CN106604523A - 一种陶瓷基高频覆铜板 - Google Patents

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张富治
陈锦华
付建云
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Abstract

本发明提供一种陶瓷基高频覆铜板，本发明的陶瓷基高频覆铜板可以获得良好的加工性和导电性，具有良好的屏蔽性，同时还可以降低屏蔽材料层的价格。

Description

一种陶瓷基高频覆铜板
技术领域
本发明涉及线路板加工技术领域，具体属于一种陶瓷基高频覆铜板。
背景技术
随着电子信息产业的迅速发展，电子产品的更新换代加快，数字运算的速度越来越快，信号频率越来越高、要求耐大电流、耐高温等特点，电子产品越来越向集成化，小型化、多功能化发展，这就给线路板行业在技术、工艺和材料上提出了更多的要求。
特别是用于航空、航天、卫星通讯、导航、雷达，电子对抗和3G通讯等领域的多层线 路板。普通Tg的多层线路板由于不耐高温、介电常数高、损耗大不能适应这些场合电子产品的使用。其次，普通Tg的多层线路板其线路层的层间对位精度较差，导致报废率较高，无形中提高了生产成本。
低温烧结陶瓷 (LTCC ：Low Temperature Cofired Ceramic) 材料可与比电阻小的 银、铜等低熔点材料共烧成，因此可形成高频特性优良的多层陶瓷基板，并多用作为信息通 信终端等的高频模块用基板材料。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种陶瓷基高频覆铜板，本发明的陶瓷基高频覆铜板可以获得良好的加工性和导电性，具有良好的屏蔽性，同时还可以降低屏蔽材料层的价格。
本发明的技术方案为：一种陶瓷基高频覆铜板，该陶瓷基高频覆铜板包括基板、基板表面的线路层、以及设置在线路层上正面和背面的绝缘层，所述绝缘层上还设置有至少一层金属铜层，位于顶部的金属铜层局部压合有至少一块高频子板；所述基板由以下重量组份的原料组成：Al2O3 36.4、Na2O 12.5、K2O 7.9、CaO 3.7、SiO2 29.5、NiO 3.6、SnO2 2.4、MnO 1.7、ZnO 2.2、CuO 3.1、Ta2O3 1.6。本发明的陶瓷基板是采用低温烧结的方式加工而成。本发明提供的陶瓷基板强度较高，并且可以构成与外部导体膜的接合强度较高的可靠性优良的陶瓷基板。
进一步的，所述基板与所述线路层是采用磁控溅射的方法连接，具体工艺为：使用靶材为纯度99 .99wt％以上的金属银溅射靶，真空室的本底真空度为2×10-4Pa，Ar的流量为15sccm，He的流量为15sccm， N2的流量为15sccm，工作气压为10Pa，溅射靶的溅射功率为90W，沉积温度为42℃，沉积时间为35s，厚度为 150um。
进一步的，所述高频子板表面设有屏蔽涂层，所述屏蔽涂层由以下重量份数计原料组成：SiO2 12.7份，ZnO 7.6份，BeO 0.87份，CaCO3 2.7、CoO 0.6、TiO2 0.3、NiO 4.5、SnO2 2.1、Bi2O3 3.7、Cr2O3 0.08，C 0.5份, 磷酸三丁酯 8.2份，聚丙烯腈 5.9、聚乙烯基吡咯烷酮 9.7。
进一步的，所述陶瓷基高频覆铜板还包括在陶瓷基高频覆铜板上设置的四个第一金属孔，在所述第一金属孔的外周分别套设有第二金属孔，所述第二金属孔和第一金属孔同圆心；所述第二金属孔接地，所述第二金属孔和第一金属孔之间设有绝缘层。
进一步的，所述金属铜层中含2-6% 钛，余量为铜。
进一步的，所述线路层与绝缘层之间还设有一层半固化层，所述半固化层材料由以下重量份数原料组成：90#沥青 13、树酯 42、活性碳酸钙 7、聚乙烯 11、聚环氧乙烷 5、邻苯二甲酸二异辛酯 7、三丁酸甘油酯 9、甲基丙烯酸酯 17、丙烯酰胺 3。
本发明的有益效果是：本发明在金属铜层的任何部位均可与外部接地处连接。因此，不用在屏蔽材料层设置一般的接地部分就能将金属铜层与外部接地处连接，金属铜层可以有效地发挥电磁波屏蔽功能。此外，不需要层叠接地部分，因此能够实现超薄化，同时，陶瓷基高频覆铜板上的线路图形不受接地部分的限制，因此能够实现小型化。本发明的陶瓷基高频覆铜板可以获得良好的加工性和导电性，具有良好的屏蔽性，同时还可以降低屏蔽材料层的价格。本发明提供的陶瓷基板强度较高，并且可以构成与外部导体膜的接合强度较高的可靠性优良的陶瓷基板。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本发明进一步详细说明。
实施例
一种陶瓷基高频覆铜板，该陶瓷基高频覆铜板包括基板、基板表面的线路层、以及设置在线路层上正面和背面的绝缘层，所述绝缘层上还设置有至少一层金属铜层，位于顶部的金属铜层局部压合有至少一块高频子板；所述基板由以下重量组份的原料组成：Al2O336.4、Na2O 12.5、K2O 7.9、CaO 3.7、SiO2 29.5、NiO 3.6、SnO2 2.4、MnO 1.7、ZnO 2.2、CuO3.1、Ta2O3 1.6。本发明的陶瓷基板是采用低温烧结的方式加工而成。本发明提供的陶瓷基板强度较高，并且可以构成与外部导体膜的接合强度较高的可靠性优良的陶瓷基板。
进一步的，所述基板与所述线路层是采用磁控溅射的方法连接，具体工艺为：使用靶材为纯度99 .99wt％以上的金属银溅射靶，真空室的本底真空度为2×10-4Pa，Ar的流量为15sccm，He的流量为15sccm， N2的流量为15sccm，工作气压为10Pa，溅射靶的溅射功率为90W，沉积温度为42℃，沉积时间为35s，厚度为 150um。
进一步的，所述高频子板表面设有屏蔽涂层，所述屏蔽涂层由以下重量份数计原料组成：SiO2 12.7份，ZnO 7.6份，BeO 0.87份，CaCO3 2.7、CoO 0.6、TiO2 0.3、NiO 4.5、SnO2 2.1、Bi2O3 3.7、Cr2O3 0.08，C 0.5份, 磷酸三丁酯 8.2份，聚丙烯腈 5.9、聚乙烯基吡咯烷酮 9.7。
进一步的，所述陶瓷基高频覆铜板还包括在陶瓷基高频覆铜板上设置的四个第一金属孔，在所述第一金属孔的外周分别套设有第二金属孔，所述第二金属孔和第一金属孔同圆心；所述第二金属孔接地，所述第二金属孔和第一金属孔之间设有绝缘层。
进一步的，所述金属铜层中含2-6% 钛，余量为铜。
进一步的，所述线路层与绝缘层之间还设有一层半固化层，所述半固化层材料由以下重量份数原料组成：90#沥青 13、树酯 42、活性碳酸钙 7、聚乙烯 11、聚环氧乙烷 5、邻苯二甲酸二异辛酯 7、三丁酸甘油酯 9、甲基丙烯酸酯 17、丙烯酰胺 3。
以上为本发明的其中具体实现方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些显而易见的替换形式均属于本发明的保护范围。在本发明中所有未详尽描述的技术细节均可通过任一现有技术实现。

Claims (4)

1.一种陶瓷基高频覆铜板，其特征在于，该陶瓷基高频覆铜板包括基板、基板表面的线路层、以及设置在线路层上正面和背面的绝缘层，所述绝缘层上还设置有至少一层金属铜层，位于顶部的金属铜层局部压合有至少一块高频子板；所述基板由以下重量组份的原料组成：Al2O3 36.4、Na2O 12.5、K2O 7.9、CaO 3.7、SiO2 29.5、NiO 3.6、SnO2 2.4、MnO 1.7、ZnO 2.2、CuO 3.1、Ta2O3 1.6。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基高频覆铜板，其特征在于，所述基板与所述线路层是采用磁控溅射的方法连接，具体工艺为：使用靶材为纯度99 .99wt％以上的金属银溅射靶，真空室的本底真空度为2×10-4Pa，Ar的流量为15sccm，He的流量为15sccm， N2的流量为15sccm，工作气压为10Pa，溅射靶的溅射功率为90W，沉积温度为42℃，沉积时间为35s，厚度为 150um。
3.根据权利要求1所述的陶瓷基高频覆铜板，其特征在于，所述高频子板表面设有屏蔽涂层，所述屏蔽涂层由以下重量份数计原料组成：SiO2 12.7份，ZnO 7.6份，BeO 0.87份，CaCO3 2.7、CoO 0.6、TiO2 0.3、NiO 4.5、SnO2 2.1、Bi2O3 3.7、Cr2O3 0.08，C 0.5份, 磷酸三丁酯 8.2份，聚丙烯腈 5.9、聚乙烯基吡咯烷酮 9.7。
4.根据权利要求 1 所述的一种陶瓷基高频覆铜板，其特征在于，还包括在陶瓷基高频覆铜板上设置的四个第一金属孔，在所述第一金属孔的外周分别套设有第二金属孔，所述第二金属孔和第一金属孔同圆心；所述第二金属孔接地，所述第二金属孔和第一金属孔之间设有绝缘层。
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