极CE在图9中的XI-XI’截面上没有电连接。扩宽部TCE3与检测电极CE在图9中的XI-XI’截面上没有电连接。

如图12所示那样，在接触孔TH中，扩宽部TCE3与检测电极CE电连接。对于连接部CT，扩宽部TCE3与检测电极CE直接相接。需要说明的是，在连接部CT中，也可以是，在扩宽部TCE3与检测电极CE之间插设有其它导电层。扩宽部TCE1与检测电极CE在图9中的XII-XII’截面上没有电连接。扩宽部TCE2与检测电极CE在图9中的XII-XII’截面上没有电连接。

如图9所示。在第一连接区域PT1、第二连接区域PT2、第三连接区域PT3的各区域中，扩宽部TCE1、TCE2、TCE3中的一个与检测电极CE连接，两个与检测电极CE没有连接。在第一图案CB1中，在6行6列的像素Pix内的第一方向X上，第一连接区域PT1、第二连接区域PT2、第三连接区域PT3分别配置一个。在6行6列的像素Pix内的第二方向Y上，第一连接区域PT1、第二连接区域PT2、第三连接区域PT3分别配置一个。

如图13所示那样，在第二图案CB2中，第二连接区域PT2、非连接区域PTN配置于6行6列的像素Pix。在第二连接区域PT2中，扩宽部TCE2通过接触孔TH与检测电极CE电连接。

对于图9所示的第一图案CB1和图13所示的第二图案CB2，6行6列的像素Pix中的扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的各自的数量相同。由此，图9所示的第一图案CB1与图13所示的第二图案CB2难以进行区别。

因此，实施方式1的带传感器的显示装置PNL使图9所示的第一图案CB1和图13所示的第二图案CB2混杂。图14的检测电极CE为了概念性地对图2所示的检测电极CE进行说明而以第二方向Y的1列4行为代表而图示于图14，使用图14对四个检测电极CE1、CE2、CE3、CE4进行说明。实际上适用以下说明的技术思想，如图2所示那样，检测电极CE呈矩阵状地排列。需要说明的是，在图14中，传感器布线TL1、TL2、TL3沿着第二方向Y为直线状，但如上所述沿着方向D1及方向D2呈锯齿状地进行了布线。

在第二方向Y上，以按检测电极CE1、CE2、CE3、CE4的顺序，远离连接电路MP的方式排列。在检测电极CE1中，第一图案CB1以4列2行排列。传感器布线TL1、TL2、TL3在接触孔TH中与检测电极CE1电连接。在从左侧起第1列的第一图案CB1中，连接于连接电路MP的传感器布线TL1、TL3与检测电极CE1通过接触孔TH而电连接。在从左侧起第2列到第四列的第一图案CB1中，传感器布线TL1、TL3由检测电极CE1与检测电极CE2之间的缝隙SP1电截断。

在检测电极CE2中，从左侧起排列有1列2行的第二图案CB2，从左侧第2列起排列有3列2行的第一图案CB1。传感器布线TL1、TL2、TL3在接触孔TH中与检测电极CE2电连接。在从左侧起第2列的第一图案CB1中，连接于连接电路MP的传感器布线TL1、TL3与检测电极CE2通过接触孔TH电连接。传感器布线TL2由检测电极CE2与检测电极CE3之间的缝隙SP2电截断。在从左侧起第3列、第4列的第一图案CB1中，传感器布线TL1、TL3由检测电极CE2与检测电极CE3之间的缝隙SP2电截断。

在检测电极CE3中，从左侧起排列有2列2行的第二图案CB2，从左侧第3列起排列有2列2行的第一图案CB1。传感器布线TL1、TL2、TL3在接触孔TH中与检测电极CE3电连接。在从左侧起第3列的第一图案CB1中，连接于连接电路MP的传感器布线TL1、TL3与检测电极CE3通过接触孔TH电连接。传感器布线TL2由检测电极CE3与检测电极CE4之间的缝隙SP3电截断。在从左侧起第4列的第一图案CB1中，传感器布线TL1、TL3由检测电极CE3与检测电极CE4之间的缝隙SP3电截断。

在检测电极CE4中，从左侧起排列有3列2行的第二图案CB2，从左侧第4列起排列有1列2行的第一图案CB1。传感器布线TL1、TL2、TL3在接触孔TH中与检测电极CE4电连接。在从左侧起第4列的第一图案CB1中，连接于连接电路MP的传感器布线TL1、TL3与检测电极CE4通过接触孔TH电连接。传感器布线TL2没有来自连接电路MP的供给布线，与来自连接电路MP的布线电截断。

在从左侧起第1列的第二图案CB2中，连接于连接电路MP的传感器布线TL1、TL3与检测电极CE4、CE3及CE2重叠，但与检测电极CE4、CE3及CE2没有电连接。在从左侧起第1列的第二图案CB2中，连接于连接电路MP的传感器布线TL1、TL3以跨越缝隙SP3、SP2、SP1的方式配置。

在从左侧起第2列的第二图案CB2中，连接于连接电路MP的传感器布线TL1、TL3与检测电极CE4及CE3重叠，但与检测电极CE4及CE3没有电连接。在从左侧起第2列的第二图案CB2中，连接于连接电路MP的传感器布线TL1、TL3以跨越缝隙SP3、SP2的方式配置。

在从左侧起第3列的第二图案CB2中，连接于连接电路MP的传感器布线TL1、TL3与检测电极CE4重叠，但与检测电极CE4没有电连接。在从左起第3列的第二图案CB2中，连接于连接电路MP的传感器布线TL1、TL3以跨越缝隙SP3的方式配置。

如以上说明的那样，传感器布线TL2由相邻的检测电极之间的缝隙SP1、SP2、SP3中的任一方被电截断。通过该构成，检测电极CE和传感器布线TL2之间的寄生电容变小，静电电容的检测精度提高。

如图13所示那样，在第二图案CB2中，具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第一像素)包含子像素SPix1、SPix2、SPix3。同样地，不具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第二像素)也包含子像素SPix1、SPix2、SPix3。具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第一像素)隔着不具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第二像素)在第二方向Y上排列三个。对于这三个具有扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第一像素)，子像素SPix2的扩宽部TCE2与检测电极CE通过接触孔TH连接。

在第二图案CB2中，具有连接部CT的像素Pix(第一像素)隔着不具有连接部CT的像素Pix(第二像素)在第一方向X上排列三个。在具有连接部CT的像素Pix(第一像素)中，子像素SPix2的扩宽部TCE2作为连接部CT与检测电极CE连接(参照图11)。

由此，在子像素SPix1具有扩宽部TCE1的传感器布线TL1，例如能够跨越多个检测电极CE4、CE3、CE2而延伸。同样地，在子像素SPix3具有扩宽部TCE3的传感器布线TL3，例如能够跨越多个检测电极CE4、CE3、CE2而延伸。传感器布线TL2由缝隙SP1、SP2、SP3中的任意一方电截断。通过该构造，检测电极CE和传感器布线TL2之间的寄生电容变小，静电电容的检测精度提高。

将相邻的检测电极CE1、CE2进行比较，以像素Pix的6行6列的单位面积计，接触孔TH的连接数量相同。将相邻的检测电极CE2、CE3进行比较，以像素Pix的6行6列的单位面积计，接触孔TH的连接数量相同。将相邻的检测电极CE3、CE4进行比较，以像素Pix的6行6列的单位面积计，接触孔TH的连接数量相同。结果，接触孔TH不显眼。由此，带传感器的显示装置PNL能够提高显示品质。

图15是示出实施方式1的显示装置的工作例的定时波形图。图15所示的工作例始终只是一例而已，也可以适当变更。

如图15所示那样，显示期间Pd和检测期间Pt按时序分割而交替地执行。带传感器的显示装置PNL可以在一个检测期间Pt执行一个检测面的接触检测，也可以分成多个检测期间Pt来执行。另外，可以在显示期间Pd进行一帧大小的量的图像显示，也可以在一帧大小的量的图像的显示期间中，交替地配置多个显示期间Pd和检测期间Pt。

源驱动器经由信号线S1、S2、S3对与各扫描线G1、G2、G3相对应的子像素SPix1、SPix2、SPix3供给像素信号VPix。并且，在这些子像素SPix1、SPix2、SPix3中，根据所供给的像素信号VPix而各一个水平行地进行显示。如图15所示，在显示期间Pd内，对检测电极CE1、CE2、CE3、CE4供给显示用的驱动信号Vcom。另外，在连接电路MP中，显示用的驱动信号Vcom被供给到所有检测电极CE(参照图2)。由此，检测电极CE成为赋予共同电位的共同电极。

如图15所示，在检测期间Pt内，集成电路CP及连接电路MP根据未图示的控制线SSE的控制信号Vsc1而工作，检测用的驱动信号Vself被供给到检测电极CE。在检测期间Pt内，也可以，对图1所示的外缘布线CE-G供给与检测用的驱动信号Vself相同波形且与驱动信号Vself同步的保护信号Vgd。或者，在检测期间Pt内，也可以是，外缘布线CE-G设定为与各处均不电连接的状态(高阻抗)。

与检测电极CE的电容变化相应的检测信号Vdet经由连接电路MP的模拟前端向集成电路CP的检测电路供给。由此，带传感器的显示装置PNL能够按多个检测电极CE分别检测接触状态或接近状态的被检测体。关于具体的检测方法，记载于专利文献1，因此专利文献1的记载也包含于本实施方式，省略记载。

如以上说明的那样。带传感器的显示装置PNL在第一绝缘基板10上具备多个检测电极CE、多个传感器布线TL、多个像素Pix、多个扫描线GL和多个信号线SL。多个检测电极CE在第一方向X及与第一方向X交叉的第二方向Y上呈矩阵状地排列。在一个检测电极CE连接多个传感器布线TL。像素Pix包含多个子像素SPix1、子像素SPix2、子像素SPix3。多个扫描线GL对开关元件TrD1、TrD2、TrD3进行扫描并在第一方向X上延伸。多个信号线SL连接于开关元件TrD1、TrD2、TrD3并在第二方向Y上延伸。在第三方向Z上，一个传感器布线TL配置于一个信号线SL的上方并重叠。由此，传感器布线TL和与信号线SL重叠的遮光层BM也重叠，不显眼。

另外，能够使多个传感器布线TL电连接于一个检测电极CE而降低布线电阻，因此能够抑制向检测电极CE供给的驱动信号的波形劣化。结果，对于带传感器的显示装置PNL，静电电容的检测精度提高。

传感器布线TL与信号线SL重叠，因此与信号线SL相比第一方向X上的宽度大。由此，成膜时的对准容易进行，传感器布线TL的电阻也会降低。对于传感器布线TL的主线ML，优选的是，第一方向X上的宽度为重叠的遮光层BM的宽度以下。由此，传感器布线TL难以被视觉辨认。

传感器布线TL的一部分具有第一方向X上的宽度比主线宽的扩宽部TCE1到TCE3中的任一方。通过将扩宽部TCE1、TCE2、TCE3的宽度取得足够大，由此即使增大第五绝缘膜15的厚度，也能够开设接触孔TH来确保扩宽部TCE1、TCE2、TCE3中的任意一个与检测电极CE的接触面积。这样，存在如下连接部CT：在第五绝缘膜15有接触孔TH，在接触孔TH有连接检测电极CE及扩宽部TCE1、TCE2、TCE3中的任一方的连接部CT。结果，能够确保传感器布线TL1、TL2、TL3与检测电极CE在第三方向Z上的距离，能够降低检测电极CE与在检测电极CE通过的传感器布线TL1、TL2、TL3之间的寄生电容。另外，通过将扩宽部TCE1的宽度取得足够大，由此能够利用难以较薄地成膜的树脂材料来成膜第五绝缘膜15。

检测电极CE在第三方向Z上隔着第五绝缘膜15配置于比传感器布线TL靠上方的位置。在第五绝缘膜15存在将检测电极CE与扩宽部TCE1、TCE2、TCE3中的任一方连接的接触孔TH。扩宽部TCE1、TCE2、TCE3配置于信号线SL的上方并重叠，因此因接触孔TH的影响而产生的第一取向膜AL1的变形难以影响到像素电极PE1、PE2、PE3。结果，显示品质难以劣化。

如图14所示那样，接触孔TH例如在一个检测电极CE1与一个传感器布线TL1之间设置有多个。由此，连接电阻降低，能够抑制向检测电极CE供给的驱动信号的波形劣化。结果，对于带传感器的显示装置PNL，静电电容的检测精度提高。

如图5所示那样，扩宽部TCE1、TCE2、TCE3配置于相邻的2个扫描线G1、G2之间。另外，俯视X-Y平面，扩宽部TCE1、TCE2、TCE3不重叠于第一部分BM1。由此，能够使扩宽部TCE1、TCE2、TCE3与图5所示的像素电极PE1、PE2、PE3的各接触部PA1、PA2、PA3位置不同。结果，如图14所示那样，接触孔TH的形成精度变高，检测电极CE与传感器布线TL的电连接的可靠性变高。

如从图10到图12所示那样，扩宽部TCE1、TCE2、TCE3处在图6所示的接触孔CH11、CH21、CH31中的任一方的上方，并重叠。由此，扩宽部TCE1、TCE2、TCE3能够缓和接触孔CH11、CH21、CH31对第一取向膜AL1造成的影响。

(实施方式2)

图16是用于说明实施方式2的开关元件的俯视图。图17是用于说明实施方式2的子像素的示意性的说明图。需要说明的是，对于在实施方式1中说明的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。在实施方式2中，子像素SPix13的构成与实施方式1不同。

在实施方式2的开关元件TrD3中，半导体层SC3具有端部E31及端部E32。端部E31经由接触孔CH31与信号线S3电连接。端部E32经由接触孔CH32与中继电极RE3电连接。中继电极RE3位于信号线S2与S3之间。另外，中继电极RE3、端部E31及E32均相对于扫描线G2而言位于扫描线G3一侧。

在扫描线G2中，与半导体层SC3交叉的两个部分分别作为栅电极WG31及WG32发挥功能。遮光体SL3位于半导体层SC3中的与栅电极WG32交叉的部分的正下方。中继电极RE3从中继电极RE1及RE2排列的位置隔着扫描线G2向相反侧偏移。需要说明的是，从中继电极RE1到RE3，各自的一部分重叠于扫描线G2，但也可以是，各自整体从与扫描线G2重叠的位置离开。

接触孔CH12及CH22在沿着第一方向X的同一直线上并排。与此相对，相对于接触孔CH12及CH22而言，接触孔CH32在与第一方向X交叉的倾斜方向上并排。也就是说，接触孔CH32设置于从接触孔CH12及CH22所并排的同一直线上偏离了的位置。在此，上述的扩宽部TCE1、TCE2、TCE3处在图16所示的接触孔CH11、CH21、CH31中的任一方的上方，并与之重叠。结果，如图14所示那样，接触孔TH的形成精度变高，检测电极CE与传感器布线TL的电连接的可靠性变高。

如图17所示那样，子像素SPix1在第一列沿着第二方向Y排列。子像素SPix2在第一列的次列即第二列上沿着第二方向Y排列。子像素SPix3和子像素SPix13在第二列的次列即第三列上在第二方向Y上交替地排列。第一列、第二列、第三列在第一方向X上周期性地排列。在子像素SPix1配置有红色(R)的彩色滤光片。在子像素SPix2配置有绿色(G)的彩色滤光片。在子像素SPix3配置有白色或透明(W)的彩色滤光片。在子像素SPix13配置有蓝色(B)的彩色滤光片。

能够使背光单元IL的电流值下降与子像素SPix13使辉度提高相当的量，能够降低功耗。另外，可确保能见度低的蓝色(B)的面积。

以上对优选的实施方式进行了说明，但本公开并不限定于这样的实施方式。在实施方式中公开的内容始终只是一例而已，能够在不脱离本公开的主旨的范围内进行各种各样的变更。对于在不脱离本公开的主旨的范围内所进行了的适当变更，当然也属于本公开的技术范围。

例如，以上说明的扩宽部TCE1、TCE2、TCE3也可以设为中继电极、连接部、宽幅部、扩展部、扩宽部以及基座部中的任一方，或者，也可以单纯表述为传感器布线TL的第一部分等。连接部CT也可以表述为接触部。

由第一方向X和第二方向Y所规定的平面设为与阵列基板SUS1的面平行，但阵列基板SUS1的面也可以弯曲。在该情况下，从带传感器的显示装置PNL看起来为最大面积的方向进行观察，预定的方向成为第一方向，与该第一方向交叉的方向成为第二方向。对于带传感器的显示装置PNL看起来为最大面积的方向，只要规定了与第一方向及第二方向正交的第三方向即可。

Claims (15)

1.一种带传感器的显示装置，包括：

第一基板；

多个检测电极，其在所述第一基板的上方在第一方向及与所述第一方向交叉的第二方向上呈矩阵状排列；

多个传感器布线，其连接于一个所述检测电极；

多个像素，其包含多个子像素，并在所述第一方向及所述第二方向上呈矩阵状排列；

在所述第一方向上延伸的多个扫描线，其对所述子像素的开关元件进行扫描；以及

在所述第二方向上延伸的多个信号线，其连接于所述子像素的所述开关元件，

一个所述传感器布线重叠于一个所述信号线，

所述传感器布线的一部分具有与对应的所述检测电极连接的连接部，

所述像素包括第一像素和第二像素，所述第一像素包含所述连接部，所述第二像素不包含所述连接部，所述第一像素和所述第二像素在所述第一方向上交替地配置，

所述第一像素和所述第二像素在所述第二方向上交替地配置。

2.根据权利要求1所述的带传感器的显示装置，其中，

所述传感器布线的一部分具有所述第一方向上的宽度比该传感器布线的主线宽的扩宽部。

3.根据权利要求2所述的带传感器的显示装置，其中，

所述检测电极在与所述第一方向及所述第二方向正交的第三方向上隔着绝缘膜配置于比所述传感器布线靠上方的位置，

在所述绝缘膜具有第一接触孔，在所述第一接触孔具有将对应的所述检测电极与所述扩宽部连接的所述连接部。

4.根据权利要求3所述的带传感器的显示装置，其中，

所述第一接触孔为多个第一接触孔中的一个，

在一个所述检测电极与一个所述传感器布线之间设置有所述多个第一接触孔。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的带传感器的显示装置，其中，

所述扩宽部在所述第二方向上配置于相邻的两个所述扫描线之间。

6.根据权利要求2所述的带传感器的显示装置，其中，

在所述第一像素中，各所述子像素包含所述扩宽部。

7.根据权利要求6所述的带传感器的显示装置，其中，

所述扩宽部为在一部分上所述第一方向上的宽度比该传感器布线的主线宽的多个扩宽部中的一个，在一个所述第一像素中，多个所述扩宽部中的一个所述扩宽部作为所述连接部而与对应的所述检测电极连接，其它的所述扩宽部与对应的所述检测电极被设为非连接。

8.根据权利要求7所述的带传感器的显示装置，其中，

将相邻的所述检测电极进行比较，以每单位面积计，所述扩宽部与所述检测电极的连接数量相同。

9.根据权利要求8所述的带传感器的显示装置，其中，

所述第一像素为包含所述连接部的多个第一像素中的一个，所述第二像素为不包含所述连接部的多个第二像素中的一个，

所述第一像素具有第一子像素、第二子像素和第三子像素，

隔着所述第二像素在所述第一方向或所述第二方向上排列三个所述第一像素，三个所述第一像素包括：

在所述第一子像素具有所述连接部的所述第一像素；

在所述第二子像素具有所述连接部的所述第一像素；以及

在所述第三子像素具有所述连接部的所述第一像素。

10.根据权利要求9所述的带传感器的显示装置，其中，

在所述第二子像素具有所述扩宽部的所述传感器布线，在多个所述检测电极之间被截断。

11.根据权利要求10所述的带传感器的显示装置，其中，

在所述第一子像素具有所述扩宽部的所述传感器布线跨越多个所述检测电极地延伸，

在所述第二子像素具有所述扩宽部的所述传感器布线在多个所述检测电极之间被截断，

在所述第三子像素具有所述扩宽部的所述传感器布线跨越多个所述检测电极地延伸。

12.根据权利要求3所述的带传感器的显示装置，其中，

所述子像素具有像素电极，并具有将所述像素电极与所述开关元件连接的中继电极和用于将所述中继电极与所述像素电极连接的第二接触孔，所述第一接触孔和所述第二接触孔不排列在一条直线上。

13.根据权利要求12所述的带传感器的显示装置，其中，

所述第二接触孔为多个第二接触孔中的一个，

一个所述像素所包含的多个所述子像素的所述第二接触孔中的两个所述第二接触孔在直线上排列，在偏离了所述直线上的位置存在其它所述子像素的所述第二接触孔。

14.根据权利要求5所述的带传感器的显示装置，其中，

所述带传感器的显示装置还具备与所述第一基板相对的第二基板、和所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层，

所述第二基板包括遮光层，该遮光层具备在所述第一方向上延伸的多个第一部分和在所述第二方向上延伸的多个第二部分，所述遮光层包围所述子像素的开口部，

所述扩宽部不与所述遮光层的所述第一部分重叠。

15.根据权利要求14所述的带传感器的显示装置，其中，

所述扩宽部的至少一部分重叠于所述第二部分，

所述扩宽部的所述第一方向上的宽度比所述第二部分的所述第一方向上的宽度宽。