CN106681064A - 阵列基板及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板,包括:第一衬底基板;多条栅极线,沿第一方向设置于所述第一衬底基板上;多条数据线,沿第二方向设置于所述第一衬底基板上,且所述第一方向与所述第二方向相互交错;多个像素单元,沿所述第一方向和所述第二方向阵列设置于所述第一衬底基板上;其中,每个所述像素单元包括:薄膜晶体管,耦接于所述栅极线和所述数据线;像素电极,耦接所述薄膜晶体管;其中,沿所述第一方向相邻的像素单元的像素电极沿所述第二方向交错设置,以消除所述相邻的像素单元的电磁耦合。本发明通过将相邻像素沿一方向错开一定距离,增加相邻像素的像素电极之间的距离,改善了液晶显示器的侧视色偏现象,增大了可视角度。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
高分辨率是保证彩色显示器清晰度的重要前提,显示器分辨率大小是由显示屏内像素数量决定,显示屏内像素数量越多则显示器分辨率越高。因此,为满足高分辨率显示需求,需要在有限的区域内配置大量的像素。
现有的液晶显示器的阵列基板上根据分辨率需求配置多个像素结构,而每一像素结构参见图1。如图1所示,阵列基板包含栅极线15、数据线14、薄膜晶体管17和像素电极11,相邻的两条数据线14和相邻的两条栅极线15垂直交叉形成的区域为像素区域16,像素电极11配置于像素区域16中,薄膜晶体管17的源/漏极通过通孔12、13分别与像素电极11和数据线14耦接,栅极线15配置于薄膜晶体管17的栅极上并与其耦接。
图2A为现有液晶显示器的多个像素结构的配置于基板上的俯视示意图。如图2A所示,多个像素之间是以相同的排列方式进行配置,亦即像素中的像素电极在像素区域的设置位置以及与薄膜晶体管之间的走线方式趋同。由于高分辨率的需要,像素单元的尺寸越来越小,而沿水平方向相邻的像素中通孔的尺寸受工艺限制,并不能随着像素单元的尺寸减小而减小,因此通孔12、23之间的距离D1以及通孔12、22之间的距离D2受像素之间距离的影响,间隔距离均非常小,导致像素电极、数据线与薄膜晶体管的连接走线和通孔之间的空间越来越小,进而会造成像素结构制造难度增加,且容易造成线路短路等不良问题。
图2B为现有液晶显示器驱动液晶旋转的示意图。如图2B所示,受水平方向相邻像素的像素电极11、21之间电磁耦合效应的影响,相邻像素产生的电场E会相互干扰。对于高分辨率的液晶显示器,相邻像素的像素电极11、21之间的距离非常小,致使相邻像素电极之间的电磁耦合效 应增强,导致相邻像素电场E干扰进一步加剧,如此会使相邻像素之间的黑矩阵24下方液晶25旋转角度增大,进而造成侧视色偏现象加剧等问题。
在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明的目的在于提供一种改善了液晶显示器的侧视色偏现象,增大可视角度的阵列基板及显示面板。
为实现上述目的,本公开一方面提供一种阵列基板,包括:
第一衬底基板;
多条栅极线,沿第一方向设置于所述第一衬底基板上;
多条数据线,沿第二方向设置于所述第一衬底基板上,且所述第一方向与所述第二方向相互交错;
多个像素单元,沿所述第一方向和所述第二方向阵列设置于所述第一衬底基板上;其中,每个所述像素单元包括:
薄膜晶体管,耦接于所述栅极线和所述数据线;
像素电极,耦接所述薄膜晶体管;
其中,沿所述第一方向相邻的像素单元的像素电极沿所述第二方向交错设置。
在本公开的一种示例性实施例中,所述像素电极至少弯折一次,且所述多个像素单元中像素电极的弯折方向部分相同。
在本公开的一种示例性实施例中,所述薄膜晶体管包括漏极、源极和栅极,所述像素单元还包括第一通孔,所述像素电极经由所述第一通孔耦接所述漏极,且沿所述第一方向相邻的像素单元的第一通孔沿所述第二方向交错设置。
在本公开的一种示例性实施例中,所述像素单元还包括第二通孔,所述数据线经由所述第二通孔耦接所述源极。
在本公开的一种示例性实施例中,沿所述第一方向线相邻的耦接至同一条所述栅极线的两个像素单元,所述第一通孔位于所述栅极线的不同侧
在本公开的一种示例性实施例中,沿所述第一方向相邻的像素单元中 的像素电极的弯折方向相反,沿所述第二方向相邻的像素单元中的像素电极的弯折方向相同。
在本公开的一种示例性实施例中,沿所述第一方向相邻的像素单元中的像素电极的弯折方向相反,沿所述第二方向相邻的像素单元中的像素电极的弯折方向相反。
在本公开的一种示例性实施例中,沿所述第一方向相邻的像素单元中耦接同一条栅极线的薄膜晶体管沿第一方向排列。
在本公开的一种示例性实施例中,沿所述第一方向相邻的像素单元中连接同一条栅极线的薄膜晶体管沿所述第二方向交错设置。
在本公开的一种示例性实施例中,所述栅极线沿所述第一方向弯折延伸。
在本公开的一种示例性实施例中,所述栅极线配置于所述像素单元中所述薄膜晶体管上,且与所述薄膜晶体管的所述栅极耦接。
本公开另一方面提供一种显示面板,包括:
上述阵列基板;
彩膜基板,相对所述阵列基板设置;以及
液晶层,夹持于所述阵列基板和所述彩膜基板之间。
在本公开的一种示例性实施例中,还包括:
黑矩阵,设置于所述阵列基板或所述彩膜基板上。
本发明通过将相邻像素沿一方向错开一定距离,增加相邻像素的像素电极之间的距离,降低了像素电极之间的电磁耦合效应,进而降低了像素电极之间的液晶旋转角度,改善了液晶显示器的侧视色偏现象,增大了可视角度。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施例,本发明的上述和其它目标、特征及优点将变得更加显而易见。
图1为现有技术的阵列基板上一像素结构的俯视示意图;
图2A为现有技术的阵列基板上多个像素结构的俯视示意图;
图2B为现有技术的液晶显示器驱动液晶旋转的示意图;
图3A示意性示出根据本发明示例实施方式的阵列基板的俯视示意图;
图3B示意性示出图3A的剖视示意图;
图4示意性示出根据本发明示例实施方式的一阵列基板的俯视示意图;
图5示意性示出根据本发明示例实施方式的一阵列基板的俯视示意图;
图6示意性示出根据本发明示例实施方式的一阵列基板的俯视示意图;
图7示意性示出根据本发明示例实施方式的液晶旋转示意图;
图8示意性示出根据本发明示例实施方式的黑矩阵的结构排列示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。附图仅为本发明的示意性图解,并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分,因而将省略对它们的重复描述。
此外,所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本发明的实施方式的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本发明的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下,不详细示出或描述公知结构、方法、装置、实现、材料或者操作以避免喧宾夺主而使得本发明的各方面变得模糊。
图3A示意性示出根据本发明示例实施方式的一像素结构的俯视示意图;图3B示意性示出图3A的剖视示意图。
如图3A所示,本发明的阵列基板,包括:衬底基板(图中未示出)、 栅极线30、数据线31和像素单元32。栅极线30沿第一方向设置于衬底基板上,例如栅极线30可以沿水平方向排列。数据线31沿第二方向设置于衬底基板上,例如数据线31可以沿垂直方向排列,数据线31与栅极线30交叉区域形成像素区域。像素单元32配置于像素区域中,包括薄膜晶体管33和像素电极34,本实施例的薄膜晶体管33耦接于栅极线30、数据线31与像素电极34。其中,相对于薄膜晶体管33的部分栅极线30以作为薄膜晶体管33的栅极,而薄膜晶体管33的半导体层设置于栅极下方,也即半导体层位于栅极线30的区域下方,薄膜晶体管33的源极3321与漏极3322与半导体层位于同一层上,且均位于栅极线30下方,其中源极3321通过第二通孔35耦接于数据线31,像素电极34经由贯穿多层绝缘层的第一通孔36耦接于漏极3322。
像素电极34包括主电极341和分支电极342,主电极341沿图示垂直方向延伸,主电极341的一端通过第一通孔36与薄膜晶体管33的漏极耦接,主电极341的另一端与分支电极342的一端连接,分支电极342的另一端向像素区域的一侧边延伸,本实施例中分支电极342与主电极341之间的夹角仅仅是示意性说明,但本发明并不以此为限。此外,本实施例的像素电极结构也可根据需要做相应改变,例如在主电极上增加更多的分支电极,以增加像素电极的面积,进而提高显示面板中像素电极与公用电极之间的存储电容,减缓显示面板中画面闪烁现象,提高显示画面的质量。
图3B示意性示出图3A的剖视示意图。
如图3B所示,衬底基板3上设置有薄膜晶体管,薄膜晶体管依次包括缓冲层331、半导体层332、栅极绝缘层333、栅极334、层间绝缘层335、源/漏金属电极336。源/漏金属电极336通过第二通孔35、第一通孔36与有源层332中的漏极3322和源极3321连接。具体的,第二通孔35贯穿栅极绝缘层333和层间绝缘层335,使得源/漏金属电极336中的源极金属电极与半导体层332中的源极3321耦接;通孔336为多层过孔,其包括贯穿像素电极与源/漏金属电极336的绝缘层的上层过孔与贯穿栅极绝缘层333和层间绝缘层335的下层过孔,像素电极通过上层过孔实现与漏极金属电极的耦接,漏极金属电极通过下层过孔实现与半导体层332中的漏极3322的耦接。
衬底基板上设置有遮光层38,位于半导体层332的下方,与半导体层332在衬底基板3上的垂直投影具有重叠的区域,即从衬底基板3的方向看过去,遮光层38能够遮挡住半导体层332的有源区。上述遮光层38可用于减少从衬底基板3一侧入射且照射到有源区的光线。
继续参考图3A,本实施例的阵列基板上配置有多个像素。沿所述第一方向相邻的像素单元中耦接同一条栅极线的薄膜晶体管沿所述第二方向交错设置。亦即像素的像素电极之间沿垂直方向交错设置,亦即如图中所示的沿水平方向相邻的像素单元32的像素电极34上下错开一距离D,使得相邻像素单元32中的第二通孔35、第一通孔36也上下错开一定距离,且相邻两像素单元32中第一通孔36位于所述栅极线30的不同侧。进而在一定程度上增加了相邻像素第一通孔36之间的直线距离L1以及第二通孔35与第一通孔36之间的直线距离L2,需要说明的是相邻像素单元是指耦接在同一条栅极线上左右相邻的两个像素单元。相较于现有技术,本实施例的相邻像素第二通孔35之间的直线距离L1大于图2A中现有技术阵列基板中通孔12、23之间的直线距离D1,第二通孔35与第一通孔36之间的直线距离L2大于图2A中现有技术阵列基板中通孔12、22之间的直线距离D2。因此,使薄膜晶体管通过第二通孔35、第一通孔36与相应数据线和像素电极之间连接的空间增大,降低了线路短路或者断路的概率。
像素电极至少弯折一次,本实施例中以像素电极弯折一次为例进行说明,像素电极也可以弯折多次,本发明并不以此为限。本实施例中同一列的像素配置相同,而相邻列的像素配置相反。亦即同一列的像素中的像素电极、过孔和薄膜晶体管在像素区域的位置相同,而相邻列的像素中的像素电极、过孔和薄膜晶体管在像素区域的位置相反且像素电极的弯折方向不同。例如,第一列中像素的像素电极34大致位于像素区域的上部、第二通孔35、第一通孔36大致位于像素区域的中下部、薄膜晶体管33大致位于像素区域的下部;而第二列中像素的薄膜晶体管33大致位于像素区域的上部、第二通孔35、第一通孔36大致位于像素区域的中上部以及像素电极34大致位于像素区域的下部。如此配置可以使得第一列位于下部的薄膜晶体管33与第二列位于上部的薄膜晶体管33布置在同一行上, 进而将栅极线30沿水平方向布线就可以与位于同一行上的所有薄膜晶体管33耦接,从而降低了栅极线30的布线难度。
此外,多个像素单元中像素电极的弯折方向部分相同,第一列中像素电极的弯折方向相同,第二列中像素电极的弯折方向相同,而第一列与第二列中像素的像素电极34的弯折方向也有所区别,第一列中像素电极34中分支电极由主电极向逆时针方向弯折,而第二列中像素电极34中分支电极由主电极向顺时针方向弯折。
本实施例中通过增加相邻像素的过孔之间的距离,提高了像素电极与薄膜晶体管的连接走线和通孔之间的空间,降低了像素结构制造的难度,从而降低了线路短路或者断路的概率。
此外,像素电极之间的距离增加,降低了像素电极之间的电磁耦合效应,减小了黑矩阵下方的液晶受电场的影响,进而降低了黑矩阵下方的液晶旋转角度,改善了液晶显示器的侧视色偏现象,增大了可视角度。
图4示意性示出根据本发明示例实施方式的一阵列基板的俯视示意图。
图4所示实施例是在图3A实施例的基础上改变同一列像素的像素电极的排列方向,亦即同一列像素的像素电极弯折方向相反。如图4所示,例如第一列的像素40的像素电极401包括主电极4011和分支电极4012,主电极4011沿垂直方向延伸一端与薄膜晶体管耦接,另一端连接于分支电极4012的一端,分支电极4012的另一端向像素单元40的左侧边延伸,即分支电极4012由主电极4011向逆时针方向弯折,而第一列的像素41的像素电极411包括主电极4111和分支电极4112,主电极4111沿垂直方向延伸一端与薄膜晶体管耦接,另一端与耦接于分支电极4112的一端,分支电极4112的另一端向像素单元40的右侧边延伸,即分支电极4112由主电极4111向顺时针方向弯折。亦即像素电极401、411的分支电极4012、4112的延伸方向相反。同理,第二列的两像素的像素电极是分支电极的延伸方向也相反。本实施例中像素结构的其他配置与图3A实施例相同,在此不再赘述。本实施例中第一列像素的像素电极与第二列像素的像素电极弯折处的直线距离D4相较于图2A的现有技术距离增加,削弱了相邻像素电极弯折处液晶偏转的互相干扰,进而提高了液晶响应速度。
图5示意性示出根据本发明示例实施方式的一阵列基板的俯视示意图。
图5所示实施例是在图3A实施例的基础上改变同一列像素的像素电极的排列方向,亦即图3A实施例中第一列像素电极的分支电极由主电极向逆时针方向弯折,第二列像素电极的分支电极由主电极向顺时针方向弯折[MYH1],而图5实施例中第一列像素50的像素电极的分支电极501由主电极向顺时针方向弯折,第二列像素51的像素电极511的分支电极由主电极向逆时针方向弯折。本实施例中像素结构的其他配置与图3A实施例相同,在此不再赘述。
图6示意性示出根据本发明示例实施方式的一阵列基板的俯视示意图。
图6和图3A实施例的区别在于,像素单元沿垂直方向错开的距离D不同。图3A实施例的像素沿垂直方向错开的距离大致为1/2个像素单元,而图6实施例的像素沿垂直方向错开的距离大致为1个像素单元。
图6实施例连接同一条栅极线60上的薄膜晶体管61、62在垂直方向上错开一定距离,亦即连接同一条栅极线上的薄膜晶体管61、62不在同一行上,栅极线60的布线呈“几”字行配置,以与在垂直方向上互相错开的薄膜晶体管61、62耦接。本实施例中像素结构的其他配置与图4实施例相同,在此不再赘述。
图7示意性示出根据本发明示例实施方式的液晶旋转示意图。如图7所示,相邻像素的像素电极70、71沿垂直方向错开一距离,由于像素电极70、71之间相距较远,像素电极70、71之间的电磁耦合效应降低,使得像素电极70、71之间的黑矩阵73下方的液晶72旋转角度小于图2B所示现有技术中液晶32的旋转角度。
本实施例与现有技术相比降低了像素电极70、71之间的电磁耦合效应,减小黑矩阵73下方的液晶72受电场的影响,进而降低了黑矩阵73下方的液晶72旋转角度,改善了液晶显示器的侧视色偏现象,增大了可视角度。
本发明还提供一种显示面板,包括:
如上述实施例的阵列基板;
彩膜基板,相对所述阵列基板设置;以及
液晶层,夹持于所述阵列基板和所述彩膜基板之间。
其中,上述实施例的黑矩阵可以设置于所述阵列基板或所述彩膜基板上,本发明并不以此为限。
图8示意性示出根据本发明示例实施方式的黑矩阵的结构排列示意图。如图8所示,像素单元82的部分区域被黑矩阵81遮蔽,且由于像素单元82交错设置,且像素单元82之间的黑矩阵81也交错设置。因此,使得自像素单元下方液晶斜向透过的光线被黑矩阵81阻挡,进而减弱了相邻像素的混色现象。
以上具体地示出和描述了本公开的示例性实施方式。应可理解的是,本发明不限于这里描述的详细结构、设置方式或实现方法;相反,本发明意图涵盖包含在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效设置。
Claims (13)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
第一衬底基板;
多条栅极线,沿第一方向设置于所述第一衬底基板上;
多条数据线,沿第二方向设置于所述第一衬底基板上,且所述第一方向与所述第二方向相互交错;
多个像素单元,沿所述第一方向和所述第二方向阵列设置于所述第一衬底基板上;其中,每个所述像素单元包括:
薄膜晶体管,耦接于所述栅极线和所述数据线;
像素电极,耦接所述薄膜晶体管;
其中,沿所述第一方向相邻的像素单元的像素电极沿所述第二方向交错设置。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极至少弯折一次,且所述多个像素单元中像素电极的弯折方向部分相同。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括漏极、源极和栅极,所述像素单元还包括第一通孔,所述像素电极经由所述第一通孔耦接所述漏极,且沿所述第一方向相邻的像素单元的第一通孔沿所述第二方向交错设置。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,沿所述第一方向线相邻的耦接至同一条所述栅极线的两个像素单元,所述第一通孔位于所述栅极线的不同侧。
5.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元还包括第二通孔,所述数据线经由所述第二通孔耦接所述源极。
6.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,沿所述第一方向相邻的像素单元中的像素电极的弯折方向相反,沿所述第二方向相邻的像素单元中的像素电极的弯折方向相同。
7.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,沿所述第一方向相邻的像素单元中的像素电极的弯折方向相反,沿所述第二方向相邻的像素单元中的像素电极的弯折方向相反。
8.如权利要求6或7所述的阵列基板,其特征在于,沿所述第一方向相邻的像素单元中耦接同一条栅极线的薄膜晶体管沿第一方向排列。
9.如权利要求6或7所述的阵列基板,其特征在于,沿所述第一方向相邻的像素单元中耦接同一条栅极线的薄膜晶体管沿所述第二方向交错设置。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极线沿所述第一方向弯折延伸。
11.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极线配置于所述像素单元中所述薄膜晶体管上,且与所述薄膜晶体管的所述栅极耦接。
12.一种显示面板,其特征在于,包括:
如权利要求1-11任一项所述的阵列基板;
彩膜基板,相对所述阵列基板设置;以及
液晶层,夹持于所述阵列基板和所述彩膜基板之间。
13.如权利要求12所述的显示面板,其特征在于,还包括:
黑矩阵,设置于所述阵列基板或所述彩膜基板上。
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Cited By (4)
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---|---|---|---|---|
CN111694195A (zh) * | 2019-03-15 | 2020-09-22 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN112800716A (zh) * | 2021-02-04 | 2021-05-14 | 北京华大九天科技股份有限公司 | 一种集成电路版图布线中线网开路检测方法 |
WO2023240710A1 (zh) * | 2022-06-15 | 2023-12-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 触控显示面板 |
US20240213272A1 (en) * | 2021-10-15 | 2024-06-27 | Hefei Boe Display Technology Co., Ltd. | Array Substrate and Manufacturing Method Thereof, and Display Apparatus |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7705927B2 (en) * | 2006-12-28 | 2010-04-27 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Pixel structure having a second TFT electrically connected to a coupling electrode formed over and electrically insulated from the data line |
KR20100135118A (ko) * | 2009-06-16 | 2010-12-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
CN103235452A (zh) * | 2013-03-29 | 2013-08-07 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
CN203232230U (zh) * | 2013-03-29 | 2013-10-09 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
CN103163701B (zh) * | 2011-12-16 | 2015-09-30 | 上海中航光电子有限公司 | 网状公共电极结构液晶显示器件及其制造方法 |
CN105182620A (zh) * | 2015-11-06 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构及驱动方法、显示基板及显示装置 |
-
2016
- 2016-11-25 CN CN201611055199.3A patent/CN106681064B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7705927B2 (en) * | 2006-12-28 | 2010-04-27 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Pixel structure having a second TFT electrically connected to a coupling electrode formed over and electrically insulated from the data line |
KR20100135118A (ko) * | 2009-06-16 | 2010-12-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
CN103163701B (zh) * | 2011-12-16 | 2015-09-30 | 上海中航光电子有限公司 | 网状公共电极结构液晶显示器件及其制造方法 |
CN103235452A (zh) * | 2013-03-29 | 2013-08-07 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
CN203232230U (zh) * | 2013-03-29 | 2013-10-09 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
CN105182620A (zh) * | 2015-11-06 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构及驱动方法、显示基板及显示装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111694195A (zh) * | 2019-03-15 | 2020-09-22 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN112800716A (zh) * | 2021-02-04 | 2021-05-14 | 北京华大九天科技股份有限公司 | 一种集成电路版图布线中线网开路检测方法 |
CN112800716B (zh) * | 2021-02-04 | 2022-03-01 | 北京华大九天科技股份有限公司 | 一种集成电路版图布线中线网开路检测方法 |
US20240213272A1 (en) * | 2021-10-15 | 2024-06-27 | Hefei Boe Display Technology Co., Ltd. | Array Substrate and Manufacturing Method Thereof, and Display Apparatus |
WO2023240710A1 (zh) * | 2022-06-15 | 2023-12-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 触控显示面板 |
US12086369B2 (en) | 2022-06-15 | 2024-09-10 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Touch display panel |
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Publication number | Publication date |
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