CN108352430A - 光电子器件和用于显示器的背景照明装置 - Google Patents

光电子器件和用于显示器的背景照明装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108352430A
CN108352430A CN201680060834.9A CN201680060834A CN108352430A CN 108352430 A CN108352430 A CN 108352430A CN 201680060834 A CN201680060834 A CN 201680060834A CN 108352430 A CN108352430 A CN 108352430A
Authority
CN
China
Prior art keywords
luminescent material
opto
electronic device
semiconductor chip
conversion element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201680060834.9A
Other languages
English (en)
Inventor
菲利普·普斯特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of CN108352430A publication Critical patent/CN108352430A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
    • C09K11/646—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77346—Aluminium Nitrides or Aluminium Oxynitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77347—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774—Aluminates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明涉及一种光电子器件(100)，所述光电子器件具有：用于产生在蓝色的光谱范围中的初级辐射的半导体芯片(2)；转换元件(4)，所述转换元件设置在半导体芯片(2)的光路中，并且设计用于从初级辐射中产生次级辐射，其中转换元件(4)至少包括第一发光材料(9)和第二发光材料(10)，其中第一发光材料(9)是Sr(Sr1‑xCax)Si2Al2N6:Eu2+或(Sr1‑yCay)[LiAl3N4]:Eu2+，其中0≤x≤1并且0≤y≤1，其中从器件(100)中射出的总辐射(G)是白色的混合光。

Description

光电子器件和用于显示器的背景照明装置
技术领域
本发明涉及一种光电子器件。本发明还涉及一种用于显示器的背景照明装置。
背景技术
光电子器件、尤其发光二极管(LED)用于现代电视机、电脑荧光屏和许多其他显示器中的LED滤波器的背景照明。这能够直接地或通过经由光导的间接的照亮来实现。在此，对所述光电子器件的两个重要要求一方面是最大亮度并且另一方面是覆盖CIE色度图中的尽可能大的色度空间。传统的LCD滤波器系统由三个或四个滤色器构成(蓝色、绿色和红色，或者蓝色、绿色、黄色和红色)。当然，所述LED滤波器具有在典型的70nm至120nm的范围中的宽的半值宽度(FWHM，full wide half maximum(半高全宽))。
发明内容
本发明的目的是，提供一种光电子器件，所述光电子器件在器件运行时有效地发射辐射。此外，本发明的目的是，提供一种用于显示器的背景照明装置，所述背景照明装置在背景照明装置运行时有效地发射辐射。
所述目的通过根据独立权利要求1的光电子器件来实现。本发明的有利的设计方案和改进方案是从属权利要求的主题。所述目的还通过根据独立权利要求12的用于显示器的背景照明装置来实现。
在至少一个实施方式中，光电子器件具有半导体芯片。半导体芯片设计用于产生在蓝色的光谱范围中的初级辐射。光电子器件具有转换元件。转换元件设置在半导体芯片的光路中。转换元件设计用于从半导体芯片的初级辐射中产生次级辐射。转换元件至少具有第一发光材料和第二发光材料或者由其构成。第一发光材料是Sr(Sr1-xCax)Si2Al2N6:Eu2+或(Sr1-yCay)[LiAl3N4]:Eu2+或由二者构成的组合，其中0≤x≤1并且0≤y≤1。从光电子器件中射出的总辐射是白色的混合光。
根据至少一个实施方式，光电子器件是发光二极管，简称LED。那么光电子器件优选设计用于：发射白光。
在此和在下文中，将“总辐射”理解为由至少一个半导体芯片发射的初级辐射和由转换元件发射的次级辐射构成的混合辐射，所述次级辐射最终离开器件。初级辐射和次级辐射的混合比能够通过转换元件中的相应的发光材料的成分和浓度来调节和控制。在完全转换时，总辐射也能够仅仅是次级辐射。在部分转换时，总辐射能够是由半导体芯片的初级辐射和转换元件的次级辐射构成的总和。次级辐射能够由第一发光材料发射的辐射和第二发光材料发射的辐射组成。
器件的白色的混合光在此尤其通过部分转换产生。在此和在下文中，用“白色”表示：总辐射具有CIE色度图的沿着普朗克轨迹或在其等温线中的Cx值和Cy值的色度坐标。对于背景照明，色度坐标优选位于7000K和25000K之间的色温处。色度坐标例如能够位于Cx为0.25至0.33和Cy为0.22至0.33的范围中。色度坐标在此表示在色素中或在色素上的点，在色度空间中以适当的坐标描述所述点的位置。色度坐标代表观察者察觉到的色彩。色度坐标是由CIE(国际照明委员会)总结的标准比色系统中的一个坐标或多个坐标。在此和在下文中，作为CIE标准比色系统涉及1931年的标准。CIE色度图描绘全部能感觉的色彩的总体，也就是说，电磁辐射的可见光部分。在该图表之内，每个任意色彩借助于三个坐标Cx、Cy、Cz限定，其中两个坐标足以确定色彩，因为全部三个坐标的总和必须始终为1，因此，Cz能够容易地从Cx和Cy中算出。在此，这种色坐标称作为总辐射的色度坐标。
根据至少一个实施方式，光电子器件具有至少一个半导体芯片。替选地，光电子器件也能够具有多于一个半导体芯片，例如另一半导体芯片，即两个半导体芯片。半导体芯片能够具有相同的构造。至少一个光电子半导体芯片具有半导体层序列。半导体层序列包含有源层，所述有源层具有至少一个pn结和/或一个或多个量子系统结构。半导体芯片的半导体层序列优选基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料优选是氮化物化合物半导体材料，如AlnIn1-n-mGamN，或还有磷化物化合物半导体材料，如AlnIn1-n-mGamP，其中分别为0≤n≤1、0≤m≤1并且n+m≤1。半导体材料同样能够是AlxGa1-xAs，其中0≤x≤1。在此，半导体层序列能够具有掺杂物以及附加的组成部分。然而，出于简单性，仅给出半导体层序列的晶格的主要的组成部分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使所述组成部分能够部分地通过少量的其他物质替代和/或补充时也如此。
在至少一个半导体芯片或两个半导体芯片运行时，在有源层中分别产生初级辐射。初级辐射的波长或波长最大值优选处于紫外光谱范围和/或可见光谱范围和/或红外光谱范围中，尤其在420nm至800nm之间、例如在440nm和480nm之间的波长处，其中包括边界值。优选地，半导体芯片在运行时设计用于：产生出自蓝色的光谱范围的初级辐射。
根据至少一个实施方式，半导体芯片的蓝色的光谱范围具有在380nm和480nm之间的至少一个或刚好一个波长最大值，其中包括边界值。
在此和在下文中，关于进行发射的转换元件和/或总辐射和/或进行发射的半导体芯片的色彩说明表示电磁辐射的相应的光谱范围。
根据至少一个实施方式，光电子器件具有另一半导体芯片。另一半导体芯片尤其设计用于：在运行时发射出自蓝色的光谱范围的另一初级辐射。在此，得出由第一半导体芯片的初级辐射和另一半导体芯片的初级辐射构成的总初级辐射。半导体芯片和另一半导体芯片尤其设置在光电子器件的壳体的共同的凹部中。那么转换元件尤其成形为囊封件并且形状配合地包围两个半导体芯片。在此和在下文中，用“形状配合”表示：转换元件直接地以机械和/或电的方式包围相应的半导体芯片的辐射出射面和侧面。
根据器件的至少一个实施方式，所述器件具有转换元件。转换元件设置在半导体芯片的光路中。尤其地，转换元件直接设置在半导体芯片上，即设置在半导体芯片的辐射出射面上。在此和在下文中，“直接”表示：转换元件紧邻设置在半导体芯片的辐射出射面上。即在半导体芯片和转换元件之间不存在其他层或元件，如粘接层。替选地，转换元件和半导体芯片也能够空间上彼此间隔开。例如，在半导体芯片和转换元件之间能够设置有粘接层。
转换元件设计用于：将由至少一个半导体芯片发射的初级辐射或总初级辐射至少部分地吸收并且转换成次级辐射，所述次级辐射优选具有与初级辐射的波长不同的波长、尤其更长的波长。转换材料至少包括第一发光材料和/或至少第二发光材料或者由其构成。
根据至少一个实施方式，第一发光材料是Sr(Sr1-xCax)Si2Al2N6:Eu2+，其中0≤x≤1，优选0.5≤x≤1，例如x＝0.6。当x＝0时，第一发光材料能够是Sr2Si2Al2N6:Eu2+。第一发光材料掺杂有铕，尤其Eu2+。替选地或附加地，第一发光材料能够具有其他掺杂剂，所述掺杂剂例如选自稀土元素，如铈、钇、铽、钪、镱和/或钐。铕或其他掺杂剂能够部分地替代Sr和/或Ca的晶格位置。
掺杂剂、尤其铕的份额能够在0.1重量％和12重量％，例如为6重量％至9重量％。
第一发光材料Sr(Sr1-xCax)Si2Al2N6:Eu2+尤其能够具有Cx在0.655和0.685之间和Cy在0.300和0.350之间的色度坐标。第一发光材料Sr(Sr1-xCax)Si2Al2N6:Eu2+的发射光谱尤其具有最大为82nm的半值宽度。因此，能够提供发射窄带的第一发光材料，所述第一发光材料尤其发射出自红色的光谱范围的辐射。
根据至少一个实施方式，第一发光材料是(Sr1-yCay)[LiAl3N4]:Eu2+，其中0≤y≤1，优选0.5≤y≤1，例如y＝0.6。当y＝0时，第一发光材料能够是Sr[LiAl3N4]:Eu2+。第一发光材料具有铕掺杂物，尤其Eu2+掺杂物。替选地或附加地，第一发光材料(Sr1-yCay)[LiAl3N4]:Eu2+能够具有其他掺杂剂，所述掺杂剂例如选自稀土元素或镧系元素。铕或其他掺杂剂能够部分地替代Sr和/或Ca的晶格位置。第一发光材料的色度坐标Cx尤其在0.680和0.715之间，并且Cy在0.280和0.320之间。第一发光材料(Sr1-yCay)[LiAl3N4]:Eu2+的发射光谱优选具有最大55nm的峰值的半值宽度。
在此描述的色度坐标尤其是如下色度坐标，所述色度坐标在第一发光材料的出自蓝色的光谱范围的激发波长处、例如在460nm处实现。
根据至少一个实施方式，第一发光材料发射在590nm和640nm之间的主波长，其中包括边界值。那么第一发光材料的激发尤其在440nm和470nm之间、例如460nm的波长处进行。第一发光材料Sr(Sr1-xCax)Si2Al2N6:Eu2+优选具有在595nm至625nm之间的主波长，其中包括边界值。第一发光材料(Sr1-yCay)[LiAl3N4]:Eu2+优选具有在623nm和633nm之间的主波长，其中包括边界值。主波长是如下波长，所述波长描述人眼感受的色调。相反地，峰值波长是光谱分布的最大值的波长。
根据至少一个实施方式，转换元件具有第二发光材料。第二发光材料尤其设计用于：发射出自绿色的和/或黄色的光谱范围的辐射。第二发光材料尤其选自：碱土金属正硅酸盐、SiAlONe、铝酸盐和SiONe。第二发光材料优选选自：(Ba,Sr)2SiO4、β-SiAlON、(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12和Ba-SiON。第二发光材料尤其掺杂有稀土元素和/或镧系元素，例如铕(Eu2+)，铈(Ce3+)或其组合，如(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+、β-SiAlON:Eu2+、(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+和Ba-SiON:Eu2+。
第二发光材料尤其发射具有出自在510nm和590nm之间的光谱范围的峰值波长的辐射，其中包括边界值。
根据至少一个实施方式，第二发光材料是正硅酸盐。优选地，第二发光材料是碱土金属正硅酸盐，所述碱土金属正硅酸盐掺杂有稀土元素，例如Eu2+。正硅酸盐尤其是(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+。第二发光材料尤其发射具有出自在520nm和550nm之间的光谱范围的峰值波长的辐射，其中包括边界值。
根据至少一个实施方式，第二发光材料是β-SiAlON。β-SiAlON是陶瓷发光材料，所述陶瓷发光材料具有由硅、铝、氧和氮以任意比例和组成构成的元素。β-SiAlON是本领域技术人员充分已知的从而在该处不详细阐述。第二发光材料尤其发射具有出自在520nm和550nm之间的光谱范围的峰值波长的辐射，其中包括边界值。
根据至少一个实施方式，第二发光材料是钇铝石榴石。第二发光材料优选是(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+。发光材料因此能够具有铝和/或镓和钇和/或镥。此外，第二发光材料也能够包含少量的钆和/或镝。第二发光材料尤其发射具有出自在530nm和550nm之间的光谱范围的峰值波长的辐射，其中包括边界值。
根据至少一个实施方式，第二发光材料是Ba-SiON:Eu2+。换言之，除了钡作为碱土金属之外，第二发光材料以任意比例和组成具有硅、氧和氮。Ba-SiON是本领域技术人员充分已知的从而在该处不详细阐述。第二发光材料尤其发射具有出自在480nm和530nm之间的光谱范围的峰值波长的辐射，其中包括边界值。
根据至少一个实施方式，第二发光材料设计用于：发射出自绿色的和/或黄色的光谱范围的辐射。第二发光材料的激发波长优选处于蓝色的光谱范围中，例如处于460nm处。第二发光材料、优选β-SiAlON尤其具有Cx＝0.280至0.330和Cy为0.630至0.680的色度坐标。
替选地，第二发光材料、尤其对于(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+的色度坐标能够是Cx＝0.33至0.380和Cy＝0.590至0.650。
替选地，尤其对于(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+，色度坐标能够是Cx＝0.340至0.380和Cy＝0.550至0.580。
根据至少一个实施方式，光电子器件具有用于产生出自蓝色的波长范围的初级辐射的至少一个半导体芯片和转换元件，所述转换元件具有刚好两种发光材料。发射蓝色的半导体芯片例如具有380nm至480nm的峰值波长，其中包括边界值。由半导体芯片发射的辐射由两种发光材料、即第一发光材料和第二发光材料吸收和转换。第一发光材料将辐射至少部分地转换成出自红色的光谱范围的次级辐射。第二发光材料将初级辐射至少部分地转换成出自绿色的或黄绿色的光谱范围的次级辐射，使得初级辐射和次级辐射的组合得出白色的混合光。
根据至少一个实施方式，初级辐射、第一发光材料的次级辐射和/或第二发光材料的次级辐射窄带地构成。换言之，相应的发射光谱的峰值具有最大82nm、优选最大55nm的半值宽度FWHM。借此，能够提供具有大的色度空间的光电子器件，所述光电子器件有效地发射总辐射。此外，必须使用少量的发光材料。借此，能够节省材料和成本。此外，与由三个发射蓝色、发射绿色和发射红色的半导体器件构成的LED相比，制造更简单并且成本更低。
优选地，能够提供发射白色的光电子器件，所述光电子器件能低成本地并且简单地制造。
根据至少一个实施方式，第一发光材料和第二发光材料分散在基体材料中。例如，硅树脂、如二甲基乙烯基硅氧烷和/或乙烯基烷基聚硅氧烷能够用作为基体材料。替选地，环氧树脂或杂化材料、例如Ormocere也能够用作为基体材料。
转换材料优选直接设置在半导体芯片的辐射出射面上。具有分散在基体材料中的第一发光材料和第二发光材料的转换元件能够成形为囊封件。在此，转换元件能够材料配合地和/或形状配合地包围至少一个半导体芯片的辐射出射面和侧面。
根据至少一个实施方式，转换元件成形为层系统。层系统具有至少两个层，即第一层和第二层。第一层能够具有第一发光材料或由所述第一发光材料构成。第一层能够附加地具有基体材料。第二层能够包括第二发光材料或由所述第二发光材料构成。第二层能够附加地具有基体材料。第一层能够设置在半导体芯片和第二层之间。替选地，第二层能够在初级辐射的光路中设置在半导体芯片和第一层之间。
如果第一层设置在半导体芯片和第二层之间，那么这表示：第一层直接设置在半导体芯片下游。如果第二层设置在半导体芯片和第一层之间，那么这表示：第二层沿着辐射方向直接设置在半导体芯片下游。
转换元件的层系统的各个层能够具有20μm至200μm的层厚度。
根据至少一个实施方式，层系统的层成形为陶瓷。替选地，相应的层的发光材料能够成形为颗粒并且分散在基体材料中。因此，分散在基体材料中的发光材料的份额能够在1重量％和50重量％之间。
还提出一种用于制造光电子器件的方法。优选地，借助所述方法制造上述光电子器件。在此，如在上文中针对光电子器件给出的全部限定和实施方案适用于方法，并且反之亦然。
根据至少一个实施方式，用于制造光电子器件的方法具有如下步骤：
A)提供用于产生在蓝色的光谱范围中的初级辐射的半导体芯片，
B)提供转换元件，所述转换元件设置在半导体芯片的光路中，并且设计用于从初级辐射中产生次级辐射。转换元件至少具有第一发光材料和第二发光材料，其中第一发光材料是Sr(Sr1-xCax)Si2Al2N6:Eu2+和/或(Sr1-yCay)[LiAl3N4]:Eu2+，其中0≤x≤1并且0≤y≤1。尤其地，优选在器件运行时，器件发射白色的混合光。
本发明还涉及一种用于显示器的背景照明装置。背景照明装置优选具有上述光电子器件。在此，针对光电子器件做出的全部限定和实施方案也适用于显示器的背景照明装置，并且反之亦然。
在此描述的光电子器件尤其用作为用于电视机、电脑荧光屏和其他可行的显示器的背景照明装置。替选地，光电子器件也能够用作为室内照明装置。
附图说明
其他优点、有利的实施方式和改进方案从下文结合附图描述的实施例中得出。
附图示出：
图1至图7A分别示出根据一个实施方式的光电子器件的剖视图，
图7B示出根据一个实施方式的、图7A的光电子器件的俯视图，
图8A和图8B示出根据一个实施方式的发射光谱，
图9A至图10B示出根据一个实施方式的CIE色度图和所属的数据。
在实施例和附图中，相同的、同类的或起相同作用的元件分别设有相同的附图标记。示出的元件和其彼此间的大小关系不视为是合乎比例的。更确切地说，为了更好的可视性和/或为了更好的理解，能够夸大地示出个别元件，例如层、构件、器件和区域。
具体实施方式
图1示出根据一个实施方式的光电子器件的示意侧视图。光电子器件100具有衬底1。衬底1例如能够是半导体晶片或陶瓷晶片，例如是由蓝宝石、硅、锗、氮化硅、氧化铝、二氧化钛、发光陶瓷、如例如YAG构成的成形材料。还可行的是：衬底是印刷电路板(PCB)、金属导体框或其他类型的连接载体。在衬底1上能够设置有至少一个半导体芯片2。半导体芯片尤其包括III-V族化合物半导体材料，例如氮化镓。半导体芯片2优选设计用于：在光电子器件运行时发射出自蓝色的光谱范围、例如在440nm和480nm之间的辐射。在半导体芯片2下游设置有转换元件4。转换元件4设置在半导体芯片2的光路中，并且设计用于：将由半导体芯片发射的初级辐射转换成具有改变的、通常更长的波长的次级辐射。可选地，在转换元件4和半导体芯片2之间能够存在粘接层3。粘接层3能够是高折射率的或低折射率的材料。转换元件4能够具有第一发光材料9和第二发光材料10。第一发光材料9、如Sr(Sr1-xCax)Si2Al2N6:Eu2+和/或(Sr1-yCay)[LiAl3N4]:Eu2+(其中0≤x≤1并且0≤y≤1)和第二发光材料10、如例如β-SiAlON能够嵌入基体材料、例如硅树脂或环氧树脂中。根据选择的基体材料和其折射率能够选择粘接层3。光电子器件100还能够可选地具有例如由二氧化钛构成的反射元件5。反射元件5包围半导体芯片2的侧面和转换元件4的侧面。光电子器件100设计用于：作为总辐射G发射白色的混合光。
图2示出根据一个实施方式的光电子器件的示意侧视图。图2的光电子器件100与图1的光电子器件的区别在于：器件不具有衬底1。因此，图2的器件100是无衬底的并且具有接触接片6。在此，半导体芯片2尤其成形为顶部发射器或蓝宝石倒装芯片，即所述半导体芯片在侧面上具有接触所需要的接触接片6。
图3示出根据一个实施方式的光电子器件的示意侧视图。图3与图1的器件100的区别在于：附加地具有透镜7。透镜例如能够由硅树脂成形并且直接地、即以直接的机械接触和电接触的方式设置在转换元件4下游。
图4示出根据一个实施方式的光电子器件的示意侧视图。图4的器件100与图1的器件100的区别例如在于：转换元件4成形为层系统41、42。转换元件4具有：第一层41，所述第一层至少具有第一发光材料；和第二层42，所述第二层至少具有第二发光材料。两个层41、42通过能够可选地存在的另一粘接层在空间上彼此分开。在图4的器件100的情况下，第二层42设置在第一层41和半导体芯片2之间。第二层42尤其设计用于：发射出自绿色的光谱范围的辐射。第一层41尤其设计用于：发射出自红色的光谱范围的辐射。半导体芯片2尤其设计用于：发射出自蓝色的光谱范围的初级辐射，使得总辐射G是由半导体芯片2的初级辐射和转换元件4的层41、42的两个次级辐射构成的组合。那么总辐射G尤其是白色的混合光。
图5示出根据一个实施方式的光电子器件的侧视图。图5的光电子器件100与图4的光电子器件100的区别在于：转换元件4的层41、42互换。换言之，在图5的器件100中，第一层41现在设置在半导体芯片2和第二层42之间。换言之，因此，转换元件4的发射红色的第一层41设置在半导体芯片2下游，并且转换元件4的发射绿色、黄色或黄绿色的第二层42设置在发射红色的第一层41下游。
图6示出根据一个实施方式的光电子器件100的示意侧视图。除图6的器件附加地具有保护二极管(ESD)8之外，图6的光电子器件100与图1的光电子器件100几乎相同地构造。所述保护二极管8能够可选地存在于器件中并且与半导体芯片2横向地间隔开。保护二极管8能够在衬底1上设置在器件的凹部4之内。反射元件5能够是壳体的一部分。
图7A示出根据一个实施方式的光电子器件100的示意侧视图。图7A的器件与图6的器件100的区别在于：器件100具有另一半导体芯片21。换言之，器件100现在具有两个半导体芯片2、21。两个半导体芯片2、21横向地彼此间隔开并且设置在衬底1上。可选地，还能够存在保护二极管(ESD)8。两个半导体芯片2、21能够设置在共同的凹部12中。在该情况下，转换元件4构成为囊封件并且优选具有分散在基体材料中的第一发光材料和第二发光材料(在此未示出)。
图7B示出光电子器件的俯视图。图7B尤其示出保护二极管8、半导体芯片2的辐射出射面和半导体芯片21的辐射出射面的俯视图。
图8A和图8B示出根据一个实施方式的发射光谱和分别示出蓝色的滤色器8-1、绿色的滤色器8-2和红色的滤色器8-3的透射曲线的实例。在两个附图中示出相对强度Irel与以nm为单位的波长λ的相关性。图8A和图8B分别示出总发射，即由初级辐射和次级辐射构成的发射，半导体芯片结合第一发光材料和第二发光材料8-4的发射。在图8A和图8B的情况下，在此发射绿色的第二发光材料分别是β-SiAlON。在图8A的情况下，第一发光材料是Sr(Ca,Sr)Si2Al2N6:Eu2+。在图8B的情况下，第一发光材料是(Sr，Ca)[LiAl3N4]:Eu2+。传统的LCD滤波器系统由三个(蓝色的、绿色的和红色的)滤色器或四个(蓝色的、绿色的、黄色的和红色的)滤色器构成。LCD滤色器通常具有典型为70nm至120nm的半值宽度FWHM，在所述半值宽度中能够以电的方式控制透射。在此，从各个滤色器的透射的叠加中得到透射的光。因此，在可见的光谱范围中在滤波器之间的过渡部位上产生一定空隙。因此，在几乎连续的宽带的光谱中，发射的LED光的一定部分在滤波器中吸收。为了能够在滤波器完全打开时在荧幕表面上获得器件的最大发射的光量，因此有利的是，使用窄带的发光材料，所述发光材料在各个滤波器曲线的范围中发射(图8A和图8B)。在此，尤其重要的是：使用的发光材料、即第一发光材料和第二发光材料分别仅在滤波器范围之内发射，以便能够确保尽可能大的色度空间，其中光电子器件的特性能够通过不同的发光材料相应地调整。趋势越来越趋向于更大的色度空间，例如DCI-P3或Rec2020。因此，需要尤其好地调整光谱的发光材料，所述发光材料能够实现所述更大的色度空间。
图9A和图10A分别示出CIE标准比色度表。示出CIEy与CIEx的相关性。在此，9-1或10-1对应于色度空间SRGB，9-2或10-2对应于色度空间DCI-P3，9-3或10-3对应于色度空间Adobe并且9-4或10-4对应于色度空间Rec2020。在图中，附加地还示出通过LED覆盖的、并且在滤波器评估之后的色度空间。该构件可实现的色度空间与DCI-P3色度空间(9-2或10-2)几乎完全一致。这些色度空间对于本领域技术人员而言是已知的从而在此不详细阐述。图9B分别示出描述的在CxCy或u’v’坐标系中的色度空间通过如下实施方案的光电子器件的相应的覆盖，在所述实施方案中，初级辐射通过发射蓝色的半导体芯片产生，并且次级辐射通过在此为Sr(Sr1-xCax)Si2Al2N6:Eu2+的第一发光材料和在此为β-SiAlON的第二发光材料产生。图10B分别示出描述的在CxCy或u’v’坐标系中的色度空间通过如下实施方案的光电子器件的相应的覆盖，在所述实施方案中，初级辐射通过发射蓝色的半导体芯片产生，并且次级辐射通过在此为(Sr1-yCay)[LiAl3N4]:Eu2+的第一发光材料和在此为β-SiAlON的第二发光材料产生。
图9A和图9B示出由第二发光材料β-SiAlON和第一发光材料Sr(Sr1-xCax)Si2Al2N6:Eu2+制成的半导体芯片构成的系统的数据，所述半导体芯片发射出自蓝色的光谱范围的初级辐射。图10A和图10B示出如下系统的数据，所述系统具有发射蓝色的半导体芯片2、作为第二发光材料的β-SiAlON和(Sr1-yCay)[LiAl3N4]:Eu2+类型的第一发光材料。附图标记9-5或10-5表示CIE标准比色图表的白点。
结合附图描述的实施例和其特征根据其他实施例也能够彼此组合，即使这种组合没有明确地在附图中示出也如此。此外，结合附图描述的实施例能够具有根据说明书在概述部分中的附加的或替选的特征。
本发明不通过根据实施例进行的描述局限于此。更确切地说，本发明包括任意新特征以及特征的任意组合，这尤其包含权利要求中的特征的任意组合，即使所述特征或所述组合自身没有明确地在权利要求中或实施例中说明时也如此。
本申请要求德国专利申请10 2015 120 775.3的优先权，其公开的内容通过参引并入本文。
附图标记列表
100 光电子器件
1 衬底
2 半导体芯片
3 粘接层
4 转换元件
5 反射元件或壳体
6 接触接片
7 透镜
8 保护电极
9 第一发光材料
10 第二发光材料
11 基体材料
G 总发射
12 凹部
21 另一半导体芯片
31 另一粘接层
41 第一层
42 第二层

Claims (13)

1.一种光电子器件(100)，所述光电子器件具有：
-用于产生在蓝色的光谱范围中的初级辐射的半导体芯片(2)，
-转换元件(4)，所述转换元件设置在所述半导体芯片(2)的光路中，并且设计用于从所述初级辐射中产生次级辐射，其中所述转换元件(4)至少包括第一发光材料(9)和第二发光材料(10)，其中所述第一发光材料是Sr(Sr1-xCax)Si2Al2N6:Eu2+和/或(Sr1-yCay)[LiAl3N4]:Eu2+，其中0≤x≤1并且0≤y≤1，
其中从所述器件(100)中射出的总辐射(G)是白色的混合光。
2.根据权利要求1所述的光电子器件(100)，
其中所述第一发光材料(9)Sr(Sr1-xCax)Si2Al2N6:Eu2+具有Cx在0.655和0.685之间和Cy在0.300和0.350之间的色度坐标，和/或其中所述第一发光材料(9)Sr(Sr1-xCax)Si2Al2N6:Eu2+的发射光谱具有最大82nm的半值宽度。
3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件，
其中所述第一发光材料(9)(Sr1-yCay)[LiAl3N4]:Eu2+具有Cx在0.680和0.715之间和Cy在0.280和0.320之间的色度坐标，和/或其中所述第一发光材料(9)(Sr1-yCay)[LiAl3N4]:Eu2+的发射光谱具有最大55nm的半值宽度。
4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，
其中所述第一发光材料的发射的辐射具有在590nm至640nm之间的主波长。
5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，
其中所述转换元件(4)具有第二发光材料(10)，所述第二发光材料选自：(Ba，Sr)2SiO4、β-SiAlON、(Y，Lu)3(Al，Ga)5O12和Ba-SiON，其中所述第二发光材料(10)掺杂有稀土元素，并且设计用于：发射具有出自在510nm和590nm之间的光谱范围的峰值波长的辐射。
6.根据上一项权利要求所述的光电子器件(100)，
其中所述第二发光材料(10)是β-SiAlON。
7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，
其中第一发光材料(9)和所述第二发光材料(10)分散在基体材料(11)中，并且直接设置在所述半导体芯片(2)的辐射出射面的下游。
8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，
其中所述转换元件(4)成形为由至少两个层(41，42)构成的层系统，其中所述第一层(41)具有所述第一发光材料(9)，并且所述第二层(42)具有所述第二发光材料(10)，其中所述第一层(41)设置在所述半导体芯片(2)和所述第二层(42)之间。
9.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，
其中所述转换元件(4)成形为由至少两个层(41，42)构成的层系统，其中所述第一层(41)具有所述第一发光材料(9)，并且所述第二层(42)具有所述第二发光材料(10)，其中所述第二层(42)设置在所述半导体芯片(2)和所述第一层(41)之间。
10.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，
所述光电子器件具有另一半导体芯片(21)，所述另一半导体芯片设计用于产生在蓝色的光谱范围中的另一初级辐射，其中所述半导体芯片(2，21)设置在共同的凹部(12)中，其中所述转换元件(4)成形为囊封件，并且形状配合地包围两个半导体芯片(2，21)。
11.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，
其中所述蓝色的光谱范围具有在380nm和480nm之间的峰值波长最大值。
12.一种用于显示器的背景照明装置，所述背景照明装置具有根据上述权利要求1至11中任一项所述的光电子器件(100)。
13.一种用于制造根据上述权利要求1至11中任一项所述的光电子器件的方法，所述方法具有如下步骤：
A)提供用于产生在蓝色的光谱范围中的初级辐射的半导体芯片(2)，
B)提供转换元件(4)，所述转换元件设置在所述半导体芯片(2)的光路中，并且设计用于从所述初级辐射中产生次级辐射，其中所述转换元件(4)至少具有第一发光材料和第二发光材料(9，10)，其中所述第一发光材料(9)是Sr(Sr1-xCax)Si2Al2N6:Eu2+和/或(Sr1-yCay)[LiAl3N4]:Eu2+，其中0≤x≤1并且0≤y≤1，其中所述器件(100)至少在运行时发射白色的混合光。
CN201680060834.9A 2015-11-30 2016-11-25 光电子器件和用于显示器的背景照明装置 Pending CN108352430A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015120775.3 2015-11-30
DE102015120775.3A DE102015120775A1 (de) 2015-11-30 2015-11-30 Optoelektronisches Bauelement und Hintergrundbeleuchtung für ein Display
PCT/EP2016/078875 WO2017093140A1 (de) 2015-11-30 2016-11-25 Optoelektronisches bauelement und hintergrundbeleuchtung für ein display

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108352430A true CN108352430A (zh) 2018-07-31

Family

ID=57394605

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680060834.9A Pending CN108352430A (zh) 2015-11-30 2016-11-25 光电子器件和用于显示器的背景照明装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11158769B2 (zh)
JP (1) JP6655716B2 (zh)
KR (1) KR20180088793A (zh)
CN (1) CN108352430A (zh)
DE (1) DE102015120775A1 (zh)
WO (1) WO2017093140A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115516063A (zh) * 2020-04-22 2022-12-23 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司 红色的发光材料和转换led

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11841587B2 (en) * 2019-03-29 2023-12-12 Saturn Licensing Llc Light emitting device, display, and electronic apparatus
JP7022284B2 (ja) * 2019-06-17 2022-02-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
DE102020212154A1 (de) * 2020-09-28 2022-03-31 Osram Gmbh Leuchtstoffmischung zur verwendung in einer konversionsschicht auf einer halbleiterlichtquelle

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102299246A (zh) * 2010-06-25 2011-12-28 松下电工株式会社 发光器件
CA2925738A1 (en) * 2013-10-08 2015-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Phosphor, method for producing a phosphor and use of a phosphor
CN104781369A (zh) * 2012-05-22 2015-07-15 皇家飞利浦有限公司 用于固态照明的诸如新窄带红色发射磷光体的新磷光体
DE102014105839A1 (de) * 2014-04-25 2015-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2022834A4 (en) * 2006-05-19 2011-11-23 Mitsubishi Chem Corp NITROGENIC ALLOY AND THEIR USE FOR THE PREPARATION OF PHOSPHORUS
JPWO2009011205A1 (ja) * 2007-07-19 2010-09-16 シャープ株式会社 発光装置
DE102007035592B4 (de) * 2007-07-30 2023-05-04 Osram Gmbh Temperaturstabiler Leuchtstoff, Verwendung eines Leuchtstoffs und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs
JP2009094199A (ja) 2007-10-05 2009-04-30 Sharp Corp 発光装置、面光源、表示装置と、その製造方法
EP2104149A1 (en) * 2008-03-19 2009-09-23 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd White light emitting device and white light source module using the same
KR100924912B1 (ko) * 2008-07-29 2009-11-03 서울반도체 주식회사 웜화이트 발광장치 및 그것을 포함하는 백라이트 모듈
WO2010023840A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device and backlight source, backlight source system, display device, and electronic device using the same
DE102010012040A1 (de) * 2010-03-19 2011-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselement und optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP2014072351A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Nitto Denko Corp 蛍光体層貼着キット、光半導体素子−蛍光体層貼着体および光半導体装置
DE102013106519A1 (de) * 2013-06-21 2014-12-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung zur Erzeugung von Mischlicht und Verfahren zum Betrieb einer Anordnung von Mischlicht
DE102013214235A1 (de) * 2013-07-19 2015-01-22 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit Halbleiterlichtquellen und umlaufendem Damm
JP2015106641A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9725648B2 (en) * 2013-12-10 2017-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Phosphor and light-emitting device including the same
JP6528418B2 (ja) * 2014-01-29 2019-06-12 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びこれを用いた発光装置
DE102014107972B9 (de) * 2014-04-17 2022-07-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtvorrichtung mit einem ersten Leuchtstoff und Filterpartikeln

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102299246A (zh) * 2010-06-25 2011-12-28 松下电工株式会社 发光器件
CN104781369A (zh) * 2012-05-22 2015-07-15 皇家飞利浦有限公司 用于固态照明的诸如新窄带红色发射磷光体的新磷光体
CA2925738A1 (en) * 2013-10-08 2015-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Phosphor, method for producing a phosphor and use of a phosphor
DE102014105839A1 (de) * 2014-04-25 2015-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115516063A (zh) * 2020-04-22 2022-12-23 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司 红色的发光材料和转换led

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180088793A (ko) 2018-08-07
JP2018533210A (ja) 2018-11-08
US20200279978A1 (en) 2020-09-03
JP6655716B2 (ja) 2020-02-26
DE102015120775A1 (de) 2017-06-01
WO2017093140A1 (de) 2017-06-08
US11158769B2 (en) 2021-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102171233B1 (ko) 발광 디바이스 및 led 패키지 구조체
CN103222077B (zh) 发光装置
US11788690B2 (en) Light emitting device with improved warm-white color point
US9214608B2 (en) Luminescence diode arrangement, backlighting device and display device
US20060181192A1 (en) White LEDs with tailorable color temperature
US9048399B2 (en) Light emitting device
WO2014203841A1 (ja) 発光装置
CN108352430A (zh) 光电子器件和用于显示器的背景照明装置
KR20090094126A (ko) 발광 세라믹을 지닌 조명 장치
CN106104822A (zh) 发光装置
CN102713406B (zh) 混合光源
CN107431112A (zh) 发光装置
US8519611B2 (en) Hybrid illumination system with improved color quality
JP5918827B2 (ja) 発光装置
JP6405738B2 (ja) 発光装置
JP2016157965A (ja) 発光装置、並びに、当該発光装置を用いた照明器具及び表示装置
EP2830093B1 (en) LED-module with high color rendering index
US10910527B2 (en) Optoelectronic component
US10629784B2 (en) Optoelectronic component, method for producing an optoelectronic component and flashlight for a portable device
US7701124B2 (en) White light-emitting device having a cap layer formed from a mixture of silicon and a phosphor blend
JP2011159769A (ja) 半導体発光装置
CN101364549B (zh) 白光发光二极体的制作方法
JP5921631B2 (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180731

RJ01 Rejection of invention patent application after publication