CN106292177B - 掩模版的修正方法 - Google Patents
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Abstract
一种掩模版的修正方法，包括：提供掩模版，在透光板露出的上表面形成有凸起；在掩模版上形成扫描阻挡层；定位凸起，扫描阻挡层在定位凸起的过程中保护透光板免遭损伤；聚焦且去除凸起及其上的扫描阻挡层；去除剩余的扫描阻挡层。本技术方案中，扫描阻挡层能够保护透光板免遭损伤，透光板在各个位置的厚度分布保持一致性，不存在差异，消除了布局图案中的瑕疵缺陷，对掩模版实现了有效修正。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种掩模版的修正方法。
背景技术
在光刻过程中，掩模版上的布局图案通过曝光工艺能够被复制到半导体衬底上的光刻胶层中。
现有掩模版的制作方法包括：
参照图1，在透光板1上涂布铬膜2，铬膜2为非透光膜，透光板1和铬膜2组成基板，接着，在铬膜2上形成光刻胶层3；
参照图2，以掩模版布局软件控制光学直写、电子束直写或扫描电镜(SEM，ScanElectron Microscopy)直写等曝光方法，对光刻胶层3进行曝光以写入出布局图案，之后经过显影程序后，在光刻胶层3中形成布局图案；
参照图3，以图案化后的光刻胶层3(参照图2)为掩模，刻蚀铬膜2至露出透光板1，在铬膜2中形成布局图案。之后去除光刻胶层。
通常，在形成掩模版过程中，不可避免地会在透光板1上表面形成灰尘微粒、铬膜残留等凸起10，凸起10相对于布局图案为瑕疵。在应用该掩模版的曝光工艺中，凸起10会阻挡曝光光线进入透光板1，造成曝光不充分，凸起10的图案会被复制到光刻胶中，曝光后的布局图案与预设图案相比较存在瑕疵。因此在形成掩模版后，会使用聚焦粒子束设备(Focused Ion beam,FIB)对掩模版进行修正，以轰击去除透光板1上表面的凸起10。
但是，修正后的透光板1出现厚度分布差异的问题。
发明内容
本发明解决的问题是，使用现有技术制造及修正的掩模版，透光板出现了厚度分布差异的问题。
为解决上述问题，本发明提供一种掩模版的修正方法，该修正方法包括：
提供掩模版，所述掩模版包括透光板和位于所述透光板上的图案化的非透光膜；
对所述透光板露出的上表面进行瑕疵检测，获知在所述透光板露出的上表面形成有凸起，所述凸起对于非透光膜中的布局图案为瑕疵；
在所述透光板、非透光膜和凸起上形成扫描阻挡层；
定位所述凸起并聚焦去除所述凸起及其上的扫描阻挡层，在定位所述凸起的过程中，所述扫描阻挡层遭到轰击以保护所述透光板免遭轰击；
在去除所述凸起后，去除剩余的扫描阻挡层。
可选地，所述扫描阻挡层的材料为Al2O3。
可选地，所述扫描阻挡层的形成方法包括：
在所述透光板、非透光膜和凸起上沉积Al，在沉积Al的过程中或者在沉积Al之后，对Al进行氧化处理，形成Al2O3。
可选地，所述扫描阻挡层的厚度范围为500埃～5000埃。
可选地，使用湿法刻蚀去除剩余的扫描阻挡层。
可选地，在所述湿法刻蚀过程中，使用的刻蚀剂为纯氨水溶液。
可选地，所述瑕疵检测的方法包括：
使用激光扫描所述透光板的上表面及其上的非透光膜，获取所述激光的反射光光强分布图像；
所述反射光光强分布图像具有对应所述布局图案的第一光强图像和第二光强图像，所述第二光强图像对应所述凸起；
获取所述第二光强图像在掩模版上对应的扫描区域；
之后，在所述扫描区域中定位所述凸起。
可选地，使用聚焦离子束扫描所述掩模版以定位所述凸起，并聚焦去除所述凸起及其上的扫描阻挡层。
可选地，所述聚焦离子束为镓离子束。
本发明还提供另一种掩模版的修正方法，该修正方法包括：
提供掩模版，所述掩模版包括透光板和位于所述透光板上的图案化的非透光膜；
对所述透光板露出的上表面进行瑕疵检测，获知在所述透光板露出的上表面中形成有凹陷，所述凹陷对于非透光膜中的布局图案为瑕疵；
在所述透光板和非透光膜上及凹陷内壁形成扫描阻挡层；
定位且聚焦所述凹陷以去除所述凹陷内的扫描阻挡层，并在所述凹陷内填充透明材料，所述透明材料的上表面和透光板的上表面持平，在定位所述凹陷的过程中，所述扫描阻挡层遭到轰击以保护所述透光板免遭轰击；
在所述凹陷内填充透明材料后，去除剩余的扫描阻挡层。
可选地，所述扫描阻挡层的材料为Al2O3。
可选地，所述扫描阻挡层的形成方法包括：
在所述透光板、非透光膜上和凹槽内壁沉积Al，在沉积Al的过程中或者在沉积Al之后，对Al进行氧化处理，形成Al2O3。
可选地，使用刻蚀工艺去除剩余的扫描阻挡层。
可选地，所述刻蚀工艺为湿法刻蚀。
可选地，在所述湿法刻蚀过程中，使用的刻蚀剂为纯氨水溶液。
可选地，所述瑕疵检测的方法包括：
使用激光扫描所述透光板的上表面及其上的非透光膜，获取所述激光的反射光光强分布图像；
所述反射光光强分布图像具有对应所述布局图案的第一光强图像和第二光强图像，所述第二光强图像对应所述凹陷；
获取所述第二光强图像在掩模版上对应的扫描区域；
之后，在所述扫描区域中定位所述凹陷
可选地，使用聚焦离子束扫描所述掩模版以定位所述凹陷、和聚焦去除所述凹陷内的扫描阻挡层。
可选地，所述聚焦离子束为镓离子束。
可选地，所述透明材料与透光板的材料为同一种材料。
可选地，使用聚焦离子束聚焦所述凹陷且在所述凹陷内沉积透明材料。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
在定位所述凸起之前，在透光板、非透光膜及凸起上形成扫描阻挡层，扫描阻挡层在定位凸起的过程中，先于透光板遭到轰击而避免了透光板遭受轰击损伤免遭损伤，在去除所述凸起及剩余扫描阻挡层后，未被非透光膜覆盖的透光板在各个位置的厚度分布保持一致性，不存在厚度差异，对掩模版布局图案进行有效修正，消除瑕疵。
进一步地，当在透光板的上表面中形成有凹陷时，在定位凹陷之前，先形成扫描阻挡层，扫描阻挡层在定位凹陷的过程中能够保护透光板免遭轰击损伤，未被非透光膜覆盖的透光板在各个位置的厚度分布保持一致性，不存在厚度差异，解决布局图案出现缺陷的问题。
附图说明
图1～图4是现有技术的掩模版在形成过程各个阶段的剖面结构示意图；
图5～图9是本发明具体实施例的掩模版在形成过程各个阶段的剖面结构示意图；
图10～图14是本发明第一实施例的掩模版修正过程中各个阶段的示意图，其中图11是对图10进行激光扫描后得到的反射光光强分布图像；
图15～图19是本发明第二实施例的掩模版修正过程中各个阶段的示意图。
具体实施方式
针对现有技术存在的问题，发明人进行了分析并发现，使用聚焦粒子束系统对掩模版上的布局图案进行修正的过程包括：
首先，参照图3和图4，使用聚焦离子束对掩模版进行扫描，包括对透光板1的上表面和非透光膜进行扫描，以定位凸起10，获取凸起10的具体位置；
待定位凸起10后，使用聚焦离子束聚焦并轰击去除凸起10。
在扫描过程中，聚焦离子束会轰击裸露的透光板1，对透光板1露出的上表面及铬膜2上表面造成物理损伤(请参照图4中虚线区域B)。当去除凸起10后，凸起10下的透光板部分(参照图4的区域A)的厚度不变，但凸起10之外未覆盖非透光膜的透光板部分(请参照图4的区域B)的厚度减小，导致透光板1中区域A和区域B的厚度分布存在差异。由于区域A和区域B共同定义了布局图案，在使用本掩模版的曝光过程，曝光光线在区域A和区域B中穿行的距离不同，导致曝光光线穿过透光板1后的光强存在差异，这会造成光刻胶对应区域A的区域曝光不充分、或造成光刻胶对应区域B的区域过曝光的问题，导致光刻胶中的布局图案存在缺陷。
对此，发明人提出了一种新的掩模版的修正方法，确保在对透光板的上表面的凸起进行修正的过程中不会损伤到透光板。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
第一实施例
参照图5，提供基板100，基板100包括透光板11和位于透光板11上的非透光膜12。
其中，透光板11允许曝光光线穿过，一般选择透明的石英玻璃，透光板11的尺寸可根据待形成的芯片来选择。非透光膜12用于形成布局图案，该布局图案可以是半导体器件图案或对准标记图案等。非透光膜12的材料通常选择铬等金属，能够提供较强强度。作为选择例，还会在非透光膜上形成遮光层，该遮光层能够起到增强非透光膜阻挡曝光光线的作用，遮光层可选择氧化铬等抗反射材料。
在光刻过程中，透光板11而非透光膜12能够起到阻挡曝光光线的作用，这样穿过透光板11的曝光光线对光刻胶进行曝光，以将布局图案复制到光刻胶中。
继续参照图5，在非透光膜12上形成光刻胶层13，光刻胶层13的厚度由非透光膜12的特性和后续刻蚀的厚度来决定。
具体地，使用旋涂工艺形成光刻胶层13。除此之外，也可使用现有的其他方法形成光刻胶层。除光刻胶层外，还可选择其他硬掩模材料制成的掩模层，如TiN。
接着，对光刻胶层13进行图形化，在光刻胶层13中定义出布局图案。具体地，在光刻胶层13中写入布局图案的方法包括：
首先，参照图6，在光刻胶层13中写入布局图案，写入布局图案的方式可以是：光学直写、投影式电子束直写或扫描电镜直写。
以投影式电子束直写为例，将电子束聚焦成形后打在光刻胶层13中，此时光刻胶层13为电子束光刻胶，遭到电子束轰击的光刻胶层部分(请参照阴影C)变性，与未遭到电子束轰击的光刻胶层相比，物质属性发生改变。使用这种方式，变性的光刻胶部分和未变性的光刻胶层部分共同定义了中绘制布局图案，实现在光刻胶层13中绘制布局图案。光学直写和扫描电镜直写的原理也是改变光刻胶层的物质属性，具体工艺为本领域技术人员所熟知的技术手段，在此不再赘述。
之后，结合参照图7，在光刻胶层13中写入布局图案后，对光刻胶层13进行显影或刻蚀以去除物质属性发生改变的光刻胶层部分(参照图6中阴影部分C)，形成图形化的光刻胶层130，布局图案复制到图形化的光刻胶层130中。
在显影过程中，属性发生改变的光刻胶层部分(参照图6中阴影部分C)被显影液腐蚀掉。在刻蚀过程中，属性发生改变的光刻胶层部分相比其他光刻胶层部分的刻蚀选择比发生改变，刻蚀剂将属性发生改变的光刻胶层部分刻蚀掉，而属性未发生改变的光刻胶层部分被保留并对应布局图案。
参照图8，以图形化的光刻胶层130为掩模，刻蚀非透光膜12，布局图案转移到非透光膜12中；
参照图9，去除图形化的光刻胶层130(参照图8)，具体可使用灰化工艺去除图形化的光刻胶层，至此形成掩模版，该掩模版包括透光板11及位于透光板11上的图案化的非透光膜12。
刻蚀非透光膜12的工艺可以选择干法刻蚀或湿法刻蚀。考虑到在刻蚀非透光膜12的过程会产生残留物质，如化学反应生成物、污染物等。因此，在刻蚀非透光膜12后，需要清洗刻蚀过程中产生的残留物质，避免透光板11表面、剩余非透光膜12表面附着残留物质。清洗过程中使用的清洗剂为超纯水，在清洗过程中，是将整个掩模版浸润在清洗剂中，这样在清洗后，掩模版表面会残留有清洗剂。因此，在清洗后，对掩模版进行甩干处理以去除清洗剂。
本实施例介绍了使用光刻工艺在非透光膜12中形成布局图案的工艺。作为变形例，还可以是：
直接使用聚焦离子束轰击非透光膜，遭到轰击的非透光膜部分被直接去除以形成布局图案，未遭轰击的非透光膜部分则保留以作为非透光图案。在非透光膜遭轰击后，剩余非透光膜表面也会附着杂质，需要后续清洗和甩干步骤。
在形成上述掩模版的过程中，参照图9，操作环境以及操作人员携带的灰尘微粒或者非透光膜12上掉落的残渣等颗粒，可能残留在透光板11上表面形成凸起110。如果该凸起110不被去除，在应用该掩模版的光刻工艺中，由于凸起110对曝光光线形成阻挡，会造成对应的光刻胶部分曝光不充分，在显影后光刻胶布局图案的不符合预期，凸起110的图案会被复制到布局图案中，形成图案瑕疵，该图案瑕疵会进一步影响后续工艺进程或器件性能。
因此，在形成掩模版后，会继续对掩模版进行修正，以消除掩模版中布局图案的瑕疵。
参照图10，对掩模版进行激光扫描，包括对整个透光板11上表面及其上的非透光膜12进行激光扫描，获取激光的反射光光强分布图像。
结合参照图11，反射光光强分布图像包括由透光光强图像E和遮光光强图像F组成的第一光强图像，以及第二光强图像G，其中第一光强图像对应布局图案。其中，透光光强图像E为黑色，对应上表面露出的透光板部分，在激光扫描过程中，上表面露出的透光板11允许激光穿过，因此没有反射光射出，反射光光强最弱，反映到反射光光强分布图像中图像E最暗，呈黑色。遮光光强图像F为白色，对应非透光膜12，非透光膜12会将激光反射回去，反射光光强最强，反映到反射光光强分布图像中图像F最亮，为白色。第二光强图像G呈灰色，对应凸起110，凸起110也会对激光形成反射，因此在第一光强图像之中还形成了第二光强图像G，第二光强图像G掺杂在第一光强图像中。
结合参照图10和图11，由于凸起110的尺寸，如体积、厚度等非常小，远小于非透光膜12，因此第二光强图像G的面积小于遮光光强图像F的面积。通常凸起110具有不规则形状，会对激光形成散射，使得第二光强图像G形状不同于凸起110在透光板的上表面的投影，且第二光强图像G的面积会大于凸起110在透光板的上表面的投影面积。另外，凸起110与非透光膜12相比，形状、材料等属性存在差异，反映到光强图像中，第二光强图像G的亮度相比于透光光强图像E和遮光光强图像F的亮度，也会不同，介于最亮与最暗之间。
需要说明的是，作为变形例，如果在激光扫描后获得的反射光光强分布图像中，未发现有第二光强图像这一掺杂图像，则证明在透光板的上表面未形成有凸起这一瑕疵。因此，从反射光光强分布图像中可以检测出透光板11上表面是否存在凸起110。在检测到存在凸起110后，获取第二光强图像G在掩模版上对应的扫描区域。之后，对该扫描区域进行聚焦离子束扫描以准确定位凸起110，获取凸起110的具体位置。
在定位凸起110之前，参照图12，在掩模版上形成扫描阻挡层20，扫描阻挡层20覆盖透光板11、非透光膜12和凸起110，扫描阻挡层20能够在对扫描区域进行扫描的过程中阻挡聚焦离子束轰击透光板11露出的上表面。
扫描阻挡层20的材料选择Al2O3，其形成方法包括：
使用物理气相沉积或化学气相沉积工艺，在透光板11和非透光膜12及凸起110上形成Al，在沉积Al的过程中或在沉积Al之后，对Al进行氧化处理，形成Al2O3。设定扫描阻挡层20的厚度范围为500埃～5000埃，可以确保扫描阻挡层20在定位凸起110过程中对聚焦离子束形成有效阻挡，且能够很容易被去除。
如果扫描阻挡层20较薄，覆盖透光板11上表面的扫描阻挡层可能会在聚焦子离子束扫描过程中过早被去除掉，而不能起到较好的阻挡作用。如果扫描阻挡层20较厚，在聚焦离子束扫描过程中，凸起110上表面的扫描阻挡层需要很长时间去除，且透光板11及非透光膜12上的扫描阻挡层也需要花费较长时间来去除，不仅增加时间成本，生产效率下降，还会增加产品成本。因此，根据需要合理确定扫描阻挡层20的厚度。
除Al2O3外，扫描阻挡层20还可选择其他可行材料。扫描阻挡层20的材料需确保：能够较容易被去除且不会引入其他污染物，而且在最后刻蚀去除扫描阻挡层时，扫描阻挡层相比于透光板和非透光膜具有高刻蚀选择比，避免透光板和非透光膜遭到损伤。
之后，继续参照图12，使用聚焦离子束扫描掩模版上的扫描区域，以获取凸起110的具体位置，在该过程中，聚焦离子束照射到扫描阻挡层20上，扫描阻挡层20能够阻挡聚焦离子束损伤透光板11。在扫描定位过程中，扫描阻挡层20能够确保透光板11上表面免遭损伤，未覆盖有非透光膜12的透光板部分的厚度分布不存在差异，厚度分布一致。
在聚焦离子束扫描过程，聚焦离子束系统能够利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸，再打到扫描阻挡层20。聚焦离子束系统包括电子显微镜、金属离子源、电透镜、扫描电极、二次粒子侦测器、电子控制面板等设备，金属离子源是聚焦离子束系统的核心，常用的金属离子源为液相金属离子源，如镓金属。聚焦离子束系统的工作原理为：外加电场(Suppressor)于液相金属离子源，可使液态金属形成细小尖端，再加上负电场(Extractor)牵引尖端的金属，而导出金属离子束；在一般工作电压下，以电透镜对导出的金属离子束进行聚焦，通过经过一连串变化孔径(Automatic Variable Aperture,AVA)来调整离子束的大小，再经过二次聚焦至扫描阻挡层20的上表面。扫描阻挡层20上表面受金属离子聚焦撞击而激发出二次电子和二次离子，接收该二次电子和二次离子并进行处理转化为数字图像，二次电子和二次离子携带了扫描阻挡层20的表面信息。
聚焦离子束系统还配备有自动定位导航系统或影像重叠定位装置，将该数字图像传送到自动定位系统，通过自动定位系统，电子显微镜能准确定位凸起110；或者，在影像重叠定位装置中，将获得的数字图像与预设图像进行重叠比对，也能准确定位凸起110的位置。
在聚焦离子束扫描定位过程中，可根据需要调整变化孔径的大小控制离子束大小，及调整工作电压大小以控制离子束能量。
参照图13，在定位凸起110(参照图12)后，紧接着聚焦且轰击去除凸起110及其上的扫描阻挡层至露出透光板11上表面。
相比于扫描定位进程，聚焦去除凸起110过程中聚焦离子束的能量较高，这样高能离子束能够对凸起110及其上的扫描阻挡层形成强力轰击，达到去除目的。聚焦离子束能够实现定点、精确聚焦且去除凸起110，同时不会损伤到周围的扫描阻挡层。
本实施例中，聚焦离子束可选择镓离子或其他可行的金属离子。另外，作为变形例，还可以选择聚焦离子束以外的其他替代方式对掩模版进行扫描定位及聚焦去除凸起。
参照图14，刻蚀去除剩余的扫描阻挡层20(参照图13)。
具体地，使用纯氨水溶液作为刻蚀剂，湿法刻蚀去除剩余的扫描阻挡层20，反应机理为：Al2O3+2NH3·H2O→2NH4AlO2+H2O，其中NH4AlO2易溶于水，能够在刻蚀后随水被排出。在该过程中，对于NH3·H2O，非透光膜12和透光板11相比于Al2O3具有较低刻蚀选择比，非透光膜12和透光板11基本不会遭到损伤。
作为变形例，当扫描阻挡层选择其他材料时，可根据所选材料确定刻蚀剂的类型。作为另一种变形例，还可以选择干法刻蚀工艺来去除剩余的扫描阻挡层，具体地，可根据扫描阻挡层及透光板和非透光膜的材料选择合适的刻蚀气体，确保在同一刻蚀条件下，扫描阻挡层的刻蚀选择比高于透光板和非透光膜的刻蚀选择比，保证扫描阻挡层可以被有效去除，且不会损伤到透光板和非透光膜。
经过以上修正步骤，去除了透光板11上表面的凸起，且透光板11未遭到损伤，能够保证透光板11的厚度一致性，尤其是未被非透光膜12覆盖的透光板部分的厚度一致性，消除了布局图案中的瑕疵缺陷。在应用该掩模版的光刻工艺中，在对应布局图案的光刻胶部分的曝光量均等，不存在差异，光刻胶中的布局图案不存在缺陷。
第二实施例
与第一实施例相比，第二实施例的不同之处在于：
参照图15，在透光板11上表面中形成有凹陷111，凹陷111相对于布局图案为瑕疵。对透光板11露出的上表面进行瑕疵检测的方法包括：
首先，使用激光扫描透光板11上表面及其上的非透光膜120，获取激光的反射光光强分布图像。
接着，反射光光强分布图像具有对应布局图案的第一光强图像和第二光强图像，第二光强图像对应凹陷111。由于凹陷111低于透光板11上表面，因此激光入射到凹陷111表面时，凹陷111表面会对激光形成散射，造成凹陷111表面的反射光传播方向不同于透光板11上表面的反射光传播方向。这样，在反射光光强分布图像中，对应凹陷111位置的反射光光强图像由于接收不到反射光或反射光减少而造成亮度较暗，相比之下，未形成有凹陷111的透光板对应的透光光强图像亮度较亮。根据图像差异，可检测出凹陷111是否存在，并在检测出凹陷111存在后，根据第二光强图像获取凹陷111在透光板11上的大概区域，该大概区域为扫描区域。
凹陷111相比于非透光膜120中的布局图案也为瑕疵，造成上表面露出的透光板区域的厚度分布呈现差异性。在应用掩模版，将布局图案经曝光工艺转移至光刻胶中时，凹陷111会对进入透光板11中的曝光光线形成散射，造成从凹陷111位置的透光板中射出的曝光光线偏离预设路线，导致转移至光刻胶中的布局图案与预期图案存在缺陷。
因此，需要对非透光膜120中的布局图案进行修复。
参照图16，在透光板11和非透光膜120上及凹陷111内壁形成扫描阻挡层200，凹陷111内的扫描阻挡层上表面低于透光板11上表面，扫描阻挡层200可选择Al2O3。
扫描阻挡层200的形成方法包括：在透光板11、非透光膜120上和凹槽111内壁沉积Al，在沉积Al的过程中或者在沉积Al之后，对Al进行氧化处理，形成Al2O3。
在本实施例中，扫描阻挡层200的厚度范围为500埃～5000埃。
参照图17，使用聚焦离子束扫描所述扫描区域，以定位凹陷111；
在定位凹陷111后，聚焦凹陷111并轰击去除凹陷111内的扫描阻挡层部分，露出凹陷111内壁。其中，聚焦离子束可选择镓离子束。
在定位凹陷111的过程中，扫描阻挡层200对聚焦离子束形成阻挡，透光板11上表面不会遭到聚焦离子束轰击，确保透光板11上表面平坦，透光板11在各处的厚度分布具有一致性，保证掩模版品质较佳。如果未形成有扫描阻挡层，聚焦离子束在扫描定位凹陷111的过程中会轰击透光板11曝露的上表面而造成损伤，导致非透光膜120下的透光板与周围的透光板的厚度存在差异，透光板11上表面粗糙度增加，这会导致掩模版失效。
参照图18，在凹陷111(参照图17)内填充透明材料112，透明材料112上表面与透光板11上表面持平。具体地，使用聚焦离子束聚焦凹陷111，聚焦后沉积透明材料112的离子束，至透明材料112上表面与透光板11上表面持平。
透明材料112与透光板11的材料为同一种透明材料，确保同一种光线以同一角度照射到透明材料112上表面和透光板11上表面时，产生相同的反射及折射。
参照图19，去除剩余的扫描阻挡层200(参照图18)。
除与第一实施例的不同之处外，第二实施例中的其他修正步骤及方案可参考第一实施例的相关内容，在此不再赘述。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (16)
1.一种掩模版的修正方法，其特征在于，包括：
提供掩模版，所述掩模版包括透光板和位于所述透光板上的图案化的非透光膜；
对所述透光板露出的上表面进行瑕疵检测，获知在所述透光板露出的上表面形成有凸起，所述凸起对于非透光膜中的布局图案为瑕疵；
在所述透光板、非透光膜和凸起上形成扫描阻挡层；
使用聚焦离子束扫描所述掩模版以定位所述凸起并聚焦去除所述凸起及其上的扫描阻挡层，在定位所述凸起的过程中，所述扫描阻挡层遭到轰击以保护所述透光板免遭轰击；
在去除所述凸起后，去除剩余的扫描阻挡层；
所述瑕疵检测的方法包括：
使用激光扫描所述透光板的上表面及其上的非透光膜，获取所述激光的反射光光强分布图像；
所述反射光光强分布图像包括第一光强图像和第二光强图像，其中，所述第一光强图案对应所述布局图案，所述第二光强图像对应所述凸起；
获取所述第二光强图像在掩模版上对应的扫描区域；
之后，在所述扫描区域中定位所述凸起。
2.如权利要求1所述的掩模版的修正方法，其特征在于，所述扫描阻挡层的材料为Al2O3。
3.如权利要求2所述的掩模版的修正方法，其特征在于，所述扫描阻挡层的形成方法包括：
在所述透光板、非透光膜和凸起上沉积Al，在沉积Al的过程中或者在沉积Al之后，对Al进行氧化处理，形成Al2O3。
4.如权利要求2所述的掩模版的修正方法，其特征在于，所述扫描阻挡层的厚度范围为500埃～5000埃。
5.如权利要求2所述的掩模版的修正方法，其特征在于，使用湿法刻蚀去除剩余的扫描阻挡层。
6.如权利要求5所述的掩模版的修正方法，其特征在于，在所述湿法刻蚀过程中，使用的刻蚀剂为纯氨水溶液。
7.如权利要求1所述的掩模版的修正方法，其特征在于，所述聚焦离子束为镓离子束。
8.一种掩模版的修正方法，其特征在于，包括：
提供掩模版，所述掩模版包括透光板和位于所述透光板上的图案化的非透光膜；
对所述透光板露出的上表面进行瑕疵检测，获知在所述透光板露出的上表面中形成有凹陷，所述凹陷对于非透光膜中的布局图案为瑕疵；
在所述透光板和非透光膜上及凹陷内壁形成扫描阻挡层；
使用聚焦离子束扫描所述掩模版以定位且聚焦所述凹陷以去除所述凹陷内的扫描阻挡层，并在所述凹陷内填充透明材料，所述透明材料的上表面和透光板的上表面持平，在定位所述凹陷的过程中，所述扫描阻挡层遭到轰击以保护所述透光板免遭轰击；
在所述凹陷内填充透明材料后，去除剩余的扫描阻挡层；
所述瑕疵检测的方法包括：
使用激光扫描所述透光板的上表面及其上的非透光膜，获取所述激光的反射光光强分布图像；
所述反射光光强分布图像包括第一光强图像和第二光强图像，其中，所述第一光强图案对应所述布局图案，所述第二光强图像对应所述凹陷；
获取所述第二光强图像在掩模版上对应的扫描区域；
之后，在所述扫描区域中定位所述凹陷。
9.如权利要求8所述的掩模版的修正方法，其特征在于，所述扫描阻挡层的材料为Al2O3。
10.如权利要求9所述的掩模版的修正方法，其特征在于，所述扫描阻挡层的形成方法包括：
在所述透光板、非透光膜上和凹槽内壁沉积Al，在沉积Al的过程中或者在沉积Al之后，对Al进行氧化处理，形成Al2O3。
11.如权利要求9所述的掩模版的修正方法，其特征在于，所述扫描阻挡层的厚度范围为500埃～5000埃。
12.如权利要求9所述的掩模版的修正方法，其特征在于，使用湿法刻蚀工艺去除剩余的扫描阻挡层。
13.如权利要求12所述的掩模版的修正方法，其特征在于，在所述湿法刻蚀过程中，使用的刻蚀剂为纯氨水溶液。
14.如权利要求8所述的掩模版的修正方法，其特征在于，所述聚焦离子束为镓离子束。
15.如权利要求8所述的掩模版的修正方法，其特征在于，所述透明材料与透光板的材料为同一种材料。
16.如权利要求15所述的掩模版的修正方法，其特征在于，使用聚焦离子束聚焦所述凹陷且在所述凹陷内沉积透明材料。
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