CN106653936A - 一种Ta3N5光电极及其制备方法 - Google Patents
一种Ta3N5光电极及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106653936A CN106653936A CN201510741556.0A CN201510741556A CN106653936A CN 106653936 A CN106653936 A CN 106653936A CN 201510741556 A CN201510741556 A CN 201510741556A CN 106653936 A CN106653936 A CN 106653936A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- preparation
- optoelectronic pole
- thin film
- ta3n5
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 17
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910004479 Ta2N Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 25
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 17
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005915 ammonolysis reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 abstract 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 abstract 1
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 abstract 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 24
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 24
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910002937 BaTaO2N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002915 BiVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003071 TaON Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013033 photocatalytic degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
本发明涉及在金属钽片上制备Ta3N5电极的方法。采用直接高温快速焙烧方法在Ta基底原位制备高结晶度的Ta2O5前驱薄膜。该Ta2O5前驱薄膜经高温氮化，获得以Ta3N5为光吸收层，Ta5N6，Ta2N和Ta叠层作为导电基底的光电极。不同于已公开报道的其他制备方法，该方法所得Ta3N5薄膜具有高致密度和结晶度，与导电基底接触紧密，具备优异的机械强度。此外Ta2O5前驱薄膜的制备过程快捷，有利于Ta3N5光电极的批量制备。此光电极可用于光电化学水分解制氢气、二氧化碳还原以及光催化降解有机物等用途。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能光电化学转化研究中一种Ta3N5光电极的制备方法。
背景技术
随着能源危机和环境问题的日益突出，太阳能作为一种总量巨大、清洁可再生的新能源，越来越受到人们的关注。目前，太阳能的高效转化是太阳能利用的一大难题。光电化学作为一种高效转化利用太阳能的重要手段，成为能源与环境催化中的研究热点。1972年，Fujishima和Honda首次报道了单晶TiO2光电极在外加偏压下利用紫外光实现光电化学分解水的现象(Nature 1972,238,37)，自此以后许多半导体材料被开发用作光阳极，如α-Fe2O3(J.Electrochem.Soc.1979)，n-Si(J.Electrochem.Soc.1986,133,248-253)，BiVO4(Chem.Commun.2003,2908-2909)，ZnO(Adv.Funct.Mater.2009,19,1849-1856)，WO3(Chem.Mater.2011,5,1105-1112)。由于金属(氧)氮化物其带隙窄，可以利用600-800nm的可见光，理论太阳能利用率较金属氧化物高，近年来人们开发了大量的金属(氧)氮化物光阳极，如Ta3N5(Energy Environ.Sci.2011,10,4138-4147)，TaON(Chem.Commun.2009,7137-7139)，BaTaO2N(J.Amer.Chem.Soc.2015,6,2227-2230)，LaTiO2N(Chemical Communications 2012,48,820-822)等。其中Ta3N5因其具有较宽的太阳能吸收光谱，且能带位置适宜等优点，被认为是非常有潜力的光电极材料。目前，Ta3N5光电极的制备思路主要有两种。一种是采用水热法、阳极氧化法或者磁控溅射法在钽片上直接制备NaTaO3或者Ta2O5前驱薄膜，然后直接或者熔盐辅助高温氮化；另外一种是将预先合成好的Ta3N5粉末通过刮涂或者电泳的方法到导电基底上，然后进行后续的粘结处理。但上述方法制备的Ta3N5光电极主要存在两个问题：(1)前驱氧化物薄膜的制备方法耗时，过程复杂且重复性不佳；(2)通过电泳制备的电极其Ta3N5粉末与基底接触性差或者机械性能差。
针对上述问题，本发明提出采用钽片为前驱体，直接高温快速焙烧方法制得在Ta导电基底原位生长的具有高晶化度的Ta2O5前驱薄膜。氮化该Ta2O5前驱薄膜所得Ta3N5薄膜的结晶度高，机械强度好，与基底的接触佳；此外该电极制备过程简单快速，解决了传统方法中重复性差、基底接触以及机械性不佳的问题，便于工业化大规模制备光电极。由此制得的光电极具有很好的光电响应。
发明内容
本发明的目的是提供一种高结晶度、高机械强度的Ta3N5光电极及其制备方法。其特征在于：1)通过高温快速焙烧钽片制备的Ta2O5前驱薄膜结晶度高，与导电基底接触紧密，具有良好的机械强度；2)氮化后的Ta3N5层与导电基底接触紧密，具有良好的机械强度和光电响应。
为实现上述目的，本发明采用氢火焰下高温灼烧钽片制备含有Ta基底的Ta2O5前驱薄膜，火焰温度控制1000-1500℃，灼烧0.5-60s，撤离火焰，室温下冷却。
该前驱薄膜在氨气流量50-500mL/min，温度850-1000℃，氮化时间1-15h下制备含有导电基底的Ta3N5光电极。
与公知技术相比，本发明具有如下特点：高温下钽片快速氧化，快速退火可以得到具有高结晶度、优异机械强度的Ta2O5前驱薄膜；该前驱薄膜高温氮化制得的包含导电基底的Ta3N5光电极具有致密、结晶度高、机械强度优异的特点，Ta5N6层、Ta2N层及钽充当导电基底，与Ta3N5薄膜结合紧密。此Ta3N5光电极制备方法具有成本低廉，制备时间短和易于大规模推广的特点。
附图说明
图1(a)为实施例1-3制得Ta2O5前驱薄膜的XRD图，显示了Ta2O5相、Ta相；图1(b)为实施例1制得Ta2O5前驱薄膜表面扫描电镜图。
图2(a)为实施例5-7制得Ta3N5光电极的XRD图，显示了Ta3N5相、Ta5N6相、Ta2N相和Ta相；图2(b)为实施例5制得Ta3N5光电极的表面扫描电镜图。
具体实施方式
为了进一步说明本发明，列举以下实施实例。
实施例1
金属钽片(质量纯度99.95％)(10mm×15mm×0.127mm 1片)置于乙醇中超声清洗20分钟，取出后用去离子水冲洗干净，70℃烘干。调整氢气和氧气比例，控制氢火焰在1000℃。将钽片一头用镊子夹住置于氢火焰中，保持5s。快速取出，在室温下冷却，得金属钽片从内向外依次带有Ta层、Ta2O5表层，主体呈灰色。
结合XRD和EDAX分析，证明金属钽片从内向外依次带有Ta层、Ta2O5表层。
实施例2
金属钽片(质量纯度99.95％)(10mm×15mm×0.127mm 1片)置于乙醇中超声清洗20分钟，取出后用去离子水冲洗干净，70℃烘干。调整氢气和氧气比例，控制氢火焰在1200℃。将钽片一头用镊子夹住置于氢火焰中，保持5s。快速取出，在室温下冷却，得金属钽片从内向外依次带有Ta层、Ta2O5表层，主体呈灰白色。
实施例3
金属钽片(质量纯度99.95％)(10mm×15mm×0.127mm 1片)置于乙醇中超声清洗20分钟，取出后用去离子水冲洗干净，70℃烘干。调整氢气和氧气比例，控制氢火焰在1500℃。将钽片一头用镊子夹住置于氢火焰中，保持5s。快速取出，在室温下冷却，得金属钽片从内向外依次带有Ta层、Ta2O5表层，主体呈灰白色。
实施例4
金属钽片(质量纯度99.95％)(10mm×15mm×0.127mm 1片)置于乙醇中超声清洗20分钟，取出后用去离子水冲洗干净，70℃烘干。调整氢气和氧气比例，控制氢火焰在1000℃。将钽片一头用镊子夹住置于氢火焰中，保持60s。快速取出，在室温下冷却，得金属钽片从内向外依次带有Ta层、Ta2O5表层，主体呈灰白色。
实施例5
金属钽片(质量纯度99.95％)(10mm×15mm×0.127mm 1片)置于乙醇中超声清洗20分钟，取出后用去离子水冲洗干净，70℃烘干。调整氢气和氧气比例，控制氢火焰在1000℃。将钽片一头用镊子夹住置于氢火焰中，保持15s。快速取出，在室温下冷却，得金属钽片从内向外依次带有Ta层、Ta2O5表层，主体呈灰白色。将此Ta2O5薄膜在250mL/min的氨气中900℃氮化10h,自然冷却至室温，得由内向外依次为Ta，Ta2N，Ta5N6，Ta3N5表层的含有基底Ta3N5光电极，主体呈红色。
实施例6
金属钽片(质量纯度99.95％)(10mm×15mm×0.127mm 1片)置于乙醇中超声清洗20分钟，取出后用去离子水冲洗干净，70℃烘干。调整氢气和氧气比例，控制氢火焰在1000℃。将钽片一头用镊子夹住置于氢火焰中，保持15s。快速取出，在室温下冷却，得金属钽片从内向外依次带有Ta层、Ta2O5表层，主体呈灰白色。将此Ta2O5薄膜在250mL/min的氨气中950℃氮化10h,自然冷却至室温，得金属钽片由内向外依次为Ta，Ta2N，Ta5N6，Ta3N5表层，主体呈红色。
实施例7
金属钽片(质量纯度99.95％)(10mm×15mm×0.127mm 1片)置于乙醇中超声清洗20分钟，取出后用去离子水冲洗干净，70℃烘干。调整氢气和氧气比例，控制氢火焰在1000℃。将钽片一头用镊子夹住置于氢火焰中，保持15s。快速取出，在室温下冷却，得金属钽片从内向外依次带有Ta层、Ta2O5表层，主体呈灰白色。将此Ta2O5薄膜在250mL/min的氨气中1000℃氮化10h,自然冷却至室温，得金属钽片由内向外依次为Ta，Ta2N，Ta5N6，Ta3N5表层，主体呈红色。
本发明涉及在金属Ta上生长的Ta3N5薄膜及其制备方法。采用直接高温快速焙烧方法，制得同时包含导电基底的高结晶度Ta2O5前驱薄膜。该Ta2O5前驱薄膜经高温氮化后获得包含导电基底的Ta3N5光电极，作为光活性层的Ta3N5层致密且结晶度高，与导电基底紧密接触，具有良好的机械强度和光电催化活性，在AM1.5标准测试条件下，相对于可逆氢电极1.23V，可达1.3mA/cm2。不同于已公开报道的方法，该方法可快速获得致密、结晶度高、机械强度优秀、与导电基底紧密接触的包含基底的Ta3N5光电极；此外整个光电极制备过程快捷，成本低廉，易于大批量制备。此类光电极可用于光电化学利用分解水制氢气、还原二氧化碳以及光催化降解有机物等用途。
本领域技术人员容易理解在不脱离上述说明书中公开的材料和方法的条件下可对本发明进行组合或改变，认为这种改变包括在本发明的范围内。因此，在上文具体描述的特别实施方案仅是说明性的，而不限制本发明的范围，由附加权利要求和其任何及全部等同方式给出本发明的完全范围。
Claims (6)
1.一种Ta3N5光电极，其特征在于：以钽片为基底，于基底表面从内至外依次制备有Ta2N层、Ta5N6层、Ta3N5表层构成光电极；Ta2N层靠近基底。
2.如权利要求1所述的金属基Ta3N5光电极，其特征在于：作为光活性层的Ta3N5表层具有高致密度和结晶度，与导电基底紧密接触；
所述导电基底包括从外至内依次叠合的Ta5N6层、Ta2N层及钽基底。
3.一种权利要求1-2任一所述Ta3N5光电极的制备方法，其特征在于：采用钽片作为原料，直接高温焙烧于钽片表面制得Ta2O5薄膜；以该含有Ta2O5薄膜表层的钽片为前驱(简称Ta2O5前驱薄膜)，高温氮化制得包含导电基底的表层为Ta3N5的Ta3N5光电极；
Ta2O5前驱薄膜的制备采用高温灼烧钽片，温度为1000-1500℃，焙烧时间为1-60s，室温下冷却至室温；
Ta3N5光电极制备的高温氮化条件为：氨气流量50-500mL/min，温度850-1000℃，氮化时间1-15h。
4.按照权利要求3所述Ta3N5光电极的制备方法，其特征在于：所述作为原料的钽片包括含Ta为主要组分(97-99.999wt％)，含有少量其他杂质，如Si，Ti，Mn，Sn，Cr，Ni，W，V，Mo，P，B，Nb和C中的一种或二种以上，掺杂量为0.001wt％-3wt％。
5.按照权利要求3所述Ta3N5光电极的制备方法，其特征在于：Ta2O5前驱薄膜以钽片为基底，表层为Ta2O5的薄膜。
6.按照权利要求3所述Ta3N5光电极的制备方法，其特征在于：Ta2O5薄膜的结晶度高，与导电基底紧密接触；
所述导电基底为金属Ta及其他低价钽氧化物(如Ta2O)基底。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510741556.0A CN106653936A (zh) | 2015-11-04 | 2015-11-04 | 一种Ta3N5光电极及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510741556.0A CN106653936A (zh) | 2015-11-04 | 2015-11-04 | 一种Ta3N5光电极及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106653936A true CN106653936A (zh) | 2017-05-10 |
Family
ID=58851399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510741556.0A Pending CN106653936A (zh) | 2015-11-04 | 2015-11-04 | 一种Ta3N5光电极及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106653936A (zh) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108193230A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-22 | 厦门理工学院 | 一种钽衬底上生长InxGa1-xN纳米线的光电极及其制备方法 |
| CN108624898A (zh) * | 2018-04-18 | 2018-10-09 | 南京大学 | 一种利用无机蒸汽反应法制备金属氧氮化物薄膜的方法 |
| CN108640092A (zh) * | 2018-04-18 | 2018-10-12 | 南京大学 | 一种含氧化合物辅助一步氮化法制备金属氮化物薄膜的方法 |
| CN110316706A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-10-11 | 武汉大学 | 一种氮化五氧化二钽的熔盐化学方法及其制备获得的氮化五氧化二钽 |
| CN111020692A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-04-17 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种多孔Ta3N5单晶材料及其制备方法和应用 |
| CN111051574A (zh) * | 2017-08-09 | 2020-04-21 | 三菱化学株式会社 | 制氧用透明电极、该透明电极的制造方法、具备该透明电极的串联型水分解反应电极，以及使用该透明电极的氧发生装置 |
| CN111155147A (zh) * | 2020-01-15 | 2020-05-15 | 浙江大学 | 一种氯化镧熔盐介导的氮化钽光阳极及其制备方法 |
| CN112458492A (zh) * | 2020-12-01 | 2021-03-09 | 国网新疆电力有限公司电力科学研究院 | 具有连续固固结和固液结光阳极及其制备方法和应用 |
| CN114606528A (zh) * | 2022-03-22 | 2022-06-10 | 电子科技大学 | 一种基于pedot:pss修饰的氮化钽光电极的制备方法 |
| CN114657594A (zh) * | 2022-03-22 | 2022-06-24 | 电子科技大学 | 一种析氧光阳极材料的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3512303B2 (ja) * | 1996-08-08 | 2004-03-29 | 新日本無線株式会社 | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 |
| US6919283B2 (en) * | 2000-05-18 | 2005-07-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Fabrication of pure and modified Ta2O5 thin film with enhanced properties for microwave communication, dynamic random access memory and integrated electronic applications |
| CN103534387A (zh) * | 2011-05-16 | 2014-01-22 | 松下电器产业株式会社 | 光电极及其制造方法、光电化学电池及使用该电池的能量系统、以及氢生成方法 |
| CN103966623A (zh) * | 2013-02-01 | 2014-08-06 | 南京大学 | 一种Ta3N5光阳极及制备方法和应用 |
-
2015
- 2015-11-04 CN CN201510741556.0A patent/CN106653936A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3512303B2 (ja) * | 1996-08-08 | 2004-03-29 | 新日本無線株式会社 | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 |
| US6919283B2 (en) * | 2000-05-18 | 2005-07-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Fabrication of pure and modified Ta2O5 thin film with enhanced properties for microwave communication, dynamic random access memory and integrated electronic applications |
| CN103534387A (zh) * | 2011-05-16 | 2014-01-22 | 松下电器产业株式会社 | 光电极及其制造方法、光电化学电池及使用该电池的能量系统、以及氢生成方法 |
| CN103966623A (zh) * | 2013-02-01 | 2014-08-06 | 南京大学 | 一种Ta3N5光阳极及制备方法和应用 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111051574A (zh) * | 2017-08-09 | 2020-04-21 | 三菱化学株式会社 | 制氧用透明电极、该透明电极的制造方法、具备该透明电极的串联型水分解反应电极，以及使用该透明电极的氧发生装置 |
| CN111051574B (zh) * | 2017-08-09 | 2022-03-18 | 三菱化学株式会社 | 制氧用透明电极、该透明电极的制造方法、具备该透明电极的串联型水分解反应电极，以及使用该透明电极的氧发生装置 |
| US11248304B2 (en) | 2017-08-09 | 2022-02-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | Transparent electrode for oxygen production, method for producing same, tandem water decomposition reaction electrode provided with same, and oxygen production device using same |
| CN108193230B (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-30 | 厦门理工学院 | 一种钽衬底上生长InxGa1-xN纳米线的光电极及其制备方法 |
| CN108193230A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-22 | 厦门理工学院 | 一种钽衬底上生长InxGa1-xN纳米线的光电极及其制备方法 |
| CN108624898B (zh) * | 2018-04-18 | 2020-06-30 | 南京大学 | 一种利用无机蒸汽反应法制备金属氧氮化物薄膜的方法 |
| CN108640092A (zh) * | 2018-04-18 | 2018-10-12 | 南京大学 | 一种含氧化合物辅助一步氮化法制备金属氮化物薄膜的方法 |
| CN108624898A (zh) * | 2018-04-18 | 2018-10-09 | 南京大学 | 一种利用无机蒸汽反应法制备金属氧氮化物薄膜的方法 |
| CN110316706A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-10-11 | 武汉大学 | 一种氮化五氧化二钽的熔盐化学方法及其制备获得的氮化五氧化二钽 |
| CN110316706B (zh) * | 2019-06-06 | 2022-10-18 | 武汉大学 | 一种氮化五氧化二钽的熔盐化学方法及其制备获得的氮化五氧化二钽 |
| CN111020692A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-04-17 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种多孔Ta3N5单晶材料及其制备方法和应用 |
| CN111155147A (zh) * | 2020-01-15 | 2020-05-15 | 浙江大学 | 一种氯化镧熔盐介导的氮化钽光阳极及其制备方法 |
| CN112458492A (zh) * | 2020-12-01 | 2021-03-09 | 国网新疆电力有限公司电力科学研究院 | 具有连续固固结和固液结光阳极及其制备方法和应用 |
| CN114606528A (zh) * | 2022-03-22 | 2022-06-10 | 电子科技大学 | 一种基于pedot:pss修饰的氮化钽光电极的制备方法 |
| CN114657594A (zh) * | 2022-03-22 | 2022-06-24 | 电子科技大学 | 一种析氧光阳极材料的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106653936A (zh) | 一种Ta3N5光电极及其制备方法 | |
| Su et al. | Branched TiO 2 nanoarrays sensitized with CdS quantum dots for highly efficient photoelectrochemical water splitting | |
| Chen et al. | A scalable electrodeposition route to the low-cost, versatile and controllable fabrication of perovskite solar cells | |
| Phuan et al. | Effects of annealing temperature on the physicochemical, optical and photoelectrochemical properties of nanostructured hematite thin films prepared via electrodeposition method | |
| Yoon et al. | Electrostatic spray deposition of transparent tungsten oxide thin-film photoanodes for solar water splitting | |
| CN104941614B (zh) | 接触式还原法制备黑色二氧化钛的方法 | |
| Sun et al. | 3D ZnIn2S4 nanosheet/TiO2 nanowire arrays and their efficient photocathodic protection for 304 stainless steel | |
| CN104134546B (zh) | 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法 | |
| Yao et al. | In situ synthesis of MoO3/Ag/TiO2 nanotube arrays for enhancement of visible-light photoelectrochemical performance | |
| CN105597784B (zh) | MoS2掺杂的氧化铁光催化薄膜、制备方法及其在处理含酚废水中的应用 | |
| Zhou et al. | CdS quantum dots sensitized mesoporous BiVO4 heterostructures for solar cells with enhanced photo-electrical conversion efficiency | |
| Liu et al. | Tuning the morphology and structure of disordered hematite photoanodes for improved water oxidation: A physical and chemical synergistic approach | |
| Wu et al. | Enhancing photoelectrochemical activity with three-dimensional p-CuO/n-ZnO junction photocathodes | |
| CN104815668B (zh) | 一种Ta、Al共掺杂的氧化铁光催化剂的制备方法 | |
| Wei et al. | Exfoliated graphitic carbon nitride self-recognizing CH3NH3PbI3 grain boundaries by hydrogen bonding interaction for improved perovskite solar cells | |
| Mahmoudabadi et al. | One-step synthesis of CuO/TiO2 nanocomposite by atmospheric microplasma electrochemistry–Its application as photoanode in dye-sensitized solar cell | |
| CN101834068A (zh) | 一种用于染料敏化太阳能电池的核壳结构阳电极及其制备方法 | |
| Li et al. | Electrodeposition of CdS onto BiVO 4 films with high photoelectrochemical performance | |
| Mai et al. | Effect of oxygen pressure on pulsed laser deposited WO3 thin films for photoelectrochemical water splitting | |
| Ali et al. | Efficient photoelectrodes from anatase TiO2 nanotube arrays decorated with particles/rods/3D microflower rutile crystals for photoelectrochemical water splitting | |
| Xiao et al. | Short-length and high-density TiO2 nanorod arrays for the efficient charge separation interface in perovskite solar cells | |
| Mir et al. | Photoelectrochemical study of Ti3+ self-doped Titania nanotubes arrays: a comparative study between chemical and electrochemical reduction | |
| Huang et al. | Mesostructured perovskite solar cells based on highly ordered TiO2 network scaffold via anodization of Ti thin film | |
| CN110660914A (zh) | 一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法 | |
| Chang et al. | ALD-coated ultrathin Al2O3 film on BiVO4 nanoparticles for efficient PEC water splitting |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170510 |