CN106119951A - 低温高速生长SiC单晶的助熔剂 - Google Patents
低温高速生长SiC单晶的助熔剂 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106119951A CN106119951A CN201610705887.3A CN201610705887A CN106119951A CN 106119951 A CN106119951 A CN 106119951A CN 201610705887 A CN201610705887 A CN 201610705887A CN 106119951 A CN106119951 A CN 106119951A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sic single
- single crystal
- growth
- crystal
- seed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 31
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 238000006396 nitration reaction Methods 0.000 claims description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 7
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 73
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021431 alpha silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Si-Al-C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018615 Si-Fe-C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008461 Si—Co—C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008300 Si—Fe—C Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 230000004223 radioprotective effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
- C30B9/04—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution
- C30B9/08—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution using other solvents
- C30B9/12—Salt solvents, e.g. flux growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及几种低温高速生长SiC单晶的助溶剂,属于晶体生长技术领域。本发明涉及的几种助溶剂为稀土金属镨(Pr)、铈(Ce)、镧(La)、镝(Dy)和铽(Tb),SiC单晶的生长方法为顶部籽晶溶液生长法。首先,将上述任意一种助溶剂与高纯硅(≥99.9999%)一起加热熔融,然后,将装有SiC籽晶的籽晶杆伸入到熔体液面下0.5~5cm处,旋转籽晶杆或者熔融容器进行SiC单晶的生长;晶体生长结束后将籽晶杆从熔体中移出;最后,用HNO3+HF的混酸去除SiC单晶表面的残留物得到高纯SiC单晶。
Description
技术领域
本发明涉及几种低温高速生长SiC单晶的助熔剂,属于晶体生长领域。
背景技术
SiC单晶属于第三代宽禁带半导体材料,具有禁带宽(Si的3倍)、热导率高(Si的3.3倍或GaAs的10倍)、电子饱和迁移速率高(Si的2.7倍)、击穿电场高(Si的10倍或GaAs的7倍)等性质,适合于制造高温、高压、高频、高功率、抗辐射、抗腐蚀的电子器件,可用于人造卫星、火箭、雷达与通讯、战斗机、海洋勘探、地震预报、石油钻井、汽车电子化等领域,弥补了传统半导体器件在实际应用中的缺陷。
制备块体SiC单晶的方法主要有物理气相传输法(PVT法)、高温化学气相沉积法和助熔剂法(或溶液生长法)。物理气相传输生长法是目前工业上生产大尺寸SiC单晶的方法。但该方法生长SiC单晶的能耗较高(温度通常高于2473K),晶体生长系统中气相复杂且较难控制,且产品具有微管密度高等晶体缺陷,导致SiC单晶片的价格十分昂贵。因此,如何降低SiC单晶的生产成本和提高SiC单晶的质量是物理气相传输生长法需要解决的关键问题。高温化学气相沉积法生长SiC单晶的温度较低(通常在1273-1773K),但该方法生长SiC单晶的速度较慢(小于70μm/h),如何提高晶体生长速度是该方法需要解决的难题。
助熔剂法是一种从饱和溶液中在籽晶上生长SiC单晶的方法。碳(C)和SiC在生长熔体中的溶解度对SiC单晶的生长速度影响最大。根据Si-C二元系相图,当温度小于2273K时,C在Si中的溶解度极低,SiC单晶的生长速度极慢,因此不能用Si-C熔体生长SiC单晶,但往Si-C熔体中添加某种助溶剂不仅可以降低熔体的液相线温度,还可以提高C和SiC在熔体中的溶解度,有利于提高SiC单晶的生长速度。因此,助熔剂法具有低温高速生长SiC单晶的条件,在未来有希望能够大幅度降低目前SiC单晶价格,促进SiC单晶在半导体领域的普及。
关于助熔剂法生长SiC单晶,目前已经报道的助熔剂有铬(Cr)、钛(Ti)、铁(Fe)、钪(Sc)、铝(Al)、钴(Co)等,涉及的生长熔体有Si-Cr-C、Si-Ti-C、Si-Fe-C、Si-Sc-C、Si-Al-C、Si-Co-C等。但C和SiC的溶解度在这些生长熔体中仍然非常有限。如何大幅度地提高C和SiC在生长熔体的溶解度是低温高速生长SiC单晶的关键问题,研究者仍需要继续对新型助熔剂进行探索和研究。
发明内容
本发明提供几种低温高速生长SiC单晶的助熔剂,为稀土金属镨(Pr)、铈(Ce)、镧(La)、镝(Dy)和铽(Tb)中的任意一种。
采用上述助熔剂制备SiC单晶的方法,具体步骤如下:
(1)首先将任意一种助熔剂(镨、铈、镧、镝或者铽)与高纯硅(≥99.9999%)(摩尔比为1:3~4:1)一起放入到高纯致密石墨坩埚中加热至熔融态,温度为1673~2073K,以高纯氩气作为保护气;
(2)待步骤(1)中的物料熔化后,将装有SiC籽晶的籽晶杆伸入到熔体液面下0.5~5cm处;
(3)旋转籽晶杆或者坩埚并升温进行SiC单晶的生长,温度梯度为5~50K/cm,生长时间为3~240h,籽晶杆或坩埚的旋转速度为1~40圈/min;
(4)晶体生长结束后,将籽晶杆从熔体中移出;
(5)用HNO3+HF的混酸(HNO3与HF体积比为2:1)去除SiC单晶表面的残留物得到SiC单晶。
本发明的有益效果是:
(1)本发明提供了几种新的生长SiC单晶的助熔剂,分别为镨(Pr)、铈(Ce)、镧(La)、镝(Dy)和铽(Tb)。
(2)采用本发明的助熔剂生长SiC单晶,生长速度与PVT法接近,但生长温度比PVT法低400~800K,即可实现低温高速生长SiC单晶。
(3)本发明的助熔剂在SiC单晶生长过程中起助熔作用(降低温度、提高C和SiC的溶解度),助熔剂本身不在SiC单晶生长过程中被消耗,可以重复循环使用。因此,本发明涉及的助熔剂法是一种低能耗、无污染、低成本、高效率的SiC单晶生长技术,有利于大幅度降低SiC单晶的价格,促进SiC单晶在半导体材料中的普及。
附图说明
图1是本发明的工艺流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式,对本发明作进一步说明。
实施例1
如图1所示,采用镨、铈、镧、镝和铽作为助熔剂制备SiC单晶,具体步骤如下:
(1)首先分别将一定量的镨、铈、镧、镝和铽与纯度为99.9999%的硅(摩尔比均为7:3,每种助熔剂单独进行1次SiC单晶的生长)放入到高纯致密石墨坩埚中加热至熔融态,其中温度均为2073K,保护气均为氩气;
(2)待步骤(1)中的各物料熔化后,将装有SiC籽晶[晶型为4H-SiC,(0001)方向]的籽晶杆自上往下伸入到熔体液面下0.5cm处;
(3)旋转熔体上端的籽晶杆并升温分别进行SiC单晶的生长,其中温度梯度均为5K/cm,生长时间均为3h,籽晶杆的旋转速度均为40圈/min;
(4)晶体生长结束后,将籽晶杆自下往上从熔体中移出;
(5)用HNO3+HF的混酸(HNO3与HF体积比为2:1)去除SiC单晶表面的残留物得到高纯SiC单晶;
(6)当助熔剂分别为镨、铈、镧、镝和铽时,SiC单晶的生长速度分别为392μm/h、428μm/h、338μm/h、365μm/h和413μm/h。
实施例2
如图1所示,采用镨、铈、镧、镝和铽作为助熔剂制备SiC单晶,具体步骤如下:
(1)首先分别将一定量的镨、铈、镧、镝和铽与纯度为99.9999%的硅(摩尔比均为4:1,每种助熔剂单独进行1次SiC单晶的生长)放入到高纯致密石墨坩埚中加热至熔融态,其中温度均为2073K,保护气均为氩气;
(2)待步骤(1)中的各物料熔化后,将装有SiC籽晶[晶型为4H-SiC,(0001)方向]的籽晶杆自上往下伸入到熔体液面下5cm处;
(3)旋转熔体上端的籽晶杆并升温分别进行SiC单晶的生长,其中温度梯度均为50K/cm,生长时间均为240h,籽晶杆的旋转速度均为40圈/min;
(4)晶体生长结束后,将籽晶杆自下往上从熔体中移出;
(5)用HNO3+HF的混酸(HNO3与HF体积比为2:1)去除SiC单晶表面的残留物得到高纯SiC单晶;
(6)当助熔剂分别为镨、铈、镧、镝和铽时,SiC单晶的生长速度分别为474μm/h、553μm/h、445μm/h、517μm/h和485μm/h。
实施例3
如图1所示,采用镨、铈、镧、镝和铽作为助熔剂制备SiC单晶,具体步骤如下:
(1)首先分别将一定量的镨、铈、镧、镝和铽与纯度为99.9999%的硅(摩尔比均为4:1,每种助熔剂单独进行1次SiC单晶的生长)放入到高纯致密石墨坩埚中加热至熔融态,其中温度均为1673K,保护气均为氩气;
(2)待步骤(1)中的各物料熔化后,将装有SiC籽晶[晶型为4H-SiC,(0001)方向]的籽晶杆自上往下伸入到熔体液面下1cm处;
(3)旋转坩埚并升温分别进行SiC单晶的生长,其中温度梯度均为50K/cm,生长时间均为240h,籽晶杆的旋转速度均为1圈/min;
(4)晶体生长结束后,将籽晶杆自下往上从熔体中移出;
(5)用HNO3+HF的混酸(HNO3与HF体积比为2:1)去除SiC单晶表面的残留物得到SiC单晶;
(6)当助熔剂分别为镨、铈、镧、镝和铽时,SiC单晶的生长速度分别为312μm/h、406μm/h、292μm/h、365μm/h和354μm/h。
实施例4
如图1所示,采用镨、铈、镧、镝和铽作为助熔剂制备SiC单晶,具体步骤如下:
(1)首先分别将一定量的镨、铈、镧、镝和铽与纯度为99.9999%的硅(摩尔比均为1:3,每种助熔剂单独进行1次SiC单晶的生长)放入到高纯致密石墨坩埚中加热至熔融态,其中温度均为1873K,保护气均为氩气;
(2)待步骤(1)中的各物料熔化后,将装有SiC籽晶[晶型为4H-SiC,(0001)方向]的籽晶杆自上往下伸入到熔体液面下3cm处;
(3)旋转坩埚并升温分别进行SiC单晶的生长,其中温度梯度均为30K/cm,生长时间均为120h,籽晶杆的旋转速度均为20圈/min;
(4)晶体生长结束后,将籽晶杆自下往上从熔体中移出;
(5)用HNO3+HF的混酸(HNO3与HF体积比为2:1)去除SiC单晶表面的残留物得到SiC单晶;
(6)当助熔剂分别为镨、铈、镧、镝和铽时,SiC单晶的生长速度分别为137μm/h、177μm/h、164μm/h、112μm/h和109μm/h。
Claims (8)
1.低温高速生长SiC单晶的助熔剂,为稀土金属镨、铈、镧、镝、铽中的任意一种。
2.采用权利要求1所述的助熔剂制备SiC单晶的方法,具体步骤如下:
(1)将助熔剂与高纯硅一起加热至熔融态,以惰性气体作为保护气;
(2)待步骤(1)中的物料完全熔化后,将装有SiC籽晶的籽晶杆伸入到熔体液面下0.5~5cm处;
(3)旋转籽晶杆或者熔融容器并升温进行SiC单晶的生长;
(4)晶体生长结束后,将籽晶杆从熔体中移出;
(5)用HNO3+HF的混酸去除SiC单晶表面的残留物得到SiC单晶。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,高纯硅中硅的含量不低于99.9999%。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤(1)中助熔剂与高纯硅的摩尔比为1:3~ 4:1。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤(1)中加热温度为1673~2073K。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤(1)中的惰性气体为高纯氩气。
7.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤(3)中升温的温度梯度为5~50K/cm,生长时间为3~240h,籽晶杆或熔融容器的旋转速度为1~40圈/min。
8.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤(5)中HNO3+HF的混酸HNO3与HF体积比为2:1。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610705887.3A CN106119951B (zh) | 2016-08-23 | 2016-08-23 | 低温高速生长SiC单晶的助熔剂 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610705887.3A CN106119951B (zh) | 2016-08-23 | 2016-08-23 | 低温高速生长SiC单晶的助熔剂 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106119951A true CN106119951A (zh) | 2016-11-16 |
CN106119951B CN106119951B (zh) | 2019-04-12 |
Family
ID=57275095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610705887.3A Active CN106119951B (zh) | 2016-08-23 | 2016-08-23 | 低温高速生长SiC单晶的助熔剂 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106119951B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108070909A (zh) * | 2016-11-17 | 2018-05-25 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 坩埚、坩埚的制备方法及4H-SiC晶体的生长方法 |
CN115478324A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-12-16 | 昆明理工大学 | 一种助溶剂法生长单晶或多晶SiC晶体的方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104695007A (zh) * | 2013-12-06 | 2015-06-10 | 信越化学工业株式会社 | 碳化硅的晶体生长方法 |
JP2015110498A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-18 | 信越化学工業株式会社 | 炭化珪素の結晶成長方法 |
JP2015110495A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-18 | 信越化学工業株式会社 | 炭化珪素の結晶成長方法 |
-
2016
- 2016-08-23 CN CN201610705887.3A patent/CN106119951B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104695007A (zh) * | 2013-12-06 | 2015-06-10 | 信越化学工业株式会社 | 碳化硅的晶体生长方法 |
CN104695019A (zh) * | 2013-12-06 | 2015-06-10 | 信越化学工业株式会社 | 碳化硅的晶体生长方法 |
JP2015110498A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-18 | 信越化学工業株式会社 | 炭化珪素の結晶成長方法 |
JP2015110495A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-18 | 信越化学工業株式会社 | 炭化珪素の結晶成長方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108070909A (zh) * | 2016-11-17 | 2018-05-25 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 坩埚、坩埚的制备方法及4H-SiC晶体的生长方法 |
CN115478324A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-12-16 | 昆明理工大学 | 一种助溶剂法生长单晶或多晶SiC晶体的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106119951B (zh) | 2019-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2484815B1 (en) | METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL | |
KR101310546B1 (ko) | 탄화규소 단결정의 제조 방법 | |
CN104860298B (zh) | 利用熔融态反应床制备石墨烯的方法 | |
CN104372408B (zh) | 常压下提拉法生长大尺寸氧化镓单晶的方法 | |
KR101827928B1 (ko) | SiC 단결정의 제조 방법 | |
KR101152857B1 (ko) | 탄화규소 단결정의 성장방법 | |
CN104805504A (zh) | 一种快速生长大尺寸碳化硅单晶的方法 | |
CN104451885A (zh) | 一种碳化硅晶体生长方法和装置 | |
CN104947182A (zh) | 一种快速生长大尺寸高纯半绝缘碳化硅单晶的方法 | |
WO2009069564A1 (ja) | 炭化珪素単結晶の成長法 | |
CN108286075A (zh) | SiC单晶的制造方法 | |
CN101435105A (zh) | 低含氧量硅晶体的制备方法 | |
US20120171848A1 (en) | Method and System for Manufacturing Silicon and Silicon Carbide | |
CN102628180A (zh) | 一种高纯度磷化铟多晶棒的制备方法 | |
CN106119951B (zh) | 低温高速生长SiC单晶的助熔剂 | |
CN111717911B (zh) | 一种石墨烯薄膜的制备方法 | |
JP5850490B2 (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
CN204325549U (zh) | 一种碳化硅晶体生长装置 | |
CN1367275A (zh) | 块状碳化硅单晶生长的制备方法 | |
CN115478324A (zh) | 一种助溶剂法生长单晶或多晶SiC晶体的方法 | |
CN202591206U (zh) | 玻相化材料淬水破碎回收装置 | |
CN116145258A (zh) | 一种低温溶液法生长SiC晶体的方法 | |
CN105133004A (zh) | 一种USb2单晶的助熔剂生长方法及制备的产品 | |
CN103757703B (zh) | 一种高纯度大尺寸碳化硅单晶及其制备工艺 | |
JP2018135228A (ja) | LiTaO3単結晶の育成方法とLiTaO3単結晶の処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220524 Address after: 100083 146, 1f, building 4, Xiaoguan (Changnan District), No. 25, Huayuan North Road, Haidian District, Beijing Patentee after: Beijing Qinghe Jingyuan Semiconductor Technology Co.,Ltd. Address before: 650093 No. 253, Xuefu Road, Wuhua District, Yunnan, Kunming Patentee before: Kunming University of Science and Technology |