CN106413945A - 金属糊料及其用于连接部件的用途 - Google Patents

金属糊料及其用于连接部件的用途 Download PDF

Info

Publication number
CN106413945A
CN106413945A CN201580022549.3A CN201580022549A CN106413945A CN 106413945 A CN106413945 A CN 106413945A CN 201580022549 A CN201580022549 A CN 201580022549A CN 106413945 A CN106413945 A CN 106413945A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal
weight
thickener
methyl
atom
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201580022549.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106413945B (zh
Inventor
J.纳赫赖纳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heraeus Deutschland GmbH and Co KG
Original Assignee
Heraeus Precious Metals GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Precious Metals GmbH and Co KG filed Critical Heraeus Precious Metals GmbH and Co KG
Publication of CN106413945A publication Critical patent/CN106413945A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106413945B publication Critical patent/CN106413945B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/06—Metallic powder characterised by the shape of the particles
    • B22F1/068—Flake-like particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/10—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/10—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
    • B22F1/102—Metallic powder coated with organic material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/10—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
    • B22F1/103—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material containing an organic binding agent comprising a mixture of, or obtained by reaction of, two or more components other than a solvent or a lubricating agent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • B22F7/08—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools with one or more parts not made from powder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/023—Alloys based on aluminium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/026—Alloys based on copper
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29124—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/29294—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a liquid not provided for in groups H01L2224/292 - H01L2224/29291
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8384—Sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

本发明涉及金属糊料，其含有(A)75至90重量%的以包含涂层的粒子形式存在的至少一种金属，所述涂层含有至少一种有机化合物，(B)0至12重量%的至少一种金属前体，(C)6至20重量%的至少两种有机溶剂的混合物，和(D)0至10重量%的至少一种烧结助剂，其特征在于溶剂混合物(C)的30至60重量%由至少一种除在倒数第二个C原子上的甲基取代外未被取代的具有16‑20个C原子的1‑羟基烷烃构成。

Description

金属糊料及其用于连接部件的用途
本发明涉及金属糊料和使用所述金属糊料连接部件的方法。
在电力电子产品和消费电子产品中，具有高的压敏和温敏性的部件，如LED或极薄硅片的连接特别具有挑战性。
因此，此类压敏和温敏部件通常借助胶粘互相连接。但是，胶粘技术的缺点在于这在部件之间产生只有不足的热导率和/或电导率的接触点。
为了解决这一问题，通常对要连接的部件施以烧结。烧结技术是用于稳定连接部件的非常简单的方法。
但是，传统烧结法需要高工艺压力和/或高工艺温度。这些条件通常对要连接的部件造成破坏，以致在许多用途中排除传统烧结法。
在电力电子产品领域中已知在烧结法中使用金属糊料连接部件。
WO2011/026623 A1公开了一种金属糊料，其含有75至90重量%（重量百分比）的以包含含有至少一种有机化合物的涂层的粒子形式存在的至少一种金属、0至12重量%的至少一种金属前体、6至20重量%的至少一种溶剂和0.1至15重量%的至少一种烧结助剂，以及所述金属糊料用于通过烧结法连接部件的用途。
本发明的目的是提供一种可以在例如200至250℃的温度下甚至在不加压力下进行的稳定连接部件的烧结方法。通过该方法应当在要连接的部件之间形成具有低孔隙率和高电导率和热导率的接触点。本发明的另一目的是提供适合用于实施这种类型的烧结方法的金属糊料。
本发明涉及用于连接部件的方法，其中(a) 提供含有至少(a1) 部件1、(a2) 部件2和(a3) 位于部件1和部件2之间的金属糊料的夹芯布置（Anordnung），和(b) 烧结所述夹芯布置，其中所述金属糊料包含(A) 75至90重量%的以包含含有至少一种有机化合物的涂层的粒子形式存在的至少一种金属，(B) 0至12重量%的至少一种金属前体，(C) 6至20重量%的至少两种有机溶剂的混合物，和(D) 0至10重量%的至少一种烧结助剂，其特征在于溶剂混合物(C)的30至60重量%由至少一种除在倒数第二个C原子上的甲基取代外未被取代的具有16-20个C原子的1-羟基烷烃构成。
本发明还涉及金属糊料，其含有(A) 75至90重量%的以包含含有至少一种有机化合物的涂层的粒子形式存在的至少一种金属，(B) 0至12重量%的至少一种金属前体，(C) 6至20重量%的至少两种有机溶剂的混合物，和(D) 0至10重量%的至少一种烧结助剂，其特征在于溶剂混合物(C)的30至60重量%由至少一种除在倒数第二个C原子上的甲基取代外未被取代的具有16-20个C原子的1-羟基烷烃构成。
本发明的金属糊料含有75至90重量%，优选77至89重量%，更优选78至87重量%，再更优选78至86重量%的以包含含有至少一种有机化合物的涂层的粒子形式存在的至少一种金属。目前给出的重量数据包括位于粒子上的涂料化合物的重量。
术语金属包括纯金属和金属合金。
在本发明的范围内，术语金属是指在元素周期表中在与硼相同的周期中但在硼左边、在与硅相同的周期中但在硅左边、在与锗相同的周期中但在锗左边和在与锑相同的周期中但在锑左边的元素以及具有大于55的原子序数的所有元素。
在本发明的范围内，纯金属应被理解为是以至少95重量%，优选至少98重量%，更优选至少99重量%，再更优选至少99.9重量%的纯度含有金属的金属。
根据一个优选实施方案，该金属是铜、银、金、镍、钯、铂或铝，特别是银。
金属合金应被理解为是至少两种组分的金属混合物，其中至少一种组分是金属。
根据一个优选实施方案，使用含有铜、铝、镍和/或贵金属的合金作为金属合金。该金属合金优选包含至少一种选自铜、银、金、镍、钯、铂和铝的金属。特别优选的金属合金含有至少两种选自铜、银、金、镍、钯、铂和铝的金属。此外，选自铜、银、金、镍、钯、铂和铝的金属的含量可以优选占该金属合金的至少90重量%，优选至少95重量%，更优选至少99重量%，再更优选100重量%。该合金可以例如是含有铜和银、铜、银和金、铜和金、银和金、银和钯、铂和钯或镍和钯的合金。
本发明的金属糊料可含有纯金属、多种类型的纯金属、一种类型的金属合金、多种类型的金属合金或其混合物作为金属。
该金属以粒子形式存在于该金属糊料中。
该金属粒子的形状可以不同。该金属粒子可以例如以薄片形式存在或为球体（类球）形状。根据一个特别优选的实施方案，该金属粒子呈薄片形状。但是，这不排除次要含量的所用粒子可具有不同形状。但是，优选至少70重量%，更优选至少80重量%，再更优选至少90重量%或100重量%的粒子以薄片形式存在。
该金属粒子是经涂覆的。
术语粒子的涂层应被理解为是指在粒子表面上的牢固附着层。
金属粒子的涂层含有至少一种类型的涂料化合物。
所述涂料化合物是有机化合物。
充当涂料化合物的有机化合物是防止金属粒子附聚的含碳化合物。
根据一个优选实施方案，该涂料化合物带有至少一个官能团。可想到的官能团特别包括羧酸基团、羧酸酯基团、酯基团、酮基团、醛基团、氨基基团、酰胺基团、偶氮基团、酰亚胺基团或腈基团。羧酸基团和羧酸酯基团是优选的官能团。羧酸基团可以是去质子的。
具有至少一个官能团的涂料化合物优选是饱和、单不饱和或多不饱和的有机化合物。
此外，具有至少一个官能团的所述涂料化合物可以是支化或非支化的。
具有至少一个官能团的涂料化合物优选包含1至50，更优选2至24，再更优选6至24，再更优选8至20个碳原子。
该涂料化合物可以是离子型或非离子型的。
优选使用游离脂肪酸、脂肪酸盐或脂肪酸酯作为涂料化合物。
该游离脂肪酸、脂肪酸盐和脂肪酸酯优选是非支化的。
此外，该游离脂肪酸、脂肪酸盐和脂肪酸酯优选是饱和的。
优选的脂肪酸盐是铵、单烷基铵、二烷基铵、三烷基铵、铝、铜、锂、钠和钾的盐。
烷基酯，特别是甲基酯、乙基酯、丙基酯和丁基酯是优选的酯。
根据一个优选实施方案，该游离脂肪酸、脂肪酸盐或脂肪酸酯是具有8至24，更优选10至24，再更优选12至18个碳原子的化合物。
优选的涂料化合物包括羊脂酸（辛酸）、羊蜡酸（癸酸）、月桂酸（十二烷酸）、肉豆蔻酸（十四烷酸）、棕榈酸（十六烷酸）、十七酸（十七烷酸）、硬脂酸（十八烷酸）、花生酸（二十烷酸/二十酸）、山嵛酸（二十二烷酸）、木蜡酸（二十四烷酸）以及相应的酯和盐。
特别优选的涂料化合物是十二烷酸、十八烷酸、硬脂酸铝、硬脂酸铜、硬脂酸钠、硬脂酸钾、棕榈酸钠和棕榈酸钾。
可以借助现有技术中已知的传统方法将该涂料化合物施加到金属粒子的表面上。
可以例如将涂料化合物，特别是上文提到的硬脂酸盐或棕榈酸盐在溶剂中悬浮并在球磨机中与金属粒子一起研磨该悬浮的涂料化合物。在研磨后，将被该涂料化合物涂覆的金属粒子干燥，然后除去粉尘。
优选地，整个涂层中有机化合物的含量，特别是选自具有8至24，更优选10至24，再更优选12至18个碳原子的游离脂肪酸、脂肪酸盐和脂肪酸酯的化合物的含量为至少60重量%，更优选至少70重量%，再更优选至少80重量%，再更优选至少90重量%，特别是至少95重量%、至少99重量%或100重量%。
通常，涂料化合物，优选选自具有8至24，更优选10至24，再更优选12至18个碳原子的游离脂肪酸、脂肪酸盐和脂肪酸酯的涂料化合物的含量为该经涂覆的金属粒子的重量的0.01至2重量%，优选0.3至1.5重量%。
涂覆程度——被定义为涂料化合物的质量与金属粒子的表面积的比率——优选为0.00005至0.03克，更优选0.0001至0.02克涂料化合物/平方米（m2）金属粒子表面积。
本发明的金属糊料含有0至12重量%，优选0.1至12重量%，更优选1至10重量%，再更优选2至8重量%的至少一种金属前体。
在本发明的范围内，金属前体应被理解为是指含有至少一种金属的化合物。优选地，这是在低于200℃的温度下分解以释放金属的化合物。相应地，在该烧结法中使用金属前体时优选原位形成金属。可以容易地确定化合物是否是金属前体。例如，可以在具有银表面的基底上沉积含有受试化合物的糊料，加热到200℃并保持这一温度20分钟。然后，测试受试化合物是否在这些条件下分解。为此，例如，可以在该试验前称重该含金属的糊料组分的含量并由此计算金属的理论质量。在该试验后，通过重量分析法测定沉积在基底上的材料的质量。如果沉积在基底上的材料的质量等于金属的理论质量，其中考虑到常见的测量偏差，则受试化合物是金属前体。
根据一个优选实施方案，该金属前体是可吸热分解的金属前体。可吸热分解的金属前体应被理解为是其热分解（优选在保护气体气氛中）是吸热过程的金属前体。所述热分解应导致从金属前体中释放金属。
根据另一优选实施方案，该金属前体具有也包含于微粒金属(A)中的金属。
该金属前体优选包含至少一种选自铜、银、金、镍、钯和铂的元素作为金属。
作为金属前体，可以优选使用上文提及的金属的可吸热分解的碳酸盐、乳酸盐、甲酸盐、柠檬酸盐、氧化物或脂肪酸盐，优选具有6至24个碳原子的脂肪酸盐。
在一个特别的实施方案中，使用碳酸银、乳酸银(I)、甲酸银(II)、柠檬酸银、氧化银（例如AgO或Ag2O）、乳酸铜(II)、硬脂酸铜、氧化铜（例如Cu2O或CuO）或氧化金（例如Au2O或AuO）作为金属前体。
根据一个特别优选的实施方案，使用碳酸银、氧化银(I)或氧化银(II)作为金属前体。
如果存在，该金属前体在金属糊料中优选以粒子形式存在。
该金属前体粒子可以为薄片形状或球体（类球）形状。该金属前体粒子优选以薄片形式存在。
本发明的金属糊料含有6至20重量%，优选7至18重量%，更优选8至17重量%，再更优选10至15重量%的至少两种有机溶剂的混合物，其中30至60重量%，优选30至50重量%由至少一种除在倒数第二个C原子上的甲基取代外未被取代的具有16-20个C原子的1-羟基烷烃构成。
除在倒数第二个C原子上的甲基取代外未被取代的具有16-20个C原子的1-羟基烷烃是如下化合物：14-甲基十五烷-1-醇、15-甲基十六烷-1-醇、16-甲基十七烷-1-醇、17-甲基十八烷-1-醇和18-甲基十九烷-1-醇。16-甲基十七烷-1-醇是优选的，并可以以异十八烷醇为名购得。
优选地，所述至少两种有机溶剂的混合物仅含16-甲基十七烷-1-醇作为除在倒数第二个C原子上的甲基取代外未被取代的具有16-20个C原子的1-羟基烷烃。
除30至60重量%，优选30至50重量%的至少一种除在倒数第二个C原子上的甲基取代外未被取代的具有16-20个C原子的1-羟基烷烃外，所述至少两种有机溶剂的混合物相应地含有70至40重量%，优选70至50重量%（即为了补充到100重量%而不足的重量分数）的至少一种附加有机溶剂，即至少一种不同于除在倒数第二个C原子上的甲基取代外未被取代的具有16-20个C原子的1-羟基烷烃的有机溶剂。这是常用于金属糊料的有机溶剂。实例是萜品醇、N-甲基-2-吡咯烷酮、乙二醇、二甲基乙酰胺、1-十三烷醇、2-十三烷醇、3-十三烷醇、4-十三烷醇、5-十三烷醇、6-十三烷醇、异十三烷醇、二元酯（优选戊二酸二甲酯、己二酸二甲酯或丁二酸二甲酯或其混合物）、甘油、二乙二醇、三乙二醇，和脂族烃，特别是具有5至32个C原子，更优选10至25个C原子，再更优选16至20个C原子的饱和脂族烃。此类脂族烃例如由Exxon Mobil以商标名ExxsolTM D140或以商标名Isopar MTM出售。
优选地，至少两种有机溶剂的混合物由30至60重量%，优选30至50重量% 16-甲基十七烷-1-醇和70至40重量%，优选70至50重量%的选自1-十三烷醇、萜品醇和具有16至20个C原子的饱和脂族烃的至少一种有机溶剂构成，其中这些重量%总计为100重量%。
在一个特别的实施方案中，所述至少一种除在倒数第二个C原子上的甲基取代外未被取代并包含于本发明的金属糊料中的1-羟基-C16-C20-烷烃和也包含于本发明的金属糊料中并在金属组分(A)的上下文中解释的所述至少一种涂料化合物在它们的C原子数上相差不大于2，优选不大于1，特别优选完全没有差异。换言之，如果本发明的金属糊料含有游离脂肪酸、脂肪酸盐或脂肪酸酯作为组分(A)的金属粒子的一种或多种此类涂料化合物，则除在倒数第二个C原子上的甲基取代外未被取代并包含于本发明的金属糊料中的一种或多种1-羟基-C16-C20-烷烃和所述（一种或多种）脂肪酸、脂肪酸盐或脂肪酸酯在它们的C原子数上相差不大于2，优选不大于1，特别优选完全没有差异。
本发明的金属糊料含有0至10重量%，优选0至8重量%的至少一种烧结助剂。烧结助剂的实例是如例如WO2011/026623 A1中描述的有机过氧化物、无机过氧化物和无机酸。
除上文阐述的成分(A)至(D)外，本发明的金属糊料还可含有0至15重量%，优选0至12重量%，更优选0.1至10重量%的一种或多种附加成分(E)。所述附加成分可以优选是金属糊料中常用的成分。该金属糊料可含有例如分散剂、表面活性剂、消泡剂、粘合剂、聚合物如纤维素衍生物，例如甲基纤维素、乙基纤维素、乙基甲基纤维素、羧基纤维素、羟丙基纤维素、羟乙基纤维素、羟甲基纤维素和/或粘度控制剂作为附加成分。
成分(A)至(E)的重量%总和为例如本发明的金属糊料（即在其施加前）的100重量%。相应地，可通过混合成分(A)至(E)来制造本发明的金属糊料。在这方面可以使用本领域技术人员已知的常见装置，如搅拌器和三辊磨（Dreiwalzwerk）。
本发明的金属糊料可用作烧结糊料，即用于烧结法。烧结应被理解为是指在避免金属粒子达到液相的情况下通过加热来连接两个或更多个部件。
通过使用本发明的金属糊料实施的烧结法可以在施加压力的情况下进行，或作为本发明的一个优点，在不加压力下进行。可以不加压力下实施烧结法是指尽管放弃施加压力也实现部件之间的足够牢固的连接。能够不加压力实施烧结法的可能性允许在烧结法中使用压敏，例如脆性的或具有机械敏感的结构的部件。具有机械敏感的结构的电子部件在受到不容许的压力时发生电气故障。
连接至少两个部件应被理解为是指将第一部件固定在第二部件上。就此而言，“在...上”仅仅是指将第一部件的表面与第二部件的表面连接，其中不取决于这两个部件或含有所述至少两个部件的布置的相对位置如何。
在本发明的范围内，术语部件优选包括单个零件。所述单个零件优选无法进一步拆开。
根据特别的实施方案，术语部件是指电子产品中使用的零件。
相应地，部件可以例如是二极管、LED（发光二极管）、DCB（直接覆铜）基板、引线框、芯片（Dies）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）、IC（集成电路）、传感器、散热体（优选铝散热体或铜散热体）或其它无源部件（例如电阻、电容器或线圈）。
要连接的部件可以是相同或不同部件。
本发明的优选实施方案涉及LED与引线框的连接、LED与陶瓷衬底的连接、芯片、二极管、IGBT或IC与引线框、陶瓷基板或DCB基板的连接、传感器与引线框或陶瓷基板的连接。在此，该连接可例如在电子部件的铜或银接触面与衬底的铜或银接触面之间实现，即例如可以形成铜-银、铜-铜、银-铜或银-银连接。
如前一段中所述，该部件可包含至少一个金属化层。所述金属化层优选是该部件的一部分。所述金属化层优选位于该部件的至少一个表面上。
优选地，借助本发明的金属糊料的部件连接经由所述一个或多个金属化层实现。
该金属化层可包含纯金属。例如，该金属化层可优选包含至少50重量%，更优选至少70重量%，再更优选至少90重量%或100重量%的纯金属。该纯金属优选选自铜、银、金、钯和铂。
另一方面，该金属化层也可包含合金。该金属化层的合金优选含有至少一种选自银、铜、金、镍、钯和铂的金属。在该金属化层的合金中也可优选含有至少两种选自银、铜、金、镍、钯和铂的金属。
该金属化层也可具有多层结构。例如，要连接的部件的至少一个表面可优选包含由包含上文提及的纯金属和/或合金的多个层制成的金属化层。
在本发明的方法中，至少两个部件通过烧结互相连接。
为此，首先使这两个或更多个部件互相接触。在此，借助本发明的金属糊料实现该接触。为此，提供一种布置，其中使本发明的金属糊料位于所述至少两个部件的每两个之间。
因此，如果两个部件，即部件1和部件2应互相连接，则本发明的金属糊料在烧结之前位于部件1和部件2之间。另一方面，可以设想将多于两个部件互相连接。例如，三个部件，即部件1、部件2和部件3可以以使得部件2位于部件1和部件3之间的方式互相连接。在这种情况下，使本发明的金属糊料既位于部件1和部件2之间也位于部件2和部件3之间。
各个部件存在于夹芯布置中并互相连接。夹芯布置应被理解为是指如下布置：其中两个部件互相叠置并且这些部件基本互相平行布置。
可以根据现有技术中已知的方法制造由至少两个部件和本发明的金属糊料形成的布置，其中该金属糊料位于该布置的两个部件之间。
优选地，首先为部件1的至少一个表面配备本发明的金属糊料。然后，将另一部件2经其表面之一置于已施加到部件1的表面上的金属糊料上。
可以借助传统方法，例如借助印刷法，如丝网印刷或模版印刷将本发明的金属糊料施加到部件的表面上。另一方面，也可以通过分配技术、借助针转移（Pintransfer）或通过浸渍施加本发明的金属糊料。
在施加本发明的金属糊料后，优选使所述部件的已配备有该金属糊料的表面借助该金属糊料与要与其连接的部件的表面接触。相应地，本发明的金属糊料层位于要连接的部件之间。
优选地，要连接的部件之间的湿层厚度为20至100微米。在此，湿层厚度应被理解为是指在任选发生的干燥之前和在烧结之前要连接的部件的相对表面之间的距离。优选的湿层厚度取决于所选的施加金属糊料的方法。如果例如借助丝网印刷法施加金属糊料，则湿层厚度可优选为20至50微米。如果借助模版印刷施加金属糊料，则优选的湿层厚度可以为20至100微米。在分配技术中的优选湿层厚度可以为20至100微米。
任选地，在该烧结前进行干燥步骤，即从施加的金属糊料中除去有机溶剂。根据一个优选实施方案，干燥后在金属糊料中的有机溶剂含量例如为本发明的金属糊料中，即准备施加的金属糊料中的有机溶剂的原始含量的0至5重量%。换言之，根据所述优选实施方案，在干燥过程中除去本发明的金属糊料中原始含有的有机溶剂的例如95至100重量%。
如果发生干燥，则可以在制造所述布置后，即在使要连接的部件接触后，使该干燥在不加压力的烧结的情况中进行。如果在加压烧结的情况中，该干燥也可以在将该金属糊料施加到部件的所述至少一个表面上后并在与要连接的部件接触前进行。
干燥温度优选为100至150℃。
应理解的是，干燥时间取决于本发明的金属糊料的组成和要烧结的布置的连接面的尺寸。常见干燥时间为5至45分钟。
最后对由所述至少两个部件和位于这些部件之间的金属糊料形成的布置施以烧结过程。
实际的烧结在例如200至250℃的温度下进行。
加压烧结中的工艺压力优选小于30 MPa，更优选小于5 MPa。例如，工艺压力为1至30 MPa，更优选为1至5 MPa。如上文提到，本发明的特定优点在于通过本发明的金属糊料能在不施加压力下进行烧结过程但仍实现部件之间的足够牢固的连接。当这些部件的至少一个是压敏的，例如脆性的或其结构是机械敏感的，就推荐不加压的烧结。
烧结时间为例如2至60分钟，在加压烧结中例如2至5分钟，在不加压的烧结中为例如30至60分钟。
该烧结过程可以在不受特别限制的气氛中进行。例如，一方面，可以在含氧气的气氛中进行该烧结。另一方面，也可以在无氧气的气氛中进行该烧结。在本发明的范围内，无氧气的气氛应被理解为是指其氧气含量不大于10 ppm，优选不大于1 ppm，再更优选不大于0.1 ppm的气氛。
该烧结在传统的适合于烧结的装置中进行，在其中可设定上述工艺参数。
下面通过实施例阐述本发明，但它们不应被解释为限制性的。
实施例:
1. 金属糊料的制造:
首先，通过混合根据下表的各成分，制造根据本发明的金属糊料1至2和对比糊料3至7。给出的所有量表示重量%
糊料1 糊料2 糊料3 糊料4 糊料5 糊料6 糊料7
银粒子1) 83 83
银粒子2) 85 85 84 84 84
碳酸银 4.9 4.9 4.9 4.9 4.9 4.9 4.9
16-甲基十七烷-1-醇 5 5
正十七烷醇 5
正十八烷醇 5
正二十烷醇 5
十三烷醇 7.1 5.1 5.6 7.4 6.1 6.1 6.1
Exxsol™ D140 6.5 2.7
总计 100 100 100 100 100 100 100
1) 具有3微米的平均粒径(d50)和1.5重量%硬脂酸涂层的银薄片
2) 具有3微米的平均粒径(d50)和1.5重量%月桂酸涂层的银薄片。
2. 金属糊料的施加和不加压烧结:
通过以50微米的湿层厚度分配到银引线框的表面上，施加各种金属糊料。然后，施加的金属糊料在不预先干燥的情况下与具有银接触面（4 · 6 mm2）的硅片接触。在随后的不加压烧结中根据下列加热特性实施：将接触点在60分钟内连续加热到160℃，然后在160℃下保持30分钟。随后，将温度在5分钟内连续提高到230℃，然后保持60分钟。随后，在50分钟内连续冷却到30℃。
在烧结后，通过剪切强度测定粘附。在此，用剪切凿在20℃下以0.3 mm/s的速率剪切这些部件。借助测力计（DAGE公司, 德国的 DAGE 2000装置）记录力。
表2显示用金属糊料1至7获得的结果。
表2:
糊料 1 2 3 4 5 6 7
剪切强度(N/mm2) 8.4 6.8 7.3 4.9 5.2 5.9 5.6

Claims (11)

1.金属糊料，其含有(A) 75至90重量%的以包含涂层的粒子形式存在的至少一种金属，所述涂层含有至少一种有机化合物，(B) 0至12重量%的至少一种金属前体，(C) 6至20重量%的至少两种有机溶剂的混合物，和(D) 0至10重量%的至少一种烧结助剂，其特征在于溶剂混合物(C)的30至60重量%由至少一种除在倒数第二个C原子上的甲基取代外未被取代的具有16-20个C原子的1-羟基烷烃构成。
2.根据权利要求1的金属糊料，其中所述至少一种金属选自铜、银、金、镍、钯、铂和铝。
3.根据权利要求1或2的金属糊料，其中所述金属粒子呈薄片形状。
4.根据权利要求1、2或3的金属糊料，其中所述至少一种有机化合物选自游离脂肪酸、脂肪酸盐和脂肪酸酯。
5.根据前述权利要求任一项的金属糊料，其中所述至少一种除在倒数第二个C原子上的甲基取代外未被取代的1-羟基-C16-C20-烷烃和所述至少一种有机化合物在它们的C原子数上相差不大于2个C原子。
6.根据前述权利要求任一项的金属糊料，其中所述至少一种除在倒数第二个C原子上的甲基取代外未被取代的1-羟基烷烃包含16-甲基十七烷-1-醇。
7.根据权利要求6的金属糊料，其中所述至少一种除在倒数第二个C原子上的甲基取代外未被取代的1-羟基烷烃是16-甲基十七烷-1-醇。
8.根据前述权利要求任一项的金属糊料，其除成分(A)至(D)外还含有0至15重量%的一种或多种附加成分(E)，所述成分(E)选自分散剂、表面活性剂、消泡剂、粘合剂、聚合物和/或粘度控制剂。
9.用于连接部件的方法，其中(a) 提供包含至少(a1) 部件1、(a2) 部件2和(a3) 位于部件1和部件2之间的根据前述权利要求任一项的金属糊料的夹芯布置，和(b) 烧结所述夹芯布置。
10.根据权利要求9的方法，其中在施加压力或不加压力下进行烧结。
11.根据权利要求9或10的方法，其中所述部件是电子产品中使用的零件。
CN201580022549.3A 2014-05-05 2015-04-20 金属糊料及其用于连接部件的用途 Active CN106413945B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP14167030.7A EP2942129B1 (de) 2014-05-05 2014-05-05 Metallpaste und deren Verwendung zum Verbinden von Bauelementen
EP14167030.7 2014-05-05
PCT/EP2015/058476 WO2015169571A1 (de) 2014-05-05 2015-04-20 Metallpaste und deren verwendung zum verbinden von bauelementen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106413945A true CN106413945A (zh) 2017-02-15
CN106413945B CN106413945B (zh) 2018-05-18

Family

ID=50685754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580022549.3A Active CN106413945B (zh) 2014-05-05 2015-04-20 金属糊料及其用于连接部件的用途

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20170221855A1 (zh)
EP (1) EP2942129B1 (zh)
JP (1) JP6312858B2 (zh)
KR (1) KR20160140804A (zh)
CN (1) CN106413945B (zh)
MX (1) MX2016012883A (zh)
SG (1) SG11201607232WA (zh)
TW (1) TW201603152A (zh)
WO (1) WO2015169571A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110430951A (zh) * 2017-03-15 2019-11-08 日立化成株式会社 接合用金属糊料、接合体及其制造方法以及半导体装置及其制造方法
CN110545945A (zh) * 2017-05-12 2019-12-06 贺利氏德国有限两合公司 借助金属浆料来连接器件的方法
CN111163879A (zh) * 2017-09-25 2020-05-15 伊斯曼柯达公司 制备具有含氮碱的含银分散体的方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017222010A1 (ja) * 2016-06-22 2017-12-28 積水化学工業株式会社 接続構造体、金属原子含有粒子及び接合用組成物
EP4129528A4 (en) * 2020-03-31 2023-08-02 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. COPPER PARTICLES AND METHOD OF PRODUCING SAME

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0467119A1 (en) * 1990-07-06 1992-01-22 Kao Corporation Electrically conductive paste and coating
CN102056406A (zh) * 2009-10-30 2011-05-11 富士通株式会社 导电体和印刷电路板以及它们的制造方法
CN102596486A (zh) * 2009-09-04 2012-07-18 贺利氏材料工艺有限责任两合公司 具有氧化剂的金属糊
CN102884590A (zh) * 2010-07-28 2013-01-16 积水化学工业株式会社 带有绝缘性粒子的导电性粒子、带有绝缘性粒子的导电性粒子的制造方法、各向异性导电材料及连接结构体
CN103003891A (zh) * 2010-06-16 2013-03-27 独立行政法人物质·材料研究机构 金属纳米粒子糊及使用了金属纳米粒子糊的电子器件接合体、led组件及印制电路板的电路形成方法
CN103260797A (zh) * 2010-12-17 2013-08-21 古河电气工业株式会社 加热接合用材料、加热接合用涂层材料、涂层物以及电子部件的接合方法
JP2013229284A (ja) * 2012-01-26 2013-11-07 Toray Ind Inc 感光性導電ペースト

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5151150B2 (ja) * 2006-12-28 2013-02-27 株式会社日立製作所 導電性焼結層形成用組成物、これを用いた導電性被膜形成法および接合法
JP5785024B2 (ja) * 2011-08-03 2015-09-24 第一工業製薬株式会社 銀粒子分散体組成物、これを用いた導電性回路および導電性回路の形成方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0467119A1 (en) * 1990-07-06 1992-01-22 Kao Corporation Electrically conductive paste and coating
CN102596486A (zh) * 2009-09-04 2012-07-18 贺利氏材料工艺有限责任两合公司 具有氧化剂的金属糊
CN102056406A (zh) * 2009-10-30 2011-05-11 富士通株式会社 导电体和印刷电路板以及它们的制造方法
CN103003891A (zh) * 2010-06-16 2013-03-27 独立行政法人物质·材料研究机构 金属纳米粒子糊及使用了金属纳米粒子糊的电子器件接合体、led组件及印制电路板的电路形成方法
CN102884590A (zh) * 2010-07-28 2013-01-16 积水化学工业株式会社 带有绝缘性粒子的导电性粒子、带有绝缘性粒子的导电性粒子的制造方法、各向异性导电材料及连接结构体
CN103260797A (zh) * 2010-12-17 2013-08-21 古河电气工业株式会社 加热接合用材料、加热接合用涂层材料、涂层物以及电子部件的接合方法
JP2013229284A (ja) * 2012-01-26 2013-11-07 Toray Ind Inc 感光性導電ペースト

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110430951A (zh) * 2017-03-15 2019-11-08 日立化成株式会社 接合用金属糊料、接合体及其制造方法以及半导体装置及其制造方法
CN110430951B (zh) * 2017-03-15 2021-11-16 昭和电工材料株式会社 接合用金属糊料、接合体及其制造方法以及半导体装置及其制造方法
CN110545945A (zh) * 2017-05-12 2019-12-06 贺利氏德国有限两合公司 借助金属浆料来连接器件的方法
CN111163879A (zh) * 2017-09-25 2020-05-15 伊斯曼柯达公司 制备具有含氮碱的含银分散体的方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017519897A (ja) 2017-07-20
EP2942129A1 (de) 2015-11-11
WO2015169571A1 (de) 2015-11-12
MX2016012883A (es) 2016-12-12
KR20160140804A (ko) 2016-12-07
JP6312858B2 (ja) 2018-04-18
SG11201607232WA (en) 2016-11-29
TW201603152A (zh) 2016-01-16
US20170221855A1 (en) 2017-08-03
EP2942129B1 (de) 2017-07-05
CN106413945B (zh) 2018-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI695823B (zh) 金屬燒結膜組合物
CN106413945A (zh) 金属糊料及其用于连接部件的用途
TWI628256B (zh) 金屬膠及其用於連接組件之用途
JP6499962B2 (ja) 非共晶はんだ合金を含む電気伝導性組成物
CN106457383B (zh) 低压力烧结粉末
JP6423416B2 (ja) 焼結が難しい貴金属表面および非貴金属表面上に酸化銀が被覆された焼結ペースト
JP6900148B2 (ja) 銀ペースト及びそれを用いた半導体装置
JP6162885B2 (ja) 部分的に酸化した金属粒子を含む改良焼結ペースト
TW201624629A (zh) 金屬製劑及其用於連接組件之用途
JP5741809B2 (ja) 接合用ペースト、および半導体素子と基板の接合方法
Calata et al. Sintered nanosilver paste for high-temperature power semiconductor device attachment
CN104364899A (zh) 电子部件模块
JP6010926B2 (ja) 接合材料、パワーモジュール及びパワーモジュールの製造方法
JP7025603B1 (ja) 接合用組成物の製造方法
WO2016028221A1 (en) Metal sintering preparation and the use thereof of the connecting of components
CN104704932A (zh) 导电膏及使用该导电膏的陶瓷基板
JP2017172029A (ja) Ｎｉナノ粒子を用いた接合材料及び接合構造体
TW201603933A (zh) 金屬膠及其用於連接組件之用途
JP7113135B2 (ja) 金属ペーストおよび構成要素を接合するためのその使用
TWI717004B (zh) 用於氮化矽和其他基板的導電厚膜漿料及形成導電厚膜的方法
JPH0259563B2 (zh)
Bae et al. Thermoelectric Cooler Module with Enhanced Cooling Ability Using a Hybrid Cu Paste and a Si Substrate
JP2024000393A (ja) 金属粒子含有組成物、接合用ペースト及び接合体
CN115945825A (zh) 浆料及其制备方法和芯片散热结构的封装方法
JP2013206729A (ja) 導電性組成物及び接合体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant