CN106575618A - 基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及为了处理基板而加热基板的基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,包括:加热器部,形成为具有大于基板的处理面大小的相对面而加热基板;及灯部,具备彼此相邻地布置于加热器部的相对面的多个灯单元。本发明的效果在于,使加热器部的相对面形成为大于基板的处理面大小,使多个灯单元彼此相邻地布置于相对面,均匀地维持基板的处理面上的加热温度,能够防止对基板处理面的不均匀的处理,能够提高基板的处理效率。
Description
技术领域
本发明涉及基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,更详细地说,为了处理基板而加热基板且测定基板的温度的基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置。
背景技术
为了制造半导体元件,在基板上形成多层薄膜时,蚀刻及清洗工艺是必须的。
单片式湿式蚀刻及清洗装置等基板液处理装置,通过旋转设有支撑基板的卡盘的桌台而向基板供应处理液,并执行蚀刻、清洗及干燥工艺,利用桌台周围具有杯结构的处理液回收部而回收处理液。
另外,从基板去除蒸镀到基板的氮化膜、氧化膜、金属膜等薄膜或光刻胶等时,以提高处理效率为目的,在基板的上部或桌台的下部设置加热器,或以高温加热并喷射处理液的温度,或利用加热后喷射之前因处理液的混合而产生的反应热的方法,在高温进行了液处理。
尤其,使用加热装置的以往的加热器式基板液处理装置,因加热器的大小小于基板的处理面大小,导致基板的处理面的加热温度不均匀,成为基板液处理时处理不良的原因。
而且,若对于基板的处理面以固定的排列布置加热器,则因加热器的加热范围相同或重叠,或以双重、三重反复重复,导致基板处理面的加热温度不均匀。
而且,为了解决对于基板处理面的加热温度的不均匀,需控制加热器的强度,但不易于检出基板的加热温度不均匀的部分,难以根据基板的加热温度而控制加热器的强度。
发明内容
(要解决的技术问题)
本发明为了解决所述以往的问题而提出,其目的在于,提供一种基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,在基板的处理面上均匀地维持加热温度,防止对基板处理面的不均匀的处理,能够提高基板的处理效率。
而且,本发明的另一目的在于,提供一种基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,使得加热器部的强度仅集中到基板的处理面而能够提高加热器部的加热效率。
而且,本发明的又一目的在于,提供一种基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,布置成灯单元的加热范围不会彼此相同地重复,能够减少基板处理面上的加热温度的不均匀。
而且,本发明的又一目的在于,提供一种基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,能够防止对基板的处理面的中心部位的加热温度的上升。
而且,本发明的又一目的在于,提供一种基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,使得以高温散发热能的发热灯的热能向基板方向反射,提高热能效率的同时,能够防止机壳的热损伤。
而且,本发明的又一目的在于,提供一种基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,能够均匀地发散发热灯的热能的同时,易于维护灯单元。
而且,本发明的又一目的在于,提供一种基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,对布置于相对面的灯单元,能够根据各区域进行强度控制。
而且,本发明的又一目的在于,提供一种基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,对基板处理面的中心部位及外廓部位的灯单元的强度进行多种控制,根据各基板处理面的部位,减少加热温度的偏差。
而且,本发明的又一目的在于,提供一种基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,测定基板的处理面上加热温度不均匀的部位,提供基板的加热温度信息而使得基板的加热温度维持均匀,能够提高基板的处理效率。
而且,本发明的又一目的在于,提供一种基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,无需设置固定设置到加热器部而与加热器部一同移动或一同固定的用于温度测定部的另外的移动工具或固定工具,使机构性的构成变得简单。
而且,本发明的又一目的在于,提供一种基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,通过维持温度测定部与基板的处理面之间彼此平行而能够提高温度传感器的温度测定精密度。
而且,本发明的又一目的在于,提供一种基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,对于基板的处理时旋转的基板的处理面,沿着圆周方向测定基板的温度,从而能够容易地测定旋转的基板的整个处理面的温度。
而且,本发明的又一目的在于,提供一种基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,能够控制成基板的处理面上均匀地维持对加热器部的灯单元的强度。
而且,本发明的又一目的在于,提供一种基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,使加热器部的强度仅集中到基板的处理面而能够提高加热器部的加热效率。
而且,本发明的又一目的在于,提供一种基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,能够均匀地发散发热灯的热能的同时,易于灯单元的维护。
而且,本发明的又一目的在于,提供一种基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,布置成灯单元的加热范围不会彼此相同地重复,能够减少基板处理面上的加热温度的不均匀。
而且,本发明的又一目的在于,提供一种基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,基板的液处理时,能够防止加热装置的污染并提高液处理效率。
而且,本发明的又一目的在于,提供一种基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,能够根据各个灯群,控制对基板的处理面的加热温度。
(解决问题的手段)
用于达成所述目的的本发明,作为为了基板的处理而加热基板的加热装置,包括:加热器部,用于加热基板;及灯部,具备彼此相邻地布置于所述加热器部的多个灯单元。
本发明,所述加热器部具有大于基板的处理面的大小的相对面。本发明,所述相对面形成为与基板的处理面形状相同的形状。
本发明,所述灯部,包括:基准灯单元,以对应基板处理面中心的相对面的中心为基准而偏心布置;及多个周边灯单元,以所述基准灯单元为中心,布置成与相对面的中心之间的隔离距离彼此相同或不相同。本发明的特征在于,所述基准灯单元的偏心范围为灯单元直径的2/3以内。
本发明,所述灯单元,包括:发热灯,向基板散发热能;反射器,通过反射而使所述发热灯的热能朝向基板;及机壳,设置于所述发热灯的外廓周围。
本发明,在所述发热灯上,与基板的处理面平行地布置有灯丝。本发明,所述灯单元,通过匹配而结合,从而布置成所述发热灯的灯丝向彼此相同的方向或向彼此不同的方向。本发明,所述发热灯由红外线灯构成。
本发明,所述灯部,形成多个灯群,其中各个灯群由多个灯单元形成,根据各个灯群控制灯单元的强度。
本发明,在所述灯部的中心部位,由一个灯单元形成一个灯群,所述灯部的外廓部位,由多个灯单元形成一个灯群。
而且,本发明,还包括:温度测定部,以非接触的方式测定由所述加热器部加热的基板的温度。本发明,所述温度测定部被设置到对应基板的处理面的所述加热器部的相对面。
本发明,所述温度测定部由为了测定相当于垂直方向的基板位置的温度而设置的多个温度传感器构成。本发明,沿着对应基板的处理面的所述加热器部的相对面的半径,布置多个所述温度传感器。
本发明,提供所述温度传感器的测定结果,使得:形成多个灯群,其中由布置于所述相对面的多个灯单元形成一个灯群;形成多个控制群,其中由所述多个灯群形成一个控制群;与各个非接触式传感器联通而根据各个控制群控制灯单元的强度。本发明,所述温度传感器由非接触式红外线辐射温度计构成。
而且,本发明,作为向基板供应处理液而进行液处理的基板液处理装置,包括:桌台部,卡紧基板而使其旋转;喷射部,向所述基板喷射处理液;回收部,回收已喷射到所述基板的处理液;加热器部,加热所述基板;及灯部,具有彼此相邻地布置到所述加热器部的多个灯单元。本发明,所述加热器部形成为具有基板的处理面大小以上的相对面。
本发明,所述桌台部卡紧所述基板的处理面而使其朝向上部,所述喷射部为了向所述基板的处理面喷射处理液而被设置到所述基板的上部,所述加热器部为了加热所述基板及处理液而被设置到所述基板的上部。
本发明,所述桌台部卡紧所述基板的处理面而使其朝向下部,所述喷射部为了向所述基板的处理面喷射处理液而被设置到所述基板的下部,所述加热器部为了加热所述基板而被设置到所述基板的上部。
而且,本发明,还包括温度测定部,测定基板的加热温度而控制灯部的强度。本发明,所述温度测定部,以非接触的方式测定由所述加热器部加热的基板的温度。
而且,本发明,还包括:控制部,根据各灯单元的灯群而控制灯部的强度。本发明,所述控制部,形成多个灯群,其中布置于对应基板的处理面的所述加热器部的相对面的多个灯单元形成一个灯群;形成多个控制群,其中所述多个灯群形成一个控制群;所述控制部与各个非接触式传感器联通而根据各个控制群控制灯单元的强度。
(发明的效果)
如上述,本发明的效果在于,使加热器部的相对面形成为大于基板的处理面大小,使多个灯单元彼此相邻地布置于相对面,均匀地维持基板的处理面上的加热温度,能够防止对基板处理面的不均匀的处理,能够提高基板的处理效率。
而且,本发明的效果在于,使加热器部的相对面的形状形成为与基板的处理面形状相同的形状,从而将加热器部的强度仅集中到基板的处理面,能够提高加热器部的加热效率。
而且,本发明的效果在于,以相对面的中心为基准,偏心地布置基准灯单元布置成与相对面的中心之间的隔离距离不相同的周边灯单元,布置成灯单元的加热范围不会彼此相同地重复,从而能够减少基板处理面上的加热温度的不均匀。
而且,本发明的效果在于,以既定数值限定基准灯单元的偏心范围,能够防止对基板的处理面的中心部位的加热温度的上升。
而且,由发热灯、反射器、机壳构成灯单元,使得以高温散发热能的发热灯的热能向基板方向反射,提高热能效率的同时,能够防止机壳的热损伤。
而且,本发明的效果在于,作为发热灯,灯丝与基板的处理面平行,向彼此相同的方向或彼此不同的方向设置各个灯丝,使用红外线灯,从而能够均匀地发散发热灯的热能的同时,易于灯单元的维护。
而且,本发明的效果在于,根据各灯群控制由多个灯单元形成一个灯群的多个灯群的强度,能够对布置于相对面的灯单元,根据区域进行强度控制。
而且,基板的中心部位,由一个灯单元形成一个灯群;在外廓部位,由多个灯单元形成一个灯群,能够对基板处理面的中心部位及外廓部位的灯单元的强度进行多种控制,根据基板处理面的部位,减少加热温度的偏差。
而且,本发明的效果在于,设置温度测定部,以非接触的方式测定由加热器部加热的基板的温度,测定基板的处理面上加热温度不均匀的部位而提供基板的加热温度信息,从而能够均匀地维持基板的加热温度,提高基板的处理效率。
而且,本发明的效果在于,将温度测定部设置到加热器部的相对面,无需设置固定设置到加热器部而与加热器部一同移动或一同固定的用于温度测定部的另外的移动工具或固定工具,使机构性的构成变得简单。
而且,本发明的效果在于,构成多个温度传感器,设置成温度测定部以基板的处理面为基准而向垂直方向测定基板位置的温度,从而彼此平行地维持温度测定部与基板的处理面之间,提高温度传感器的温度测定精密度。
而且,本发明的效果在于,沿着加热器部的相对面的半径而布置多个温度传感器,对基板的处理时旋转的基板的处理面,沿着圆周方向测定基板的温度,能够容易测定旋转的基板的整个处理面的温度。
而且,本发明的效果在于,根据温度测定部的温度传感器的测定结果而根据控制群控制灯单元的强度,具有在基板的处理面均匀地维持对加热器部的灯单元的强度的控制效果。
而且,本发明的效果在于,使加热器部的相对面的形状具有与基板的处理面形状相同的形状,使加热器部的强度仅集中到基板的处理面,从而能够提高加热器部的加热效率。
而且,本发明的效果在于,设置成灯单元的发热灯的灯丝与基板的处理面平行,各个灯丝也彼此平行,能够均匀地发散发热灯的热能的同时,易于灯单元的维护。
而且,本发明的效果在于,以相对面的中心为基准,偏心地布置基准灯单元,布置与相对面的中心之间的隔离距离不相同的周边灯单元,从而布置成灯单元的加热范围不会彼此相同地重复,从而能够减少基板处理面上的加热温度的不均匀。
而且,本发明的效果在于,基板液处理装置中,在基板的上部设置加热装置,在基板的下部设置喷射部,基板的液处理时,能够防止加热装置的污染,提高液处理效率。
而且,本发明的效果在于,基板液处理装置具备温度测定部及控制部,从而能够根据灯单元的灯群而更加精确地控制对基板的处理面的加热温度。
附图说明
图1是呈现根据本发明的第1实施例的具备基板处理用加热装置的基板液处理装置的构成图。
图2是呈现根据本发明的第1实施例的基板处理用加热装置的构成图。
图3是呈现根据本发明的第1实施例的基板处理用加热装置的加热器单元的详细图。
图4是呈现根据本发明的第1实施例的基板处理用加热装置的控制状态的框图。
图5是呈现根据本发明的第2实施例的具备基板处理用加热装置的基板液处理装置的构成图。
图6是呈现根据本发明的第2实施例的基板处理用加热装置的构成图。
图7是呈现根据本发明的第2实施例的基板处理用加热装置的控制群的布置图。
图8是呈现根据本发明的第2实施例的基板处理用加热装置的控制状态的框图。
符号说明
10:加热器部 20:灯部
30:温度测定部 40:控制部
110:桌台部 120:喷射部
130:回收部
具体实施方式
下面,参照附图而更详细地说明根据本发明的优选第1实施例的基板处理用加热装置。
图1是呈现根据本发明的第1实施例的具备基板处理用加热装置的基板液处理装置的构成图,图2是呈现根据本发明的第1实施例的基板处理用加热装置的构成图,图3是呈现根据本发明的第1实施例的基板处理用加热装置的加热器单元的详细图,图4是呈现根据本发明的第1实施例的基板处理用加热装置的控制状态的框图。
如图1及图2所图示,根据第1实施例的基板处理用加热装置,包括加热器部10及灯部20,是为了处理基板而加热基板的加热装置。本实施例中作为处理的基板,优选使用用于半导体元件的半导体晶圆等圆形的薄板。
加热器部10是具有大于基板W的处理面大小的相对面而加热基板的加热工具,优选地,与基板W的处理面形状具有相同的形状。
具体地说,若基板W的处理面形状为圆形,加热器部10的形状由形成大于基板W的圆形形状的大小的相对面的圆形形状。
这种加热器部10,设置成从基板W的上部旋回而出入,但也可设置成固定在基板W的上部。因此,若设置成基板W的处理面朝向下方,则加热基板W的背面,若设置成基板W的处理面朝向上方,则加热基板W的处理面。
灯部20具备彼此相邻地布置于加热器部10的相对面的多个灯单元,作为向基板W的处理面散发热能的发热工具,由基准灯单元21及周边灯单元22形成。
优选地,基准灯单元21以对应基板W的处理面的中心的相对面的中心为基准而偏心地布置。尤其,这种基准灯单元21的偏心范围,即相对面的中心与基准灯单元21的中心之间的隔离距离,优选设定为灯单元直径的2/3以内。其原因是偏心范围若大于灯单元直径的2/3,会降低对基板的处理面的中心部位的加热性能,从而不均匀地加热基板的处理面。
多个周边灯单元22可被布置成以基准灯单元21为中心而与相对面的中心C之间的隔离距离彼此相同或彼此不同地布置多个。
具体地说,如布置成标记为2号的第2灯单元的隔离距离d1及标记为6号的第6灯单元的隔离距离d2不相同,其他多个周边灯单元的隔离距离也不相同。当然,也可彼此相同地布置部分周边灯单元与相对面的中心C之间的隔离距离。
因此,为了布置成标记为1号至n-8号的周边灯单元22的隔离距离不相同,周边灯单元22被布置到加热器部10的相对面,从对应基板的处理面的相对面的中心C到隔离距离彼此不同的多种地点,灯单元通过加热而均匀地加热基板W的处理面。
而且,优选地,灯部20形成由多个灯单元形成为一个灯群的多个灯群,可根据各个灯群控制灯单元的强度。具体地说,如图2及图4所示,形成由第1至第n-8灯单元构成的n个的灯群,从而根据灯群控制强度。
而且,也可在相对面的中心部位,由一个灯单元形成一个灯群,在相对面的外廓部位,由多个灯单元形成一个灯群。
具体地说,布置于相对面的中心部位的,标记为1号至12号的第1至第12灯单元,由一个灯单元形成为一个灯群,可根据各个灯群控制灯单元的强度。
而且,布置到相对面的外廓部位的,标记为13-1号至n-8号的第13-1至第n-8灯单元,由多个灯单元形成一个灯群,可根据各个灯群控制灯单元的强度。
而且,这种灯部20的灯单元,如图3所图示,由发热灯20a、反射器20b及机壳20c构成,机壳20c形成灯插座而能够匹配发热灯20a而结合,灯插座设有电力布线,将外部的电力供应到发热灯20a。
发热灯20a作为设置于加热器部10的相对面而以相对面为基准,照射基板W的处理面而散发热能的灯工具,优选地,与基板W的处理面平行地布置灯丝。
而且,灯部20的灯单元,为了以彼此相同的方向或以彼此不同的方向布置布置发热灯20a的灯丝,也可在匹配到相对面而结合。
因此,能够增强对旋转的半导体晶圆的基板W处理面的灯的热原即灯丝中散发的热能范围低于以晶圆的基板W表面药液为目标的热能的部分。
作为这种发热灯20a,作为辐射红外线波长的灯,可使用坝塔尔(kan tal)合金灯、卤钨灯、弧光灯等多种红外线灯,但本实施例中,为了基板的液处理,优选使用以500℃以上散发热能的卤钨灯。
反射器20b作为将发热灯20a发散的热能反射向基板的反射部件,在发热灯20a的周围,以半球形状弯曲地形成,向基板反射发热灯20a的热能而提高发热灯20a的加热效率。
优选地,机壳20c作为设置于发热灯20a的外廓周围的盖子部件,为了内置发热灯20a及反射器20b,大致以圆筒形状形成。
下面,参照附图而更详细地说明根据本发明的优选第2实施例的基板处理用加热装置。
图5是呈现根据本发明的第2实施例的具备基板处理用加热装置的基板液处理装置的构成图,图6是呈现根据本发明的第2实施例的基板处理用加热装置的构成图,图7是呈现根据本发明的第2实施例的基板处理用加热装置的控制群的布置图,图8是呈现根据本发明的第2实施例的基板处理用加热装置的控制状态的框图。
如图5及图6所图示,根据本实施例的基板处理用加热装置,包括加热器部10、灯部20及温度测定部30,是为了处理基板而测定基板的温度的基板处理用加热装置。本实施例中,作为处理的基板,优选使用用于半导体元件的半导体晶圆等圆形的薄板。
第2实施例的加热器部10及灯部20具有与第1实施例的加热器部10及灯部20相同的构成,因此赋予相同的附图编号,省略具体的说明,仅具体说明构成相异的温度测定部30。
温度测定部30作为测定工具,以非接触的方式测定由加热器部10加热的基板W的温度,优选设置到对应基板W的处理面的加热器部10的相对面。
这种温度测定部30由多个温度传感器构成,温度传感器被设置成测定相当于垂直方向的基板位置的温度。如图6至图8所图示,这种温度传感器与沿着对应基板W的处理面的加热器部10的相对面的半径布置的第1至第温度传感器相同,由多个温度传感器构成。
这种温度传感器为了沿着旋转的基板W的处理面周围测定加热温度,在加热器部10的相对面的半径的既定位置错开布置多个,或沿着半径以等间距的一列布置多个。
尤其,作为这种非接触式温度传感器,可使用红外线温度传感器、热电堆温度传感器、焦热电温度传感器等多种非接触式温度传感器,但本实施例中,为了能进行以非接触方式的状态测定基板的液处理时高温状态的基板的加热温度,作为非接触式的红外线辐射温度计,优选使用高温计(p yrometer)等红外线温度传感器。
优选地,这种温度传感器的测定结果,使得:形成多个灯群,其中由布置于所述相对面的多个灯单元形成一个灯群;形成多个控制群,其中由所述多个灯群形成一个控制群;与各个非接触式传感器联通而根据各个控制群控制灯单元的强度。
具体地说,灯群如图6及图7所图示,形成由第1至第n-8灯单元形成的n个复数灯群。而且,控制群如图7及图8所图示,形成多个控制群,由第1至第7灯单元的多个灯群形成的第1控制群、由第8至第15-2灯单元的多个灯群形成的第2控制群至由第(n-3)-1至第n-8灯单元的多个灯群形成的最终的控制群等。
因此,如图8所图示,第1温度传感器测定基板的温度而向第1控制群提供温度信息而使得控制灯单元的强度,第2温度传感器测定基板的温度而向第2控制群提供温度信息而使得控制灯单元的强度,第温度传感器测定基板的温度而向最终的控制群提供温度信息而使得控制灯单元的强度。
而且,本实施例的加热装置也可形成为,为了如上述地控制灯单元的强度,还包括:控制部40,具备分别连接到第1至第温度传感器的第1至第m控制器。
下面,参照附图而具体地说明具备第1实施例的基板处理用加热装置的基板液处理装置。
如图1所图示,具备第1实施例的基板处理用加热装置的基板液处理装置是包括桌台部110、喷射部120、回收部130、加热器部10及灯部20并向基板W供应处理液而进行液处理的基板液处理装置。
桌台部110作为卡紧基板W而使其旋转的旋转支撑工具,可使基板W的处理面朝向上方地卡紧支撑而使其旋转,或使基板W的处理面朝向下方地卡紧支撑而使其旋转。
尤其,优选地,本实施例的桌台部110为了通过喷射部120而从基板W的下部喷射处理液,使基板W的处理面朝向下方地卡紧支撑。
喷射部120作为向基板W的处理面供应处理液而进行喷射的供应工具,若对桌台部110,使基板W的处理面朝向上方地卡紧支撑时,设置于基板W的上部,若对桌台部110,使基板W的处理面朝向下方地卡紧支撑时,设置于基板W的下部。
这种本实施例的喷射部120,优选地,为了对桌台部110,使基板W的处理面朝向下方地卡紧支撑,从基板W的下部喷射处理液而供应。
回收部130作为设置于桌台部110的外廓周围而回收已喷射到基板W的处理液的回收工具,因已喷射到基板W的处理面的处理液根据基板W的旋转时的圆心力而沿着外廓周围排出,为了回收此处理液而形成为圆筒形状的杯形状。
而且,若供应到基板W的处理面的处理液为多种,为了分别回收,这种回收部130也可形成为由同心圆形状形成的多个杯形状。
加热器部10及灯部20为加热基板W的加热工具,由第1实施例的基板处理用加热装置构成,设置于基板W的上部而加热基板W及处理液。
这种加热器部10及灯部20,可设置成从基板W的上部旋回而出入,或固定支撑到基板W的上部。
本实施例的基板液处理装置,还可包括:温度测定部30,测定基板的加热温度而控制灯部20的强度。
温度测定部30由设置于加热器部10的相对面的多个温度传感器构成,测定对基板W的处理面的加热温度,提供温度信息而使得控制灯部20的灯单元的强度。
这种温度测定部30,这种温度传感器为了沿着根据桌台部110旋转的基板W的处理面周围测定加热温度,在加热器部10的相对面的半径的既定位置错开布置多个,或沿着半径以等间距的一列布置多个温度传感器。
而且,本实施例的基板液处理装置,还可包括:控制部40,根据灯单元的灯群,分别控制灯部20的强度。
如图4所图示,优选地,控制部40由多个控制器形成,多个控制器由第1至第m控制器构成,根据灯单元的灯群而控制灯部20的强度。
因此,这种控制部40以根据温度测定部30测定的对基板W的处理面的温度信息而根据灯群控制灯部20的灯单元的强度。
下面,参照附图而具体说明具备第2实施例的基板处理用加热装置的基板液处理装置。
如图5所图示,具备第2实施例的基板处理用加热装置的基板液处理装置包括:桌台部110、喷射部120、回收部130、加热器部10、灯部20、温度测定部30,是向基板W供应处理液而进行液处理的基板液处理装置。
桌台部110、喷射部120及回收部130是与上述实施例的桌台部110、喷射部120、回收部130相同的构成,赋予相同的附图编号而省略具体的说明。
加热器部10及灯部20为加热基板W的加热工具,设置于基板W的上部而加热基板W及处理液,与第1实施例的基板处理用加热装置的加热器部10及灯部20具有相同的构成,因此省略具体的说明。
尤其,这种加热器部10可被设置成能够从基板W的上部旋回而出入,或设置成固定支撑到基板W的上部。
温度测定部30作为温度测定工具,以非接触的方式测定由加热器部10加热的基板W的温度,,由第2实施例的基板处理用加热装置的温度测定部30构成,省略具体的说明。
本实施例的基板液处理装置还可包括:控制部40,根据灯单元的灯群控制灯部的强度。
控制部40由多个控制器形成,多个控制器由第1至第m控制器构成,根据由灯单元的第1至最终的控制群构成的各个控制群控制加热器部10的强度。
优选地,形成由布置于对应基板W的处理面的加热器部10的相对面的多个灯单元形成一个灯群的多个灯群,且形成由所述多个灯群形成一个控制群的多个控制群,这种控制部40根据各个控制群控制灯单元的强度。
因此,控制部40根据由温度测定部30测定的对基板W的处理面的加热温度,根据控制群控制灯部20的灯单元的强度,能够均匀地维持基板的处理面的加热温度。
本发明的效果在于,使加热器部的相对面形成为大于基板的处理面大小,使多个灯单元彼此相邻地布置于相对面,均匀地维持基板的处理面上的加热温度,能够防止对基板处理面的不均匀的处理,能够提高基板的处理效率。
而且,本发明的效果在于,使加热器部的相对面的形状形成为与基板的处理面形状相同的形状,从而将加热器部的强度仅集中到基板的处理面,能够提高加热器部的加热效率。
而且,本发明的效果在于,以相对面的中心为基准,偏心地布置基准灯单元布置成与相对面的中心之间的隔离距离不相同的周边灯单元,布置成灯单元的加热范围不会彼此相同地重复,从而能够减少基板处理面上的加热温度的不均匀。
而且,本发明的效果在于,以既定数值限定基准灯单元的偏心范围,能够防止对基板的处理面的中心部位的加热温度的上升。
而且,由发热灯、反射器、机壳构成灯单元,使得以高温散发热能的发热灯的热能向基板方向反射,提高热能效率的同时,能够防止机壳的热损伤。
而且,本发明的效果在于,作为发热灯,灯丝与基板的处理面平行,向彼此相同的方向或彼此不同的方向设置各个灯丝,使用红外线灯,从而能够均匀地发散发热灯的热能的同时,易于灯单元的维护。
而且,本发明的效果在于,根据各灯群控制由多个灯单元形成一个灯群的多个灯群的强度,能够对布置于相对面的灯单元,根据区域进行强度控制。
而且,基板的中心部位,由一个灯单元形成一个灯群;在外廓部位,由多个灯单元形成一个灯群,能够对基板处理面的中心部位及外廓部位的灯单元的强度进行多种控制,根据基板处理面的部位,减少加热温度的偏差。
而且,本发明的效果在于,基板液处理装置中,在基板的上部设置加热装置,在基板的下部设置喷射部,基板的液处理时,能够防止加热装置的污染,提高液处理效率。
而且,本发明的效果在于,基板液处理装置具备温度测定部及控制部,从而能够根据灯单元的灯群而更加精确地控制对基板的处理面的加热温度。
而且,本发明的效果在于,设置温度测定部,以非接触的方式测定由加热器部加热的基板的温度,测定基板的处理面上加热温度不均匀的部位而提供基板的加热温度信息,从而能够均匀地维持基板的加热温度,提高基板的处理效率。
而且,本发明的效果在于,将温度测定部设置到加热器部的相对面,无需设置固定设置到加热器部而与加热器部一同移动或一同固定的用于温度测定部的另外的移动工具或固定工具,使机构性的构成变得简单。
而且,本发明的效果在于,构成多个温度传感器,设置成温度测定部以基板的处理面为基准而向垂直方向测定基板位置的温度,从而彼此平行地维持温度测定部与基板的处理面之间,提高温度传感器的温度测定精密度。
而且,本发明的效果在于,沿着加热器部的相对面的半径而布置多个温度传感器,对基板的处理时旋转的基板的处理面,沿着圆周方向测定基板的温度,能够容易测定旋转的基板的整个处理面的温度。
而且,本发明的效果在于,根据温度测定部的温度传感器的测定结果而根据控制群控制灯单元的强度,具有在基板的处理面均匀地维持对加热器部的灯单元的强度的控制效果。
而且,本发明的效果在于,使加热器部的相对面的形状具有与基板的处理面形状相同的形状,使加热器部的强度仅集中到基板的处理面,从而能够提高加热器部的加热效率。
而且,本发明的效果在于,设置成灯单元的发热灯的灯丝与基板的处理面平行,各个灯丝也彼此平行,能够均匀地发散发热灯的热能的同时,易于灯单元的维护。
而且,本发明的效果在于,以相对面的中心为基准,偏心地布置基准灯单元,布置与相对面的中心之间的隔离距离不相同的周边灯单元,从而布置成灯单元的加热范围不会彼此相同地重复,从而能够减少基板处理面上的加热温度的不均匀。
而且,本发明的效果在于,基板液处理装置中,在基板的上部设置加热装置,在基板的下部设置喷射部,基板的液处理时,能够防止加热装置的污染,提高液处理效率。
而且,本发明的效果在于,基板液处理装置具备温度测定部及控制部,从而能够根据灯单元的灯群而更加精确地控制对基板的处理面的加热温度。
以上说明的本发明可不脱离其技术思想及主要特征而被实施为其他多种形态。总的来说,所述实施例只是单纯的例示,不可将此解释成限定性的。
工业上的利用可能性
本发明提供一种基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,其可以加热基板,测定基板的温度,以进行基板的处理。
Claims (25)
1.一种基板处理用加热装置,作为为了基板的处理而加热基板的加热装置,其特征在于,包括:
加热器部,用于加热基板;及
灯部,具备彼此相邻地布置于所述加热器部的多个灯单元。
2.根据权利要求1所述的基板处理用加热装置,其特征在于,
所述加热器部具有大于基板的处理面的大小的相对面。
3.根据权利要求2所述的基板处理用加热装置,其特征在于,
所述相对面形成为与基板的处理面形状相同的形状。
4.根据权利要求1所述的基板处理用加热装置,其特征在于,
所述灯部,包括:
基准灯单元,以对应基板处理面中心的相对面的中心为基准而偏心布置;及
多个周边灯单元,以所述基准灯单元为中心,布置成与相对面的中心之间的隔离距离彼此相同或不相同。
5.根据权利要求4所述的基板处理用加热装置,其特征在于,
所述基准灯单元的偏心范围为灯单元直径的2/3以内。
6.根据权利要求1所述的基板处理用加热装置,其特征在于,
所述灯单元,包括:
发热灯,向基板散发热能;
反射器,通过反射而使所述发热灯的热能朝向基板;及
机壳,设置于所述发热灯的外廓周围。
7.根据权利要求6所述的基板处理用加热装置,其特征在于,
所述发热灯,与基板的处理面平行地布置有灯丝。
8.根据权利要求7所述的基板处理用加热装置,其特征在于,
所述灯单元,通过匹配而结合,从而布置成所述发热灯的灯丝向彼此相同的方向或向彼此不同的方向。
9.根据权利要求6所述的基板处理用加热装置,其特征在于,
所述发热灯由红外线灯构成。
10.根据权利要求1所述的基板处理用加热装置,其特征在于,
所述灯部,形成多个灯群,其中各个灯群由多个灯单元形成,根据各个灯群分别控制灯单元的强度。
11.根据权利要求10所述的基板处理用加热装置,其特征在于,
在所述灯部的中心部位,由一个灯单元形成一个灯群,所述灯部的外廓部位,由多个灯单元形成一个灯群。
12.根据权利要求1所述的基板处理用加热装置,其特征在于,
还包括:温度测定部,以非接触的方式测定被所述加热器部加热的基板的温度。
13.根据权利要求12所述的基板处理用加热装置,其特征在于,
所述温度测定部被设置到对应基板的处理面的所述加热器部的相对面。
14.根据权利要求12所述的基板处理用加热装置,其特征在于,
所述温度测定部由为了测定相当于垂直方向的基板位置的温度而设置的多个温度传感器构成。
15.根据权利要求14所述的基板处理用加热装置,其特征在于,
沿着对应基板的处理面的所述加热器部的相对面的半径,布置多个所述温度传感器。
16.根据权利要求14所述的基板处理用加热装置,其特征在于,
提供所述温度传感器的测定结果,使得:形成多个灯群,其中由布置于所述相对面的多个灯单元形成一个灯群;形成多个控制群,其中由所述多个灯群形成一个控制群;与各个非接触式传感器联通而根据各个控制群控制灯单元的强度。
17.根据权利要求14所述的基板处理用加热装置,其特征在于,
所述温度传感器由非接触式红外线辐射温度计构成。
18.一种基板液处理装置,作为向基板供应处理液而进行液处理的基板液处理装置,其特征在于,包括:
桌台部,卡紧基板而使其旋转;
喷射部,向所述基板喷射处理液;
回收部,回收已喷射到所述基板的处理液;
加热器部,加热所述基板;及
灯部,具有彼此相邻地布置到所述加热器部的多个灯单元。
19.根据权利要求18所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述加热器部形成为具有基板的处理面大小以上的相对面。
20.根据权利要求18所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述桌台部卡紧所述基板的处理面而使其朝向上部,
所述喷射部为了向所述基板的处理面喷射处理液而被设置到所述基板的上部,
所述加热器部为了加热所述基板及处理液而被设置到所述基板的上部。
21.根据权利要求18所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述桌台部卡紧所述基板的处理面而使其朝向下部,
所述喷射部为了向所述基板的处理面喷射处理液而被设置到所述基板的下部,
所述加热器部为了加热所述基板而被设置到所述基板的上部。
22.根据权利要求18所述的基板液处理装置,其特征在于,
还包括温度测定部,测定基板的加热温度而控制灯部的强度。
23.根据权利要求22所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述温度测定部,以非接触的方式测定由所述加热器部加热的基板的温度。
24.根据权利要求18所述的基板液处理装置,其特征在于,
还包括:控制部,根据各灯单元的灯群而分别控制灯部的强度。
25.根据权利要求24所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述控制部,形成多个灯群,其中布置于对应基板的处理面的所述加热器部的相对面的多个灯单元形成一个灯群;形成多个控制群,其中所述多个灯群形成一个控制群;所述控制部与各个非接触式传感器联通而根据各个控制群控制灯单元的强度。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11837447B2 (en) | 2020-12-14 | 2023-12-05 | Beijing E-town Semiconductor Technology Co., Ltd. | Workpiece processing apparatus with plasma and thermal processing systems |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11222783B2 (en) | 2017-09-19 | 2022-01-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Using cumulative heat amount data to qualify hot plate used for postexposure baking |
US11107708B2 (en) | 2017-11-14 | 2021-08-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Heating platform, thermal treatment and manufacturing method |
JP7096693B2 (ja) * | 2018-04-13 | 2022-07-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法及び基板処理装置 |
CN110854044B (zh) * | 2019-11-20 | 2022-05-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备及其加热装置 |
KR102406087B1 (ko) * | 2020-03-23 | 2022-06-10 | 엘에스이 주식회사 | 회전 척에 내장된 광원을 이용한 기판 처리 장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6108490A (en) * | 1996-07-11 | 2000-08-22 | Cvc, Inc. | Multizone illuminator for rapid thermal processing with improved spatial resolution |
US20010027969A1 (en) * | 2000-04-06 | 2001-10-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Heat treatment apparatus |
TW200620477A (en) * | 2004-12-07 | 2006-06-16 | Chung Shan Inst Of Science | Thermal treatment apparatus and tuning technology for thermal treatment process |
CN102414800A (zh) * | 2009-08-18 | 2012-04-11 | 东京毅力科创株式会社 | 热处理装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3130607B2 (ja) * | 1991-11-15 | 2001-01-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JPWO2006038472A1 (ja) * | 2004-10-06 | 2008-05-15 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2007019158A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4864396B2 (ja) * | 2005-09-13 | 2012-02-01 | 株式会社東芝 | 半導体素子の製造方法、及び、半導体素子の製造装置 |
JP5282409B2 (ja) * | 2008-02-25 | 2013-09-04 | ウシオ電機株式会社 | 光照射式加熱方法及び光照射式加熱装置 |
US20110185969A1 (en) * | 2009-08-21 | 2011-08-04 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Dual heating for precise wafer temperature control |
JP2011256427A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Hitachi Zosen Corp | 真空蒸着装置における蒸着材料の蒸発、昇華方法および真空蒸着用るつぼ装置 |
US20120015523A1 (en) * | 2010-07-15 | 2012-01-19 | Jerry Dustin Leonhard | Systems and methods for etching silicon nitride |
JP5964626B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2016-08-03 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
TWI602253B (zh) * | 2012-10-12 | 2017-10-11 | 蘭姆研究股份公司 | 圓盤狀物件之液體處理用設備及用於該設備中之加熱系統 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6108490A (en) * | 1996-07-11 | 2000-08-22 | Cvc, Inc. | Multizone illuminator for rapid thermal processing with improved spatial resolution |
US20010027969A1 (en) * | 2000-04-06 | 2001-10-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Heat treatment apparatus |
TW200620477A (en) * | 2004-12-07 | 2006-06-16 | Chung Shan Inst Of Science | Thermal treatment apparatus and tuning technology for thermal treatment process |
CN102414800A (zh) * | 2009-08-18 | 2012-04-11 | 东京毅力科创株式会社 | 热处理装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11837447B2 (en) | 2020-12-14 | 2023-12-05 | Beijing E-town Semiconductor Technology Co., Ltd. | Workpiece processing apparatus with plasma and thermal processing systems |
Also Published As
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20170419 |