CN106715117A - 阻气膜、电子器件及阻气膜的制造方法 - Google Patents
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Abstract
在具有有机层与无机层的层叠结构的阻气膜中，在有机层的形成面上形成识别标记。由此，在具有有机层与无机层的层叠结构的阻气膜中，该阻气膜具有利用于电子器件的制作等中的识别标记，并且能够防止因该识别标记引起的无机层的破损。
Description
技术领域
本发明涉及一种利用于电子器件的制造等中的阻气膜、利用该阻气膜的电子器件及该阻气膜的制造方法。
背景技术
在有机EL显示器等显示装置、半导体装置、太阳能电池等具有因水分而劣化的元件的各种电子器件；容纳因水分或氧而变质的药剂的输液袋；容纳同样因水分或氧而劣化的食品的管或包装袋等中利用阻气膜。
阻气膜中，作为一例具有如下结构：将聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜等树脂薄膜作为支撑体，在该支撑体上形成有包含具有阻气性的材料的阻气层。
例如，专利文献1中，作为包装袋用阻气膜(包装袋用层叠膜)，记载有层叠型阻气膜，该层叠型阻气膜在支撑体上具有印刷层，在印刷层上具有粘结层，在粘结层上具有阻气层，在阻气层上具有密封胶层。
并且，专利文献1中还记载有对支撑体实施用于使包装袋的开封性良好的伤痕加工。而且，专利文献1中还记载有在印刷层上形成用于对伤痕加工的形成位置进行定位的识别标记(注视标记(eye mark))。
这种阻气膜中，作为可得到更高的阻气性的结构，已知有具有有机无机层叠结构的阻气膜，该有机无机层叠结构通过交替形成成为基底层(底涂层)的有机层和包含形成于该有机层上的无机化合物的无机层而成。该阻气膜中的阻气性主要在无机层显现。
具有有机无机层叠结构的阻气膜通过具有成为基底层的有机层而能够将显现阻气性的无机层作为连续膜而适当地形成，因此具有非常高的阻气性。并且，还已知通过具有多个有机层与无机层的层叠结构，可得到更高的阻气性。
作为具有有机无机层叠结构的阻气膜，例如专利文献2中记载有如下阻气膜(阻隔性薄膜基板)：在塑料薄膜的表面具有包含至少一层有机层和至少两层无机层的有机层与无机层的交替层叠体，有机层包含选自聚脲、聚氨酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚丙烯酸酯及聚丙烯酸甲酯中的一种以上的有机化合物，并且有机化合物的99.5质量％以上在25℃下为固体。
然而，有机电致发光器件(有机EL器件)或太阳能电池等电子器件通常形成在玻璃基板上。
相对于此，近年来，可实现轻量性和柔性优异的电子器件，因此开始将树脂薄膜用作基板。通过将树脂薄膜用作电子器件的基板，能够以辊对辊(Roll to Roll)的方式制作，因此在生产效率和生产成本方面也有利。
在此，通常有机EL器件或太阳能电池的耐水性较弱，容易因水分而劣化。因此，将阻气膜作为基板而制作有机EL器件等，由此还可考虑到防止水分的进入。
例如，上述专利文献2中记载有将具有有机无机层叠结构的阻气膜作为基板而制作有机EL器件的内容。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-102048号公报
专利文献2：日本特开2007-30387号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
为了将具有有机无机层叠结构的阻气膜作为基板而制作电子器件，需要形成如专利文献1中所述的识别标记，以使进行元件的形成部件的对位等。
然而，具有有机无机层叠结构的阻气膜中，主要显现阻气性的无机层较硬且较脆。因此，根据识别标记的形成位置，无机层中应力集中在局部而导致损伤无机层，且导致阻气性大幅降低。
并且，用作电子器件的基板的阻气膜中并不存在如专利文献1所示的包装袋用阻气膜那样可形成识别标记的印刷层。
本发明的目的在于解决这种以往技术的问题点，且在于提供一种阻气膜、利用该阻气膜的电子器件及该阻气膜的制造方法，该阻气膜可较佳地利用于如有机EL器件的电子器件的制造等，且具有识别标记，其中，该阻气膜具有基于有机无机层叠结构的较高的阻气性，而且还可防止由识别标记引起的无机层的损伤。
用于解决技术课题的手段
为了解决该课题，本发明提供一种阻气膜，该阻气膜的特征在于，具有：支撑体；有机无机层叠结构，形成在支撑体上且具有至少一层有机层及至少一层无机层，并交替层叠有机层及无机层而成；及识别标记，形成于至少一层有机层的形成面。
这种本发明的阻气膜中，优选在支撑体的表面形成识别标记及有机层。
并且，优选形成于识别标记的形成面的有机层吸收因识别标记而产生的凹凸而具有平坦的表面。
并且，优选形成于识别标记的形成面的有机层具有识别标记的两倍以上的厚度。
而且，优选识别标记的厚度为200nm以下，且形成于识别标记的形成面的有机层的厚度为500nm以上。
并且，本发明提供一种电子器件，其特征在于，在本发明的阻气膜上形成有构成电子器件的电子元件。
并且，本发明提供一种阻气膜的制造方法，其特征在于，在支撑体上形成有机无机层叠结构，并且在形成至少一层有机层之前，在有机层的形成面形成识别标记，该有机无机层叠结构具有至少一层有机层和至少一层无机层，且交替层叠有机层和无机层而成。
这种本发明的阻气膜的制造方法中，优选在支撑体形成识别标记及有机层。
并且，优选通过利用组合物的涂布法来形成有机层，该组合物包含聚合性化合物。
发明效果
根据本发明，在具有显现较高的阻气性的有机无机层叠结构的阻气膜中，形成有识别标记，并且识别标记被有机层覆盖，因此能够防止由于识别标记引起无机层中应力集中在局部而无机层受损。
从而，根据本发明，能够利用形成有识别标记且具有较高的阻气性的阻气膜而制造有机EL器件等电子器件。
附图说明
图1为示意性地表示本发明的阻气膜的一例的图。
图2(A)及图2(B)为示意性地表示本发明的阻气膜另一例的图。
图3为示意性地表示本发明的阻气膜的另一例的图。
图4(A)及图4(B)为示意性地表示以往的阻气膜的一例的俯视图，图4(C)为示意性地表示本发明的阻气膜的一例的俯视图。
图5(A)为示意性地表示以往的阻气膜的一例的图，图5(B)为示意性地表示本发明的阻气膜的一例的图。
具体实施方式
以下，根据附图中所表示的较佳实施例，对本发明阻气膜、电子器件及阻气膜的制造方法进行详细说明。
图1中示意性地表示本发明的阻气膜的一例。
图1所示的阻气膜10基本上具有如下而构成，即支撑体12、形成于支撑体12的表面的第一层有机层14、形成于有机层14的表面的第一层无机层16、形成于第一层无机层16的表面的第二层有机层14、形成于第二层有机层14的表面的第二层无机层16。并且，在支撑体12的表面形成有识别标记20。
以下将进行详细说明，形成于无机层16的底层的有机层14作为用于适当形成无机层16的基底层(底涂层)而发挥作用。即，图1所示的阻气膜10具有两组成为基底的有机层14和在其上的无机层16的组合。
另外，本发明的阻气膜并不限定于该结构，若具有交替形成有机层14和无机层16的有机无机层叠结构，则可利用各种结构。
例如，如图2(A)中示意性地表示的阻气膜30，可以在最上层具有第三层有机层14。该情况下，最上层的有机层14作为用于保护无机层16的保护层而发挥作用。
或者，如图2(B)中示意性地表示的阻气膜32，可以为仅具有一组无机层16和成为基底的有机层14的组合的结构。或者，可以为具有三组以上的无机层16和成为基底的有机层14的组合的结构。
而且，还可以为在支撑体12上形成无机层16，并在其上具有一组以上的无机层16和成为基底的有机层14的组合的结构。有机层14基本上通过涂布法形成，但在形成有机层14的组合物中包含溶解支撑体12的成分的情况下，通过该结构能够保护支撑体12。
阻气膜10中，关于支撑体12，并不限定于具有有机无机层叠结构的阻气膜，还可以利用在各种阻气膜或各种层叠型阻气膜中作为支撑体而利用的各种公知的片状物。
作为支撑体12，具体而言，优选例示包含聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯腈、聚酰亚胺、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯等各种树脂材料(高分子材料)的薄膜。
并且，本发明中，可以将在这种树脂材料制薄膜的表面形成有保护层、粘结层、反光层、防反射层、遮光层、平坦化层、缓冲层、应力缓和层等用于获得各种功能的层(膜)的物体用作支撑体12。
图1(图2(A)及图2(B))所示的阻气膜10中，在支撑体12的表面即有机层14的形成面形成识别标记20。识别标记20使用于在阻气膜10的表面或背面形成电子器件等的图案时，在阻气膜10的表面或背面层叠其他基材等时等的对位等。
关于识别标记20，在以下进行详细说明。
另外，本例中，阻气膜10的表面为形成有机层及无机层的一侧，背面为未形成有机层及无机层的一侧。
阻气膜10具有两层有机层14。如图示例，形成于无机层16的下侧的有机层14作为用于适当形成显现阻气性的无机层16的基底层而发挥功能。
通过具有成为这种基底层的有机层14，包埋支撑体12的表面的凹凸、粘附在支撑体12的表面的杂质等而可将无机层16的成膜面设成适合无机层16的成膜的状态。由此，可去除如支撑体12的表面的凹凸或杂质的痕迹等成为无机层16的无机化合物不易附着膜的区域，且可在基板的整个表面，无间隙地形成适当的无机层16。
另外，如图2(A)所示的阻气膜30，形成于阻气膜的表面(最表层)的有机层14作为用于保护无机层16的保护层(外涂层)而发挥作用的情况如上述。
有机层14为包含有机化合物的层，基本上是聚合单体或低聚物等而成。有机层14的形成材料并无限定，可利用各种公知的有机化合物。
具体而言，优选例示聚酯、丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、甲基丙烯酸-马来酸共聚物、聚苯乙烯、透明氟树脂、聚酰亚胺、氟化聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、纤维素酰化物、聚氨酯、聚醚醚酮、聚碳酸酯、脂环式聚烯烃、聚芳酯、聚醚砜、聚砜、芴环改性聚碳酸酯、脂环改性聚碳酸酯、芴环改性聚酯、丙烯酸化合物等热塑性树脂或聚硅氧烷、其他有机硅化合物的膜。该些可以并用多种。
其中，从玻璃化转变温度或强度优异等方面考虑，优选由自由聚合性化合物和/或于官能团具有醚基的阳离子聚合性化合物的聚合物构成的有机层14。
其中，除了上述玻璃化转变温度或强度优异以外，从折射率较低，透明性较高的光学特性优异等方面考虑，尤其优选例示以丙烯酸酯和/或丙烯酸甲酯的单体或低聚物等的聚合物为主成分的丙烯酸树脂或甲基丙烯酸树脂来作为有机层14。
其中，尤其优选例示二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯(DPGDA)、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯(TMPTA)、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯(DPHA)等以2官能以上、尤其3官能以上的丙烯酸酯和/或丙烯酸甲酯的单体或低聚物等的聚合物为主成分的丙烯酸树脂或甲基丙烯酸树脂。并且，优选使用多种这种丙烯酸树脂或甲基丙烯酸树脂。
另外，除了这种主要成为有机层14的有机化合物以外，有机层14还可以含有溶剂、表面活性剂、聚合引发剂、硅烷偶联剂等各种成分。
在此，有机层14优选不包含溶解后述的溶解识别标记20的成分。
有机层14的厚度并无限定，优选设为500～5000nm。
通过将有机层14的厚度设为500nm以上，能够包埋支撑体12的表面的凹凸或粘附于支撑体12的表面的杂质而将有机层14的表面，即无机层16的成膜面平坦化。
并且，通过将有机层14的厚度设为5000nm以下，能够较佳地抑制产生因有机层14过厚而引起的有机层14的龟裂和阻气膜10的翘曲等问题。
考虑到以上方面，有机层14的厚度更优选设为1000～3000nm。
在此，在形成有识别标记20的层表面所形成的有机层14，换言之，覆盖识别标记20的有机层14优选包埋因识别标记20引起的形成面的段差而其表面平坦。
而且，为了形成平坦的有机层14，覆盖识别标记20的有机层14优选具有识别标记20的厚度的两倍以上的厚度。即，图1所示的阻气膜10中，形成于支撑体12的表面的有机层14优选具有识别标记20的厚度的两倍以上的厚度。
通过将覆盖识别标记20的有机层14的厚度设为识别标记20的厚度的两倍以上，能够吸收因具有识别标记20而产生的支撑体12的凹凸而使该有机层14的表面平坦。由此，能够在覆盖识别标记20的有机层14上适当形成无机层16。
具体而言，覆盖识别标记20的有机层14的厚度优选500nm以上，更优选1000nm以上，进一步优选2000nm以上。
将进行后述，识别标记20的厚度优选200nm以下。因此，通过将覆盖识别标记20的有机层14的厚度设为500nm以上，能够进一步较佳地吸收因具有识别标记20而产生的支撑体12的凹凸来使该有机层14的表面平坦。
另外，本发明中，覆盖识别标记20的有机层14的表面平坦表示，作为一例，在以识别标记20为中心的半径1mm的范围内，有机层14表面的最高位置与最低位置的高度差为100nm以下。
并且，以识别标记20为中心的半径1mm的范围是指具有与内切识别标记20的圆的中心相同的中心的半径1mm的圆的内侧。
这种表面平坦的有机层14可使用将上述TMPTA等聚合性化合物溶解于溶剂而成的液状组合物，并通过形成包含有机化合物的层的所谓涂布法而形成。
本发明中，如图1所示的阻气膜10，具有多个有机层14的情况下，各有机层14的厚度可以相同，也可以彼此不同。并且，各有机层14的形成材料可以相同也可以不同。
无机层16为包含无机化合物的层。
阻气膜10中的阻气性主要由无机层16显现。
无机层16的形成材料并无限定，可利用各种包含显现阻气性的无机化合物的层。
具体而言，优选例示包含氧化铝、氧化镁、氧化钽、氧化锆、氧化钛、氧化铟锡(ITO)等金属氧化物；氮化铝等金属氮化物；碳化铝等金属碳化物；氧化硅、氧化氮化硅、氧碳化硅、氧化氮化碳化硅等硅氧化物；氮化硅、氮化碳化硅等硅氮化物；碳化硅等硅碳化物；它们的氢化物；它们的两种以上的混合物；及它们的含氢化合物等无机化合物的膜。
尤其，氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氧化铝从透明性较高并且能够显现优异的阻气性的方面考虑，优选利用。其中，氮化硅除了阻气性优异以外，透明性也较高，因此尤其优选利用。
关于无机层16的膜厚，根据形成材料，适当确定能够显现作为目标的阻气性的厚度即可。另外，根据本发明人的研究，无机层16的厚度优选设为10～200nm。
通过将无机层16的厚度设为10nm以上，可形成稳定地显现充分的阻气性的无机层16。并且，无机层16通常较脆，若过厚则有可能产生龟裂或裂纹、剥离等，从而通过将无机层16的厚度设为200nm以下，能够防止产生龟裂。
并且，考虑到这种方面，无机层16的厚度优选设为15～100nm，尤其优选设为20～75nm。
另外，本发明中，如图1所示的阻气膜10或图2(A)所示的阻气膜30，具有多个无机层16的情况下，各无机层16的厚度可以相同也可以不同。并且，同样地，阻气膜具有多个无机层16的情况下，各无机层16的形成材料可以相同也可以不同。
阻气膜10在支撑体12的表面具有识别标记20。
阻气膜10中，在将阻气膜10用作基板的电子器件的制造等中，识别标记20可利用于各种用途。
作为一例，识别标记20可利用于通过辊对辊(Roll to Roll)等沿长边方向输送长条状阻气膜10时的阻气膜10的蛇行(meandering)的控制等。以下的说明中，还将“辊对辊”称为“RtoR”。
并且，识别标记20可利用于施加张力的情况等阻气膜10变形时的张力或变形的控制。
并且，将阻气膜10作为基板的电子器件的制造中，识别标记20还可利用于形成构成电子器件的电子元件等的一种或多种图案等时的元件等的形成位置的对位、阻气膜10的变形测定或校正、阻气膜10与图案等的形成装置之间的间隙的测定或控制等中。
并且，识别标记20还可利用于进行阻气膜10彼此的贴合或阻气膜10与其他基材的贴合等时的对位、对时、间隙的控制等中。
而且，识别标记20还可利用于阻气膜10的制造信息或长条状阻气膜10的长边方向上的位置信息的获取等。
即，本发明的阻气膜10中，识别标记20可利用于各个部件的对位或输送的控制，各种信息的提供等，也可作为成为电子器件等的制造中的位置的基准的所谓全球对准标记而利用。
本发明的阻气膜10中，利用于这种用途的识别标记20形成于有机层14的形成面。换言之，本发明的阻气膜10中，在识别标记20的形成面形成有机层14。即，识别标记20被有机层14覆盖。
如图1所示的阻气膜10，优选在支撑体12形成识别标记20及有机层14。
本发明中，通过具有这种结构，在具有有机无机层叠结构的阻气膜中，实现了可作为有机EL器件等的基板而较佳地利用的阻气膜。
如上述，作为阻气性较高的阻气膜，已知有具有交替形成显现阻气性的无机层16和成为该无机层的基底层的有机层14而成的有机无机层叠结构的阻气膜。并且，还可考虑将具有有机无机层叠结构的阻气膜用作有机EL器件等电子器件的基板。
为了将具有有机无机层叠结构的阻气膜用作电子器件的基板，需要形成用于进行构成电子器件的电子元件的图案的定位的对准标记等识别标记。
在具有有机无机层叠结构的阻气膜形成识别标记的情况下，通常考虑在表面或背面形成识别标记。即，若为图1所示的阻气膜10，则考虑在最表层的无机层16的表面或支撑体12的背面形成识别标记。
然而，根据本发明人的研究，若在阻气膜10的表面或背面形成识别标记20，则由于因识别标记20而产生的凹凸，在电子器件的制造工序或操作时的物理接触、伴随电子器件的制造时的加热的工序或药液工序等中，有可能对无机层16的局部施加力或应力，从而导致损伤无机层16。
具有有机无机层叠结构的阻气膜10中，显现阻气性的为无机层16。因此，若无机层16受损，则导致阻气性降低。
并且，如图4(A)及图5(A)中示意性表示，将阻气膜10使用于电子器件的基板的情况下，为了避免因无机层16受损而引起的阻气性降低的影响，考虑在识别标记20与电子器件的形成区域DA或密封端部P之间设置裕度空间。即，考虑将电子器件的形成间隔设为较宽，并将电子器件的形成区域DA或密封端部P与识别标记20之间的间隔设为较宽，从有可能因识别标记20而无机层16受损且以虚线表示的区域d去除形成区域DA或密封端部P。
然而，在该情况下，电子器件的成品效率即面积使用效率变差而导致电子器件的制造成本增大。
为了使电子器件的成品效率良好，如图4(B)中示意性表示，还可考虑减少识别标记20的数量。
然而，如上述若减少识别标记20的数量，则导致构成电子器件的各图案之间的对位精度或薄膜等的贴合位置精度降低。
另外，图4(A)～图4(C)、图5(A)及图5(B)中，符号C为各电子器件各自的切断部。
并且，图5(A)及图5(B)中，符号36为密封部件，符号38为密封薄膜。而且，图5(A)中，左侧电子器件的密封部件36例示边缘密封，右侧电子器件的密封部件36例示整面密封。
在阻气膜10的表面或背面形成识别标记20的情况下，考虑以无机层16不受损的方式进行之后的工序。然而，该情况下，为了以无机层16不受损的方式进行之后的工序，因各种工序或设备的制约而有可能增加电子器件等的生产成本。
而且，阻气膜10通过RtoR制造的情况较多，并且利用通过RtoR制造的阻气膜10的电子器件的制造工序等中利用RtoR的情况也较多。在此，若在表面或背面具有识别标记20，则由于因识别标记而产生的凹凸，卷绕阻气膜10时，在宽度方向上只有识别标记的形成位置隆起而无法进行均匀的卷取。
相对于此，关于本发明的阻气膜10，在具有有机无机层叠结构的阻气膜中，覆盖识别标记20而形成有机层14。
因此，本发明的阻气膜10中，可由有机层14包埋因具有识别标记20而产生的凹凸。因此，物理接触、伴随加热的工序或药液工序中，防止对无机层16的局部施加力或应力，从而防止无机层16受损。并且，通过RtoR卷绕时，也可均匀地卷绕阻气膜10。
而且，本发明的阻气膜10中，确保了识别标记20的形成位置和其周边的平坦性及阻气性。因此，如图4(C)及图5(B)中示意性表示将阻气膜10使用于有机EL器件等电子器件的基板时，能够将电子器件的形成区域DA或密封端部P与识别标记20之间的间隔最小化。其结果，能够提高电子器件的成品效率，并降低电子器件的制造成本。而且，无需减少识别标记20的数量，因此能够以高精度进行构成电子器件的各图案之间的对位、薄膜等的贴合。并且，还能够防止因无机层16的损伤而产生的水分等对电子器件产生的不良影响。
有机层14与无机层16的层叠方向上的识别标记20的形成位置并不限定于图1所示的支撑体12的表面。
即，若为有机层14的形成面，则识别标记20可形成于层叠方向上的各层。例如，如图3中示意性表示，可以在第一层无机层16的表面形成识别标记20及第二层有机层14。或者，可以在不同的多个层中形成识别标记20。
但是，考虑到识别标记20的形成容易性、防止无机层16受损等，如图1所示，识别标记20优选仅在支撑体12形成而在支撑体12的表面形成有机层14。
阻气膜10的面方向上的识别标记20的形成位置、数量及大小根据阻气膜10的用途、阻气膜10的大小、后工序中的狭缝宽度、电子器件的布置、识别标记20的用途、识别标记20的形状、识别标记检测机的能力等适当设定即可。另外，利用RtoR的情况下，阻气膜10的大小是指阻气膜10的宽度。
识别标记20的形状可根据识别标记20的用途等而使用记号、数字、文字、图案化的花样、未图案化的花样等各种形状。
作为一例，将识别标记20用作对位，即所谓的对准标记的情况下，例示十字、印刷等中所使用的规矩线、四边形等多边形、圆或椭圆或点、莫尔条纹干涉图案等。
将识别标记20用作薄膜的变形量测定用标记的情况下，例示十字、印刷等中所使用的规矩线、四边形等多边形、圆或椭圆或点、莫尔条纹干涉图案等。
将识别标记20利用于间隙控制的情况下，例示各种形状的光反射性区域、莫尔条纹图案等。
而且，将识别标记用作制造信息、工序条件信息、长边的位置信息的各种信息源的情况下，例示文字、数字、各种记号等。
识别标记20的形成材料可利用在对准标记等中所利用的公知的各种材料。因此，识别标记20的形成材料中可利用在各种对准标记等中所利用的各种公知的具有光吸收性或光反射性的材料或公知的透明、半透明的材料。
作为一例，作为具有光吸收性或光反射性的材料，例示铬、铝等各种金属材料、各种油墨等。并且，作为透明、半透明材料，例示氧化铟锡(ITO)或氧化锌等透明导电性材料或氧化硅、氧化铝、氮化硅等介电质材料等。
另外，识别标记20通常由可通过可见光检测的材料形成。然而，根据需要，可以由仅以特定波长光可检测的材料形成识别标记20，如仅以红外线可检测的材料、仅以紫外线可检测的材料等。
识别标记20的厚度根据覆盖识别标记20的有机层14的厚度、阻气膜10的厚度、层叠方向上的识别标记20的位置、阻气膜10的面方向上的识别标记20的位置等适当设定即可。
在此，如上述，识别标记20的厚度优选为有机层14的1/2以下。由此，通过吸收因具有识别标记20而产生的支撑体12的凹凸，可在工序中使覆盖识别标记20的有机层14的表面平坦化。
具体而言，识别标记20的厚度优选为200nm以下，更优选为100nm以下，进一步优选为50nm以下。如上述，覆盖识别标记20的有机层14的厚度优选为500nm以上。因此，将识别标记20的厚度设为200nm以下，由此通过吸收因具有识别标记20而产生的支撑体12的凹凸而可进一步较佳地使覆盖识别标记20的有机层14的表面平坦。
并且，识别标记20的厚度优选还考虑识别标记20的形成材料来设定。作为一例，在识别标记20的形成材料为金属等具有光吸收性或光反射性的材料的情况下，识别标记20的厚度优选为30nm以上。并且，识别标记20的形成材料为介电质等透明、半透明的材料的情况下，识别标记20的厚度优选为150nm以上。
根据识别标记的形成材料设定识别标记20的厚度，由此能够可靠地检测识别标记20等，因此优选。
而且，识别标记并不限定于如图示例那样的凸状，也可以为凹状。
识别标记为凹状的情况下，上述识别标记20的厚度可以取代识别标记的深度。并且，可使用金属材料或油墨对凹状识别标记标颜色。
本发明的电子器件为如下：在这种本发明的阻气膜10(30、32)的表面或背面或两面形成构成有机EL器件的有机EL元件、构成太阳能电池的光电转换元件等构成电子器件的电子元件而成。
本发明的电子器件可利用所有的公知的各种电子器件。具体而言，例示有机EL器件、太阳能电池、电子纸、电致变色器件、触摸面板等。
这种电子器件通过公知的方法制作即可。
另外，本发明的阻气膜10具有识别标记20，因此能够使用其来进行构成电子元件的图案的形成位置的定位或RtoR中的阻气膜10的蛇行的控制。因此，根据本发明，可稳定地得到适当的电子器件。
以下，通过对图1所示的阻气膜10的制造方法的一例进行说明来对本发明的阻气膜的制造方法进行说明。
另外，本发明的制造方法中，可以通过RtoR制作阻气膜10或者还可以使用切片状支撑体12并由所谓的单片式(批量式)来形成阻气膜10。
如众所周知，RtoR是指如下制作方法：从将长条状被成膜材料卷绕成辊状而成的材料辊送出被成膜材料，并将被成膜材料沿长边方向输送的同时进行成膜，将已成膜的被成膜材料再次卷绕成辊状。考虑到生产性，本发明的制造方法中优选利用RtoR。
另外，以下所示的制作方法中，通过RtoR形成的阻气膜与通过单片式形成的阻气膜基本上相同。
首先，在支撑体12的一面的规定位置形成识别标记20。
识别标记20根据形成材料而通过公知的方法形成即可。
例如，以金属形成识别标记20的情况下，例示基于使用掩膜的金属膜的成膜的形成方法；在支撑体12形成金属膜之后，利用光刻等进行蚀刻的形成方法；基于使用金属浆料等的印刷的形成方法等。另外，金属膜的成膜通过真空蒸镀、溅射、等离子体CVD等公知的气相沉积法形成即可。
并且，以油墨形成识别标记20的情况下，通过凸版印刷、凹版印刷、网版印刷、喷墨等公知的印刷方法形成识别标记20即可。
接着，在支撑体12的形成有识别标记20的一面形成有机层14。
有机层14根据欲形成的有机层14而通过公知的方法形成即可。作为一例，有机层14通过如下所谓的涂布法形成：制备包含有机溶剂、成为有机层14的聚合性化合物(单体、二聚体、三聚体、低聚物、聚合物等)、表面活性剂、硅烷偶联剂等的组合物，并将该涂布液进行涂布、干燥，进而根据需要通过紫外线照射等聚合(交联)聚合性化合物。
在此，如上述，有机层14优选不包含溶解识别标记20的成分。因此，通过涂布法形成有机层14的情况下，优选使用不溶解识别标记20的溶剂来制备成为有机层14的组合物。并且，除了溶剂以外，成为有机层14的组合物优选还不包含溶解识别标记20的成分。
接着，在有机层14的表面形成无机层16。
无机层16也根据欲形成的无机层16而通过公知的方法形成即可。作为一例，无机层16通过CCP-CVD或ICP-CVD等的等离子体CVD、磁控溅射或反应性溅射等溅射、真空蒸镀等气相成膜法形成。
接着，在无机层16表面，以与上述相同的方式形成第二层有机层14。另外，该第二层有机层14可以使用包含溶解识别标记的溶剂等的组合物来形成。
而且，在第二层有机层14的表面，以与上述相同的方式形成第二层无机层16来制作阻气膜10。
通过进一步重复进行该有机层14与无机层16的形成，可得到具有三组以上的基底的有机层14和无机层16的组合的阻气膜。并且，可以在最上层，以相同的方式形成用于保护无机层16的有机层14。
另外，制作图3所示的阻气膜32的情况下，在支撑体12的表面不形成识别标记20，而形成第一层有机层14及无机层16之后，在第一层无机层16的表面，以与上述相同的方式形成识别标记20。
接着，在形成有识别标记20的无机层16上，以与上述相同的方式形成第二层有机层14及无机层16即可。
以上，对本发明的阻气膜、电子器件及阻气膜的制造方法进行了详细说明，但本发明并不限定于上述实施例，在不脱离本发明的宗旨的范围内，可进行各种改良或变更。
实施例
以下，举出本发明的具体实施例来对本发明进行进一步详细的说明。
[实施例1]
制作了在支撑体12上具有识别标记20、第一层有机层14、第一层无机层16、第二层有机层14及第二层无机层16的如图1所示的阻气膜10。
支撑体12使用了宽度1000mm、厚度100μm、长度100m的PET薄膜(TOYOBO CO.,LTD.制COSMOSHINE A4300)。
＜识别标记20的形成＞
将支撑体12的辊装填于通过真空蒸镀进行成膜的基于RtoR的通常的成膜装置的规定位置，并将支撑体12插入到规定的输送路径中。使用该装置在整个支撑体12形成厚度200nm的铝膜并卷绕成辊状。
接着，将形成有铝膜的支撑体12的辊装填于具有抗蚀剂涂布/干燥部的基于RtoR的通常的装置的规定位置，并将支撑体12插入到规定的输送路径中。使用该装置，在形成于支撑体12的铝膜上形成厚度500nm的抗蚀剂膜并卷绕成辊状。
而且，将形成有抗蚀剂膜的支撑体12的辊装填于通过光刻法形成图案的基于RtoR的通常的装置的规定位置，并将支撑体12插入到规定的输送路径中，该装置具有接触曝光部、显影部、冲洗部、蚀刻部、清洗部及干燥部。使用该装置，在支撑体12表面形成包含铝的厚度200nm的识别标记20并卷绕成辊状。
识别标记20的形状为十字形，线宽度为50μm，纵横长度为250μm。
识别标记20在支撑体12的宽度方向上以20cm的间隔、在支撑体12的长边方向上以30cm的间隔形成。
＜第一层有机层14的形成＞
对TMPTA(DAICEL CYTEC CO.制)及光聚合引发剂(LAMBERTI公司制、ESACUREKTO46)进行称量，以使质量比成为95:5，将这些溶解于MEK后制备了用于形成有机层14的固体成分浓度15质量％的组合物。
将该涂布液填充于基于RtoR的通常的成膜装置的涂布部的规定位置，该装置具有基于模涂布机的涂布部、基于温风的干燥部及基于紫外线照射的固化部。并且，将已卷取形成有识别标记20的支撑体12的辊装填于该成膜装置的规定位置并将支撑体12插入到规定的输送路径中。
成膜装置中，将形成有识别标记20的支撑体12沿长边方向输送的同时通过模涂布机涂布涂布液，并使其经3分钟通过50℃的干燥部。然后，照射紫外线(累积照射量约600mJ/cm2)之后，通过UV固化来使其固化并卷绕，在支撑体12的形成有识别标记20的面形成有机层14并卷绕成辊状。有机层14的厚度为2000nm。
＜第一层无机层16的形成＞
将形成有有机层14的支撑体12的辊装填于通过CCP-CVD(容量结合型等离子体CVD)而进行成膜的、基于RtoR的通常的CVD成膜装置的规定位置，并将支撑体12插入到规定的输送路径中。
该CVD成膜装置中，沿长边方向输送形成有有机层14的支撑体12的同时在有机层14上，作为无机层16而形成氮化硅膜并卷绕成辊状。
原料气体使用硅烷气体(流量160sccm)、氨气(流量370sccm)、氢气(流量590sccm)及氮气(流量240sccm)。电源使用频率13.56MHz的高频电源，并将等离子体激发功率设为800W。将成膜压设为40Pa。无机层16的膜厚为30nm。
＜第二层有机层14及无机层16的形成＞
改变厚度，除此以外，以与上述相同的方式，在第一层无机层16上形成第二层有机层14，而且以与上述相同的方式在第二层有机层14上形成了第二层无机层。第二层有机层14的膜厚为1000nm，且第二层无机层的膜厚为30nm。
[比较例1]
不在支撑体12的表面形成识别标记20，除此以外，以与实施例1相同的方式，制作了将有机层14和无机层16交替形成各两层的阻气膜。
[比较例2]
不在支撑体12的表面形成识别标记20，并以与实施例1相同的方式，制作将有机层14和无机层16交替形成各两层的阻气膜，并以与实施例1相同的方式，在第二层(最表层)无机层16的表面形成了识别标记20。
[阻气性试验]
通过钙测定方法测定了已制作的阻气膜的水蒸气渗透率。具体而言，利用G.NISATO、P.C.P.BOUTEN、P.J.SLIKKERVEER等SID Conference Record of theInternational Display Research Conference 1435-1438页中所记载的方法测定了水蒸气渗透率[g/(m2·day)]。
其结果，实施例1的阻气膜10的水蒸气渗透率为6.2×10-6g/(m2·day)。
并且，比较例1的阻气膜的水蒸气渗透率为5.8×10-6g/(m2·day)。
而且，比较例2的阻气膜的水蒸气渗透率为2.8×10-4g/(m2·day)。
即，本发明的阻气膜10尽管具有识别标记20，但具有与比较例1的阻气膜相同的阻气性，该比较例1的阻气膜具有不具有识别标记20的通常的有机无机层叠结构。相对于此，在表面形成有识别标记20的比较例2的阻气膜由于识别标记20而导致无机层16受损，与其他两个相比，认为阻气性被降低。
从以上的结果，明确了本发明的效果。
符号说明
10、30、32-阻气膜
12-支撑体
14-有机层
16-无机层
20-识别标记
36-密封部件
38-密封薄膜
Claims (9)
1.一种阻气膜，其特征在于，具有：
支撑体；
有机无机层叠结构，其形成于所述支撑体上且具有至少一层有机层及至少一层无机层，由所述有机层及无机层交替层叠而成；及
识别标记，其形成于至少一层所述有机层的形成面上。
2.根据权利要求1所述的阻气膜，其中，
在所述支撑体的表面上形成有所述识别标记及所述有机层。
3.根据权利要求1或2所述的阻气膜，其中，
形成于所述识别标记的形成面上的有机层吸收因所述识别标记而产生的凹凸而具有平坦的表面。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的阻气膜，其中，
形成于所述识别标记的形成面的有机层具有所述识别标记的两倍以上的厚度。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的阻气膜，其中，
所述识别标记的厚度为200nm以下，且形成于所述识别标记的形成面的有机层的厚度为500nm以上。
6.一种电子器件，其特征在于，
在权利要求1至5中任一项所述的阻气膜上形成有构成电子器件的电子元件。
7.一种阻气膜的制造方法，其特征在于，
在支撑体上形成有机无机层叠结构，该有机无机层叠结构具有至少一层有机层和至少一层无机层，由所述有机层和无机层交替层叠而成，
在形成至少一层所述有机层之前，在所述有机层的形成面上形成识别标记。
8.根据权利要求7所述的阻气膜的制造方法，其中，
在所述支撑体上形成所述识别标记及所述有机层。
9.根据权利要求7或8所述的阻气膜的制造方法，其中，
通过利用了组合物的涂布法来形成所述有机层，该组合物包含聚合性化合物。
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