CN108799849A - 白光发光器件 - Google Patents

白光发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN108799849A
CN108799849A CN201810408101.0A CN201810408101A CN108799849A CN 108799849 A CN108799849 A CN 108799849A CN 201810408101 A CN201810408101 A CN 201810408101A CN 108799849 A CN108799849 A CN 108799849A
Authority
CN
China
Prior art keywords
white light
light
peak wavelength
white
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810408101.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108799849B (zh
Inventor
吴定绿
尹瀞珢
崔成宇
金超惠
尹喆洙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN108799849A publication Critical patent/CN108799849A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108799849B publication Critical patent/CN108799849B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342Silicates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77347Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/30Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Abstract

提供了一种白光发光器件。该白光发光器件可以包括:蓝光发光二极管,配置为发射蓝光;以及多种波长转换材料,配置为基于被所述蓝光激发而将所述蓝光转换为具有不同波长的光,并且基于所述转换发射白光,其中所发射的白光与以下项目相关联:78‑89范围内的照明工程学会(IES)TM‑30‑15保真度指数(Rf),7%至16%范围内的IES TM‑30‑15色调的色度变化指数Rcs15,7%至16%范围内的IES TM‑30‑15色调的色度变化指数Rcs16表,以及白色样品对所发射的白光的反射谱与国际照明委员会(CIE)标准光源D65之间的颜色差异等于或小于106。

Description

白光发光器件
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年5月2日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2017-0056531的优先权,其全部公开内容通过引用合并于此。
技术领域
本公开涉及白光发光器件和照明器件。
背景技术
通常,使用诸如荧光体等波长转换材料作为用于将来自各种光源的特定波长的光转换为期望波长的光的材料。详细地,各种光源的发光二极管由于其低功率驱动的特性和优异的发光效率而可以有利地配置为用作LCD背光、汽车照明器件和/或家庭照明器件。
通常,通过将多个荧光体(例如,绿色和红色或蓝色、黄色和红色)施加到蓝色或紫外LED芯片来实现白光发光器件。
近年来,在白光照明领域中,需要配置为提供具有增加的白色和原色鲜艳度的白光的发光器件。例如,当前需要各种类型的场地照明,诸如用于衣服的鲜明的白色照明,能够强调白色。
发明内容
一些示例实施例包括白光发光器件,所述白光发光器件配置为发射与白色和原色的增强鲜艳程度相关联的白光。
一些示例实施例包括照明器件,所述照明器件配置为发射与白色和原色的增强鲜艳程度相关联的白光。
根据一些示例实施例,白光发光器件可以包括:蓝光发光二极管,配置为发射蓝光;以及多种波长转换材料。所述多种波长转换材料可以配置为基于被所发射的蓝光激发而将所发射的蓝光转换为具有不同波长的光,并且基于对所发射的蓝光的转换来发射白光,使得所发射的白光与以下项目相关联:78-89范围内的照明工程学会(IES)TM-30-15保真度指数(Rf),7%至16%范围内的IES TM-30-15色调色度变化的指数Rcs15,7%至16%范围内的IES TM-30-15色调的色度变化指数Rcs16,白色样品的对所发射的白光反射谱与国际照明委员会(CIE)标准光源D65之间的颜色差异可以等于或小于106,所述白光样本具有与Munsell N9相对应的白色。
根据一些示例实施例,白光发光器件可以包括:蓝光发光二极管,配置为发射蓝光;第一波长转换材料,配置为被所述蓝光激发并发射绿光;以及第二波长转换材料,配置为被所述蓝光激发并发射红光,其中所述白光发光器件配置为基于对所述蓝光、所述绿光和所述红光进行混合来发射白光,使得所发射的白光具有包括以下峰值波长的发射谱:440nm至455nm的范围中的第一峰值波长,530nm至540nm的范围中的第二峰值波长和640nm至650nm的范围中的第三峰值波长,并且其中在所述第二峰值波长和所述第三峰值波长之间所发射的白光的最低强度是所述第一峰值波长、所述第二峰值波长和所述第三峰值波长中的所发射的白光的最大峰值强度的45%至55%。
根据一些示例实施例,白光发光器件可以包括:蓝光发光二极管,配置为发射具有440nm至455nm的主波段的蓝光;第一绿色荧光体,配置为基于被所述蓝光激发而发射第一绿光,所述第一绿光具有515nm至530nm的峰值波长以及等于或大于50nm的半高全宽(FWHM);第二绿色荧光体,配置为基于被所述蓝光激发而发射第二绿光,所述第二绿光具有535nm至555nm的峰值波长以及等于或小于70nm的半高全宽(FWHM);第一红色荧光体,配置为基于被所述蓝光激发而发射第一红光,所述第一红光具有600nm至620nm的峰值波长以及等于或小于85nm的半高全宽(FWHM);以及第二红色荧光体,配置为基于被所述蓝光激发而发射第二红光,所述第二红光具有640nm至665nm的峰值波长以及等于或大于80nm的半高全宽(FWHM)。所述白光发光器件可以配置为基于对所述蓝光、所述第一绿光、所述第二绿光、所述第一红光和所述第二红光进行混合来发射白光,其中白色样品对所发射的白光的反射谱与国际照明委员会(CIE)标准光源D65之间的颜色差异等于或小于106,并且所述白色样品具有与Munsell N9相对应的白色。
根据一些示例实施例,照明器件可以包括:蓝光发光二极管,配置为发射蓝光;以及多种波长转换材料配置为被所述蓝光激发并且基于被激发而将所述蓝光转换为具有不同波长的光,使得所述照明器件配置为发射白光,使得所发射的白光与以下项目相关联:78-89范围内的照明工程学会(IES)TM-30-15保真度指数(Rf),7%至16%范围内的IESTM-30-15色调的色度变化指数Rcs15,7%至16%范围内的IES TM-30-15色调的色度变化指数Rcs16,以及白色样品对所发射的白光的反射谱与国际照明委员会(CIE)标准光源D65的颜色差异等于或小于106,所述白光样本具有与Munsell N9相对应的白色。
根据一些示例实施例,照明器件可以包括:蓝光发光二极管,配置为发射蓝光;第一波长转换材料,配置为被所述蓝光激发以发射绿光;以及第二波长转换材料,配置为被所述蓝光激发以发射红光,其中所述照明器件配置为基于对所述蓝光、所述绿光和所述红光进行混合来发射白光,所发射的白光具有包括以下峰值波长的发射谱:440nm至455nm的范围中的第一峰值波长、530nm至540nm的范围中的第二峰值波长以及640nm至650nm的范围中的第三峰值波长。所述第二峰值波长的强度可以是所述第一峰值波长、所述第二峰值波长和所述第三峰值波长中所发射的白光的最大峰值强度的55%至70%,并且所述第二峰值波长与所述第三峰值波长之间所发射的白光的最低强度可以是所发射的白光的最大峰值强度的45%至55%。
附图说明
根据结合附图给出的以下详细描述,将更清楚地理解本发明构思的以上和其他方面、特点和其他优点,在附图中:
图1是示出了根据一些示例实施例的白光的发射谱的图;
图2是示出根据一些示例实施例的相对于白光的白色样品的反射光谱的颜色坐标的CIE 1931颜色空间图;
图3是示出了根据一些示例实施例的白光的发射谱的图;
图4是示出了根据一些示例实施例的白光的发射谱的图;
图5是示出了根据一些示例实施例的白光的模型预测的偏好等级的图;
图6和图7是示出了根据示例实施例的白光发光器件的示意图;
图8是示出了根据一些示例实施例的白光发光器件中可采用的波长转换材料的CIE 1931颜色空间图;
图9是示意性地示出了根据一些示例实施例的平板照明器件的透视图;
图10是示出了根据一些示例实施例的灯泡照明器件的分解透视图;以及
图11是示出了根据一些示例实施例的灯管照明器件的分解透视图。
具体实施方式
根据本发明构思的一些示例实施例的白光发光器件可以配置为基于其蓝光发光二极管提供鲜艳的白光。包括蓝光发光二极管的发光器件可以包括多种波长转换材料,所述多种波长转换材料配置为基于接收到发射的光来发射具有可见光波段中不同波长的光。
多种波长转换材料可以配置为提供(“发射”)与白色和原色的改进鲜艳程度相关联的发射光的光谱,并且可以基于一个或多个照明工程学会(IES)TM-30-15指数至少部分地限定所述光谱。
多种波长转换材料可以被配置为发射可以由一个或多个IES TM-30-15评估指数指定(“至少部分地由一个或多个IES TM-30-15评估指数定义”,“与一个或多个IES TM-30-15评估指数相关联”等)的白光,所述评估指数包括IES TM-30-15保真度指数Rf和IES TM-30-15色调的色度变化指数Rcs,hj(这里,j=1到16)。在一些示例实施例中,多种波长转换材料可以配置为发射与以下各项相关联的白光:在78至89范围内的Rf,在7%至16%的范围内的Rcs15,在7%至16%的范围内的Rcs16,并且白色样品对所发射的白光的反射谱与国际照明委员会(CIE)标准光源D65之间的颜色差异可以等于或小于106。
在一些示例实施例中,所述多种波长转换材料可以配置为基于颜色偏好的统计评估来发射由(“至少部分地由...限定”、“相关联”等)对鲜艳度的偏好加以表示的指数所规定的白光。例如,在所发射的白光的上述Rf、Rcs15和Rcs16指数分别表示A、B和C的情况下,偏好Svp可以由方程1定义。
[方程1]
Svp=-36.76+A(-5.45·10-3·A+0.915)+B(-6.69·10-4·B2+1.69·10-2·B-0.114)+C(-6.65·10-4·C2+2.27·10-2·C-0.18)
多种波长转换材料可以配置为发射白光,所述白光可以与方程1中定义的偏好相关联,所述偏好等于或大于1.3,所述偏好是与其中不存在多种波长转换材料(例如1或者更少)的现有技术的发光器件所发射的鲜艳白光的鲜艳程度显著增加偏好相关联的数字(“值”)。
在本发明构思的一些示例实施例中,多种波长转换材料可以配置为发射与可以由发射谱的曲线表示的特性相关联的白光。为了提供具有增强的颜色鲜艳度的发射白光,多种波长转换材料可以配置为发射与在允许所发射的白光的红色区域具有较长波长同时弱化所发射的白光的黄色区域的方向上调节的发射谱相关联的白光。
多种波长转换材料可以配置为发射与可以具有第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长的发射谱相关联的白光。第一峰值波长可以在440nm至455nm的范围内,第二峰值波长可以在530nm至540nm的范围内,并且第三峰值波长可以在640nm至650nm的范围内。此外所述第二峰值波长与所述第三峰值波长之间发射的白光的最低强度可以是所发射的白光的最大峰值强度的45%至55%。这里,所发射的白光的最大峰值强度是所发射的白光的多个峰值强度中具有所述多个峰值强度的最大强度的所发射的白光的峰值强度,例如第三峰。
多种波长转换材料可以配置为基于由蓝光发光二极管发射并且在多种波长转换材料处接收的蓝光的波长(“发射的蓝光”)来发射白光。根据一些示例实施例的白光发光器件可以包括:发射蓝光的蓝光发光二极管,以及第一波长转换材料和第二波长转换材料,第一波长转换材料和第二波长转换材料被配置为由蓝光激发并且分别发射绿光和红光。
第一波长转换材料和第二波长转换材料中的每一个可以由(“至少部分地包括”)两种或更多种波长转换材料形成,以配置为确保(“发射具有...的光)在绿色区域和红色区域具有足够的带宽(即半高全宽),同时弱化黄色区域。如本文所提到的,颜色“区域”是指与各种颜色相对应的光的波长谱、波长“带”等。
所述蓝光的主波段可以是440nm至455nm。所述第一波长转换材料可以包括:第一绿色荧光体和第二绿色荧光体,基于接收到上述蓝光(例如被前述蓝光激发)分别发射第一绿光和第二绿光,第一绿光具有515nm至530nm的峰值波长和等于或大于50nm的半高全宽,第二绿光具有535nm至555nm的峰值波长和等于或小于70nm的半高全宽。所述第二波长转换材料可以包括:第一红色荧光体和第二红色荧光体,基于接收到上述蓝光(例如由上述蓝光激发)分别发射第一红光和第二红光,第一红光具有600nm至620nm的峰值波长和等于或小于85nm的半高全宽,第二红光具有640nm至665nm的峰值波长和等于或大于80nm的半高全宽。
在一些示例实施例中,多种波长转换材料可以包括与可以包括附加波长转换材料的每个波长相关的波长转换材料。例如,第一波长转换材料还可以包括第三绿色荧光体,具有(关联于)515nm至525nm的峰值波长(第三绿色荧光体配置为基于被上述蓝光激发而发射的光的峰值波长)。所述第二波长转换材料还可以包括第三红色荧光体,具有比第一红光的峰值波长短的590nm至610nm的峰值波长(第三红色荧光体配置为基于被上述蓝光激发而发射的光的峰值波长)。
在下文中,将参考本发明构思的示例详细地描述本发明构思的操作和效果。
<示例1>
在示例1中,制造满足上述条件的配置为发射白光的白光发光器件。两种类型的绿色荧光体和两种类型的红色荧光体与具有(关联于)445nm的主波长(蓝光发光二极管配置为发射的光的主波长)的蓝光发光二极管适当地进行组合,使得制造了配置为发射如图1所示的发射谱E1(与发射谱E1相关联)的白光的白光发光器件。
使用具有峰值波长521nm和半高全宽(FWHM)70nm的(Ba,Sr)2SiO4:Eu和具有峰值波长540nm和半高全宽55nm的β-SiAlON:Eu作为两种绿色荧光体。使用具有峰值波长610nm和半高全宽(FWHM)74nm的(Sr,Ca)AlSiN3:Eu和具有峰值波长655nm和半高全宽90nm的CaAlSiN3:Eu作为两种红色荧光体。
<示例2>
在示例2中,制造了白光发光器件,该白光发光器件包括根据上述示例1的荧光体,附加地使用一种类型的绿色荧光体和一种类型的红色荧光体并且因此配置为发射如图1所示的发射谱E2的白光。
附加的绿色荧光体是具有497nm的峰值波长和39nm的半高全宽的BaSi2O2N2:Eu,并且附加的红色荧光体是具有595nm的峰值波长和80nm的半高全宽的Ca-α-SiAlON:Eu。
在图1中示出由根据示例1的白光发光器件发射的白光的发射谱和由根据示例2的白光发光器件发射的白光的发射谱。
参照图1,根据示例1和2中的每一个的白光的发射谱(E1和E2)具有三个峰值波长,即第一峰值波长P1、第二峰值波长P2和第三峰值波长P3。表1中示出了根据示例1和2的发射谱的主要特征。
[表1]
根据示例1和2的发射谱的每个第三峰值波长P3(红色峰值的波长)为647nm和644nm,并且红色峰值出现在等于或大于640nm的波段中。根据示例1和2的发射谱的每个第二峰值波长P2(绿色峰值的波长)为535nm和533nm,并且绿色峰值出现在等于或小于540nm的波段中。
在一些示例实施例中,当第三(红色)峰值波长的强度为100%时,位于黄色区域中的第二峰值波长与第三峰值波长之间的每个最低强度I1在示例1中为48%,在示例2中为45%。如上所述,黄色区域中的最低强度I1为55%或以下,但位于大于45%的区域中。
为了将由白色样品(例如衣服)反射的光的反射谱与用于评估的标准光源D65进行比较,评估了根据示例1和2的白光的颜色。在所述评估中,将白色样品设置为具有白色的服装,所述白色样品的白色与根据Munsell颜色手册的Munsell N9相对应。对于反射谱,使用光谱仪(KonicaMinolta公司的型号CS1000)测量示例1和示例2中白色样品基于被根据标准光源D65的白光照射而反射的光,并且从已经测量的反射谱获得颜色坐标。在表2和图2中示出了评估结果。这里,图2是CIE 1931颜色空间图的一部分的放大图。
[表2]
通常,由于与标准光源D65的色差较小,因此可以评估为对白色的偏好增加。
如上所述,根据一些示例实施例的白光的特性可以由发射谱的曲线来表示。为了提高白光中的颜色鲜艳度,可以在允许发射谱的红色区域具有长波长而同时弱化黄色发射谱的区域的方向上调节在一些示例实施方式中示出的白光的发射谱。详细地,发射谱的第一峰值波长P1可以在440nm至455nm的范围内,发射谱的第二峰值波长P2可以在530nm至540nm的范围内,第三峰值波长P3可以在640nm至650nm的范围内,并且第二峰值波长与第三峰值波长之间的最低强度I2可以在第一峰值波长,第二峰值波长和第三峰值波长中的发射谱的最大峰值强度的45%至55%的范围内。
还可以从在一些示例实施例中获得的图1和表1中所示的结果中得出发射谱的其他详细特性。例如,第二峰值波长P2的强度可以具有最大峰值强度的55%至70%的范围。白光的第一峰值波长和第二峰值波长之间的最低强度的点(“波长”)I1与白光的第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低强度的点I2之间的波长差可以是在90nm至105nm的范围内。第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低强度的点I2与780nm的点I3之间的波长差可以在195nm到210nm的范围内。换句话说,第二峰值波长和第三峰值波长之间的白光的最低强度的波长在570nm到585nm的范围内。
在下文中,将通过将示例与在本发明构思范围之外的比较示例进行比较来详细描述根据本发明构思的实施例的效果。这里,本发明构思的示例可以以与发射谱的曲线不同的视图(例如,TM-30-15)定义。
<比较示例>
为了与根据示例1和2的白光发光器件发射的白光进行比较,选择代表根据现有技术的商业化鲜艳照明器件的比较示例1至5。作为基于近紫外发光二极管的比较示例,使用Lumileds公司的炫白照明(比较示例1)、Sorra公司的鲜艳照明(比较示例2)以及Citizen公司的鲜艳照明(比较示例3)。作为按照与示例类似方式的基于蓝光发光二极管的比较示例,使用Nichia公司的M7照明器件(比较示例4)和丰田合成株式会社的鲜艳照明器件(比较示例5)。
在图3的图中利用根据示例1和2的发射谱分别示出了根据比较示例1至5的白光的发射谱(例如比较示例1至5发射的白光的发射谱)。
使用IES TM-30-15指数评估由根据上述示例和比较示例1至5的白光发光器件发射的白光。具体而言,使用IES TM-30-15保真度指数Rf、IES TM-30-15色域指数Rg以及IESTM-30-15Rcs15和IES TM-30-15Rcs16进行评估,并且在表3中示出。
[表3]
划分 Rf Rg Rcs15 Rcs16
示例1 80.7 114.3 14% 14%
示例2 87.0 111.9 9% 11%
比较示例1 85.3 104.3 4% -1%
比较示例2 92.1 101.5 1% -4%
比较示例3 92.0 106.5 5% 7%
比较示例4 89.0 103.7 4% 2%
比较示例5 88.0 111.8 5% 9%
在一些示例实施例中,利用方程1,基于针对与相应的发射白光相关联的颜色偏好的统计评估,由鲜艳偏好Svp来指定(“至少部分地限定”、“关联于”等)由所述示例和比较示例之一发射的白光。这里,A、B和C分别表示白光的Rf、Rcs15和Rcs16指数。
[方程1]
Svp=-36.76+A(-5.45·10-3·A+0.915)+B(-6.69·10-4·B2+1.69·10-2·B-0.114)+C(-6.65·10-4·C2+2.27·10-2·C-0.18)
如上所述计算与示例1和2以及比较示例1至5相关联的所发射的白光的偏好Svp,并且其结果在表4中示出。
[表4]
作为单独统计调查的结果,当偏好Svp越高时,则确认由所述示例发射的白光的实际颜色的鲜艳程度高于由所述比较示例发射的白光的实际颜色鲜艳程度。可以确认,示例1和2的情况下的偏好Svp等于或大于1.3,而比较示例的情况下的偏好Svp小于1或小于1.3,这比根据示例的偏好Svp低。
根据偏好Svp的计算结果,确认了根据一些示例实施例的白光发光器件配置为按照与示例中相同的方式,基于白光发光器件配置为发射与Rf、Rcs15和Rcs16的具体值范围相关联的白光,来发射与增强的颜色鲜艳度相关联的白光。
详细地,当根据一些示例实施例的发光器件配置为发射满足(例如,与以下条件相关联)其中Rf在78至89的范围内、Rcs15在7%至16%的范围内并且Rcs16在7%至16%的范围内的条件的白光时,可以预期所述发光器件配置为发射具有改善的鲜艳度的白光。作为图2和表2的结果,根据一些示例实施例和CIS标准光源D65的所发射的白光的反射谱的颜色差异可以等于或小于106。此外,基于TM-30-15评估标准,所发射的白光的Rg可以等于或大于110。在一些示例性实施例中,如果和/或当发光器件发射满足其中Rf在78至89的范围之外、Rcs15在7%至16%的范围之外和/或Rcs16在7%至16%的范围之外的一个或多个条件的白光时,发光器件可以发射具有劣化的鲜艳度的白光。
为了检查偏好Svp与TM-30-15指标之间的相关性,使用上述示例1和2中使用的相同类型的荧光体,其混合比例不同,使得制造附加的比较示例A至D(①至④)。
关于附加的比较示例A至D(①至④),通过调节荧光体的混合比将光谱设计成具有表5所示的TM-30-15指数,并且发光谱表现为图4中所示的图。
[表5]
划分 Rf Rg Rcs15 Rcs16 Svp
示例1 80.7 114.3 14% 14% 1.58
示例2 87.0 111.9 9% 11% 1.34
比较示例A 89.0 103.7 4% 2% 1.0
比较示例B 89.3 102.6 0% 4% 1.06
比较示例C 85.3 110.4 6% 11% 1.31
比较示例D 76.8 120.3 15% 20% 1.37
分析了示例1和2以及比较示例A至D的指数与通过情绪评估获得的偏好之间的相关性,从而从中得出先前描述的偏好Svp。图5是示出了用于得出相关性的白光的模型预测的偏好等级的图。
就偏好而言,比较示例③和④可以包括在本发明构思的条件中。然而,在比较示例C的情况下,Rcs15为6%,这在本发明构思的范围(7至16)之外。在比较示例D的情况下,Rf为76.8,这在本发明构思的范围(78至89)之外。因此,比较示例A至D发射的光的颜色的鲜艳程度可能不明显,并且对于比较示例A至D所发射的光,在实践中与标准光源的颜色差异显著。
在下文中,将参照附图详细描述本发明构思的一些示例实施例。
图6是根据一些示例实施例的白光发光器件的示意截面图。
参考图6,白光发光器件100A可以包括封装基板101、设置在封装基板101上的半导体发光元件130和波长转换器件150A。此外,白光发光器件100A可以包括电连接到半导体发光元件130的一对引线框111和112、具有杯形状的反射侧壁部120以及将半导体发光元件130连接到引线框111和112的导线W。
封装基板101可以由(“可以至少部分地包含”)不透明树脂或具有高反射率的树脂构成,或者可以包括配置为便于注模的聚合物树脂。在一些示例实施例中,封装基板101可以包括陶瓷,使得封装基板101可以配置为使得能够容易地散热。根据本发明构思的一些示例实施例,封装基板101可以是其上形成有布线图案的印刷电路板(PCB)。
反射侧壁部120可以设置在封装基板101和引线框111和112上,以形成被配置为容纳半导体发光元件130的腔体。半导体发光元件130可以包括例如蓝光发光二极管。反射侧壁部120可以具有杯形,使得可以增加光反射效率,但是不限于此。根据本发明构思的一些示例实施例,反射侧壁部120可以与封装基板101集成,使得反射侧壁部120和封装基板101包括单独的连续材料结构。
半导体发光元件130可以设置在封装基板101的上表面上,并且可以包括外延生长的半导体层。半导体发光元件130可以是被配置为发射蓝光的蓝光发光二极管,例如具有从440nm变化到455nm的主波长的光。
波长转换器件150A可以设置在由反射侧壁部120围绕的腔体中,并且可以包括封装层152、被配置为发射具有不同波长的绿光的一组(“多个”)绿色荧光体154(包括第一绿色荧光体154a和第二绿色荧光体154b)以及被配置为发射具有不同波长的红光的一组红色荧光体156(包括第一红色荧光体156a和第二红色荧光体156b),所述荧光体散布在封装层152中。该绿色荧光体组154可以包括被配置为被蓝光激发并发射绿光的第一波长转换材料。该红色荧光体组156可以包括被配置为由蓝光激发并发射红光的第二波长转换材料。该绿色荧光体组154和该红色荧光体组156可以单独地或者与封装层152一起包括多种波长转换材料,所述多种波长转换材料被配置为将由半导体发光元件130发射的所发射蓝光转换成基于所发射的蓝光激发而具有不同波长的光,并且基于对发射的蓝光的转换来发射白光,使得白光发光器件100A可以被理解为配置为基于对由半导体发光元件130发射的蓝光的至少一部分的转换而发射所发射的白光,其中所发射的白光是如本文所述的“白光”,其与如本文所述的一个或多个前述特性相关联(例如,与78-89范围内的照明工程学会(IES)TM-30-15保真度指数(Rf)、7%至16%范围内的IES TM-30-15色调的色度变化指数Rcs15、7%至16%范围的IESTM-30-15色调的色度变化指数Rcs16相关联,并且其中白色样品对所发射的白光的反射谱和国际照明委员会(CIE)标准光源D65之间的颜色差异等于或小于106,所述白色样品具有与Munsell N9相对应的白色)。白光发光器件100A可以被理解为配置为基于将由半导体发光元件130发射的蓝光、由第一波长转换材料(例如,绿色荧光体组154的一部分或全部)发射的绿光以及由第二波长转换材料(例如,红色荧光体组156中的一部分或全部)发射的红光进行混合来发射白光。应该进一步理解的是,所述白光发光器件可以配置为发射白光,使得所发射的白光具有包括以下峰值波长的发射谱:440nm至455nm范围中的第一峰值波长,530nm至540nm范围中的第二峰值波长和640nm至650nm范围中的第三峰值波长,并且其中在所述第二峰值波长和所述第三峰值波长之间所发射的白光的最低强度是所述第一峰值波长、所述第二峰值波长和所述第三峰值波长中所发射的白光的最大峰值强度的45%至55%。在一些示例实施例中,白光发光器件100A配置为发射白光,使得白色样品对所发射的白光的反射谱与国际照明委员会(CIE)标准光源D65之间的颜色差异等于或小于106,并且所述白色样品具有与Munsell N9相对应的白色。白光发光器件可以配置为发射白光,使得所发射的白光与偏好Svp相关联,其中Svp等于或大于1.3。
封装层152可以包括透光树脂,例如环氧树脂、硅树脂、应变硅树脂、聚氨酯树脂、氧杂环丁烷树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸酯、聚酰亚胺及其组合。
波长转换器件150A可以配置为由半导体发光元件130发射的蓝光激发以发射已经过波长转换的可见光。
由于所述蓝光(例如,基于接收到蓝光),第一绿色荧光体154a和第二绿色荧光体154b可以配置为发射彼此不同的第一绿光和第二绿光。例如,第一绿光可以具有515nm至530nm的峰值波长和50nm或更大的半高全宽,并且第二绿光可以具有535nm至555nm的峰值波长和70nm或更小的半高全宽。例如,第一绿色荧光体154a可以包括(Ba,Sr)2SiO4:Eu,并且第二绿色荧光体154b可以包括β-SiAlON:Eu。
由于所述蓝光(例如,基于接收到蓝光),第一红色荧光体156a和第二红色荧光体156b可以配置为发射彼此不同的第一红光和第二红光。在一些示例实施例中,第一红光可以具有600nm至620nm的峰值波长和85nm或更大的半高全宽,并且第二红光可以具有640nm至665nm的峰值波长和80nm或更小的半高全宽。例如,第一红色荧光体156a可以包括(Sr,Ca)AlSiN3:Eu,并且第二红色荧光体156b可以包括CaAlSiN3:Eu。
通过使用(“包括”)这些荧光体的组合,波长转换器件150A可以配置为被半导体发光元件130发射的蓝光激发,以发射具有如上所述光谱的白光。从根据一些示例实施例的白光发光器件100A获得(“发射”)的白光(“所发射的白光”)的发射谱可以具有在440nm至455nm范围内的第一峰值波长、在530nm至540nm范围内的第二峰值波长和在640nm至650nm范围内的第三峰值波长。此外,第二峰值波长的强度可以是最大峰值强度的55%到70%,并且第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低强度可以是最大峰值强度的45%到55%(参考示例1)。另外,基于IES TM-30-15评估标准,由白光发光器件100A发射的白光可以满足以下条件(例如,可以与以下条件相关联):在78至89范围内的Rf、在7%至16%范围内的Rcs15、在7%至16%范围内的Rcs16,并且白光的反射谱和CIE标准光源D65的颜色差异可以等于或小于106。
图7是根据一些示例实施例的白光发光器件的示意截面图。
除了波长转换器件150B之外,根据一些示例实施例的白光发光器件100B可以具有与之前描述的示例实施例相同或相似的部件。
在一些示例实施例中的波长转换器件150B可以包括一组(“多个”)绿色荧光体154'和一组红色荧光体156',绿色荧光体组154'被配置为发射具有不同波长的绿光,除了第一绿色荧光体154a和第二绿色荧光体154b之外还包括第三绿色荧光体154c,红色荧光体组156'被配置为发射具有不同波长的红光,除了第一红色荧光体156a和第二红色荧光体156b之外还包括第三红色荧光体156c。
该绿色荧光体组154’和该红色荧光体组156’可以单独地或者与封装层152一起包括多种波长转换材料,所述多种波长转换材料被配置为将由半导体发光元件130发射的所发射蓝光转换成基于被所发射蓝光激发而具有不同波长的光,并且基于对所发射蓝光的转换来发射白光,使得白光发光器件100B可以被理解为配置为基于对由半导体发光元件130发射的蓝光的至少一部分的转换而发射所发射的白光,其中所发射的白光是如本文所述的“白光”,与如本文所述的一个或多个前述特性相关联(例如,与78-89范围内的照明工程学会(IES)TM-30-15保真度指数(Rf)、7%至16%范围的IES TM-30-15色调的色度变化指数Rcs15、7%至16%范围内的IES TM-30-15色调的色度变化指数Rcs16相关联,并且其中白色样品对所发射的白光的反射谱和国际照明委员会(CIE)标准光源D65之间的颜色差异等于或小于106,所述白色样品具有与Munsell N9相对应的白色)。白光发光器件100B可以被理解为配置为基于将由半导体发光元件130发射的蓝光、由第一波长转换材料(例如,绿色荧光体组154’的一部分或全部)发射的绿光以及由第二波长转换材料(例如,红色荧光体组156’中的一部分或全部)发射的红光进行混合来发射白光。应该进一步理解的是,所述白光发光器件可以配置为发射白光,使得所发射的白光具有包括以下峰值波长的发射谱:440nm至455nm范围中的第一峰值波长,530nm至540nm范围中的第二峰值波长和640nm至650nm范围中的第三峰值波长,并且其中在所述第二峰值波长和所述第三峰值波长之间所发射的白光的最低强度是所述第一峰值波长、所述第二峰值波长和所述第三峰值波长中所发射的白光的最大峰值强度的45%至55%。在一些示例实施例中,白光发光器件100B配置为发射白光,使得白色样品对所发射的白光的反射谱与国际照明委员会(CIE)标准光源D65之间的颜色差异等于或小于106,并且所述白色样品具有与Munsell N9相对应的白色。白光发光器件可以配置为发射白光,使得所发射的白光与偏好Svp相关,其中Svp等于或大于1.3。
第三绿色荧光体154c可以发射与第一绿光和第二绿光不同的第三绿光,并且第三红色荧光体156c可以发射与第一红光和第二红光不同的第三红光。在一些示例实施例中,第三绿色荧光体154c可以发射具有490nm至510nm的峰值波长的光,并且第三红色荧光体156c可以发射具有比第一红光的峰值波长短的590nm至610nm的峰值波长的光。例如,第三绿色荧光体可以包括BaSi2O2N2:Eu,并且第三红色荧光体可以包括Ca-α-SiAlON:Eu。
通过使用这些荧光体的组合,波长转换器件150B可以配置为被半导体发光元件130发射的蓝光激发,以发射具有如上类似所述的白光的光谱的白光(参考示例2)。
图8是示出了根据本发明构思的一些示例实施例的发光器件中可采用的波长转换材料的位置的CIE 1931颜色空间图。
其他类型的绿色和红色荧光体可以用来提供所需光谱的白光。可以使用与上述红色或绿色荧光体的不同类型的荧光体,同时满足上述TM-30-15指数条件和/或光谱条件。
例如,作为绿色荧光体,可以使用L3M5O12:Ce(这里L是镥(Lu)、镱(Yb)和铽(Tb)中的至少一种,并且M是铝(Al)和镓(Ga)中的至少一种)氧化物荧光体作为波长转换材料包括在本文所述的波长转换器件中。氧化物荧光体可以包括Tb3Al5O12:Ce和Lu3Al5O12:Ce。
此外,荧光体也可以被其他波长转换材料(例如量子点)代替。量子点可以与荧光体混合或者在特定的波段中单独使用。每个量子点可以包括诸如CdSe和InP等核(3nm至10nm)、诸如ZnS和ZnSe等壳(0.5nm至2nm)以及被配置为稳定核和壳的配体的结构,并且可以根据尺寸实现各种颜色。
如图8所示,CIE 1931颜色空间图的(x,y)坐标可以位于连接以下坐标的线段的区域中:(0.4476,0.4074)、(0.3484,0.3516)、(0.3101,0.3162)、(0.3128,0.3292)和(0.3333,0.3333)。备选地,坐标(x,y)可以位于由线段和黑体辐射轨迹(BBL)包围的区域中。
例如,接近BBL下方的点E(0.3333,0.3333)的白光可以用作照明的光源,以在减小具有基于黄色的成分的光的状态下为肉眼创建更清晰的观看条件。因此,使用围绕BBL下方的点E(0.3333,0.3333)的白光的照明产品可以有效地用作出售杂货、服装等的零售空间。由本发明构思的一些示例实施例中的白光发光器件发射的白光的光谱可以满足上述条件,并且可以具有比基于紫外线发光二极管(LED)的鲜艳照明的相关色温(例如3000K至3100K)更高的相关色温(CCT)。例如,根据一些示例实施例的发射白光的相关色温可以对应于3300K至3700K的范围。在另一个示例中,例如根据一些示例实施例的所发射的白光的相关色温可以对应于大于3300K的范围。
因此,根据一些示例实施例的白光发光器件可以有利地用于各种类型的照明器件,作为具有增强(改善)的颜色鲜艳度的鲜艳照明的优秀光源。
图9是示意性地示出了根据一些示例实施例的平板发光器件的透视图。
参照图9,平板照明器件4100可以包括光源模块4110、电源4120和外壳4130。形成光源模块4110的光源可以是根据本发明构思的一些示例实施例的白光发光器件。替代地,白光发光器件可以是在图6和图7中所示的白光发光器件。电源4120可以包括LED驱动器。
光源模块4110可以包括光源阵列,并可以具有总体上扁平的形状。根据一些示例实施例,光源模块4110可以包括LED和存储与LED有关的驱动信息的控制器。
电源4120可以配置为向光源模块4110供电。外壳4130可以具有其中容纳有光源模块4110和电源4120的容纳空间,并且可以具有开放表面的六面体形状,但是不限于此。光源模块4110可以布置为朝向外壳4130的开放空间发射光。
按照与一些示例性实施例不同的方式,在白光发光器件中采用的荧光体组合的至少一部分荧光体可以设置在甲板照明器件4100的除了白光发光器件以外的其他组件(例如,导光板、散射板、透镜)中。
图10是示出了根据一些示例实施例的灯泡照明器件的分解透视图。
参照图10,灯泡照明器件4300可以包括插座4210、电源4220、散热部4230、光源模块4240和封盖4330。
插座4210可以配置为代替根据相关技术的照明器件的插座。可以通过插座4210施加提供给灯泡照明器件4300的电力。如图10所示,电源4220可以分离地附接至第一电源器件4221和第二电源器件4222。散热部4230可以包括内部散热部4231和外部散热部4232。内部散热部4231可以直接连接到光源模块4240和/或电源4220,这允许将热传递到外部散热部4232。封盖4330可以配置为均匀地漫射由光源模块4240发射的光。
光源模块4240可以从电源4220接收电力以将光发射到封盖4330。光源模块4240可以包括至少一个光源4241、电路板4242和控制器4243,并且控制器4243可以存储与至少一个光源4241有关的驱动信息。光源4241可以是满足根据上述实施例的白光条件的发光器件。例如,光源4241可以分别是图6和图7中所示的白光发光器件之一。
在一些示例实施例中,在白光发光器件中采用的荧光体组合中的至少一部分荧光体可以设置在灯泡照明器件4300的除了白光发光器件之外的其他组件中。例如,可以将荧光体组合中的至少一部分荧光体设置在位于光行进的路径中的光学元件(例如漫射板、导光板)上。
根据本发明构思的一些示例实施例的灯泡照明器件4300可以包括设置在光源模块4240上方的反射器4310,并且可以通过将由至少一个光源4241发射的光均匀地漫射到反射器的侧面和后面来减少眩光。
通信模块4320可以安装在反射器4310的上部,并且可以执行家庭网络通信。例如,通信模块4320可以是使用Wi-Fi或Li-Fi的无线通信模块,并且可以通过智能电话或无线控制器控制安装在室内或室外的照明器件的开/关功能和亮度。另外,使用安装在孔内和周围的照明器件的使用可见光波长的Li-Fi通信模块可以控制诸如TV、冰箱、空调、门锁等电子器件,或者可以控制车辆。
反射器4310和通信模块4320可以由封盖4330覆盖。
图11是示出了根据一些示例实施例的灯管照明器件的分解透视图。
参考图11,灯管照明器件4400可以具有在散热构件4410的相对端部上形成的突起4433。灯管照明器件4400可以包括散热构件4410、封盖4441、光源模块4450、第一插座4460和第二插座4470。多个散热翅片4420和4431可以形成为在散热构件4410的内表面或外表面上具有不均匀的形状,并且可以设计为具有各种形状和间隔。突起形式的支撑件4432可以形成在散热构件4410的内部上。光源模块4450可以固定到支撑件4432。突起4433可以形成在散热构件4410的相对端部。
凹槽4442可以形成在封盖4441中,并且散热构件4410的突起4433可以通过钩状耦接结构耦接到凹槽4442。凹槽4442和突起4433的位置可以彼此对应。
光源模块4450可以包括印刷电路板(PCB)4451、光源4452和控制器4453。如上所述,控制器4453可以在其中存储与光源4452有关的驱动信息。PCB 4451上可以形成有电路线以操作光源4452,并且还可以包括用于操作光源4452的组件。光源4452可以是满足根据上述实施例的白光条件的发光器件。例如,光源4452可以分别是图6和图7中所示的白光发光器件之一。
第一插座4460和第二插座4470可以具有作为一对插座耦接到包括散热部件4410和封盖4441在内的柱形封盖器件的两端的结构。例如,第一插座4460可以包括电极端子4461和电源4462,第二插座4470可以包括布置在其上的虚端子4471。此外,第一插座4460和第二插座4470中的一个中可以嵌入有光学传感器和/或通信模块。例如,其上设置有虚端子4471的第二插座4470中可以嵌入有光学传感器和/或通信模块。在一些示例实施例中,其上设置有电极端子4461的第一插座4460可以具有光学传感器和/或通信模块。
如上所述,根据本发明构思的一些示例实施例,可以提供基于蓝光发光二极管发射具有增强的白色和原色鲜艳度的白光的白光发光器件以及照明器件。可以基于TM-30-15评估标准,由白光发光器件发射的白光的发射谱可以至少部分地由Rf、Rcs15和Rcs16指数定义(“与Rf、Rcs15和Rcs16指数相关联”、“由Rf、Rcs15和Rcs16指数表征”等)。可以得出相对于照明光的偏好的新颖指数(Svp指数),并且可以通过白光发光器件提供符合实际统计评估的优秀鲜艳白光。可以通过作为本发明构思的一部分提出的波长转换材料的组合来获得白光的光谱。
虽然以上已经示出并描述了示例实施例,但是本领域技术人员将清楚的是,在不脱离由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下,可以进行修改和改变。

Claims (25)

1.一种白光发光器件,包括:
蓝光发光二极管,配置为发射蓝光;以及
多种波长转换材料,配置为:
基于被所发射的蓝光激发而将所发射的蓝光转换为具有不同波长的光,以及
基于对所发射的蓝光的转换而发射白光,使得
所发射的白光与以下项目相关联:
78-89范围内的照明工程学会TM-30-15保真度指数Rf,
7%至16%范围内的照明工程学会TM-30-15色调的色度变化指数Rcs15,以及
7%至16%范围内照明工程学会TM-30-15的色调的色度变化指数Rcs16,以及
白色样品对所发射的白光的反射谱与国际照明委员会标准光源D65之间的颜色差异等于或小于106,所述白色样品具有与Munsell N9相对应的白色。
2.根据权利要求1所述的白光发光器件,其中,
所发射的白光与偏好Svp相关联,所述偏好Svp由下式定义:
Svp=-36.76+A(-5.45·10-3·A+0.915)+B(-6.69·10-4·B2+1.69·10-2·B-0.114)+C(-6.65·10-4·C2+2.27·10-2·C-0.18),
A是Rf,B是Rcs15,并且C是Rcs16,以及
Svp等于或大于1.3。
3.根据权利要求1所述的白光发光器件,其中
所发射的白光与等于或大于110的照明工程学会TM-30-15色域指数Rg相关联。
4.根据权利要求1所述的白光发光器件,其中所发射的白光与等于或大于3300K的相关色温相关联。
5.根据权利要求1所述的白光发光器件,其中所发射的白光与具有以下峰值波长的发射谱相关联:
在440nm至455nm的范围内的第一峰值波长,
在530nm至540nm的范围内的第二峰值波长,以及
在640nm至650nm的范围内的第三峰值波长。
6.根据权利要求5所述的白光发光器件,其中所述第二峰值波长与所述第三峰值波长之间所发射的白光的最低强度是所发射的白光的最大峰值强度的45%至55%。
7.根据权利要求5所述的白光发光器件,其中
所述第一峰值波长和所述第二峰值波长之间所发射的白光的最低强度的波长与所述第二峰值波长和所述第三峰值波长之间所发射的白光的最低强度的波长之间的波长差在90nm到105nm的范围,以及
所述第二峰值波长和所述第三峰值波长之间所发射的白光的最低强度的波长在570nm到585nm的范围内。
8.根据权利要求1所述的白光发光器件,其中
所发射的蓝光的主波段为440nm至455nm,以及
所述多种波长转换材料包括:
多个绿色荧光体,配置为发射具有不同波长的绿光;以及
多个红色荧光体,配置为发射具有不同波长的红光。
9.根据权利要求8所述的白光发光器件,其中所述多个绿色荧光体包括:
第一绿色荧光体,配置为发射具有515nm至530nm的峰值波长和等于或大于50nm的半高全宽的第一绿光;以及
第二绿色荧光体,配置为发射具有535nm至555nm的峰值波长和等于或小于70nm的半高全宽的第二绿光。
10.根据权利要求9所述的白光发光器件,其中
第一绿色荧光体包括(Ba,Sr)2SiO4:Eu,以及
第二绿色荧光体包括β-SiAlON:Eu。
11.根据权利要求9所述的白光发光器件,其中所述多个绿色荧光体还包括:第三绿色荧光体,配置为发射具有490nm至510nm的峰值波长的光。
12.根据权利要求11所述的白光发光器件,其中所述第三绿色荧光体包括BaSi2O2N2:Eu。
13.根据权利要求8所述的白光发光器件,其中所述多个红色荧光体包括:
第一红色荧光体,配置为发射具有600nm至620nm的峰值波长和等于或小于85nm的半高全宽的第一红光;以及
第二红色荧光体,配置为发射具有640nm至665nm的峰值波长和等于或大于80nm的半高全宽的第二红光。
14.一种白光发光器件,包括:
蓝光发光二极管,配置为发射蓝光;
第一波长转换材料,配置为由所述蓝光激发并发射绿光;以及
第二波长转换材料,配置为由所述蓝光激发并发射红光;
其中所述白光发光器件配置为基于将所述蓝光、所述绿光和所述红光进行混合来发射白光,所发射的白光具有包括以下峰值波长的发射谱:
在440nm至455nm的范围内的第一峰值波长,
在530nm至540nm的范围内的第二峰值波长,以及
在640nm至650nm的范围内的第三峰值波长,
其中在所述第二峰值波长与所述第三峰值波长之间所发射的白光的最低强度是所述第一峰值波长、所述第二峰值波长和所述第三峰值波长中所发射的白光的最大峰值强度的45%至55%。
15.根据权利要求14所述的白光发光器件,其中在所发射白光的发射谱中,所述第一峰值波长和所述第二峰值波长之间所发射的白光的最低强度的波长与所述第二峰值波长和所述第三峰值波长之间所发射的白光的最低强度的波长之间的波长差在90nm到105nm的范围。
16.根据权利要求14所述的白光发光器件,其中在所发射的白光的发射谱中,所述第二峰值波长和所述第三峰值波长之间所发射的白光的最低强度的波长在570nm到585nm的范围内。
17.根据权利要求14所述的白光发光器件,其中所述第二峰值波长的强度是所发射的白光的最大峰值强度的55%至70%。
18.根据权利要求14所述的白光发光器件,其中白色样品对所发射的白光的反射谱与国际照明委员会标准光源D65之间的颜色差异等于或小于106,并且所述白色样品具有与Munsell N9相对应的白色。
19.根据权利要求14所述的白光发光器件,其中
所述蓝光的主波段为440nm至455nm,
所述第一波长转换材料包括:第一绿色荧光体,配置为发射具有515nm至530nm的峰值波长和等于或大于50nm的半高全宽的第一绿光;第二绿色荧光体,配置为发射具有535nm至555nm的峰值波长和等于或小于70nm的半高全宽的第二绿光;以及
所述第二波长转换材料包括:第一红色荧光体,配置为发射具有600nm至620nm的峰值波长和等于或小于85nm的半高全宽的第一红光;第二红色荧光体,配置为发射具有640nm至665nm的峰值波长和等于或大于80nm的半高全宽的第二红光。
20.根据权利要求19所述的白光发光器件,其中
所述第一波长转换材料还包括:第三绿色荧光体,配置为发射具有490nm至510nm的峰值波长的光,以及
所述第二波长转换材料还包括:第三红色荧光体,配置为发射具有比所述第一红光的峰值波长短的590nm至610nm的峰值波长的光。
21.一种白光发光器件,包括:
蓝光发光二极管,配置为发射具有440nm至455nm的主波长的蓝光;
第一绿色荧光体,配置为基于被所述蓝光激发而发射第一绿光,所述第一绿光具有515nm至530nm的峰值波长以及等于或大于50nm的半高全宽;
第二绿色荧光体,配置为基于被所述蓝光激发而发射第二绿光,所述第二绿光具有535nm至555nm的峰值波长以及等于或小于70nm的半高全宽;
第一红色荧光体,配置为基于被所述蓝光激发而发射第一红光,所述第一红光具有600nm至620nm的峰值波长以及等于或小于85nm的半高全宽;以及
第二红色荧光体,配置为基于被所述蓝光激发而发射第二红光,所述第二红光具有640nm至665nm的峰值波长以及等于或大于80nm的半高全宽,
其中所述白光发光器件配置为基于对所述蓝光、所述第一绿光、所述第二绿光、所述第一红光和所述第二红光进行混合来发射白光,
白色样品对所发射的白光的反射谱与国际照明委员会标准光源D65之间的颜色差异等于或小于106,以及
所述白色样品具有与Munsell N9相对应的白色。
22.根据权利要求21所述的白光发光器件,还包括:
第三绿色荧光体,配置为发射具有490nm至510nm的峰值波长的光,以及
第三红色荧光体,配置为发射具有比所述第一红光的峰值波长短的590nm至610nm的峰值波长的光。
23.根据权利要求21所述的白光发光器件,其中
所发射的白光与以下项目相关联:
78-89范围内的照明工程学会TM-30-15保真度指数Rf
7%至16%范围内的照明工程学会TM-30-15色调的色度变化指数Rcs15,以及
7%至16%范围内的照明工程学会TM-30-15色调的色度变化指数Rcs16,以及
所发射的白光与偏好Svp相关联,所述偏好Svp由下式定义:
Svp=-36.76+A(-5.45·10-3·A+0.915)+B(-6.69·10-4·B2+1.69·10-2·B-0.114)+C(-6.65·10-4·C2+2.27·10-2·C-0.18),
A是Rf,B是Rcs15,并且C是Rcs16,以及
Svp等于或大于1.3。
24.一种照明器件,包括:
蓝光发光二极管,配置为发射蓝光;以及
多种波长转换材料,配置为被所述蓝光激发,并且基于被激发而将所述蓝光转换为具有不同波长的光,使得所述照明器件配置为发射白光,使得
所发射的白光与以下项目相关联:
78-89范围内的照明工程学会TM-30-15保真度指数Rf
7%至16%范围内的照明工程学会TM-30-15色调的色度变化指数Rcs15,以及
7%至16%范围内的照明工程学会TM-30-15色调的色度变化指数Rcs16,以及
白色样品对所发射的白光的反射谱与国际照明委员会标准光源D65的颜色差异等于或小于106,白色样品具有与Munsell N9相对应的白色。
25.一种照明器件,包括:
蓝光发光二极管,配置为发射蓝光;
第一波长转换材料,配置为被所述蓝光激发以发射绿光;以及
第二波长转换材料,配置为被所述蓝光激发以发射红光;
其中所述照明器件配置为基于将所述蓝光、所述绿光和所述红光进行混合来发射白光,所发射的白光具有包括以下峰值波长的发射谱:
在440nm至455nm的范围内的第一峰值波长,
在530nm至540nm的范围内的第二峰值波长,以及
在640nm至650nm的范围内的第三峰值波长,
其中所述第二峰值波长的强度是所述第一峰值波长、所述第二峰值波长和所述第三峰值波长中所发射的白光的最大峰值强度的55%至70%,并且所述第二峰值波长与所述第三峰值波长之间所发射的白光的最低强度是所发射的白光的最大峰值强度的45%至55%。
CN201810408101.0A 2017-05-02 2018-04-28 白光发光器件 Active CN108799849B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170056531A KR102373817B1 (ko) 2017-05-02 2017-05-02 백색 발광장치 및 조명 장치
KR10-2017-0056531 2017-05-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108799849A true CN108799849A (zh) 2018-11-13
CN108799849B CN108799849B (zh) 2021-10-29

Family

ID=62063370

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810408101.0A Active CN108799849B (zh) 2017-05-02 2018-04-28 白光发光器件

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10312419B2 (zh)
EP (1) EP3425023B1 (zh)
KR (1) KR102373817B1 (zh)
CN (1) CN108799849B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109860370A (zh) * 2018-11-26 2019-06-07 旭宇光电(深圳)股份有限公司 全光谱led光源
WO2020244512A1 (zh) * 2019-06-05 2020-12-10 苏州欧普照明有限公司 一种光源模组及包括该光源模组的照明装置
US20220398987A1 (en) * 2019-04-11 2022-12-15 PixelDisplay, Inc. Method and apparatus of multi-modal illumination and display for improved color rendering, power efficiency, health and eye-safety
US11698182B2 (en) 2019-06-05 2023-07-11 Suzhou Opple Lighting Co., Ltd. Light source module and lighting device comprising same

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6670804B2 (ja) * 2017-08-02 2020-03-25 シャープ株式会社 発光装置及び画像表示装置
US11054090B2 (en) * 2019-01-29 2021-07-06 Intematix Corporation High gamut index solid-state white light emitting devices
JP6846072B1 (ja) * 2019-09-17 2021-03-24 Zigenライティングソリューション株式会社 発光装置、及び照明装置
TWI728873B (zh) * 2020-07-21 2021-05-21 隆達電子股份有限公司 發光二極體裝置
US11294238B1 (en) 2020-10-29 2022-04-05 Lextar Electronics Corporation Low blue light backlight module

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1444775A (zh) * 2000-07-28 2003-09-24 电灯专利信托有限公司 具有至少一只发光二极管作为光源的照明单元
CN101501874A (zh) * 2006-08-14 2009-08-05 株式会社藤仓 发光器件及照明装置
CN101834266A (zh) * 2007-01-02 2010-09-15 三星电机株式会社 发光装置、用于液晶显示器背光的光源模块及液晶显示器
CN102405538A (zh) * 2009-08-26 2012-04-04 三菱化学株式会社 白色半导体发光装置
CN103178195A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 日东电工株式会社 发光二极管装置的制造方法
CN103322511A (zh) * 2012-03-23 2013-09-25 东芝照明技术株式会社 照明装置

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69739368D1 (de) 1996-08-27 2009-05-28 Seiko Epson Corp Trennverfahren und Verfahren zur Übertragung eines Dünnfilmbauelements
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
KR20040029301A (ko) 2001-08-22 2004-04-06 소니 가부시끼 가이샤 질화물 반도체소자 및 질화물 반도체소자의 제조방법
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 led 패키지 및 그 제조방법
KR101184957B1 (ko) 2006-02-10 2012-10-02 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 형광체 및 그 제조 방법, 형광체 함유 조성물, 발광 장치, 그리고 화상 표시 장치 및 조명 장치
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 lcd 백라이트 유닛
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
JP2009289957A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Yamaguchi Univ 半導体発光装置、および撮像装置
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
EP2672532B1 (en) 2011-02-03 2019-05-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Led module and illumination device
KR101781437B1 (ko) * 2011-04-29 2017-09-25 삼성전자주식회사 백색 발광 장치 및 이를 이용한 디스플레이 및 조명장치
LT5918B (lt) 2011-07-12 2013-03-25 Vilniaus Universitetas Daugiaspalviai kietakūniai šaltiniai, skirti apšviečiamų paviršių spalvos sodrio valdymui
JP5257538B2 (ja) 2011-09-02 2013-08-07 三菱化学株式会社 照明方法及び発光装置
JP2014170843A (ja) * 2013-03-04 2014-09-18 Mitsubishi Chemicals Corp Led照明装置
JP6384704B2 (ja) 2013-03-28 2018-09-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 照明装置
JP6380826B2 (ja) 2013-09-20 2018-08-29 パナソニックIpマネジメント株式会社 光源装置
JP6652785B2 (ja) 2015-04-09 2020-02-26 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター Led照明の分光分布設計方法
KR102477353B1 (ko) 2015-08-06 2022-12-16 삼성전자주식회사 적색 형광체, 백색 발광장치 및 조명 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1444775A (zh) * 2000-07-28 2003-09-24 电灯专利信托有限公司 具有至少一只发光二极管作为光源的照明单元
CN101501874A (zh) * 2006-08-14 2009-08-05 株式会社藤仓 发光器件及照明装置
CN101834266A (zh) * 2007-01-02 2010-09-15 三星电机株式会社 发光装置、用于液晶显示器背光的光源模块及液晶显示器
CN102405538A (zh) * 2009-08-26 2012-04-04 三菱化学株式会社 白色半导体发光装置
CN103178195A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 日东电工株式会社 发光二极管装置的制造方法
CN103322511A (zh) * 2012-03-23 2013-09-25 东芝照明技术株式会社 照明装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109860370A (zh) * 2018-11-26 2019-06-07 旭宇光电(深圳)股份有限公司 全光谱led光源
CN109860370B (zh) * 2018-11-26 2019-10-29 旭宇光电(深圳)股份有限公司 全光谱led光源
US20220398987A1 (en) * 2019-04-11 2022-12-15 PixelDisplay, Inc. Method and apparatus of multi-modal illumination and display for improved color rendering, power efficiency, health and eye-safety
US11842699B2 (en) * 2019-04-11 2023-12-12 PixelDisplay, Inc. Method and apparatus of multi-modal illumination and display for improved color rendering, power efficiency, health and eye-safety
WO2020244512A1 (zh) * 2019-06-05 2020-12-10 苏州欧普照明有限公司 一种光源模组及包括该光源模组的照明装置
US11698182B2 (en) 2019-06-05 2023-07-11 Suzhou Opple Lighting Co., Ltd. Light source module and lighting device comprising same

Also Published As

Publication number Publication date
CN108799849B (zh) 2021-10-29
KR102373817B1 (ko) 2022-03-14
KR20180122244A (ko) 2018-11-12
US20180323350A1 (en) 2018-11-08
EP3425023B1 (en) 2021-02-24
US10312419B2 (en) 2019-06-04
EP3425023A1 (en) 2019-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108799849A (zh) 白光发光器件
US8698388B2 (en) Lighting apparatus providing increased luminous flux while maintaining color point and CRI
CN109585433A (zh) 白光发射装置
CN105556197B (zh) 具有经适配的输出光谱的发光装置
US6577073B2 (en) Led lamp
CN100433389C (zh) 包含rgb发光二极管和磷光体的发光装置
CN101379341B (zh) 白光源
CN102177594B (zh) 发光装置
US10074781B2 (en) Semiconductor light emitting devices including multiple red phosphors that exhibit good color rendering properties with increased brightness
US20140167601A1 (en) Enhanced Luminous Flux Semiconductor Light Emitting Devices Including Red Phosphors that Exhibit Good Color Rendering Properties and Related Red Phosphors
US10002992B2 (en) Red phosphor, white light emitting device and lighting apparatus
US20150049459A1 (en) White light emitting module
US9219202B2 (en) Semiconductor light emitting devices including red phosphors that exhibit good color rendering properties and related red phosphors
JP2002057376A (ja) Ledランプ
EP2334147A2 (en) LED illumination device
US20160254421A1 (en) White light emitting devices including both red and multi-phosphor blue-shifted-yellow solid state emitters
CN102713406B (zh) 混合光源
CN114695627A (zh) Led模块和照明设备
CN105075397B (zh) 可调光发光装置
CN108561764A (zh) Led灯丝结构及基于其的led照明灯
EP2830093B1 (en) LED-module with high color rendering index
KR102049852B1 (ko) 발광 다이오드 조명 장치 및 그 발광 다이오드 패키지
CN110690206A (zh) 双基色低蓝光的白色led元件以及白色led组件
TWM427676U (en) White light LED

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant