CN106449831A - 太阳能电池面板 - Google Patents

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Abstract

公开了一种太阳能电池面板，该太阳能电池面板包括：多个太阳能电池，所述多个太阳能电池各自包括半导体基板和形成在所述半导体基板上的电极；以及导线，所述导线用于将所述太阳能电池互连。所述电极包括具有用于附接所述导线的焊盘部的汇流条线。所述导线包括连接到所述焊盘部的第一导线部、以及位于所述焊盘部以外的部分上的第二导线部。所述第一导线部的厚度比所述第二导线部的厚度大。

Description

太阳能电池面板
技术领域
本发明构思涉及太阳能电池面板，并且更具体地，涉及一种具有改进的连接结构的太阳能电池面板。
背景技术
近来，由于诸如石油和煤这样的现有能源的消耗，对于取代现有能源的替代能源的兴趣不断增加。最重要的是，太阳能电池是将太阳光转换成电能的受欢迎的下一代电池。
多个太阳能电池使用带状物(ribbon)彼此串联或者并联连接，并且经由作为用于保护太阳能电池的工序的封装被制造成太阳能电池面板。因为太阳能电池面板需要在各种环境中长期执行发电，所以需要相当长期的可靠性。此时，太阳能电池在相关技术中使用带状物彼此连接。
然而，当太阳能电池使用具有例如约1.5mm的大宽度的带状物彼此连接时，由于带状物的大宽度而可能发生遮挡损失。因此，应该减少设置在太阳能电池上的带状物的数目。此外，带状物的附接强度可能不好，或者太阳能电池的弯曲程度可能由于带状物而增加。因此，可能限制太阳能电池面板的输出的增加，并且当带状物分离时或者当太阳能电池被损坏时，太阳能电池面板的可靠性会劣化。
发明内容
因此，已经考虑到以上问题来完成本发明构思，并且本发明构思的目的在于提供一种能够提高其输出和可靠性的太阳能电池面板。
根据本发明构思的一方面，以上和其它目的能够通过提供一种太阳能电池面板来实现，该太阳能电池面板包括：多个太阳能电池，所述多个太阳能电池各自包括半导体基板和形成在所述半导体基板上的电极；以及导线，所述导线用于将所述太阳能电池互连。所述电极包括具有用于附接所述导线的焊盘部的汇流条线(bus-bar line)。所述导线包括连接到所述焊盘部的第一导线部、以及位于所述焊盘部以外的部分上的第二导线部。所述第一导线部的厚度比所述第二导线部的厚度大。
附图说明
依据参照附图进行的以下详细描述，本发明构思的以上和其它目的、特征和其它优点将被更清楚地理解，其中：
图1是例示了根据本发明构思的实施方式的太阳能电池面板的立体图；
图2是沿着图1的线II-II截取的截面图；
图3是例示了图1的太阳能电池面板中包括的太阳能电池和与该太阳能电池连接的导线的一个示例的局部截面图；
图4是示意性地例示了包括在图1的太阳能电池面板中并且经由导线彼此连接的第一太阳能电池和第二太阳能电池的立体图；
图5是例示了图4的具有放大比例的部分A的局部平面图；
图6是例示了图5中例示的第一导线部和第二导线部的在与导线的纵向方向垂直的方向上截取的截面图；
图7是沿着图4的线VII-VII截取的示意截面图；以及
图8是对通过将导线附接到具有焊盘部的汇流条而制造的太阳能电池面板的一部分进行拍摄的照片。
具体实施方式
现在将详细地参考本发明构思的优选实施方式，在附图中例示了本发明构思的优选实施方式的示例。然而，将理解的是，本发明构思不限于这些实施方式并且可以按照各种方式进行修改。
在附图中，为了清楚地且简要地解释本发明构思，省略了与描述没有关联的元件的例示，并且在整个说明书中，相同或者极其相似的元件通过相同的附图标记来指定。此外，在附图中，为了更清楚地解释，夸大或者缩小了元件的诸如厚度、宽度等的尺寸，并且因此本发明构思的厚度、宽度等不限于附图的例示。
在整个说明书中，当一个元件被称作“包括”另一元件时，只要不存在特别冲突的描述，所述一个元件就不应该被理解为不包括其它元件，并且所述一个元件可以包括至少一个其它元件。此外，将理解的是，当诸如层、膜、区域或者基板这样的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上或者也可以存在中间元件。另一方面，当诸如层、膜、区域或者基板这样的元件被称作“直接在”另一元件“上”时，这意味着它们之间不存在中间元件。
在下文中，将参照附图来详细地描述根据本发明构思的实施方式的太阳能电池面板。这里，仅使用术语“第一”、“第二”等以将元件彼此区分开，并且本发明构思不限于此。
图1是例示了根据本发明构思的实施方式的太阳能电池面板的立体图，并且图2是沿着图1的线II-II截取的截面图。
参照图1和图2，由附图标记100指定的根据本实施方式的太阳能电池面板包括多个太阳能电池150、以及用于将太阳能电池150电互连的导线142。另外，太阳能电池面板100包括：密封构件130，所述密封构件130用于包围太阳能电池150和用于将太阳能电池150互连的导线142并且对它们进行密封；前基板110，所述前基板110在密封构件130之上设置在太阳能电池150的前表面上；以及后基板120，所述后基板120在密封构件130之上设置在太阳能电池150的后表面上。这将在下面进行更详细的描述。
首先，太阳能电池150中的每一个可以包括用于将太阳光转换成电能的光电转换器、以及与用于收集并传送电流的光电转换器电连接的电极。此外，太阳能电池150可以通过导线142串联和/或并联电互连。具体地，每条导线142与太阳能电池150当中的两个相邻的太阳能电池150电互连。
此外，汇流排带状物(bus ribbon)145将导线142的交替的端部互连，导线142使太阳能电池150成排地彼此连接(换句话说，构成太阳能电池串)。汇流排带状物145可以位于太阳能电池串的端部上，以便与太阳能电池串交叉。汇流排带状物145可以将彼此相邻的太阳能电池串互连，或者可以将太阳能电池串连接到接线盒(未例示)，其防止了电流回流。汇流排带状物145的材料、形状、连接结构等可以按照各种方式改变，并且本发明构思不限于此。
密封构件130可以包括设置在通过导线142互连的太阳能电池150的前表面上的第一密封构件131、以及设置在太阳能电池150的后表面上的第二密封构件132。第一密封构件131和第二密封构件132防止引入湿气和氧气，并且实现了太阳能电池面板100的相应元件之间的化学结合。第一密封构件131和第二密封构件132可以由具有透光性和粘合特性的绝缘材料形成。在一个示例中，第一密封构件131和第二密封构件132可以由乙烯醋酸乙烯酯(EVA)共聚物树脂、聚乙烯醇缩丁醛、硅酮树脂、酯类树脂或者烯烃类树脂形成。通过例如使用第一密封构件131和第二密封构件132的层压工序，后基板120、第二密封构件132、太阳能电池150、第一密封构件131和前基板110可以彼此集成，以便构成太阳能电池面板100。
前基板110设置在第一密封构件131上，并且配置太阳能电池面板100的前表面。后基板20设置在第二密封构件132上，并且配置太阳能电池面板100的后表面。前基板110和后基板120中的每一个可以由能够保护太阳能电池150免受外部冲击、湿气、紫外线等的影响的绝缘材料形成。此外，前基板110可以由能够透射光的透光材料形成，并且后基板120可以被配置为由透光材料、不透光的材料或者反射光的材料形成的片。在一个示例中，前基板110可以被配置为玻璃基板，并且后基板120可以是Tedlar/PET/Tedlar(TPT)基板，或者可以包含形成在基膜(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜)的至少一个表面上的聚偏二氟乙烯(PVDF)树脂层。
然而，本发明构思不限于此。因此，第一密封构件131和第二密封构件132、前基板110或者后基板120可以包含除了上述材料以外的各种材料的任何一种，并且可以具有各种形状的任何一种。例如，前基板110或者后基板120可以具有各种形状的任何一种(例如，基板、膜或者片)，或者可以包含各种材料的任何一种。
下面将参照图3来更详细地描述根据本发明构思的实施方式的太阳能电池面板中包括的太阳能电池和与该太阳能电池连接的导线的一个示例。
图3是例示了图1的太阳能电池面板中包括的太阳能电池和与该太阳能电池连接的导线的一个示例的局部截面图。
参照图3，每个太阳能电池150包括半导体基板160、形成在半导体基板160上或者上方的导电区20和30、以及连接到导电区20和30的电极42和44。导电区20和30可以包括第一导电类型的第一导电区20和第二导电类型的第二导电区30。电极42和44可以包括连接到第一导电区20的第一电极42以及连接到第二导电区30的第二电极44。太阳能电池150还可以包括例如第一钝化膜22和第二钝化膜32以及抗反射膜24。
半导体基板160可以由包含单一半导体材料(例如，IV族元素)的结晶半导体形成。在一个示例中，半导体基板160可以由单晶或者多晶半导体(例如，单晶硅或者多晶硅)形成。更具体地，半导体基板160可以由单晶半导体(例如，单晶半导体晶圆，并且更具体地，单晶硅晶圆)形成。然后，太阳能电池150是基于由具有高结晶度并且因此具有低缺陷的单晶半导体形成的半导体基板160。因此，太阳能电池150可以具有优良的电性能。
半导体基板160的前表面和/或后表面可以经受纹理化，以便具有凸起。凸起可以具有不规则尺寸的金字塔形状，并且凸起的外表面可以是半导体基板160的(111)面。当半导体基板160的前表面的粗糙度由于经由纹理化在前表面上形成的凸起而增加时，经由半导体基板160的前表面引入的光的反射比可以增加。因此，到达由基区10和第一导电区20或第二导电区30形成的pn结的光的量会增加，这可以使遮挡损失最小化。本实施方式例示了凸起形成在半导体基板160的前表面和后表面中的每一个上。然而，本发明构思不限于此。因此，凸起可以形成在半导体基板160的前表面和后表面中的至少一个上，并且可以不形成在半导体基板160的前表面和后表面上。
在本实施方式中，半导体基板160可以包括基区10，所述基区10包含相对低的掺杂浓度的第一导电掺杂剂或第二导电掺杂剂，因此具有第一导电类型或第二导电类型。此时，与第一导电区20和第二导电区30中的具有与基区10相同的导电类型的一个相比，半导体基板160的基区10可以具有更低的掺杂浓度、更高的电阻、或者更低的载流子密度。在一个示例中，在本实施方式中，基区10可以具有第二导电类型。
此外，半导体基板160可以包括第一导电区20和第二导电区30。在本实施方式中，构成半导体基板160的基区10以及导电区20和30具有半导体基板160的结晶结构，具有不同的导电类型，并且具有不同的掺杂浓度。例如，半导体基板160的包含第一导电掺杂剂并因此具有第一导电类型的区域可以被限定为第一导电区20，半导体基板160的包含低掺杂浓度的第二导电掺杂剂并因此具有第二导电类型的区域可以被限定为基区10，并且半导体基板160的包含掺杂浓度基区10的掺杂浓度高的第二导电掺杂剂并因此具有第二导电类型的区域可以被限定为第二导电区30。
第一导电区20和第二导电区30可以分别形成在半导体基板160的整个前面和整个后表面上。这里，“在整个…上形成”不仅包括物理上完整的形成，而且包括具有不可避免地被排除的部分的形成。按照这种方式，第一导电区20和第二导电区30可以在没有单独构图的情况下被形成为具有充足的区域。
第一导电区20可以配置发射区，该发射区与基区10形成pn结。第二导电区30可以配置形成后表面场的后表面场区。后表面场区用于防止由于半导体基板160的表面(更精确地，半导体基板160的后表面)上的复合而导致的载流子的损失。
在本实施方式中，导电区20和30是通过用掺杂剂对半导体基板160的一些内部区域进行掺杂而形成的掺杂区，因此构成半导体基板160的一部分。然而，本发明构思不限于此。因此，第一导电区20和第二导电区30中的至少一个可以被配置为作为半导体基板160上的独立层的非晶半导体层、微晶半导体层或者多晶半导体层。各种改变是可能的。
此外，本实施方式例示了第一导电区20和第二导电区30具有均匀掺杂浓度的均质结构。然而，本发明构思不限于此。因此，在另一实施方式中，第一导电区20和第二导电区30中的至少一个可以具有选择性的结构。在该选择性的结构中，导电区20和30的接近电极42和44的部分可以具有高的掺杂浓度和低的电阻，并且剩余部分可以具有低的掺杂浓度和高的电阻。在另一实施方式中，第二导电区30可以具有局部结构。在该局部结构中，第二导电区30可以被局部地形成，以便与第二电极44的一部分对应。
第一导电区20中包含的第一导电掺杂剂可以是n型或p型掺杂剂，并且基区10和第二导电区30中包含的第二导电掺杂剂可以是p型或n型掺杂剂。p型掺杂剂可以是诸如硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)或铟(In)这样的III族元素，而n型掺杂剂可以是诸如磷(P)、砷(As)、铋(Bi)或锑(Sb)这样的V族元素。基区10中的第二导电掺杂剂和第二导电区30中的第二导电掺杂剂可以是相同的材料，或者可以是不同的材料。
在一个示例中，第一导电区20可以具有p型，而基区10和第二导电区30可以具有n型。当光被发射到由第一导电区20和基区10形成的pn结时，通过光电转换所生成的电子移动到半导体基板160的后表面，以因此由第二电极44收集，并且空穴移动到半导体基板160的前表面，以因此由第一电极42收集。因此，产生了电流。当比电子移动更慢的空穴移动到半导体基板160的前表面而不是后表面时，可以提高转换效率。然而，本发明构思不限于此，并且基区10和第二导电区30可以具有p类型，而第一导电区20可以具有n类型。
诸如第一钝化膜22和第二钝化膜32以及抗反射膜24这样的绝缘膜可以形成在半导体基板160的表面上。绝缘膜可以被配置为不包含掺杂剂的无掺杂绝缘膜。
更具体地，第一钝化膜22可以形成在半导体基板160的前表面上(例如，与前表面接触)，更精确地，形成在半导体基板160上形成的第一导电区20上，并且抗反射膜24可以形成在第一钝化膜22上(例如，与第一钝化膜22接触)。此外，第二钝化膜32可以形成在半导体基板160的后表面上(例如，与后表面接触)，更精确地，形成在半导体基板160上形成的第二导电区30上。
第一钝化膜22和抗反射膜24可以基本上形成在半导体基板160的除了与第一电极42对应的部分(更精确地，设置有第一开口102的部分)以外的整个前表面上。类似地，第二钝化膜32可以基本上形成在半导体基板160的除了与第二电极44对应的部分(更精确地，设置有第二开口104的部分)以外的整个后表面上。
第一钝化膜22和第二钝化膜32与用于使导电区20和30的表面或者主体(bulk)中存在的缺陷钝化的第一导电区20和第二导电区30接触。如此，能够通过去除少数载流子的复合位置来增加太阳能电池150的开路电压Voc。抗反射膜24降低了引入到半导体基板160的前表面的光的反射比。这可以增加到达在基区10和第一导电区20的界面处形成的pn结的光的量。因此，可以增加太阳能电池150的短路电流Isc。总之，钝化膜22和32以及抗反射膜24可以增加太阳能电池150的开路电压和短路电流，因此提高太阳能电池150的效率。
在一个示例中，钝化膜22和32或者抗反射膜24可以包括具有从由氮化硅膜、含有氢的氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜、MgF2、ZnS、TiO2和CeO2组成的组中选择的两个或者更多个膜的组合的形式的单层膜或者多层膜。在一个示例中，第一钝化膜22或者第二钝化膜32可以包括在导电区20和30为n型时具有固定正电荷的氧化硅膜或者氮化硅膜，并且可以包括在导电区20和30为p型时具有固定负电荷的氧化铝膜。在一个示例中，抗反射膜24可以包含氮化硅。
然而，本发明构思不限于此，并且钝化膜22和32以及抗反射膜24可以包含各种材料。此外，在半导体基板160的前表面和/或后表面上堆叠的绝缘膜的堆叠结构可以按照各种方式改变。例如，绝缘膜可以按照与上述堆叠顺序不同的堆叠顺序来彼此堆叠。另选地，可以省略第一钝化膜22和第二钝化膜32与抗反射膜24中的至少一个，或者可以设置除了第一钝化膜22和第二钝化膜32与抗反射膜24以外的其它绝缘膜。各种其它改变是可能的。
第一电极42经由第一开口102电连接到第一导电区20，第一开口102形成在设置在半导体基板160的前表面上的绝缘膜(例如，第一钝化膜22和抗反射膜24)中。第二电极44经由第二开口104电连接到第二导电区30，第二开口104形成在设置在半导体基板160的后表面上的绝缘膜(例如，第二钝化膜32)中。在一个示例中，第一电极42可以与第一导电区20接触，而第二电极44可以与第二导电区30接触。
第一电极42和第二电极44可以由各种材料(例如，金属材料)形成，以便具有各种形状。随后将描述第一电极42和第二电极44的形状。
如此，在本实施方式中，太阳能电池150的第一电极42和第二电极44可以具有给定图案，使得太阳能电池150具有双面结构以使得光能够被引入到半导体基板160的前表面和后表面中。因此，可以增加在太阳能电池150中使用的光的量，这可以有助于提高太阳能电池150的效率。
然而，本发明构思不限于此，并且第二电极44可以形成在半导体基板160的整个后表面上。此外，第一导电区20和第二导电区30以及第一电极42和第二电极44全部都可以被布置在半导体基板160的同一表面(例如，后表面)上，或者第一导电区20和第二导电区30中的至少一个可以形成在半导体基板160的两个表面上。也就是说，上述太阳能电池150仅通过示例方式给出，并且本发明构思不限于此。
上述太阳能电池150通过位于第一电极42或者第二电极44上(例如，与第一电极42或者第二电极44接触)的导线142电连接到相邻的太阳能电池150。下面将参照图1至图3和图4来对此进行更详细的描述。
图4是示意性地例示了包括在图1的太阳能电池面板100中并且经由导线142彼此连接的第一太阳能电池151和第二太阳能电池152的立体图。在图4中，示意性地例示了第一太阳能电池151和第二太阳能电池152，并且例示关注于半导体基板160与电极42和44。
如图4所例示，太阳能电池150当中的两个相邻的太阳能电池150(例如，第一太阳能电池151和第二太阳能电池152)可以通过导线142互连。此时，导线142将设置在第一太阳能电池151的前表面上的第一电极42与设置在第二太阳能电池152的后表面上的第二电极44电极互连，第二太阳能电池152位于第一太阳能电池151的一侧(图4中的左下侧)。此外，另一导线1420a将设置在第一太阳能电池151的后表面上的第二电极44与设置在另一太阳能电池的前表面上的第一电极42互连，所述另一太阳能电池可以位于第一太阳能电池151的另一侧(图4中的右上侧)。此外，另一导线1420b将设置在第二太阳能电池152的前表面上的第一电极42与设置在另一太阳能电池的后表面上的第二电极44互连，所述另一太阳能电池可以位于第二太阳能电池152的一侧(图4中的左下侧)。按照这种方式，多个太阳能电池150可以被互连以通过导线142、1420a和1420b形成单排。与导线142有关的以下描述可以被应用到各自将两个相邻的太阳能电池150互连的所有导线142、1420a和1420b。
在本实施方式中，导线142可以包括第一部、第二部和第三部。第一部连接到第一电极42(更具体地，第一电极42的汇流条线(见图5中的附图标记42b))，并且使长的长度从第一边缘161延伸到与第一边缘161相反的第二边缘162。第二部连接到第二太阳能电池152的后表面上的第二电极44(更具体地，第二电极44的汇流条线)，并且使长的长度从第一边缘161延伸到与第一边缘161相反的第二边缘162。第三部从第一太阳能电池151的前表面延伸到第二太阳能电池152的后表面，以使第一部与第二部彼此连接。如此，导线142可以与第一太阳能电池151的一部分交叉，然后可以与第二太阳能电池152的一部分交叉。当导线142具有比第一太阳能电池151和第二太阳能电池152的宽度小的宽度，并且被形成为与第一太阳能电池151和第二太阳能电池152的所述部分(即，汇流条线42b)对应时，尽管导线142的面积小，但是导线142仍然可以有效地将第一太阳能电池151和第二太阳能电池152互连。
在一个示例中，导线142可以与第一电极42和第二电极44的汇流条线42b接触，以便使长的长度沿着汇流条线42b延伸。因此，导线142与第一电极42和第二电极44可以连续不断地彼此接触，这可以提高电特性。然而，本发明构思不限于此。第一电极42可以不具有汇流条线42b，并且在该情况下，导线142可以与多条手指线(见图5中的附图标记42a)接触并且连接，以便与手指线42a交叉。然而，本发明构思不限于此。
当观看每个太阳能电池150的一个表面时，多条导线142可以被设置以改进相邻的太阳能电池150之间的电连接。具体地，在本实施方式中，导线142具有比具有相对大的宽度(例如，在1mm至2mm的范围内)的常规带状物小的宽度。如此，在每个太阳能电池150的一个表面上使用了数目比常规带状物的数目(例如，2条至5条导线)多的导线142。
在一个示例中，每条导线142可以包括：核心层142a，所述核心层142a由金属形成；以及焊料层142b，所述焊料层142b按照小的厚度涂覆在核心层142a的表面上并且包含焊接材料，以使得能够与电极42和44焊接。在一个示例中，核心层142a可以包含Ni、Cu、Ag或者Al作为主要材料(即，包含50重量％或者更多的量的材料，更具体地，包含90重量％或者更多的量的材料)。焊料层142b可以包含Pb、Sn、SnIn、SnBi、SnPb、SnPbAg、SnCuAg或者SnCu作为主要材料。然而，本发明构思不限于此，并且核心层142a和焊料层142b可以包含各种其它材料。
当使用宽度比常规带状物小的导线142时，可以显著地减少材料成本。此外，因为导线142具有比带状物小的宽度，所以可以设置足够数目的导线142以使载流子的移动距离最小化，这可以增加太阳能电池面板100的输出。
此外，根据本实施方式的导线142可以包括球形部(rounded portion)。也就是说，导线142可以具有圆形、椭圆形或者曲线横截面、或者球形横截面。因此，导线142可以引起反射或者漫反射。按照这种方式，从导线142的球形表面反射的光可以被设置在太阳能电池150的前表面或者后表面上的前基板110或者后基板120反射或者完全反射，以因此被重新引入到太阳能电池150中，这可以有效地增加太阳能电池面板100的输出。然而，本发明构思不限于此。因此，导线142可以具有诸如矩形形状这样的多边形形状，或者可以具有各种其它形状中的任一种。
在本实施方式中，导线142在固接(tabbing)之前的宽度(或者直径)(见图6的附图标记W)可以在250μm至500μm的范围内。作为参考，在本实施方式中，因为焊料层142b的厚度可以非常小，并且可以具有取决于导线142在固接之后的位置的各种值中的任一个，所以导线142的宽度可以是在固接之后的穿过中心的核心层142a的宽度(或者直径)。具有上述宽度W的导线142可以将在太阳能电池150中产生的电流高效地传送到外部电路(例如，接线盒的汇流排带状物或者旁路二极管)或者另一太阳能电池150。在本实施方式中，导线142可以单独位于太阳能电池150的电极42和44上或者固定到太阳能电池150的电极42和44，而不插入到例如独立的层或者膜中。当导线142的宽度W在250μm以下时，导线142的强度可能不够并且导线142与电极42和44之间的连接区域会非常小，这会导致差的电连接和低的附接力。当导线142的宽度W超过500μm时，导线142的成本会增加，并且导线142可能阻止光被引入到太阳能电池150的前表面中，因此增加遮挡损失。此外，导线142可以接收力，以便与电极42和44分隔开，这可以导致导线142与电极42和44之间低的附接力并且可以在电极42和44或者半导体基板160中产生裂纹。在一个示例中，导线142的宽度可以在350μm至450μm的范围(更具体地，350μm至400μm)内。对于该范围，导线142可以实现对电极42和44的增加的附接力，并且可以增加太阳能电池面板100的输出。
在一个示例中，在固接之前的导线142中，焊料层142b的厚度具有核心层142a的宽度的20％或者更小(更具体地，10％或者更小)的小值(例如，40μm或者更小，具体地，在5μm至40μm的范围内)。此时，当焊料层142b的厚度在5μm以下时，可能不能高效地执行固接。当焊料层142b的厚度超过60μm时，材料成本会增加并且核心层142a的宽度会减小，导致导线142的强度劣化。此外，例如，如图6所例示的，在导线142经由固接附接到太阳能电池150之后，焊料层142b的厚度和宽度可以根据位置而改变。随后将更详细地对此进行描述。
此时，可以在太阳能电池150的一个表面上设置6至33条导线142。更具体地，当导线142的宽度W大于或等于250μm并且小于300μm时，导线142的数目可以在15至33的范围内。当导线142的宽度W大于或等于300μm并且小于350μm时，导线142的数目可以在10至33的范围内。当导线142的宽度W大于或等于350μm并且小于400μm时，导线142的数目可以在8至33的范围内。当导线142的宽度W在400μm至500μm的范围内时，导线142的数目可以在6至33的范围内。此外，当导线142的宽度W为350μm或者更大时，即使导线142的数目超过15，太阳能电池面板100的输出也不再增加。此外，当导线142的数目增加时，这会增加太阳能电池150的负担。考虑到这一点，当导线142的宽度W大于或等于350μm并且小于400μm时，导线142的数目可以在8至15的范围内。当导线142的宽度W在400μm至500μm的范围内时，导线142的数目可以在6至15的范围内，此时，为了进一步增加太阳能电池面板100的输出，导线142的数目可以为10或者更多(例如，12或13)。然而，本发明构思不限于此，导线142的数目和汇流条线42b的数目可以具有各种其它值。
此时，导线142的节距(或者汇流条线42b的节距)可以在4.75mm至26.13mm的范围内。这是考虑到导线142的宽度W和数目的情况下获得的。例如，当导线142的宽度W大于或等于250μm并且小于300μm时，导线142的节距可以在4.75mm至10.45mm的范围内。当导线142的宽度W大于或等于300μm并且小于350μm时，导线142的节距可以在4.75mm至15.68mm的范围内。当导线142的宽度W大于或等于350μm并且小于400μm时，导线142的节距可以在4.75mm至19.59mm的范围内。当导线142的宽度W在400μm至500μm的范围内时，导线142的节距可以在4.75mm至26.13mm的范围内。更具体地，当导线142的宽度W大于或等于350μm并且小于400μm时，导线142的节距可以在10.45mm至19.59mm的范围内。当导线142的宽度W在400μm至500μm的范围内时，导线142的节距可以在10.45mm至26.13mm的范围内。然而，本发明构思不限于此，并且导线142的节距和汇流条线42b的节距可以具有各种其它值。
在本实施方式中，例如，第一电极42(或者第二电极44)、导线142和电极区域(见图5中的附图标记EA)可以在第一方向(即，与手指线42a平行的方向)与第二方向(即，与汇流条线42b或者导线142平行的方向)上对称地布置。因此，可以使电流的流动稳定。然而，本发明构思不限于此。
下面将参照图1至图4以及图5至图7来详细地描述可以应用到根据本发明构思的实施方式的太阳能电池面板100的太阳能电池150的电极42和44以及附接到电极42和44的导线142的一个示例。为了清楚地理解，通过单点虚线例示了导线142。在下文中，将参照图5来详细地描述第一电极42，然后将描述第二电极44。
图5是例示了图4的具有放大比例的部分A的局部平面图。
参照图1至图5，在本实施方式中，第一电极42包括在第一方向(即，附图中的水平方向)上延伸并且彼此平行布置的手指线42a。第一电极42还可以包括在与手指线42a交叉(例如，与手指线42a垂直)的第二方向(即，附图中的垂直方向)上延伸并且连接或附接到导线142的汇流条线42b。因为汇流条线42b可以被布置为与导线142对应，所以与导线142的数目和节距有关的描述可以被直接应用到汇流条线42b的数目和节距。在下文中，汇流条线42b当中的两条相邻的汇流条线42b之间的区域或者汇流条线42b与太阳能电池150的边缘之间的区域被称作电极区EA。在本实施方式中，因为在太阳能电池150的一个表面上设置有多条(例如，6条或更多条)导线142，所以可以设置多个电极区EA(按照比导线142的数目大的数目进行设置)。
手指线42a可以具有一致的宽度，并且可以以一致的节距彼此间隔开。虽然图5例示了手指线42a在第一方向上彼此平行地形成，并且与太阳能电池150的主要边缘(更具体地，第一边缘161和第二边缘162)平行，但是本发明构思不限于此。
在一个示例中，第一电极42的手指线42a可以具有35μm至120μm的范围内的宽度并且具有1.2mm至2.8mm的范围内的节距，并且手指线42a在与手指线42a交叉的方向上的数目可以在55至133的范围内。手指线42a的宽度和节距可以基于简单的工序条件来确定，并且可以被限制为在确保有效地收集经由光电转换产生的电流的同时使由于手指线42a而导致的遮挡损失最小化。手指线42a的厚度可以在这样的范围内：在该范围内，手指线42a可以经由简单的工序形成，并且可以具有期望的特定电阻。然而，本发明构思不限于此，手指线42a的宽度和节距可以根据例如工序条件的变化、太阳能电池150的尺寸以及手指线42a的组成材料，按照各种方式来改变。
此时，导线142的宽度W(更具体地，核心层142a的宽度)可以小于手指线42a的节距，并且可以大于手指线42a的宽度。然而，本发明构思不限于此，并且各种改变是可能的。
在一个示例中，汇流条线42b可以基于每个电极区EA从接近第一边缘161的位置到接近第二边缘162的位置依次形成。如以上提到的，汇流条线42b可以被设置为与用于将相应相邻的太阳能电池150连接在一起的导线142对应。汇流条线42b可以按照1比1的比率与导线142对应。如此，在本实施方式中，汇流条线42b的数目可以与太阳能电池150的一个表面上的导线142的数目相同。
每条汇流条线42b可以包括：线部421，所述线部421具有相对小的宽度，并且使长的长度沿着线部421与导线142连接的方向在电极区EA内延伸；以及焊盘部422，所述焊盘部422具有比线部421大的宽度，以便使针对导线142的连接区域增加。具有小宽度的线部421可以使光被阻挡以不被引入到太阳能电池150中的区域最小化，并且具有大宽度的焊盘部422可以增加导线142与汇流条线42b之间的附接力并且可以减小接触电阻。焊盘部422具有比线部421大的宽度，并因此基本上用作用于附接导线142的部分。导线142可以附接到线部421，或者可以按照不与线部421附接的方式简单地放置在线部421上。
焊盘部422的在第一方向上测量的宽度W11可以大于线部421和手指线42a中的每一个的宽度。
本实施方式例示了汇流条线42b的线部421被设置为与导线142对应。更具体地，虽然比手指线42a显著宽的汇流条电极在相关技术中被设置为与导线142对应，但是在本实施方式中，设置有汇流条线42b的具有比汇流条电极显著小的宽度的线部421。在本实施方式中，线部421可以使手指线42a彼此连接，以便在一些手指线42a断开时为载流子提供旁路通路。
在本说明书中，汇流条电极是指这样的电极部：该电极部在与手指线交叉的方向上形成以与带状物对应，并且具有手指线的宽度的12倍或者更多倍(通常，15倍或者更多倍)的宽度。因为汇流条电极具有相对大的宽度，所以通常设置两个或者三个汇流条电极。此外，在本实施方式中，汇流条线42b的线部421可以是指这样的电极部：该电极部在与手指线交叉的方向上形成以与导线142对应，并且具有手指线的宽度的10倍或者更少倍的宽度。
在一个示例中，线部421的宽度W12可以为手指线42a的宽度的0.5倍至10倍。当比率在0.5倍以下时，线部421的宽度W12可能太小而不能使得线部421能够产生足够的效果。当比率超过10倍时，线部421的宽度W12可能是过度的，导致遮挡损失增加。具体地，在本实施方式中，因为设置了大量导线142，所以也设置了大量线部421，这会进一步增加遮挡损失。更具体地，线部421的宽度W12可以为手指线42a的宽度的0.5倍至7倍。当比率为7倍或者更小时，会进一步减少遮挡损失。在一个示例中，在遮挡损失方面，线部421的宽度W12可以为手指线42a的宽度的0.5倍至4倍。更具体地，线部421的宽度W12可以为手指线42a的宽度的0.5倍至2倍。在该范围的情况下，可以极大地提高太阳能电池150的效率。
另选地，线部421的宽度W12可以等于或小于导线142的宽度W(更具体地，核心层142a的宽度W)。这是因为当导线142具有圆形、椭圆形或者球形形状时，导线142的下表面与线部421接触的宽度或者面积不大。当线部421具有相对小的宽度W12时，会减小第一电极42的面积，导致第一电极42的制造成本的减少。
在一个示例中，导线142的宽度与线部421的宽度W12的比率可以大于0.07或者小于1。当比率在0.07以下时，线部421的宽度W12过小，导致电特性劣化。当比率超过1时，第一电极42的面积增加，导致增加了遮挡损失和材料成本而没有显著地改进导线142与线部421之间的接触。在一个示例中，当进一步考虑遮挡损失和材料成本时，比率可以在1︰01至1︰0.5的范围内(更具体地，在1︰0.1至1︰0.3的范围内)。
另选地，线部421的宽度W12可以为490μm或更小(例如，在30μm至350μm的范围内)。当线部421的宽度W12在350μm以下时，线部421的宽度W12过小，导致电特性劣化。当线部421的宽度W12超过350μm(更具体地，超过490μm)时，第一电极42的面积过大，导致增加了遮挡损失和材料成本而没有显著地改进导线142与线部421之间的接触。在一个示例中，当进一步考虑遮挡损失和材料成本时，线部421的宽度W12可以在35μm至200μm的范围内(更具体地，在35μm至120μm的范围内)。
另选地，线部421的宽度W12可以是焊盘部422的宽度W11的36％或者更小(例如，25％或者更小)。这限制于焊盘部422与导线142之间的附接力可以增加并且由于线部421的遮挡损失可以被最小化的范围。
然而，本发明构思不限于此。因此，线部421的宽度W12可以在线部421有效地传送经由光电转换产生的电流并且使遮挡损失最小化的范围内按照各种方式改变。此外，可以不单独设置线部421。
此外，焊盘部422的宽度W11可以大于线部421的宽度W12，并且可以等于或大于导线142的宽度W。因为焊盘部422用于通过增加导线142的接触面积来增加用于附接导线142的力，所以焊盘部422的宽度可以大于线部421的宽度，并且可以等于或大于导线142的宽度。
在一个示例中，导线142的宽度W与焊盘部422的宽度W11的比率可以在1︰1至1︰5的范围内。当比率在1︰1以下时，焊盘部422的宽度W11可能不够，导致焊盘部422与导线142之间的附接力不足。当比率超过1︰5时，焊盘部422引起遮挡损失的区域会增加，导致更大的遮挡损失。当进一步考虑附接力和遮挡损失时，比率可以在1︰2至1︰4的范围内(更具体地，在1︰2.5至1︰4的范围内)。
另选地，在一个示例中，焊盘部422的宽度W11可以在0.25mm至2.5mm的范围内(例如，在0.5mm至2mm的范围内)。当焊盘部422的宽度W11在0.25mm以下时，焊盘部422与导线142之间的接触面积可能不够，并且因此，焊盘部422与导线142之间的附接力可能不足。当焊盘部422的宽度W11超过2.5mm时，焊盘部422引起遮挡损失的区域会增加，导致更大的遮挡损失。在一个示例中，当进一步考虑导线142与焊盘部422之间的附接力以及遮挡损失时，焊盘部422的宽度W11可以在0.5mm至2mm的范围内。
此外，焊盘部422的长度可以大于手指线42a的宽度。例如，焊盘部422的长度可以在0.035mm至30mm的范围内。当焊盘部422的长度在0.035mm以下时，焊盘部422与导线142之间的接触面积可能不够，并且因此，焊盘部422与导线142之间的附接力可能不足。当焊盘部422的长度超过30mm时，焊盘部422引起遮挡损失的区域会增加，导致更大的遮挡损失。
另选地，在一个示例中，手指线42a的宽度与焊盘部422的长度的比率可以在1︰1.1至1︰20的范围内。在该范围的情况下，可以增加用于焊盘部422与导线142之间的附接的面积，并且因此，可以增加焊盘部422与导线142之间的附接力。
另选地，在一个示例中，导线142的宽度W与焊盘部422的长度的比率可以在1︰1至1︰10的范围内。当比率在1︰1以下时，焊盘部422的长度可能不够，导致焊盘部422与导线142之间的附接力不足。当比率超过1︰10时，焊盘部422引起遮挡损失的区域会增加，导致更大的遮挡损失。当进一步考虑附接力和遮挡损失时，比率可以在1︰3至1︰6的范围内。
一条汇流条线42b可以包括6至24个焊盘部422(例如，12至22个焊盘部)。焊盘部422可以彼此间隔开。在一个示例中，一个焊盘部422可以被分配给2条或10条手指线42a。因此，汇流条线42b与导线142之间的接触面积增加的部分按照规则的间隔设置，以便增加汇流条线42b与导线142之间的附接力。另选地，焊盘部422可以被布置成使得相应的两个焊盘部422之间的距离具有不同的值。具体地，焊盘部422可以以高密度布置在汇流条线42b的施加有比另一部分(即，汇流条线42b的中心部)大的力的端部上。各种改变是可能的。
以上描述已经关注于参照图5的第一电极42。第二电极44可以包括分别与第一电极42的手指线42a和汇流条线42b对应的手指线和汇流条线。与第一电极42的手指线42a和汇流条线42b相关的描述可以被应用到第二电极44的手指线和汇流条线。此时，第一导电区20的与第一电极42有关的描述可以和第二导电区30的与第二电极44有关的描述相同。此外，第一钝化膜22、抗反射膜24和开口102的与第一电极42有关的描述可以作为第二钝化膜30和开口104的与第二电极44有关的描述。
此时，第一电极42的手指线42a以及每条汇流条线42b的线部421和焊盘部422的宽度W12和W11、节距和数目可以等于第二电极44的手指线以及每条汇流条线的线部和焊盘部的宽度、节距和数目。另选地，第一电极42的手指线42a以及每条汇流条线42b的线部421和焊盘部422的宽度W12和W11、节距和数目可以不同于第二电极44的手指线以及每条汇流条线的线部和焊盘部的宽度、节距和数目。在一个示例中，被引入相对少量的光的第二电极44的电极部可以具有比与其对应的第一电极42的电极部的宽度大的宽度，并且第二电极44的手指线之间的节距可以小于与其对应的第一电极42的手指线42a的节距。各种改变是可能的。然而，第一电极42的汇流条线42b的数目和节距可以与第二电极44的汇流条线的数目和节距相同。此外，第一电极42和第二电极44可以具有不同的平面形状。例如，第二电极44可以形成在半导体基板160的整个后表面上。各种改变是可能的。
在本实施方式中，将第一太阳能电池151和第二太阳能电池152互连的导线142可以经由固接附接到电极42和44。当设置了具有上述形状的导线142时，可以增加太阳能电池面板100的输出。然而，因为与相关技术相比，导线142具有减小的宽度，所以可以减小导线142与电极42和44之间的附接面积，这可能导致不足够的附接力。此外，当导线142(具体地，核心层142a)具有圆形、椭圆形或者曲线球形横截面时，可以进一步减小电极42和44与导线142之间的附接面积，这会导致电极42和44与导线142之间的低的附接力。考虑到这一点，在本实施方式中，通过控制在固接之后的汇流条线42b的形状以及导线142的形状和连接结构，可以增加电极42和44与导线142之间的连接，并且可以增加通过导线142的反射或者漫反射。下面将参照图5和图6来对此进行详细的描述。下面的描述关注于第一电极42，并且相同或相似的描述可以被应用到第二电极44。
图6的(a)是例示了第一导线部1421的在与导线142的纵向方向垂直的方向上截取的截面图，并且图6的(b)是例示了第二导线部1422的在与导线142的纵向方向垂直的方向上截取的截面图。图7是沿着图4的线VII-VII截取的示意截面图。此外，作为参考，图8是对通过将导线142附接到具有焊盘部422的汇流条线42b而制造的实际太阳能电池面板的一部分进行拍摄的照片。图6是例示了图5中例示的第一导线部和第二导线部的在与导线的纵向方向垂直的方向上截取的截面图。
在固接处理中，例如，在导线142(在其外表上具有助焊剂层)被设置在太阳能电池150的电极42和44(例如，汇流条线42b)上的状态下执行施加热和压力的焊接处理。然后，当由焊接材料形成的焊料层142b通过加热而熔化并硬化时，导线142被固定并附接到电极42和44。因此，导线142电连接并物理地固定到电极42和44。虽然使用助焊剂层以防止电极42和44的氧化，但是助焊剂层不是必要的并且可以被省略。
此时，焊料层142b根据其中包含的焊接材料而在其熔化状态下具有不同的可湿度(wettability)。也就是说，焊料层142b或者焊接材料对包含金属作为主要成分的焊盘部422具有高的可湿度，但是对包含绝缘材料并且配置半导体基板160或者包含半导体材料的太阳能电池150的外表面的绝缘层(例如，第一钝化膜22和第二钝化膜32和/或抗反射膜24)具有低的可湿度。
因此，熔化的焊接材料被聚集到具有相对大的宽度W11的焊盘部422并且在焊盘部422上广泛地扩展，但是在具有相对小的宽度W12的线部421(或者在没有设置线部421时的半导体基板160或者绝缘层)上将不存在熔化的焊接材料。按照这种方式，在完成焊接处理之后，大量的熔化的焊接材料在导线142的位于焊盘部422上的第一导线部1421上凝结并硬化，因此形成焊料层142b。另一方面，当仅少量的熔化的焊接材料硬化时，在除了焊盘部422以外的剩余区域(例如，线部421上的区域或者焊盘部422之间的区域)上形成焊料层142b。因此，第一导线部1421和第二导线部1422具有不同的形状。在本实施方式中，通过为汇流条线42b提供具有大的宽度的焊盘部422，提高了使用焊料层142b的特性的导线142的附接和反射。下面将对此进行更详细的描述。
参照图6至图8，第一导线部1421的厚度T1大于第二导线部1422的厚度T2，并且第一导线部1421的上表面(即，第一导线部1421的远离太阳能电池150的表面)处于比第二导线部1422的上表面(即，第二导线部1422的远离太阳能电池150的表面)更向外凸地凸出的位置。
在一个示例中，第二导线部1422的厚度T2与第一导线部1421的厚度T1的比率可以在1︰1.05至1︰1.5的范围内。在本说明书中，第一导线部1421的厚度T1可以是第一导线部1421的最厚部分的厚度(或者在穿过焊盘部422的中心的第一导线部1421的横截面的厚度)，并且第二导线部1422的厚度T2可以是第二导线部1422的最薄部分的厚度(或者第二导线部1422的中心的厚度，例如，两个相邻的焊盘部422之间的中心的厚度)。当比率在1︰1.05以下时，第一导线部1421的厚度可能不够，这可能引起第一导线部1421与焊盘部422之间的连接的劣化，并且可能减弱在通过第一导线部1421获得的在反射方面的改进。因为核心层142a在第一导线部1421和第二导线部1422中的宽度W(或者直径或者厚度)相同，所以比率可以不超过1︰1.5的值。然而，本发明构思不限于此，并且比率可以具有各种值。
另选地，如上所述，当核心层142a的宽度W在250μm至500μm的范围内时，第二导线部1422的厚度T2可以在250μm至580μm的范围内，并且第一导线部1421的厚度T1可以在265.5μm至870μm的范围内。考虑到例如在固接之前焊料层142b的厚度和焊盘部422的宽度，该范围被限制在可以提高由于第一导线部1421导致的效果的范围内。
然而，本发明构思不限于例如第一导线部1421的厚度T1和第二导线部1422的厚度T2及其比率的数值范围。
此时，因为第一导线部1421的核心层142a的厚度与第二导线部1422的核心层142a的厚度彼此相同或者极其相似，所以第一导线部1421的焊料层142b的厚度可以大于第二导线部1422的焊料层142b的厚度。这里，第一导线部1421的焊料层142b的厚度是第一导线部1421的最厚部分中的焊料层142b的厚度之和。此外，第二导线部1422的焊料层142b的厚度是第二导线部1422的最薄部分中的焊料层142b的厚度之和。
此时，第一导线部1421的核心层142a可以与焊盘部422接触并且附接到焊盘部422。另选地，虽然焊料层142b的第一下部A1可以保持在第一导线部1421的核心层142a与焊盘部422之间，但是第一下部A1的厚度可以不大。例如，第一下部A1的厚度T11可以是10μm或者更小(例如，5μm或者更小，更具体地，1μm或者更小)。这是因为与焊盘部422邻接的熔化的焊接材料的一部分对焊盘部422具有高的可湿度，因此熔化的焊接材料在其在整个焊盘部422上扩展的状态下在焊盘部422的整个区域上硬化。此外，因为导线142在固接期间被按压到太阳能电池150以提高到太阳能电池150的附接，所以第一下部A1未被设置或者具有小的厚度。
此外，第一导线部1421的位于核心层142a上方的焊料层142b的远离太阳能电池150的位置的第一上部B1可以具有比第一下部A1的厚度T11大的厚度T12。因为第一下部A1如上所述地未被设置或者具有小的厚度，所以在焊盘部422上凝结的大部分熔化的焊接材料位于第一上部B1中。因此，第一上部B1具有向外凸地凸出的弯曲表面。随后将对此进行详细的描述。在一个示例中，第一上部B1的厚度T12可以在12.5μm至290μm的范围内。
此外，第二导线部1422的核心层142a可以与线部421接触并且附接到线部421，或者可以仅与线部421接触地放置而不固定到线部421。另选地，虽然焊料层142b的第二下部A2可以保持在第二导线部1422的核心层142a与线部421之间，但是第二下部A2的厚度可以不大。例如，第二下部A2的厚度T21可以为10μm或者更小(例如，5μm或者更小，更具体地，1μm或者更小)。这是因为一旦第二导线部1422的核心层142a下面的焊接材料被熔化，那么焊接材料就会移动到对其具有高的可湿度的焊盘部422，因此凝结在焊盘部422上，并且因此仅少量焊接材料保留在线部421上并硬化。此外，因为导线142在固接期间被按压到太阳能电池150以提高到太阳能电池150的附接，所以第二下部A2未被设置或者具有小的厚度。
此外，第二导线部1422的位于核心层142a上方的焊料层142b的远离太阳能电池150的位置的第二上部B2可以具有等于或大于第二下部A2的厚度T21的厚度T22。这是因为第二导线部1422的上部中的焊料层142b被熔化并向下移动到焊盘部422，并且因为焊接材料可以在上部中呈现比在第二导线部1422的下部中低的流动速率。在一个示例中，上部中的焊料层142b的厚度可以为40μm或者更小(例如，10μm或者更小)。
此外，第二上部B2的厚度T22可以小于第一上部B1的厚度T12。这是因为熔化的材料可以凝结在第一上部B1中，使得第一上部B1如上所述地具有比第二上部B2大的厚度。因为第一下部A1和第二下部A2如上所述地未被形成或者仅具有小的厚度，所以第一导线部1421的第一厚度T1与第二导线部1422的第二厚度T2之间的差实际上可以是第一上部B1的厚度T12与第二上部B2的厚度T22之间的差。因此，例如，第一上部B1的厚度T12与第二上部B2的厚度T22之间的差可以在12.5μm至290μm的范围内。
然而，本发明构思不限于例如第一下部A1的厚度T11、第一上部B1的厚度T12、第二下部A2的厚度T21以及第二上部B2的厚度T22及其比率的数值范围。
以上通过示例的方式描述了设置有线部421的情况。然而，在没有线部421的情况下，仅手指线42a可以位于焊盘部422之间，或者也可以省略手指线42a。在这种情况下，第二导线部1422的核心层142a可以与手指线42a、绝缘层等接触，或者具有小的厚度的第二下部A2可以保留在手指线42a或者绝缘层上。
此外，当观看与纵向方向垂直的横截面时，第一导线部1421的远离太阳能电池150的部分根据核心层142a的形状而具有随着到太阳能电池150的距离的减小而逐渐增加的宽度。第一导线部1421的靠近太阳能电池150的部分也具有逐渐增加的宽度，因为焊料层142b在熔化的焊接材料在横向扩展的状态下硬化时而形成。
更具体地，在第一导线部1421的与纵向方向垂直的横截面中，远离太阳能电池150的部分可以具有向外凸地凸出的弯曲表面。在一个示例中，在第一导线部1421的与纵向方向垂直的横截面中，远离太阳能电池150的部分可以具有近似半圆或者半椭圆的形状。如此，光被第一导线部1421的凸地凸出的部分反射或者漫反射以被引导至前基板110，然后被前基板110完全反射以被再次引导至太阳能电池150。按照这种方式，可以重复利用光，导致照度的增加。
此外，在第一导线部1421的与纵向方向垂直的横截面中，靠近太阳能电池150的部分可以具有向外凹的弯曲表面，并且可以具有随着到太阳能电池150的距离的减小而逐渐增加的宽度。因此，拐点IP位于第一导线部1421的与纵向方向垂直的横截面中的靠近太阳能电池150的部分与远离太阳能电池150的部分之间。这是因为熔化的焊接材料在所述熔化的焊接材料在焊盘部422的整个区域的大部分区域上扩展的状态下硬化。然而，本发明构思不限于此，并且第一导线部1421的横截面可以具有各种形状。
此时，靠近太阳能电池150的部分(即，与电极42和44接触的部分)中的第一导线部1421的第一宽度W1可以具有与焊盘部422的宽度W11类似的大的值，并且因此可以大于核心层142a的宽度W。
在一个示例中，第一导线部1421的第一宽度W1可以大于线部421的宽度W12，并且可以等于或小于焊盘部422的宽度W11。例如，第一导线部1421的第一宽度W1可以在0.25mm至2.5mm的范围内(例如，在0.5mm至2mm的范围内)。这是因为熔化的焊接材料对半导体基板160或者绝缘层具有低的可湿度，并且因此如上所述不会充分地脱离焊盘部422。然而，本发明构思不限于此。
当在如图5的放大的圆圈中所示例的平面图中观看第一导线部1421时，第一导线部1421可以具有占据焊盘部422的大部分的圆形、椭圆形或者球形状。
此外，当在与纵向方向垂直的横截面中观看时，第二导线部1422的远离太阳能电池150的部分根据核心层142a形状具有随着到太阳能电池150的距离的减小而逐渐增加的宽度。第二导线部1422的靠近太阳能电池150的部分具有随着到太阳能电池150的距离的减小而逐渐减小的宽度，以便与核心层142a的形状对应。这是因为线部421的宽度W12小于核心层142a的宽度W，并因此熔化的焊接材料在以下的状态下硬化：熔化的焊接材料移动到靠近对应的线部421的焊盘部422，并且在线部421周围的半导体基板160或者绝缘层上不存在熔化的焊接材料。
在一个示例中，当在与纵向方向垂直的横截面中观看时，第二导线部1422的外表面可以在整体上具有由凸的弯曲表面限定的球形形状。例如，第二导线部1422的外表面可以配置近似圆形或者椭圆形状的部分。此外，如图5的放大的圆圈中所示例的，第二导线部1422的平面形状可以是具有相等宽度的延长线。
此时，第二导线部1422的靠近太阳能电池150(即，与电极42和44接触)的部分的第二宽度W2可以具有与线部421的宽度W12类似的小的值，并且因此可以小于核心层142a的宽度W。
在一个示例中，第二导线部1422的第二宽度W2可以等于或小于线部421的宽度W12。例如，第二导线部1422的第二宽度W2可以为490μm或者更小(例如，在30μm至350μm的范围内)。这是因为熔化的焊接材料对半导体基板160具有低的可湿度，并且因此如上所述不会充分地脱离线部421。然而，本发明构思不限于此。
因此，第一导线部1421的第一宽度W1可以大于第二导线部1422的第二宽度W2。例如，第二导线部1422的第二宽度W2可以是第一导线部1421的第一宽度W1的36％或者更小(例如，25％或者更小)。这受限于考虑到焊盘部422的宽度W11和线部421的宽度W12而获得的值。
在本实施方式中，第一导线部1421的厚度T1可以小于第一导线部1421的第一宽度W1。当第一导线部1421的第一宽度W1等于或小于第一导线部1421的厚度T1时，施加到太阳能电池150的应力在第一导线部1421被附接的位置处增加，这会导致缺陷或者裂纹。
在一个示例中，第一导线部1421的第一宽度W1与第一导线部1421的厚度T1的比率可以在1︰0.3至1︰0.6的范围内。当比率超过1︰0.6时，施加到太阳能电池150的应力在第一导线部1421被附接的位置处增加，这会导致缺陷或者裂纹。当比率在1︰0.3以下时，第一导线部1421的厚度T1不够，导致第一导线部1421与电极42和44之间的连接不充分。然而，本发明构思不限于此，并且该比率可以具有各种值。
当位于焊盘部422(其具有比线部421的宽度大的宽度并且基本上用作附接导线142的部分)中的第一导线部1421的厚度T1具有大的值时，可以使位于焊盘部422上的导线142的体积最大化。因此，可以改进焊盘部422与导线142之间的附接，并且可以减小接触电阻。此外，位于焊盘部422上的第一导线部1421可以具有相对大的直径、第一宽度W1或者可由于凝结而导致的厚度，这可以改进由第一导线部1421的反射或者漫反射。按照这种方式，可以增加太阳能电池面板100的输出。
以上描述的特征、配置、效果等被包括在本发明构思的实施方式中的至少一个中，并且不应该受限于仅一个实施方式。此外，当如在所述实施方式中例示的特征、配置、效果等被本领域技术人员彼此组合或者修改时，它们可以针对其它实施方式被实现。因此，与这些组合和修改相关的内容应该被解释为包括本发明构思的如在所附的权利要求中公开的范围和精神。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年8月7日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0111715的优先权权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被并入到本文中。

Claims (20)

1.一种太阳能电池面板，该太阳能电池面板包括：
多个太阳能电池，所述多个太阳能电池各自包括半导体基板和形成在所述半导体基板上的电极；以及
导线，所述导线用于将所述太阳能电池互连，
其中，所述电极包括具有用于附接所述导线的焊盘部的汇流条线，
其中，所述导线包括连接到所述焊盘部的第一导线部、以及位于所述焊盘部以外的部分上的第二导线部，并且
其中，所述第一导线部的厚度比所述第二导线部的厚度大。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池面板，其中，所述第二导线部的厚度与所述第一导线部的厚度的比率在1︰1.05至1︰1.5的范围内。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池面板，其中，所述第一导线部的厚度比所述第一导线部的靠近所述焊盘部的宽度小。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池面板，其中，所述第一导线部的靠近所述焊盘部的宽度与所述第一导线部的厚度的比率在1︰0.3至1︰0.6的范围内。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池面板，其中，所述导线包括核心层和设置在所述核心层的外表面上的焊料层，并且
其中，所述第一导线部的焊料层的厚度比所述第二导线部的焊料层的厚度大。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池面板，其中，所述焊料层不设置在所述核心层与所述焊盘部之间的所述第一导线部中，或者所述焊料层包括位于所述核心层与所述焊盘部之间的下部以及远离所述太阳能电池的上部，所述下部的厚度小于所述上部的厚度。
7.根据权利要求5所述的太阳能电池面板，其中，所述第一导线部的所述焊料层包括远离所述太阳能电池的上部，所述第二导线部的所述焊料层包括远离所述太阳能电池的上部，并且所述第一导线部的所述焊料层的所述上部的厚度比所述第二导线部的所述焊料层的所述上部的厚度大。
8.根据权利要求5所述的太阳能电池面板，其中，所述核心层具有圆形或者椭圆形横截面形状。
9.根据权利要求5所述的太阳能电池面板，其中，所述核心层具有在250μm至500μm的范围内的宽度，
其中，所述第一导线部的厚度在265.5μm至870μm的范围内，并且
其中，所述第二导线部的厚度在250μm至580μm的范围内。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池面板，其中，在所述第一导线部的靠近所述太阳能电池的部分中，所述第一导线部的宽度随着到所述太阳能电池的距离减小而逐渐增加，并且
在所述第二导线部的靠近所述太阳能电池的部分中，所述第二导线部的宽度随着到所述太阳能电池的距离减小而逐渐减小。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池面板，其中，在所述第一导线部的与纵向方向垂直的横截面中，拐点位于远离所述太阳能电池的部分与靠近所述太阳能电池的部分之间。
12.根据权利要求1所述的太阳能电池面板，其中，在所述第一导线部的与纵向方向垂直的横截面中，远离所述太阳能电池的部分具有向外凸地弯曲的外表面。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池面板，其中，在所述第一导线部的与纵向方向垂直的横截面中，远离所述太阳能电池的所述部分具有半圆形状或者半椭圆形状。
14.根据权利要求1所述的太阳能电池面板，其中，靠近所述太阳能电池的所述第一导线部的宽度比靠近所述太阳能电池的所述第二导线部的宽度大。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池面板，其中，靠近所述太阳能电池的所述第二导线部的宽度是靠近所述太阳能电池的所述第一导线部的宽度的36％或者更小。
16.根据权利要求1所述的太阳能电池面板，其中，所述电极还包括宽度比所述焊盘部的宽度小的线部，
其中，所述第二导线部位于所述线部上，
其中，所述导线包括核心层和设置在所述核心层的外表面上的焊料层，并且
其中，所述核心层具有比所述线部的宽度大的直径。
17.根据权利要求16所述的太阳能电池面板，其中，靠近所述太阳能电池的所述第一导线部的宽度等于或小于所述焊盘部的宽度并且大于所述线部的宽度。
18.根据权利要求16所述的太阳能电池面板，其中，靠近所述太阳能电池的所述第二导线部的宽度等于或小于所述线部的宽度。
19.根据权利要求16所述的太阳能电池面板，其中，所述线部的宽度在490μm以下，并且，
其中，所述焊盘部的宽度在0.5mm至2mm的范围内。
20.根据权利要求1所述的太阳能电池面板，其中，所述导线按照6至33的范围内的数目设置在每个太阳能电池的一个表面上。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110311002A (zh) * 2018-03-22 2019-10-08 Lg电子株式会社 太阳能电池板的互连构件和包括该构件的太阳能电池板
CN110611007A (zh) * 2019-05-14 2019-12-24 友达光电股份有限公司 太阳能电池
CN114823961A (zh) * 2022-06-27 2022-07-29 浙江晶科能源有限公司 光伏组件结构

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106571412B (zh) * 2015-10-12 2018-05-01 Lg电子株式会社 用于附接太阳能电池板的互连器的设备和方法
EP3324448B1 (en) 2016-11-17 2019-09-11 LG Electronics Inc. Solar cell panel
CN107170844A (zh) * 2017-07-10 2017-09-15 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种无主栅的太阳能电池片及光伏组件
WO2019143218A1 (ko) * 2018-01-22 2019-07-25 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
KR102496629B1 (ko) * 2018-03-22 2023-02-06 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 태양 전지 패널
KR102192443B1 (ko) * 2018-03-22 2020-12-17 엘지전자 주식회사 태양 전지 패널용 배선재 및 이를 포함하는 태양 전지 패널
TW202112054A (zh) * 2019-06-03 2021-03-16 美商索拉利亞股份有限公司 低指間距疊瓦太陽能電池
CN112447874A (zh) * 2019-08-16 2021-03-05 福建金石能源有限公司 一种光伏焊带及其无主栅太阳能模组
JP7483596B2 (ja) 2020-12-07 2024-05-15 文化シヤッター株式会社 開閉装置及びこの開閉装置の製造方法
CN115084301B (zh) * 2022-01-13 2024-01-23 浙江晶科能源有限公司 太阳能组件
CN115101617B (zh) * 2022-01-13 2024-01-19 浙江晶科能源有限公司 太阳能组件
JP2023157621A (ja) * 2022-04-15 2023-10-26 パナソニックホールディングス株式会社 太陽電池モジュール
CN115732580A (zh) * 2022-12-12 2023-03-03 浙江晶科能源有限公司 光伏组件

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1323067A (zh) * 1999-11-22 2001-11-21 佳能株式会社 光电元件及其制造方法和包线与导体的连接方法
WO2007037184A1 (ja) * 2005-09-28 2007-04-05 Neomax Materials Co., Ltd. 太陽電池用電極線材の製造方法
JP2007287749A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Sharp Corp インターコネクタ付き太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
CN101488534A (zh) * 2009-02-24 2009-07-22 珈伟太阳能(武汉)有限公司 一种提高硅太阳电池效率的发射极结构
CN101702411A (zh) * 2009-09-29 2010-05-05 珈伟太阳能(武汉)有限公司 布线硅基太阳电池结构
JP2011049514A (ja) * 2009-07-27 2011-03-10 Sekisui Chem Co Ltd 電極形成用転写シート及び太陽電池の製造方法
US20130025673A1 (en) * 2010-04-01 2013-01-31 Somont Gmbh Solar cells and method for producing same
CN103367546A (zh) * 2013-07-12 2013-10-23 余小翠 一种光伏电池正面电极的制备工艺
JP2014103300A (ja) * 2012-11-21 2014-06-05 Choshu Industry Co Ltd 光発電装置
CN104064609A (zh) * 2014-05-30 2014-09-24 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种背接触太阳能电池组件及其制备方法
CN204204882U (zh) * 2014-09-28 2015-03-11 苏州中来光伏新材股份有限公司 无主栅高效率背接触太阳能电池组件

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07335922A (ja) * 1994-06-07 1995-12-22 Canon Inc 光起電力素子及びその製造方法
JP2006278695A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Kyocera Corp 太陽電池モジュール
US20090277491A1 (en) 2005-10-14 2009-11-12 Sharp Kabushiki Kaisha Solar Cell, Interconnector-Equipped Solar Cell, Solar Cell String And Solar Cell Module
JP4138795B2 (ja) * 2005-10-14 2008-08-27 シャープ株式会社 インターコネクタ付き太陽電池セル、および、それを用いる太陽電池ストリング、ならびに、その太陽電池ストリングを用いる太陽電池モジュール
JP2007273857A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池セル接続用配線部材およびそれを用いた太陽電池装置
JP4174545B1 (ja) * 2007-05-10 2008-11-05 シャープ株式会社 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
JP2009130117A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Sharp Corp 太陽電池セルおよび半導体装置連結体ならびにその接続配線
US8586857B2 (en) * 2008-11-04 2013-11-19 Miasole Combined diode, lead assembly incorporating an expansion joint
DE102009003491A1 (de) * 2009-02-16 2010-08-26 Q-Cells Se Solarzellenstring und Solarmodul mit derartigen Solarzellenstrings
WO2010125679A1 (ja) 2009-04-30 2010-11-04 三菱電機株式会社 太陽電池セル
EP2348539B1 (en) 2010-01-19 2019-05-29 SolarWorld Industries GmbH Photovoltaic cell electrode and method for electrically connecting a photovoltaic cell
DE102010017180A1 (de) * 2010-06-01 2011-12-01 Solarworld Innovations Gmbh Solarzelle, Solarmodul, und Verfahren zum Verdrahten einer Solarzelle, und Kontaktdraht
KR101642152B1 (ko) * 2010-08-20 2016-07-22 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
KR101732633B1 (ko) * 2011-05-26 2017-05-04 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
JP6050661B2 (ja) * 2012-11-21 2016-12-21 長州産業株式会社 光発電装置の製造方法
KR20140109522A (ko) * 2013-02-27 2014-09-16 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
WO2014165238A1 (en) * 2013-03-12 2014-10-09 Crystal Solar Incorporated Low shading loss solar module
JP2014192367A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池モジュール及びその製造方法
KR102053138B1 (ko) 2013-09-27 2019-12-06 엘지전자 주식회사 태양 전지
KR101542002B1 (ko) 2014-04-21 2015-08-04 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1323067A (zh) * 1999-11-22 2001-11-21 佳能株式会社 光电元件及其制造方法和包线与导体的连接方法
WO2007037184A1 (ja) * 2005-09-28 2007-04-05 Neomax Materials Co., Ltd. 太陽電池用電極線材の製造方法
JP2007287749A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Sharp Corp インターコネクタ付き太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
CN101488534A (zh) * 2009-02-24 2009-07-22 珈伟太阳能(武汉)有限公司 一种提高硅太阳电池效率的发射极结构
JP2011049514A (ja) * 2009-07-27 2011-03-10 Sekisui Chem Co Ltd 電極形成用転写シート及び太陽電池の製造方法
CN101702411A (zh) * 2009-09-29 2010-05-05 珈伟太阳能(武汉)有限公司 布线硅基太阳电池结构
US20130025673A1 (en) * 2010-04-01 2013-01-31 Somont Gmbh Solar cells and method for producing same
JP2014103300A (ja) * 2012-11-21 2014-06-05 Choshu Industry Co Ltd 光発電装置
CN103367546A (zh) * 2013-07-12 2013-10-23 余小翠 一种光伏电池正面电极的制备工艺
CN104064609A (zh) * 2014-05-30 2014-09-24 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种背接触太阳能电池组件及其制备方法
CN204204882U (zh) * 2014-09-28 2015-03-11 苏州中来光伏新材股份有限公司 无主栅高效率背接触太阳能电池组件

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110311002A (zh) * 2018-03-22 2019-10-08 Lg电子株式会社 太阳能电池板的互连构件和包括该构件的太阳能电池板
CN110311002B (zh) * 2018-03-22 2022-12-23 上饶市晶科绿能科技发展有限公司 太阳能电池板的互连构件和包括该构件的太阳能电池板
CN110611007A (zh) * 2019-05-14 2019-12-24 友达光电股份有限公司 太阳能电池
CN110611007B (zh) * 2019-05-14 2021-10-22 友达光电股份有限公司 太阳能电池
CN114823961A (zh) * 2022-06-27 2022-07-29 浙江晶科能源有限公司 光伏组件结构
US11984518B2 (en) 2022-06-27 2024-05-14 Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. Photovoltaic module

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