CN106663719A - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

根据实施例的发光器件包括：第一发光单元，该第一发光单元包括至少一个发光单体；第二发光单元，该第二发光单元具有多个发光单体，其中发光单体具有发光结构和被布置在发光结构之下的第一电极层；多个焊盘，多个焊盘被布置在第一发光单元的发光单体上，并且被连接到第一发光单元和第二发光单元中的每个发光单体；多个连接层，该多个连接层从第一发光单元的发光单体的下部区域延伸到第二发光单元的多个发光单体的下部区域；第二电极层，该第二电极层被布置在第一发光单元和第二发光单元的发光单体之下；绝缘层，该绝缘层被布置在第一电极层和第二电极层之间；以及间隙单元，该间隙单元被布置在该至少一个发光单体和该多个发光单体之间，其中多个连接层中的每个通过间隙单元的下部区域连接到第二发光单元的多个发光单体。

Description

发光器件
技术领域
实施例涉及发光器件和包括发光器件的照明单元。
背景技术
作为一种发光器件，LED(发光二极管)已经被广泛地采用。LED可以用作使用化合物半导体的特性将电信号转换成诸如红外线、可视光线、以及紫外线的光。
随着发光器件的光效率增加，发光器件具有诸如显示装置、图示装置等等的各种应用。
发明内容
实施例是要提供一种具有多个发光单体的发光器件。
实施例是要提供一种发光器件，该发光器件具有被布置在多个发光单体下面并且被共同地电连接到该多个发光单体的导电支撑件、以及用于分别驱动多个发光单体的多个焊盘。
实施例是要提供发光器件以允许减少由于在至少两个发光单体和焊盘之间的距离的差异所造成的在至少两个发光单体的工作电压之间的差异。
实施例是要提供具有发光器件的照明单元。
实施例提供一种发光器件，包括：第一发光部，该第一发光部包括至少一个发光单体；第二发光部，该第二发光部包括多个发光单体，其中发光单体中的每个包括发光结构和被布置在发光结构下面的第一电极层；多个焊盘，多个焊盘被布置在第一发光部的发光单体上，其中焊盘被电连接到第一发光部和第二发光部的发光单体中的每个；多个连接层，每个连接层从第一发光部的发光单体下面的区域延伸到第二发光部的多个发光单体下面的区域；第二电极层，该第二电极层被布置在第一发光部和第二发光部的发光单体下面；绝缘层，该绝缘层被布置在第一电极层和第二电极层之间；以及至少一个间隙部，所述至少一个间隙部被布置在第一发光部的至少一个发光单体和第二发光部的多个发光单体之间，其中多个连接层中的每个通过间隙部下面的区域延伸并且被电连接到第二发光部的多个发光单体中的每个。
实施例提供一种发光器件，包括：第一发光部，该第一发光部包括第一发光单体和第二发光单体；第二发光部，该第二发光部包括第三发光单体和第四发光单体；多个焊盘，所述多个焊盘被布置在第一发光单体和第二发光单体上并且分别电连接到第一至第四发光单体；绝缘层，该绝缘层被布置在第一至第四发光单体下面；结合层，该结合层被布置在绝缘层下面；扩散禁止层，该扩散禁止层被布置在结合层下面；导电支撑件，该导电支撑件被布置在扩散禁止层下面；第一包覆层(first capping layer)，该第一包覆层被布置在绝缘层和第一至第四发光单体中的每个之间；第二包覆层，该第二包覆层被布置在绝缘层与第三发光单体和第四发光单体中的每个中的结合层之间；第一连接层，该第一连接层被布置在第一发光单体和第三发光单体下面并且被电连接到第一包覆层；以及第二连接层，该第二连接层被布置在第二发光单体和第四发光单体下面并且被电连接到第二包覆层，其中第一至第四发光单体中的每个包括第一半导体层、被布置在第一半导体层下面的有源层以及被布置在有源层下面的第二半导体层，其中第一半导体层被电连接到结合层，其中第二半导体层被电连接到第一包覆层，其中第三发光单体被布置在第一发光单体和第二发光单体与第四发光单体之间，其中随着第四发光单体变得更加远离焊盘，第四发光单体的长度逐渐地增加，其中第三发光单体和第四发光单体离多个焊盘具有不同的距离，其中在第一发光单体和第三发光单体之间的区域中的第一连接层的宽度等于在第二发光单体和第三发光单体之间的区域中的第二连接层的宽度。
根据本公开，可以实现由于在至少两个发光单体和焊盘之间的距离的差异所导致的在至少两个发光单体的工作电压之间的差异的减少。
根据本公开，可以实现在发光部中的发光单体的光学特性之间的差异的减少。
根据本公开，可以实现发光器件、和包括发光器件的发光器件封装以及包括发光器件封装的照明单元的可靠性。
附图说明
图1是根据一个实施例的包括多个发光器件的照明单元的顶视图。
图2是图1中的第一发光器件的顶视图。
图3是图2中的第一发光器件的底视图。
图4是图1中的第一发光器件的顶视图。
图5是以图4中的线A-A截取的第一发光器件的横截面图。
图6是以图4中的线B-B截取的第一发光器件的横截面图。
图7是以图4中的线C-C截取的第一发光器件的横截面图。
图8是以图4中的线D-D截取的第一发光器件的横截面图。
图9是以图4中的线E-E截取的第一发光器件的横截面图。
图10图示在传统的解决方案中的发光器件的发光单体的工作电压之间的差异的示例。
图11图示在本解决方案中的发光器件的发光单体的工作电压(operationvoltage)之间的差异的示例。
具体实施方式
将会理解的是，当元件或者层被称为被“连接到”或者“耦合到”另一元件或者层时，其能够直接地在另一元件或者层上、被连接到、或者被耦合到另一元件或者层，或者可以存在一个或者多个中间元件或者层。另外，也将会理解的是，当元件或者层被称为是在两个元件或者层“之间”时，其能够是两个元件或者层之间的唯一的元件或者层，或者也可以存在一个或者多个中间元件或者层。为了对描述如在附图中图示的一个元件或者特征与另一元件或者特征的关系进行解释，诸如“之下”、“在下方”、“下部”、“下面”、“上面”、“上部”等等的空间相对术语在此可以被使用。将会理解的是，空间相对术语旨在包含在使用或者操作中的装置的不同方位，除了附图中描述的方位之外。例如，如果在附图中的装置被翻转，则被描述为在另一元件或者特征的“下方”或者“之下”或者“下面”的元件应被定向在另一元件或者特征的“上面”。
在下文中，将会参考附图详细地描述根据各种实施例的发光器件、发光器件封装、照明单元以及用于制造发光器件的方法。
图1是根据一个实施例的包括多个发光器件的照明单元的顶视图。图2是图1中的第一发光器件的顶视图。图3是图2中的第一发光器件的底视图。
参考图1，照明单元可以包括多个发光器件100、101、102、104、105以及106。多个发光器件100、101、102、104、105以及106可以形成至少一行或者至少一列。多个发光器件100、101、102、104、105以及106可以形成至少一行和一列。多个发光器件100、101、102、104、105以及106可以形成，例如，矩阵。例如，多个发光器件100、101、102、104、105以及106可以形成至少2*2矩阵。虽然实施例图示多个发光器件100、101、102、104、105以及106可以形成至少2*3矩阵，但是本公开不限于此。更多或者更少的列和行可以形成矩阵。
至少两个行可以包括下部的第一行和上部的第二行。第一行可以包括在行中被彼此间隔开的多个第一发光器件100、101以及102。第二行可以包括在行中被彼此间隔开的多个第二发光器件104、105以及106。多个第一发光器件100、101以及102可以分别位置对应于多个第二发光器件104、105以及106。可替选地，多个第一发光器件100、101和102可以与多个第二发光器件104、105以及106分别位置交替。然而，本公开不限于此。
第一或/和第二发光器件100、101、102、104、105以及106可以被单独地驱动或者可以基于列或/和行被驱动。然而，本公开不限于此。例如，发光器件100、101、103、104、105以及106可以被相互并联地连接，并且可以被选择性地驱动。
第一发光器件100、101以及102中的每个可以包括多个发光单体121、122、123以及124。在多个发光单体121、122、123以及124当中，至少一个单体可以具有不同于剩余的发光单体的形状或者长度。例如，在多个发光单体121、122、123以及124当中，发光单体123和124中的每个可以具有比发光单体121、122中的每个大的水平长度。第二发光器件104、105以及106中的每个可以包括多个发光单体C1-C4。在多个发光单体C1、C2、C3、C4当中，至少一个单体可以具有与剩余单体相同或者不同的尺寸。然而，本公开不限于此。
第一发光器件100、101、102中的每个可以包括至少两个，例如，至少四个发光单体。例如，第一发光器件100、101、102中的每个可以包括第一至第四发光单体121、122、123以及124。第二发光器件104、105以及106中的每个可以包括至少两个，例如，至少四个发光单体，例如，第五至第八发光单体C1、C2、C3、C4。第一发光器件100、101以及102中的每个的发光单体的数目可以与第二发光器件104、105以及106中的每个的发光单体的数目不同或者相同。然而，本公开不限于此。
如在图2中所示，第一发光器件100、101、102可以包括与第一侧S1相邻的第一和第二发光单体121和122，和与第二侧S2相邻的第三和第四发光单体123和124，该第二侧S2与第一侧S1相反。第一和第二侧可以是水平的。第四发光单体124可以比第三发光单体123更加靠近第二侧S2。此外，照明单元可以具有与第一和第二侧S1和S2垂直的第三和第四侧S3、S4。第三和第四侧S3、S4可以彼此相反。第三发光单体123可以比第四发光单体124更加靠近第三侧S3。第四发光单体124可以比第三发光单体123更加靠近第四侧S4。
第一和第二发光单体121和122中的每个可以具有诸如多边形，例如，矩形的顶视图形状。第三和第四发光单体123和124中的每个可以具有诸如多边形的顶视图形状或者不同于第一和第二发光单体121和122中的每个的形状。第三和第四发光单体123和123中的每个可以具有三角形的形状，例如，直角三角形的形状。第三发光单体123可以被布置在第一和第二发光单体121和122与第四发光单体124之间。第三发光单体123可以具有与第三侧S3相邻的宽度D7并且可以从第三侧S3到第四侧S4渐缩。
第四发光单体124的侧面可以对应于第三发光单体123的长侧或者侧面的斜边。第四发光单体124可以在与第四侧S3相邻的区域处具有最宽的宽度D9并且随着其变得靠近第三侧S3可以具有较小的宽度。第三发光单体123和第四发光单体124可以离焊盘111、112、113以及114具有不同的距离。第三发光单体123可以具有随着其进一步远离焊盘111、112、113以及114逐渐地减少的水平长度。第三发光单体123可以被布置在第四发光单体124与第一和第二发光单体121和122之间。第四发光单体124可以具有随着其进一步远离焊盘111、112、113以及114逐渐地增加的水平长度。
第一和第二发光单体121和122可以被布置成水平地对称。第三和第四发光单体123和124可以被布置成彼此具有旋转的对称。第一至第四发光单体121、122、123以及124的形式可以不限于此。例如，第一至第四发光单体121、122、123以及124可以具有圆形或者椭圆形的形状。
如在图1中所示，第二发光器件104、105以及106中的每个的第五至第八发光单体C1、C2、C3、C4可以具有相同的顶视图形状，例如，多边形形状，例如，矩形形状。然而，本公开不限于此。例如，第五至第八发光单体C1、C2、C3、C4中的每个可以具有圆形或者椭圆形的形状。第五和第六发光单体C1和C2可以被布置成水平地对称。第七和第八发光单体C3和C4可以被布置成水平地对称。然而，本公开不限于此。第五和第六发光单体C1和C2可以被布置成彼此具有旋转的对称。第七和第八发光单体C3和C4可以被布置成彼此具有旋转的对称。
第一发光器件100、101、102中的每个的第一至第四发光单体121、122、123以及124可以分别被连接到多个焊盘111、112、113以及114。多个焊盘111、112、113以及114可以被布置在至少一个或者两个发光单体上或者与至少一个或者两个发光单体相邻。至少一个焊盘，例如，多个焊盘P1、P2、P3、P4可以被布置在第五和第六发光单体C1、C2上。多个焊盘P1、P2、P3、P4可以分别被电连接到第五至第八发光单体C1、C2、C3以及C4。第五至第八发光单体C1、C2、C3以及C4可以被连接到作为导电支撑件的下面的公共电极层。
参考图1，第一发光器件100、101、102中的每个可以包括分别被连接到第一至第四发光单体121、122、123以及124的第一至第四焊盘111、112、113以及114。第二发光器件104、105以及106中的每个可以包括分别被连接到第五至第八发光单体C1、C2、C3、C4的第五至第八焊盘P1、P2、P3、P4。在第一发光器件100、101、102中的每个的第一至第四焊盘111、112、113以及114和第二发光器件104、105以及106中的每个的第五至第八焊盘P1、P2、P3、P4之间的间距B1可以大于在第二发光单体12和第五发光单体C1之间的间距B2。
第一发光器件100、101、102可以与板200的第一侧E1相邻。被连接到第一发光器件100、101、102中的每个的第一至第四焊盘111、112、113以及114可以比板200的中心更加靠近第一侧E1。第一侧E1可以与第一发光器件100、101、102中的每个的第一侧S1相邻。
第二发光器件104、105以及106可以与板200的第二侧E2相邻。第二发光器件104、105以及106中的每个的第五至第八焊盘P1、P2、P3、P4可以比板200的中心更加靠近第二侧E2。第二侧E2可以与第二发光器件104、105以及106中的每个的第二侧S2相邻。
第一发光器件100、101、102中的每个的第一至第四焊盘111、112、113以及114可以与板200的第一侧E1相邻。第二发光器件104、105以及106中的每个的第五至第八焊盘P1、P2、P3、P4可以与板200的第二侧E2相邻。板200的第一侧E1可以与其第二侧E2相反。
如在图2中所示，多个焊盘，例如，分别被连接到第一和第三发光单体121、123的第一和第三焊盘121、113可以被布置在第一发光单体121上。多个焊盘，例如，分别被连接到第二和第四发光单体122、124的第二和第四焊盘112、114可以被布置在第二发光单体122上。在第一和第三焊盘111、113之间的距离可以小于第一发光单体121的宽度D5。在第二和第四焊盘112、114之间的距离可以小于第一发光单体121的D5。在第一和第四焊盘111、114之间的距离可以小于第三发光单体123的长度D6或者第四发光单体124的长度D8。
当驱动照明单元时，发光单体的第一列或/和第二行可以被驱动。可替选地，在第一行中的所有的发光单体和第二行中的一些发光单体可以被驱动。可替选地，第一行中的一些发光单体和第二行中的所有的发光单体可以被驱动。例如，第二发光器件104、105以及106中的每个的第五至第八发光单体C1、C2、C3、C4和第一发光器件100、101、102中的每个的第四发光单体124可以被驱动，从而实现用于车辆的远光灯模式。可替选地，第四发光单体124可以与第二发光器件104、105以及106中的每个的第五至第八发光单体C1、C2、C3、C4一起被驱动，从而提高照明单元的上部区域的发光强度。在另一示例中，第五至第八发光单体C1、C2、C3、C4以及第三和第四发光单体123和124可以被驱动。在另一示例中，仅第一至第四发光单体121、122、123以及124可以被驱动。在另一示例中，所有的发光单体可以被驱动。然而，本公开可以不限于此。要驱动的发光单体的数目和组合可以取决于本照明单元的应用。
在下文中，通过示例可以图示在多个第一发光器件100、101、102当中的第一发光器件100。参考图2至图4，第一和第三焊盘111、113可以被布置在第一发光单体121上，同时第二和第四焊盘112、114可以被布置在第二发光单体122上。
第一焊盘111可以被电连接到第一发光单体121，并且第三焊盘113可以被电连接到第三发光单体123。第二焊盘112可以被电连接到第二发光单体122，并且第四焊盘114可以被电连接到第四发光单体124。在第一至第四发光单体121、122、123以及124的每个区域中，第二接触层141可以被形成。第二接触层141可以被布置成被嵌入在第一至第四发光单体121、122、123以及124中的每个中。第二接触层141可以被电连接到第一至第四发光单体121、122、123以及124中的每个中。
第一发光器件100可以包括分别在第一至第四发光单体121、122、123以及124之间的间隙部131、132、133。第一间隙部131可以被布置在第一和第二发光单体121和122之间。第二间隙部132可以被布置在第三发光单体123以及第一和第二发光单体121和122之间。第三间隙部133可以被布置在第三和第四发光单体123和124之间。第二间隙部132可以被连接到在第一和第二发光单体121和122之间的边界处的第一间隙部131，并且可以被连接到在第二和第四发光单体122、124之间的边界处的第三间隙部133。
第一和第二发光单体121和122可以分别具有分别比第三和第四发光单体123和124的长度D6、D8小的长度D3和D4。第一和第二发光单体121和122中的每个可以具有分别与第三和第四发光单体123和124的宽度D7和D9相等的宽度D5。然而，本公开不限于此。在此连接中，因为第三和第四发光单体123和124的长度D6、D8分别大于第一和第二发光单体121和122的长度D3、D4，所以第一发光器件100的水平或者纵向光分布可以被有效地改进。
如在图4中所示，第一连接层36A可以被布置在第一发光单体121下面。第一连接层36A可以横跨第二间隙部132并且在第二间隙部132下面延伸并且，然后，横跨第三发光单体123并且在第三发光单体123下面延伸。第一连接层36A可以连接第三焊盘113和第三发光单体123。第一连接层36A可以被部分地布置在第三焊盘113下面。
第二连接层37A可以被布置在第二发光单体122下面。第二连接层37A可以横跨第二间隙部132并且在第二间隙部132下面延伸并且横跨第三发光单体123并且在第三发光单体123下面延伸，并且然后，在第四发光单体124下面延伸。第二连接层37A可以连接第四焊盘114和第四发光单体124。第二连接层37A可以被布置在第四焊盘114下面。
如在图2和图4中所示，第一和第二连接层36A、37A可以被相互间隔开。在第一和第二连接层36A、37A之间的间距可以小于第一和第二发光单体121和122之间的间距或者可以等于第一和第二发光单体121和122之间的间距。本公开不限于此。
在此连接中，在第二间隙部132下面的第一区域中的第一连接层36A的宽度可以等于或者大于在第一发光单体121下面的第二区域中的第一连接层36A的宽度。第二间隙部132下面的第一区域中的第一连接层36A的宽度可以等于在第三发光单体123下面的区域中的第一连接层36A的宽度。
此外，第二间隙部132下面的第一区域中的第二连接层37A的宽度可以等于或者大于第二发光单体122下面的第二连接层37A的宽度。第二间隙部132下面的第一区域中的第二连接层37A的宽度可以等于第三发光单体123下面的第二连接层37A的宽度。
第二间隙部132下面的第一区域中的第二连接层37A的宽度可以等于第二间隙部132下面的第一连接层36A的宽度。以这样的方式，使用第一和第二连接层36A、37A，在第三和第四发光单体123和124之间的工作电压差异可以被减少。
第二间隙部132下面的第一区域中的第二连接层37A的宽度可以等于第一发光单体121或者第二发光单体122的长度D3或者D4。以这样的方式，使用第一连接层36A和第二连接层37A，在发光单体之间的工作电压差异可以被减少。此外，第二连接层37A的宽度可以处于第一连接层36A的80％至100％的范围内。例如，在第二连接层37A的宽度和第一连接层36A的宽度之间的较小的差异可能导致在经由第一连接层36A和第二连接层37A分别供应的电压之间的差异的进一步减少。当第二连接层37A的宽度低于第一连接层36A的宽度的80％时，第四发光单体124的发光强度可以低于第三发光单体123的发光强度。此外，当第四发光单体124可以与第五至第八发光单体C1、C2、C3以及C4一起被驱动时，第四发光单体124可以具有大大低于第五至第八发光单体C1、C2、C3以及C4的发光强度。当第二连接层37A的宽度超过第一连接层36A的宽度的100％时，第四发光单体123的设计变化可能是困难的。
以这样的方式，在第三间隙部133下面的第二连接层37A的宽度可以等于在第二间隙部132下面的第一连接层36A的宽度。可替选地，在第三间隙部133下面的第二连接层37A的宽度可以处于第二间隙部132下面的第一连接层36A的宽度的80％至100％的范围内。在没有第二连接层37A的宽度的显著减少，并且第二连接层37A通过第三间隙部133下面的区域连接至第四发光单体134的情况下，在经由第二连接层37A供应的电压和经由第一连接层36A供应的电压之间的差异可以被减少。
如在图3中所示，导电支撑件70可以被布置在第一至第四发光单体121、122、123以及124下面。导电支撑件70可以支撑第一至第四发光单体121、122、123以及124。导电支撑件70可以用作用于第一和第四发光单体121、122、123以及124的公共电极层。
图4是图1中的第一发光器件的顶视图。图5是以图4的线A-A截取的第一发光器件的横截面图。图6是以图4中的线B-B截取的第一发光器件的横截面图。图7是以图4的线C-C截取的第一发光器件的横截面图。图8是以图4中的线D-D截取的第一发光器件的横截面图。图9是以图4中的线E-E截取的第一发光器件的横截面图。
参考图4至图9，发光器件可以包括：包括多个半导体层的发光结构10、在发光结构10下面的保护层30、在发光结构10下面的第一电极层82、在第一电极层82下面的第二电极层83、在第一和第二电极层82、83之间的第一和第二绝缘层41、43、多个焊盘111、112、113以及114、第二接触层141、以及在第二接触层141周围的第三绝缘层45。
第一至第四发光单体121、122、123以及124中的每个可以包括发光结构10，和第一电极层82、第二接触层141以及第一和第二绝缘层41、43中的至少一个。第一至第四发光单体121、122、123以及124中的每个可以是发光结构10，或者可以是发光结构10和第一电极层82的堆叠，或者可以包括发光结构10、第一电极层82、第二接触层141以及绝缘层41、43。在第一和第二绝缘层41、43上面的发光结构10可以被电连接到第二电极层83。第一至第四发光单体121、122、123以及124中的每个的发光结构10可以被电连接到第一电极层82和第二接触层141并且被电连接在第一电极层82和第二接触层141之间。第二接触层141可以被电连接到第二电极层83。
第一行可以包括第一和第二发光单体121和122，并且第二行可以包括第三和第四发光单体123和124。如在图5和图6中所示，在第一行中，第一和第二发光单体121和122中的每个可以包括第一包覆层35。如在图8中所示，在第二行中，第三发光单体123可以包括第二包覆层36。如在图7和图9中所示，在第二行中，第四发光单体124可以包括第三包覆层37。即，第三发光单体123可以包括多个包覆层35、36，并且第四发光单体124可以包括多个包覆层35、37。在第一行中的发光单体或者第一和第二发光单体121和122可以被定义为第一发光部。第二行中的发光单体或者第三和第四发光单体123和124可以被定义为第二发光部。
在另一实施例中，第一行可以包括至少一个发光单体，并且第二行可以包括至少两个发光单体，即，多个发光单体。此外，多个连接层可以横跨第一单元的至少一个发光单体以及第一和第二单元之间的间隙部并且在第一单元的至少一个发光单体以及第一和第二单元之间的间隙部下面延伸，并且然后，可以横跨第二单元的多个发光单体并且在第二单元的多个发光单体下面延伸。在此连接中，多个焊盘可以被布置在第一发光部的至少一个发光单体上。多个连接层中的每个可以横跨第一单元的至少一个发光单体以及第一和第二单元之间的间隙部并且在第一单元的至少一个发光单体以及第一和第二单元之间的间隙部下面延伸，并且然后，可以横跨第二单元的多个发光单体并且在第二单元的多个发光单体下面延伸并且可以被耦合到第二发光部的多个发光单体。多个连接层中的每个可以具有与在第一单元的至少一个发光单体下面的第二区域的宽度相等的宽度，并且可以横跨在第一发光部和第二发光部之间的间隙部下面的第一区域并且在第一发光部和第二发光部之间的间隙部下面的第一区域下面延伸。可替选地，在间隙部下面的第一区域的多个连接层中的每个的宽度可以等于或者大于在第一发光部的至少一个发光单体下面的第二区域中的宽度。第一发光部可以包括至少一个发光单体，并且第二发光部可以包括多个发光单体。
参考图4，第二间隙部132可以被布置在至少一个发光单体的第一行以及至少两个发光单体123和124的第二行之间。多个连接层36A、37A可以在第二间隙部132下面的区域中具有相同的宽度。即，连接层36A、37A中的每个可以具有等于或者大于发光单体121、122中的每个的区域的宽度的宽度。连接层36A、37A中的每个可以横跨第二间隙部131并且在第二间隙部131下面延伸。在此连接中，当第一行具有一个发光单体时，第一间隙部可以被去除。
如在图4和图7中所示，在多个连接层36A、37A当中的一个，例如，第二连接层37A可以在第三发光单体123下面并且横跨第三发光单体123部分地延伸并且然后，可以在第三间隙部133下面并且横跨第三间隙部133部分地延伸，并且然后，可以在第四发光单体124下面并且横跨第四发光单体124部分地延伸。在此连接中，在第三发光单体123下面的第三区域下面的第二连接层37A的宽度可以不被减少。即，第二连接层37A可以以等于或者大于第三发光单体123下面的第三区域中的宽度的宽度横跨第三间隙部133下面的第四区域并且在第三间隙部133下面的第四区域下面延伸。第二连接层37A可以与第四发光单体124电绝缘。第二连接层37A可以具有第一发光单体122下面的第一区域、第二间隙部132的一部分下面的第二区域、第三发光单体123的一部分下面的第三区域、以及第三间隙部133的一部分下面的第四区域。
将会详细地描述发光单体121、122、123以及124中的每个。发光结构10可以包括第一半导体层11、有源层12以及第二半导体层13。有源层12可以被布置在第一半导体层11和第二半导体层13之间。有源层12可以被布置在第一半导体层11下面。第二半导体层13可以被布置在有源层12下面。
例如，第一半导体层11可以包括被掺杂有第一导电类型掺杂物，例如，n型掺杂物的n型半导体层。第二半导体层13可以包括被掺杂有第二导电类型掺杂物，例如，p型掺杂物的p型半导体层。在另一示例中，第一半导体层11可以包括被掺杂有第一导电类型掺杂物，例如，p型掺杂物的p型半导体层。第二半导体层13可以包括被掺杂有第二导电类型掺杂物，例如，n型掺杂物的n型半导体层。
第一半导体层11可以包括，例如，n型半导体层。第一半导体层11可以包括化合物半导体。第一半导体层11可以包括，例如，II-VI族化合物半导体和III-V族化合物半导体中的至少一个。
例如，第一半导体层11可以包括具有InxAlyGa1-x-yN的成分的半导体材料，其中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1。第一半导体层11可以包括，例如，从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等等组成的组中选择的至少一个。此外，作为n型掺杂物的Si、Ge、Sn、Se、Te等等可以被掺杂到第一半导体层中。第一半导体层11可以在其顶面处具有不平坦11A。不平坦11A可以改善光提取。
有源层12可以指的是其中从第一半导体层11注入的电子(空穴)遇到从第二半导体层13注入的空穴(或者电子)的层，从而基于有源层12的材料的能带发射光束。有源层12可以包括单量子阱、多量子阱、量子点或者量子线中的任何一个。然而，本公开不限于此。
有源层12可以包括化合物半导体。有源层12可以包括，例如，II-VI族和III-V族化合物半导体中的至少一个。有源层12可以包括具有例如InxAlyGa1-x-yN的成分的半导体材料，其中0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1。当有源层12可以包括多量子阱时，有源层12可以作为多个阱层和多个势垒层的垂直交替被实现。例如，一对阱层/势垒层可以包括InGaN阱层/GaN势垒层、InGaN阱层/AlGaN势垒层、InAlGaN阱层/InAlGaN势垒层或者GaN阱层/AlGaN势垒层。
第二半导体层13可以包括例如，p型半导体层。第二半导体层13可以包括化合物半导体。第二半导体层13可以包括例如，II-VI族和III-V族化合物半导体中的至少一个。
例如，第二半导体层13可以包括具有InxAlyGa1-x-yN的成分的半导体材料，其中0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1。第二半导体层13可以包括，例如，从GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等等组成的组中选择的至少一个。作为p型掺杂物的Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等等可以被掺杂在第二半导体层13中。
在另一示例中，第一半导体层11可以包括p型半导体层，并且第二半导体层13可以包括n型半导体层。在另一示例中，在第二半导体层13下面，又一半导体层可以被布置成具有不同于第二半导体层13的导电类型。以这样的方式，发光结构10可以是由NP、PN、NPN以及PNP结中的至少一个形成。在第一半导体层11和第二半导体层13中的杂质掺杂浓度可以是均匀的或者非均匀的。即，发光结构10可以是多种多样的。因此，本公开不限于此。
此外，在第一半导体层11和有源层12之间或者在第二半导体层13和有源层12之间，例如，InGaN/GaN超晶格结构或者InGaN/InGaN超晶格结构可以被形成。此外，在第二半导体层13和有源层12之间，被掺杂有第二导电类型掺杂物的AlGaN层可以被形成。
第一半导体层11可以具有被形成在其顶部处的粗糙11A。粗糙11A可以提高光提取效率。
第一半导体层11可以具有突起16。突起16可以是多个。多个突起16可以被相互间隔开。粗糙11A可以被形成在其顶部处的突起16上。然而，本公开不限于此。突起16可以是由第一导电类型半导体层或者未被掺杂的半导体层形成。然而，本公开不限于此。未被掺杂的半导体层可以与第一半导体层11具有界面并且可以是由具有低于第一半导体层11的导电率的半导体层形成。可替选地，可以使用离子注入工艺将未被掺杂的半导体层形成在第一半导体层11上。然而，本公开不限于此。
第一电极层82可以被布置在发光结构10和第二电极层83之间。第一电极层82可以被电连接到第二半导体层13，并且可以与第二电极层83电绝缘。第一电极层82可以包括第一接触层15、反射层17以及第一包覆层35。第一接触层15可以被布置在反射层17和第二半导体层13之间。反射层17可以被布置在第一接触层15和第一包覆层35之间。第一接触层15、反射层17以及第一包覆层35可以包括不同的导电材料。然而，本公开不限于此。
第一接触层15可以接触，例如，欧姆接触第二半导体层13。第一接触层15可以包括，例如，导电氧化膜、导电氮化物或者金属。接触层15可以包括，例如，从由ITO(铟锡氧化物)、ITON(ITO氮化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZON(IZO氮化物)、AZO(铝锌氧化物)、AGZO(氧化铝镓锌)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IZON(IZO氮化物)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt、Ag、以及Ti组成的组中选择的至少一个。
反射层17可以被电连接到第一接触层15和第一包覆层19。反射层17可以用于反射从发光结构10入射的光束以增加朝着本发光器件的外部的光束水平。
反射层17可以包括具有等于或者高于70％的光反射率的金属。例如，反射层17可以包括金属或者其合金，例如，从由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au以及Hf组成的组中选择的至少一个。此外，反射层17可以是由第二层和金属或者其合金的第一层的堆叠形成，第二层包括诸如ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)等等的透光导电材料。例如，在实施例中，反射层17可以包括从Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金或者其Ag-Cu合金组成的组中选择的至少一个。例如，反射层17可以是由Ag层和Ni层的堆叠、Ni/Ag/Ni层的堆叠形成或者可以是由Ti层或者Pt层形成。在另一示例中，第一接触层15可以被形成在反射层17下面，并且可以至少部分地穿过反射层17以接触第二半导体层13。在另一示例中，反射层17可以被布置在第一接触层15下面并且可以至少部分地穿过第一接触层15以接触第二半导体层13。
在一个实施例中，发光器件可以包括反射层17下面的第一包覆层35。第一包覆层35可以在反射层17的底面上接触反射层17。第一包覆层35可以被电连接到发光单体121、122、123以及124中的每个的第一至第四焊盘111、112、113以及114。第一包覆层35可以包括金属，例如，Au、Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一个。第一包覆层35可以具有300至700nm范围的厚度。当第一包覆层35的厚度小于上述范围时，电流扩展可能被劣化。当第一包覆层35的厚度大于在上面定义的范围时，电流扩展效果可以轻微地增加，但是可能使发光器件变厚。第一包覆层35可以保护反射层17并且可以用于接收来自于第一发光器件100的第一至第四焊盘111、112、113以及114的电力。
第一发光器件100的焊盘111、112、113以及114中的每个可以由单层或者多层形成。焊盘111、112、113以及114中的每个可以包括Ti、Ag、Cu以及Au中的至少一个。例如，当焊盘111、112、113以及114中的每个可以由多层形成时，焊盘可以包括Ti/Ag/Cu/Au的堆叠或者Ti/Cu/Au的堆叠。然而，本公开不可以被限于此。
保护层30可以被布置在发光结构10下面。保护层30可以在第二半导体层13的底面上接触第二半导体层13并且接触第一接触层15，并且接触反射层17。
保护层30可以具有垂直地重叠发光结构10的内保护层，和向外延伸超出发光结构10的侧壁的外保护层。
保护层30可以具有被布置在发光结构10和第一电极层82之间的内保护层。其外保护层可以被布置在光提取层95和第一绝缘层41之间。保护层30的外保护层可以向外延伸超出发光结构10的侧壁，从而防止湿气进入发光结构10。保护层30的外保护层可以保护发光结构10免受在蚀刻工艺期间被传递到芯片的冲击。此外，保护层30可以在用于每个发光结构10的隔离工艺中用作蚀刻终止层。此外，保护层30可以用于抑制由于隔离工艺导致的发光器件的电性质的劣化。光提取层95可以包括具有在发光结构10材料和空气的折射率之间的折射率的材料。光提取层95可以有效地提取来自发光结构10的光束。
保护层30可以被定义为沟道层，或者低折射率材料隔离层。保护层30可以包括绝缘材料，例如，氧化物或者氮化物。保护层30可以包括从由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、AlN等组成的组中选择的至少一个。保护层30可以包括透明材料。但是，本公开不限于此。
在一个实施例中，发光器件可以包括第一绝缘层41以允许在第一电极层82和第二电极层83之间的电绝缘。第一绝缘层41可以被布置在第一电极层82和第二电极层83之间。第一绝缘层41可以在其顶面处接触保护层30。第一绝缘层41可以垂直地重叠发光结构10的突起16。
第一绝缘层41可以包括例如，氧化物或者氮化物。例如，第一绝缘层41可以包括从由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、AlN等等组成的组中选择的至少一个。
第一绝缘层41可以具有例如100纳米至2000纳米的厚度。当第一绝缘层41的厚度低于100纳米时，绝缘性质可能被劣化。相反地，当第一绝缘层41的厚度超过2000纳米时，对于后处理可能在其中发生破裂。第一绝缘层41可以在第一电极层82的底面上接触第一电极层82。第二绝缘层43可以在第二电极层83的顶面上接触第二电极层83。第一和第二绝缘层41、43中的至少一个可以比保护层30、第一包覆层35、第一接触层15以及反射层17中的每个厚。然而，本公开不限于此。
第二电极层83可以被布置在多个发光单体121、122、123以及124下面。第二电极层83可以包括被布置在第二绝缘层43下面的扩散禁止层(diffusion inhibition layer)50、被布置在扩散禁止层50下面的结合层60、以及被布置在结合层60下面的导电支撑件70。第二电极层83可以被电连接到第一半导体层11。此外，第二电极层83可以选择性地包括扩散禁止层50、结合层60以及导电支撑件70中的一个或者两个。其可以分配有扩散禁止层50或者结合层60中的至少一个。
扩散禁止层50可以包括由Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo组成的组中选择的至少一个。扩散禁止层50可以用作第二绝缘层43和结合层60之间的扩散阻挡层(diffusion barrier layer)。扩散禁止层50可以被电连接到结合层60和导电支撑件70，并且因此，可以被电连接到第一导电层11。
扩散禁止层50可以用于防止结合层60中包含的材料朝着反射层17扩散，用于结合层60的形成。具体地，扩散禁止层50可以用作防止被包含在结合层60中的锡(Sn)等等朝着反射层17扩散。
结合层60可以包括阻挡金属或者结合金属等等。结合层60可以包括从由例如Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd或者Ta组成的组中选择的至少一个。导电支撑件70可以支撑发光结构10并且执行散热。结合层60可以包括晶种层。
导电支撑件70可以包括金属或者载体衬底。导电支撑件70可以包括从由例如Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo或者Cu-W组成的组中选择的至少一个。在另一示例中，导电支撑件70可以被实现为掺杂杂质的半导体衬底(例如，Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC、SiGe等等衬底)。导电支撑件70可以用于支撑第一发光器件10。为此，其厚度可以等于或者大于第二电极层83的厚度的80％。例如，其厚度可以大于或者等于30μm。当导电支撑件70的厚度低于30μm时，导电支撑件70可能在支撑第一发光器件100方面是差的并且/或者可能具有被劣化的散热。
第二接触层141可以被布置在第一半导体层11中并且接触第一半导体层11。第二接触层141可以具有比第一半导体层11的底层更高的顶层。第二接触层141可以被电连接到第一半导体层11和第二电极层83，但是可以与有源层12和第二半导体层13电绝缘。在发光单体121、122、123以及124中的每个中第二接触层141可以是多个。第二接触层141可以不垂直地重叠第一至第四发光单体121、122、123以及124中的每个中的第一和第二连接层36A、37A以及第二和第三包覆层36、37。
第二接触层141可以被电连接到第二电极层83。第二接触层141可以穿过第一电极层82、有源层12以及第二半导体层13。第二接触层141可以被布置在被限定在发光结构10中的凹部3中。第三绝缘层45可以被形成在凹部3中使得第二接触层141与有源层12和第二半导体层13电隔离。第二接触层141可以是多个。多个第二接触层141可以被相互间隔开。第二接触层141中的每个可以垂直地重叠突起16。第三绝缘层45可以包围凹部3中的第二接触层141。第三绝缘层45可以被实现为保护层30和第一绝缘层41中的至少一个的进一步延伸。然而，本公开不限于此。
第二接触层141可以被连接到第二电极层83的延伸部分61。延伸部分61可以从扩散禁止层50向上延伸。延伸部分61可以穿过第一绝缘层41并且经过在保护层30中限定的孔2。延伸部分61可以从第一电极层82电绝缘。在另一示例中，延伸部分61可以从结合层60向上延伸。然而，本公开不限于此。
第二接触层141可以包括从由例如Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au以及Mo组成的组中选择的至少一个。延伸部分61可以包括被包含在扩散禁止层50中的材料中的至少一个。然而，本公开不限于此。例如，延伸部分61可以包括从由例如Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd或者Ta组成的组中选择的至少一个。
光提取层95可以保护发光结构10的表面，并且可以在保护层30的周缘区域上接触保护层30。光提取层95可以具有比发光结构10的半导体层材料的折射率低的折射率，从而提高光提取效率。光提取层95可以包括，例如，氧化物或者氮化物。例如，光提取层95可以包括从由例如SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、AlN等等组成的组中选择的至少一个。在另一示例中，其可以分配有光提取层95。光提取层95可以指的是具有比半导体层低的折射率的低折射率层，或者保护发光结构10的表面的保护层，或者绝缘发光结构10的绝缘层，或者从发光结构10透射光束的透光层。然而，本公开不限于此。在一个实施例中，使用第一电极层82和第二电极层83可以驱动发光结构10。
如在图5中所示，第一连接层36A可以被布置在第一电极层82和第二电极层83之间。第一连接层36A可以被连接到如在图4中所示的第三焊盘113并且可以延伸到如在图7中所示的第二包覆层36。第一连接层36A可以被布置在第一绝缘层41和第二绝缘层43之间。第一连接层36A可以与第一发光单体121的第二电极层83和第一电极层82电绝缘。第一连接层36A可以在第一发光单体121下面并且横跨第一发光单体121延伸，并且然后在第三发光单体123的第二包覆层36下面延伸并且延伸到第三发光单体123的第二包覆层36。
如在图6至图9中所示，第二连接层37A可以被布置在第二和第三发光单体122、123中的每个的第一电极层82和第二电极层83之间。第二连接层37A可以被连接到如在图4中所示的第四焊盘144并且可以延伸到如在图6至图9中所示的第三包覆层37。第二连接层37A可以被布置在第二和第三发光单体121、123中的每个的第一绝缘层41和第二绝缘层43之间。第二连接层37A可以与第二和第三发光单体122、123中的每个的第二电极层83和第一电极层82电绝缘。第二连接层37A可以横跨如在图6至图9中所示的第二和第三发光单体122、123并且在第二和第三发光单体122、123下面延伸并且在第四发光单体124的第三包覆层37下面延伸并且延伸到第四发光单体124的第三包覆层37。
以这样的方式，图4中的第三发光单体123可以接触如在图7中所示的第一区域A1下面的第一和第二包覆层35、36并且可以与如在图7中所示的第三区域A3中的第一包覆层35和第二连接层37间隔开。第二包覆层36可以不被布置在第二区域A2中的第一包覆层35下面。此外，第三发光单体123的第三区域A3可以被布置在第一和第二区域A1、A2之间。第三发光单体123的第三区域A3可以不垂直地重叠第二包覆层36和第二连接层37A。因此，第三发光单体123的第三区域A3可以用于经由第一包覆层35供应电力。
如在图8和图9中所示，在第四发光单体124下面，第三包覆层37可以被布置成接触第一包覆层35。第三包覆层37可以在第一包覆层35的底面上接触第一包覆层35，从而向第一包覆层35供应电力。第二连接层37A的一部分34可以在第四焊盘114下面延伸并且延伸到第四焊盘114。
第二和第三包覆层36、37中的每个可以包括金属，例如，与第一包覆层35相同的金属。例如，第二和第三包覆层36、37中的每个可以包括从由例如Au、Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中选择的组中选择的至少一个。第二和第三包覆层36、37中的每个可以具有300至700nm范围的厚度。当第二和第三包覆层36、37中的每个的厚度小于在上面限定的范围时，电流扩展可能被劣化。当第二和第三包覆层36、37中的每个的厚度大于在上面限定的范围时，电流扩展效果可能轻微地增加但是可能引起发光器件变厚。第二和第三包覆层36、37可以分别被布置在第三和第四发光单体123和124下面。第二和第三包覆层36、37中的每个可以在第一包覆层35的底面上接触第一包覆层35，从而经由第一和第二连接层36A、37A供应电力。
第一和第二连接层36A、37A中的每个可以包括金属，例如，与第二和第三包覆层36、37相同的金属。例如，第一和第二连接层36A、37A中的每个可以包括从由例如Au、Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo组成的组中选择的至少一个。第一和第二连接层36A、37A中的每个可以具有300至700nm范围的厚度。当第二和第三连接层36A、37A中的每个的厚度小于在上面限定的范围时，电流扩展可能被劣化。当第二和第三连接层36A、37A中的每个的厚度大于在上面限定的范围时，电流扩展效果可以轻微地增加但是可能引起发光器件变厚。
以这样的方式，在第一发光器件100中，双包覆层可以被布置在与第一至第四焊盘111、112、113以及114间隔开的每个区域中的第三和第四发光单体123和124中的每个下面。双包覆层可以允许由于距离差异导致的在第三和第四发光单体123和124的工作电压之间的差异的减少。此外，双包覆层可以允许在第一和第二连接层36A、37A之间的宽度之间的差异的减少，从而减少被施加到分别被布置在第三和第四发光单体123和124下面的第一包覆层35的工作电压之间的差异。在另一示例中，第二和第三包覆层36、37以及第一和第二连接层36A、37A中的每个可以包括与第一包覆层35的金属不同的金属。在另一示例中，第二和第三包覆层36、37以及第一和第二连接层36A、37A中的每个可以包括具有高于第一包覆层35的金属材料的导电率的金属。这可以允许由于与第三发光单体123被间隔相比第四发光单体124与第四焊盘114间隔开更多的事实导致的在第四发光单体124和第三发光单体123的工作电压之间的差异的减少。此外，第二包覆层36可以与第一连接层36A是单片的。可替选地，第二包覆层36可以包括不同于第一连接层36A的金属。此外，第三包覆层37可以与第二连接层37A是单片的。可替选地，第三包覆层37可以包括与第二连接层37A不同的金属。
第二绝缘层43可以具有例如，100纳米至2000纳米的厚度。当第二绝缘层43的厚度低于100纳米时，绝缘性质可能被劣化。相反地，当第二绝缘层43的厚度超过2000纳米时，在第一和第二连接层36A、37A之间的绝缘可以被劣化。
图10图示在传统的解决方案中的发光器件的发光单体的工作电压之间的差异的示例。当被馈送到如在图4中所示的第一至第四发光单体的电流I1小时，在第一和第二发光单体与第三和第四发光单体的工作电压之间的差异可能小。当被馈送到如在图4中所示的第一至第四发光单体的电流I2大时，在第一和第二发光单体与第三和第四发光单体的工作电压之间的差异可能大。在后述情况下，在如在图10中所示的第三和第四发光单体的工作电压之间的差异可能大于0.2V。在比较示例中，发光器件的三个采样(SPL)可以被测试。作为传统的解决方案的此比较示例可以不包括如在图4中所示的第一发光器件中的第二包覆层，并且因此，可能在第一和第二连接层的宽度之间具有50％以上的差异。
相反地，图11图示在本解决方案中的发光器件的发光单体的工作电压之间的差异的示例。如在图11中所示，在第三和第四发光单体的工作电压之间的差异可以小于在如在图10中所示的第三和第四发光单体的工作电压之间的差异。即使当被馈送到如在图4中所示的第一至第四发光单体的电流I2较大时，在如在图11中所示的第三和第四发光单体的工作电压之间的差异也可以小于0.1V。即，在本解决方案中的第三和第四发光单体的工作电压之间的差异可能被减少到低于在传统的解决方案中的第三和第四发光单体的工作电压之间的差异的50％的水平。因此，每个发光器件的第三和第四发光单体的电气可靠性可以被提高。
在一个实施例中，每个发光器件可以包括可以被单独地驱动的多个发光单体。虽然上面的描述指的是一个发光器件包括四个发光单体的情形，但是本公开可以不限于此。例如，一个发光器件可以包括可以被单独地驱动的五个或者六个或者更多的发光单体。例如，对于车辆照明，例如，近光灯或者远光灯可以采用本发光器件。
此外，在一个实施例中，发光器件可以包括在其顶面上的透镜和荧光层(未示出)中的至少一个。使用例如共形涂层，荧光层可以具有均匀的厚度。然而，本公开不限于此。此外，可以使用模制构件封装每个发光器件。
在一个实施例中，在光路中，发光器件可以具有各种光学器件，例如，透镜、导光板、棱镜片、扩散片等等。发光器件、基板以及光学器件可以共同地形成照明单元。此照明单元可以被实现为顶视图或者侧视图类型或者可以被合并在诸如笔记本的便携式装置的显示器中，或者可以被应用于照明装置或者指示装置等等。
在另一实施例中，上述照明单元或者其封装可以被实现为照明装置。例如，上述的照明单元或者其封装可以被实现为灯、街灯、电子布告板、大灯(headlight)等等。在一个实施例中，可以为车辆照明实现在上面公开的照明单元或者其封装，例如，作为前灯或者后灯。
参考附图已经更加详细地描述示例实施例。然而，本公开可以以各种不同的形式体现，并且不应被解释为仅限于在此图示的实施例。而是，这些实施例作为示例被提供使得本公开将会是彻底和全面的，并且将会向本领域的技术人员完全地传达本公开的方面和特征。
各种实施例的示例被图示并且在下面进一步被描述。将会理解的是，本文的描述旨在没有将权利要求限于被描述的特定实施例。相反地，旨在覆盖可以被包括在如通过随附的权利要求定义的本公开的精神和范围内的替代、修改以及等效物。
工业实用性
上述实施例可以提高发光器件的可靠性。
上述实施例的发光器件可以被用作包括LED的照明装置，例如，灯、街灯、电子布告板、大灯等等。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
第一发光部，所述第一发光部包括至少一个发光单体；
第二发光部，所述第二发光部包括多个发光单体，其中所述发光单体中的每个包括发光结构和被布置在所述发光结构下面的第一电极层；
多个焊盘，所述多个焊盘被布置在所述第一发光部的发光单体上，其中所述焊盘被电连接到所述第一和第二发光部的发光单体中的每个；
多个连接层，每个连接层从所述第一发光部的发光单体下面的区域延伸到所述第二发光部的多个发光单体下面的区域；
第二电极层，所述第二电极层被布置在所述第一和第二发光部的发光单体下面；
绝缘层，所述绝缘层被布置在所述第一电极层和所述第二电极层之间；以及
至少一个间隙部，所述至少一个间隙部被布置在所述第一发光部的至少一个发光单体和所述第二发光部的多个发光单体之间，
其中，所述多个连接层中的每个通过所述间隙部下面的区域延伸并且被电连接到所述第二发光部的多个发光单体中的每个。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一发光部的发光单体的数目等于所述第二发光部的发光单体的数目。
3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述间隙部下面的连接层中的每个的宽度大于在所述第一发光部的发光单体下面的连接层中的每个的宽度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，其中，所述第二发光部的多个发光单体中的每个包括被布置在所述第一电极层下面的多个包覆层，
其中，所述多个连接层中的每个在所述间隙部下面并且横跨所述间隙部延伸以及延伸到所述多个包覆层中的至少一个。
5.根据权利要求4所述的器件，其中，所述第一发光部包括第一发光单体和第二发光单体，其中所述第一发光单体和所述第二发光单体中的每个具有第一长度，
其中，所述第二发光部包括第三发光单体和第四发光单体，其中所述第三发光单体和所述第四发光单体中的每个具有比所述第一长度大的第二长度，
其中，所述第三发光单体被布置在所述第一和二发光单体与所述第四发光单体之间。
6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述多个连接层包括：
第一连接层，所述第一连接层被布置在所述第一发光单体下面并且被电连接到所述第三发光单体；以及
第二连接层，所述第二连接层被布置在所述第二发光单体下面并且被电连接到所述第四发光单体，
其中，所述第一连接层和所述第二连接层被布置在所述第一和第二发光单体中的每个的所述第一电极层与所述第二电极层之间并且与所述第一和第二发光单体中的每个的所述第一电极层以及所述第二电极层电绝缘。
7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述多个焊盘包括：
第一焊盘，所述第一焊盘被布置在所述第一发光单体上并且被电连接到所述第一发光单体；
第二焊盘，所述第二焊盘被布置在所述第一发光单体上并且被电连接到所述第一连接层；
第三焊盘，所述第三焊盘被布置在所述第二发光单体上并且被电连接到所述第二发光单体；以及
第四焊盘，所述第四焊盘被布置在所述第二发光单体上并且被电连接到所述第二连接层。
8.根据权利要求5所述的器件，其中，所述多个包覆层包括：
第一包覆层，所述第一包覆层被布置在所述第一至第四发光单体中的每个下面；
第二包覆层，所述第二包覆层被布置在所述第三发光单体的第一包覆层下面并且被电连接到所述第一连接层；以及
第三包覆层，所述第三包覆层被布置在所述第四发光单体的第一包覆层下面并且被电连接到所述第二连接层。
9.根据权利要求8所述的器件，进一步包括：
第一接触层，所述第一接触层被布置在所述第一至第四发光单体中的每个的第一包覆层和所述发光结构之间；以及
反射层，所述反射层被布置在所述第一接触层和所述第一包覆层之间。
10.根据权利要求6所述的器件，其中，所述第一连接层和所述第二连接层被布置在所述第三发光单体下面，其中所述第一连接层和所述第二连接层具有相同的宽度。
11.根据权利要求5所述的器件，其中，所述第三发光单体的长度在离开所述焊盘的方向上被逐渐地减少，其中所述第四发光单体的长度在离开所述焊盘的方向上被逐渐地增加。
12.根据权利要求5所述的器件，其中，所述第二电极层被共同地电连接到所述第一和第二发光部的发光单体。
13.根据权利要求6所述的器件，其中，所述第二电极层包括：
扩散禁止层，所述扩散禁止层被布置在所述绝缘层下面；
结合层，所述结合层被布置在所述扩散禁止层下面；以及
导电支撑件，所述导电支撑件被布置在所述结合层下面。
14.根据权利要求13所述的器件，其中，所述发光结构包括：
第一半导体层，所述第一半导体层被电连接到所述第二电极层；
有源层，所述有源层被布置在所述第一半导体层下面；以及
第二半导体层，所述第二半导体层被布置在所述有源层下面并且被电连接到所述第一电极层，
其中，所述器件进一步包括第二接触层，所述第二接触层被电连接到所述第一半导体层和所述第二电极层，并且被部分地形成在所述第一半导体层中。
15.根据权利要求14所述的器件，其中，所述第二接触层被布置在所述第一和第二发光部中的发光单体中的每个中。
16.根据权利要求15所述的器件，其中，所述第二接触层不与所述第一连接层和所述第二连接层垂直地重叠。
17.一种发光器件，包括：
第一发光部，所述第一发光部包括第一发光单体和第二发光单体；
第二发光部，所述第二发光部包括第三发光单体和第四发光单体；
多个焊盘，所述多个焊盘被布置在所述第一发光单体和所述第二发光单体上并且分别电连接到所述第一至第四发光单体；
绝缘层，所述绝缘层被布置在所述第一至第四发光单体下面；
结合层，所述结合层被布置在所述绝缘层下面；
扩散禁止层，所述扩散禁止层被布置在所述结合层下面；
导电支撑件，所述导电支撑件被布置在所述扩散禁止层下面；
第一包覆层，所述第一包覆层被布置在所述绝缘层和所述第一至第四发光单体中的每个之间；
第二包覆层，所述第二包覆层被布置在所述绝缘层与所述第三和第四发光单体中的每个中的结合层之间；
第一连接层，所述第一连接层被布置在所述第一发光单体和所述第三发光单体下面并且被电连接到所述第一包覆层；以及
第二连接层，所述第二连接层被布置在所述第二发光单体和所述第四发光单体下面并且被电连接到所述第二包覆层，
其中，所述第一至第四发光单体中的每个包括第一半导体层、被布置在所述第一半导体层下面的有源层以及被布置在所述有源层下面的第二半导体层，
其中，所述第一半导体层被电连接到所述结合层，
其中，所述第二半导体层被电连接到所述第一包覆层，
其中，所述第三发光单体被布置在所述第一和第二发光单体与所述第四发光单体之间，
其中，在离开所述焊盘的方向上，所述第四发光单体的长度被逐渐地增加，
其中，所述第三发光单体和所述第四发光单体离所述多个焊盘具有不同的距离，
其中，在所述第一发光单体和所述第三发光单体之间的区域中的第一连接层的宽度等于在所述第二发光单体和所述第三发光单体之间的区域中的第二连接层的宽度。
18.根据权利要求17所述的器件，进一步包括：
多个延伸部分，所述多个延伸部分从所述结合层朝着所述第一至第四发光单体中的每个的所述第一半导体层延伸；
第一接触层，所述第一接触层允许在所述延伸部分中的每个和每个第一半导体层之间的电连接；以及
第二接触层，所述第二接触层被布置在所述第一至第四发光单体中的每个的第二半导体层和所述第一包覆层之间。
19.根据权利要求17所述的器件，进一步包括反射层，所述反射层被布置在所述第一包覆层和所述第一接触层之间。
20.根据权利要求17所述的器件，其中，所述多个焊盘中的每个被电连接到用于所述第一至第四发光单体中的每个的所述第一包覆层，
其中，所述第一至第四发光单体的第一半导体层中的每个被电连接到所述结合层。
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