CN106062985A - 光电转换元件和太阳能电池 - Google Patents
光电转换元件和太阳能电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106062985A CN106062985A CN201580010108.1A CN201580010108A CN106062985A CN 106062985 A CN106062985 A CN 106062985A CN 201580010108 A CN201580010108 A CN 201580010108A CN 106062985 A CN106062985 A CN 106062985A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- conversion element
- photo
- electric conversion
- electrode
- hole transporting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 11
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 124
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 92
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 60
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 claims description 5
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004693 imidazolium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 abstract description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 description 76
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 49
- -1 triphenylamine compound Chemical class 0.000 description 41
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 31
- 230000008859 change Effects 0.000 description 26
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 19
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 19
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Divinylene sulfide Natural products C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N dichloromethane Natural products ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 9
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 9
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 8
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 8
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N bromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1 QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N m-xylene Chemical group CC1=CC=CC(C)=C1 IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 5
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 5
- WGVGZVWOOMIJRK-UHFFFAOYSA-N 1-hexyl-3-methyl-2h-imidazole Chemical compound CCCCCCN1CN(C)C=C1 WGVGZVWOOMIJRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 4
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229960004424 carbon dioxide Drugs 0.000 description 4
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 4
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 4
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical class CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PRBHEGAFLDMLAL-UHFFFAOYSA-N 1,5-Hexadiene Natural products CC=CCC=C PRBHEGAFLDMLAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 1-chloronaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(Cl)=CC=CC2=C1 JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LIIKACGAKQELAM-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCC)C1(C2=CC(C=CC2=C2C=CC(C=C12)=C=C)=C=C)CCCCCCCC Chemical class C(CCCCCCC)C1(C2=CC(C=CC2=C2C=CC(C=C12)=C=C)=C=C)CCCCCCCC LIIKACGAKQELAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N as-o-xylenol Natural products CC1=CC=C(O)C=C1C YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 150000004862 dioxolanes Chemical class 0.000 description 3
- WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N formic acid ethyl ester Natural products CCOC=O WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 3
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 3
- PYGSKMBEVAICCR-UHFFFAOYSA-N hexa-1,5-diene Chemical compound C=CCCC=C PYGSKMBEVAICCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 3
- SNHMUERNLJLMHN-UHFFFAOYSA-N iodobenzene Chemical compound IC1=CC=CC=C1 SNHMUERNLJLMHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N iodomethane Chemical compound IC INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N monofluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC=C1 PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229960002415 trichloroethylene Drugs 0.000 description 3
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001889 triflyl group Chemical group FC(F)(F)S(*)(=O)=O 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- ZFFMLCVRJBZUDZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylbutane Chemical compound CC(C)C(C)C ZFFMLCVRJBZUDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JEDHEMYZURJGRQ-UHFFFAOYSA-N 3-hexylthiophene Chemical compound CCCCCCC=1C=CSC=1 JEDHEMYZURJGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Natural products CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical class C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- TZMFJUDUGYTVRY-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl diketone Natural products CCC(=O)C(C)=O TZMFJUDUGYTVRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPAGFVYQRIESJQ-UHFFFAOYSA-N indoline Chemical class C1=CC=C2NCCC2=C1 LPAGFVYQRIESJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Chemical compound [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N tertiry butyl alcohol Natural products CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N trifluoromethane acid Natural products FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- BHQCQFFYRZLCQQ-UHFFFAOYSA-N (3alpha,5alpha,7alpha,12alpha)-3,7,12-trihydroxy-cholan-24-oic acid Natural products OC1CC2CC(O)CCC2(C)C2C1C1CCC(C(CCC(O)=O)C)C1(C)C(O)C2 BHQCQFFYRZLCQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUDATBOHQWOJDD-UHFFFAOYSA-N (3beta,5beta,7alpha)-3,7-Dihydroxycholan-24-oic acid Natural products OC1CC2CC(O)CCC2(C)C2C1C1CCC(C(CCC(O)=O)C)C1(C)CC2 RUDATBOHQWOJDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- KAIPKTYOBMEXRR-UHFFFAOYSA-N 1-butyl-3-methyl-2h-imidazole Chemical compound CCCCN1CN(C)C=C1 KAIPKTYOBMEXRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 2-(ethylamino)ethanol Chemical compound CCNCCO MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 2-[2,4-di(pentan-2-yl)phenoxy]acetyl chloride Chemical compound CCCC(C)C1=CC=C(OCC(Cl)=O)C(C(C)CCC)=C1 NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKFYKCYQEWQPTM-UHFFFAOYSA-N 2-azaniumyl-2-(4-fluorophenyl)acetate Chemical compound OC(=O)C(N)C1=CC=C(F)C=C1 JKFYKCYQEWQPTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLYXJBROWQDVMI-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-4-nitrotoluene Chemical compound CC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1Cl LLYXJBROWQDVMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIKIZMDDFEYQJ-UHFFFAOYSA-N 4,5-dihydro-1h-imidazol-1-ium;thiocyanate Chemical compound [S-]C#N.C1CN=C[NH2+]1 NBIKIZMDDFEYQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004800 4-bromophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1Br 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NHIAEZJOVSXCRX-UHFFFAOYSA-N C(CCC)S(=O)(=O)O.[F] Chemical compound C(CCC)S(=O)(=O)O.[F] NHIAEZJOVSXCRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNMYWSMUMWPJLR-UHFFFAOYSA-L Calcium iodide Chemical compound [Ca+2].[I-].[I-] UNMYWSMUMWPJLR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004380 Cholic acid Substances 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical class Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N Methanethiol Chemical compound SC LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000012327 Ruthenium complex Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021612 Silver iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQITZQDGRMCLTB-UHFFFAOYSA-N [Cl].FC(F)F Chemical compound [Cl].FC(F)F YQITZQDGRMCLTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBOYOXRQUWVUFU-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Ti+4].[Nb+5] Chemical compound [O-2].[Ti+4].[Nb+5] OBOYOXRQUWVUFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004520 agglutination Effects 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 230000008485 antagonism Effects 0.000 description 1
- 229930014669 anthocyanidin Natural products 0.000 description 1
- 235000008758 anthocyanidins Nutrition 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- VKJLWXGJGDEGSO-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Ba+2] VKJLWXGJGDEGSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031709 bromination Effects 0.000 description 1
- 238000005893 bromination reaction Methods 0.000 description 1
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001622 calcium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L calcium dibromide Chemical compound [Ca+2].[Br-].[Br-] WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940046413 calcium iodide Drugs 0.000 description 1
- 229910001640 calcium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920003086 cellulose ether Polymers 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUDATBOHQWOJDD-BSWAIDMHSA-N chenodeoxycholic acid Chemical compound C([C@H]1C[C@H]2O)[C@H](O)CC[C@]1(C)[C@@H]1[C@@H]2[C@@H]2CC[C@H]([C@@H](CCC(O)=O)C)[C@@]2(C)CC1 RUDATBOHQWOJDD-BSWAIDMHSA-N 0.000 description 1
- 229960001091 chenodeoxycholic acid Drugs 0.000 description 1
- XCJXQCUJXDUNDN-UHFFFAOYSA-N chlordene Chemical compound C12C=CCC2C2(Cl)C(Cl)=C(Cl)C1(Cl)C2(Cl)Cl XCJXQCUJXDUNDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- BHQCQFFYRZLCQQ-OELDTZBJSA-N cholic acid Chemical compound C([C@H]1C[C@H]2O)[C@H](O)CC[C@]1(C)[C@@H]1[C@@H]2[C@@H]2CC[C@H]([C@@H](CCC(O)=O)C)[C@@]2(C)[C@@H](O)C1 BHQCQFFYRZLCQQ-OELDTZBJSA-N 0.000 description 1
- 229960002471 cholic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000019416 cholic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000004700 cobalt complex Chemical class 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LLVVIWYEOKVOFV-UHFFFAOYSA-L copper;diiodate Chemical compound [Cu+2].[O-]I(=O)=O.[O-]I(=O)=O LLVVIWYEOKVOFV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LCUOIYYHNRBAFS-UHFFFAOYSA-N copper;sulfanylideneindium Chemical compound [Cu].[In]=S LCUOIYYHNRBAFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- DTPCFIHYWYONMD-UHFFFAOYSA-N decaethylene glycol Polymers OCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCO DTPCFIHYWYONMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- KXGVEGMKQFWNSR-UHFFFAOYSA-N deoxycholic acid Natural products C1CC2CC(O)CCC2(C)C2C1C1CCC(C(CCC(O)=O)C)C1(C)C(O)C2 KXGVEGMKQFWNSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002168 ethanoic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011245 gel electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003707 hexyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 235000011167 hydrochloric acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002440 hydroxy compounds Chemical class 0.000 description 1
- ALTVCFKRYOLNPF-UHFFFAOYSA-N imino(trifluoromethyl)sulfanium Chemical compound FC(F)(F)[S+]=N ALTVCFKRYOLNPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- HEJPGFRXUXOTGM-UHFFFAOYSA-K iron(3+);triiodide Chemical compound [Fe+3].[I-].[I-].[I-] HEJPGFRXUXOTGM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- VRWKTAYJTKRVCU-UHFFFAOYSA-N iron(6+);hexacyanide Chemical class [Fe+6].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-] VRWKTAYJTKRVCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 230000013016 learning Effects 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002642 lithium compounds Chemical class 0.000 description 1
- QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N lithium;bis(trifluoromethylsulfonyl)azanide Chemical compound [Li+].FC(F)(F)S(=O)(=O)[N-]S(=O)(=O)C(F)(F)F QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007937 lozenge Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000004137 mechanical activation Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910001509 metal bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001511 metal iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N nitrous oxide Inorganic materials [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical group [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229950000845 politef Drugs 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- XJMOSONTPMZWPB-UHFFFAOYSA-M propidium iodide Chemical compound [I-].[I-].C12=CC(N)=CC=C2C2=CC=C(N)C=C2[N+](CCC[N+](C)(CC)CC)=C1C1=CC=CC=C1 XJMOSONTPMZWPB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BBFCIBZLAVOLCF-UHFFFAOYSA-N pyridin-1-ium;bromide Chemical compound Br.C1=CC=NC=C1 BBFCIBZLAVOLCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDRCCJPEJDWSRJ-UHFFFAOYSA-N pyridine;1h-pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1.C1=CC=NC=C1 RDRCCJPEJDWSRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003856 quaternary ammonium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000005839 radical cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M silver acetate Chemical compound [Ag+].CC([O-])=O CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940071536 silver acetate Drugs 0.000 description 1
- 229940045105 silver iodide Drugs 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007581 slurry coating method Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 1
- GROMGGTZECPEKN-UHFFFAOYSA-N sodium metatitanate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Ti](=O)O[Ti](=O)O[Ti]([O-])=O GROMGGTZECPEKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052979 sodium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZGHLCBJZQLNUAZ-UHFFFAOYSA-N sodium sulfide nonahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Na+].[Na+].[S-2] ZGHLCBJZQLNUAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004772 tellurides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-b]thiophene Chemical compound S1C=CC2=C1C=CS2 VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004961 triphenylmethanes Chemical class 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-MNYXATJNSA-N triton Chemical compound [3H+] GPRLSGONYQIRFK-MNYXATJNSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2004—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
- H01G9/2018—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte characterised by the ionic charge transport species, e.g. redox shuttles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2059—Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/209—Light trapping arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
- H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
- H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
- H10K30/151—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
- H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
- H10K30/152—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising zinc oxide, e.g. ZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/656—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising two or more different heteroatoms per ring
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/624—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing six or more rings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
Abstract
提供光电转换元件,其包括第一电极、空穴阻挡层、电子输送层、第一空穴输送层、和第二电极,其中所第一空穴输送层包括以下通式(1a)和通式(1b)表示的碱性化合物中的至少一种:其中在式(1a)或(1b)中,R1和R2表示取代或未取代的烷基或芳香族烃基团,并且可以相同或不同,并且R1和R2可彼此结合形成取代或未取代的包含氮原子的杂环基团。
Description
技术领域
本发明涉及生产光电转换元件和太阳能电池的方法。
背景技术
近年来,作为化石燃料的替代能源和对抗全球变暖的措施,太阳能电池的重要性逐渐增加。然而,现状是硅系太阳能电池为代表的现有太阳能电池造价高昂,并且造价高昂是妨碍普及的因素。
因此,促进了各种低成本太阳能电池的研究和开发。在这种太阳能电池中,瑞士洛桑联邦理工学院(Swiss Federal Institute of Technology in Lausanne)的Graetzel等提出的色素(dye-sensitized)增感型太阳能电池的实用化期待很高(参见,例如,专利文献1和非专利文献1和2)。
太阳能电池的结构由下列形成:透明导电性玻璃基板上的多孔金属氧化物半导体;吸附至多孔金属氧化物半导体表面的色素;包含氧化还原对的电解质;和对向电极。
通过利用由诸如氧化钛的金属氧化物半导体形成的多孔材料作为电极使表面积增加和单分子吸附钌络合化合物作为色素,专利文献1和非专利文献1和2的色素增感型太阳能电池的光电转换效率显著提高。
另外,由于可应用印刷技术作为生产光电转换元件的方法而因此不需要昂贵的制造设施,期待生产成本可以降低。然而,太阳能电池包含碘和挥发性溶剂,并且具有发电效率可因碘氧化还原系统劣化而降低和电解液可挥发或泄露的问题。
作为这些缺点的弥补,提出以下固体色素增感型太阳能电池:
1)利用无机半导体的固体色素增感型太阳能电池(参见,例如,非专利文献3和4);
2)利用低分子量有机空穴输送材料的固体色素增感型太阳能电池(参见,例如,专利文献2和非专利文献5和6);和
3)利用导电性聚合物的固体色素增感型太阳能电池(参见,例如,专利文献3和非专利文献7)。
非专利文献3描述的太阳能电池利用碘化铜作为构成p型半导体层的材料。这种太阳能电池在刚制成后具有比较良好的光电转换效率,但公知光电转换效率在数小时内由于例如碘化铜结晶粒增大导致的劣化而减半。
因此,非专利文献4描述的太阳能电池还包含硫氰酸咪唑啉(imidazoliniumthiocyanato)以抑制碘化铜结晶。然而,所述抑制是不足的。
Hagen等报告了非专利文献5描述的利用有机空穴输送材料的类型的固体色素增感型太阳能电池,并且Graetzel等对其进行了改良(参见非专利文献6)。
专利文献2描述的使用三苯基胺化合物的固体色素增感型太阳能电池包括通过真空气相沉积三苯基胺化合物而形成的电荷输送层。
因此,三苯基胺化合物无法到达多孔半导体的内部空孔。因此,其仅能获得低转换效率。
在非专利文献6的实例中,螺型空穴输送材料溶解在有机溶剂中,并且旋涂用于获得纳米二氧化钛粒子与空穴输送材料的复合体。
然而,在这种太阳能电池中,纳米二氧化钛粒子膜厚度的最适值被指定为约2μm,这远小于使用碘电解液时的厚度,即,10μm至20μm。因此,吸附至氧化钛的色素量很低,难以实现充分的光吸收和充分的载体生成。因此,不能达到使用电解液时获得的特性。
作为利用导电性聚合物的类型的固体太阳能电池,利用聚吡咯的固体太阳能电池已被大阪大学(Osaka University)的Yanagida等报告(参见非专利文献7)。这种固体太阳能电池也仅能够获得低转换效率。专利文献3描述的利用聚噻吩衍生物的固体色素增感型太阳能电池包括在色素吸附多孔氧化钛电极上通过电解聚合而形成的电荷移动层。然而,存在色素可从氧化钛脱附和色素可分解的问题。另外,聚噻吩衍生物在耐久性方面也非常有问题。
由于近年的技术开发,电子回路的驱动电力已被显著减少,并且可以通过将微弱光如室内光转换成电气来驱动各种电子部件如传感器。
另外,已报告现有电解液型色素增感型太阳能电池(利用例如碘)在微弱室内光下具有大于或等于非晶硅太阳能电池的光电转换特性(参见非专利文献8)。
然而,该电解液型色素增感型太阳能电池包含碘和上述挥发性溶剂,并且具有发电效率可因碘氧化还原系统劣化而降低和电解液可挥发或泄露的问题。
而且已报告,在将微弱光如室内光转换成电气时,由于光电转换元件的内部阻抗导致的损失电流显著(参见非专利文献9)。
当内部阻抗升高时,短路电流密度恶化,光电转换特性恶化。当内部阻抗降低时,开路电压恶化,光电转换特性恶化。也就是说,很难同时满足:升高的内部阻抗;和良好的光电转换特性。
与模拟阳光相比,在微弱光如室内光下,光电转换元件获得的开路电压较低。因此,为获得驱动电子回路所需的输出电压,需要获得高开路电压。
至今,已报告了可实现高开路电压的碱性物质(参见非专利文献10)。然而,在利用电解液如碘的类型的色素增感型太阳能电池中,没有碱性材料可实现比迄今使用的4-叔丁基吡啶更优的光电转换特性。
如上所述,在目前情况下,至今研究的固体光电转换元件还不能获得满意的特性。
引用列表
专利文献
专利文献1:日本专利号2664194
专利文献2:日本未审专利申请公开号11-144773
专利文献3:日本未审专利申请公开号2000-106223
非专利文献
非专利文献1:Nature,353(1991)737
非专利文献2:J.Am.Chem.Soc.,115(1993)6382
非专利文献3:Semicond.Sci.Technol.,10(1995)1689
非专利文献4:Electrochemistry,70(2002)432
非专利文献5:Synthetic Metals,89(1997)215
非专利文献6:Nature,398(1998)583
非专利文献7:Chem.Lett.,(1997)471
非专利文献8:Panasonic Technical Report,56(2008)87
非专利文献9:Fujikura Technical Report,121(2011)42
非专利文献10:Solar Energy Materials & Solar Cells,181(2004)87
非专利文献11:J.Org.Chem.,67(2002)3029
发明内容
技术问题
本发明的一个目的是解决上述问题和提供具有比迄今所获更优的光电转换特性的固体型光电转换元件。
问题解决方案
为解决上述问题进行的最早研究的结果是,已发现可以通过使空穴输送层包含特定碱性化合物来提供高性能固体光电转换元件。基于这个发现,达成了本发明。
也就是说,通过如下解决问题:光电转换元件,包括第一电极、空穴阻挡层、电子输送层、第一空穴输送层、和第二电极,其中第一空穴输送层包含以下通式(1a)和通式(1b)表示的碱性化合物中的至少一种。
---通式(1a)
---通式(1b)
在式(1a)或(1b)至,R1和R2表示取代或未取代的烷基或芳香族烃基团,并且可以相同或不同,并且R1和R2可彼此结合形成取代或未取代的包含氮原子的杂环基团。
发明效果
本发明可提供具有比迄今所获更优光电转换特性的固体光电转换元件。
附图简述
图1是示例本发明光电转换元件结构的与积层方向正交的的横截面的实例示意图。
具体实施方式
下文将参考图1来描述光电转换元件和太阳能电池的构造。
图1是示例性示意图,示例光电转换元件和太阳能电池的与积层方向正交的横截面。
在图1示例的实施方式中,构造包括基板1上的第一电极2、由氧化钛形成的空穴阻挡层3、电子输送层4、吸附至电子输送层的光增感材料5、和在光增感材料和第二电极7之间提供的空穴输送层6。
<第一电极>
第一电极2不被具体限制,只要第一电极2是对可见光透明的导电性材料。可以使用公知的用于例如一般光电转换元件或液晶板的导电性材料。
第一电极2的材料实例包括氧化铟锡(在下文中称作ITO)、掺氟氧化锡(在下文中称作FTO)、掺锑氧化锡(在下文中称作ATO)、氧化铟锌、氧化铌钛、和石墨烯(graphene)。可单独沉积这些材料中的一种,或可层积这些材料中的多于一种。
第一电极2的厚度优选为5nm至100μm,更优选50nm至10μm。
优选第一电极2被提供在由对可见光透明的材料形成的基板1上,从而维持硬度不变。例如,玻璃、透明塑料板、透明塑料膜、或无机透明结晶体被用于基板1。
还可以使用第一电极2和基板1的公知集成体。集成体的实例包括FTO涂层玻璃、ITO涂层玻璃、氧化锌:铝涂层玻璃、FTO涂层透明塑料膜、和ITO涂层透明塑料膜。
还可以使用这样的产品:其中掺有价态不同的阳离子或阴离子的氧化锡或氧化铟透明电极或形成透光性结构如网状和条状的金属电极被提供在基板如玻璃基板上。
可单独使用这些材料中的一种,或可混合或层积这些材料中的两种或更多种。另外,为了降低阻抗,例如,可组合使用金属导线。
金属导线的材料实例包括金属如铝、铜、银、金、铂、和镍。金属导线可通过如下方法形成:将金属导线布置在基板1上——通过例如气相沉积、溅射、或压接,和在金属导线上提供ITO或FTO。
<空穴阻挡层>
空穴阻挡层3不被具体限制,只要空穴阻挡层对可见光透明并且是电子输送材料。然而,氧化钛是特别优选的。为抑制损失电流以实现在微弱光如室内光下的使用可能,需要提供高内部阻抗,氧化钛形成空穴阻挡层3的成膜方法也很重要。
形成氧化钛膜的一般方法的实例包括溶胶-凝胶法和四氯化钛水解法,即湿式制膜。然而,获得的阻抗略低。溅射法——干式制膜,是更优选的。
为防止第一电极2和空穴输送层6之间电子接触,形成空穴阻挡层3。空穴阻挡层3的厚度不被具体限制,但湿式制膜优选5nm至1μm,更优选500nm至700nm,干式制膜更优选10nm至30nm。
<电子输送层>
本发明的光电转换元件和太阳能电池包括空穴阻挡层3上的多孔电子输送层4。多孔电子输送层4可包含单层或多层。
在多层情况下,可以通过涂布具有不同粒径的半导体粒子的分散液来形成多层,或也可以通过涂布不同种类的半导体或不同的树脂或添加剂组成来形成多层。
当通过一种涂布得不到足够厚度时,多层涂布是有效的手段。
一般,随着电子输送层的厚度增加,电子输送层4单位投影面积承载的光增感材料量增加,导致捕获率增加。然而,这也增加了注入电子的扩散距离,从而增加了电荷再结合导致的损失。
因此,电子输送层4的厚度优选为100nm至100μm。
半导体不被具体限制,并且可使用公知的半导体。
半导体的具体实例包括元素半导体如硅和锗、以金属硫属化物为代表的化合物半导体、和具有钙钛矿结构的化合物。
金属硫属化物的实例包括:钛、锡、锌、铁、钨、锆、铪、锶、铟、铈、钇、镧、钒、铌、和钽的氧化物;镉、锌、铅、银、锑、和铋的硫化物;镉和铅的硒化物;和镉的碲化物。
其它化合物半导体的实例包括:例如锌、镓、铟、和镉的磷化物;镓-砷化物;铜-铟-硒化物;和铜-铟-硫化物。
具有钙钛矿结构的化合物的实例包括钛酸锶,钛酸钙,钛酸钠,钛酸钡,和铌酸钾。可单独使用这些半导体中的一种,或可混合这些半导体中的两种或更多种来使用。
在这些半导体中,氧化物半导体是优选的,并且氧化钛、氧化锌、氧化锡、和氧化铌是特别优选的。这些半导体的结晶型不被具体限制,可以是单结晶、多结晶、或非晶质。
半导体粒子的尺寸不被具体限制。然而,一次粒子的平均直径优选为1nm至100nm,更优选5nm至50nm。
基于通过混合或层积具有较大平均粒径的半导体粒子获得的入射光散射效果,也可以提高效率。在这种情况下,半导体粒子的平均粒径优选为50nm至500nm。
生产电子输送层4的方法不被具体限制。方法实例包括诸如溅射的在真空中形成薄膜的方法、和湿式制膜法。
在生产成本和其它因素被纳入考虑时,湿式制膜法是优选的,而制备分散有半导体粒子粉末或溶胶的糊浆并用该糊浆涂布电子集电电极基板的方法是更优选的。
在利用湿式制膜法时,涂布方法不被具体限制,并且可以按照公知方法实施。涂布方法的实例包括浸涂法、喷涂法、线棒法、旋涂法、辊涂法、刮板涂布法,和凹版涂布法。另外,作为湿式印刷方法,可采用各种方法,如凸版、胶版、凹版、凹纹、橡胶版、和丝网印刷。
在通过机械粉碎或利用研磨机生产半导体粒子分散液时,通过在水或有机溶剂中至少单独分散半导体粒子或分散半导体粒子和树脂的混合物,形成分散液。
树脂的实例包括基于例如苯乙烯、乙酸乙烯酯、丙烯酸酯、和甲基丙烯酸酯的乙烯基化合物的聚合物或共聚物、硅树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚乙烯醇缩甲醛树脂、聚酯树脂、纤维素酯树脂、纤维素醚树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂、环氧树脂、聚碳酸酯树脂、聚烯丙酯树脂、聚酰胺树脂、和聚酰亚胺树脂。
分散半导体粒子的溶剂的实例包括水;醇系溶剂,如甲醇、乙醇、异丙醇、和α-松油醇;酮系溶剂,如丙酮、甲基乙基酮、和甲基异丁基酮;酯系溶剂,如甲酸乙酯、乙酸乙酯、和乙酸正丁酯;醚系溶剂,如二乙醚、二甲氧基乙烷、四氢呋喃、二氧戊环、和二烷;酰胺系溶剂,如N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、和N-甲基-2-吡咯烷酮;卤化烃系溶剂,如二氯甲烷、氯仿、溴仿、甲基碘、二氯乙烷、三氯乙烷、三氯乙烯、氯苯、邻二氯苯、氟苯、溴苯、碘苯、和1-氯萘;和烃系溶剂,如正戊烷、正己烷、正辛烷、1,5-己二烯、环己烷、甲基环己烷、环己二烯、苯、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、乙基苯、和异丙苯。可单独使用这些溶剂至的一种,或可作为混合溶剂使用这些溶剂中的两种或更多种。
为防止粒子再凝集,可将,例如,诸如盐酸、硝酸、和乙酸的酸;诸如聚氧乙烯(10)辛基苯基醚的表面活性剂;和诸如乙酰基丙酮、2-氨基乙醇、和乙二胺的螯合剂加入半导体粒子分散液或通过例如溶胶-凝胶法获得的半导体粒子糊浆。
另外,为提高制膜性,添加增粘剂是有效的手段。
增粘剂的实例包括诸如聚乙二醇和聚乙烯醇的聚合物和诸如乙基纤维素的增粘剂。
为提供粒子之间的电子接触,提高膜强度,和提高与基板的密着性,优选使半导体粒子在涂布后进行烧制、微波照射、电子束照射、或激光照射。可单独应用这些处理,或可组合应用这些处理中的两种或更多种。
在烧制时,烧制温度不被限制于具体范围,但优选30℃至700℃,更优选100℃至600℃,因为如果温度过高,基板的阻抗可升高或基板可熔融。烧制时间也不被具体限制,但优选10分钟至10小时。
微波照射可从电子输送层4形成侧或背侧给予。
照射时间不被具体限制,但优选在1小时内。
在烧制后,为增加半导体粒子的表面积和增加从光增感材料到半导体粒子的电子注入效率,可进行利用四氯化钛水溶液或与有机溶剂的混合溶液的化学镀敷、或利用三氯化钛水溶液的电化学镀敷处理。
通过例如烧结沉积具有数十纳米直径的半导体粒子而获得的膜中形成多孔状态。这种纳米多孔结构具有非常大的表面积。该表面积可通过粗糙因数表示。
粗糙因数是表示相对于在基板上涂布半导体粒子的面积的多孔质地内部实际面积的数值。因此,较大粗糙因数是更优选的。然而,考虑到与电子输送层4的膜厚度的关系,在本发明中粗糙因数优选为20以上。
<光增感材料>
在本发明至,为进一步提高转换效率,光增感材料被吸附至电子输送半导体的表面——即电子输送层4。通式(2)表示的物质优选作为光增感材料。
---通式(2)
在式中,R3表示取代或未取代的烷基。
下文将示出通式(2)的具体示例性化合物。但是这些化合物是非限制性实例。
色素1 R3=CH2CH3(日本化学物质词典编号J2.477.478C和J3.081.465G)
色素2 R3=(CH2)3CH3
色素3 R3=C(CH3)3
色素4 R3=(CH2)9CH3
色素5 R3=(CH2)2COOH
色素6 R3=(CH2)4COOH
色素7 R3=(CH2)7COOH
色素8 R3=(CH2)10COOH(日本化学物质词典编号J3.113.583D)
通式(2)表示的化合物可通过Dye and Pigments 91(2011)pp.145-152描述的方法合成。
光增感材料5不限于上示化合物,只要光增感材料是通过所用激励光可光激励的化合物。光增感材料的具体实例也包括下列。
光增感材料的具体实例包括:在例如PCT国际申请公开号JP-T-07-500630的日文译文、日本未审专利申请公开号10-233238、2000-26487、2000-323191、和2001-59062中描述的金属络合化合物;在例如日本未审专利申请公开号10-93118、2002-164089和2004-95450、和J.Phys.Chem.C,7224,Vol.111(2007)中描述的香豆素化合物;在例如日本未审专利申请公开号2004-95450和Chem.Commun.,4887(2007)中描述的多烯化合物;在例如日本未审专利申请公开号2003-264010、2004-63274、2004-115636、2004-200068、和2004-235052,J.Am.Chem.Soc.,12218,Vol.126(2004),Chem.Commun.,3036(2003)、和Angew.Chem.Int.Ed.,1923,Vol.47(2008)中描述的二氢吲哚化合物;在例如J.Am.Chem.Soc.,16701,Vol.128(2006)和J.Am.Chem.Soc.,14256,Vol.128(2006)中描述的噻吩化合物;在例如日本未审专利申请公开号11-86916、11-214730、2000-106224、2001-76773、和2003-7359中描述的花青色素;在例如日本未审专利申请公开号11-214731、11-238905、2001-52766、2001-76775、和2003-7360中描述的份菁色素;在例如日本未审专利申请公开号10-92477、11-273754、11-273755、和2003-31273中描述的9-芳基呫吨化合物;在例如日本未审专利申请公开号10-93118和2003-31273中描述的化合物;和在例如日本未审专利申请公开号09-199744、10-233238、11-204821和11-265738、J.Phys.Chem.,2342,Vol.91(1987)、J.Phys.Chem.B,6272,Vol.97(1993)、Electroanal.Chem.,31,Vol.537(2002)、日本未审专利申请公开号2006-032260、J.Porphyrins Phthalocyanines,230,Vol.3(1999)、Angew.Chem.Int.Ed.,373,Vol.46(2007)、和Langmuir,5436,Vol.24(2008)中描述的酞菁化合物和卟啉化合物。
在这些光增感材料中,金属络合化合物、香豆素化合物、多烯化合物、二氢吲哚化合物、和噻吩化合物是优选的。
作为使光增感材料5吸附至电子输送层4的方法,可以采用将包含半导体粒子的电子集电电极浸入光增感材料溶液或分散液的方法和用溶液或分散液涂布电子输送层以吸附光增感材料的方法。
作为将包含半导体粒子的电子集电电极浸入光增感材料溶液或分散液的方法,可采用例如浸渍法、浸涂法、辊涂法,和气刀法。
作为用溶液或分散液涂布电子输送层以吸附光增感材料的方法,可采用例如线棒法、滑斗法(slide hopper method)、挤出法、幕涂法(curtain method)、旋涂法、和喷涂法。
可在超临界流体下利用例如二氧化碳吸附光增感材料。
在吸附光增感材料5时,可组合使用缩合剂。
缩合剂可以是下列中的任意种:呈现催化光增感材料和电子输送化合物与无机物表面的物理或化学结合的物质;和化学计量地作用以致使化学平衡有利移动的物质。
另外,可添加硫醇或羟基化合物作为缩合助剂。
溶解或分散光增感材料5的溶剂的实例包括:水;醇系溶剂,如甲醇、乙醇、和异丙醇;酮系溶剂,如丙酮、甲基乙基酮、和甲基异丁基酮;酯系溶剂,如甲酸乙酯、乙酸乙酯、和乙酸正丁酯;醚系溶剂,如二乙醚、二甲氧基乙烷、四氢呋喃、二氧戊环、和二烷;酰胺系溶剂,如N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、和N-甲基-2-吡咯烷酮;卤化烃系溶剂,如二氯甲烷、氯仿、溴仿、甲基碘、二氯乙烷、三氯乙烷、三氯乙烯、氯苯、邻二氯苯、氟苯、溴苯、碘苯、和1-氯萘;和烃系溶剂,如正戊烷、正己烷、正辛烷、1,5-己二烯、环己烷、甲基环己烷、环己二烯、苯、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、乙基苯、和异丙苯。可单独使用这些溶剂中的一种,或可使用这些溶剂中的两种或更多种的混合。
一些种类的光增感材料在不同化合物之间的凝集被抑制时更有效作用。因此,可组合使用凝集解离剂。
作为凝集解离剂,类固醇化合物如胆酸和鹅去氧胆酸、长链烷基羧酸、或长链烷基膦酸是优选的。适当的凝集解离剂根据所用色素来选择。
相对于1质量份的色素,凝集解离剂的添加量优选为0.01质量份至500质量份,更优选0.1质量份至100质量份。
单独吸附光增感材料的温度或吸附光增感材料和凝集解离剂的温度为优选-50℃以上但200℃以下。
吸附可在静置状态或搅拌下进行。
搅拌方法不被具体限制,并且可根据预期目的适当地选择。该方法的实例包括搅拌器、球磨机、涂料调节器(paint conditioner)、砂磨机、磨碎机、分散器、和超声分散。
吸附所需时间优选为5秒以上但1,000小时以下,更优选10秒以上但500小时以下,还更优选1分钟以上但150小时以下。
另外,优选在昏暗场所进行吸附。
<空穴输送层>
空穴输送材料6不被具体限制,并且可根据预期目的适当选择,只要空穴输送材料包含有机空穴输送材料和通式(1a)和通式(1b)表示的碱性化合物中的至少一种。
作为一般空穴输送层,使用例如通过在有机溶剂中溶解氧化还原对获得的电解液、通过将有机溶剂中溶解氧化还原对所得液体浸入聚合物基质获得的凝胶电解质、包含氧化还原对的熔融盐、固体电解质、无机空穴输送材料,和有机空穴输送材料。
<<有机空穴输送材料>>
有机空穴输送材料可用于具有由单种材料形成的单层结构的空穴输送层6和具有由多种化合物形成的层积结构的空穴输送层6。
作为由单种材料形成的单层结构中使用的有机空穴输送材料,使用公知的有机空穴输送化合物。
公知的有机空穴输送化合物的具体实例包括:二唑化合物,在例如日本在审专利公开号34-5466中示出;三苯基甲烷化合物,在例如日本在审专利公开号45-555中示出;吡唑啉化合物,在例如日本在审专利公开号52-4188中示出;腙化合物,在例如日本在审专利公开号55-42380中示出;二唑化合物,在例如日本未审专利申请公开号56-123544中示出;四芳基联苯胺化合物,在日本未审专利申请公开号54-58445中示出;芪化合物,在日本未审专利申请公开号58-65440或日本未审专利申请公开号60-98437中示出;和螺二芴系化合物,如Adv.Mater.,813,vol.17,(2005)描述的螺-OMeTAD。
在这些有机空穴输送化合物中,上述被称为螺-OMeTAD的空穴输送材料是优选的,因为这种空穴输送材料呈现优异的光电转换特性。
在以层积结构形式使用的空穴输送层6中,作为在第二电极7邻近所用的聚合物材料,使用公知的空穴输送性聚合物材料。
公知的空穴输送性聚合物材料的具体实例包括:
聚噻吩化合物,如聚(3-正己基噻吩)、聚(3-正辛氧基噻吩)、聚(9,9′-二辛基-芴-共-双噻吩)、聚(3,3″′-十二烷基-四噻吩)、聚(3,6-二辛基噻吩并[3,2-b]噻吩)、聚(2,5-双(3-癸基噻吩-2-基)噻吩并[3,2-b]噻吩)、聚(3,4-十二烷基噻吩-共-噻吩并[3,2-b]噻吩)、聚(3,6-二辛基噻吩并[3,2-b]噻吩-共-噻吩并[3,2-b]噻吩)、聚(3,6-二辛基噻吩并[3,2-b]噻吩-共-噻吩)、和聚(3.6-二辛基噻吩并[3,2-b]噻吩-共-双噻吩);
聚亚苯基亚乙烯基化合物,如聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、聚[2-甲氧基-5-(3,7-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、和聚[(2-甲氧基-5-(2-乙基p己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基)-共-(4,4′-双亚苯基-亚乙烯基)];
聚芴化合物,如聚(9,9′-十二烷基芴基-2,7-二基)、聚[(9,9-二辛基-2,7-二亚乙烯基芴)-alt-共-(9,10-蒽)]、聚[(9,9-二辛基-2,7-二亚乙烯基芴)-alt-共-(4,4′-双亚苯基)]、聚[(9,9-二辛基-2,7-二亚乙烯基芴)-alt-共-(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基)]、和聚[(9,9-二辛基-2,7-二基)-共-(1,4-(2,5-二己氧基)苯)];
聚亚苯基化合物,如聚[2,5-二辛氧基-1,4-亚苯基]和聚[2,5-二(2-乙基己氧基-1,4-亚苯基];
聚芳基胺化合物,如聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-alt-共-(N,N′-二苯基)-N,N′-二(对己基苯基)-1,4-二氨基苯]、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-alt-共-(N,N′-双(4-辛氧基苯基)联苯胺-N,N′-(1,4-di亚苯基)]、聚[(N,N′-双(4-辛氧基苯基)联苯胺-N,N′-(1,4-二亚苯基)]、聚[(N,N′-双(4-(2-乙基己氧基)苯基)联苯胺-N,N′-(1,4-二亚苯基)]、聚[苯基亚氨基-1,4-亚苯基亚乙烯基-2,5-二辛氧基-1,4-亚苯基亚乙烯基-1,4-亚苯基]、聚[对甲苯基亚氨基-1,4-亚苯基亚乙烯基-2,5-二(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基-1,4-亚苯基]、和聚[4-(2-乙基己氧基)苯基亚氨基-1,4-双亚苯基];和
聚噻二唑化合物,如聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-alt-共-(1,4-苯并(2,1′,3)噻二唑]和聚(3,4-十二烷基噻吩-共-(1,4-苯并(2,1′,3)噻二唑)。
在这些空穴输送性聚合物材料中,考虑到载体移动度和离子化潜力,聚噻吩化合物和聚芳基胺化合物是特别优选的。
在有机空穴输送材料中可添加各种添加剂。
添加剂的实例包括:碘;金属碘化物,如碘化锂、碘化钠、碘化钾、碘化铯、碘化钙、碘化铜、碘化铁、和碘化银;季铵盐,如四烷基碘化铵和碘化吡啶;金属溴化物,如溴化锂、溴化钠、溴化钾、溴化铯、和溴化钙;季铵化合物的溴盐,如四烷基溴化铵和溴化吡啶;金属氯化物,如氯化铜和氯化银;金属乙酸盐,如乙酸铜、乙酸银、和乙酸钯;金属硫酸盐,如硫酸铜和硫酸锌;金属络合物,如亚铁氰酸盐(酯)-铁氰酸盐(酯)和二茂铁-二茂铁离子(ferrocene-ferricinium ion);硫化合物,如聚硫化钠和烷基硫醇-烷基二硫;紫罗碱色素、氢醌等;Inorg.Chem.35(1996)1168描述的离子液体,如1,2-二甲基-3-正丙基咪唑啉碘、1-甲基-3-正己基咪唑啉碘、1,2-二甲基-3-乙基咪唑三氟甲烷磺酸盐、1-甲基-3-丁基咪唑九氟丁基磺酸盐、和1-甲基-3-乙基咪唑双(三氟甲基)磺酰亚胺;碱性化合物,如吡啶、4-叔丁基吡啶、和苯并咪唑;和锂化合物,如三氟甲烷磺酰亚胺锂和二异丙基酰亚胺锂。
<<碱性化合物>>
在本发明中,通过在有机空穴输送材料中添加以下通式(1a)或通式(1b)表示的碱性化合物,可获得特别高的开路电压。
另外,光电转换元件的内部阻抗升高,能够在微弱光如室内光下减少损失电流。因此,可以获得比现有碱性化合物所获更高的开路电压。
---通式(1a)
---通式(1b)
在式(1a)或(1b)中,R1和R2表示取代或未取代的烷基或芳香族烃基团,并且可以相同或不同,并且R1和R2可彼此结合形成取代或未取代的包含氮原子的杂环基团。取代基的实例包括烷基、芳香族烃基团、和取代或未取代的烷氧基。
至今,已有已知的化合物具有与通式(1a)或通式(1b)相似的结构并且被归类为下述碱性化合物。已知其中一些化合物已作为碱性化合物被用于碘电解液型色素增感型太阳能电池。这些化合物提供高开路电压,但已被报告大幅减少短路电流密度和显著恶化光电转换特性。
空穴输送层6利用上述有机空穴输送材料,并且不同于基于碘电解液等的空穴输送模型。
因此,短路电流密度减少量少并且可获得高开路电压,从而可以获得优异的光电转换特性。另外,可验证在微弱光如室内光下在光电转换时呈现特别突出优异的性能。这种光电转换是极少报告的情况。
通式(1a)或通式(1b)的具体示例性化合物在下文表1(表1-1和表1-2)中示出。然而,这些化合物非限制性实例。
表1-1
表1-2
通式(1a)或通式(1b)表示的碱性化合物在空穴输送层6中的添加量为,相对于100质量份有机空穴输送材料,优选1质量份以上但20质量份以下,更优选5质量份以上但15质量份以下。
<本发明所用碱性材料(1a)或(1b)的合成方法>
碱性材料可容易通过下示途径以与报告例(J.Org.Chem.,67(2002)3029)相同的方式合成。
---反应式(a)
---反应式(b)
在式(a)和(b)中,R1和R2表示取代或未取代的烷基或芳香族烃基团,并且可以相同或不同。R1和R2可彼此结合形成取代或未取代的包含氮原子的杂环基团。X表示卤素。
为提高导电性,可添加使有机空穴输送材料的一部分变成自由基阳离子的氧化剂。
氧化剂的实例包括三(4-溴苯基)六氯锑酸铵、六氟锑酸银、四氟硼酸亚硝、硝酸银、和钴络合物系化合物s。
无需通过添加氧化剂氧化全部有机空穴输送材料。仅部分有机空穴输送材料需要被氧化。添加的氧化剂在添加后是否被移除到系统外是任选的。
空穴输送层6直接在承载光增感材料的电子输送层4上形成。空穴输送层6的制备方法不被具体限制。该方法的实例包括在真空中形成薄膜的方法如真空气相沉积、和湿式制膜法。考虑到制造成本和其它因素,湿式制膜法是特别优选的,并且用空穴输送层涂布电子输送层4的方法是优选的。
在采用湿式制膜法时,涂布方法不被具体限制,并且可按照公知方法进行。涂布方法的实例包括浸涂法、喷涂法、线棒法、旋涂法、辊涂法、刮板涂布法,和凹版涂布法。另外,作为湿式印刷方法,可采用各种方法,如凸版、胶版、凹版、凹纹、橡胶版、和丝网印刷。
制膜可在超临界流体或温度/压力低于临界点的亚临界流体下进行。
超临界流体不被具体限制,并且可根据预期目的适当选择,只要超临界流体在高于气体和液体可共存的界限(临界点)的温度和压力范围中作为非凝集性高密度流体存在,并且即使在被压缩时也不凝集,而是在临界温度以上或临界压力以上的状态下仍是流体。然而,具有低临界温度的超临界流体是优选的。
超临界流体的优选实例包括一氧化碳、二氧化碳、氨、氮、水、醇系溶剂如甲醇、乙醇、和正丁醇、烃系溶剂如乙烷、丙烷、2,3-二甲基丁烷、苯、和甲苯、卤素系溶剂如二氯甲烷和氯三氟甲烷、和醚系溶剂如二甲基醚。在这些超临界流体中,二氧化碳是特别优选的,因为二氧化碳具有临界压力7.3MPa和临界温度31℃,因此可容易形成超临界状态并且不可燃和容易处理。
可单独使用这些流体中的一种,或可使用这些流体的两种以上的混合物。
亚临界流体不被具体限制,并且可根据预期目的适当选择,只要亚临界流体在邻近临界点的温度和压力范围中作为高压液体存在。
作为超临界流体实例提出的化合物也可适合用作亚临界流体。
超临界流体的临界温度和临界压力不被具有限制,并且可根据预期目的适当选择。然而,临界温度优选为-273℃以上但300℃以下,特别优选0℃以上但200℃以下。
除超临界流体和亚临界流体外,还可组合使用有机溶剂和夹带剂。
有机溶剂和夹带剂的添加致使超临界流体中溶解度的调节更容易。
有机溶剂不被具体限制,并且可根据预期目的适当选择。有机溶剂的实例包括:酮系溶剂,如丙酮、甲基乙基酮、和甲基异丁基酮;酯系溶剂,如甲酸乙酯、乙酸乙酯、和乙酸正丁酯;醚系溶剂,如二异丙基醚、二甲氧基乙烷、四氢呋喃、二氧戊环、和二烷;酰胺系溶剂,如N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、和N-甲基-2-吡咯烷酮;卤化烃系溶剂,二氯甲烷、氯仿、溴仿、甲基碘、二氯乙烷、三氯乙烷、三氯乙烯、氯苯、邻二氯苯、氟苯、溴苯、碘苯、和1-氯萘;和烃系溶剂,如正戊烷、正己烷、正辛烷、1,5-己二烯、环己烷、甲基环己烷、环己二烯、苯、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、乙基苯、和异丙苯。
在设置有用光增感材料涂布的电子输送材料的第一电极2上设置有机空穴输送材料后,可实施压力处理步骤。
认为压力处理致使有机空穴输送材料与多孔电极的密着性更强,从而提高效率。
压力处理方法不被具体限制。方法实例包括利用以IR锭剂整形器为代表的平板的压力成型法和利用例如辊的辊压法。
压力处理时的压力优选为10kgf/cm2以上,更优选30kgf/cm2以上。进行压力处理的时间不被具体限制,但优选在1小时内。
在压力处理过程中可加热。
在压力处理时,剥离材料可被夹在压力机和电极之间。
剥离材料的实例包括氟树脂,如聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、全氟烷氧基氟树脂、聚偏二氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物、乙烯-氯三氟乙烯共聚物、和聚氟乙烯。
在压力处理步骤后、设置对向电极前,可在有机空穴输送材料和第二电极7之间提供金属氧化物。金属氧化物的实例包括氧化钼、氧化钨、氧化钒、和氧化镍。在这些金属氧化物中,氧化钼是特别优选的。
如上所述,空穴输送层6可含有由单种材料形成的单层结构或由多种化合物形成的层积结构。在层积结构的情况下,优选在有机空穴输送材料层中邻近第二电极7处使用聚合物材料。
这是因为制膜性优异的聚合物材料的使用可致使多孔电子输送层4的表面更平滑并且可提高光电转换特性。
另外,聚合物材料难以浸透多孔电子输送层4内部。这反而使得聚合物材料在涂布多孔电子输送层4表面方面优异并且在设置电极时有效防止短路,得到较高性能。
<第二电极>
在有机空穴输送材料上设置金属氧化物的方法不被具体限制。方法实例包括在真空中形成薄膜的方法如溅射和真空气相沉积、和湿式制膜法。
作为湿式制膜法,优选制备通过分散金属氧化物的粉末或溶胶获得的糊浆,和用该糊浆涂布空穴输送层6的方法。
在应用湿式制膜法时,涂布方法不被具体限制,并且可按照公知的方法进行。涂布方法的实例包括浸涂法、喷涂法、线棒法、旋涂法、辊涂法、刮板涂布法、和凹版涂布法。另外,作为湿式印刷方法,可采用各种方法,如凸版、胶版、凹版、凹纹、橡胶版、和丝网印刷。第二电极的厚度优选为0.1nm至50nm,更优选1nm至10nm。
第二电极7在空穴输送层6形成后新提供,或在金属氧化物上新提供。
一般,与上述第一电极2相同的构成可作为第二电极7应用。支持体对于其构成强度和密封性能充分保持不是不可或缺的。
第二电极7的材料实例包括:金属,如铂,金,银,铜,和铝;碳系化合物,如石墨、富勒烯、碳纳米管,和石墨烯;导电性金属氧化物,如ITO、FTO、和ATO;和导电性聚合物,如聚噻吩和聚苯胺。
第二电极7的厚度不被具体限制。因此,第二电极7的材料可单独使用、或材料中的两种以上可混合使用。
根据所用材料的种类和空穴输送层6的种类,第二电极7的涂设可通过适当的方法进行,如涂布、层积、气相沉积、CVD、和贴合空穴输送层6。
为能够作为色素增感型太阳能电池作用,第一电极2和第二电极7中的至少一种需要是基本上透明的。
在本发明的色素增感型太阳能电池中,第一电极2是透明的。优选的方式是使阳光从第一电极2侧入射。在这种情况下,优选在第二电极7侧使用光反射材料。金属、气相沉积导电性氧化物的玻璃、塑料、和金属薄膜是优选的。
另外,在阳光入射侧设置抗反射层是有效的手段。
<应用>
本发明的色素增感型太阳能电池可应用于采用太阳能电池的电源装置。
应用实例包括迄今已利用太阳能电池或采用太阳能电池的电源装置的所有机器类。
不用说,色素增感型太阳能电池可用作例如桌上电子计算器或腕表的太阳能电池。然而,将要装备在例如便携电话、电子管理器、和电子纸上的电源装置可被提出作为利用本发明光电转换元件的特征的实例。另外,以延长充电式或干电池式操作的电气器具的连续使用时间为目的的辅助电源可被提出作为应用实例。
实施例
下文通过实施例来具体描述本发明。然而,本发明的实施方式不应被解释为限制于实施例。
[实施例1]
(氧化钛半导体电极的制备)
将四正丙醇钛(2ml)、乙酸(4ml)、离子交换水(1ml)、和2-丙醇(40ml)混合,旋涂在FTO玻璃基板上,在室温下干燥,和在450℃下在空气中烧制30分钟,生成氧化钛半导体电极。
将相同溶液再次旋涂在获得的电极上,达到膜厚度100nm,并在450℃下在空气中烧制30分钟,形成空穴阻挡层。
氧化钛(可获自Nippon Aerosil Co.,Ltd.,P90)(3g)、乙酰基丙酮(0.2g)、和表面活性剂(可获自Wako Pure Chemical Industries,Ltd.,聚氧乙烯辛基苯基醚:TRITON X-100)(0.3g)与水(5.5g)和乙醇(1.0g)经球磨机处理12小时。
将聚二乙醇(#20,000)(1.2g)加入获得的分散液,生成糊浆。
将糊浆涂布在空穴阻挡层上,达到厚度1.5μm,在室温下干燥,并在500℃下在空气中烧制30分钟,形成多孔电子输送层。
(色素增感型太阳能电池的制备)
将上述氧化钛半导体电极浸入增感色素,即上述色素8(0.5mM、乙腈/叔丁醇(体积比为1∶1)溶液),并在昏暗处静置1小时,以吸附光增感材料。
通过将可获自Kanto Chemical Co.,Inc.的双(三氟甲烷磺酰基)酰亚胺锂(其中固体含量为1质量%)和示例性碱性化合物编号1(其中固体含量为1.4质量%)加入有机空穴输送材料(可获自Merck Ltd.,产品名称:2,2′,7,7′-四(N,N-二-对甲氧基苯基氨基)-9,9′-螺二芴,产品编号:SHT-263)溶解在氯苯中的溶液(其中固体含量为14质量%),得到溶液,用该溶液旋涂承载光增感剂的半导体电极,形成空穴输送层。将银真空气体沉积在空穴输送层上,达到厚度100nm,生成色素增感型太阳能电池。
(色素增感型太阳能电池的评价)
测量获得的色素增感型太阳能电池在白色LED照射(0.05mW/cm2)下的光电转换效率。利用可获自Cosmotechno.Co.,Ltd.的台灯CDS-90α(学习模式)作为白色LED和可获自NFCorporation的太阳能电池评价系统AS-510-PV03作为评价机器进行测量。结果是,呈现优异特性,包括开路电压0.82V、短路电流密度8.20μA/cm2、形状因子0.78,和转换效率10.48%。
[实施例2]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号3表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例3]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号5表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例4]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号8表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例5]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号10表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例6]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号12表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例7]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的色素换成色素1的色素,和实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号13表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例8]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的色素换成色素1的色素,和实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号15表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例9]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的色素换成色素1的色素,和实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号16表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例10]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的色素换成色素4的色素,和实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号18表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例11]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的色素换成色素4的色素,和实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号20表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例12]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的色素换成色素4的色素,和实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号13表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例13]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的色素换成色素8的色素,和实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号13表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例14]
以与实施例1相同的方式制备色素增感型太阳能电池——实施例1的双(三氟甲烷磺酰基)酰亚胺锂换成双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺1-正己基-3-甲基咪唑啉,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例15]
以与实施例1相同的方式制备色素增感型太阳能电池——除了下述空穴输送层被插入实施例1的空穴输送层和银电极之间,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
通过将三氟磺酰基二酰亚胺1-正己基-3-甲基咪唑啉(27mM)加入溶解了可获自Sigma-Aldrich Corporation的聚(3-正己基噻吩)的氯苯(其中固体含量为2质量%),获得溶液,用该溶液喷涂空穴输送层,形成约100nm的膜。
[实施例16]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的色素换成色素8的色素,和实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号21表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例17]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号23表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例18]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号24表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例19]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号26表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例20]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号28表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例21]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号29表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例22]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的色素换成色素1的色素,和实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号26表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例23]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的色素换成色素1的色素,和实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号30表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例24]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的色素换成色素1的色素,和实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号31表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例25]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的色素换成色素4的色素,和实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号21表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例26]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的色素换成色素4的色素,和实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号26表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例27]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的色素换成色素4的色素,和实施例1的碱性化合物换成示例性化合物编号28表示的碱性化合物,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例28]
以与实施例1相同的方式制备色素增感型太阳能电池——实施例1的双(三氟甲烷磺酰基)酰亚胺锂换成双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺1-正己基-3-甲基咪唑啉,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
[实施例29]
以与实施例16相同的方式制备色素增感型太阳能电池——除了下述空穴输送层被插入实施例16的空穴输送层和银电极之间,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
通过将三氟磺酰基二酰亚胺1-正己基-3-甲基咪唑啉(27mM)加入溶解了可获自Sigma-Aldrich Corporation的聚(3-正己基噻吩)的氯苯(其中固体含量为2质量%),获得溶液,用该溶液喷涂空穴输送层,形成约100nm的膜。
[比较例1]
以与实施例1相同的方式制备光电转换元件——除了实施例1的碱性化合物换成可获自Sigma-Aldrich Corporation的叔丁基吡啶,并进行评价。结果在表2和表3中示出。
表2
表3
由上显而易见,本发明的色素增感型太阳能电池呈现优异的光电转换效率。
本发明的方面例如如下。
<1>光电转换元件,包括:
第一电极;
空穴阻挡层;
电子输送层;
第一空穴输送层;和
第二电极,
其中第一空穴输送层包括以下通式(1a)和通式(1b)表示的碱性化合物中的至少一种:
---通式(1a)
---通式(1b)
其中在式(1a)或(1b)中,R1和R2表示取代或未取代的烷基或芳香族烃基团,并且可以相同或不同,并且R1和R2可彼此结合形成取代或未取代的包含氮原子的杂环基团。
<2>根据<1>的光电转换元件,
其中电子输送层包括用以下通式(2)表示的光增感材料光增感的电子输送材料:
---通式(2)
其中在式中,R3表示取代或未取代的烷基基团。
<3>根据<2>的光电转换元件,
其中电子输送材料是选自氧化钛、氧化锌、氧化锡、和氧化铌的至少一种。
<4>根据<1>至<3>中任一项的光电转换元件,
其中空穴阻挡层包括氧化钛。
<5>根据<1>至<4>中任一项的光电转换元件,
其中第一空穴输送层包括离子液体。
<6>根据<5>的光电转换元件,
其中离子液体包括咪唑化合物。
<7>根据<1>至<6>中任一项的光电转换元件,进一步包括
第一空穴输送层和第二电极之间的第二空穴输送层,第二空穴输送层包括空穴输送性聚合物材料。
<8>太阳能电池,包括
根据<1>至<7>中任一项的光电转换元件。
根据<8>的“太阳能电池”包括第一电极、空穴阻挡层、电子输送层、第一空穴输送层、和第二电极,并在第一空穴输送层中使用通式(1a)和通式(1b)表示的碱性材料中的至少一种。这实现了高内部阻抗和高开路电压,并且可以获得在室内光下具有良好特性的太阳能电池。
参考编号描述
1 基板
2 第一电极固定装置
3 空穴阻挡层
4 电子输送层
5 光增感化合物
6 空穴输送层
7 第二电极
8 导线
9 导线
Claims (8)
1.光电转换元件,包括:
第一电极;
空穴阻挡层;
电子输送层;
第一空穴输送层;和
第二电极,
其中所述第一空穴输送层包括以下通式(1a)和通式(1b)表示的碱性化合物中的至少一种:
其中在式(1a)或(1b)中,R1和R2表示取代或未取代的烷基或芳香族烃基团,并且可以相同或不同,并且R1和R2可彼此结合形成取代或未取代的包含氮原子的杂环基团。
2.根据权利要求1所述的光电转换元件,
其中所述电子输送层包括用以下通式(2)表示的光增感材料光增感的电子输送材料:
其中在式中,R3表示取代或未取代的烷基基团。
3.根据权利要求2所述的光电转换元件,
其中所述电子输送材料包括选自氧化钛、氧化锌、氧化锡、和氧化铌的至少一种。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光电转换元件,
其中所述空穴阻挡层包括氧化钛。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光电转换元件,
其中所述第一空穴输送层包括离子液体。
6.根据权利要求5所述的光电转换元件,
其中所述离子液体包括咪唑化合物。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的光电转换元件,进一步包括
所述第一空穴输送层和所述第二电极之间的第二空穴输送层,
其中所述第二空穴输送层包括空穴输送性聚合物材料。
8.太阳能电池,包括
根据权利要求1至7中任一项所述的光电转换元件。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911069220.9A CN110690350A (zh) | 2014-02-24 | 2015-01-30 | 光电转换元件和太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014032566 | 2014-02-24 | ||
JP2014-032566 | 2014-02-24 | ||
JP2014084832 | 2014-04-16 | ||
JP2014-084832 | 2014-04-16 | ||
PCT/JP2015/052684 WO2015125587A1 (ja) | 2014-02-24 | 2015-01-30 | 光電変換素子及び太陽電池 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911069220.9A Division CN110690350A (zh) | 2014-02-24 | 2015-01-30 | 光电转换元件和太阳能电池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106062985A true CN106062985A (zh) | 2016-10-26 |
Family
ID=53878099
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911069220.9A Pending CN110690350A (zh) | 2014-02-24 | 2015-01-30 | 光电转换元件和太阳能电池 |
CN201580010108.1A Pending CN106062985A (zh) | 2014-02-24 | 2015-01-30 | 光电转换元件和太阳能电池 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911069220.9A Pending CN110690350A (zh) | 2014-02-24 | 2015-01-30 | 光电转换元件和太阳能电池 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10636579B2 (zh) |
EP (1) | EP3113240B1 (zh) |
JP (3) | JP6520914B2 (zh) |
KR (3) | KR102330122B1 (zh) |
CN (2) | CN110690350A (zh) |
WO (1) | WO2015125587A1 (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110323068A (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-11 | 株式会社理光 | 光电转换元件、光电转换元件模块、电子器件和电源模块 |
WO2020107978A1 (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
CN111989792A (zh) * | 2018-03-19 | 2020-11-24 | 株式会社理光 | 太阳能电池模块 |
CN112005394A (zh) * | 2018-03-19 | 2020-11-27 | 株式会社理光 | 光电转换元件和光电转换元件模块 |
CN112864326A (zh) * | 2019-11-28 | 2021-05-28 | 株式会社理光 | 光电转换元件、光电转换模块、电子设备和电源模块 |
CN113396491A (zh) * | 2019-02-01 | 2021-09-14 | 株式会社理光 | 光电转换元件、太阳能电池模块、电源模块和电子装置 |
CN115376831A (zh) * | 2021-05-20 | 2022-11-22 | 株式会社理光 | 光电转换元件及生产光电转换元件的方法、光电转换模块和电子设备 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106463624A (zh) | 2014-04-16 | 2017-02-22 | 株式会社理光 | 光电转换元件 |
EP3297052A4 (en) | 2015-05-08 | 2018-05-30 | Ricoh Company, Ltd. | Photoelectric conversion element |
JP6657841B2 (ja) * | 2015-11-20 | 2020-03-04 | 株式会社リコー | 光電変換素子及び太陽電池 |
JP6447754B2 (ja) * | 2016-01-25 | 2019-01-09 | 株式会社リコー | 光電変換素子 |
JP6740621B2 (ja) * | 2016-02-04 | 2020-08-19 | 株式会社リコー | 光電変換素子 |
JP6641599B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2020-02-05 | 株式会社リコー | ホール輸送材料及び、光電変換素子並びに太陽電池 |
JP6677078B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2020-04-08 | 株式会社リコー | ホール輸送材料及び、光電変換素子並びに太陽電池 |
JP6850435B2 (ja) * | 2016-06-08 | 2021-03-31 | 株式会社リコー | 3級アミン化合物、光電変換素子、及び太陽電池 |
JP6776665B2 (ja) * | 2016-07-05 | 2020-10-28 | 株式会社リコー | 光電変換素子及び太陽電池 |
EP3552253B1 (en) | 2016-12-07 | 2022-02-16 | Ricoh Company, Ltd. | Photoelectric conversion element |
JP6880748B2 (ja) * | 2017-01-10 | 2021-06-02 | 株式会社リコー | 光電変換素子及び太陽電池 |
US10319533B2 (en) | 2017-01-12 | 2019-06-11 | Ricoh Company, Ltd. | Photoelectric conversion element and solar cell |
US11575095B2 (en) | 2018-03-19 | 2023-02-07 | Ricoh Company, Ltd. | Photoelectric conversion device, process cartridge, and image forming apparatus |
JP2019176136A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 株式会社リコー | 光電変換素子、及び光電変換素子モジュール |
JP2020102602A (ja) * | 2018-03-19 | 2020-07-02 | 株式会社リコー | 光電変換素子、及び光電変換素子モジュール |
KR102093431B1 (ko) * | 2018-09-13 | 2020-03-25 | 경북대학교 산학협력단 | 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법 |
WO2021010425A1 (en) | 2019-07-16 | 2021-01-21 | Ricoh Company, Ltd. | Solar cell module, electronic device, and power supply module |
JP2021027078A (ja) * | 2019-07-31 | 2021-02-22 | 株式会社リコー | 光電変換素子、電子機器、及び電源モジュール |
WO2021107158A1 (en) | 2019-11-28 | 2021-06-03 | Ricoh Company, Ltd. | Photoelectric conversion element, photoelectric conversion module, electronic device, and power supply module |
JP7003387B2 (ja) * | 2019-12-26 | 2022-01-20 | 株式会社リコー | 光電変換素子、太陽電池及び合成方法 |
JP7413833B2 (ja) | 2020-02-27 | 2024-01-16 | 株式会社リコー | 光電変換素子及び光電変換モジュール |
US11502264B2 (en) | 2020-02-27 | 2022-11-15 | Ricoh Company, Ltd. | Photoelectric conversion element and photoelectric conversion module |
JP2022078536A (ja) * | 2020-11-13 | 2022-05-25 | 株式会社リコー | 光電変換素子、光電変換モジュール、電子機器、及び電源モジュール |
CN115915793A (zh) * | 2021-09-30 | 2023-04-04 | 株式会社理光 | 光电转换元件、光电转换模块及电子设备 |
WO2023107547A2 (en) * | 2021-12-08 | 2023-06-15 | Kineta, Inc. | Azetidine and spiroazetidine compounds and uses thereof |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004047229A (ja) * | 2002-07-10 | 2004-02-12 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | アミノピリジン系化合物を含む電解質溶液を用いた光電変換素子及びそれを用いた色素増感型太陽電池 |
WO2010107795A1 (en) * | 2009-03-17 | 2010-09-23 | Konarka Technologies, Inc. | Metal substrate for a dye sensitized photovoltaic cell |
JP2011181286A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Tdk Corp | 色素増感型太陽電池 |
CN102290257A (zh) * | 2011-05-19 | 2011-12-21 | 内蒙古大学 | 一种可选择性透光的染料敏化太阳能电池的制备方法 |
US20120177813A1 (en) * | 2010-10-17 | 2012-07-12 | Thompson Mark E | Chemical annealing method for fabrication of organic thin films for optoelectronic devices |
CN103137875A (zh) * | 2011-11-21 | 2013-06-05 | 柯尼卡美能达商用科技株式会社 | 光电转换元件和含有其的太阳能电池 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH674596A5 (zh) | 1988-02-12 | 1990-06-15 | Sulzer Ag | |
JPH1144773A (ja) | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Citizen Watch Co Ltd | 外部操作切り換え構造 |
JPH11144773A (ja) | 1997-09-05 | 1999-05-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子および光再生型光電気化学電池 |
JP2000106223A (ja) | 1998-09-29 | 2000-04-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子 |
EP1456861B1 (en) * | 2001-12-21 | 2011-10-05 | Sony Deutschland GmbH | A polymer gel hybrid solar cell |
WO2007100095A1 (ja) | 2006-03-02 | 2007-09-07 | Tokyo University Of Science Educational Foundation Administrative Organization | 色素増感型太陽電池用光電極の製造方法および色素増感型太陽電池用光電極、並びに色素増感型太陽電池 |
US8158880B1 (en) | 2007-01-17 | 2012-04-17 | Aqt Solar, Inc. | Thin-film photovoltaic structures including semiconductor grain and oxide layers |
US8664518B2 (en) | 2009-12-11 | 2014-03-04 | Konica Minolta Holdngs, Inc. | Organic photoelectric conversion element and producing method of the same |
JP5700937B2 (ja) | 2010-02-09 | 2015-04-15 | 保土谷化学工業株式会社 | 光電変換用増感色素及びそれを用いた光電変換素子及び色素増感太陽電池 |
GB201004106D0 (en) * | 2010-03-11 | 2010-04-28 | Isis Innovation | Device |
CN102859740B (zh) | 2010-04-22 | 2016-06-15 | 日立化成株式会社 | 有机电子材料、聚合引发剂及热聚合引发剂、油墨组合物、有机薄膜及其制造方法、有机电子元件、有机电致发光元件、照明装置、显示元件以及显示装置 |
WO2012051337A2 (en) * | 2010-10-12 | 2012-04-19 | The Regents Of The University Of Michigan | Photoactive devices including porphyrinoids coordinating additives |
JP2012113942A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Ricoh Co Ltd | 多層型光電変換素子およびその製造方法 |
JP2012199023A (ja) | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Ricoh Co Ltd | 光電変換素子及びその製造方法 |
JP5629625B2 (ja) | 2011-03-28 | 2014-11-26 | 株式会社豊田中央研究所 | 色素増感型太陽電池の製造方法、色素増感型太陽電池及び色素増感型太陽電池モジュール |
KR101354638B1 (ko) * | 2011-06-20 | 2014-01-22 | 제일모직주식회사 | 유기광전자소자용 재료, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치 |
KR20130005918A (ko) * | 2011-07-08 | 2013-01-16 | 주식회사 세원 | 염료감응 태양전지용 겔형 전해질 |
WO2013171518A1 (en) * | 2012-05-18 | 2013-11-21 | Isis Innovation Limited | Optoelectronic device comprising porous scaffold material and perovskites |
JP6194614B2 (ja) | 2012-12-18 | 2017-09-13 | 株式会社リコー | 光電変換素子 |
-
2015
- 2015-01-30 WO PCT/JP2015/052684 patent/WO2015125587A1/ja active Application Filing
- 2015-01-30 KR KR1020217017859A patent/KR102330122B1/ko active IP Right Grant
- 2015-01-30 JP JP2016504016A patent/JP6520914B2/ja active Active
- 2015-01-30 EP EP15752787.0A patent/EP3113240B1/en active Active
- 2015-01-30 KR KR1020167025653A patent/KR102112330B1/ko active IP Right Grant
- 2015-01-30 CN CN201911069220.9A patent/CN110690350A/zh active Pending
- 2015-01-30 KR KR1020207013591A patent/KR20200056470A/ko not_active IP Right Cessation
- 2015-01-30 US US15/120,464 patent/US10636579B2/en active Active
- 2015-01-30 CN CN201580010108.1A patent/CN106062985A/zh active Pending
-
2018
- 2018-12-28 JP JP2018246911A patent/JP2019083324A/ja active Pending
-
2020
- 2020-03-25 US US16/829,356 patent/US11101080B2/en active Active
- 2020-09-16 JP JP2020155165A patent/JP2021005723A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004047229A (ja) * | 2002-07-10 | 2004-02-12 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | アミノピリジン系化合物を含む電解質溶液を用いた光電変換素子及びそれを用いた色素増感型太陽電池 |
WO2010107795A1 (en) * | 2009-03-17 | 2010-09-23 | Konarka Technologies, Inc. | Metal substrate for a dye sensitized photovoltaic cell |
JP2011181286A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Tdk Corp | 色素増感型太陽電池 |
US20120177813A1 (en) * | 2010-10-17 | 2012-07-12 | Thompson Mark E | Chemical annealing method for fabrication of organic thin films for optoelectronic devices |
CN102290257A (zh) * | 2011-05-19 | 2011-12-21 | 内蒙古大学 | 一种可选择性透光的染料敏化太阳能电池的制备方法 |
CN103137875A (zh) * | 2011-11-21 | 2013-06-05 | 柯尼卡美能达商用科技株式会社 | 光电转换元件和含有其的太阳能电池 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
GRA KUMARAA等: "Efficient solid-state dye-sensitized n-ZnO/D-358 dye/p-CuI solar cell", 《ELECTROCHIMICA ACTA》 * |
H KUSAMA等: "Influence of alkylaminopyridine additives in electrolytes on dye-sensitized solar cell performance", 《SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS》 * |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111989792A (zh) * | 2018-03-19 | 2020-11-24 | 株式会社理光 | 太阳能电池模块 |
CN112005394A (zh) * | 2018-03-19 | 2020-11-27 | 株式会社理光 | 光电转换元件和光电转换元件模块 |
CN110323068A (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-11 | 株式会社理光 | 光电转换元件、光电转换元件模块、电子器件和电源模块 |
CN110323068B (zh) * | 2018-03-30 | 2021-12-07 | 株式会社理光 | 光电转换元件、光电转换元件模块、电子器件和电源模块 |
WO2020107978A1 (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
CN113396491A (zh) * | 2019-02-01 | 2021-09-14 | 株式会社理光 | 光电转换元件、太阳能电池模块、电源模块和电子装置 |
CN112864326A (zh) * | 2019-11-28 | 2021-05-28 | 株式会社理光 | 光电转换元件、光电转换模块、电子设备和电源模块 |
CN115376831A (zh) * | 2021-05-20 | 2022-11-22 | 株式会社理光 | 光电转换元件及生产光电转换元件的方法、光电转换模块和电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3113240A4 (en) | 2017-03-15 |
EP3113240B1 (en) | 2024-04-03 |
US20200273630A1 (en) | 2020-08-27 |
KR20160124186A (ko) | 2016-10-26 |
US20170069431A1 (en) | 2017-03-09 |
JP2019083324A (ja) | 2019-05-30 |
KR20200056470A (ko) | 2020-05-22 |
US11101080B2 (en) | 2021-08-24 |
KR102330122B1 (ko) | 2021-11-24 |
JP2021005723A (ja) | 2021-01-14 |
JPWO2015125587A1 (ja) | 2017-03-30 |
JP6520914B2 (ja) | 2019-05-29 |
US10636579B2 (en) | 2020-04-28 |
KR102112330B1 (ko) | 2020-05-19 |
EP3113240A1 (en) | 2017-01-04 |
WO2015125587A1 (ja) | 2015-08-27 |
CN110690350A (zh) | 2020-01-14 |
KR20210073610A (ko) | 2021-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106062985A (zh) | 光电转换元件和太阳能电池 | |
JP6249093B2 (ja) | 光電変換素子 | |
CN104953031B (zh) | 钙钛矿型太阳能电池 | |
JP6555344B2 (ja) | 光電変換素子 | |
US11081662B2 (en) | Photoelectric conversion element and solar cell | |
JP6447754B2 (ja) | 光電変換素子 | |
AU2014355297B2 (en) | Dye-sensitized solar cell | |
JP6579480B2 (ja) | 光電変換素子及び二次電池 | |
JP2011065751A (ja) | 光電変換素子 | |
JP6340758B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
JP2018006622A (ja) | 光電変換素子及び太陽電池 | |
JP2013211149A (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
JP6740621B2 (ja) | 光電変換素子 | |
JP6657841B2 (ja) | 光電変換素子及び太陽電池 | |
JP2015088313A (ja) | 色素増感太陽電池 | |
JP2017011066A (ja) | 光電変換素子 | |
JP6899083B2 (ja) | 光電変換素子及び二次電池 | |
JP2020202395A (ja) | 光電変換素子、及び太陽電池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20161026 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |