CN106712517A - 一种谐振双向变换电路以及变换器 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种谐振双向变换电路以及变换器,谐振双向变换电路包括原边电容、三个原边桥臂、三个三端口谐振腔、三个变压器、三个副边桥臂以及副边电容;每个所述三端口谐振腔的第一端口与对应的所述原边桥臂连接,每个所述三端口谐振腔的第二端口与对应的所述原边桥臂的接地端连接,每个所述三端口谐振腔的第三端口与对应的所述变压器连接,每个所述副边桥臂的两端分别与所述副边电容的两端相连,每个所述变压器分别与对应的所述副边桥臂连接。通过本实施例所提供的谐振双向变换电路可实现双向变换,且整流增益曲线与逆变增益曲线几乎一致,控制简单、可靠性高,还可实现天然的均流,避免增加额外的均流电路,降低成本。
Description
技术领域
本发明涉及电子技术领域,尤其涉及的是一种谐振双向变换电路以及变换器。
背景技术
为了做大功率、高效、高密整流器,多相谐振变换器已经得到越来越多的应用。在光伏逆变器、通信能源、电动车领域,多相谐振变换器也有越来越多的应用需求。
以下结合图1所示对现有技术所示的三相谐振变换器进行说明,该三相谐振变换器包括三个原边桥臂101、三个两端口谐振腔102、三个变压器103、三个副边桥臂104。
现有技术所提供的三相谐振变换器可以实现能量的双向变换,但是如图2所示,图1所提供的三相谐振变换器整流时的增益曲线201与逆变时的增益曲线202不一致,并且逆变增益曲线不单调,导致控制复杂、可靠性低。
发明内容
本发明实施例提供了一种能够解决整流增益曲线与逆变增益曲线不一致问题的谐振双向变换电路以及变换器。
本发明实施例的第一方面提供了一种谐振双向变换电路,包括:原边电容、三个原边桥臂、三个三端口谐振腔、三个变压器、三个副边桥臂以及副边电容;
每个所述原边桥臂的两端分别与所述原边电容的两端相连,三个所述原边桥臂和三个所述三端口谐振腔分别一一对应,三个所述变压器的原边绕组和三个所述三端口谐振腔分别一一对应;
每个所述三端口谐振腔有三个端口,每个所述三端口谐振腔的第一端口与对应的所述原边桥臂连接,每个所述三端口谐振腔的第二端口与对应的所述原边桥臂的接地端连接,每个所述三端口谐振腔的第三端口与对应的所述变压器连接;
每个所述副边桥臂的两端分别与所述副边电容的两端相连,三个所述变压器的副边绕组和三个所述副边桥臂分别一一对应,且每个所述变压器分别与对应的所述副边桥臂连接。
结合本发明实施例的第一方面,本发明实施例的第一方面的第一种实现方式中,
每个所述三端口谐振腔包括第一组电感电容、第二组电感电容以及第三组电感电容;
所述第一组电感电容包括相互串联的第一电感和第一电容,所述第一组电感电容的第一端作为所述三端口谐振腔的第一端口,其中,所述第一组电感电容的第一端为所述第一电容的第一端或所述第一电感的第一端;
所述第二组电感电容包括相互串联的第二电感和第二电容,所述第二组电感电容的第一端作为所述三端口谐振腔的第二端口,其中,所述第二组电感电容的第一端为所述第二电容的第一端或所述第二电感的第一端;
所述第三组电感电容包括相互串联的第三电感和第三电容,所述第三组电感电容的第一端作为所述三端口谐振腔的第三端口,其中,所述第三组电感电容的第一端为所述第三电容的第一端或所述第三电感的第一端;
所述第一组电感电容的第二端,所述第二组电感电容的第二端以及所述第三组电感电容的第二端相互连接。
结合本发明实施例的第一方面或本发明实施例的第一方面的第一种实现方式,本发明实施例的第一方面的第二种实现方式中,
每个所述原边桥臂包括同向串联的两个半导体开关管,位于所述原边桥臂的同向串联的两个所述半导体开关管之间的节点为第一节点,每个所述三端口谐振腔的第一端口与对应的所述原边桥臂的所述第一节点连接。
结合本发明实施例的第一方面至本发明实施例的第一方面的第二种实现方式任一项所述的谐振双向变换电路,本发明实施例的第一方面的第三种实现方式中,
每个所述副边桥臂包括同向串联的两个半导体开关管,位于所述副边桥臂的同向串联的两个所述半导体开关管之间的节点为第二节点,每个所述变压器的所述副边绕组分别与对应的所述副边桥臂的所述第二节点连接。
结合本发明实施例的第一方面的第二种实现方式或本发明实施例的第一方面的第三种实现方式所述的谐振双向变换电路,本发明实施例的第一方面的第四种实现方式中,
所述半导体开关管为金属氧化物场效应晶体管mosfet、或绝缘栅双极晶体管IGBT。
结合结合本发明实施例的第一方面至本发明实施例的第一方面的第四种实现方式任一项所述的谐振双向变换电路,本发明实施例的第一方面的第五种实现方式中,
每个所述变压器包括一个所述原边绕组以及一个所述副边绕组,每个所述三端口谐振腔的第三端口与对应的所述变压器的原边绕组连接,三个所述变压器的所述原边绕组的异名端连接在一起,三个所述变压器的所述副边绕组的异名端连接在一起。
结合结合本发明实施例的第一方面至本发明实施例的第一方面的第四种实现方式任一项所述的谐振双向变换电路,本发明实施例的第一方面的第六种实现方式中,
每个所述变压器包括一个所述原边绕组以及一个所述副边绕组,每个所述三端口谐振腔的第三端口与对应的所述变压器的原边绕组连接,三个所述变压器的所述原边绕组的异名端连接在一起,三个所述变压器的所述副边绕组同名端连接在一起。
结合结合本发明实施例的第一方面至本发明实施例的第一方面的第四种实现方式任一项所述的谐振双向变换电路,本发明实施例的第一方面的第七种实现方式中,
每个所述变压器包括一个所述原边绕组以及一个所述副边绕组,每个所述三端口谐振腔的第三端口与对应的所述变压器的原边绕组连接,三个所述变压器的所述原边绕组的同名端连接在一起,三个所述变压器的所述副边绕组的异名端连接在一起。
结合结合本发明实施例的第一方面至本发明实施例的第一方面的第四种实现方式任一项所述的谐振双向变换电路,本发明实施例的第一方面的第八种实现方式中,
每个所述变压器包括一个所述原边绕组以及一个所述副边绕组,每个所述三端口谐振腔的第三端口与对应的所述变压器的原边绕组连接,三个所述变压器的所述原边绕组的同名端连接在一起,三个所述变压器的所述副边绕组同名端连接在一起。
本发明实施例的第二方面提供了一种变换器,包括功率因数校正PFC电路和谐振双向变换电路,其中,所述功率因数校正PFC电路与所述谐振双向变换电路串联;
其中,所述谐振双向变换电路如权利要求1至9任一项所示;
所述功率因数校正PFC电路包括电源模块和功率模块;
所述电源模块与所述功率模块连接,且所述电源模块用于为所述功率模块提供电能,所述功率模块包括至少一路PFC电路,每个所述PFC电路包括一个电感和一对第一半导体开关管,所述电感的第一端与所述电源模块连接,其中,所述电感的第二端分别通过所述第一半导体开关管连接到所述原边电容的两端,且所述原边电容的两端还与所述谐振双向变换电路的每个所述原边桥臂的两端相连;
所述电源模块包括交流电源和两个第二半导体开关管,每个所述第二半导体开关管的第一端连接所述交流电源,每个所述第二半导体开关管的第二端与所述功率模块的所述一对第一半导体开关管中的一个连接。
本发明实施例提供了一种谐振双向变换电路以及变换器,谐振双向变换电路包括:原边电容、三个原边桥臂、三个三端口谐振腔、三个变压器、三个副边桥臂以及副边电容;每个所述三端口谐振腔的第一端口与对应的所述原边桥臂连接,每个所述三端口谐振腔的第二端口与对应的所述原边桥臂的接地端连接,每个所述三端口谐振腔的第三端口与对应的所述变压器连接,每个所述副边桥臂的两端分别与所述副边电容的两端相连,每个所述变压器分别与对应的所述副边桥臂连接。通过本实施例所提供的谐振双向变换电路可以方便的实现双向变换,且整流增益曲线与逆变增益曲线几乎一致,控制简单、可靠性高,还可实现天然的均流,避免增加额外的均流电路,降低成本。
附图说明
图1所示为现有技术所提供的三相谐振变换器的电路结构示意图;
图2为图1所示的三相谐振变换器整流时的增益曲线与逆变时的增益曲线示意图;
图3所示为本发明实施例所提供的谐振双向变换电路一种电路结构示意图;
图4所示为本发明实施例所提供的谐振双向变换电路另一种电路结构示意图;
图5所示为本发明实施例所提供的谐振双向变换电路另一种电路结构示意图;
图6所示为本发明实施例所提供的谐振双向变换电路整流时的增益曲线与逆变时的增益曲线示意图;
图7所示为本发明实施例所提供的谐振双向变换电路输出的电流波形图;
图8所示为本发明实施例所提供的变换器的一种电路结构示意图。
具体实施方式
首先对本实施例所提供的谐振双向变换电路的应用场景进行示例性的说明:
本实施例所提供的所述谐振双向变换电路能够用于通信电源、车载电源、光伏逆变器等的DC/DC部分。
且本实施例所提供的所述谐振双向变换电路能够在电路结构不发生变化的情况下,实现谐振双向变换电路两端电压的变换。
首先结合图3所示对本发明实施例所提供的一种谐振双向变换电路进行说明。
所述谐振双向变换电路包括原边电容31、三个原边桥臂、三个三端口谐振腔、三个变压器、三个副边桥臂以及副边电容36。
具体的,所述谐振双向变换电路所包括的三个原边桥臂为第一原边桥臂321、第二原边桥臂322以及第三原边桥臂323。
所述谐振双向变换电路所包括的三个三端口谐振腔为第一三端口谐振腔331、第二三端口谐振腔332以及第三三端口谐振腔333。
所述谐振双向变换电路所包括的三个变压器为第一变压器341、第二变压器342以及第三变压器343。
所述谐振双向变换电路所包括的三个副边桥臂为第一副边桥臂351、第二副边桥臂352以及第三副边桥臂353。
其中,每个所述原边桥臂的两端分别与所述原边电容31的两端相连。
即所述第一原边桥臂321、所述第二原边桥臂322以及所述第三原边桥臂323的两端分别与所述原边电容31的两端相连。
三个所述原边桥臂和三个所述三端口谐振腔分别一一对应,三个所述变压器的原边绕组和三个所述三端口谐振腔分别一一对应。
具体的,所述第一三端口谐振腔331分别与所述第一原边桥臂321以及所述第一变压器341对应。
所述第二三端口谐振腔332分别与所述第二原边桥臂322以及所述第二变压器342对应。
所述第三三端口谐振腔333分别与所述第三原边桥臂323以及所述第三变压器343一一对应。
其中,每个所述三端口谐振腔包括至少一组电感电容。
所述三端口谐振腔所包括的电感电容可以决定所述三端口谐振腔的谐振频率。
每个所述三端口谐振腔有三个端口。
以下对所述三端口谐振腔的电连接结构进行说明:
每个所述三端口谐振腔的第一端口与对应的所述原边桥臂连接。
每个所述三端口谐振腔的第二端口与对应的所述原边桥臂的接地端连接。
每个所述三端口谐振腔的第三端口与对应的所述变压器连接。
具体的,所述第一三端口谐振腔331的第一端口与所述第一原边桥臂321连接,所述第一三端口谐振腔331的第二端口与所述第一原边桥臂321的接地端连接,所述第一三端口谐振腔331的第三端口与所述第一变压器341连接。
所述第二三端口谐振腔332的第一端口与所述第二原边桥臂322连接,且所述第二三端口谐振腔332的第二端口与所述第二原边桥臂322的接地端连接,所述第二三端口谐振腔332的第三端口与所述第二变压器342连接。
所述第三三端口谐振腔333的第一端口与所述第三原边桥臂323连接,且所述第三三端口谐振腔333的第二端口与所述第三原边桥臂323的接地端连接,所述第三三端口谐振腔333的第三端口与所述第三变压器343连接。
每个所述副边桥臂的两端分别与所述副边电容36的两端相连。
三个所述变压器的副边绕组和三个所述副边桥臂分别一一对应,且每个所述变压器分别与对应的所述副边桥臂连接。
具体的,所述第一变压器341与所述第一副边桥臂351连接,所述第二变压器342与所述第二副边桥臂352连接,所述第三变压器343与所述第三副边桥臂353连接。
更具体的,所述第一副边桥臂351、所述第二副边桥臂352以及所述第三副边桥臂353分别与所述副边电容36的两端相连。
以下继续结合附图对所述谐振双向变换电路内部的电连接结构进行详细说明:
首先,结合图3所示对所述原边桥臂的具体结构进行详细说明:
如图3所示,每个所述原边桥臂包括同向串联的两个半导体开关管。
具体的,所述第一原边桥臂321包括同向串联的半导体开关管S1和半导体开关管S2。
所述第二原边桥臂322包括同向串联的半导体开关管S3和半导体开关管S4。
所述第三原边桥臂323包括同向串联的半导体开关管S5和半导体开关管S6。
更具体的,每个所述原边桥臂所包括的所述半导体开关管可为金属氧化物场效应晶体管mosfet、或绝缘栅双极晶体管IGBT。
以下继续结合图3所示对所述原边桥臂具体如何与所述三端口谐振腔连接的进行详细说明:
位于所述原边桥臂的同向串联的两个所述半导体开关管之间的节点为第一节点。
具体的,位于所述第一原边桥臂321的同向串联的半导体开关管S1和半导体开关管S2之间的节点为第一节点。
位于所述第二原边桥臂322的同向串联的半导体开关管S3和半导体开关管S4之间的节点为第一节点。
位于所述第三原边桥臂323的同向串联的半导体开关管S5和半导体开关管S6之间的节点为第一节点。
每个所述三端口谐振腔的第一端口与对应的所述原边桥臂的所述第一节点连接。
具体的,所述第一三端口谐振腔331的第一端口与所述第一原边桥臂321的所述第一节点连接。
所述第二三端口谐振腔332的第一端口与所述第二原边桥臂322的所述第一节点连接。
所述第三三端口谐振腔333的第一端口与所述第三原边桥臂323的所述第一节点连接。
以下继续结合图3所示对所述变压器的具体结构进行说明:
每个所述变压器包括一个所述原边绕组以及一个所述副边绕组,三个所述变压器的所述原边绕组的异名端连接在一起,或,三个所述变压器的所述原边绕组的同名端连接在一起,三个所述变压器的所述副边绕组的异名端连接在一起,或,三个所述变压器的所述副边绕组同名端连接在一起。
以下对所述变压器具体如何实现与所述三端口谐振腔以及所述副边桥臂进行电连接的进行说明:
具体的,每个所述三端口谐振腔的第三端口与对应的所述变压器的原边绕组连接。
更具体的,所述第一三端口谐振腔331的第三端口与第一变压器341的原边绕组连接。
所述第二三端口谐振腔332的第三端口与第二变压器342的原边绕组连接。
所述第三三端口谐振腔333的第三端口与第三变压器343的原边绕组连接。
为说明所述变压器具体如何与所述副边桥臂进行电连接,则首先对所述副边桥臂的结构进行说明:
每个所述副边桥臂包括同向串联的两个半导体开关管,位于所述副边桥臂的同向串联的两个所述半导体开关管之间的节点为第二节点。
具体的,所述第一副边桥臂351包括同向串联的两个半导体开关管Sr1以及Sr2,位于半导体开关管Sr1和Sr2之间的节点为第二节点。
所述第二副边桥臂352包括同向串联的两个半导体开关管Sr3以及Sr4,位于半导体开关管Sr3和Sr4之间的节点为第二节点。
所述第三副边桥臂353包括同向串联的两个半导体开关管Sr5以及Sr6,位于半导体开关管Sr5和Sr6之间的节点为第二节点。
每个所述副边桥臂所包括的所述半导体开关管为金属氧化物场效应晶体管mosfet、或绝缘栅双极晶体管IGBT。
所述变压器与所述副边桥臂电连接结构为:
每个所述变压器的所述副边绕组分别与对应的所述副边桥臂的所述第二节点连接。
具体的,所述第一变压器341的所述副边绕组与所述第一副边桥臂351的所述第二节点连接。
所述第二变压器342的所述副边绕组与所述第二副边桥臂352的所述第二节点连接。
所述第三变压器343的所述副边绕组与所述第三副边桥臂353的所述第二节点连接。
以下结合图4所示对所述三端口谐振腔的具体结构进行说明:
每个所述三端口谐振腔包括第一组电感电容、第二组电感电容以及第三组电感电容;
首先,以第一三端口谐振腔331进行举例说明:
所述第一三端口谐振腔331包括第一组电感电容、第二组电感电容以及第三组电感电容。
具体的,所述第一组电感电容包括相互串联的第一电感L1a和第一电容C1a,所述第二组电感电容包括相互串联的第二电感L2a和第二电容C2a,所述第三组电感电容包括相互串联的第三电感L3a和第三电容C3a。
更具体的,所述第一组电感电容的第一端作为所述三端口谐振腔的第一端口,以使所述第一三端口谐振腔331通过所述第一端口连接至所述第一节点。
其中,本实施例以图4所示为例,即所述第一组电感电容的第一端为所述第一电容C1a的第一端,即所述第一电容C1a的第一端连接至所述第一节点。
当所述第一组电感电容的第一端为所述第一电容C1a的第一端时,所述第一电容C1a的第二端与所述第一电感L1a的第一端连接;
所述第一电感L1a的第二端作为所述第一组电感电容的第二端。
需明确的是,本实施例以所述第一组电感电容的第一端为所述第一电容C1a的第一端为例进行示例性说明,不做限定,还例如,所述第一组电感电容的第一端为所述第一电感L1a的第一端,则此时所述第一电感L1a的第二端与所述第一电容C1a的第一端连接,且所述第一电容C1a的第二端作为所述第一组电感电容的第二端。
所述第二组电感电容包括相互串联的第二电感L2a和第二电容C2a。
所述第二组电感电容的第一端作为所述三端口谐振腔的第二端口,以使所述第一三端口谐振腔331通过所述第二端口连接至所述第一原边桥臂321的接地端。
其中,本实施例以图4所示为例,所述第二组电感电容的第一端为所述第二电感L2a的第一端,即所述第二电感L2a的第一端连接至所述第一原边桥臂321的接地端。
当所述第二组电感电容的第一端为所述第二电感L2a的第一端时,所述第二电感L2a的第二端与第二电容C2a的第一端连接。
所述第二电容C2a的第二端作为所述第二组电感电容的第二端。
需明确的是,本实施例以所述第二组电感电容的第一端为所述第二电感L2a的第一端为例进行示例性说明,不做限定,还例如,所述第二组电感电容的第一端为所述第二电容C2a的第一端,则此时所述第二电容C2a的第一端连接至所述第一原边桥臂321的接地端,所述第二电容C2a的第二端与所述第二电感L2a的第一端连接,且第二电感L2a的第二端作为所述第一组电感电容的第二端。
所述第三组电感电容包括相互串联的第三电感L3a和第三电容C3a。
所述第三组电感电容的第一端作为所述三端口谐振腔的第三端口,以使所述第一三端口谐振腔331通过所述三端口与所述第一变压器341连接。
其中,本实施例以图4所示为例,所述第三组电感电容的第一端为所述第三电容C3a的第一端,即所述第三电容C3a的第一端连接至所述第一变压器341。
当所述第三组电感电容的第一端为所述第三电容C3a的第一端时,所述第三电容C3a的第二端与所述第三电感L3a的第一端连接。
所述第三电感L3a的第二端作为所述第二组电感电容的第二端。
需明确的是,本实施例以所述第三组电感电容的第一端为所述第三电容C3a的第一端为例进行示例性说明,不做限定,还例如,所述第三组电感电容的第一端为所述第三电感的第一端,则此时所述第三电感的第二端与所述第三电容C3a的第一端连接,且所述第三电容C3a的第二端作为所述第一组电感电容的第二端。
如图4所示,所述第一组电感电容的第二端,所述第二组电感电容的第二端以及所述第三组电感电容的第二端相互连接。
本实施例中,所述第二三端口谐振腔332以及所述第三三端口谐振腔333的具体说明请详见所述第一三端口谐振腔331的具体说明,具体不再赘述。
以下结合图4所示对本实施例所提供的所述谐振双向变换电路的电流走向进行说明:
如图4所示,直流输入电压输入所述原边桥臂;
所述原边桥臂所包括的两个开关管的交替导通或断开将直流输入电压转换为方波,再将方波馈入所述三端口谐振腔;
所述三端口谐振腔再通过所述变压器将电压传递给所述副边桥臂;
所述副边桥臂所包括的两个开关管的交替导通或断开将周期性输出的电压波形整流,输出用户所需的直流电压。
如图5所示,其中,图4与图5所示的谐振双向变换电路的区别在于,图4所示的谐振双向变换电路是将直流输入电压输入给所述原边桥臂,而图5所示的谐振双向变换电路是将直流输入电压输入给所述副边桥臂;
图5所示的谐振双向变换电路的具体电路结构请参见图4所示的说明,具体不再赘述。
如图5所示,直流输入电压输入所述副边桥臂;
所述副边桥臂所包括的两个开关管的交替导通或断开将直流输入电压转换为方波;
所述副边桥臂再通过所述变压器将方波馈入所述三端口谐振腔;
所述三端口谐振腔再将电压传递给所述原边桥臂;
所述原边桥臂所包括的两个开关管的交替导通或断开将周期性输出的电压波形整流,输出用户所需的直流电压。
采用本发明实施例的优势在于:
首先,可参见图6所示可知,当采用本实施例所提供的谐振双向变换电路整流增益曲线601与逆变增益曲线602几乎一致,可以方便的实现双向变换,因谐振双向变换电路整流增益曲线601与逆变增益曲线602几乎一致,则控制简单、可靠性高。
本实施例所提供的谐振双向变换电路的变压器同名端或异名端相连接,从而使得本实施例所提供的谐振双向变换电路可以实现天然的均流,避免增加额外的均流电路,降低成本、增加可靠性。
其中,本实施例所提供的谐振双向变换电路的输出的电流波形图请参见图7所示。
本实施例所提供的谐振双向变换电路可以极大的减小输出纹波电流,减少输出滤波电容的数量,可以降低成本、减少模块体积。
而且本发明实施例所提供的谐振双向变换电路提升了双向变换器的转换效率,提升了产品的竞争力。
本发明实施例还提供了一种变换器,如图8所示,所述变换器包括功率因数校正PFC电路和谐振双向变换电路801。
其中,所述功率因数校正PFC电路与所述谐振双向变换电路801串联。
以下结合图8所示对所述功率因数校正PFC电路的具体结构进行说明:
如图8所示,所述功率因数校正PFC电路包括电源模块802和功率模块803。
具体的,所述电源模块802与所述功率模块803连接,且所述电源模块802用于为所述功率模块803提供电能。
具体的,所述功率模块803包括至少一路PFC电路,每个所述PFC电路包括一个电感和一对第一半导体开关管,所述电感的第一端与所述电源模块802连接,所述电感的第二端分别通过所述第一半导体开关管连接到所述原边电容的两端。
更具体的,以图8所示为例,本实施例以所述功率模块803包括两路PFC电路为例进行示例性的说明,即本实施例中,所述功率模块803包括第一路PFC电路和第二路PFC电路。
所述第一路PFC电路包括电感La和一对第一半导体开关管,即所述第一半导体开关管为S7和S8。
电感La的第一端与所述电源模块802连接,电感La的第二端分别通过S7和S8连接到所述原边电容Cp的两端。
所述第二路PFC电路包括电感Lb和一对第一半导体开关管,即所述第一半导体开关管为S9和S10。
电感Lb的第一端与所述电源模块802连接,电感Lb的第二端分别通过S9和S10连接到所述原边电容Cp的两端。
所述电源模块802包括交流电源和两个第二半导体开关管。
具体的,每个所述第二半导体开关管的第一端连接所述交流电源,每个所述第二半导体开关管的第二端与所述功率模块的所述一对第一半导体开关管中的一个连接。
更具体的,如图8所示,本实施例所示的两个第二半导体开关管为S11和S12,所述S11的第一端与交流电源Vac连接,所述S11的第二端与所述第一半导体开关管S7和S8中的一个连接。
所述S12的第一端与交流电源Vac连接,所述S12的第二端与所述第一半导体开关管S9和S10中的一个连接。
所述谐振双向变换电路801的具体电路结构请详见图3至图5所示,具体在本实施例中不做赘述。
通过本实施例所提供的变换器,可以实现整套的交流(ac)到直流(dc)双向变换的解决方案。
本实施例对所述变换器具体应用到的领域不做限定,只要所述变换器能够实现整套的交流(ac)到直流(dc)双向变换即可,例如可以将本实施例所提供的变换器应用到车载充电系统,也可以应用到通信能源、光伏逆变器等领域
所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,上述描述的系统,装置和单元的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。
以上所述,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种谐振双向变换电路,其特征在于,包括:原边电容、三个原边桥臂、三个三端口谐振腔、三个变压器、三个副边桥臂以及副边电容;
每个所述原边桥臂的两端分别与所述原边电容的两端相连,三个所述原边桥臂和三个所述三端口谐振腔分别一一对应,三个所述变压器的原边绕组和三个所述三端口谐振腔分别一一对应;
每个所述三端口谐振腔有三个端口,每个所述三端口谐振腔的第一端口与对应的所述原边桥臂连接,每个所述三端口谐振腔的第二端口与对应的所述原边桥臂的接地端连接,每个所述三端口谐振腔的第三端口与对应的所述变压器连接;
每个所述副边桥臂的两端分别与所述副边电容的两端相连,三个所述变压器的副边绕组和三个所述副边桥臂分别一一对应,且每个所述变压器分别与对应的所述副边桥臂连接。
2.根据权利要求1所述的谐振双向变换电路,其特征在于,每个所述三端口谐振腔包括第一组电感电容、第二组电感电容以及第三组电感电容;
所述第一组电感电容包括相互串联的第一电感和第一电容,所述第一组电感电容的第一端作为所述三端口谐振腔的第一端口,其中,所述第一组电感电容的第一端为所述第一电容的第一端或所述第一电感的第一端;
所述第二组电感电容包括相互串联的第二电感和第二电容,所述第二组电感电容的第一端作为所述三端口谐振腔的第二端口,其中,所述第二组电感电容的第一端为所述第二电容的第一端或所述第二电感的第一端;
所述第三组电感电容包括相互串联的第三电感和第三电容,所述第三组电感电容的第一端作为所述三端口谐振腔的第三端口,其中,所述第三组电感电容的第一端为所述第三电容的第一端或所述第三电感的第一端;
所述第一组电感电容的第二端,所述第二组电感电容的第二端以及所述第三组电感电容的第二端相互连接。
3.根据权利要求1或2所述的谐振双向变换电路,其特征在于,每个所述原边桥臂包括同向串联的两个半导体开关管,位于所述原边桥臂的同向串联的两个所述半导体开关管之间的节点为第一节点,每个所述三端口谐振腔的第一端口与对应的所述原边桥臂的所述第一节点连接。
4.根据权利要求1至3任一项所述的谐振双向变换电路,其特征在于,每个所述副边桥臂包括同向串联的两个半导体开关管,位于所述副边桥臂的同向串联的两个所述半导体开关管之间的节点为第二节点,每个所述变压器的所述副边绕组分别与对应的所述副边桥臂的所述第二节点连接。
5.根据权利要求3或4所述的谐振双向变换电路,其特征在于,所述半导体开关管为金属氧化物场效应晶体管mosfet、或绝缘栅双极晶体管IGBT。
6.根据权利要求1至5任一项所述的谐振双向变换电路,其特征在于,每个所述变压器包括一个所述原边绕组以及一个所述副边绕组,每个所述三端口谐振腔的第三端口与对应的所述变压器的原边绕组连接,三个所述变压器的所述原边绕组的异名端连接在一起,三个所述变压器的所述副边绕组的异名端连接在一起。
7.根据权利要求1至5任一项所述的谐振双向变换电路,其特征在于,每个所述变压器包括一个所述原边绕组以及一个所述副边绕组,每个所述三端口谐振腔的第三端口与对应的所述变压器的原边绕组连接,三个所述变压器的所述原边绕组的异名端连接在一起,三个所述变压器的所述副边绕组同名端连接在一起。
8.根据权利要求1至5任一项所述的谐振双向变换电路,其特征在于,每个所述变压器包括一个所述原边绕组以及一个所述副边绕组,每个所述三端口谐振腔的第三端口与对应的所述变压器的原边绕组连接,三个所述变压器的所述原边绕组的同名端连接在一起,三个所述变压器的所述副边绕组的异名端连接在一起。
9.根据权利要求1至5任一项所述的谐振双向变换电路,其特征在于,每个所述变压器包括一个所述原边绕组以及一个所述副边绕组,每个所述三端口谐振腔的第三端口与对应的所述变压器的原边绕组连接,三个所述变压器的所述原边绕组的同名端连接在一起,三个所述变压器的所述副边绕组同名端连接在一起。
10.一种变换器,其特征在于,包括功率因数校正PFC电路和谐振双向变换电路,其中,所述功率因数校正PFC电路与所述谐振双向变换电路串联;
其中,所述谐振双向变换电路如权利要求1至9任一项所示;
所述功率因数校正PFC电路包括电源模块和功率模块;
所述电源模块与所述功率模块连接,且所述电源模块用于为所述功率模块提供电能,所述功率模块包括至少一路PFC电路,每个所述PFC电路包括一个电感和一对第一半导体开关管,所述电感的第一端与所述电源模块连接,其中,所述电感的第二端分别通过所述第一半导体开关管连接到所述原边电容的两端,且所述原边电容的两端还与所述谐振双向变换电路的每个所述原边桥臂的两端相连;
所述电源模块包括交流电源和两个第二半导体开关管,每个所述第二半导体开关管的第一端连接所述交流电源,每个所述第二半导体开关管的第二端与所述功率模块的所述一对第一半导体开关管中的一个连接。
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