JP2010282007A - マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び露光用マスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 板状ガラスをマスクブランク用ガラス基板の形状に加工する1次形状加工工程と、前記ガラス基板の一端面を鏡面研磨し、波長200nm以下の検査光を導入して内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査し、蛍光が検出されないガラス基板を選定する欠陥検査工程と、前記選定されたガラス基板を研削および研磨を行う2次形状加工工程とを有し、前記欠陥検査工程における前記ガラス基板内の内部欠陥から蛍光が発生するのに必要な強度の検査光が届く領域の両主表面間方向の幅は、2次形状加工工程後のガラス基板の両主表面間の厚さよりも大きいことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
を有し、かつ実質的にはほぼ平行な光である。それゆえ、検査光Lは、実際には、端面13と、面取り面13a,13bとを通じて内部に導入されることになる。なお、検査光Lの横幅(端面13及び2つの主表面に平行な方向の幅)も上記上下幅tLと略同等程度の幅を有する。したがって、ガラス基板を端面13及び2つの主表面に平行な方向に移動することによって検査光をガラス基板全体に導入してガラス基板全体を検査している。
ラス基板10内の領域S1,S2を通過することになる。このため、面取り面13a,13bから入射する際に、これらの面で反射や屈折が起こり、これらの面から入射して領域S1,S2を通過する検査光の強度が、端面13から垂直に入射して他の領域を通過する検査光の強度に比較してかなり弱くなるものと考えられる。その結果、領域S1,S2内にある欠陥Ka,Kb等に照射される検査光の強度が十分でなくなり、欠陥から発生する蛍光も十分なものでなくなるものと考えられる。
第1の手段
ガラスインゴットから切り出された板状ガラスを研削し、2つの主表面と4つの端面を有するマスクブランク用ガラス基板の形状に加工する1次形状加工工程と、
前記ガラス基板の少なくとも一端面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、
前記ガラス基板の鏡面研磨された前記一端面から波長200nm以下の検査光を前記ガラス基板内に導入し、前記検査光によって内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査し、蛍光が検出されないガラス基板を選定する欠陥検査工程と、
前記選定されたガラス基板の2つの主表面および4つの端面の研削および研磨を行う2次形状加工工程とを有し、
前記欠陥検査工程における前記ガラス基板内の内部欠陥から蛍光が発生するのに必要な強度の検査光が届く領域の両主表面間方向の幅は、2次形状加工工程後のガラス基板の両主表面間の厚さよりも大きい
ことを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
第2の手段
前記2次形状加工工程後のガラス基板は、2つの主表面と前記4つの端面とが交差する角部に面取り面が形成されていることを特徴とする第1の手段にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
第3の手段
前記欠陥検査工程で検査されるガラス基板は、2つの主表面と前記4つの端面とが交差する角部に面取り面が形成されており、前記端面の両主表面間方向の幅は、前記2次形状加工工程後のガラス基板の両主表面間の厚さよりも大きいことを特徴とする第1または第2の手段のいずれかにかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
第4の手段
第1から第3の手段のいずれかにかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法によって製造されたマスクブランク用ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する工程を備えたことを特徴とするマスクブランクの製造方法。
第5の手段
第4の手段にかかるマスクブランクの製造方法によって製造されたマスクブランクの前記パターン形成用の薄膜に露光用の転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする露光用マスクの製造方法。
査が不十分になる領域を2次形状加工工程で除去されるため、内部欠陥のないマスクブランク用ガラス基板を製造することが可能となる。
a.板状ガラスの研削工程
公知の方法(例えば、特開平8―31723号公報、特開2003―81654号公報等参照)により作成された合成石英ガラスインゴットから、縦寸法及び横寸法が共にa0=152.40mmで、厚さt0=7.28mmの寸法の板状体を切り出して合成石英の板状ガラスを得る(図1(a)参照)。この板状ガラス(ガラス基板10)は、対向する2つの主表面11,12と、この表・裏面に直交する4つの端面13,14,15,16とを有する。この段階では、まだ面取り面は形成されていない。
上記ガラス基板10の主表面11,12と、4つの端面13,14,15,16とが交差する角部に、従来の加工装置を用い、面取り面13a,13b,14a,14b,15a,15b,16a,16bを形成する(図1(b)参照)。この面取り加工後の各面取り面の主表面11,12間方向(両主表面間方向:両主表面に垂直な方向)の寸法m1は、m1=0.43mmとなる。また、各端面の主表面11側の面取り面と交差する角部と、主表面12側の面取り面と交差する角部との間の長さtm1は、tm1=6.42mmとなる。
前記面取り面の形成後、従来の加工装置を用い、主表面11,12をラップ研削する(図1(c)参照)。この両主表面のラップ研削後、ガラス基板の両主表面間方向の厚さt
1は、t1=6.90mmとなる。その結果、面取り面の両主表面方向の寸法m2は、m2=0.24mmになる。ここで、主表面11,12の表面粗さRa(算術平均粗さ)は約0.5μm以下となる。
以上のように、「a.板状ガラスの研削工程」、「b.1次面取り加工工程」、「c.主表面ラップ研削加工工程」の順に1次形状加工工程(「a.板状ガラスの研削工程」は1次形状加工工程には含まず、独立の工程とする場合もある。)が行われる。
主表面ラップ研削加工工程の次に、検査光を導入する端面(一端面)を研磨して鏡面にし、欠陥検査工程時に検査光たるArFエキシマレーザー光がガラス基板の内部に導入できるようにする。(図1(d)参照)。ここでは、4つの端面のすべてに鏡面研磨を行い、結果、端面13,14間方向の寸法(端面13,14に垂直な方向における両端面の間の距離=端面13と端面14との距離)及び端面15,16間方向の寸法(端面15,16に垂直な方向における両端面の間の距離=端面15と端面16との距離)が共にa1=152.35mmになる。そのほかの寸法は実質的に変化しない。鏡面研磨された端面の表面粗さRa(算術平均粗さ)は約0.03μm以下となる。次に、こうして得られたマスクブランク用ガラス基板10は次の工程である欠陥検査工程に供給される。
この工程では、上述のようにして得られたガラス基板10を以下説明する欠陥検査装置によってその内部欠陥の有無を検査し、内部欠陥のないガラス基板を選定する(図1(e)参照)。なお、ここで用いる欠陥検査方法は、既に説明した特許文献1に記載の方法を用いる。すなわち、ガラス基板10内に、波長が200nm以下の波長の検査光を導入したときにガラス基板10の内部欠陥から発生される蛍光を検出してガラス基板10に存在する内部欠陥(異物や気泡など)を検出するものである。図2はガラス基板10の内部欠陥を検査するための装置構成を示す図であり、図3は欠陥検出の説明図である。以下、図2、図3を参照にしながら、内部欠陥検査の工程を説明する。
から検査光Lを導入する。
上記欠陥検査工程で選定されたガラス基板10に対し、従来の加工装置を用い、研削加工を施し、面取り面を大きくするとともに、端面を研削する(図1(f)参照)。
この2次形状加工工程後の面取り面の両主表面方向の寸法m3は、m3=0.65mmとなる。また、各端面の主表面11側の面取り面と交差する角部と主表面12側の面取り
面と交差する角部との間の長さtm2は、tm2=5.60mmとなる。また、端面13,14間方向の寸法及び端面15,16間方向の寸法が共にa2=152.15mmになる。
2次研削加工工程が行われたガラス基板10に対し、従来の加工装置を用いて各端面および面取り面を研磨する(図1(g)参照)。
この端面・面取り面研磨工程後の面取り面の両主表面方向の寸法m4は、m4=0.675mmとなる。また、各端面の主表面11側の面取り面と交差する角部と主表面12側の面取り面と交差する角部との間の長さtm3は、tm3=5.55mmとなる。端面13,14間方向の寸法及び端面15,16間方向の寸法が共にa4=152.10mmになる。
端面・面取り面研磨工程が行われたガラス基板10に対し従来の加工装置を用いて、主表面11,12を研削する(図1(h)参照)。
この3次研削加工工程後、ガラス基板の両主表面間方向の厚さt2は、t2=6.40mmとなる。また、面取り面の両主表面方向の寸法m5は、m5=0.425mmとなる。
この精密研磨工程では、従来の加工装置を用いて、各端面および面取り面を研磨し、さらに主表面11,12を従来の両面研磨装置を用いて精密に研磨する(図1(i)参照)。この精密研磨によってマスクブランク用ガラス基板が得られる。
以上のように、「f.2次研削加工工程」、「g.端面・面取り面研磨工程」、「i.精密研磨工程」の順に2次形状加工工程が行われる。
次に、上述のようにして得たマスクブランク用ガラス基板10の主表面11上にマスクパターン形成用の薄膜(ハーフトーン膜)を公知のスパッタリング装置、例えば、DCマグネトロンスパッタリング装置等を用いて形成し、マスクブランクとしてのハーフトーン型位相シフトマスクブランクを得る。
次に、上記マスクブランク(ハーフトーン型位相シフトマスクブランク)のハーフトーン膜に、公知のパターン形成方法によってパターンを形成して露光用マスクとしてのハー
フトーン位相シフトマスクを得る。すなわち、上記ハーフトーン膜の表面にレジストを塗布した後、加熱処理してレジスト膜を形成し、このレジスト膜に所定のパターンを描画・現像処理し、レジストパターンを形成し、上記レジストパターンをマスクにして、ハーフトーン膜をドライエッチングしてハーフトーン膜パターンを形成し、レジストパターンを除去して、ガラス基板10上にハーフトーン膜パターンが形成された転写用マスクを得る。なお、このハーフトーン膜に用いられる材料としては、モリブデン、タンタル、タングステン、ジルコニウム等の遷移金属とケイ素とからなる遷移金属シリサイドを酸化、窒化、酸窒化させたものを主成分とする材料が挙げられる。また、ハーフトーン膜を、主として露光光に対する透過率を調整する透過率調整層と、主として膜中を透過する露光光に対して位相差を調整する位相調整層との2層以上の積層構造としてもよい。
端面(端面13,14あるいは端面15,16)から同時にあるいは、別々に検査光を導入することで、前記領域を形成してもよい。この場合、一端面から導入する検査光によって内部欠陥から蛍光が発するのに必要な強度で到達する領域は、対向する端面間の中間点よりも広い程度でよくなる。これにより、導入する検査光の光強度を、一端面からのみの検査光で領域を形成する場合よりも弱くすることが可能となり、検査光の導入によるガラス基板へのダメージをより小さくすることができる。
11,12・・・主表面
13,14,15,16・・・端面
13a,13b,14a,14b,15a,15b,16a,16b・・・面取り面
20・・・ガラス基板の欠陥検査装置
21・・・レーザー装置
22・・・XYZステージ
23・・・CCDカメラ
27 ・・・コンピュータ
Claims (5)
- ガラスインゴットから切り出された板状ガラスを研削し、2つの主表面と4つの端面を有するマスクブランク用ガラス基板の形状に加工する1次形状加工工程と、
前記ガラス基板の少なくとも一端面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、
前記ガラス基板の鏡面研磨された前記一端面から波長200nm以下の検査光を前記ガラス基板内に導入し、前記検査光によって内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査し、蛍光が検出されないガラス基板を選定する欠陥検査工程と、
前記選定されたガラス基板の2つの主表面および4つの端面の研削および研磨を行う2次形状加工工程とを有し、
前記欠陥検査工程における前記ガラス基板内の内部欠陥から蛍光が発生するのに必要な強度の検査光が届く領域の両主表面間方向の幅は、2次形状加工工程後のガラス基板の両主表面間の厚さよりも大きい
ことを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造方法。 - 前記2次形状加工工程後のガラス基板は、2つの主表面と前記4つの端面とが交差する角部に面取り面が形成されていることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
- 前記欠陥検査工程で検査されるガラス基板は、2つの主表面と前記4つの端面とが交差する角部に面取り面が形成されており、前記端面の両主表面間方向の幅は、前記2次形状加工工程後のガラス基板の両主表面間の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
- 請求項1から3のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法によって製造されたマスクブランク用ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する工程を備えたことを特徴とするマスクブランクの製造方法。
- 請求項4に記載のマスクブランクの製造方法によって製造されたマスクブランクの前記パターン形成用の薄膜に露光用の転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする露光用マスクの製造方法。
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