CN106338413B - 一种pcb半孔切片制作方法 - Google Patents

一种pcb半孔切片制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106338413B
CN106338413B CN201610741850.6A CN201610741850A CN106338413B CN 106338413 B CN106338413 B CN 106338413B CN 201610741850 A CN201610741850 A CN 201610741850A CN 106338413 B CN106338413 B CN 106338413B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pcb
cutting
hole
sample wafer
glue
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610741850.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106338413A (zh
Inventor
王成勇
郑李娟
黄欣
林淡填
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong University of Technology
Original Assignee
Guangdong University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong University of Technology filed Critical Guangdong University of Technology
Priority to CN201610741850.6A priority Critical patent/CN106338413B/zh
Publication of CN106338413A publication Critical patent/CN106338413A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106338413B publication Critical patent/CN106338413B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/02—Devices for withdrawing samples
    • G01N1/04—Devices for withdrawing samples in the solid state, e.g. by cutting
    • G01N1/06—Devices for withdrawing samples in the solid state, e.g. by cutting providing a thin slice, e.g. microtome
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/286—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q involving mechanical work, e.g. chopping, disintegrating, compacting, homogenising
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/32—Polishing; Etching
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/286—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q involving mechanical work, e.g. chopping, disintegrating, compacting, homogenising
    • G01N2001/2873—Cutting or cleaving
    • G01N2001/2886—Laser cutting, e.g. tissue catapult

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Abstract

本发明公开一种PCB半孔切片制作方法，包括以下步骤：S1：在PCB板上进行取样，获取样片；S2：对取得的样片进行封胶处理；S3：对封胶后的样片进行研磨，研磨至半孔位置；S4：对研磨后的样片进行抛光处理；S5：对抛光面进行微蚀；所述S1中，将PCB板置于激光机台，并通过激光微切割对样片进行半孔切割取样。本发明通过激光微切割对PCB板进行半孔取样，激光微切割预留余量小，切割后半孔位置非整孔状态，使半孔位置灌胶更充分，从而避免了研磨过程出现的磨屑压入情况，而且激光微切割不产生机械振动，有效避免了机械应力对样片的破坏，所制PCB半孔切片还原度更高。

Description

一种PCB半孔切片制作方法
技术领域
本发明涉及PCB线路板加工领域，具体涉及一种PCB半孔切片制作方法。
背景技术
电路板(PCB)品质的好坏，问题的发生与解决，制程改进的情况，都需要通过观察微切片(microsectioning)作为研究和判断的根据，而微切片做的好与坏，其还原度有多高则是判断和研究 PCB 质量和制程的关键因素。
目前，PCB半孔切片的制作一般包括以下五个步骤：取样、封胶、磨片、抛光及微蚀。其中，取样主要是通过利用钻石锯锯下样片或直接通过连续孔位钻孔钻下样片等机械加工方式完成。现有的机械加工切边的方式在切取和锯取样片过程中容易出现应力不均的状况，使得 PCB 板在切除半孔时孔位受到机械应力破坏，导致还原度差。
如中国专利申请号：CN201110318381.4公开了一种PCB切片的制作方法及PCB切片，通过在机床上对 PCB 板进行钻削形成需要观察的样孔，并且通过钻床在PCB 板区域边缘钻削形成连续的孔位使所述钻有样孔的区域与所述 PCB 板脱离形成样片。以此通过连续的孔位来平衡样片边缘受到的机械应力，降低机械应力对样片的损坏来提高还原度。然而PCB板在钻孔过程中会受到钻头振动的影响，钻孔越多，受到的影响越大，则还原度越低，而且容易造成PCB板边出现分层、缺口等机械破坏，无法避免机械应力对PCB板造成的影响。在机械取样过程中，考虑到机械破坏及加工精度等原因，需对要切割的PCB半孔预留较大余量以便后续研磨修平至PCB半孔边，然而预留的余量导致切割后的PCB半孔仍为整孔状态。灌胶时胶在整孔位置容易填充不满，从而出现孔壁处镂空现象，从而导致在研磨过程研磨屑压入镂空处，严重降低了PCB半孔切片的还原度，影响了对孔壁质量的观察检测的真实性。
发明内容
有鉴于此，本发明公开一种PCB半孔切片制作方法, 可显示的钻孔的深度，方便使用。
本发明的目的通过以下技术方案实现：
一种PCB半孔切片制作方法，包括以下步骤：
S1：在PCB板上进行取样，获取样片；
S2：对取得的样片进行封胶处理；
S3：对封胶后的样片进行研磨，研磨至半孔位置；
S4：对研磨后的样片进行抛光处理；
S5：对抛光面进行微蚀；
所述S1中，首先在PCB板上钻削多个目标孔，同一侧目标孔的圆心连线在同一直线上，然后将PCB板置于激光机台，并通过激光微切割对样片进行半孔切割取样。
进一步的，所述S1中，激光机台采用CCD定位系统对PCB板进行精准定位。
进一步的，所述S1中，激光微切割对PCB板一侧的目标孔进行半孔切割时，离半孔位置预留研磨余量。
进一步的，所述研磨余量大于激光微切割形成熔胶部分的宽度2-4μm。
进一步的，所述S3中，首先磨去样片熔胶部分，再进一步研磨至半孔截面。
本发明的有益效果在于 ：
本发明通过激光微切割对PCB板进行半孔取样，激光微切割预留余量小，切割后半孔位置非整孔状态，使半孔位置灌胶更充分，从而避免了研磨过程出现的磨屑压入情况，而且激光微切割不产生机械振动，有效避免了机械应力对样片的破坏，所制PCB半孔切片还原度更高。
附图说明
图1为本发明实施例1切割状态图。
图2为本发明实施例2切割状态图。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员理解，下面将结合实施例对本发明作进一步详细描述：
实施例1
本实施例提供一种PCB半孔切片制作方法，如图1所示，包括以下步骤：
S1：在PCB板上进行取样，获取样片1；
S2：对取得的样片1进行封胶处理；
S3：对封胶后的样片1进行研磨，研磨至半孔位置；
S4：对研磨后的样片1进行抛光处理；
S5：对抛光面进行微蚀；
所述S1中，在PCB板上取样的过程是通过计算机编程使机床执行编程命令在 PCB板上钻削出多个待观察的目标孔2，同一侧目标孔2的圆心连线在同一直线上；然后将PCB板置于激光机台，激光机台采用CCD定位系统对PCB板进行精准定位以保证样片半孔切割的位置精度；最后通过激光微切割对样片1进行半孔切割取样，激光微切割对PCB板一侧的目标孔2进行半孔切割时，切割线22离半孔位置的半孔线21预留研磨余量。
计算机编程钻孔的方式较之普通机床而言，其钻孔的精度更高，在样片1上形成的孔位置较为精确，使得样片1一侧的多个目标孔2的圆心连线以较高的直线度维持在同一直线上，从而切割出来的半孔一致性高，还原度好。
通过激光微切割对样片1进行半孔切割取样，激光微切割并不产生机械振动，切割时也不必考虑机械应力对样片1造成机械破坏，激光微切割对PCB板一侧的目标孔2进行半孔切割时，可以预留极小的余量，从而切开目标孔2，方便后续灌胶对目标孔2进行完整封胶。
此处所述研磨余量为激光微切割对PCB板进行切割后所形成熔胶部分的宽度23。所述熔胶部分的宽度23可选择任一相同PCB板作为实验板，通过激光微切割对实验板进行多次切割并对实验板每次切割后熔胶部分的宽度进行测量、记录，取得测量宽度的平均值作为研磨余量。
所诉S2中，将PCB板上取下的样片1放入橡皮模具中，同时灌入胶液，待胶液硬化后，将成形的封胶样片取出。
所述S3中，将硬化后的封胶样片在高速转盘上利用砂纸的切削力将样片磨到半孔的正中央，具体的，(1)先以600号精磨，磨去激光微切割形成的熔胶部分的宽度23，注意要喷水或他种液体以减热。(2)改用1200号与2400号细砂纸轻磨几下，尽量小心消除切面上的伤痕，以减少抛光的时间及改正不平行的斜磨。
所述S4中，在转盘式毛毯另加氧化铝悬浮液当作抛光助剂，然后进行转微接触式的抛光，注意在抛光时要时常改变切样的方向，使抛光面有更均匀的效果，直到砂痕完全消失光亮为止。抛光的压力要轻，往复次数要多，效果才更好，而且油性抛光所得铜面的真相要比水性抛光更好。
所述S5中，将抛光面用水或稀酒精洗净及吹干后，即可进行微蚀，以找出金属的各自层面，以及结晶状况，此种微蚀看似简单，但要看到清楚细腻的真像，却很不容易，不是每次都能成功的。效果不好时只有再轻抛数次，重做微蚀，以找出真像。微蚀液配方如下 ：
“10cc 氨水 +10cc 纯水 +2-3 滴双氧水”
混合均匀后，即可用棉花棒沾蚀液，在切片表面轻擦约 2 秒钟，注意铜面处发出气泡的现象，2 ～ 3 秒后立即用水将蚀液冲掉，并立即用卫生纸擦干，勿使铜面继续被氧化变色，否则 100x 显微下会出现棕黑色及粗糙不堪的铜面，良好的微蚀将呈现鲜红铜色，且结晶及分界清楚。
实施例2
本实施例作为实施例1的改进，如图2所示，包括以下步骤：
S1：在PCB板上进行取样，获取样片1；
S2：对取得的样片1进行封胶处理；
S3：对封胶后的样片1进行研磨，研磨至半孔位置；
S4：对研磨后的样片1进行抛光处理；
S5：对抛光面进行微蚀；
所述S1中，在PCB板上取样的过程是通过计算机编程使机床执行编程命令在 PCB板上钻削出多个待观察的目标孔2，同一侧目标孔2的圆心连线在同一直线上；然后将PCB板置于激光机台，激光机台采用CCD定位系统对PCB板进行精准定位以保证样片半孔切割的位置精度；最后通过激光微切割对样片1进行半孔切割取样，激光微切割对PCB板一侧的目标孔2进行半孔切割时，切割线22离半孔位置的半孔线21预留研磨余量。
计算机编程钻孔的方式较之普通机床而言，其钻孔的精度更高，在样片1上形成的孔位置较为精确，使得样片1一侧的多个目标孔2的圆心连线以较高的直线度维持在同一直线上，从而切割出来的半孔一致性高，还原度好。
通过激光微切割对样片1进行半孔切割取样，激光微切割并不产生机械振动，切割时也不必考虑机械应力对样片1造成机械破坏，激光微切割对PCB板一侧的目标孔2进行半孔切割时，可以预留极小的余量，从而切开目标孔2，方便后续灌胶对目标孔2进行完整封胶。
此处所述研磨余量为激光微切割对PCB板进行切割后所形成熔胶部分的宽度23加上2-4μm。所述熔胶部分的宽度23可选择任一相同PCB板作为实验板，通过激光微切割对实验板进行多次切割并对实验板每次切割后熔胶部分的宽度进行测量、记录，取得测量宽度的平均值作为熔胶部分的宽度23。
所诉S2中，将PCB板上取下的样片1放入橡皮模具中，同时灌入胶液，待胶液硬化后，将成形的封胶样片取出。
所述S3中，将硬化后的封胶样片在高速转盘上利用砂纸的切削力将样片磨到半孔的正中央，具体的，(1)先以600号精磨，磨去激光微切割形成的熔胶部分的宽度23，注意要喷水或他种液体以减热。(2)改用1200号细砂纸研磨2-4μm直至半孔线21出现。(3)改用2400号细砂纸轻磨几下，尽量小心消除切面上的伤痕，以减少抛光的时间及改正不平行的斜磨。
所述S4中，在转盘式毛毯另加氧化铝悬浮液当作抛光助剂，然后进行转微接触式的抛光，注意在抛光时要时常改变切样的方向，使抛光面有更均匀的效果，直到砂痕完全消失光亮为止。抛光的压力要轻，往复次数要多，效果才更好，而且油性抛光所得铜面的真相要比水性抛光更好。
所述S5中，将抛光面用水或稀酒精洗净及吹干后，即可进行微蚀，以找出金属的各自层面，以及结晶状况，此种微蚀看似简单，但要看到清楚细腻的真像，却很不容易，不是每次都能成功的。效果不好时只有再轻抛数次，重做微蚀，以找出真像。微蚀液配方如下 ：
“10cc 氨水 +10cc 纯水 +2-3 滴双氧水”
混合均匀后，即可用棉花棒沾蚀液，在切片表面轻擦约 2 秒钟，注意铜面处发出气泡的现象，2 ～ 3 秒后立即用水将蚀液冲掉，并立即用卫生纸擦干，勿使铜面继续被氧化变色，否则 100x 显微下会出现棕黑色及粗糙不堪的铜面，良好的微蚀将呈现鲜红铜色，且结晶及分界清楚。
以上为本发明的其中具体实现方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些显而易见的替换形式均属于本发明的保护范围。本发明中所未详细描述的技术细节均可通过现有技术中任一项实现。

Claims (1)

1.一种PCB半孔切片制作方法，包括以下步骤：
S1：在PCB板上进行取样，获取样片；
S2：对取得的样片进行封胶处理；
S3：对封胶后的样片进行研磨，研磨至半孔位置；
S4：对研磨后的样片进行抛光处理；
S5：对抛光面进行微蚀；
所述S1中，在PCB板上取样的过程是通过计算机编程使机床执行编程命令在PCB板上钻削出多个待观察的目标孔，同一侧目标孔的圆心连线在同一直线上；然后将PCB板置于激光机台，激光机台采用CCD定位系统对PCB板进行精准定位以保证样片半孔切割的位置精度；最后通过激光微切割对样片进行半孔切割取样，激光微切割对PCB板一侧的目标孔进行半孔切割时，切割线离半孔位置的半孔线预留研磨余量；所述研磨余量为激光微切割对PCB板进行切割后所形成熔胶部分的宽度；所述熔胶部分的宽度可选择任一相同PCB板作为实验板，通过激光微切割对实验板进行多次切割并对实验板每次切割后熔胶部分的宽度进行测量、记录，取得测量宽度的平均值作为研磨余量；所述研磨余量大于激光微切割形成熔胶部分的宽度2-4μm；
所述S2中，将PCB板上取下的样片放入橡皮模具中，同时灌入胶液，待胶液硬化后，将成形的封胶样片取出；
所述S3中，将硬化后的封胶样片在高速转盘上利用砂纸的切削力将样片磨到半孔的正中央，具体的，(1)先以600号精磨，磨去激光微切割形成的熔胶部分的宽度，注意要喷水以减热；(2)改用1200号与2400号细砂纸轻磨几下，以减少抛光的时间及改正不平行的斜磨；
所述S4中，在转盘式毛毯另加氧化铝悬浮液当作抛光助剂，然后进行转微接触式的抛光，直到砂痕完全消失光亮为止；
所述S5中，将抛光面用水或稀酒精洗净及吹干后，即可进行微蚀；微蚀液配方如下：“10cc氨水+10cc纯水+2-3滴双氧水”。
CN201610741850.6A 2016-08-29 2016-08-29 一种pcb半孔切片制作方法 Active CN106338413B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610741850.6A CN106338413B (zh) 2016-08-29 2016-08-29 一种pcb半孔切片制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610741850.6A CN106338413B (zh) 2016-08-29 2016-08-29 一种pcb半孔切片制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106338413A CN106338413A (zh) 2017-01-18
CN106338413B true CN106338413B (zh) 2021-01-05

Family

ID=57822420

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610741850.6A Active CN106338413B (zh) 2016-08-29 2016-08-29 一种pcb半孔切片制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106338413B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107894435B (zh) * 2017-11-20 2021-11-12 广东工业大学 一种pcb半孔切片的制作方法
CN108535040A (zh) * 2018-03-06 2018-09-14 国土资源实物地质资料中心 松散岩心切片标本及其制作方法
CN109115159B (zh) * 2018-08-30 2021-02-09 广州广合科技股份有限公司 一种微切片的孔径的确定方法
CN109580683B (zh) * 2018-11-23 2021-03-02 广东工业大学 一种玻纤增强ptfe板半孔切片制作方法
CN109632363A (zh) * 2019-02-18 2019-04-16 广东小天才科技有限公司 一种智能切片分析研磨系统
CN110779782B (zh) * 2019-11-20 2024-02-27 江苏三亿检测技术有限公司 一种pcb微切片分析制样方法
CN110757010B (zh) * 2019-11-28 2021-04-13 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种避免加工圆形件与激光头碰撞的切割方法
CN111879579A (zh) * 2020-06-16 2020-11-03 深圳市大族数控科技有限公司 切片制作方法
CN113235092A (zh) * 2021-05-08 2021-08-10 九江德福科技股份有限公司 一种用于铜箔切片观察的微蚀液及其配制方法与微蚀方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0414284A (ja) * 1990-05-07 1992-01-20 Hitachi Ltd プリント配線板の製造方法
JP2556282B2 (ja) * 1993-12-17 1996-11-20 日本電気株式会社 印刷配線板の製造方法
CN101547569B (zh) * 2009-04-24 2010-08-18 深圳市博敏电子有限公司 Pcb板半孔加工工艺
CN102186308A (zh) * 2011-03-11 2011-09-14 深圳市崇达电路技术股份有限公司 微切片的制作方法及用于制作微切片的抽真空装置
CN203018919U (zh) * 2013-01-08 2013-06-26 广东轻工职业技术学院 一种用于fpcb激光切割的影像控制装置
CN103983498A (zh) * 2014-04-24 2014-08-13 江苏迈世达电子有限公司 一种用于线路板金相切片分析的微蚀液及其使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106338413A (zh) 2017-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106338413B (zh) 一种pcb半孔切片制作方法
JP4249827B2 (ja) 半導体ウェーハの製造方法
JP4079152B2 (ja) ドーナツ状ガラス基板を作成する方法
JP2014183310A (ja) ウェハー製造工程の切断方法
JP4354769B2 (ja) ウェーハの研磨方法
JP2017028160A (ja) ウエーハの加工方法
CN107543837A (zh) 一种砂轮精磨后硅片损伤层的检测方法
CN110779782B (zh) 一种pcb微切片分析制样方法
JP5430294B2 (ja) 基板の製造方法
JP2011029355A (ja) レーザマーク付き半導体ウェーハの製造方法
JPS63199610A (ja) 半導体素子の製造方法
CN107623997A (zh) 一种无披锋pcb的加工方法及pcb
JP5495981B2 (ja) 半導体基板の製造方法
JP2007152440A (ja) 硬脆材の加工方法
JP2018122413A (ja) 切削ブレード及び切削方法
JP2006278701A (ja) 半導体ウェハの製造方法
JP2007251098A (ja) 半導体チップの製造方法
JPH03256606A (ja) プリント配線基板の穴明け方法及びドリル
CN115343301B (zh) 一种非金属材料亚表面损伤深度的表征方法
JP2006269490A (ja) ウェーハ識別方法および半導体装置の製造方法
JP6874736B2 (ja) インプリントモールド用基板の製造方法
JPH0240477B2 (zh)
JP5430143B2 (ja) 基板の製造方法
JP2006059914A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
CN116321717A (zh) Fcbga图形曝光工艺

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant