CN106229303A - 一种集成电流采样的新型整流桥 - Google Patents

一种集成电流采样的新型整流桥 Download PDF

Info

Publication number
CN106229303A
CN106229303A CN201610764596.1A CN201610764596A CN106229303A CN 106229303 A CN106229303 A CN 106229303A CN 201610764596 A CN201610764596 A CN 201610764596A CN 106229303 A CN106229303 A CN 106229303A
Authority
CN
China
Prior art keywords
copper base
power consumption
chip
low power
insulation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610764596.1A
Other languages
English (en)
Inventor
徐海洪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
FOSHAN SHUNDE DISTRICT RUISONG ELECTRONIC INDUSTRIAL CO LTD
Original Assignee
FOSHAN SHUNDE DISTRICT RUISONG ELECTRONIC INDUSTRIAL CO LTD
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by FOSHAN SHUNDE DISTRICT RUISONG ELECTRONIC INDUSTRIAL CO LTD filed Critical FOSHAN SHUNDE DISTRICT RUISONG ELECTRONIC INDUSTRIAL CO LTD
Priority to CN201610764596.1A priority Critical patent/CN106229303A/zh
Publication of CN106229303A publication Critical patent/CN106229303A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672—Foil-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736—Metallic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/49—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions wire-like arrangements or pins or rods
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Rectifiers (AREA)

Abstract

本发明涉及一种集成电流采样的新型整流桥，包括绝缘塑封外壳、五个引线脚、四个单向导电芯片和一个康铜丝，各引线脚的一端伸入绝缘封装外壳内，并分别与一铜基板连接，铜基板和单向导电芯片、康铜丝封装在绝缘封装外壳内，各铜基板之间相互隔开；所述四个单向导电芯片均为玻璃钝化低功耗二极管芯片，玻璃钝化低功耗二极管芯片的上下两端为电极，其下端电极表面积大于上端电极表面积。本发明的芯片分布合理，四个芯片的大台面都与散热铜基板连接，有效增加了焊接面积和散热面积，有利于芯片工作时产生的热量迅速散发到铜基板上，从而有效降低芯片工作温度，提高产品可靠性，延长整流桥的工作寿命。

Description

一种集成电流采样的新型整流桥
技术领域
本发明涉及一种集成电流采样的新型整流桥，功能为将交流变成直流并集成线路电流的采样。
背景技术
目前，整流桥因其工作可靠，安装方便而广泛应用于电子电器产品中。康铜丝因具有较低的电阻温度系数，较宽的使用温度范围（480℃以下），加工性能良好，具有良好的焊接性能等优点，常常被用于制作仪器仪表，电子以及工业设备中的电流取样元件。
随着产品技术的进步，考虑到节能、环保、可控性和效率，各种电子电器设备都开始采用低功耗电子器件，降低能源消耗，并通过对线路电流的高精度取样，实现工作电流的精准控制，提升节能等级的技术革新和产品升级。目前各种电子电器在电流取样和实现节能等级提升上面临很多现实问题。
现有的整流桥，仍存在以下不足之处：（1）常规整流桥工作时，工作功耗偏高，对实现节能等级的提升造成困难；（2）每个厂家对于每个线路板需要的取样电阻值不一样，各线路板之间没有通用性，对生产、设计开发造成困难；（3）常规线路工艺使用普通取样电阻丝的阻值精度在5%~10%之间，且电阻温度系数较高，造成了取样不准等困难。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术存在之不足，而提供一种结构简单、合理，散热效果好、使用寿命长，且集成电流采样的新型整流桥。
本发明的目的是这样实现的：
一种集成电流采样的新型整流桥，包括绝缘塑封外壳、五个引线脚、四个单向导电芯片和一个康铜丝，各引线脚的一端伸入绝缘封装外壳内，并分别与一铜基板连接，铜基板和单向导电芯片、康铜丝封装在绝缘封装外壳内，各铜基板之间相互隔开；其特征在于：所述四个单向导电芯片均为玻璃钝化低功耗二极管芯片，玻璃钝化低功耗二极管芯片的上下两端为电极，其下端电极表面积大于上端电极表面积，玻璃钝化低功耗二极管芯片通过其下端面与铜基板连接；铜基板设置有五个，绝缘封装外壳内分别对应五个铜基板设置有五个独立的腔室，其中，第一铜基板位于绝缘封装外壳左侧位置，第二铜基板和第三铜基板分别位于绝缘封装外壳中间下方和上方位置，第四铜基板位于第二铜基板右侧位置，第五铜基板位于第四铜基板右侧位置；五个引线脚从左到右分别为第一直流输出引线脚、第一交流输入引线脚，第二交流输入引线脚，第二直流输出引线脚，第一电流取样引线脚；第一、第二直流输出引线脚分别与第一铜基板和第四铜基板连接，第一、第二交流输入引线脚分别与第二铜基板和第三铜基板连接，第一电流取样引线脚与第五铜基板连接；第一玻璃钝化低功耗二极管芯片和第二玻璃钝化低功耗二极管芯片通过其下端面连接在第一铜基板两端，且第一、第二玻璃钝化低功耗二极管芯片的上端面分别通过连接片与第二、第三铜基板电性连接；第三玻璃钝化低功耗二极管芯片和第四玻璃钝化低功耗二极管芯片通过其下端面分别连接在第二、第三铜基板上，且第三、第四玻璃钝化低功耗二极管芯片的上端面分别通过连接片与第四铜基板电性连接；康铜丝两端分别连接第四铜基板和第五铜基板。
本发明的目的还可以采用以下技术措施解决。
作为更具体的方案，所述绝缘塑封外壳呈长方体状，其长度a为29.7mm~30.3mm，宽度b为19.7mm~20.3mm，厚度h2为3.4mm~3.8mm。
所述各引线脚呈直线排列设置在绝缘外壳一侧，相邻两引线脚中心距离为c1为9.8mm~10.2mmmm，c2为4.8mm~5.2mm，引线脚伸出绝缘外壳外的长度d为17mm~18mm。
本发明的有益效果如下。
（1）本发明集成电流采样的新型整流桥，芯片分布合理，四个芯片的大台面都与散热铜基板连接，有效增加焊接面积和散热面积，有利于芯片工作时产生的热量迅速散发到铜基板上，从而有效降低芯片工作温度，提高产品可靠性，延长整流桥的工作寿命。
（2）再有，连接片尺寸一致，而且芯片极性朝向一致（大台面向下），便于装配和焊接，有利于提高装配效率。
（3）该结构最大限度利用了有效的铜基板面积，有利于降低芯片P/N结温度；降低整流桥的工作功耗，减少工作时候的能量损失，提高能量转换效率；目前，普通整流桥使用的芯片正向电压一般在1.0V~1.10V之间，整流桥工作功耗为20~22瓦；本发明的这款新型整流桥，采用的是低功耗二极管芯片，其正向电压在0.9V~0.92V之间，工作功耗为18~18.5瓦，比正常情况降低10%，提升节能等级，增强产品可靠性。
（4）可根据不同客户要求，选择不同阻值的康铜丝（锰铜丝）进行密封封装，避免长期暴露在空气中导致氧化，影响取样电阻值精度。目前，常规线路工艺使用普通取样电阻丝的阻值精度在5%~10%之间，而该款新型整流桥通过新工艺的改造，取样电阻值精度在0.1%~4%之间，提高线路板中的取样电阻精度。
（5）根据不同客户要求，选择不同阻值的康铜丝（锰铜丝）进行密封封装，整流桥引脚间距不变，方便客户在选择不同取样标准时线路板不用重新设计，实现线路板的通用性。
附图说明
图1为本发明集成电流采样的新型整流桥的主视结构图。
图2为图1的左视结构图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述。
如图1和图2所示，本集成电流采样的新型整流桥，包括绝缘塑封外壳1，五个引线脚和四个单向导电芯片，各引线脚的一端伸入绝缘塑封外壳1内，并分别与一铜基板连接，铜基板和单向导电芯片封装在绝缘塑封外壳1内，各铜基板之间相互隔开。
所述四个单向导电芯片均为玻璃钝化低功耗二极管芯片，玻璃钝化低功耗二极管芯片的上下两端为电极，其下端电极表面积大于上端电极表面积，玻璃钝化低功耗二极管芯片通过其下端面与铜基板连接。
所述铜基板共设置有五个，绝缘塑封外壳1内分别对应五个铜基板设置有五个独立的腔室。其中，第一铜基板41位于绝缘封装外壳1左侧位置，第二铜基板42和第三铜基板43分别位于绝缘封装外壳1中间下方和上方位置，第四铜基板44位于第二铜基板42右侧位置，第五铜基板45位于第四铜基板44右侧位置。
所述五个引线脚从左到右分别为第一直流输出引线脚51、第一交流输入引线脚52，第二交流输入引线脚53，第二直流输出引线脚54，第一电流取样引线脚55；第一、第二直流输出引线脚51、52分别与第一铜基板41和第四铜基板44连接，第一、第二交流输入引线脚51、52分别与第二铜基板42和第三铜基板42连接，第一电流取样引线脚51与第五铜基板45连接；
第一玻璃钝化低功耗二极管芯片21和第二玻璃钝化低功耗二极管芯片22通过其下端面连接在第一铜基板41两端，且第一、第二玻璃钝化低功耗二极管芯片21、22的上端面分别通过连接片31、32与第二、第三铜基板42、43电性连接；第三玻璃钝化低功耗二极管芯片23和第四玻璃钝化低功耗二极管芯片24通过其下端面分别连接在第二、第三铜基板42、43上，且第三、第四玻璃钝化低功耗二极管芯片23、24的上端面分别通过连接片33、34与第四铜基板44电性连接；康铜丝（锰铜丝）6两端分别连接第四铜基板44和第五铜基板45。
所述绝缘塑封外壳1呈长方体状，其长度a为29.7mm~30.3mm，宽度b为19.7mm~20.3mm，厚度h2为3.4mm~3.8mm。
所述各引线脚呈直线排列设置在绝缘外壳一侧，相邻两引线脚中心距离为c1为9.8mm~10.2mmmm，c2为4.8mm~5.2mm，引线脚伸出绝缘外壳外的长度d为17mm~18mm。
需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、为特定的方位构造和操作，因而不能理解为对本发明保护内容的限制。
以上的具体实施方式仅为本创作的较佳实施例，并不用以限制本创作，凡在本创作的精神及原则之内所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本创作的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种集成电流采样的新型整流桥，包括绝缘塑封外壳、五个引线脚、四个单向导电芯片和一个康铜丝，各引线脚的一端伸入绝缘封装外壳内，并分别与一铜基板连接，铜基板和单向导电芯片、康铜丝封装在绝缘封装外壳内，各铜基板之间相互隔开；所述四个单向导电芯片均为玻璃钝化低功耗二极管芯片，玻璃钝化低功耗二极管芯片的上下两端为电极，其下端电极表面积大于上端电极表面积，玻璃钝化低功耗二极管芯片通过其下端面与铜基板连接；铜基板设置有五个，绝缘封装外壳内分别对应五个铜基板设置有五个独立的腔室，其中，第一铜基板位于绝缘封装外壳左侧位置，第二铜基板和第三铜基板分别位于绝缘封装外壳中间下方和上方位置，第四铜基板位于第二铜基板右侧位置，第五铜基板位于第四铜基板右侧位置；五个引线脚从左到右分别为第一直流输出引线脚、第一交流输入引线脚，第二交流输入引线脚，第二直流输出引线脚，第一电流取样引线脚；第一、第二直流输出引线脚分别与第一铜基板和第四铜基板连接，第一、第二交流输入引线脚分别与第二铜基板和第三铜基板连接，第一电流取样引线脚与第五铜基板连接；第一玻璃钝化低功耗二极管芯片和第二玻璃钝化低功耗二极管芯片通过其下端面连接在第一铜基板两端，且第一、第二玻璃钝化低功耗二极管芯片的上端面分别通过连接片与第二、第三铜基板电性连接；第三玻璃钝化低功耗二极管芯片和第四玻璃钝化低功耗二极管芯片通过其下端面分别连接在第二、第三铜基板上，且第三、第四玻璃钝化低功耗二极管芯片的上端面分别通过连接片与第四铜基板电性连接；康铜丝两端分别连接第四铜基板和第五铜基板。
2.如权利要求1所述的一种集成电流采样的新型整流桥，其特征在于：所述绝缘塑封外壳呈长方体状，其长度a为29.7mm~30.3mm，宽度b为19.7mm~20.3mm，厚度h2为3.4mm~3.8mm。
3.如权利要求1所述的一种集成电流采样的新型整流桥，其特征在于：所述各引线脚呈直线排列设置在绝缘外壳一侧，相邻两引线脚中心距离为c1为9.8mm~10.2mmmm，c2为4.8mm~5.2mm，引线脚伸出绝缘外壳外的长度d为17mm~18mm。
CN201610764596.1A 2016-08-31 2016-08-31 一种集成电流采样的新型整流桥 Pending CN106229303A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610764596.1A CN106229303A (zh) 2016-08-31 2016-08-31 一种集成电流采样的新型整流桥

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610764596.1A CN106229303A (zh) 2016-08-31 2016-08-31 一种集成电流采样的新型整流桥

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106229303A true CN106229303A (zh) 2016-12-14

Family

ID=58072368

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610764596.1A Pending CN106229303A (zh) 2016-08-31 2016-08-31 一种集成电流采样的新型整流桥

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106229303A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110708780A (zh) * 2019-09-04 2020-01-17 九阳股份有限公司 一种用于电磁加热控制的整流桥堆及电磁加热电路

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5512784A (en) * 1994-04-19 1996-04-30 Jerrold Communications, General Instrument Corporation Surge protector semiconductor subassembly for 3-lead transistor aotline package
CN102723327A (zh) * 2012-06-15 2012-10-10 佛山市顺德区瑞淞电子实业有限公司 一种豆浆机用新型整流桥
CN202957761U (zh) * 2012-11-10 2013-05-29 深圳市鑫汇科电子有限公司 整流桥模块
CN205984958U (zh) * 2016-08-31 2017-02-22 佛山市顺德区瑞淞电子实业有限公司 一种集成电流采样的新型整流桥

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5512784A (en) * 1994-04-19 1996-04-30 Jerrold Communications, General Instrument Corporation Surge protector semiconductor subassembly for 3-lead transistor aotline package
CN102723327A (zh) * 2012-06-15 2012-10-10 佛山市顺德区瑞淞电子实业有限公司 一种豆浆机用新型整流桥
CN202957761U (zh) * 2012-11-10 2013-05-29 深圳市鑫汇科电子有限公司 整流桥模块
CN205984958U (zh) * 2016-08-31 2017-02-22 佛山市顺德区瑞淞电子实业有限公司 一种集成电流采样的新型整流桥

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110708780A (zh) * 2019-09-04 2020-01-17 九阳股份有限公司 一种用于电磁加热控制的整流桥堆及电磁加热电路

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104900634B (zh) 封装结构及其所适用的堆栈式封装模块
CN106972762B (zh) 电源模块
TW201624666A (zh) 半導體裝置
CN208046475U (zh) 一种高导热大功率同步整流模块
CN103852707B (zh) 一种功率半导体芯片测试工装
CN110335864A (zh) 一种功率模组
EP2728618A1 (en) Semiconductor device
CN106229303A (zh) 一种集成电流采样的新型整流桥
CN205984958U (zh) 一种集成电流采样的新型整流桥
CN107275306B (zh) 封装中的堆叠整流器
CN206116381U (zh) 贴面整流桥芯片结构
KR20200093636A (ko) 전력 반도체 패치 패키징 구조
CN204886715U (zh) 一种直插单相三相兼容整流桥堆
CN102842548A (zh) 四方扁平型功率mos芯片封装结构
CN109638002A (zh) 一种功率电路模块及电子装置
CN209913714U (zh) 半波全波可切换式整流桥
WO2015124036A1 (zh) 基于印刷电路板的开关电路结构
CN206907763U (zh) 一种三极管框架
CN207781590U (zh) 高可靠性紧凑型整流桥结构
CN207690787U (zh) 智能功率模块
CN110233145A (zh) 一种功率模块
CN204216023U (zh) 一种带有散热面的三极管
CN202534680U (zh) 一种led板上芯片的基板结构
CN203300645U (zh) 一种单相整流桥
CN209216964U (zh) 一种散热型贴片三极管

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20161214