CN103748048A - 用于低k、低温共烧复合材料（ltcc）带材的组合物以及由此形成的低收缩、多层ltcc结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了用于具有低K值和低收缩的LTCC生料带的新型组合物，以及十至二十层或更多层的生料带连同常规LTCC生料带的复合层压体。

Description

用于低K、低温共烧复合材料(LTCC)带材的组合物以及由此形成的低收缩、多层LTCC结构
技术领域
本发明涉及用于制备具有低K值和低收缩的LTCC生料带，能够定制这些低K值的新型组合物，以及至少两个此类低K、低收缩LTCC生料带连同收缩值为7%至8%的常规LTCC生料带一起制备十至二十层或更多的生料带的复合层压体的用途，其中所述复合层压体在两密耳构型中表现出大约1%至1.25%的收缩。
背景技术
通用LTCC
互连电路板是由大量极小电路元件组成的电子电路或子系统的物理实现，所述电路元件以电方式和机械方式互连。很多情况下，期望将这些不同类型的电子组件以一定排列方式组合起来，以便可将它们在一个单独的紧凑封装中物理隔离而又彼此相邻地组装，并且彼此电连接和/或电连接到从封装延伸出来的公共接头。
复杂电子电路通常需要电路由若干层通过绝缘介电层隔离的导体构建而成。导电层通过穿透介电层的导电途径（称为通路）在各级之间互连。此类多层结构使电路变得更加紧凑。
通常，通过将无机固体、有机固体和挥发性溶剂的浆液浇铸在可移除的聚合物膜上来形成LTCC带材。该浆液由一种或多种玻璃粉和陶瓷氧化物填充材料以及有机基质树脂-溶剂体系（介质）组成，其中该树脂-溶剂体系被配制和加工为包含分散悬浮固体的液体。用该浆液涂覆可移除式聚合物膜的表面，以便形成厚度与宽度均匀的涂层，从而制备带材。
在所有后续讨论中，应当理解，使用术语带材层或介电层意指存在导体两个表面的金属化以及与陶瓷带共烧的互连通孔填料。以类似的方式，术语层压体或复合材料意指已压制在一起形成一个整体的金属化带材层的集合。
LTCC对于尺寸稳定性、收缩的挑战
使用基于陶瓷的生料带制备低温共烧陶瓷（LTCC）多层电路描述于授予Steinberg的美国专利4,654,095中。共烧、自由烧结过程提供了超过在前技术的许多优点。然而，当需要较大电路时，沿平面或x,y方向的焙烧收缩的变化被证明太宽而不能满足需要。考虑当代尺寸减小的表面贴装组件，已证明收缩公差（x,y收缩的再现性）太大而不允许用于制造远大于6''乘6''的LTCC层压体。目前，随着各代新电路和包装演变，该上限不断受到对于更大电路密度的需要的挑战。这继而转化成更小的组件尺寸并由此转化成包括更窄的导体线和空间在内的更小的几何形状，以及带材中更细节距的更小通孔。所有这些均要求比可通过LTCC层压体自由烧结所实际上提供的低得多的收缩公差。
在生陶瓷主体的焙烧期间减小x,y收缩的方法公开在授予Mikeska的美国专利5,085,720中，其中将在焙烧期间变成多孔的剥离层放置在陶瓷主体上并且将组件焙烧同时维持组件上的压力与主体表面正交。该方法用于制备LTCC多层电路，所述电路提供超过Steinberg的显著的优点，因为通过压力辅助法获得减小的x,y收缩。开发了改善的共烧LTCC方法并公开在授予Mikeska的美国专利5,254,191中。该方法（称为PLAS，低压辅助烧结的首字母缩略词）将基于陶瓷的剥离带层放置在生LTCC层压体的两个主要外表面上。剥离带控制焙烧过程中的收缩。因为其使得电路结构的焙烧尺寸更可预测，所以所述方法代表焙烧收缩公差方面的极大改善。
在较新的发明中，被共同转让的USP7,147,736要求其优先权的美国专利申请60/385,697，约束烧结的教导内容扩展到包括使用不挥发、不可移除、不牺牲或不剥离的内部自约束带。经焙烧的层压体包括初级介电带层，其限定了最终陶瓷主体以及二次或自约束带的一个或多个层的体特性。后者的目的是约束初级带的烧结使得x,y方向上的净收缩为零。该方法被称为自约束低压辅助烧结法并使用简称SCPLAS。在完成共烧后，自约束带放置在结构内的关键位置中并且保留所述结构的一部分。除了保留z-轴对称之外，对自约束带的放置没有限制。
共同转让的USP7,175,724描述了与标准SCPLAS技术相关联的翘曲问题，并陈述了保留z-轴对称的后果是严重的弓形或翘曲的电路。
嵌入式无源元件
引入具有比块电介质材料更高的介电常数（k）的介电层的可在用导电材料适当封端时，产生局部增强的电容器容量。这通常被称为埋入或嵌入式无源结构，并且是对使用标准的外加表面贴装组件诸如多层电容器（MLC）的可靠的且成本有效的替代。
共同转让的USP7,175,724描述了使用对称性作为解决方案，即，用假的、非功能补偿层来平衡所述结构的不对称和功能部分，但是指出其不缓解对于构建具有嵌入式无源功能的LTCC结构的挑战的解决方案的所有缺点。讨论并提出了其它解决方案。
LTCC技术中需要具有带材组合物，所述带材组合物具有尺寸稳定性和低收缩。
LTCC技术中需要具有以层压体形式的多层带材，各个层均具有不同的介电常数，其可焙烧成层压体并表现出低收缩和总体尺寸稳定性。
LTCC技术中需要能够定制一个或多个LTCC层的介电常数，同时保留上述低收缩和总体尺寸稳定性的加工性能。还需要由此类带材构建层压体，所述带材可被焙烧并表现出低收缩和总体尺寸稳定性。
发明内容
本发明提供了使用具有尺寸稳定性和低收缩的带材组合物的LTCC技术。
本发明提供了使用以层压体形式的多层带材的LTCC技术，各个层均具有不同的介电常数，其可焙烧成层压体并表现出低收缩和总体尺寸稳定性。
本发明提供了具有定制一个或多个LTCC层的介电常数，同时保留上述低收缩和总体尺寸稳定性的能力的LTCC技术。本发明还提供了使用由此类带材制得的层压体的LTCC技术，所述带材可被焙烧并表现出低收缩和总体尺寸稳定性。
带材实施例A
生料带组合物，其以固体计，包含：
(a)以（a）和（b）的总重量计，25-40重量%玻璃组合物，并且（x）基本上由以下物质组成，或（y）包含以下物质：以摩尔%计，（i）46-57.96%B2O3，（ii）玻璃网络成形物，其选自0.5–8.5%P2O5、1.72-5.00%SiO2、以及P2O5与SiO2的混合物，其中所述P2O5与SiO2的混合物的混合摩尔%为3.44-8.39%，（iii）20-50%CaO，（iv）2-15%Ln2O3，其中Ln选自稀土元素以及它们的混合物；（v）0-6%MI2O，其中MI选自碱性元素；和（vi）0-10%的Al2O3，其中所述玻璃组合物为陶瓷填充的失透玻璃组合物，其中所述玻璃组合物在结晶前流动；
(b)以（a）和（b）的总重量计，60-75重量%二氧化硅耐高温氧化物，（a）和（b）两者均分散在（c）的溶液中；
(c)有机聚合物粘合剂；
其中，所述生料带在焙烧后具有3.5和4.0之间的dK和小于0.004的损耗角正切。
带材实施例B
生料带组合物，其以固体计，包含：
(a)以（a）和（b）的总重量计，30-55重量%玻璃组合物，并且（x）基本上由以下物质组成，或（y）包含以下物质：以摩尔%计，（i）46-57.96%B2O3，（ii）玻璃网络成形物，其选自0.5-8.5%P2O5、1.72-5.00%SiO2、以及P2O5与SiO2的混合物，其中所述P2O5与SiO2的混合物的混合摩尔%为3.44-8.39%，（iii）20-50%CaO，（iv）2-15%Ln2O3，其中Ln选自稀土元素以及它们的混合物；（v）0-6%MI2O，其中MI选自碱性元素；和（vi）0-10%的Al2O3，其中所述玻璃组合物为陶瓷填充的失透玻璃组合物，其中所述玻璃组合物在结晶前流动；
(b)以（a）和（b）的总重量计，45-70重量%耐高温氧化物，所述耐高温氧化物包含SiO2：Al2O3重量比介于约2:1至约1:1之间的二氧化硅和氧化铝，（a）和（b）两者均分散在（c）的溶液中；
(c)有机聚合物粘合剂；
其中，所述生料带组合物在焙烧后具有介于4.5和5.4之间的dK和介于0.003和0.005之间的损耗角正切。
带材实施例C
生料带组合物，其以固体计，包含：
(a)以（a）和（b）的总重量计，38-42重量%玻璃组合物，并且（x）基本上由以下物质组成，或（y）包含以下物质：以摩尔%计，（i）46-57.96%B2O3，（ii）玻璃网络成形物，其选自0.5–8.5%P2O5、1.72-5.00%SiO2、以及P2O5与SiO2的混合物，其中所述P2O5与SiO2的混合物的混合摩尔%为3.44-8.39%，（iii）20-50%CaO，（iv）2-15%Ln2O3，其中Ln选自稀土元素以及它们的混合物；（v）0-6%MI2O，其中MI选自碱性元素；和（vi）0-10%的Al2O3，其中所述玻璃组合物为陶瓷填充的失透玻璃组合物，其中所述玻璃组合物在结晶前流动；
(b)以（a）和（b）的总重量计，58-62重量%耐高温氧化物，所述耐高温氧化物包含二氧化硅和氧化铝，其中以（a）和（b）的总重量计，所述二氧化硅小于约5.0重量%且大于约2.0重量%，（a）和（b）两者均分散在（c）的溶液中；
(c)有机聚合物粘合剂；
其中所述生料带在焙烧后具有大于5.4且小于6.0的dK和小于0.003的损耗角正切。
带材实施例D
生料带组合物，其以固体计，包含：
(a)以（a）和（b）的总重量计，25-40重量%玻璃组合物，并且（x）基本上由以下物质组成或（y）包含以下物质：以摩尔%计，50-67%B2O3；20-50%CaO；2-15%Ln2O3，其中Ln选自稀土元素以及它们的混合物；0-6%MI2O，其中MI选自碱性元素；和0-10%Al2O3，前提条件是组合物为可水磨的；
(b)以（a）和（b）的总重量计，60-75重量%二氧化硅耐高温氧化物，（a）和（b）两者均分散在（c）的溶液中；
(c)有机聚合物粘合剂；
其中，所述生料带在焙烧后具有介于3.5和4.0之间的dK和小于0.004的损耗角正切。
带材实施例E
生料带组合物，其以固体计，包含：
(a)以（a）和（b）的总重量计，30-55重量%剥离组合物，并且（x）基本上由以下物质组成或（y）包含以下物质：以摩尔%计，50-67%B2O3；20-50%CaO；2-15%Ln2O3，其中Ln选自稀土元素以及它们的混合物；0-6%MI2O，其中MI选自碱性元素；和0-10%Al2O3，前提条件是组合物为可水磨的；
(b)以（a）和（b）的总重量计，45-70重量%耐高温氧化物，所述耐高温氧化物包含SiO2：Al2O3重量比介于约2:1至约1:1之间的二氧化硅和氧化铝，（a）和（b）两者均分散在（c）的溶液中；
(c)有机聚合物粘合剂；
其中，所述生料带组合物在焙烧后具有介于4.5和5.4之间的dK和介于0.003和0.005之间的损耗角正切。
带材实施例F
生料带组合物，其以固体计，包含：
(a)以（a）和（b）的总重量计，38-42重量%玻璃组合物，并且（x）基本上由以下物质组成或（y）包含以下物质：以摩尔%计，50-67%B2O3；20-50%CaO；2-15%Ln2O3，其中Ln选自稀土元素以及它们的混合物；0-6%MI2O，其中MI选自碱性元素；和0-10%Al2O3，前提条件是组合物为可水磨的；
(b)以（a）和（b）的总重量计，58-62重量%耐高温氧化物，所述耐高温氧化物包含二氧化硅和氧化铝，其中以（a）和（b）的总重量计，所述二氧化硅小于约5.0重量%且大于约2.0重量%，
a）和（b）两者均分散在（c）的溶液中；
(c)有机聚合物粘合剂；
其中所述生料带在焙烧后具有大于5.4且小于6.0的dK和小于0.003的损耗角正切。
附图说明
图1示出了复合层压体的电子显微照片。
具体实施方式
如全文以引用方式并入本文中的USP7,687,417所讨论的，已观察到在LTCC电路层压体的焙烧期间，玻璃发生软化并引发结晶。随着温度和/或时间增加，更多的晶种从玻璃熔体中生长；导致被低粘度“剩余玻璃”包围的结晶。在焙烧温度下，该低粘度“剩余玻璃”可与导体组合物反应造成导体电阻率增加。在极端情况下，导体线在经焙烧的膜内消散造成电连接的短路、缺乏，可靠性下降等。这对于需要较窄的线和导体线之间的空间的应用而言尤其如此。此外，较新的LTCC电路需要使用厚度大约为0.1mm-0.3mm的带材，和20或更多层的带材层压体。此类厚层压体的工序要求30小时或更长的长时间加热过程。此类长时间加热过程增加了低粘度“剩余玻璃”与导体组分之间的相互作用，导致增加的导体特性降低。为了减少导体特性降低并改善电路的可靠性，可通过加入“玻璃网络成形物”诸如SiO2和/或P2O5来增加“剩余玻璃”的粘度。
重要且较长的公开和讨论内容在美国专利7,687,417中提供，其中的发明与授予Donohue的共同转让的美国专利6,147,019（全文以引用的方式并入本文）相反。
非常令人惊奇的是，发明人已经发现公开在USP7,687,417中的玻璃配方（带材实施例A、B&C）或公开在授予Donohue的USP6,147,019中的玻璃配方（带材实施例D、E&F）均可用于根据本发明的组合物中。这些玻璃可单独用于带材组合物中（基本上由其组成），或其可连同其它玻璃一起使用（包含），只要如本文所讨论的获得本发明的有益效果即可。不受任何理论或假说的约束，据信存在根据本发明的带材组合物的剩余玻璃组分的“润湿角”，使得如果润湿角足够，则在加工期间带材中填料的颗粒可被剩余玻璃充分涂覆或“润湿”。这允许根据本发明的经焙烧带材的低孔隙率、低K、高机械强度和低收缩。
对其中所指示的玻璃进行介电常数、K和介电损耗（tanΔ）的测量。这些测量使用（非金属化）分裂槽法在3.3GHz至16GHz的频率范围内进行。测量方法的参考文献在由Michael Janezic于1999年10月发表在IEEETransactions on Microwave Theory and Techniques，第47卷，第10期的“Full-Wave Analysis of a Split-Cylinder Resonator for NondestructivePermittivity Measurements”中给出。
玻璃制备程序
在铂铑合金坩埚中，在1350-1450℃范围内的温度下熔融玻璃。除了碳酸锂、碳酸钠和碳酸钙之外，该批料为氧化物形式。以经预反应的磷酸盐化合物（诸如Ca2P2O7、Na3P3O9、LiPO3、或BPO4）的形式，加入五氧化二磷。将玻璃熔融0.5-1小时，烧结并淬火。可将玻璃在水中或通过金属辊来淬火。然后将玻璃在水中球磨成5-7微米的粉末。通过325目筛网将玻璃浆液过筛。浆液干燥并再次研磨至约1-3微米D50的最终尺寸。然后干燥的玻璃粉末可用于带材配方中以制备带材。
可以实施例和以下实例中所公开的量，向可浇注介电组合物中加入陶瓷填料（一种或多种耐高温氧化物），诸如Al2O3、ZrO2、SiO2、TiO2或它们的混合物。根据填料类型的不同，预期焙烧之后会形成不同的结晶相。陶瓷颗粒通过充当物理屏障来限制玻璃的流动。它们还可抑制玻璃的烧结，因此有利于更彻底地烧尽有机物。其它填料、石英、CaZrO3、莫来石、堇青石、镁橄榄石、锆石、氧化锆、BaTiO3、CaTiO3、MgTiO3、无定形二氧化硅或它们的混合物可用于改变带材的性能和特性。
在本发明的实施例中，填料的量、填料的类型和填料的物理特性将影响已焙烧生料带的收缩。可以利用优化的多峰粒度分布，通过增大填料堆积密度来减少收缩，从而将带材收缩调整到可控水平。
以固体计，浆液和/或带材组合物还可包含0-5重量%Cu2O。
在带材组合物的配方中，玻璃量相对于陶瓷材料量是重要的。填料组合物的重量%范围，在本发明不同实施例的组成成分并以如实施例和以下实例中所公开的量之内，已经展示出提供根据本发明所述的令人惊奇和意料不到的结果。在所期望的玻璃/填料比率内，将显而易见的是，在焙烧期间，填料相会变得充满液体玻璃。
为了在焙烧时获得组合物的更大压实的目的，无机固体具有小粒度非常重要。具体地，基本上所有颗粒均应该不超过15μm，优选地不超过10μm。在这些最大粒度限制之内，优选至少50%的玻璃和陶瓷填料颗粒大于1μm并小于6μm。
玻璃和陶瓷无机固体分散在其中的有机介质由溶解在挥发性有机溶剂中的有机聚合物粘合剂，以及任选的其它溶解材料诸如增塑剂、隔离剂、分散剂、剥色剂、消泡剂、稳定剂和润湿剂构成。
为获得更好的结合效率，以总组合物计，对于90重量%的固体含量而言（其中包括玻璃和陶瓷填料），优选使用至少5重量%的聚合物粘合剂。但是，更优选使用不超过30重量%的聚合物粘合剂与其它低挥发性改性剂诸如增塑剂和最小70重量%的无机固体。在这些限制范围内，希望使用尽可能少量的粘合剂和其它低挥发性有机改性剂，以便减少必须通过高温分解而去除的有机物量，并且获得更好的颗粒填料，所述颗粒填料在焙烧时有利于完全压实。
在过去，已采用多种聚合材料作为生料带的基料，例如聚(乙烯醇缩丁醛)、聚(乙酸乙烯酯)、聚(乙烯醇)、纤维素聚合物（例如甲基纤维素、乙基纤维素、羟乙基纤维素、甲基羟乙基纤维素）、无规立构聚丙烯、聚乙烯、硅聚合物（例如聚(甲基硅氧烷)、聚(甲基苯基硅氧烷)）、聚苯乙烯、丁二烯/苯乙烯共聚物、聚苯乙烯、聚(乙烯吡咯烷酮)、聚酰胺、高分子量聚醚、环氧乙烷和环氧丙烷的共聚物、聚丙烯酰胺，以及各种丙烯酸类聚合物（例如聚丙烯酸钠、聚(丙烯酸低级烷基酯)、聚(甲基丙烯酸低级烷基酯)和丙烯酸低级烷基酯与甲基丙烯酸低级烷基酯的各种共聚物及多聚合物）。甲基丙烯酸乙酯与丙烯酸甲酯的共聚物以及丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯与甲基丙烯酸的三元共聚物之前已用作注浆成型材料的基料。
公布于1985年8月20日的授予Usala的美国专利4,536,535公开了有机粘合剂，所述有机粘合剂为相容的0-100重量%的甲基丙烯酸C18（下标）烷基酯、100-0重量%的丙烯酸C1-8（下标）烷基酯和0-5重量%的胺的烯键式不饱和羧酸的相容多聚物的混合物。因为可将最小量的上述聚合物与最大量的介电固体配合使用，所以优选地选择它们来制备本发明的介电组合物。为此，以上提及的Usala专利申请的公开内容以引用方式并入本文。
很多情况下，聚合物粘合剂也将包含相对于基料聚合物少量的增塑剂，所述增塑剂起到降低基料聚合物的玻璃化转变温度的作用。当然，增塑剂的选择主要由需要被改性的聚合物决定。已用于各种基料系统中的增塑剂为邻苯二甲酸二乙酯、邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸丁基苄基酯、磷酸烷基酯、聚亚烷基二醇、甘油、聚(环氧乙烷)、羟乙基化烷基酚、二烷基二硫代膦酸酯和聚(异丁烯)。其中，邻苯二甲酸丁基苄基酯在丙烯酸类聚合物系统中的使用最为频繁，因为它在相对小的浓度中使用时非常有效。
选择浇铸溶液的溶剂组分，以便获得完全溶解的聚合物和足够高的挥发性，以使该溶剂能够通过在大气压下施加较低含量的热而从分散体中蒸发出来。此外，在沸点温度下或包含在有机介质中的任何其它添加剂的分解温度下，该溶剂都必须能够充分沸腾。因此，最常使用大气压沸点低于150℃的溶剂。此类溶剂包括丙酮、二甲苯、甲醇、乙醇、异丙醇、甲基乙基酮、乙酸乙酯、1,1,1-三氯乙烷、四氯乙烯、醋酸戊酯、2,2,4-三乙基戊二醇-1,3-单异丁酸酯、甲苯、二氯甲烷和碳氟化合物。上述个别溶剂可能无法完全溶解基料聚合物。但是，当与其它一种或多种溶剂混合时，它们的作用令人满意。这属于本领域人员的技能范围。尤其优选的溶剂为乙酸乙酯，因为这避免了使用对环境有害的氯碳化合物。
除了溶剂和聚合物之外，还使用增塑剂来防止带材断裂并且为涂覆带材处理能力（例如盖印、印刷和层压）提供更宽的界限。优选的增塑剂为由Rohm和Haas Co.制造的
Figure BDA0000469362010000101
400，其为聚二苯甲酸丙二醇酯。
施用
生料带通过以下方式形成，将玻璃、陶瓷填料、聚合物粘合剂和如上所述的一种或多种溶剂的浆液分散体薄层浇铸到柔性基底上，将所述浇铸层加热以除去挥发性溶剂。这形成无溶剂的带材层。然后将带材盖印成片材或收集成卷。通常将生料带用作多层电子电路的介电材料或绝缘材料。利用每个角上的对位孔将生料带片材盖印成比实际电路规模稍大一些的尺寸。为了连接多层电路中的各层，则在生料带中制成通孔。这一步骤通常利用机械冲孔来完成。然而，可使用强聚焦激光或其它方法来挥发并形成生料带中的通孔。典型的通孔尺寸范围为0.1至6.4mm。各层之间的互连通过在通孔内填充厚膜导电性油墨来形成。通常通过标准丝网印刷技术来施用这种油墨。每层电路均布满丝网印刷导体轨道。而且，可在选定层上印刷电阻油墨或高介电常数油墨，以形成电阻性或电容性电路元件。此外，特殊配制的高介电常数生料带与在多层电容器行业中所使用的生料带类似，可作为多层电路的一部分合并到一起。
完成电路的每一层之后，将独立的各层整理并层压。禁闭的单轴或等静压冲模用于确保各层之间的精确对齐。用热载台切割器修剪层压组件。通常在标准厚膜传送带熔炉或带有程序化加热循环的箱式炉中进行焙烧。此方法也允许将顶部和/或底部导体共烧制为约束的烧结结构的一部分，而无需使用常规释放带材作为顶层或底层，也无需在烧结之后移除和清洁释放带材。
本发明的焙烧带材（或膜）的介电特性取决于存在的全部晶体和玻璃的数量和/或质量。低温共烧陶瓷(LTCC)器件的介电特性也取决于所使用的导体。在一些实施例中，具有导体与介电带材的相互作用可以改变器件的介电部分的化学性质。通过调整热特征和/或改变带材中填料的质量和/或数量和/或导体的化学性质，本领域的技术人员可完成介电常数和/或介电损耗值的改变。
如本文所用，术语“焙烧”是指在诸如一定温度的空气之类氧化气氛下加热组件，并持续充足时间以挥发（烧掉）组件各层中的所有有机材料，从而烧结各层中的所有玻璃、金属或介电材料，并因此使整个组件变得致密。
本领域的技术人员将认识到，在每个层压步骤中，都必须精确对准每一层，这样才能将通孔准确连接到相邻功能层的适当导电性通道。
术语“功能层”是指印刷的生料带，其具有导电性、电阻性或电容性功能。因此，如上文所述，典型的生料带层可具有印刷在其上的一个或多个电阻器电路和/或电容器以及导电性回路。
还应认识到，在具有大于10层的多层层压体中通常需要烧结循环应超过20小时以提供充足时间进行有机热分解。
本发明的一种或多种组合物的用途还可用于形成电子制品，一般来讲包括多层电路，以及形成微波和其它高频电路组件，包括但不限于：高频传感器、多模雷达模型、远程通信组件和模块、以及天线。
这些多层电路需要电路由若干层通过绝缘介电层隔离的导体构建而成。绝缘介电层可由本发明的一层或多层带材组成。导电层通过穿透介电层的导电通路而在各级之间互连。烧结由介电层和导电层组成的多层结构之后，将形成可实现功能化电路的复合材料（即形成电功能性复合结构）。本文中定义的复合材料是由焙烧多层结构所得的独特部件所构成的结构材料，它可实现功能性电路。
实例
用于实例的带材组合物通过在挥发性溶剂或它们的混合物中球磨微细无机粉末和粘合剂来制备。为优化层压、形成电路图案的能力、带材烧尽性能以及焙烧后微观结构的形成，发现以下浆料配方的体积%提供优点。如同实际基准，典型的浆料组合物的配方也以重量百分比示出。假定无机相中的玻璃的比重为3.5g/cc且氧化铝的比重为4.0g/cc，并假定有机载体的比重为1.1g/cc。因此，当使用玻璃和不是氧化铝的氧化物时，因为比重可能与本实例所假设的那些不同，所以重量%组成变化。
上述浆料组合物的体积和重量%可根据所需有机溶剂和/或溶剂共混物的量而变化以获得有效的浆料研磨和涂覆性能。更具体地，浆料用组合物必须包括足够的溶剂以使粘度降低至小于10,000厘泊；典型的粘度范围为1,000至4,000厘泊。表3中提供了浆料组合物的实例。根据所选的浆料粘度，较高粘度的浆料使得分散体稳定性延长更长的时间段（通常为数周）。在如此涂覆的带材中，通常保留带材组分的稳定分散体。
带材浆液或浆料组合物根据名称为“9K5带材浆液配方（9K5TapeSlurry Formulation）”的表1中所示的组成制备。生料带组成示出在表2中；所用玻璃料对应于USP7,687,417的组合物。该生料带对应于名称为“用于电子基底的新LTCC组合物和高频（9GHz）介电性能（New LTCCCompositions for Electronic substrates and High Frequency(9GHz)Dielectricproperties）”的表3中的实例ID#6。
以相似方式制备根据本发明的表3中所示的五个附加实例（实例ID#1、实例ID#3、实例ID#4、实例ID#5和实例ID#7）。
实例ID#2不是根据本发明的实例，其对应于公开在共同未决的共同转让的序列号11/824,116中的发明。
根据本发明的组合物的dK值和损耗角正切值示出在表3中。
层压体结构
在表4中，将两层对应于实例ID#1（表4的名称称为“9K4SCPLAS带材”）焙烧成如表4中所示的四种不同的12层层压体构型。实例ID#1层位置为“SCPLAS1”中的层2和层11，“SCPLAS2”中的层3和层10，“SCPLAS3”中的层4和层9，以及“SCPLAS4”中的层6和层7；经焙烧的层压体的收缩结果为：对于“SCPLAS1”为1.13%，对于“SCPLAS2”为1.16%，对于“SCPLAS3”为1.10%，并且对于“SCPLAS4”为1.11%。
尽管对应于实例ID#1的两个生料带层的位置是相对于整个层压体顶部和底部的对称位置，但是并不预期使用根据本发明的生料带和层压体的有益效果限于具有2密耳焙烧厚度的对称构型。
相似地，并不预期使用根据本发明的生料带和层压体的有益效果限于具有2密耳焙烧厚度的12层构型，6层至最多50层或更多层的层压体均被设想在本发明的范围内。
表5示出了可用根据本发明的组合物在厚度为至多5密耳的经焙烧结构中获得小于2%（1.90%）的收缩。
图1示出了根据本发明的复合层压体的电子显微照片，以及常规DuPont9K7生料带和根据本发明的生料带之间的优异的粘结和孔隙率。
表1
9K5带浆液配方
Figure BDA0000469362010000131
9K5（浆料） Amt（%）
R3925（玻璃料） 27.326
R0143（氧化铝） 37.973
I2519（二氧化硅） 1.438
I2537（Cu2O） 0.133
R0114（粘合剂） 18.855
Uniplex 400（R0235） 1.886
Modaflow 2100（R0263） 0.307
乙酸乙酯（TWN040） 11.456
异丙醇（TWN050） 0.626
总计 100.000
表2
9K5（带材） Amt（%）
R3925（玻璃料） 36.12
R0143（氧化铝） 50.18
I2519（二氧化硅） 1.90
I2537（Cu2O） 0.18
SC035（丙烯酸树脂） 8.72
Uniplex 400（R0235） 2.49
Modaflow 2100（R0263） 0.41
总计 100.000
Figure BDA0000469362010000151
表3
用于电子基底的新型LTCC组合物*以及高频（9GHz）介电性能
ID# 玻璃料 氧化铝 二氧化硅 dK 损耗角正切
1 35% 0% 65%** 3.8 0.003
2 50% 0% 50% 4.3 0.003
3 50% 16.5% 33.5% 4.8 0.005
4 50% 25% 25% 5.2 0.002
5 33.3% 33.3% 33.3% 5.3 0.003
6 40.9% 56.9% 2.2% 5.7 0.002
7 38.8% 56.9% 4.3% 5.5 0.002
*所有重量%组合物均以固体计。
**作为SPLAS（自约束低压辅助烧结）用于其它可商购获得的LTCC诸如以复合材料形式的DUPONT951、9K7以获得～1%或更小的收缩。并且还可用本发明所述的其它低介电损耗带材获得SCPLAS性能。
表4
9K4“SCPLAS”*带材的位置对9K7体系的收缩的效应
Figure BDA0000469362010000152
Figure BDA0000469362010000161
复合材料收缩：10层10X9K7+2层9K4SCPLAS带材
Figure BDA0000469362010000162
*上文所列的9K7SCPLAS具有与表5中所列的9K4SCPLAS相同的组成。scPLAS带材厚度为5密耳。
表5
9K4“SCPLAS”*带材厚度对9K7收缩的效应
Figure BDA0000469362010000163

Claims (17)

1.生料带组合物，其包含：
(a)22-35%具有剩余玻璃组分的玻璃组合物；
(b)32-45%具有颗粒的无机填料；和
(c)33%聚合物粘合剂体系，
其中所述剩余玻璃组分的润湿角足以覆盖所述无机填料的颗粒。
2.根据权利要求1所述的生料带组合物，其中所述玻璃组合物选自包含主要玻璃网络改性离子的磷硼硅酸盐玻璃网络组。
3.根据权利要求2所述的生料带组合物，其中所述具有颗粒的无机填料选自包含二氧化硅、氧化铝或它们的组合的耐高温氧化物组。
4.根据权利要求3所述的生料带组合物，其中所述聚合物粘合剂体系包含有机树脂、润湿剂和残余的有机溶剂。
5.根据权利要求4所述的生料带组合物，其包含：
以（a）和（b）的总重量计，25-40重量%玻璃组合物，以摩尔%计，（i）46-57.96%B2O3，（ii）玻璃网络成形物，其选自0.5-8.5%P2O5、1.72-5.00%SiO2、以及P2O5与SiO2的混合物，其中所述P2O5与SiO2的混合物的混合摩尔%为3.44-8.39%，（iii）20-50%CaO，（iv）2-15%Ln2O3，其中Ln选自稀土元素以及它们的混合物；（v）0-6%MI2O，其中MI选自碱性元素；和（vi）0-10%的Al2O3，其中所述玻璃组合物为陶瓷填充的失透玻璃组合物，其中所述玻璃组合物在结晶前流动；
以（a）和（b）的总重量计，无机填料基本上由60-75重量%二氧化硅耐高温氧化物组成，（a）和（b）两者均分散在有机聚合物粘合剂的溶液中，
其中，所述生料带在焙烧后具有介于3.5和4.0之间的dK和小于0.004的损耗角正切。
6.根据权利要求4所述的生料带组合物，其以固体计，包含：
以（a）和（b）的总重量计，30-55重量%玻璃组合物，所述玻璃组合物包含以摩尔%计，（i）46-57.96%B2O3，（ii）玻璃网络成形物，其选自0.5-8.5%P2O5、1.72-5.00%SiO2、以及P2O5与SiO2的混合物，其中所述P2O5与SiO2的混合物的混合摩尔%为3.44-8.39%，（iii）20-50%CaO，（iv）2-15%Ln2O3，其中Ln选自稀土元素以及它们的混合物；（v）0-6%MI2O，其中MI选自碱性元素；和（vi）0-10%的Al2O3，其中所述玻璃组合物为陶瓷填充的失透玻璃组合物，其中所述玻璃组合物在结晶前流动；
以（a）和（b）的总重量计，无机填料基本上由45-70重量%耐高温氧化物组成，所述耐高温氧化物包含SiO2：Al2O3重量比介于约2:1至约1:1之间的二氧化硅和氧化铝，（a）和（b）两者均分散在有机聚合物粘合剂的溶液中，
其中，所述生料带组合物在焙烧后具有介于4.5和5.4之间的dK和介于0.003和0.005之间的损耗角正切。
7.根据权利要求4所述的生料带组合物，其以固体计，包含：
以（a）和（b）的总重量计，38-42重量%玻璃组合物，所述玻璃组合物包含以摩尔%计，（i）46-57.96%B2O3，（ii）玻璃网络成形物，其选自0.5-8.5%P2O5、1.72-5.00%SiO2、以及P2O5与v的混合物，其中所述P2O5与SiO2的混合物的混合摩尔%为3.44-8.39%，（iii）20-50%CaO，（iv）2-15%Ln2O3，其中Ln选自稀土元素以及它们的混合物；（v）0-6%MI2O，其中MI选自碱性元素；和（vi）0-10%的Al2O3，其中所述玻璃组合物为陶瓷填充的失透玻璃组合物，其中所述玻璃组合物在结晶前流动；
以（a）和（b）的总重量计，所述无机填料基本上由58-62重量%耐高温氧化物组成，所述耐高温氧化物包含二氧化硅和氧化铝，其中以（a）和（b）的总重量计，所述二氧化硅小于约5.0重量%且大于约2.0重量%，（a）和（b）两者均分散在有机聚合物粘合剂的溶液中，
其中所述生料带组合物在焙烧后具有大于5.4且小于6.0的dK和小于0.003的损耗角正切。
8.根据权利要求4所述的生料带组合物，其以固体计，包含：
以（a）和（b）的总重量计，25-40重量%玻璃组合物，所述玻璃组合物包含以摩尔%计，50-67%B2O3；20-50%CaO；2-15%Ln2O3，其中Ln选自稀土元素以及它们的混合物；0-6%MI2O，其中MI选自碱性元素；和0-10%Al2O3，前提条件是所述组合物为可水磨的；
以（a）和（b）的总重量计，60-75重量%二氧化硅耐高温氧化物，（a）和（b）两者均分散在有机聚合物粘合剂的溶液中，
其中，所述生料带组合物在焙烧后具有介于3.5和4.0之间的dK和小于0.004的损耗角正切。
9.根据权利要求4所述的生料带组合物，其以固体计，包含：
以（a）和（b）的总重量计，30-55重量%玻璃组合物，所述玻璃组合物包含以摩尔%计，50-67%B2O3；20-50%CaO；2-15%Ln2O3，其中Ln选自稀土元素以及它们的混合物；0-6%v，其中MI选自碱性元素；和0-10%Al2O3，前提条件是所述组合物为可水磨的；
以（a）和（b）的总重量计，45-70重量%耐高温氧化物，所述耐高温氧化物包含SiO2：Al2O3重量比介于约2:1至约1:1之间的二氧化硅和氧化铝，（a）和（b）两者均分散在有机聚合物粘合剂的溶液中，
其中，所述生料带组合物在焙烧后具有介于4.5和5.4之间的dK和介于0.003和0.005之间的损耗角正切。
10.根据权利要求4所述的生料带组合物，其以固体计，包含：
以（a）和（b）的总重量计，38-42重量%玻璃组合物，以摩尔%计，50-67%B2O3；20-50%CaO；2-15%Ln2O3，其中Ln选自稀土元素以及它们的混合物；0-6%MI2O，其中MI选自碱性元素；和0-10%Al2O3，前提条件是所述组合物为可水磨的；
以（a）和（b）的总重量计，58-62重量%耐高温氧化物，所述耐高温氧化物包含二氧化硅和氧化铝，其中以（a）和（b）的总重量计，所述二氧化硅小于约5.0重量%且大于约2.0重量%，（a）和（b）两者均分散在有机聚合物粘合剂的溶液中，
其中所述生料带组合物在焙烧后具有大于5.4且小于6.0的dK和小于0.003的损耗角正切。
11.根据权利要求5至10中任一项所述的经焙烧的生料带。
12.经焙烧的多层层压体结构，其包含（a）至少2层根据权利要求11所述的经焙烧的生料带和（b）至少4层另一种组合物的经焙烧的生料带，并且具有大于约6的dK并且还具有当按单个经焙烧的生料带层测量时至少约7%的收缩，其中所述经焙烧的多层层压体结构具有介于1.00%和1.25%之间的总体收缩。
13.根据权利要求12所述的多层层压体结构，其包括总共至少十个层（a）和（b）。
14.根据权利要求12所述的多层层压体结构，其包括总共至少二十个层（a）和（b）。
15.根据权利要求12所述的多层层压体结构，其中所述层（a）和（b）处于对称构型中。
16.根据权利要求12所述的多层层压体结构，其具有至少约2毫米的厚度。
17.根据权利要求12所述的多层层压体结构，其具有至少约5毫米的厚度。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108012402A (zh) * 2016-11-02 2018-05-08 欣兴电子股份有限公司 线路板及其制作方法
CN115557783A (zh) * 2022-07-14 2023-01-03 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种低膨胀低介电常数低损耗的低温共烧材料及其制备方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109775993B (zh) * 2019-03-01 2020-10-16 广东风华高新科技股份有限公司 一种ltcc基板及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1974450A (zh) * 2005-11-16 2007-06-06 E.I.内穆尔杜邦公司 无铅玻璃、厚膜糊料、带组合物和由其制造的低温共烧制陶瓷器件
US20110187602A1 (en) * 2010-01-29 2011-08-04 E.I. Du Pont De Nemours And Company Method of manufacturing high frequency receiving and/or transmitting devices from low temperature co fired ceramic materials and devices made therefrom

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4536535A (en) 1983-06-07 1985-08-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Castable ceramic compositions
US4654095A (en) 1985-03-25 1987-03-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dielectric composition
JPH05500584A (ja) * 1989-09-25 1993-02-04 イー・アイ・デユポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 改良された複合誘電体
US5176772A (en) * 1989-10-05 1993-01-05 Asahi Glass Company Ltd. Process for fabricating a multilayer ceramic circuit board
US5085720A (en) 1990-01-18 1992-02-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for reducing shrinkage during firing of green ceramic bodies
US5254191A (en) 1990-10-04 1993-10-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for reducing shrinkage during firing of ceramic bodies
US5396397A (en) * 1992-09-24 1995-03-07 Hughes Aircraft Company Field control and stability enhancement in multi-layer, 3-dimensional structures
WO1996039298A1 (en) * 1995-06-06 1996-12-12 Sarnoff Corporation Method for the reduction of lateral shrinkage in multilayer circuit boards on a support
TW524786B (en) 1998-01-23 2003-03-21 Du Pont Glass composition, castable dielectric composition and tape composition made therewith
US7307829B1 (en) * 2002-05-17 2007-12-11 Daniel Devoe Integrated broadband ceramic capacitor array
US6776861B2 (en) * 2002-06-04 2004-08-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Tape composition and process for internally constrained sintering of low temperature co-fired ceramic
US6893710B2 (en) * 2003-04-18 2005-05-17 Yageo Corporation Multilayer ceramic composition
US20060110602A1 (en) * 2004-11-22 2006-05-25 Wang Carl B Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure
US7175724B2 (en) 2004-11-22 2007-02-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure
US20060162844A1 (en) * 2005-01-26 2006-07-27 Needes Christopher R Multi-component LTCC substrate with a core of high dielectric constant ceramic material and processes for the development thereof
JP5263112B2 (ja) * 2009-10-07 2013-08-14 旭硝子株式会社 セラミックス原料組成物

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1974450A (zh) * 2005-11-16 2007-06-06 E.I.内穆尔杜邦公司 无铅玻璃、厚膜糊料、带组合物和由其制造的低温共烧制陶瓷器件
US20110187602A1 (en) * 2010-01-29 2011-08-04 E.I. Du Pont De Nemours And Company Method of manufacturing high frequency receiving and/or transmitting devices from low temperature co fired ceramic materials and devices made therefrom

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108012402A (zh) * 2016-11-02 2018-05-08 欣兴电子股份有限公司 线路板及其制作方法
CN115557783A (zh) * 2022-07-14 2023-01-03 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种低膨胀低介电常数低损耗的低温共烧材料及其制备方法

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Publication number Publication date
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US20130052433A1 (en) 2013-02-28

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