CN106698352B - 一种制备高纯氟气或高纯含氟混合气的方法及装置 - Google Patents

一种制备高纯氟气或高纯含氟混合气的方法及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106698352B
CN106698352B CN201710002091.6A CN201710002091A CN106698352B CN 106698352 B CN106698352 B CN 106698352B CN 201710002091 A CN201710002091 A CN 201710002091A CN 106698352 B CN106698352 B CN 106698352B
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
fluorine
purity
mixed gas
condensation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710002091.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106698352A (zh
Inventor
王矿宾
闫春生
许胜霞
晁金伟
冯晓港
李磊
张枝芝
张凯
王晓峰
徐州
程申
王选
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Duofudo New Material Co.,Ltd.
Original Assignee
Duo Fluoride Chemicals Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Duo Fluoride Chemicals Co Ltd filed Critical Duo Fluoride Chemicals Co Ltd
Priority to CN201710002091.6A priority Critical patent/CN106698352B/zh
Publication of CN106698352A publication Critical patent/CN106698352A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106698352B publication Critical patent/CN106698352B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B7/00—Halogens; Halogen acids
    • C01B7/19—Fluorine; Hydrogen fluoride
    • C01B7/20—Fluorine
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D50/00—Combinations of methods or devices for separating particles from gases or vapours
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/002—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by condensation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B1/00—Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
    • C25B1/01—Products
    • C25B1/24—Halogens or compounds thereof
    • C25B1/245—Fluorine; Compounds thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2257/00—Components to be removed
    • B01D2257/20—Halogens or halogen compounds
    • B01D2257/204—Inorganic halogen compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2257/00—Components to be removed
    • B01D2257/20—Halogens or halogen compounds
    • B01D2257/204—Inorganic halogen compounds
    • B01D2257/2047—Hydrofluoric acid

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)

Abstract

本发明涉及一种制备高纯氟气或高纯含氟混合气的方法及装置，属于氟化工技术领域。该方法包括将电解制得的氟气或者采用电解制得的氟气调配的含氟混合气增压至正压，过滤后依次进行一级冷凝和二级冷凝；所述一级冷凝的温度为‑60～‑100℃，所述二级冷凝的温度为‑120～‑180℃。该方法所得氟气产品的纯度达到99.9％以上，满足现有电子行业和精细化工的生产用氟气要求；所得含氟混合气的纯度达到99.9％以上，满足含氟特种气体的生产要求；整体上提高了氟气产品的质量，拓展了应用市场，降低了生产过程中因氟气或含氟混合气纯度不高而造成的下游成品的不合格率，具有良好的经济价值和广阔的应用前景。

Description

一种制备高纯氟气或高纯含氟混合气的方法及装置
技术领域
本发明属于氟化工技术领域，具体涉及一种制备高纯氟气或高纯含氟混合气的方法，同时还涉及一种制备高纯氟气或高纯含氟混合气的装置。
背景技术
高纯氟气(F2)是一种性质非常活泼的气体，具有强氧化性，能与大多数无机物或有机物在室温或低于室温下反应，释放较多的热量，常导致燃烧和爆炸。高纯氟气是精细化工领域的重要原料，广泛应用于电子、激光技术、医药塑料等领域；由于它的强氧化性，可以用于玻璃浸蚀，金属材料、管道的表面钝化处理，在国防上用于制取火箭推进剂；高纯氟气还用于电子、医药、卫生、科研等领域；氟气与硫、碳反应生成的六氟化硫和四氟化碳是良好的电气绝缘和灭弧材料。众多学者提出利用F2作为CVD反应腔室的清洗剂，与NF3相比，F2具有更强的反应活性且不会造成温室效应，在半导体领域极具市场潜力。氟气和氯气合成的三氟化氯，可用作强烈的纵火剂，也可作为火箭推进剂，还可用于制造航空汽油的催化剂。高纯氟气可与氮气，氦气、氖气、氩气等惰性气体任意浓度配比的混合气。
工业上，电解制氟气的方法为：电解KF·2HF(氢氧化钾与氟化氢的混合物)，以压实的石墨为阳极，钢制电解槽槽身为阴极(或者阳极采用碳板或镍板，阴极采用碳钢)，以氟化氢钾为电解质，进行无水氢氟酸的电解，再经净化而得。生产中，温度在260℃左右的为高温法，在95℃左右的为中温法。其原理如下：
电解总反应式：2KHF2＝＝2KF+H2+F2↑ (1)；
阳极：2F-+2e→F2 (2)；
阴极：2HF2 -+2e→H2+4F- (3)。
在电解槽内配制KHF2和HF的混合物，加热至熔融；HF连续或间断加入电解槽内，保持电解质中HF质量分数在38％-42％之间，槽温控制在70-100℃之间。
目前，氟气的中温电解法工业制法所生产的氟气纯度较低，其中HF、CF4等杂质含量较高，远无法满足精细化工和高端电子行业中的应用。现有的电解生产氟气的方法，仅采用活化后的球状氟化钠吸附纯化，吸附后的纯度可达到92％～98％左右，离高纯氟气的要求还相差甚远。
发明内容
本发明的目的是提供一种制备高纯氟气或高纯含氟混合气的方法。
本发明的第二个目的是一种制备高纯氟气或高纯含氟混合气的装置。
为了实现以上目的，本发明所采用的技术方案是：
一种制备高纯氟气或高纯含氟混合气的方法，包括将电解制得的氟气或者采用电解制得的氟气调配的含氟混合气增压至正压，过滤后依次进行一级冷凝和二级冷凝；所述一级冷凝的温度为-60～-100℃，所述二级冷凝的温度为-120～-180℃。
上述方法中，所述电解为电解KF·2HF制氟气；优选的，所述电解为中温电解KF·2HF制氟气；所述中温是指电解温度控制在70～100℃。
所述含氟混合气是指氟气与惰性气体的混合气。所述惰性气体为氮气、氦气、氖气、氩气中的任意一种或几种。
所述正压是指高于一个大气压；优选的，所述增压至正压是指增压至压力为0.11～1.1MPa。电解制得的氟气为负压，采用电解制得的氟气调配的含氟混合气也为负压，因此需要先增压为正压，再进行后续操作。
所述含氟混合气是指氟气与氮气、氦气、氖气、氩气中的任意一种或几种的混合气。所述含氟混合气中，氟气的质量百分含量不低于5％。
所述氟气或含氟混合气在增压前先进行纯化；所述纯化是采用氟化钠进行过滤吸收。纯化所用的氟化钠为多孔球状氟化钠，颗粒粒径为5～40mm。氟化钠的作用是吸附气体中的HF，原理如下：
NaF+HF→NaHF2 (4)。
球状氟化钠使用前经过活化处理；所述活化处理是250℃高温加热处理，去除HF，使球状氟化钠具有一定的孔隙率。
高纯氟气或高纯含氟混合气的制备过程中，控制气体流速为0.1～2m2/min。
所述过滤所用过滤器的孔径为5～10μm。冷凝前过滤的目的是去除气体内的固体颗粒杂质，在纯化气体的同时防止影响冷凝质量。
所述一级冷凝、二级冷凝所用的冷媒各自独立的为液氮或液氮与酒精的混合物。优选的，所述二级冷凝的温度为-120～-150℃。
一级冷凝的液体为液态HF，收集可回收利用。二级冷凝的液体为CF4，抽空后气化，吸收其内部夹杂的HF后排空。
二级冷凝后进行二级过滤；所述二级过滤所用过滤器的孔径为0.2～3μm。
进一步的，二级冷凝后先进行纯化，再进行二级过滤；所述纯化是采用氟化钠进行过滤吸收。
本发明的制备高纯氟气或高纯含氟混合气的方法，将电解制得的氟气或者采用电解制得的氟气调配的含氟混合气增压、过滤后，依次进行-60～-100℃一级冷凝和-120～-180℃二级冷凝，所得氟气产品的纯度达到99.9％以上，满足现有电子行业和精细化工的生产用氟气要求；所得含氟混合气的纯度(以氟气和惰性气体的总含量计)达到99.9％以上，满足含氟特种气体的生产要求；整体上提高了氟气产品的质量，拓展了应用市场，降低了生产过程中因氟气或含氟混合气纯度不高而造成的下游成品的不合格率，具有良好的经济价值和广阔的应用前景。
经本发明的方法制得的高纯氟气或含氟混合气经压缩机灌装至对应的专用钢瓶中。
本发明的制备高纯氟气或高纯含氟混合气的方法，在现有氟气产品质量基础上，大幅度的提高氟气产品纯度，提高氟气产品在市场上的应用范围，满足精细化工和高端电子行业的要求；该方法在氟气产品提纯过程中安全可操作，不会造成气体污染。
一种制备高纯氟气或高纯含氟混合气的装置，包括依次串联的过滤器、冷凝温度为-60～-100℃的一级冷凝器和冷凝温度为-120～-180℃的二级冷凝器；沿气体流动方向，所述过滤器的上游连接有气体增压装置，所述气体增压装置用于对电解制得的氟气或者采用电解制得的氟气调配的含氟混合气增压。
上述装置中，在气体增压装置之后安装有气体流量计；采用气体流量计调节气体流量。所述气体增压装置可采用气体压缩机。
所述一级冷凝器、二级冷凝器所用的冷媒各自独立的为液氮或液氮与酒精的混合物。一级冷凝器冷凝收集的液态氟化氢重新进入电解槽回用。
所述的制备高纯氟气或高纯含氟混合气的装置还包括电解装置，所述电解装置包括电解槽，所述电解槽的氟气出口依次连接有一级纯化装置和气体储罐；所述气体储罐与所述气体增压装置连接。
所述电解槽为中温电解槽。
所述二级冷凝器的气体出口还依次连接有二级纯化装置和二级过滤器。过滤器拦截的固体颗粒收集后进入电解槽回用。
该装置中，所用过滤器(包括二级过滤器)的材质为不锈钢或合金材质。
所述二级过滤器的气体出口连接成品储槽；所述成品储槽的气体出口连接压缩机，用于将成品气体压缩储存至对应的钢瓶中。
本发明的制备高纯氟气或高纯含氟混合气的装置使用时，将电解制得的氟气或者采用电解制得的氟气调配的含氟混合气经气体增压装置增压并调整流量后，经过滤器过滤去除固体颗粒杂质，后依次经一级冷凝器冷凝、二级冷凝器冷凝，制得高纯氟气或高纯含氟气体。所得氟气产品的纯度达到99.9％以上，满足现有电子行业和精细化工的生产用氟气要求；所得含氟混合气的纯度(以氟气和惰性气体的总含量计)达到99.9％以上，满足含氟特种气体的生产要求；该装置在氟气产品提纯过程中安全可操作，不会造成气体污染。
附图说明
图1为实施例1的制备高纯氟气或高纯含氟混合气的装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步的说明。
实施例1
本实施例的制备高纯氟气或高纯含氟混合气的装置，如图1所示，包括电解装置和依次串联的一级过滤器5、冷凝温度为-60～-100℃的一级冷凝器6和冷凝温度为-120～-180℃的二级冷凝器7；沿气体流动方向，所述一级过滤器5的上游连接有气体增压装置4，所述气体增压装置4用于对上游电解制得的氟气或者采用电解制得的氟气调配的含氟混合气增压；所述一级冷凝器6、二级冷凝器7所用的冷媒均为液氮；一级冷凝器6的底部连接有液体收集装置13，用于收集冷凝的液态HF；
气体增压装置4之后(一级过滤器5之前)安装有气体流量计，用于调节气体流量；
所述电解装置包括中温电解槽1，所述中温电解槽1的氟气出口依次连接有一级纯化器2和气体储罐3；所述气体储罐3上设有惰性气体进口，用于与电解制得的氟气在气体储罐3中调配含氟混合气；所述气体储罐3的气体出口与所述气体增压装置4的气体进口相连接；
所述二级冷凝器7的气体出口依次连接有二级纯化器8、二级过滤器9和成品储槽10；所述成品储槽10的气体出口与隔膜压缩机11的气体进口连接，所述隔膜压缩机11的气体出口连接用于储存高纯氟气或高纯含氟混合气的钢瓶12。
上述装置中，一级过滤器5的孔径可选5～10μm；二级过滤器9的孔径可选0.2～3μm。一级纯化器2与二级纯化器8中均填充活化后的多孔球状氟化钠，颗粒粒径为5～40mm。
本实施例的本实施例的制备高纯氟气或高纯含氟混合气的装置使用时，中温电解槽1电解KF·2HF制得氟气(通过冷却水控制槽温为70～100℃，产生的H2从上方排出)，经一级纯化器2吸附纯化后进入气体储罐3(可与惰性气体调配成含氟混合气)；来自气体储罐3的气体经气体增压装置4增压并调整流量后，经一级过滤器5过滤去除固体颗粒杂质，后依次经一级冷凝器6冷凝、二级冷凝器7冷凝，再依次经过二级纯化器8纯化、二级过滤器9过滤，制得高纯氟气或高纯含氟气体经检测合格后进入成品储槽10；成品储槽10中的气体经隔膜压缩机11压缩后灌装至对应的钢瓶12中。
所述一级冷凝器6冷凝收集的液态氟化氢重新进入电解槽回用；二级冷凝器7冷凝的液体为CF4，抽空后气化，吸收其内部夹杂的HF后排空；所述一级过滤器5、二级过滤器9拦截的固体颗粒收集后进入电解槽回用。
实施例2
本实施例的制备高纯氟气的方法，采用实施例1所述的装置，具体为：
将中温电解KF·2HF制得并经过纯化的氟气1500g，增压至压力为0.15MPa，调整流量至0.2m3/min，经孔径为5μm的一级过滤器过滤后，依次进行一级冷凝和二级冷凝；所述一级冷凝的温度控制在-75℃，所述二级冷凝的温度控制在-140℃；
经过二级冷凝的气体经过纯化后，经孔径为0.2μm的二级过滤器过滤，后进入成品储槽，即为高纯氟气。
取成品储槽中气体样品300g经气相色谱仪检测，所得高纯氟气的纯度为99.9％。
实施例3
本实施例的制备高纯含氟混合气(氟氮混合气)的方法，采用实施例1所述的装置，具体为：
将中温电解KF·2HF制得并经过纯化的氟气调配成氟氮混合气2000g(氟氮混合气中，氟气的质量百分含量为20％)，增压至压力为0.20MPa，调整流量至0.4m3/min，经孔径为10μm的一级过滤器过滤后，依次进行一级冷凝和二级冷凝；所述一级冷凝的温度控制在-80℃，所述二级冷凝的温度控制在-130℃；
经过二级冷凝的气体经过纯化后，经孔径为1.0μm的二级过滤器过滤，后进入成品储槽，即为高纯氟氮混合气。
取成品储槽中气体样品400g经气相色谱仪检测，所得高纯氟氮混合气的纯度(以氟气、氮气的总量计)为99.91％。

Claims (7)

1.一种制备高纯氟气或高纯含氟混合气的方法，其特征在于：包括将电解制得的氟气或者采用电解制得的氟气调配的含氟混合气增压至正压，过滤后依次进行一级冷凝和二级冷凝；所述一级冷凝的温度为-60～-100℃，所述二级冷凝的温度为-120～-180℃；
所述增压至正压是指增压至压力为0.11～1.1MPa；
所述增压前先进行纯化，纯化是采用氟化钠吸附气体中的HF；
所述过滤所用过滤器的孔径为5～10μm；
二级冷凝的液体为CF4，抽空后气化。
2.根据权利要求1所述的制备高纯氟气或高纯含氟混合气的方法，其特征在于：所述含氟混合气是指氟气与氮气、氦气、氖气、氩气中的任意一种或几种的混合气。
3.根据权利要求1所述的制备高纯氟气或高纯含氟混合气的方法，其特征在于：制备过程中，控制气体流速为0.1～2m3/min。
4.根据权利要求1所述的制备高纯氟气或高纯含氟混合气的方法，其特征在于：二级冷凝后进行二级过滤；所述二级过滤所用过滤器的孔径为0.2～3μm。
5.根据权利要求4所述的制备高纯氟气或高纯含氟混合气的方法，其特征在于：二级冷凝后先进行纯化，再进行二级过滤；所述纯化是采用氟化钠进行过滤吸收。
6.一种制备高纯氟气或高纯含氟混合气的装置，其特征在于：包括依次串联的过滤器、冷凝温度为-60～-100℃的一级冷凝器和冷凝温度为-120～-180℃的二级冷凝器；沿气体流动方向，所述过滤器的上游连接有气体增压装置，所述气体增压装置用于对电解制得的氟气或者采用电解制得的氟气调配的含氟混合气增压；还包括电解装置，所述电解装置包括电解槽，所述电解槽的氟气出口依次连接有一级纯化装置和气体储罐；所述气体储罐与所述气体增压装置连接。
7.根据权利要求6所述的制备高纯氟气或高纯含氟混合气的装置，其特征在于：所述二级冷凝器的气体出口还依次连接有二级纯化装置和二级过滤器。
CN201710002091.6A 2017-01-03 2017-01-03 一种制备高纯氟气或高纯含氟混合气的方法及装置 Active CN106698352B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710002091.6A CN106698352B (zh) 2017-01-03 2017-01-03 一种制备高纯氟气或高纯含氟混合气的方法及装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710002091.6A CN106698352B (zh) 2017-01-03 2017-01-03 一种制备高纯氟气或高纯含氟混合气的方法及装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106698352A CN106698352A (zh) 2017-05-24
CN106698352B true CN106698352B (zh) 2019-01-29

Family

ID=58906639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710002091.6A Active CN106698352B (zh) 2017-01-03 2017-01-03 一种制备高纯氟气或高纯含氟混合气的方法及装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106698352B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108193221B (zh) * 2018-01-18 2020-01-14 洛阳森蓝化工材料科技有限公司 一种含氟混合气的制备方法
CN108516544A (zh) * 2018-06-01 2018-09-11 中钢集团新型材料（浙江）有限公司 电解hf和khf2产生氟气提纯石墨的方法及系统
CN111085081A (zh) * 2019-12-25 2020-05-01 中船重工（邯郸）派瑞特种气体有限公司 一种除去氟气中氟化氢的装置及方法
CN112695338A (zh) * 2020-12-22 2021-04-23 中船重工（邯郸）派瑞特种气体有限公司 一种制备氟气和含氟混合气的装置及方法
CN112624051B (zh) * 2020-12-28 2023-08-08 湖北卓熙氟化股份有限公司 一种制备高纯氟气的方法及装置
CN113562700A (zh) * 2021-07-17 2021-10-29 鹤壁德瑞科技有限公司 一种三氟化氯的制备方法
CN114572944A (zh) * 2021-12-23 2022-06-03 西安近代化学研究所 一种三氟化氮及三氟化氮混合气体的制备方法
CN114573417B (zh) * 2021-12-23 2023-12-12 西安近代化学研究所 一种四氟甲烷及四氟甲烷混合气体的制备方法
CN115650174B (zh) * 2022-11-01 2023-08-25 福建德尔科技股份有限公司 高纯氟气的纯化装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN106698352A (zh) 2017-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106698352B (zh) 一种制备高纯氟气或高纯含氟混合气的方法及装置
JP5780411B2 (ja) 過酸化水素水溶液精製方法及び装置
CN102101651B (zh) 二氟一氯甲烷副产氯化氢的精制及三氟甲烷回收的方法与装置
CN106567103B (zh) 次氯酸钠和高纯度氢气联产方法和系统
CN107459020A (zh) 一种高纯氟气和含氟混合气的生产方法和生产装置
CN111085081A (zh) 一种除去氟气中氟化氢的装置及方法
CN111039267A (zh) 一种预纯化电解制备的三氟化氮粗品的装置及方法
CN104555927A (zh) 一种三氟化氯的纯化方法
CN112390230A (zh) 一种三氟化氯的提纯方法及提纯系统
CN101298318A (zh) 制备高纯四氟化碳气体的方法及设备
CN108193221B (zh) 一种含氟混合气的制备方法
CN113247870B (zh) 一种制备高纯三氟化氮气体的方法及装置
CN105460923A (zh) 一种高纯氟化石墨的连续制备方法
CN211871386U (zh) 一种预纯化电解制备的三氟化氮粗品的装置
CN114198981A (zh) 一种制备高纯氟气的精制纯化设备和方法
CN1328159C (zh) 用氨和氟化氢为原料制备三氟化氮的设备及工艺方法
CN114852966A (zh) 一种脱除氟气中hf的方法及装置
CN110170296A (zh) 一种去除氟化氢气体中水分子的吸附剂的制备方法
CN115305486A (zh) 一种制备高纯氟气的装置和方法
CN102963870A (zh) 一种氟气的提纯方法
KR20070061891A (ko) 불소 가스의 제조 방법
CN101863734B (zh) 一种四氟化碳的纯化方法
CN216868945U (zh) 一种制备高纯氟气的精制纯化设备
CN102417436A (zh) 采用低温间歇精馏工艺制备高纯三氟甲烷的方法
CN215540754U (zh) 高纯级三氟化氯的反应装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 454191 Henan Province, Jiaozuo City Station area coke Rd

Patentee after: Duofudo New Material Co.,Ltd.

Address before: 454191, Feng County, Henan Province, Jiaozuo Feng Feng Chemical Industry Zone

Patentee before: DO-FLUORIDE CHEMICALS Co.,Ltd.