CN106784006A - 一种沟槽式超势垒整流器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及功率半导体器件，特别涉及一种沟槽式超势垒整流器件及其制造方法，本发明制造的沟槽式超势垒整流器件包括：第一导电类型衬底，第一导电类型外延层，第一沟槽，导电多晶硅，栅绝缘层，第二导电类型注入区以及第一导电类型注入区，金属电极，所述第二导电类型注入区下方形成第二导电类型增强区，所述第二导电类型增强区与第一沟槽之间有第一导电类型外延层相隔离，且所述第二导电类型增强区深度不低于所述第一沟槽深度。本发明有效改善沟槽式超势垒整流器件的方向电压抗击能力。
Description
技术领域
本发明涉及功率半导体器件，特别涉及一种沟槽式超势垒整流器件及其制造方法。
技术背景
现有的功率半导体整流器件按势垒类型分为两种，一种是肖特基势垒整流器件，另一种为集成MOS沟道超势垒整流器件。其中，肖特基势垒整流器件以贵金属(如金、银、铂、钛、镍、钼等)与半导体接触，制造成本高，同时由于重金属存在污染，其制造工艺与CMOS标准工艺难以兼容。
超势垒整流器件具有正向导通压降低、开关速度快、关断漏电少以及反向恢复时间短等优点，在正向偏压状态时，集成MOS管在较低正向偏压下开启，形成电流通路；反向偏压状态时，势垒MOS处于截止状态，而集成MOS的PN结快速耗尽承担反偏电压，器件的反向漏电流由PN结决定。
现有技术沟槽式超势垒整流器件沟槽侧壁与底部具有相同的栅绝缘层厚度，为了使降低阈值电压，制得的沟槽侧壁的栅绝缘层较薄，因此底部栅绝缘层也较薄，但是底部栅绝缘层薄不利于对反向电压的抗击性能，造成方向漏电流大。
发明内容
本发明的目的是提供一种沟槽式超势垒整流器件，增加其反向抗压性能。
本发明的另一目的是提供上述沟槽式超势垒整流器件的制造方法。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种沟槽式超势垒整流器件，包括：第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底上表面的第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层上表层中的第一沟槽，填充所述第一沟槽的导电多晶硅，形成于所述第一沟槽与导电多晶硅之间的栅绝缘层，相邻第一沟槽之间的第二导电类型注入区以及第二导电类型注入区上的第一导电类型注入区，位于所述第一导电类型外延层上部且与第一导电类型注入区、第二导电类型注入区以及导电多晶硅接触的金属电极，所述第二导电类型注入区下方形成第二导电类型增强区，所述第二导电类型增强区与第一沟槽之间有第一导电类型外延层相隔离，且所述第二导电类型增强区深度不低于所述第一沟槽深度。
优选地，所述第一沟槽底部周围形成第二导电类型副注入层。
优选地，所述第二导电类型增强区多子浓度高于第一导电类型外延层多子浓度。
优选地，所述第二导电类型增强区与金属电极接触。
优选地，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
优选地，所述第一导电类型外延层材料为硅、碳化硅或锗硅。
优选地，所述金属电极材料为铜、铝或金。
一种沟槽式超势垒整流器件的制造方法，包括以下步骤：
(1)提供第一导电类型衬底，并且在所述第一导电类型衬底上生长第一导电类型外延层，刻蚀第一导电类型外延层形成第一沟槽；
(2)在所述第一沟槽内形成栅绝缘层，并沉积导电多晶硅，填充第一沟槽；
(3)对相邻第一沟槽之间的第一导电类型外延层进行掺杂，形成第二导电类型注入区以及第二导电类型注入区上的第一导电类型注入区；
(4)刻蚀第一导电类型注入区以及第二导电类型注入区，形成第二沟槽；
(5)在所述第二导电类型注入区下形成第二导电类型增强区；
(6)沉积金属电极，覆盖第一导电类型注入区、第二导电类型注入区以及导电多晶硅。
优选地，形成栅绝缘层之前对第一沟槽底部进行掺杂，形成第二导电类型副注入层。
优选地，所述第二沟槽贯通第一导电类型注入区以及第二导电类型注入区。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
本发明沟槽式超势垒整流器件在所述第二导电类型注入区下方形成第二导电类型增强区，所述第二导电类型增强区与第一沟槽之间有第一导电类型外延层相隔离，使得正向导通电压不受第二导电类型增强区的影响，保持低正向导通压降性能，而通入反向电压时，第二导电类型增强区与第一导电类型外延层形成PN结，耗尽第一导电类型外延层，所述第二导电类型增强区深度不低于所述第一沟槽深度，使得反向电压下第一沟槽底部被有效耗尽，增加器件反向抗电压能力。
附图说明
图1为本发明实施例结构示意图；
图2为本发明实施例另一结构示意图；
图3-图8为本发明实施例制造过程示意图。
具体实施方式
下面结合附图以及实施例对本发明进行介绍，实施例仅用于对本发明进行解释，并不对本发明有任何限定作用。
如图1所示，本发明实施例沟槽式超势垒整流器件，包括，第一导电类型衬底10，所述第一导电类型衬底10上表面的第一导电类型外延层20，所述第一导电类型外延层20上表层中的第一沟槽30，填充所述第一沟槽30的导电多晶硅40，形成于所述第一沟槽30与导电多晶硅40之间的栅绝缘层50，相邻第一沟槽30之间的第二导电类型注入区60以及第二导电类型注入区60上的第一导电类型注入区70，位于所述第一导电类型外延层20上部且与第一导电类型注入区70、第二导电类型注入区60以及导电多晶硅40接触的金属电极80，所述第二导电类型注入区60下方形成第二导电类型增强区90，所述第二导电类型增强区90与第一沟槽30之间有第一导电类型外延层20相隔离，且所述第二导电类型增强区90深度不低于所述第一沟槽30深度。
本发明实施例第一导电类型可为N型，也可为P型，通常选用第一导电类型为N型，则第二导电类型为P型，第一导电类型衬底10相对第一导电类型外延层20具有高的掺杂浓度，可为单晶硅衬底，第一导电类型外延层20可以为硅、碳化硅或锗硅等外延层,金属电极80可为导电性能较佳的金属，例如铜、铝或金等。
本发明实施例沟槽式超势垒整流器件在所述第二导电类型注入区60下方形成第二导电类型增强区90，所述第二导电类型增强区90与第一沟槽30之间有第一导电类型外延层20相隔离，正向电压下，第二导电类型增强区90与第一导电类型外延层20形成的PN结正偏，正向导通电压不受第二导电类型增强区90的影响，可以保持低正向导通压降性能，而通入反向电压时，第二导电类型增强区90与第一导电类型外延层20形成PN结，耗尽第一导电类型外延层20，优选地，所述第二导电类型增强区90多子浓度高于第一导电类型外延层20多子浓度，使得耗尽层更多地向第一导电类型外延层20一侧延伸，所述第二导电类型增强区90深度不低于所述第一沟槽30深度，使得反向电压下第一沟槽30底部被有效耗尽，增加器件反向抗电压能力。
此外，如图2所示，本发明实施例所述第一沟槽30底部周围形成第二导电类型副注入层61，实施反向电压时，第二导电类型副注入层61与第一导电类型外延层20形成的PN结反偏耗尽，与第二导电类型增强区90与第一导电类型外延层20形成的PN结耗尽层相连，进一步增加沟槽底部抗压能力。
本发明实施例沟槽式超势垒整流器件的制造方法，包括以下步骤：
(1)如图3所示，提供第一导电类型衬底10，并且在所述第一导电类型衬底10上生长第一导电类型外延层20，刻蚀第一导电类型外延层20形成第一沟槽30；
所述第一导电类型衬底10是具有外延生长面，如(100)面的单晶硅衬底，在所述第一导电类型衬底10上外延生长第一导电类型外延层20；
在第一导电类型外延层20表面热氧化或者沉积形成绝缘层，如氧化硅层等，通过光刻、曝光、显影、去胶等光刻工艺流程，形成图案化的绝缘层，以之为掩膜，刻蚀第一导电类型衬底10，形成第一沟槽30。
(2)如图4所示，在所述第一沟槽30内形成栅绝缘层50，并沉积导电多晶硅40，填充第一沟槽30；
通过热氧化或沉积等方法在第一沟槽30内形成栅绝缘层50，然后沉积导电多晶硅40，填充第一沟槽30。
本发明实施例在栅绝缘层50之前还可以对第一沟槽30底部进行掺杂，如离子注入掺杂，并可以进行高温退火推进，在第一沟槽30底部四周形成第二导电类型副注入层61。
(3)如图5所示，对相邻第一沟槽30之间的第一导电类型外延层20进行掺杂，形成第二导电类型注入区60以及第二导电类型注入区60上的第一导电类型注入区70；
去除第(1)步形成的绝缘层，以第一沟槽30中的导电多晶硅40为掩膜，通过离子注入等掺杂方式对第一导电类型外延层20进行掺杂，形成第二导电类型注入区60以及第二导电类型注入区60上的第一导电类型注入区70，其中N型掺杂杂质可为磷或砷等，P型掺杂杂质可为硼等。
(4)如图6所示，刻蚀第一导电类型注入区70以及第二导电类型注入区60，形成第二沟槽；
制作掩膜版，刻蚀纵向并列排布的第一导电类型注入区70以及第二导电类型注入区60，形成第二沟槽，第二沟槽用来使第一导电类型注入区70以及第二导电类型注入区60与金属电极80电性连接，以便金属电极80对其施加电压。
(5)如图7所示，在所述第二导电类型注入区70下形成第二导电类型增强区90；
通过第(4)步中掩膜版，对第二沟槽底部进行离子注入掺杂，在所述第二导电类型注入区70下形成第二导电类型增强区90，之后可进行高温退火推进，第二沟槽可以贯通第一导电类型注入区70以及第二导电类型注入区60，此时所述第二导电类型增强区90与金属电极80接触，增加加在第二导电类型增强区90上的电场强度，增加第二导电类型增强区90与第一导电类型外延层20形成的PN结的耗尽。
(6)如图8所示，沉积金属电极80，覆盖第一导电类型注入区70、第二导电类型注入区60以及导电多晶硅40。
去除第(4)步中掩膜版，沉积金属电极80，覆盖第一导电类型注入区70、第二导电类型注入区60以及导电多晶硅40。
Claims (10)
1.一种沟槽式超势垒整流器件，包括：第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底上表面的第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层上表层中的第一沟槽，填充所述第一沟槽的导电多晶硅，形成于所述第一沟槽与导电多晶硅之间的栅绝缘层，相邻第一沟槽之间的第二导电类型注入区以及第二导电类型注入区上的第一导电类型注入区，位于所述第一导电类型外延层上部且与第一导电类型注入区、第二导电类型注入区以及导电多晶硅接触的金属电极，其特征在于：所述第二导电类型注入区下方形成第二导电类型增强区，所述第二导电类型增强区与第一沟槽之间有第一导电类型外延层相隔离，且所述第二导电类型增强区深度不低于所述第一沟槽深度。
2.如权利要求1所述的沟槽式超势垒整流器件，其特征在于：所述第一沟槽底部周围形成第二导电类型副注入层。
3.如权利要求1所述的沟槽式超势垒整流器件，其特征在于：所述第二导电类型增强区多子浓度高于第一导电类型外延层多子浓度。
4.如权利要求1所述的沟槽式超势垒整流器件，其特征在于：所述第二导电类型增强区与金属电极接触。
5.如权利要求1所述的沟槽式超势垒整流器件，其特征在于：所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
6.如权利要求1所述的沟槽式超势垒整流器件，其特征在于：所述第一导电类型外延层材料为硅、碳化硅或锗硅。
7.如权利要求1所述的沟槽式超势垒整流器件，其特征在于：所述金属电极材料为铜、铝或金。
8.一种沟槽式超势垒整流器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)提供第一导电类型衬底，并且在所述第一导电类型衬底上生长第一导电类型外延层，刻蚀第一导电类型外延层形成第一沟槽；
(2)在所述第一沟槽内形成栅绝缘层，并沉积导电多晶硅，填充第一沟槽；
(3)对相邻第一沟槽之间的第一导电类型外延层进行掺杂，形成第二导电类型注入区以及第二导电类型注入区上的第一导电类型注入区；
(4)刻蚀第一导电类型注入区以及第二导电类型注入区，形成第二沟槽；
(5)在所述第二导电类型注入区下形成第二导电类型增强区；
(6)沉积金属电极，覆盖第一导电类型注入区、第二导电类型注入区以及导电多晶硅。
9.如权利要求8所述的沟槽式超势垒整流器件的制造方法，其特征在于：形成栅绝缘层之前对第一沟槽底部进行掺杂，形成第二导电类型副注入层。
10.如权利要求8所述的沟槽式超势垒整流器件的制造方法，其特征在于：所述第二沟槽贯通第一导电类型注入区以及第二导电类型注入区。
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| CN101800252A (zh) * | 2010-03-04 | 2010-08-11 | 无锡新洁能功率半导体有限公司 | 沟槽型肖特基势垒整流器及其制造方法 |
| CN101853850A (zh) * | 2010-03-17 | 2010-10-06 | 无锡新洁能功率半导体有限公司 | 一种超势垒半导体整流器件及其制造方法 |
| CN104051546A (zh) * | 2014-06-03 | 2014-09-17 | 无锡昕智隆电子科技有限公司 | 一种功率二极管及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 王彩琳: "《电力半导体新器件及其制造技术》", 30 June 2015, 机械工业出版社 * |
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