CN205984958U - 一种集成电流采样的新型整流桥 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种集成电流采样的新型整流桥，包括绝缘塑封外壳、五个引线脚、四个单向导电芯片和一个康铜丝，各引线脚的一端伸入绝缘封装外壳内，并分别与一铜基板连接，铜基板和单向导电芯片、康铜丝封装在绝缘封装外壳内，各铜基板之间相互隔开；所述四个单向导电芯片均为玻璃钝化低功耗二极管芯片，玻璃钝化低功耗二极管芯片的上下两端为电极，其下端电极表面积大于上端电极表面积。本实用新型的芯片分布合理，四个芯片的大台面都与散热铜基板连接，有效增加了焊接面积和散热面积，有利于芯片工作时产生的热量迅速散发到铜基板上，从而有效降低芯片工作温度，提高产品可靠性，延长整流桥的工作寿命。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种集成电流采样的新型整流桥，功能为将交流变成直流并集成线路电流的采样。
背景技术
目前，整流桥因其工作可靠，安装方便而广泛应用于电子电器产品中。康铜丝因具有较低的电阻温度系数，较宽的使用温度范围（480℃以下），加工性能良好，具有良好的焊接性能等优点，常常被用于制作仪器仪表，电子以及工业设备中的电流取样元件。
随着产品技术的进步，考虑到节能、环保、可控性和效率，各种电子电器设备都开始采用低功耗电子器件，降低能源消耗，并通过对线路电流的高精度取样，实现工作电流的精准控制，提升节能等级的技术革新和产品升级。目前各种电子电器在电流取样和实现节能等级提升上面临很多现实问题。
现有的整流桥，仍存在以下不足之处：（1）常规整流桥工作时，工作功耗偏高，对实现节能等级的提升造成困难；（2）每个厂家对于每个线路板需要的取样电阻值不一样，各线路板之间没有通用性，对生产、设计开发造成困难；（3）常规线路工艺使用普通取样电阻丝的阻值精度在5%~10%之间，且电阻温度系数较高，造成了取样不准等困难。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述现有技术存在之不足，而提供一种结构简单、合理，散热效果好、使用寿命长，且集成电流采样的新型整流桥。
本实用新型的目的是这样实现的：
一种集成电流采样的新型整流桥，包括绝缘塑封外壳、五个引线脚、四个单向导电芯片和一个康铜丝，各引线脚的一端伸入绝缘封装外壳内，并分别与一铜基板连接，铜基板和单向导电芯片、康铜丝封装在绝缘封装外壳内，各铜基板之间相互隔开；其特征在于：所述四个单向导电芯片均为玻璃钝化低功耗二极管芯片，玻璃钝化低功耗二极管芯片的上下两端为电极，其下端电极表面积大于上端电极表面积，玻璃钝化低功耗二极管芯片通过其下端面与铜基板连接；铜基板设置有五个，绝缘封装外壳内分别对应五个铜基板设置有五个独立的腔室，其中，第一铜基板位于绝缘封装外壳左侧位置，第二铜基板和第三铜基板分别位于绝缘封装外壳中间下方和上方位置，第四铜基板位于第二铜基板右侧位置，第五铜基板位于第四铜基板右侧位置；五个引线脚从左到右分别为第一直流输出引线脚、第一交流输入引线脚，第二交流输入引线脚，第二直流输出引线脚，第一电流取样引线脚；第一、第二直流输出引线脚分别与第一铜基板和第四铜基板连接，第一、第二交流输入引线脚分别与第二铜基板和第三铜基板连接，第一电流取样引线脚与第五铜基板连接；第一玻璃钝化低功耗二极管芯片和第二玻璃钝化低功耗二极管芯片通过其下端面连接在第一铜基板两端，且第一、第二玻璃钝化低功耗二极管芯片的上端面分别通过连接片与第二、第三铜基板电性连接；第三玻璃钝化低功耗二极管芯片和第四玻璃钝化低功耗二极管芯片通过其下端面分别连接在第二、第三铜基板上，且第三、第四玻璃钝化低功耗二极管芯片的上端面分别通过连接片与第四铜基板电性连接；康铜丝两端分别连接第四铜基板和第五铜基板。
本实用新型的目的还可以采用以下技术措施解决。
作为更具体的方案，所述绝缘塑封外壳呈长方体状，其长度a为29.7mm~30.3mm，宽度b为19.7mm~20.3mm，厚度h2为3.4mm~3.8mm。
所述各引线脚呈直线排列设置在绝缘外壳一侧，相邻两引线脚中心距离为c1为9.8mm~10.2mmmm，c2为4.8mm~5.2mm，引线脚伸出绝缘外壳外的长度d为17mm~18mm。
本实用新型的有益效果如下。
（1）本实用新型集成电流采样的新型整流桥，芯片分布合理，四个芯片的大台面都与散热铜基板连接，有效增加焊接面积和散热面积，有利于芯片工作时产生的热量迅速散发到铜基板上，从而有效降低芯片工作温度，提高产品可靠性，延长整流桥的工作寿命。
（2）再有，连接片尺寸一致，而且芯片极性朝向一致（大台面向下），便于装配和焊接，有利于提高装配效率。
（3）该结构最大限度利用了有效的铜基板面积，有利于降低芯片P/N结温度；降低整流桥的工作功耗，减少工作时候的能量损失，提高能量转换效率；目前，普通整流桥使用的芯片正向电压一般在1.0V~1.10V之间，整流桥工作功耗为20~22瓦；本实用新型的这款新型整流桥，采用的是低功耗二极管芯片，其正向电压在0.9V~0.92V之间，工作功耗为18~18.5瓦，比正常情况降低10%，提升节能等级，增强产品可靠性。
（4）可根据不同客户要求，选择不同阻值的康铜丝（锰铜丝）进行密封封装，避免长期暴露在空气中导致氧化，影响取样电阻值精度。目前，常规线路工艺使用普通取样电阻丝的阻值精度在5%~10%之间，而该款新型整流桥通过新工艺的改造，取样电阻值精度在0.1%~4%之间，提高线路板中的取样电阻精度。
（5）根据不同客户要求，选择不同阻值的康铜丝（锰铜丝）进行密封封装，整流桥引脚间距不变，方便客户在选择不同取样标准时线路板不用重新设计，实现线路板的通用性。
附图说明
图1为本实用新型集成电流采样的新型整流桥的主视结构图。
图2为图1的左视结构图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述。
如图1和图2所示，本集成电流采样的新型整流桥，包括绝缘塑封外壳1，五个引线脚和四个单向导电芯片，各引线脚的一端伸入绝缘塑封外壳1内，并分别与一铜基板连接，铜基板和单向导电芯片封装在绝缘塑封外壳1内，各铜基板之间相互隔开。
所述四个单向导电芯片均为玻璃钝化低功耗二极管芯片，玻璃钝化低功耗二极管芯片的上下两端为电极，其下端电极表面积大于上端电极表面积，玻璃钝化低功耗二极管芯片通过其下端面与铜基板连接。
所述铜基板共设置有五个，绝缘塑封外壳1内分别对应五个铜基板设置有五个独立的腔室。其中，第一铜基板41位于绝缘封装外壳1左侧位置，第二铜基板42和第三铜基板43分别位于绝缘封装外壳1中间下方和上方位置，第四铜基板44位于第二铜基板42右侧位置，第五铜基板45位于第四铜基板44右侧位置。
所述五个引线脚从左到右分别为第一直流输出引线脚51、第一交流输入引线脚52，第二交流输入引线脚53，第二直流输出引线脚54，第一电流取样引线脚55；第一、第二直流输出引线脚51、52分别与第一铜基板41和第四铜基板44连接，第一、第二交流输入引线脚51、52分别与第二铜基板42和第三铜基板42连接，第一电流取样引线脚51与第五铜基板45连接；
第一玻璃钝化低功耗二极管芯片21和第二玻璃钝化低功耗二极管芯片22通过其下端面连接在第一铜基板41两端，且第一、第二玻璃钝化低功耗二极管芯片21、22的上端面分别通过连接片31、32与第二、第三铜基板42、43电性连接；第三玻璃钝化低功耗二极管芯片23和第四玻璃钝化低功耗二极管芯片24通过其下端面分别连接在第二、第三铜基板42、43上，且第三、第四玻璃钝化低功耗二极管芯片23、24的上端面分别通过连接片33、34与第四铜基板44电性连接；康铜丝（锰铜丝）6两端分别连接第四铜基板44和第五铜基板45。
所述绝缘塑封外壳1呈长方体状，其长度a为29.7mm~30.3mm，宽度b为19.7mm~20.3mm，厚度h2为3.4mm~3.8mm。
所述各引线脚呈直线排列设置在绝缘外壳一侧，相邻两引线脚中心距离为c1为9.8mm~10.2mmmm，c2为4.8mm~5.2mm，引线脚伸出绝缘外壳外的长度d为17mm~18mm。
需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、为特定的方位构造和操作，因而不能理解为对本实用新型保护内容的限制。
以上的具体实施方式仅为本创作的较佳实施例，并不用以限制本创作，凡在本创作的精神及原则之内所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本创作的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种集成电流采样的新型整流桥，包括绝缘塑封外壳、五个引线脚、四个单向导电芯片和一个康铜丝，各引线脚的一端伸入绝缘封装外壳内，并分别与一铜基板连接，铜基板和单向导电芯片、康铜丝封装在绝缘封装外壳内，各铜基板之间相互隔开；所述四个单向导电芯片均为玻璃钝化低功耗二极管芯片，玻璃钝化低功耗二极管芯片的上下两端为电极，其下端电极表面积大于上端电极表面积，玻璃钝化低功耗二极管芯片通过其下端面与铜基板连接；铜基板设置有五个，绝缘封装外壳内分别对应五个铜基板设置有五个独立的腔室，其中，第一铜基板位于绝缘封装外壳左侧位置，第二铜基板和第三铜基板分别位于绝缘封装外壳中间下方和上方位置，第四铜基板位于第二铜基板右侧位置，第五铜基板位于第四铜基板右侧位置；五个引线脚从左到右分别为第一直流输出引线脚、第一交流输入引线脚，第二交流输入引线脚，第二直流输出引线脚，第一电流取样引线脚；第一、第二直流输出引线脚分别与第一铜基板和第四铜基板连接，第一、第二交流输入引线脚分别与第二铜基板和第三铜基板连接，第一电流取样引线脚与第五铜基板连接；第一玻璃钝化低功耗二极管芯片和第二玻璃钝化低功耗二极管芯片通过其下端面连接在第一铜基板两端，且第一、第二玻璃钝化低功耗二极管芯片的上端面分别通过连接片与第二、第三铜基板电性连接；第三玻璃钝化低功耗二极管芯片和第四玻璃钝化低功耗二极管芯片通过其下端面分别连接在第二、第三铜基板上，且第三、第四玻璃钝化低功耗二极管芯片的上端面分别通过连接片与第四铜基板电性连接；康铜丝两端分别连接第四铜基板和第五铜基板。
2.如权利要求1所述的一种集成电流采样的新型整流桥，其特征在于：所述绝缘塑封外壳呈长方体状，其长度a为29.7mm~30.3mm，宽度b为19.7mm~20.3mm，厚度h2为3.4mm~3.8mm。
3.如权利要求1所述的一种集成电流采样的新型整流桥，其特征在于：所述各引线脚呈直线排列设置在绝缘外壳一侧，相邻两引线脚中心距离为c1为9.8mm~10.2mmmm，c2为4.8mm~5.2mm，引线脚伸出绝缘外壳外的长度d为17mm~18mm。
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| CN106229303A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-14 | 佛山市顺德区瑞淞电子实业有限公司 | 一种集成电流采样的新型整流桥 |
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