CN106569387A - 光罩及其修复方法 - Google Patents
光罩及其修复方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106569387A CN106569387A CN201510648122.6A CN201510648122A CN106569387A CN 106569387 A CN106569387 A CN 106569387A CN 201510648122 A CN201510648122 A CN 201510648122A CN 106569387 A CN106569387 A CN 106569387A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light shield
- defect area
- area
- light
- barrier layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 230000008439 repair process Effects 0.000 title abstract description 21
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 86
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 30
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 33
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 20
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 11
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N chromium dioxide Chemical compound O=[Cr]=O AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 8
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- WEAMLHXSIBDPGN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxy-3-methylphenyl) thiocyanate Chemical compound CC1=CC(SC#N)=CC=C1O WEAMLHXSIBDPGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 5
- 229910021355 zirconium silicide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005067 remediation Methods 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910021579 Iron(II) iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- BQZGVMWPHXIKEQ-UHFFFAOYSA-L iron(ii) iodide Chemical compound [Fe+2].[I-].[I-] BQZGVMWPHXIKEQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N xenon difluoride Chemical compound F[Xe]F IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
本发明实施例公开了一种光罩及其修复方法，包括：首先确定光罩中的缺陷区域，而后在光罩上选择该缺陷区域的外围预定区域，并在该外围预定区域沉积一层阻挡层，最后对缺陷区域进行修复，从而完成了对光罩，特别是先进材料如Mosi-binary类型的光罩的有效修复，同时阻挡层可补偿在缺陷区域修复时的不确定性，由于只需要确定缺陷区域、在缺陷区域外围形成阻挡层、蚀刻缺陷等过程，与现有光罩修复方法相比周期短，修复效果更好，可有效提升修复效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光罩及其修复方法。
背景技术
在半导体制造的整个流程中，其中一部分就是从版图到晶元制造中间的一个过程，即光掩膜或称光罩(mask)制造。这一部分是整个半导体制造流程衔接的关键部分，是流程中造价最高的一部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一。
目前，光罩在制造过程一般是在透光的透光玻璃上形成铬膜，再在铬膜上形成电子束微影用阻挤，然后以光罩布局软件控制电子束直写等方式，在阻挤上形成光罩图案，最后对光罩进行蚀刻，形成图形化的光罩，然而在实际制作过程中，由于环境中的微颗粒污染等原因，会造成光罩图案蚀刻不完全，形成多余的图案，造成缺陷。
现有对常规类型(如Binary,PSM)光罩的缺陷修复，主要是用XeF2通过电子束(E-beam)，或用FeI2&I2通过Ga离子束，直接对光罩的缺陷蚀刻进行修复。然而，如图1所示，对先进材料即Mosi-binary类型(比如OMOG)的光罩，以上现有的两种方式，可能会有蚀刻的不确定性，将光罩的需要的部分也蚀刻掉，也可能无法蚀刻，均不能对其缺陷有效修复。
发明内容
本发明的目的是提出一种光罩及其修复方法，可有效修复先进材料如Mosi-binary类型(比如OMOG)的光罩缺陷。
本发明实施例提供的一种光罩修复方法，包括
确定光罩中的缺陷区域；
在所述光罩上选择所述缺陷区域的外围预定区域，并在所述外围预定区域沉积一层阻挡层；
对所述缺陷区域进行修复。
具体地，确定光罩的缺陷区域包括：
识别所述光罩中的遮光部分和透光部分，得到所述光罩的图形；
将所述光罩的图形与参考图形进行对比，将所述光罩的图形中与所述参考图形不一致的区域确定为所述缺陷区域。
具体地，在所述光罩上选择所述缺陷区域的外围预定区域包括：
在所述缺陷区域的外围画出所述外围预定区域的边界线，以确定所述外围预定区域；其中，所述外围预定区域仅覆盖所述光罩中的遮光部分。
具体地，在所述外围预定区域沉积一层阻挡层包括：
用电子束E-Beam或镓Ga聚焦离子束扫描所述外围预定区域，在所述E-Beam或Ga聚焦离子束扫描的区域沉积所述阻挡层。
在上述各实施例中，所述阻挡层包括铬Cr，氧化铬CrO2，硅化钼MoSi，含氮硅化锆ZrSiN或含氮硅化钼MoSiN。
在上述各实施例中，对所述缺陷区域进行修复包括：
对所述缺陷区域进行蚀刻，去除所述缺陷区域中的遮光部分。
本发明实施例还提供一种通过上述任一实施例所述的光罩修复方法得到的光罩。
本发明实施例还提供一种光罩，包括透光部分和遮光部分，还包括：
阻挡层，位于所述遮光部分的部分区域。
具体地，在该实施例中，所述阻挡层包括铬Cr，氧化铬CrO2，硅化钼MoSi，含氮硅化锆ZrSiN或含氮硅化钼MoSiN。
本发明实施例提出的上述光罩及其修复方法，首先确定光罩中的缺陷区域，而后在光罩上选择该缺陷区域的外围预定区域，并在该外围预定区域沉积一层阻挡层，最后对缺陷区域进行修复，从而完成对先进材料如Mosi-binary类型(比如OMOG)的光罩的有效修复，同时阻挡层可补偿在缺陷区域修复时的不确定性，由于只需要确定缺陷区域、在缺陷区域外围形成阻挡层、蚀刻缺陷等过程，与现有光罩修复方法相比周期短，修复效果更好，可有效提升修复效率。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本发明的实施例，并且连同描述一起用于解释本发明的原理。
参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本发明，其中：
图1为现有光罩修复示意图。
图2为根据本发明一个实施例的光罩修复方法的示意流程图。
图3A至图3D为根据该实施例的光罩修复方法中各制作阶段的示意截面图和俯视图。
图4为根据本发明另一个实施例的光罩修复方法的示意流程图。
图5A至图5E为根据该实施例的光罩修复方法中各制作阶段的示意截面图和俯视图。
图6是本发明一个实施例光罩修复方法修复过程的光罩实物图。
图7是本发明另一个实施例光罩修复方法修复过程的光罩实物图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。
应注意：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
下面结合图2和图3A-3D说明根据本发明的光罩及其修复方法的实施例。图2为本发明光罩修复方法一个实施例的流程示意图。图3A至图3D为本发明光罩修复方法一个实施例中各制作阶段的截面图和俯视图。
如图2所示，该实施例的光罩修复方法包括：
步骤S201，确定光罩中的缺陷区域303。
如图3A所示，经过步骤S201后的光罩包括透光部分301、遮光部分302以及缺陷区域303。其中，透光部分301可以是石英玻璃，遮光部分可以是铬(Cr)膜。
具体地，可通过将光罩图形与参考图形对比来确定缺陷区域303。
在一些实施例中，可以通过专用照相机对光罩进行超高清拍照，然后通过专用计算机图像识别软件根据照片中的图案识别光罩中的遮光部分和透光部分，从而得到光罩的图形，然后通过专用软件将光罩图形与参考图形进行逐像素点扫描对比，将光罩图形与参考图形不一致的区域确定为缺陷区域。
在步骤S202，在光罩上选择缺陷区域303的外围预定区域304，
如图3B所示，经过步骤S202后的光罩包括透光部分301、遮光部分302、缺陷区域303和外围预定区域304。其中，透光部分301可以是石英玻璃，遮光部分可以是铬(Cr)膜。
可选地，上述外围预定区域304的选择可通过计算机软件完成。
在一些实施例中，如图3B所示，在确定光罩图形中的缺陷区域后，可以通过专用软件以缺陷区域的边界为起点向缺陷区域外围扩展一定距离，画出外围预定区域的边界线，从而确定外围预定区域304。
需要注意地是，在确定外围预定区域304时，不能将缺陷区域外围的透光部分划分到上述外围预定区域304中，以避免造成对光罩透光部分的遮挡。也就是说，上述一定距离选取时，其最大取值不能超过缺陷区域边界到该缺陷区域周围的遮光部分边界的距离。
在一个具体实施方式中，可以通过专用计算机图像处理软件对光罩拍照后得到的光罩图像进行处理，在该光罩图像中的缺陷区域的边界向缺陷区域外围扩展一定距离，该一定距离可以像素(pixel)为单位，例如10pixels，30pixels，60pixels等，具体需要根据要修复的光罩图形的大小做适当调整。
在步骤S203，在外围预定区域304沉积阻剂形成阻挡层305。
如图3C所示，经过步骤S203后的光罩包括透光部分301、遮光部分302、缺陷区域303和阻挡层305。其中，阻剂可以是形成不透光层，并对蚀刻气体不发生直接反应的物质，例如，Cr，氧化铬(CrO2)，硅化钼(MoSi)，含氮硅化锆(ZrSiN)或含氮硅化钼(MoSiN)等。
在一个具体实施方式中，为了防止将阻挡层沉积到缺陷区域中，可以通过用E-Beam或镓(Ga)聚焦离子束扫描外围预定区域，在E-Beam或Ga聚焦离子束扫描的区域沉积阻剂，E-Beam或Ga聚焦离子束不扫描的地方不会沉积阻剂。
步骤S204，对缺陷区域303进行修复。
如图3D所示，经过步骤S204后的光罩包括透光部分301、遮光部分302和阻挡层305。
在一些实施例中，可通过定量蚀刻方式去除缺陷区域303中的遮挡物质。
本发明实施例提出的上述光罩修复方法，首先确定光罩中的缺陷区域，而后在光罩上选择该缺陷区域的外围预定区域，并在该外围预定区域沉积一层阻挡层，最后对缺陷区域进行修复，从而完成对先进材料如Mosi-binary类型(比如OMOG)的光罩的有效修复，同时阻挡层可补偿在缺陷区域修复时的不确定性，由于只需要确定缺陷区域、在缺陷区域外围形成阻挡层、蚀刻缺陷等过程，与现有光罩修复方法相比周期短，修复效果更好，可有效提升修复效率。
图4为根据本发明另一个实施例的光罩修复方法的流程示意图。图5A至图5E为根据该实施例的光罩修复方法中各制作阶段的截面图和俯视图。下面结合图4、图5A-5E进行说明。
如图4所示，在步骤S401，识别光罩中的透光部分501和遮光部分502，得到光罩的图形。
如图5A所示，经过步骤S401后的光罩包括透光部分501、遮光部分502。其中，透光部分501可以是石英玻璃，遮光部分502可以是Cr膜。
在步骤S402，将光罩的图形与参考图形进行对比，将光罩的图形中与参考图形不一致的区域确定为缺陷区域503。
如图5B所示，经过步骤S402后的光罩包括透光部分501、遮光部分502、缺陷区域503。
在一些实施例中，可以通过专用照相机对光罩进行超高清拍照，然后通过专用计算机图像识别软件识别光罩中的遮光部分和透光部分，从而得到光罩的图形，然后通过专用软件将光罩图形与参考图形进行逐像素点扫描对比，将光罩图形与参考图形不一致的区域确定为缺陷区域。
在一个具体示例中，由于缺陷区域的图形可能不规则，为了方便后续修复，可以以缺陷区域的大概中心为圆心，以圆心到缺陷区域的边界的最大距离为半径画圆，并将该圆形区域作为需要修复的缺陷区域。
在另一个具体示例中，可以将缺陷区域的大概中心作为一个长方形的中心，分别以该长方形的中心到缺陷区域的水平和垂直方向缺陷区域边界的最大距离作为长方形长和宽的一半，在光罩图形上画出该长方形，并将该长方形区域作为需要修复的缺陷区域。
在步骤S403，在缺陷区域503的外围画出外围预定区域的边界线，确定外围预定区域504。
如图5C所示，经过步骤S403后的光罩包括透光部分501、遮光部分502、缺陷区域503以及外围预定区域504。
其中，上述外围预定区域仅覆盖光罩中的遮光部分。
在一些实施例中，如图5C所示，在确定光罩图形中的缺陷区域后，可以通过专用软件以缺陷区域的边界为起点向需要修复的缺陷区域的边界向外围扩展一定距离，画出外围预定区域的边界线，从而确定外围预定区域504。
在步骤S404，在上述外围预定区域504沉积阻剂形成阻挡层505。
如图5D所示，经过步骤S404后的光罩包括透光部分501、遮光部分502、缺陷区域503以及阻挡层505。
在步骤S405，对缺陷区域503进行定量蚀刻，去除缺陷区域503中的遮光部分。
如图5E所示，经过步骤S405后的光罩包括透光部分501、遮光部分502和阻挡层505。
本发明实施例提出的上述光罩修复方法，阻挡层可用来提高蚀刻选择比，减弱在对缺陷区域进行修复时过蚀刻的影响；另外，如图5E所示由于先形成不透光阻挡层，这样可以在对缺陷区域定量蚀刻时可以补偿蚀刻后的不确定性，同时，由于只需要确定缺陷区域、在缺陷区域外围形成阻挡层、蚀刻缺陷等过程，与现有光罩修复方法相比周期短，修复效果更好，可有效提升修复效率。
图6和图7是本发明实施例提出的上述光罩修复方法修复过程的光罩实物图，由图6和图7可以看出，对光罩的缺陷区域，特别对先进材料如Mosi-binary类型(比如OMOG)的光罩能够有效修复，同时阻挡层可补偿在蚀刻过程中的不确定性，能够达到很好的修复效果。
本发明的描述是为了示例和描述的目的而给出的，而并不是无遗漏的描述本发明的实施例或者将本发明限于所公开的形式。应理解，本公开的实施例的特征可以根据需要自由组合。本领域的普通技术人员还将明了，可以对这里所示出并说明的实施例作出很多的修改和变化，而不脱离如权利要求所限定的本发明的精神和范围。选择和描述实施例是为了更好说明本发明的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本发明从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
Claims (9)
1.一种光罩修复方法，其特征在于，包括：
确定光罩中的缺陷区域；
在所述光罩上选择所述缺陷区域的外围预定区域，并在所述外围预定区域沉积一层阻挡层；
对所述缺陷区域进行修复。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定光罩的缺陷区域包括：
识别所述光罩中的遮光部分和透光部分，得到所述光罩的图形；
将所述光罩的图形与参考图形进行对比，将所述光罩的图形中与所述参考图形不一致的区域确定为所述缺陷区域。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述光罩上选择所述缺陷区域的外围预定区域包括：
在所述缺陷区域的外围画出所述外围预定区域的边界线，以确定所述外围预定区域；其中，所述外围预定区域仅覆盖所述光罩中的遮光部分。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述外围预定区域沉积一层阻挡层包括：
用电子束E-Beam或镓Ga聚焦离子束扫描所述外围预定区域，在所述E-Beam或Ga聚焦离子束扫描的区域沉积所述阻挡层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层包括铬Cr，氧化铬CrO2，硅化钼MoSi，含氮硅化锆ZrSiN或含氮硅化钼MoSiN。
6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，对所述缺陷区域进行修复包括：
对所述缺陷区域进行蚀刻，去除所述缺陷区域中的遮光部分。
7.一种通过权利要求1至6任一所述的光罩修复方法获得的光罩。
8.一种光罩，包括透光部分和遮光部分，其特征在于，还包括：
阻挡层，位于所述遮光部分的部分区域上。
9.根据权利要求8所述的光罩，其特征在于，所述阻挡层包括铬Cr，氧化铬CrO2，硅化钼MoSi，含氮硅化锆ZrSiN或含氮硅化钼MoSiN。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510648122.6A CN106569387B (zh) | 2015-10-09 | 2015-10-09 | 光罩及其修复方法 |
| US15/263,299 US10073338B2 (en) | 2015-10-09 | 2016-09-12 | Method for repairing mask defects |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510648122.6A CN106569387B (zh) | 2015-10-09 | 2015-10-09 | 光罩及其修复方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106569387A true CN106569387A (zh) | 2017-04-19 |
| CN106569387B CN106569387B (zh) | 2021-03-23 |
Family
ID=58499985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510648122.6A Active CN106569387B (zh) | 2015-10-09 | 2015-10-09 | 光罩及其修复方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10073338B2 (zh) |
| CN (1) | CN106569387B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107315317A (zh) * | 2017-07-11 | 2017-11-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 光罩修补装置、光罩修补方法及光罩修补液 |
| CN108231793A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 对导电膜层进行构图的方法、显示基板及制作方法、显示装置 |
| CN110488568A (zh) * | 2018-05-14 | 2019-11-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种光罩的缺陷修复方法及光罩 |
| CN113345328A (zh) * | 2021-05-28 | 2021-09-03 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板Mura修补方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9875536B2 (en) * | 2015-03-31 | 2018-01-23 | Kla-Tencor Corp. | Sub-pixel and sub-resolution localization of defects on patterned wafers |
| CN112394613A (zh) * | 2019-08-14 | 2021-02-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种掩膜板缺陷的修复方法 |
| CN113848679A (zh) * | 2021-09-18 | 2021-12-28 | 泉意光罩光电科技(济南)有限公司 | 相位移光罩的修补方法、修补装置以及相位移光罩 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS649459A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Sanyo Electric Co | Method for correcting white defect of photomask |
| US5799104A (en) * | 1995-08-22 | 1998-08-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask defect repair system and method |
| US6329106B1 (en) * | 1999-04-27 | 2001-12-11 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Repair method for phase shift mask in semiconductor device |
| US20020024011A1 (en) * | 2000-08-30 | 2002-02-28 | Nikon Corporation | Method for correcting opaque defects in reticles for charged-particle-beam microlithography, and reticles produced using same |
| US20060093925A1 (en) * | 2004-11-04 | 2006-05-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for repairing opaque defects in photolithography masks |
| CN1770008A (zh) * | 2004-11-03 | 2006-05-10 | 国际商业机器公司 | 修正光刻掩膜中缺陷的方法和装置 |
| CN101211108A (zh) * | 2006-12-29 | 2008-07-02 | 海力士半导体有限公司 | 用于修复光掩模的桥接的方法 |
| CN101609252A (zh) * | 2008-06-17 | 2009-12-23 | 东捷科技股份有限公司 | 图案修补方法 |
| CN102053480A (zh) * | 2009-11-10 | 2011-05-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种掩膜版缺陷修复方法 |
| CN102236248A (zh) * | 2010-04-20 | 2011-11-09 | 株式会社Cowindst | 用于修复半色调掩模的方法和系统 |
| CN102593048A (zh) * | 2012-02-28 | 2012-07-18 | 上海华力微电子有限公司 | 一种铝线腐蚀缺陷的处理方法 |
| CN102736405A (zh) * | 2012-06-15 | 2012-10-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种光罩及其修正方法 |
| CN103777463A (zh) * | 2012-10-25 | 2014-05-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种掩膜版修复方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3848006B2 (ja) * | 1999-03-15 | 2006-11-22 | 株式会社東芝 | マスク欠陥修正方法 |
| JP2007298856A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Sii Nanotechnology Inc | 半導体マスク修正装置及び半導体マスク修正方法 |
-
2015
- 2015-10-09 CN CN201510648122.6A patent/CN106569387B/zh active Active
-
2016
- 2016-09-12 US US15/263,299 patent/US10073338B2/en active Active
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS649459A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Sanyo Electric Co | Method for correcting white defect of photomask |
| US5799104A (en) * | 1995-08-22 | 1998-08-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask defect repair system and method |
| US6329106B1 (en) * | 1999-04-27 | 2001-12-11 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Repair method for phase shift mask in semiconductor device |
| KR100548535B1 (ko) * | 1999-04-27 | 2006-02-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 위상 반전 마스크의 리페어 방법 |
| US20020024011A1 (en) * | 2000-08-30 | 2002-02-28 | Nikon Corporation | Method for correcting opaque defects in reticles for charged-particle-beam microlithography, and reticles produced using same |
| CN1770008A (zh) * | 2004-11-03 | 2006-05-10 | 国际商业机器公司 | 修正光刻掩膜中缺陷的方法和装置 |
| US20060093925A1 (en) * | 2004-11-04 | 2006-05-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for repairing opaque defects in photolithography masks |
| CN101211108A (zh) * | 2006-12-29 | 2008-07-02 | 海力士半导体有限公司 | 用于修复光掩模的桥接的方法 |
| CN101609252A (zh) * | 2008-06-17 | 2009-12-23 | 东捷科技股份有限公司 | 图案修补方法 |
| CN102053480A (zh) * | 2009-11-10 | 2011-05-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种掩膜版缺陷修复方法 |
| CN102236248A (zh) * | 2010-04-20 | 2011-11-09 | 株式会社Cowindst | 用于修复半色调掩模的方法和系统 |
| CN102593048A (zh) * | 2012-02-28 | 2012-07-18 | 上海华力微电子有限公司 | 一种铝线腐蚀缺陷的处理方法 |
| CN102736405A (zh) * | 2012-06-15 | 2012-10-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种光罩及其修正方法 |
| CN103777463A (zh) * | 2012-10-25 | 2014-05-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种掩膜版修复方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107315317A (zh) * | 2017-07-11 | 2017-11-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 光罩修补装置、光罩修补方法及光罩修补液 |
| CN108231793A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 对导电膜层进行构图的方法、显示基板及制作方法、显示装置 |
| CN110488568A (zh) * | 2018-05-14 | 2019-11-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种光罩的缺陷修复方法及光罩 |
| CN110488568B (zh) * | 2018-05-14 | 2023-12-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种光罩的缺陷修复方法及光罩 |
| CN113345328A (zh) * | 2021-05-28 | 2021-09-03 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板Mura修补方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20170102609A1 (en) | 2017-04-13 |
| CN106569387B (zh) | 2021-03-23 |
| US10073338B2 (en) | 2018-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106569387A (zh) | 光罩及其修复方法 | |
| US8423918B2 (en) | Structure and methodology for fabrication and inspection of photomasks by a single design system | |
| TWI378318B (en) | Method of correcting a defect in a gray tone mask, method of manufacturing a gray tone mask, gray tone mask, and method of transferring a pattern | |
| CN109491193A (zh) | 光掩模及其修正方法、制造方法、显示装置的制造方法 | |
| CN101393387B (zh) | 掩膜板及其制造方法 | |
| US11953448B2 (en) | Method for defect inspection | |
| TW201537285A (zh) | 光罩之製造方法、光罩及顯示裝置之製造方法 | |
| CN110727170A (zh) | 一种光罩的缺陷修复方法及光罩 | |
| JP2000010260A (ja) | マスク修正装置の黒欠陥修正方法 | |
| KR100363090B1 (ko) | 개구부용 포토마스크의 불투명 결함 수리 방법 | |
| JP5630592B1 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JP5644973B1 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JP2004287321A (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法 | |
| KR20000003722A (ko) | 포토마스크의 결함 수리 방법 | |
| JP2010282007A (ja) | マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び露光用マスクの製造方法 | |
| US9910350B2 (en) | Method for repairing a mask | |
| KR100314128B1 (ko) | 포토마스크의 결함 수정방법 | |
| KR20090074554A (ko) | 포토마스크의 결함 수정 방법 | |
| JP4388045B2 (ja) | パターン検査方法 | |
| CN106292177B (zh) | 掩模版的修正方法 | |
| JPH1090873A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP2007333783A (ja) | 露光用マスクの検査装置、検査方法、製造方法および露光用マスク | |
| JP2001143996A (ja) | 描画パターン検証方法 | |
| JP3070870B2 (ja) | マスク修正方法 | |
| JP3357206B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |