CN106082250B - 一种高纯六硼化硅粉末制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种六硼化硅粉末制备方法,包括如下步骤:将平均粒度小于10微米的硅粉和小于20微米的硼粉按配比称重,球磨混合均匀,装入陶瓷坩埚,装入合成炉,通入氩气并滴入SiCl4,加热到1500‑1600℃,冷却后球磨得到所需的SiB6粉末。本发明方法能制备化学纯度高,物相纯净的单相SiB6粉末。
Description
技术领域
本发明属于特种粉末制备技术领域,涉及一种以粉末为原料制备六硼化硅粉末的方法。
背景技术
六硼化硅是一种特殊材料,主要应用在电子和军工方面的产品开发中。对其要求化学纯度高,物相是单相六硼化硅。
从原理上看,燃烧合成法或自蔓延高温合成法是一种利用元素/化合物反应放热来合成金属间化合物的方法,是合成特殊粉末的常用方法。但硼硅体系反应热效应低,实验发现自我维持的反应难以发生。因此需要开发新的方法合成这种六硼化硅粉末。
发明内容
本发明提供一种制备六硼化硅粉末的方法,包括如下步骤:
1)、将平均粒度10微米以下的硅粉和20微米以下的硼粉以陶瓷球磨罐球磨混合均匀;
2)、装入坩埚后,放入气体保护炉,通入氩气,升温到1400-1600℃,保温50--70分钟;
3)、在开始保温时向炉内滴入SiCl4,每分钟3-5ml,滴入时间9--11分钟;
4)冷却后用陶瓷罐球磨破碎得到最终SiB6粉末产品;
其中步骤1)中所述硅粉和硼粉的重量比为2.85-2.95:7。
实验发现,单纯加热硼与硅的粉末,即使加热到较高温度,也不能得到单相的六硼化硅。主要原因是硼和硅活性大,表面有氧化物,阻碍了反应的进行。本发明提出加入四氯化硅,其高温分解后产生活性大的硅提高反应形核速度和反应形核率;同时产生的氯对表面的氧化物也有刻蚀作用,促进反应的进行,使硼与硅的反应充分发生。
本发明方法能制备化学纯度高,物相纯净的单相SiB6粉末。
附图说明
图1是Si-B二元相图;
图2是本发明制备的SiB6粉末的XRD图。
具体实施方式
如图1所示,硼硅体系除了SiB6以外,还存在其它物相,反应过程容易得到其它的物相,难以获得单纯的SiB6相。
如果利用硼和硅的卤化物,气相反应合成SiB6相,反应物毒性大,反应产物的成分不易控制,容易残留硼和硅以外其它物相。单纯加热硼与硅的粉末,即使加热到较高温度,例如1650℃,也不能得到单相的六硼化硅。主要原因是硼和硅活性大,表面有氧化物,阻碍了反应的进行。本发明提出加入四氯化硅,其高温分解后产生活性大的硅提高反应形核速度和反应形核率;同时产生的氯对表面的氧化物也有刻蚀作用,促进反应的进行,使硼与硅的反应充分发生。
本发明提供一种制备六硼化硅粉末的方法,包括如下步骤:
将平均粒度10微米以下的硅粉和20微米以下的硼粉以陶瓷球磨罐球磨混合均匀;硅粉和硼粉的重量比为2.85-2.95:7。
装入坩埚后,放入气体保护炉,通入氩气,升温到1400-1600℃,保温50--70分钟;
在开始保温时向炉内滴入SiCl4,每分钟3-5ml,滴入时间9--11分钟;
冷却后用陶瓷罐球磨破碎得到最终SiB6粉末产品。
本发明方法能制备化学纯度高,物相纯净的单相SiB6粉末。
下面结合具体实施例对本发明作进一步阐述。
实施例1
将平均粒度10微米以下的硅粉287克和20微米以下的硼粉700克以陶瓷球磨罐球磨混合均匀;
装入坩埚后,放入气体保护炉,通入氩气,升温到1400℃,保温60分钟;
在开始保温时向炉内滴入SiCl4,每分钟5ml,滴入时间10分钟;
冷却后用陶瓷罐球磨破碎得到最终SiB6粉末产品。
实施例2
将平均粒度10微米以下的硅粉292克和20微米以下的硼粉700克以陶瓷球磨罐球磨混合均匀;
装入坩埚后,放入气体保护炉,通入氩气,升温到1600℃,保温60分钟;
在开始保温时向炉内滴入SiCl4,每分钟3ml,滴入时间10分钟;
冷却后用陶瓷罐球磨破碎得到最终SiB6粉末产品。
实施例3
将平均粒度10微米以下的硅粉290克和20微米以下的硼粉700克以陶瓷球磨罐球磨混合均匀;
装入坩埚后,放入气体保护炉,通入氩气,升温到1500℃,保温60分钟;
在开始保温时向炉内滴入SiCl4,每分钟4ml,滴入时间10分钟;
冷却后用陶瓷罐球磨破碎得到最终SiB6粉末产品。
Claims (1)
1.一种六硼化硅粉末制备方法,其特征在于包括如下步骤:
1)、将平均粒度10微米以下的硅粉和20微米以下的硼粉以陶瓷球磨罐球磨混合均匀;
2)、装入坩埚后,放入气体保护炉,通入氩气,升温到1400-1600℃,保温50--70分钟;
3)、在开始保温时向炉内滴入SiCl4,每分钟3-5ml,滴入时间9--11分钟;
4)冷却后用陶瓷罐球磨破碎得到最终SiB6粉末产品;
步骤1)中所述硅粉和硼粉的重量比为2.85-2.95:7。
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