CN106796935A - 光电子半导体构件和闪光灯 - Google Patents
光电子半导体构件和闪光灯 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106796935A CN106796935A CN201580047698.5A CN201580047698A CN106796935A CN 106796935 A CN106796935 A CN 106796935A CN 201580047698 A CN201580047698 A CN 201580047698A CN 106796935 A CN106796935 A CN 106796935A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chromaticity coordinates
- cie
- coordinates
- opto
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 118
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 40
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 93
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 32
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 241001465382 Physalis alkekengi Species 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 19
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 14
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 10
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 7
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 6
- -1 nitride orthosilicate Chemical class 0.000 description 6
- 229910002790 Si2N2O Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 229910052909 inorganic silicate Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 240000005369 Alstonia scholaris Species 0.000 description 1
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 206010023126 Jaundice Diseases 0.000 description 1
- 241000406668 Loxodonta cyclotis Species 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- ITVPBBDAZKBMRP-UHFFFAOYSA-N chloro-dioxido-oxo-$l^{5}-phosphane;hydron Chemical class OP(O)(Cl)=O ITVPBBDAZKBMRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
- H04M1/02—Constructional features of telephone sets
- H04M1/21—Combinations with auxiliary equipment, e.g. with clocks or memoranda pads
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/20—Controlling the colour of the light
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
- H05B47/10—Controlling the light source
- H05B47/105—Controlling the light source in response to determined parameters
- H05B47/11—Controlling the light source in response to determined parameters by determining the brightness or colour temperature of ambient light
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
光电子半导体构件(1)包括至少四个不同的光源(11，12，13，14)，所述光源各具有一个光电子半导体芯片(10)。在运行时，光源(11，12，13，14)发射具有在CIE标准比色图表中彼此不同的色坐标(A，B，C，D)的辐射。所述色坐标(A，B，C，D)中的至少两个在CIE标准比色图表中优选位于共同的等温线(I)或共同的延伸直线(E)上，所述延伸直线延长等温线(I)。因此，色坐标(A，B，C，D)以至多一个三阶麦克亚当椭圆的公差位于等温线(I)或延长直线(E)上。此外，半导体构件(10)构建成用于，在运行时发射白光，其中白光的色温是可变且可调的。
Description
技术领域
提出一种光电子半导体构件。此外，提出一种具有这种半导体构件的闪光灯。
发明内容
要实现的目的在于：提出一种光电子半导体构件，其尤其用于闪光灯应用，所述光电子半导体构件的发射光谱是可灵活设定的。
此外，所述目的通过具有独立权利要求的特征的光电子半导体构件和闪光灯来实现。优选的改进方案是从属权利要求的主题。
根据至少一个实施方式，光电子半导体构件包括至少一个第一光源、至少一个第二光源、至少一个第三光源和至少一个第四光源。这些光源在其发射光谱方面彼此不同。换言之，光电子半导体构件包括四个或多于四个的彼此不同的光源。每个光源都具有特定的发射光谱。
根据至少一个实施方式，半导体构件的光源中的每个光源都具有一个或多个光电子半导体芯片。例如，半导体芯片为发光二极管芯片或激光二极管芯片。
根据至少一个实施方式，至少四个不同的光源在运行时分别发射具有彼此不同的色坐标的辐射。色坐标为CIE标准比色图表中的色坐标。示图例如可以在CIE-xy图表中、在CIE-uv图表中或在CIE-u’v’图表中进行。各个不同的CIE示图可相互换算，譬如从出版物Y.Ohno，“Calculation of CCT and Duv and practical conversion formula”(CORM会议2011，Gaversburg，Maryland，USA，2011年五月3日至5日)以及从出版物US 2003/0095138A1中得出。所述出版物关于CIE标准比色图表的内容通过参引并入本文。
根据至少一个实施方式，在运行中由光源发射的辐射光谱的色坐标中的至少两个在CIE标准比色图表中位于共同的等温线上。同样可能的是，所述色坐标位于共同的延长直线上，所述延长直线延长等温线。等温线在此是下述线：所述线在CIE-uv图表中垂直于黑体曲线(也称作为普朗克曲线)，例如也参见Ohno的出版物，第5页。等温线具有距普朗克曲线至多0.05单位的间距。换言之，在CIE-uv示图亦或在CIE-xy示图中，等温线在距普朗克曲线0.05单位的间距处终止。延长直线延伸超过相关的等温线，沿两个方向远离普朗克曲线。
根据至少一个实施方式，至少两个色坐标以至多一个三阶麦克亚当椭圆的公差位于共同的等温线或共同的延长直线上。一阶麦克亚当椭圆在此是下述区域：在所述区域之内，标准观察者在CIE标准比色图表中不能够确定色差。麦克亚当椭圆的思想例如在出版物M.Wood，“MacAdam Ellipses”(ESTA Protocol Magazine，2010年秋季，第15至18页)中予以了阐述。所述出版物对麦克亚当椭圆的公开内容通过参引并入本文。
根据至少一个实施方式，半导体构件构建成，在运行时发射具有可变相关色温(也称作为correlated color temperature，简称为CCT)的彩色光或白光。白光尤其表示：整体上由半导体构件发射的辐射的色坐标因此在CIE-uv示图中具有距普朗克曲线至多0.05单位或0.03单位或0.01单位或至多一个五阶麦克亚当椭圆或至多一个三阶麦克亚当椭圆的间距。换言之，半导体构件在常规使用时放射光，所述光对观察者显现成白色。由半导体构件发射的混合辐射可有针对性且可复现地设定。
在至少一个实施方式中，光电子半导体构件包括至少四个不同的光源，所述光源分别具有至少一个光电子半导体芯片。在运行时，这些光源发射具有在CIE标准比色图表中彼此不同的色坐标的辐射。优选地，这些色坐标中的至少两个在CIE标准比色图表中位于共同的等温线或共同的延长直线上，所述延长直线延长等温线。因此，色坐标以至多一个三阶麦克亚当椭圆的公差位于等温线或延长直线上。此外，半导体构件优选地构建成用于：在运行时发射白光，其中白光的色温是可变且可调的。
在闪光灯应用中、例如在移动电话和便携式相机中，通常在摄影时实际的闪光与环境光混合。因为存在多个不同的环境光类型，如不同的白天时间或例如通过荧光灯或节能灯产生的不同的人工照明，所以如果闪光灯的光匹配于环境光，则这引起白平衡和图像质量极大改进。典型地，这不能够通过单独的光源或通过单独的发光二极管(简称LED)来实现，而是通常必须通过两个或多个光源或LED连同所属的发光材料来实现。
实现放射不同光的光源的可能性在于，引导半导体构件中的多个半导体芯片的光路通过不同的发光材料和/或不同的发光材料量。通过以不同比例混合各个光源的光，能够实现借助半导体构件整体发射的辐射的多个不同的色坐标，而不需要附加的光源。这引起图像质量极大改善。
尤其相对于具有仅两个或三个带有相关联的发光材料和/或带有不同的发射波长的半导体芯片相比，能够改进效率和/或显色质量。这样，能够减小已经转换的辐射在发光材料中的再吸收，因为不同的、起再吸收作用的发光材料能够分布和安置到不同的半导体芯片上。因为色坐标中的至少两个位于共同的等温线或延长直线上，在光源中仅有两个光源运行时，能够在小的控制耗费情况下以亮度优化的方式实现在普朗克曲线上选择的色坐标。例如，等温线位于至少1000K或2300K或3000K和/或至多20,000K或10,000K或7500K或5000K的色温范围中。
如已经在上文中提出的那样，术语“等温线”尤其涉及CIE-1960色彩空间中的uv图表，其中所述色彩空间能够换算成其他CIE色彩空间。下面，只要没有另作说明，全部关于色坐标的说明理解成具有至多一个五阶麦克亚当椭圆或三阶麦克亚当椭圆或一阶麦克亚当椭圆的公差。
根据至少一个实施方式，光源中的两个、三个、四个或多于四个的光源包括至少一个半导体芯片，所述半导体芯片发射蓝光。例如，蓝光的主波长和/或质心波长位于至少400nm或420nm或435nm和/或位于至多500nm或485nm或460nm。
根据至少一个实施方式，光源中的三个或四个或多于四个的光源分别具有发光材料混合物。发光材料混合物包含一种或多种发光材料。发光材料混合物设置在所属的半导体芯片下游，尤其仅设置在所述半导体芯片下游。
根据至少一个实施方式，发光材料混合物构建成为半导体芯片的至少一部分或者为全部半导体芯片各自仅用于对由所属的半导体芯片发射的辐射进行部分转换。于是，如果半导体芯片例如发射蓝光，那么所述蓝光被发光材料混合物仅部分地转换成更长波长的光，并且蓝光的一部分穿过发光材料混合物并且发射。
根据至少一个实施方式，等温线或延长直线上的两个色坐标位于CIE-xy标准比色图表的普朗克曲线的不同侧上。尤其，这两个色坐标因此具有cy坐标，所述cy坐标与普朗克曲线相比在所属的色温方面一次具有更大的值并且一次具有更小的值。
根据至少一个实施方式，四个色坐标成对地位于等温线或延长直线上。这就是说，两个色坐标位于第一等温线或延长直线上，并且另外两个色坐标位于第二等温线或延长直线上。第一等温线或延长直线具有优选至少1000K或2300K和/或至多5000K或4500K的温度。第二等温线或延长直线优选示出大于4500K或大于5000K和/或至多20000K或7500K的温度。
根据至少一个实施方式，位于等温线或延长直线上的两个色坐标尤其在CIE-uv示图中距普朗克曲线同样远。如果色坐标这样设置，那么特别是在两个所属的光源同样强地运行时，能够实现得到混合辐射在普朗克曲线上的色坐标，而没有更大的控制耗费。
根据至少一个实施方式，三个或四个或全部色坐标在CIE标准比色图表中距普朗克曲线(尤其在CIE-uv示图中)至多0.04单位或0.03单位或0.02单位的间距。换言之，可能的是，各个光源的三个或四个或全部色坐标已经显示白光。替选地，可能的是，光源的色坐标中的两个或三个或四个色坐标显示彩色光并进而不显示白光。
根据至少一个实施方式，色坐标中的两个或三个或全部色坐标并不位于普朗克曲线上。这尤其表示，例如在CIE-xy示图中和/或在CIE-uv示图中该色坐标距普朗克曲线的间距至少为0.03单位或0.05单位或0.08单位或0.11单位。
根据至少一个实施方式，色坐标中的两个色坐标位于普朗克曲线上，尤其在CIE标准比色图表中具有至多0.02单位或0.015单位的公差。两个位于等温线或延长直线上和/或不位于普朗克曲线上的色坐标在其CIE-x坐标方面位于普朗克曲线上的两个色坐标之间。那么，尤其通过四个色坐标在CIE-xy示图中展开四边形，其纵轴线位于普朗克曲线上方或下方，或者形成普朗克曲线的弦。四边形的纵轴线例如是四边形的短轴线至少1.5倍或2倍或2.5倍和/或至多6倍或4倍或3倍长，所述短轴线能够垂直于或几乎垂直于纵轴线定向。纵轴线与短轴线在具有最小CIE-x坐标的三分之一中或者在中间的三分之一中或在具有最大CIE-x坐标的三分之一中相交。优选，交点位于中间的三分之一中。
根据至少一个实施方式，两个位于等温线或延长直线上和/或不位于普朗克曲线上的色坐标到具有最大CIE-x坐标的色坐标的距离与到具有最小CIE-x坐标的色坐标的距离相比近了至少0.04单位或0.06单位或0.08单位。换言之，色坐标中的一个色坐标于是具有相对小的CIE-x坐标，并且色坐标中的三个色坐标具有类似的、例如相差至多0.08或0.04单位的、相对大的CIE-x色坐标。
根据至少一个实施方式，两个具有最大CIE-x坐标的色坐标位于普朗克曲线上，尤其具有至多0.02单位或0.015单位或0.01单位的公差。两个位于等温线或延长直线上和/或不位于普朗克曲线上的色坐标与普朗克曲线上的两个色坐标相比分别具有更小的亦或更大的CIE-x坐标。可能的是，通过四个色坐标仅展开一个三角形，其中所述三角形的顶部要么指向大的CIE-x坐标、要么指向小的CIE-x坐标。位于展开的三角形内的色坐标优选以至多0.04单位或0.02单位或0.01单位的公差位于展开的三角形的面重心中，尤其在CIE-xy示图中。展开的三角形沿着x方向的最大的纵向伸展优选超过三角形沿着y方向的最大横向伸展至少1.2倍或1.5倍或1.75倍和/或至多3倍或4倍或2倍。
根据至少一个实施方式，色坐标中的第一色坐标具有至少0.2和/或至多0.3的CIE-x坐标和至少0.15和/或至多0.4的CIE-y坐标。
根据至少一个实施方式，色坐标中的第二色坐标位于至少0.45或0.5的CIE-x坐标和至少0.25和/或至多0.38的CIE-y坐标处。
根据至少一个实施方式，色坐标中的第三色坐标具有至少0.40和/或至多0.50的CIE-y坐标。在此，第三色坐标的CIE-x坐标优选在第一色坐标和第二色坐标的CIE-x坐标之间。
根据至少一个实施方式，色坐标中的第四色坐标具有与第三色坐标的CIE-x坐标相差至多0.05或0.02的CIE-x坐标。第四色坐标的CIE-y坐标在此比第三色坐标的CIE-y坐标小至少0.04或0.06和/或至多0.15或0.10。
根据至少一个实施方式，光源中的两个或三个或四个或全部光源可彼此无关地电控制。这表示，由所属的光源放射的光的强度因此可与其他光源的强度无关地设定。
根据至少一个实施方式，具有位于等温线或延长直线上的色坐标的两个光源在半导体构件中互连成，使得所述光源以最大功率的至少50％或75％或85％运行。最大功率在此表示下述功率：借助所述功率，半导体光源刚好还常规使用地且不减少使用寿命地运行。
根据至少一个实施方式，由半导体构件在运行时发射的白光光谱在480nm和700nm之间的光谱范围中具有刚好一个强度最大值，所述强度最大值优选不位于所述光谱范围的边界上，而是位于所述光谱范围的内部。尤其，各个光源在半导体构件中互连成，使得在常规使用时，半导体构件不能运行，使得不满足所述条件。
根据至少一个实施方式，光源中的至少一个或优选刚好一个光源具有下述半导体芯片，所述半导体芯片在运行时发射近红外辐射。所述至少一个半导体芯片优选具有为至少800nm或850nm和/或至多1500nm或1300nm或950nm的最大强度的波长。优选地，在所述红外发射的半导体芯片下游设置有至少一种发光材料，用于将近红外辐射的一部分转换成可见光。在此，例如所述光源的以瓦特计的辐射功率的至少30％或50％或70％位于730nm或更大或者750nm或更大的波长处。通过使用这种发射近红外辐射和还有可见辐射的光源，尤其经由近红外分量能够实现要记录的物体的3D扫描。
替选地，也可能的是，使用发射近红外辐射的半导体芯片，在所述半导体芯片下游不设置有发光材料。这就是说，相应的光源因此例如仅发射近红外光而不发射可见光。
根据至少一个实施方式，光源中的一个光源具有发射彩色光的半导体芯片，在所述半导体芯片下游设置有用于产生近红外辐射的发光材料。例如，所属的半导体芯片于是发射蓝光和/或绿光和/或红光。由发光材料发射的辐射的最大强度的波长优选位于至少750nm和/或至多850nm或900nm处。例如，所述光源的以瓦特计的辐射功率的至少30％或50％或70％位于至少730nm或750nm的波长处。
根据至少一个实施方式，光源的两个或三个或四个或全部色坐标具有至少10％或20％和/或至多90％或80％或50％的色彩饱和度。换言之，那么光源的至少一部分具有色彩饱和度相对小的色坐标。可能的是，将具有小的色彩饱和度的光源与高的色彩饱和度、例如色彩饱和度至少为60％或80％或85％的光源组合使用。例如，那么光源中的三个光源具有小的色彩饱和度并且光源中的一个光源具有高的色彩饱和度。
根据至少一个实施方式，共同的等温线或延长直线上的色坐标分别不位于普朗克曲线上。替选地，所述色坐标中的一个色坐标也能够位于普朗克曲线上。
此外，提出一种闪光灯。闪光灯包括一个或多个如结合在上文中提到的实施方式中的一个或多个提出的光电子半导体构件。闪光灯的特征因此也对于光电子半导体构件是公开的，并且反之亦然。
在至少一个实施方式中，闪光灯装入便携式电信设备中，例如装入移动电话或平板电脑中。
根据至少一个实施方式，闪光灯包括环境光传感器。尤其经由环境光传感器能够确定环境光的色温。借助环境光传感器可能的是，由闪光灯发射的光在色温方面匹配于环境光，例如具有环境光的相关色温的至多20％或10％或5％的公差。所述匹配能够手动地或也自动地进行。
附图说明
下面参考附图根据实施例详细阐述在此描述的光电子半导体构件。相同的附图标记在此在各个附图中说明相同的元件。在此，并未示出符合比例的关系，更确切地说，为了更好的理解会夸大地示出个别元件。
附图示出：
图1示出在此描述的光电子半导体构件的实施例的示意剖面图，
图2至图7示出在此描述的光电子半导体构件的实施例的辐射的光谱特征的示意图，
图8示出CIE图表中的等温度，并且
图9示出在此描述的实施例的色坐标的表格。
具体实施方式
在图1中示出光电子半导体构件1的多个实现可能性，所述光电子半导体构件具有四个光源11、12、13、14。在附图中，光源11、12、13、14分别仅设有唯一的半导体芯片10，所述半导体芯片可以为发光二极管芯片。与此不同地，每个光源11、12、13、14也可以具有多个光电子半导体芯片10。同样地，为了简化示图，半导体芯片10和光源11、12、13、14分别以线性地设置成链的方式示出。对此替选地，在俯视图中观察，也可以选择矩阵形的设置。此外，在图中都没有示出电端子、电连接线路以及可能的其他电子构件、如辐射传感器或防止静电放电的损坏的保护装置。光源11、12、13、14可彼此无关地电控制，其中控制电子装置未示出。
根据图1A，半导体芯片10在载体2上设置在凹部中，所述凹部能够反射性地构成。在每个光源11、12、13、14下游设置有发光材料混合物21、22、23、24。在此，可能的是，多个光源分别具有相同的发光材料混合物，其仅在浓度和/或混合比例方面不同。
根据图1B，载体2构成为具有相对置的、平坦的主侧。半导体芯片10以及发光材料混合物21、22、23、24可选地由囊封件3环绕包围。囊封件3优选对于在半导体构件1运行时产生的辐射是反射性的。例如，囊封件3为硅树脂材料，对所述硅树脂材料掺入反射性颗粒、例如由二氧化钛构成的反射性颗粒。这种囊封件3例如也能够在全部其他实施例中存在。
此外，半导体构件1如在图1B中示出的那样具有另一层25。在全部光源11、12、13、14下游共用地设置另一层25。对发光材料混合物替选地或附加地，层25也可以具有散射光的颗粒，以便确保均匀的色彩印象。同样地，通过层25可能的是，例如掩盖发光材料混合物21、22、23、24的黄色的色彩印象，以得到在半导体构件1的关断状态中白色的色彩印象。这种另一层25能够在全部其他实施例中存在。
在图1C中示出，发光材料混合物21、23、24并不如在图1A和1B中那样构成为小板，而是构成为囊封体。在此，光源中的一个光源12不具有发光材料混合物。例如，光源12于是发射蓝光或蓝绿光。同样可能的是，在光源12的半导体芯片10之内已经单片地集成用于例如对蓝光进行波长转换的转换机构。
发光材料混合物21罩形地构成并且以恒定的层厚度包围光源11的半导体芯片10。光源13、14的两个半导体芯片10由共同的发光材料混合物23、24包围。光源14的半导体芯片10在此由更大的层厚度的发光材料混合物23、24包围。
在半导体构件1的扁平的载体2上如在图1C中示出的那样构成有环形的本体3。替代囊封件，本体3能够通过例如粘贴的环形成，所述环例如由硅树脂形成。可选地，如也在全部其他实施例中那样，在本体3之内存在光学装置4，所述光学装置例如形成为透镜。光学装置4能够可选地包含散射机构、例如散射光的颗粒和/或其他发光材料。
下面，示意地示出总辐射的光谱发射特性，所述总辐射由光电子半导体构件1以及由光源11、12、13、14发射。相应的发射特性能够借助全部结合图1示出的半导体构件1来实现。
在图2至图6中示出由光源11、12、13、14发射的辐射的不同的色坐标，其带有字母A、B、C、D。CIE标准比色图表的普朗克曲线用P表示。如果示出光谱，那么强度S以任意单位(简称a.u.)相对于以nm为单位的波长λ绘制。属于光源的发射光谱在示出的范围中用属于色坐标的字母A、B、C、D标记。
根据图2A，色坐标A、B位于等温线I的延长直线E上。色坐标A、B位于普朗克曲线P的不同侧上。因此，色坐标A的Cy坐标大于具有相应的色温的普朗克曲线P的Cy坐标，其又大于色坐标B的Cy坐标。在色坐标A、B的相关色温优选位于至少5000K和至多20000K处。
两个色坐标C、D也位于等温线I的共同的延长直线E上，其中相关色温在2000K至8000K的范围中、优选在2300K至5000K的范围中，并且两个色坐标C、D位于普朗克曲线P的不同侧上。色坐标A、B距普朗克曲线P的间距是几乎相同的。色坐标D距普朗克曲线P的间距小于色坐标C距普朗克曲线P的间距，所述色坐标C具有较小的Cy坐标。因此，通过色坐标A、B、C、D在CIE-xy示图中展开四边形。
代表色坐标A、B、C、D的光源优选由构造相同的具有在至少380nm到至多480nm的范围中的最大强度的波长的半导体芯片激发，在全部其他实施例中也能够如此。与此不同地，也能够使用具有最大强度的不同波长的半导体芯片。根据图2B，激发波长位于大约445nm。
作为发光材料例如能够使用在出版物EP 2 549 330A1中说明的发光材料。关于使用的发光材料，将所述出版物的公开内容通过参引并入本文。
色坐标A例如可以通过在380nm至480nm(峰值波长或最大强度的波长)的范围中发射的半导体芯片和一个或多个在所属的光路中的发光材料产生。对此，优选使用式子为Y3(Alx-1Gax)5O12:Ce3+的发光材料亦或式子为Y3(Alx-1Gax)5O12:Ce3+的多种发光材料的混合物。所述发光材料物质的主波长尤其位于572nm至575nm的范围中。
所述发光材料物质的色坐标(未示出)在激发波长为大约460nm时优选位于cx＝0.453至0.469和cy＝0.532至0.520的区域中。替选地或附加地，对于色坐标A，也能够使用式子为(Luy-1,Yy)3(Alx-1Gax)5O12:Ce3+的发光材料或多种这样的发光材料的混合物。这种发光材料物质的主波长(在激发波长为大约460nm时)优选位于558nm至562nm的范围中。所述发光材料物质的色坐标(未示出)优选(在激发波长＝460nm时)位于cx＝0.356至0.374并且cy＝0.561至0.573的范围中。所述物质能够可选地以＜20％的份额仍与下面的发光材料之一混合：Eu2+掺杂的氮化物、例如(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+,Sr(Ca,Sr)Si2Al2N6:Eu2+,(Sr,Ca)AlSiN3*Si2N2O:Eu2+,(Ca,Ba,Sr)2Si5N8:Eu2+,(Sr,Ca)[LiAl3N4]:Eu2+。氮化物的发光材料物质的主波长优选(在激发波长＝460nm时)位于590nm至615nm的范围中，特别优选位于596nm至604nm的范围中。氮化物的发光材料物质的色坐标(未示出)例如(在激发波长＝460nm时)位于cx＝0.608至0.639和cy＝0.360至0.390的范围中。
色坐标B和C例如通过下述半导体芯片产生，所述半导体芯片在380nm至480nm(峰值波长)的范围中发射，并且在所述半导体芯片下游在光路中设置有一种或多种发光材料。对此，优选使用主波长在580nm至650nm的范围中的发光材料或发光材料的混合物。所述发光材料例如能够选自下述材料体系：Eu2+掺杂的氮化物，例如(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+,Sr(Ca,Sr)Si2Al2N6:Eu2+,(Sr,Ca)AlSiN3*Si2N2O:Eu2+,(Ca,Ba,Sr)2Si5N8:Eu2+,(Sr,Ca)[LiAl3N4]:Eu2+。优选地，所述发光材料附加地与淡绿色的和/或黄色的发光材料混合，例如出自下述材料体系：Lu3(Al1-xGax)5O12:Ce3+,Y3(Al1-xGax)5O12:Ce3+,Eu2+掺杂的硫化物,(Ba,Sr,Ca)Si2O2N2:Eu2+,SiAlONe,氮化物正硅酸盐，如AE2-x-aRExEuaSi1-yO4-x-2yNx，其中RE＝稀土金属，并且AE＝碱土金属，正硅酸盐，如(Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu2+，氯代硅酸盐，如Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+。
色坐标D例如可以通过如下半导体芯片连同光路中的一种或多种发光材料产生，所述半导体芯片在380nm至480nm(峰值波长)的范围中发射。对此，例如使用Y3(Al1-xGax)5O12:Ce3+或多种这样的发光材料的混合物。所述发光材料物质的主波长优选(在激发波长＝460nm时)位于572nm至575nm的范围中。所述发光材料物质的色坐标(未示出)优选(在激发波长＝460nm时)位于cx＝0.453至0.469和cy＝0.532至0.520的范围中。替选地或附加地，也能够使用(Lu1-y,Yy)3(Al1-xGax)5O12:Ce3+或多种这样的发光材料的混合物。该发光材料物质的主波长优选(在激发波长＝460nm时)位于558nm至562nm的范围中。该发光材料物质的色坐标(未示出)于是优选(在激发波长＝460nm时)位于cx＝0.356至0.374和cy＝0.561至0.573的范围中。所述材料例如与下述材料类别的一种或多种发光材料混合：Eu2+掺杂的氮化物，例如(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+,Sr(Ca,Sr)Si2Al2N6:Eu2+,(Sr,Ca)AlSiN3*Si2N2O:Eu2+,(Ca,Ba,Sr)2Si5N8:Eu2+,(Sr,Ca)[LiAl3N4]:Eu2+。氮化物的发光材料物质的主波长优选(在激发波长＝460nm时)位于590nm至615nm或596nm至604nm的范围中。氮化物的发光材料物质的色坐标例如(在激发波长＝460nm时)位于cx＝0.608至0.639和cy＝0.360至0.390的范围中。
在附图中示出的色坐标A、B、C、D能够分别关于其在CIE-xy示图中的CIE-x坐标和CIE-y坐标有至多0.05单位或0.03单位的公差的情况下被使用，也参见图9中的表格。就此而言，色坐标A、B、C、D在CIE-xy图表中的绘制是按照比例的，尤其除了涉及相应的附图对其他光谱特征的实施方案之外。
根据图3A和图3B，光源中的三个光源的色坐标A、B、C位于普朗克曲线P旁边，并且光源中的一个光源的色坐标D位于普朗克曲线P上。在运行时，各个光源的光混合，使得半导体构件发射由这四个光源的光组成的混合辐射。
色坐标D位于通过这三个色坐标A、B、C展开的三角形之内，所述色坐标A、B、C位于普朗克曲线P旁边。例如与普朗克曲线P上的色坐标D相比能够选择在较小的cy处的两个色坐标和在较大的cy处的一个色坐标。替选地，与普朗克曲线P上的色坐标D相比，两个色坐标也可以位于较大的cy处。色坐标A、B、C、D的这种设计方案的优点在于，在仅一个光源、尤其仅具有色坐标D的光源运行时，也可以实现普朗克曲线P上的总辐射的色坐标，并进而可以简单地驱动白光的发射。
可以得到全部色坐标在通过色坐标A、B、C展开的三角形之内，尤其全部色坐标在普朗克曲线P上。普朗克曲线上的色坐标D优选位于至少2300K或3000K处和/或至多6000K或8500K处。与所示不同，不位于普朗克曲线P上的色坐标A、B、D也可以位于CIE-xy图表的与示出的相比距色坐标D更远的区域中。原则上，点A、B、C的色坐标于是可任意选择。优选地，在图3A和图3B的实施例中，色坐标A、B、C、D中的两个位于等温线的共同的延长直线上或位于共同的等温线上。
在根据图4的实施例中，色坐标中的三个色坐标没有位于普朗克曲线P上，第四色坐标位于普朗克曲线P上。在运行时，半导体构件的各个光源的光彼此混合。根据图4A和图4B，色坐标中的两个色坐标位于普朗克曲线P上方，即位于较大的cy值处，并且色坐标中的一个色坐标位于普朗克曲线P下方。
与在图4A和4B中所示不同，与普朗克曲线P上的色坐标D相比，色坐标中的两个色坐标也可以位于较小的cy处并且一个色坐标位于较大的cy处。同样地，与所示不同，不位于普朗克曲线P上的全部三个色坐标也可以位于普朗克曲线P上方亦或可以位于普朗克曲线P下方。根据图4A和4B的实施例的优点是，在仅一个光源运行时，已经可以实现普朗克曲线P上的色坐标。
在共同运行时，可以在通过这四个色坐标展开的四边形中得到全部色坐标。普朗克曲线P上的色坐标优选位于至少2300K或3000K处和/或至多6000K或8500K处。
各个色坐标的典型的cx-cy坐标例如为：色坐标A：0.322/0.336；色坐标B：0.55/0.24；色坐标C：0.45/0.47；色坐标D：0.50/0.35。在此例如将“典型的”理解成小于0.05或0.03或0.01的偏差+/-。色坐标A例如能够作为发射蓝光的半导体芯片与发光材料混合物的组合实现，其中发光材料混合物关于波长转换优选以多于90％基于(Lu,Y)3(Al1-xGax)5O12:Ce3+物质或多种这样的物质的混合物。
色坐标B、C、D优选通过主波长在580nm至650nm的范围中的一种或多种发光材料的混合来实现。这种发光材料例如能够选自下述材料体系：Eu2+掺杂的氮化物，如(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+,Sr(Ca,Sr)Si2Al2N6:Eu2+,(Sr,Ca)AlSiN3*Si2N2O:Eu2+,(Ca,Ba,Sr)2Si5N8:Eu2+,(Sr,Ca)[LiAl3N4]:Eu2+。氮化物的发光材料物质的主波长优选(在激发波长＝460nm时)位于590nm至615nm的范围中，特别优选位于596nm至604nm的范围中。氮化物的发光材料物质的色坐标(未示出)例如(在激发波长＝460nm时)优选位于cx＝0.608至0.639并且cy＝0.360至0.390的范围中。优选地，所述发光材料附加地与淡绿色的和或黄色的发光材料混合，所述发光材料例如选自下述材料体系：(Lu1-y,Yy)3(Al1-xGax)5O12:Ce3+。该发光材料物质的主波长优选(在激发波长＝460nm时)位于572nm至575nm的范围中。该发光材料物质的色坐标(未示出)优选(在激发波长＝460nm时)位于cx＝0.453至0.469和cy＝0.532至0.520的范围中。
在图4C中示出用于图4A中的色坐标A、B、C、D的光源的发射光谱。
在图5的实施例中，半导体构件之内的四个光源中的两个光源具有不同于普朗克曲线P的色坐标。在运行时，各个光源的光彼此混合。
例如，与具有在普朗克曲线P上的色坐标的一个或两个光源相比，一个色坐标位于较小的cy处，并且一个色坐标位于较大的cy处。位于延长直线上的两个色坐标A、B在此能够具有在普朗克曲线P上的两个色坐标之间的cx坐标，参见图5A。同样，位于延长直线上的两个色坐标A、B能够具有最小的cx，参见图5B。或者，不位于普朗克曲线P上的色坐标A、C也能够具有较大的cx，参见图5C。在图5C中，两个色坐标A、C位于延长直线上，其中色坐标C也位于普朗克曲线P上。
图5的实施例的优点是，在光源中的仅一个光源运行时，已经能够实现在普朗克曲线P上的两个不同的色坐标。两个在普朗克曲线P下方和/或上方设置的色坐标因此能够用于使由两个光源混合产生的特定的色坐标与普朗克曲线P上的色坐标精细协调。在共同运行时，能够能够在展开的四边形或三角形之内得到全部色坐标。普朗克曲线P上的色坐标优选位于至少2000K和至多30000K或8500K处。例如，所述色坐标中的一个色坐标能够位于8500K至5000K的范围中，其中包括边界值，并且色坐标中的其他色坐标能够位于小于5000K至2000K的范围中。
优选地，在图4A、图4B和图5B的实施例中，两个关于其CIE-x坐标在中间的色坐标A、B位于等温线的共同的延长直线上或位于共同的等温线上。相应内容优选也适用于图5B中的具有最小的CIE-x坐标的色坐标A、B。根据图5C，优选两个关于其CIE-x坐标在中间的色坐标A、C或两个具有最大CIE-x坐标的色坐标A、B位于等温线的共同的延长直线上或位于共同的等温线上。
如在图6A中示出的实施例类似于图4A的实施例。然而，色坐标C借助主波长为410nm的半导体芯片实现。这具有下述优点：通过发出的、短波的光，白色的表面显得更亮，并且由人类观察者以及在相机记录时显得发黄减小。对此的原因是激发在白色的表面材料中短波地、即尤其在380nm至550nm的光谱范围中发荧光的分子和原子。同样，基于Eu2+的发光材料能够在所述波长下被有效激发。
对根据图4在短波激发时提到的材料替选地或附加地，作为发光材料物质有利地能够使用由Eu2+掺杂的氮化物、如(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+,Sr(Ca,Sr)Si2Al2N6:Eu2+,(Sr,Ca)AlSiN3*Si2N2O:Eu2+,(Ca,Ba,Sr)2Si5N8:Eu2+,(Sr,Ca)[LiAl3N4]:Eu2+与Eu2+掺杂的发光材料构成的混合物，其中所述Eu2+掺杂的发光材料选自如下类别：硫化物,(Ba,Sr,Ca)Si2O2N2:Eu2+,SiAlONe,氮化物正硅酸盐，如AE2-x-aRExEuaSi1-yO4-x-2yNx，其中RE＝稀土金属，并且AE＝碱土金属，正硅酸盐，如(Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu2+，氯代硅酸盐，如Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+和/或氯代磷酸盐。
用于色坐标A、B、C、D的光源的相关的发射光谱在图6B中示出。在图6A中，两个关于其CIE-x坐标在中间的色坐标B、D或两个具有较大的CIE-x坐标的色坐标C、D位于等温线的共同的延长直线上或位于共同的等温线上。
在根据图7的实施例中，参见图7A和图7B中的光源中的一个光源的发射光谱，半导体构件之内的四个光源中的三个光源具有不位于普朗克曲线P上的色坐标。属于图7A的CIE图表在图7C中示出，并且属于图7B的CIE图表在图7D中示出。在运行时，各个光源的光彼此混合。光源中的一个光源(参见图7A和图7B)在此发射可见光和红外光。红外光从如下半导体芯片出来通过转换转换来产生，所述半导体芯片在运行时在380nm至700nm(峰值波长)的范围中发射，并且随后通过发光材料转换成红外光。根据图7A，相关的半导体芯片发射蓝光，并且根据图7B，相关的半导体芯片发射红光，其中红外发光材料混合物具有在850nm周围的发射最大值。替选地，红外光能够直接在光源的半导体芯片中产生，或者也能够存在用于红外光的其他光源。
例如能够将较小的cy处的两个色坐标和较大的cy处的一个色坐标选择成普朗克曲线P，或者也能够将较大的cy处的两个色坐标选择成普朗克曲线P。在共同运行时，能够在展开的三角形或四边形之内得到全部色坐标。本实施例的优点是，红外光在拍照时能够在发出之后能被对象反射并且又能被探测器、如相机模块探测到，由此能够得到关于拍照的对象的三维设置的信息。
在图7C中，两个关于其CIE-x坐标在中间的色坐标A、C或两个具有较大CIE-x坐标的色坐标C、D能够位于等温线的共同的延长直线上或位于共同的等温线上。相应内容能够适用于图7D中的两个色坐标A、B或两个色坐标B、D。
在图8中在CIE图表中示出等温线，在图8A中在CIE-xy示图中并且在图8B中在CIE-uv示图中示出。在此，从2500K至6500K以500K的步长示出等温线，并且在10000K处示出等温线。CIE图表能够单义地彼此换算。
在此描述的本发明并不限于通过根据实施例的描述。更确切地说，本发明包括任意新特征以及特征的任意组合，这尤其是包含在权利要求中的特征的任意组合，即使在所述特征或所述组合本身并未详尽地在权利要求或实施例中说明时也如此。
本申请要求德国专利申请10 2014 112 681.5的优先权，其公开内容在此通过参引并入本文。
附图标记列表：
1 光电子半导体构件
2 载体
3 囊封件
4 光学装置
10 光电子半导体芯片
11，12，13，14 光源
21，22，23，24，25 发光材料混合物
A，B，C，D CIE标准比色图表中的色坐标
CCT 相关色温
E 等温线的延长直线
I 等温线
P CIE标准比色图表中的普朗克曲线
S 任意单位的强度
u，v，x，y CIE标准比色图表中的坐标
λ 以nm为单位的波长
Claims (16)
1.一种光电子半导体构件(1)，所述光电子半导体构件具有至少四个不同的光源(11)，所述光源各具有至少一个光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片在运行时发射具有在CIE标准比色图表中彼此不同的色坐标(A，B，C，D)的辐射，
其中所述半导体构件(1)构建成用于，在运行时发射具有可变相关色温的白光或彩色光。
2.根据上一项权利要求所述的光电子半导体构件(1)，
其中
-在所述光源(11，12，13，14)中，所述半导体芯片(10)分别发射蓝光，并且在四个所述光源(11，12，13，14)的所述半导体芯片(10)下游分别设置有至少一种发光材料(21，22，23，24)，并且所述发光材料分别仅构建成用于对由所属的所述半导体芯片(10)发射的辐射进行部分转换，
-所述色坐标(A，B，C，D)中的两个色坐标在CIE比色图表中位于共同的等温线(I)上，其中公差为至多一个三阶麦克亚当椭圆，并且
-其余的两个所述色坐标(A，B，C，D)位于CIE标准比色图表的普朗克曲线(P)上，其中公差为至多0.015单位。
3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体构件(1)，
其中在所述光源(11，12，13，14)中的至少三个光源中，所述半导体芯片(10)发射蓝光，
其中在四个所述光源(11，12，13，14)的所述半导体芯片(10)下游分别设置有发光材料混合物(21，22，23，24)，所述发光材料混合物具有至少一种发光材料，并且所述发光材料混合物分别仅构建成用于对由所属的所述半导体芯片(10)发射的辐射进行部分转换，
其中所述色坐标(A，B，C，D)中的至少两个色坐标在CIE标准比色图表中位于共同的等温线(I)或共同的延长直线(E)上，所述延长直线延长等温线(I)，其中公差为至多一个三阶麦克亚当椭圆，并且
其中所述半导体构件(1)发射白光。
4.根据上一项权利要求所述的光电子半导体构件(1)，
其中位于所述等温线(I)或所述延长直线(E)上的两个所述色坐标(A，B，C，D)位于CIE-xy标准比色图表的普朗克曲线(P)的不同侧上。
5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体构件(1)，
其中四个所述色坐标(A，B，C，D)成对地位于等温线(I)或延长直线(E)上，其中公差为至多一个三阶麦克亚当椭圆。
6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体构件(1)，
其中位于所述等温线(I)或所述延长直线(E)上的两个所述色坐标(A，B，C，D)距普朗克曲线(P)同样远，其中公差为至多一个三阶麦克亚当椭圆。
7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体构件(1)，
其中所述色坐标(A，B，C，D)中的至少三个色坐标在CIE标准比色图表中距普朗克曲线(P)有至多0.04单位的间距。
8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体构件(1)，
其中所述色坐标(A，B，C，D)中的两个色坐标位于普朗克曲线(P)上，其中在CIE-xy标准比色图表中公差为至多0.015单位，并且所述色坐标(A，B，C，D)中的另一个色坐标在CIE-xy标准比色图表中位于普朗克曲线(P)上方，并且所述色坐标(A，B，C，D)中的又一个色坐标在CIE-xy标准比色图表中位于普朗克曲线(P)下方，并且两个后提到的色坐标(A，B，C，D)距普朗克曲线(P)有至少0.05单位的间距，
其中两个关于其CIE-x坐标不位于普朗克曲线(P)上的所述色坐标(A，B，C，D)位于普朗克曲线(P)上的两个所述色坐标(A，B，C，D)之间。
9.根据上一项权利要求所述的光电子半导体构件(1)，
其中两个不位于普朗克曲线(P)上的所述色坐标(A，B，C，D)到具有最大CIE-x坐标的色坐标(A，B，C，D)的距离与到具有最小CIE-x坐标的色坐标(A，B，C，D)的距离相比近了至少0.04单位。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的光电子半导体构件(1)，
其中具有最大CIE-x坐标的两个色坐标(A，B，C，D)位于普朗克曲线(P)上，在CIE标准比色图表中公差为至多0.015单位，
其中所述色坐标(A，B，C，D)中的另一个色坐标在CIE-xy标准比色图表中位于普朗克曲线(P)上方，并且所述色坐标(A，B，C，D)中的又一个色坐标在CIE-xy标准比色图表中位于普朗克曲线(P)下方，并且两个后提到的色坐标(A，B，C，D)距普朗克曲线(P)有至少0.05单位的间距，并且此外与普朗克曲线(P)上的两个色坐标(A，B，C，D)相比具有较小的CIE-x坐标。
11.根据权利要求1至7中任一项所述的光电子半导体构件(1)，
其中具有最小CIE-x坐标的两个色坐标(A，B，C，D)位于普朗克曲线(P)上，在CIE标准比色图表中公差为至多0.015单位，
其中所述色坐标(A，B，C，D)中的另一个色坐标在CIE-xy标准比色图表中位于普朗克曲线(P)上方，并且所述色坐标(A，B，C，D)中的又一个色坐标在CIE-xy标准比色图表中位于普朗克曲线(P)下方，并且两个后提到的色坐标(A，B，C，D)距普朗克曲线(P)有至少0.05单位的间距，并且此外与位于普朗克曲线(P)上的两个色坐标(A，B，C，D)相比具有较大的CIE-x坐标。
12.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体构件(1)，
其中
-所述色坐标中的第一色坐标具有在0.20和0.30之间的CIE-x坐标和在0.15和0.40之间的CIE-y坐标，其中包括边界值，
-所述色坐标中的第二色坐标具有至少0.45的CIE-x坐标和在0.25和0.38之间的CIE-y坐标，其中包括边界值，
-所述色坐标中的第三色坐标具有至少0.40并且至多0.50的CIE-y坐标，其中所述第三色坐标的CIE-x坐标位于所述第一色坐标和所述第二色坐标的CIE-x坐标之间，并且
-所述色坐标中的第四色坐标具有与所述第三色坐标的CIE-x坐标相差至多0.05的CIE-x坐标，其中所述第四色坐标的CIE-y坐标比所述第三色坐标的CIE-y坐标小至少0.04。
13.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体构件(1)，
其中所述光源(11，12，13，14)中的至少三个光源可彼此无关地电控制，其中两个所述光源(11，12，13，14)与具有位于所述等温线(I)或所述延长直线(E)上的色坐标(A，B，C，D)的光源互连成，使得所述光源分别以最大功率的至少75％运行，并且
其中由所述半导体构件(1)在运行时发射的白光光谱在480nm和700nm之间的光谱范围中显示出刚好一个强度最大值。
14.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体构件(1)，
其中所述光源(11，12，13，14)中的刚好一个光源的所述半导体芯片(1)在运行时发射近红外的辐射，并且该光源具有用于将近红外的辐射转换成可见光的发光材料，
其中该光源的以W计的辐射功率的至少50％处于至少730nm的波长处。
15.根据权利要求1至13中任一项所述的光电子半导体构件(1)，
其中所述光源(11，12，13，14)中的一个光源的所述半导体芯片(1)在运行时发射蓝光或红光，并且该光源具有用于将红光或蓝光的一部分转换成近红外辐射的发光材料，
其中由所述发光材料产生的辐射光谱具有在750nm和900nm之间的强度最大值，其中包括边界值。
16.一种闪光灯，所述闪光灯装入便携式的电信设备中，并且所述闪光灯具有根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体构件(1)。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102014112681.5A DE102014112681A1 (de) | 2014-09-03 | 2014-09-03 | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Blitzlicht |
| DE102014112681.5 | 2014-09-03 | ||
| PCT/EP2015/069605 WO2016034480A1 (de) | 2014-09-03 | 2015-08-27 | Optoelektronisches halbleiterbauteil und blitzlicht |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106796935A true CN106796935A (zh) | 2017-05-31 |
| CN106796935B CN106796935B (zh) | 2019-09-27 |
Family
ID=54007721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201580047698.5A Active CN106796935B (zh) | 2014-09-03 | 2015-08-27 | 光电子半导体构件和闪光灯 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10020292B2 (zh) |
| JP (1) | JP6695327B2 (zh) |
| CN (1) | CN106796935B (zh) |
| DE (2) | DE102014112681A1 (zh) |
| TW (1) | TWI621283B (zh) |
| WO (1) | WO2016034480A1 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111766712A (zh) * | 2020-07-23 | 2020-10-13 | 深圳市锐思华创技术有限公司 | 一种高亮度宽色域低光斑的激光扫描投影模组 |
| CN112594565A (zh) * | 2018-09-12 | 2021-04-02 | 首尔半导体株式会社 | 发光装置及照明装置 |
| JP2022105683A (ja) * | 2018-10-12 | 2022-07-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6462713B2 (ja) * | 2014-10-28 | 2019-01-30 | 株式会社東芝 | 白色光源システム |
| DE102016104875A1 (de) | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und Blitzlichtbeleuchtung für ein tragbares Gerät |
| DE102016107497B4 (de) | 2016-03-24 | 2020-01-30 | Tdk Electronics Ag | Multi-LED System und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE102016117594A1 (de) | 2016-09-19 | 2018-03-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Licht emittierende Vorrichtung |
| DE102017103884A1 (de) | 2017-02-24 | 2018-08-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Beleuchtungseinrichtung, elektronisches Gerät mit einer Beleuchtungseinrichtung und Verwendung einer Beleuchtungseinrichtung |
| EP3586379A4 (en) * | 2017-02-27 | 2021-01-06 | Juganu Ltd. | ADJUSTABLE WHITE LIGHTING SYSTEMS |
| US10700245B2 (en) | 2017-07-04 | 2020-06-30 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
| US11257990B2 (en) * | 2017-09-29 | 2022-02-22 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| JP6705476B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2020-06-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| DE102017122936A1 (de) | 2017-10-04 | 2019-04-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
| KR102516217B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2023-04-03 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드들을 포함하는 발광 장치 |
| US10761246B2 (en) | 2017-12-22 | 2020-09-01 | Lumileds Llc | Light emitting semiconductor device having polymer-filled sub-micron pores in porous structure to tune light scattering |
| WO2019126000A1 (en) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | Lumileds Llc | Porous micron-sized particles to tune light scattering |
| US10349484B1 (en) * | 2018-05-31 | 2019-07-09 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices with reduced melatonin suppression characteristics |
| DE102018119462A1 (de) * | 2018-08-09 | 2020-02-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Sichtbares licht und ir-strahlung emittierendes optoelektronisches bauelement |
| TWI675239B (zh) * | 2018-08-13 | 2019-10-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
| JP6959548B2 (ja) | 2018-10-04 | 2021-11-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| JP7089181B2 (ja) * | 2018-10-12 | 2022-06-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| WO2020114463A1 (zh) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | 海迪科（南通）光电科技有限公司 | 一种封装体及其制备方法 |
| CN112203377B (zh) * | 2019-06-21 | 2023-04-14 | 四川联恺照明有限公司 | 一种色温调节方法、色温调节装置以及光源组件 |
| JP7323787B2 (ja) * | 2019-07-31 | 2023-08-09 | 日亜化学工業株式会社 | 照明装置及び赤外線カメラ付き照明装置 |
| DE102019125268A1 (de) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Betriebsverfahren für ein optoelektronischen halbleiterbauteil und optoelektronisches halbleiterbauteil |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102365739A (zh) * | 2009-03-27 | 2012-02-29 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 光电子半导体器件和显示装置 |
| CN102458019A (zh) * | 2010-10-26 | 2012-05-16 | 财团法人工业技术研究院 | 光色调制方法、发光二极管光源模块及其封装结构 |
| US20120326627A1 (en) * | 2011-06-14 | 2012-12-27 | Luminus Devices, Inc. | Systems and methods for controlling white light |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6414426B1 (en) * | 1997-02-13 | 2002-07-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-efficiency light source |
| KR100441595B1 (ko) | 2001-10-15 | 2004-07-23 | 삼성전자주식회사 | 색온도 변환장치 및 방법 |
| US7679672B2 (en) * | 2004-10-14 | 2010-03-16 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Electronic flash, imaging device and method for producing a flash of light having a wavelength spectrum in the visible range and the infrared range using a fluorescent material |
| US7404652B2 (en) * | 2004-12-15 | 2008-07-29 | Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd | Light-emitting diode flash module with enhanced spectral emission |
| EP2021861B1 (en) | 2006-05-05 | 2012-09-26 | Prysm, Inc. | Phosphor compositions and other fluorescent materials for display systems and devices |
| JP2008218486A (ja) | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置 |
| JP2008283155A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Sharp Corp | 発光装置、照明機器および液晶表示装置 |
| US8339029B2 (en) | 2009-02-19 | 2012-12-25 | Cree, Inc. | Light emitting devices and systems having tunable chromaticity |
| US8426871B2 (en) | 2009-06-19 | 2013-04-23 | Honeywell International Inc. | Phosphor converting IR LEDs |
| FR2956407B1 (fr) | 2010-02-17 | 2013-03-08 | Saint Gobain | Composes luminescents |
| US8411025B2 (en) | 2010-04-10 | 2013-04-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lighting apparauts |
| MX2012012034A (es) * | 2010-04-16 | 2013-05-30 | Flex Lighting Ii Llc | Dispositivo de iluminacion frontal que comprende una guia de luz a base de pelicula. |
| JP2012199218A (ja) | 2010-09-09 | 2012-10-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置、照明システム及び照明方法 |
| US8870617B2 (en) * | 2013-01-03 | 2014-10-28 | Xicato, Inc. | Color tuning of a multi-color LED based illumination device |
| JP6376225B2 (ja) * | 2014-12-09 | 2018-08-22 | 信越化学工業株式会社 | 波長変換部材及び発光装置 |
-
2014
- 2014-09-03 DE DE102014112681.5A patent/DE102014112681A1/de not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-08-27 JP JP2017512681A patent/JP6695327B2/ja active Active
- 2015-08-27 US US15/508,511 patent/US10020292B2/en active Active
- 2015-08-27 DE DE112015004033.1T patent/DE112015004033B4/de active Active
- 2015-08-27 CN CN201580047698.5A patent/CN106796935B/zh active Active
- 2015-08-27 WO PCT/EP2015/069605 patent/WO2016034480A1/de active Application Filing
- 2015-09-01 TW TW104128772A patent/TWI621283B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102365739A (zh) * | 2009-03-27 | 2012-02-29 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 光电子半导体器件和显示装置 |
| CN102458019A (zh) * | 2010-10-26 | 2012-05-16 | 财团法人工业技术研究院 | 光色调制方法、发光二极管光源模块及其封装结构 |
| US20120326627A1 (en) * | 2011-06-14 | 2012-12-27 | Luminus Devices, Inc. | Systems and methods for controlling white light |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112594565A (zh) * | 2018-09-12 | 2021-04-02 | 首尔半导体株式会社 | 发光装置及照明装置 |
| JP2022105683A (ja) * | 2018-10-12 | 2022-07-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP7248939B2 (ja) | 2018-10-12 | 2023-03-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN111766712A (zh) * | 2020-07-23 | 2020-10-13 | 深圳市锐思华创技术有限公司 | 一种高亮度宽色域低光斑的激光扫描投影模组 |
| CN111766712B (zh) * | 2020-07-23 | 2022-02-01 | 深圳市锐思华创技术有限公司 | 一种高亮度宽色域低光斑的激光扫描投影模组 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE112015004033A5 (de) | 2017-05-24 |
| TWI621283B (zh) | 2018-04-11 |
| CN106796935B (zh) | 2019-09-27 |
| JP2017531315A (ja) | 2017-10-19 |
| DE102014112681A1 (de) | 2016-03-03 |
| TW201624771A (zh) | 2016-07-01 |
| US10020292B2 (en) | 2018-07-10 |
| US20170278829A1 (en) | 2017-09-28 |
| DE112015004033B4 (de) | 2020-08-20 |
| WO2016034480A1 (de) | 2016-03-10 |
| JP6695327B2 (ja) | 2020-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106796935B (zh) | 光电子半导体构件和闪光灯 | |
| US10774997B2 (en) | Compositions for LED light conversions | |
| CN104303298B (zh) | 白色发光模块 | |
| TWI758615B (zh) | 全頻譜白光發光裝置 | |
| CN105556197B (zh) | 具有经适配的输出光谱的发光装置 | |
| CN102124263B (zh) | 包括光混合的固态照明装置 | |
| CN101252159B (zh) | 白色发光器件 | |
| CN108352432A (zh) | 用于一般照明及显示器背光的磷光体转换白光发光装置和光致发光化合物 | |
| CN104756251B (zh) | 发光二极管模块 | |
| CN105204226A (zh) | 背光模组及显示设备 | |
| WO2017135255A1 (ja) | 近視抑制物品用光源および近視抑制物品用光源の使用方法 | |
| CN104025322A (zh) | 白光源和包括所述白光源的白光源系统 | |
| CN108799849A (zh) | 白光发光器件 | |
| CN108350354A (zh) | 用于零售照明的改进的白色照明设备 | |
| CN107431112A (zh) | 发光装置 | |
| CN107461717A (zh) | 一种光源模组及包括该光源模组的照明装置 | |
| CN109148429A (zh) | 发光二极管封装结构 | |
| CN103443920B (zh) | 发光设备 | |
| CN105075397B (zh) | 可调光发光装置 | |
| CN207146291U (zh) | 一种光源模组及包括该光源模组的照明装置 | |
| CN108352430A (zh) | 光电子器件和用于显示器的背景照明装置 | |
| CN207247110U (zh) | 一种光源模组及包括该光源模组的照明装置 | |
| CN103594607B (zh) | 照明装置 | |
| CN106661449A (zh) | 氟氧化物磷光体组合物及其照明装置 | |
| CN101364549B (zh) | 白光发光二极体的制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |