CN106062968A - 光学模块和数字相干接收器 - Google Patents

光学模块和数字相干接收器 Download PDF

Info

Publication number
CN106062968A
CN106062968A CN201580010819.9A CN201580010819A CN106062968A CN 106062968 A CN106062968 A CN 106062968A CN 201580010819 A CN201580010819 A CN 201580010819A CN 106062968 A CN106062968 A CN 106062968A
Authority
CN
China
Prior art keywords
optical
receiving element
light receiving
light
optical module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201580010819.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106062968B (zh
Inventor
金子太郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Publication of CN106062968A publication Critical patent/CN106062968A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106062968B publication Critical patent/CN106062968B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44—Electric circuits
    • G01J1/46—Electric circuits using a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/32—Optical coupling means having lens focusing means positioned between opposed fibre ends
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4206—Optical features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48111—Disposition the wire connector extending above another semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48153—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/48195—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being a discrete passive component

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

本发明的意图在于缩短在电容器(5)和光接收元件(4)之间的电布线并且改进高频特性。这个光学模块(100)具有：安设成在面对光传输路径(6)的光接收表面处接收来自光传输路径(6)的光的光接收元件(4)；结合到光传输路径(6)和光接收元件(4)从而将在光传输路径(6)和光接收元件(4)之间的间隙保持为使得来自光传输路径(6)的光能够在光接收表面(4a)上入射的预定距离的间隔器(3)；和电连接到光接收元件(4)并且在与结合到光接收元件(4)的一侧相同的一侧上连同光接收元件(4)一起地布置在间隔器(3)的表面上的电容器(5)。

Description

光学模块和数字相干接收器
技术领域
本发明涉及一种光学模块和一种数字相干接收器，并且更加具体地涉及通过光电转换输出光信号的一种光学模块和一种数字相干接收器。
背景技术
近年来，随着大容量光学通信的发展，能够通过相位干涉进程扩展容量的数字相干系统的引入取得了进展。数字相干系统是这样一项技术，其中高速光信号被光接收元件通过光电转换进行转换，并且在高速数字电路中得到处理以补偿由分散等引起的影响从而实现长距离和大容量传输。
在数字相干系统中，应对的是100Gbps的高速信号，这对光接收元件要求高速响应性能。作为用于光接收元件获得高速性能的措施之一，通常的实践是在光电二极管(PD)附近置放旁路电容器以稳定高频操作中的阻抗。作为相关技术，PTL 1描述了一个实例，其中雪崩式光电二极管(APD)和旁路电容器在电路基板上被相互电连接。
此外，如在图9中所示意地，数字相干接收器在内部设置有例如光纤、混合器、PD、透镜、电容器，和跨阻放大器(TIA)。作为该混合器，主要地使用光学波导型的混合器。在这种配置中，通常，根据光学波导的基板厚度，光出射位置在大约0.5到1mm的高度处。在数字相干接收器上入射的光以90度在反射镜上反射，并且由基板上的PD接收。PTL 2描述了一个实例，其中相关光学系统由设置有镜面的透镜基板和光学元件构成。
在另一方面，作为近年来的趋势，随着光学模块小型化，同样对于将在数字相干模块中使用的构件的小型化存在需求。特别地，必须小型化用于在数字相干接收器中使用的光学系统。鉴于以上，能够通过省略前述反射镜并且通过光学地并且直接地连接透镜和PD而小型化该光学系统。作为与光学系统零部件有关的技术，PTL 3公开了一种用于接收光连接器插塞的接受器。在PTL 3的发明中，从半导体激光器发射的激光被收集在透镜上，并且所收集的光通过透镜的背表面进入透明的底部部分。通过底部部分透射的激光从盲孔的内部底表面入射到光纤中。
引用列表
专利文献
[PTL 1]日本公开实用新型公报No.H2-79639
[PTL 2]日本公开专利公报No.2008-40318
[PTL 3]日本公开专利公报No.H5-196843
发明内容
技术问题
然而，假设透镜和PD被光学地并且直接地相互连接，则在安装在基板上的电容器和PD之间的电布线的长度增加。这可以引起高频特性劣化的问题。本发明的目的在于提供使得能够解决前述问题的一种光学模块和一种数字相干接收器。
解决问题的方案
本发明的一种光学模块包括基板；光接收元件，光接收元件置放在下述位置处：使得在光接收表面面对光学传输路径的状态中，来自光学传输路径的光被接收在光接收表面上；间隔器，间隔器以下述方式结合到光学传输路径和光接收元件：使得在光学传输路径和光接收元件之间的间隙保持为允许来自光学传输路径的光进入光接收表面的预定距离；和电容器，电容器电连接到光接收元件，并且在与结合到光接收元件的一侧相同的一侧上连同光接收元件一起地置放在间隔器的表面上。
本发明的一种数字相干接收器包括该光学模块。
本发明的有利效果
能够缩短在光接收元件和电容器之间的电布线的长度，并且改进高频特性。
附图简要说明
图1是本发明第一示例性实施例中的光学模块100的侧视图；
图2A是本发明第一示例性实施例中的光学模块100的侧视图；
图2B是本发明第一示例性实施例中的间隔器3的前视图；
图3是本发明第一示例性实施例中的光学模块100的侧视图；
图4A是本发明第二示例性实施例中的光学模块200的侧视图；
图4B是本发明第二示例性实施例中的间隔器3的前视图；
图5是本发明第二示例性实施例中的光学模块200的侧视图；
图6是本发明第二示例性实施例中的间隔器3的前视图；
图7是本发明第二示例性实施例中的光学模块200的侧视图；
图8是本发明第三示例性实施例中的间隔器3和4单元阵列电容器5a的图表；并且
图9是示意应用了在PTL2中描述的技术的光学模块的一个实例的图表。
具体实施方式
以下，参考绘图详细描述用于实现本发明的优选示例性实施例。注意将在下面描述示例性实施例包括在技术上优选的限制，但是并不限制如在以下描述的本发明的范围。
[第一示例性实施例]
图1是第一示例性实施例中的光学模块100的侧视图。如在图1中所示意地，第一示例性实施例中的光学模块100包括光接收元件4和电容器5。光接收元件4置放在下述位置处，使得在光接收表面4a面对光学传输路径6的状态中，来自光学传输路径6的光被接收在光接收表面4a上。电容器5电连接到光接收元件4，并且被连同光接收元件4一起地置放。根据这种配置，在光接收元件4和电容器5之间的电布线的长度缩短。这改进了高频特性。
注意如上所述，在该示例性实施例的光学模块100中，光接收元件4和电容器5被并排地置放。这使得缩短在光接收元件4和电容器5之间的电布线的长度并且改进高频特性成为可能。除了光接收元件4和电容器5，光学模块100可以进一步包括光学元件2和间隔器3。光学元件2接收来自光学传输路径6的光。间隔器3以下述方式结合到光学元件2和光接收元件4，使得在光学元件2和光接收元件4之间的间隙保持为允许来自光学元件2的光进入光接收表面4a的预定距离。
此外，光学模块100包括外部电路7。外部电路7能够将光接收元件4和电容器5相互电连接。图1到图3示意其中外部电路7安装在基板1上的情形。
如在图2A和图2B中所示意地，间隔器3可以在光学元件2和光接收表面4a之间包括通孔3a。在这种配置中，能够使用不透光材料作为间隔器3。
图3示意其中光学模块100进一步在光学元件2和间隔器3之间包括透镜8的实例。在这种配置中，光接收元件4被置放在下述位置处，使得在光接收表面4a面对透镜8的状态中，来自透镜8的光被接收在光接收表面4a上。
间隔器3以下述方式置放在透镜8和光接收元件4之间，使得光接收表面4a位于对应于透镜8的焦距的位置处。间隔器3结合到透镜8和光接收元件4。
图1到图3的任何一幅图示意下述实例，其中，关于在光接收元件4和电容器5之间、在光接收元件4和外部电路7之间，和在电容器5和外部电路7之间的组合中的至少一个，该组合中的构件通过引线接合电连接。可替代地，这些构件可以利用另一个方法电连接。
[关于操作的说明]
接着，描述在该示例性实施例中的光学模块100的操作。如在图1中所示意地，来自光学传输路径6的光由光学元件2接收。光接收元件4置放在下述位置处，使得光学元件2和光接收表面4a面对彼此，并且接收来自光学元件2的光。在这种配置中，在光学元件2和光接收元件4之间的间隙被结合到光学元件2和光接收元件4的间隔器3保持为允许来自光学元件2的光进入光接收表面4a的预定距离。如在图3中所示意地，当光学模块100进一步在光学元件2和间隔器3之间包括透镜8时，在光接收表面面对透镜8的状态中，光接收元件4在光接收表面上接收来自透镜8的光。在这种配置中，间隔器3以下述方式置放在透镜8和光接收元件4之间，使得光接收表面4a位于对应于透镜8的焦距的位置处。透镜8和光接收元件4被间隔器3结合。在于图1中示意的间隔器3的配置中，光透射通过间隔器3，并且透射的光由光接收元件4接收。在其中在光学元件2和光接收表面4a之间形成通孔3a的、在图2和图3中示意的间隔器3的配置中，光透射通过通孔3a，并且透射的光由光接收元件4接收。
电容器5电连接到光接收元件4，并且在与结合到光接收元件4的一侧相同的一侧上连同光接收元件4一起地被置放在间隔器3的表面上。因此，能够缩短在光接收元件4和电容器5之间的电布线的长度。这改进了高频特性。此外，缩短在光接收元件4和电容器5之间的电布线的长度使得降低布线的阻抗成为可能。这使得稳定光接收元件4的高频操作成为可能。如果在光接收元件4和电容器5之间的电布线的长度增加，则布线的阻抗升高，并且例如光接收元件4可以与电容器5共振。这可以使得难以有效率地利用电容器5消除AC噪声。在另一方面，如上所述，在该示例性实施例中，通过缩短在光接收元件4和电容器5之间的电布线的长度，布线的阻抗降低。这使得有效率地利用电容器5消除AC噪声成为可能。因此，在该示例性实施例中，因为AC噪声降低，所以光接收元件4的高频操作被稳定。如在图1到图3中所示意地，通过由光接收元件4进行光电转换获得的电信号被输出到外部电路7。在必要时，电容器5还连接到外部电路7。
光学元件2和间隔器3、透镜8和间隔器3，和间隔器3和光接收元件4可以通过各种结合方法诸如使用粘结剂的粘结相互结合。
[第二示例性实施例]
接着，参考图4描述第二示例性实施例中的光学模块200。图4A是光学模块200的侧视图。图4B是间隔器3的平面视图。注意图4B是示意在光接收元件4和电容器5被并排地置放在间隔器3的同一表面上之后的实例的图表。如在图4B中所示意地，在该示例性实施例中的光学模块200不同于第一示例性实施例之处在于，间隔器3进一步包括电布线9。基板1、光学元件2、间隔器3、光接收元件4，和电容器5与在第一示例性实施例中的那些相同。
如由图4B中的实例所示意地，间隔器3包括能够连接到外部电路7的电布线9。间隔器3上的电布线9的布线图不限于该实例。图4A示意其中电容器5连接到电布线9的实例。换言之，电容器5经由电布线9电连接到外部电路7。此外，如在图4A中所示意地，在光接收元件4和电容器5之间和在光接收元件4和外部电路7之间的电连接是通过引线接合执行的。可替代地，光接收元件4可以不连接到电容器5，而是可以连接到电布线9。此外，如在图5中所示意地，光接收元件4和电容器5每一个可以连接到电布线9。除了以上，对于在光接收元件4和电容器5之间、在电容器5和外部电路7之间，和在光接收元件4和外部电路7之间的电连接，在必要时，可以使用电布线9。
此外，如在图6中所示意地，还当间隔器3包括通孔3a时，光学模块200可以进一步包括电布线9。如在图7中所示意地，与上述相同的配置还被应用于其中光学模块200进一步在光学元件2和光接收元件4之间包括透镜8的配置。
如上所述，如与其中电连接全部人工地通过引线接合等执行的配置相比较，为间隔器3设置能够连接到外部电路7的电布线9使得易于制造光学模块。此外，易于缩短通过引线接合等的连接距离。在降低噪声或者由冗余的引线引起的电感方面，这是有利的。
除了以上，能够避免可能在制造和安装之后的过程中发生缠结、断开等的风险，因为并不形成引线部分诸如长的引线。
[第三示例性实施例]
接着，作为第三示例性实施例，参考图8描述其中光接收元件4、电容器5，和透镜8中的至少一个具有集成了两个或者更多通道的阵列结构的配置。第三示例性实施例例示了包括在第二示例性实施例中描述的、能够连接到外部电路7的电布线9的间隔器3。与上述相同的配置还能够应用于第一示例性实施例中的间隔器3。本发明的其它构成元件与在第一和第二示例性实施例中的那些相同。
第三示例性实施例描述了其中光接收元件4、电容器5，和透镜8中的任何一个具有4单元阵列结构的实例。
在这些构成元件中，图8示意间隔器3和4单元阵列电容器5a。如在图7中所示意地，来自光学元件2的四束光射线被分别地收集在个体透镜8上、通过间隔器3的通孔3a，并且分别地由个体光接收元件4接收。利用如上所述的阵列结构，能够在有限的安装区域上集成很多功能。显然在阵列中的单元的数目不限于四个。可以形成具有两个或者更多阵列的二维阵列。
以下例示了本发明的变型。透镜8可以固定到光学元件2。此外，光学元件2可以优选地是光学波导。能够通过将光学波导应用于光学元件2而实现小型化。优选地，光接收元件4可以是PD。更加优选地，光接收元件4可以是背入射型PD。背入射型PD具有增强的高速响应性能。因此，在高速通信诸如数字相干通信中，将背入射型PD应用于光接收元件4是有利的。外部电路7的一个实例是TIA。此外，在所有的示例性实施例中，电容器5均位于光接收元件4上方。可替代地，电容器5可以置放在光接收元件下方。例如，当光学元件2的高度高时，能够在间隔器3和基板1之间形成大的空间。鉴于以上，在光接收元件下方置放电容器5使得减小光学模块的高度成为可能。
此外，本发明的光学模块100或者200能够应用于数字相干接收器。
[第四示例性实施例]
接着，参考图1描述第四示例性实施例中的光学模块300。注意作为对于改进高频特性要求的最小配置，该示例性实施例的光学模块300包括间隔器3、光接收元件4，和电容器5。光接收元件4被置放在下述位置处，使得在光接收表面面对光学传输路径的状态中，来自光学传输路径的光被接收在光接收表面上。间隔器3以下述方式结合到光学传输路径和光接收元件4，使得在光学传输路径和光接收元件之间的间隙保持为允许来自光学传输路径的光进入光接收表面的预定距离。电容器5电连接到光接收元件4，并且在与结合到光接收元件4的一侧相同的一侧上连同光接收元件4一起地被置放在间隔器3的表面上。
根据前述配置，在光接收元件4和电容器5之间的电布线的长度缩短。这使得改进高频特性成为可能。
还可以作为以下补充性注解描述部分的或者所有的示例性实施例。然而，本发明不限于以下补充性注解。
[补充性注解1]
一种光学模块，包括：
光接收元件，所述光接收元件置放在下述位置处，使得在光接收表面面对光学传输路径的状态中，来自所述光学传输路径的光被接收在所述光接收表面上；
间隔器，所述间隔器以下述方式结合到所述光学传输路径和所述光接收元件：使得在所述光学传输路径和所述光接收元件之间的间隙保持为允许来自所述光学传输路径的光进入所述光接收表面的预定距离；和
电容器，所述电容器电连接到所述光接收元件，并且在与结合到所述光接收元件的一侧相同的一侧上连同所述光接收元件一起地置放在所述间隔器的表面上。
[补充性注解2]
根据补充性注解1所述的光学模块，其中
所述光学模块包括
置放在所述基板上并且配置为接收来自所述光学传输路径的光的光学元件；和
所述光接收元件，置放在下述位置处：使得在所述光接收表面面对所述光学元件的状态中，来自所述光学元件的光被接收在所述光接收表面上。
[补充性注解3]
根据补充性注解1或者2所述的光学模块，其中
所述间隔器包括能够连接到外部电路的电布线。
[补充性注解4]
根据补充性注解3所述的光学模块，其中
所述电容器连接到所述电布线。
[补充性注解5]
根据补充性注解3或者4所述的光学模块，其中
所述光接收元件连接到所述电布线。
[补充性注解6]
根据补充性注解2到5中任何一项所述的光学模块，其中
所述间隔器在所述光学元件和所述光接收表面之间包括通孔。
[补充性注解7]
根据补充性注解2到6中任何一项所述的光学模块，进一步包括：
在所述光学元件和所述间隔器之间的透镜，其中
所述光接收元件置放在下述位置处：使得在所述光接收表面面对所述透镜的状态中，来自所述透镜的光被接收在所述光接收表面上，并且
所述间隔器置放在所述透镜和所述光接收元件之间，并且以下述方式结合到所述透镜和所述光接收元件的每一个：使得所述光接收表面位于对应于所述透镜的焦距的位置处。
[补充性注解8]
根据补充性注解1到7中任何一项所述的光学模块，其中
在所述光接收元件和所述电容器之间、在所述光接收元件和所述外部电路之间、和在所述电容器和所述外部电路之间的至少一个是通过引线接合电连接的。
[补充性注解9]根据补充性注解1到8中任何一项所述的光学模块，其中
所述透镜、所述光接收元件、和所述电容器中的至少一个具有集成了两个或者更多通道的阵列结构。
[补充性注解10]根据补充性注解1到11中任何一项所述的光学模块，其中
所述透镜、所述光接收元件、和所述电容器中的任何一个具有4单元阵列结构。
[补充性注解11]根据补充性注解2到12中任何一项所述的光学模块，其中
所述光学元件固定到所述透镜。
[补充性注解12]
根据补充性注解2到10所述的光学模块，其中
所述光学元件是光学波导，并且
所述光接收元件是背入射型光接收元件。
[补充性注解13]
一种数字相干接收器，包括根据补充性注解1到12中任何一项所述的光学模块。
注意本发明不受前述示例性实施例限制，而是本领域技术人员可以在必要时作出修改，只要这些修改并不偏离本发明的主旨。
如上参考示例性实施例描述了本申请的发明。然而，本申请的发明不受前述示例性实施例限制。本申请的发明的配置和细节可以在本申请的发明的范围中被以本领域技术人员能够理解的各种方式修改。
该申请要求基于在2014年2月26日提交并且其全部公开由此并入的日本专利申请No.2014-035283的优先权。
附图标记列表
1 基板
2 光学元件
3 间隔器
3a 通孔
4 光接收元件
4a 光接收表面
5 电容器
5a 4单元阵列电容器
6 光学传输路径
7 外部电路
8 透镜
9 电布线
100，200 光学模块

Claims (10)

1.一种光学模块，包括：
光接收元件，所述光接收元件置放在下述位置处：使得在光接收表面面对光学传输路径的状态中，来自所述光学传输路径的光被接收在所述光接收表面上；
间隔器，所述间隔器以下述方式结合到所述光学传输路径和所述光接收元件：使得在所述光学传输路径和所述光接收元件之间的间隙保持为允许来自所述光学传输路径的光进入所述光接收表面的预定距离；和
电容器，所述电容器电连接到所述光接收元件，并且在与结合到所述光接收元件的一侧相同的一侧上连同所述光接收元件一起地置放在所述间隔器的表面上。
2.根据权利要求1所述的光学模块，其中
所述光学模块包括
置放在所述基板上并且配置为接收来自所述光学传输路径的光的光学元件；和
所述光接收元件，置放在下述位置处：使得在所述光接收表面面对所述光学元件的状态中，来自所述光学元件的光被接收在所述光接收表面上。
3.根据权利要求1或者2所述的光学模块，其中
所述间隔器包括能够连接到外部电路的电布线。
4.根据权利要求3所述的光学模块，其中
所述电容器连接到所述电布线。
5.根据权利要求2到4中任何一项所述的光学模块，其中
所述间隔器在所述光学元件和所述光接收表面之间包括通孔。
6.根据权利要求2到5中任何一项所述的光学模块，进一步包括：
在所述光学元件和所述间隔器之间的透镜，其中
所述光接收元件置放在下述位置处：使得在所述光接收表面面对所述透镜的状态中，来自所述透镜的光被接收在所述光接收表面上，并且
所述间隔器置放在所述透镜和所述光接收元件之间，并且以下述方式结合到所述透镜和所述光接收元件的每一个：使得所述光接收表面位于对应于所述透镜的焦距的位置处。
7.根据权利要求1到6中任何一项所述的光学模块，其中
在所述光接收元件和所述电容器之间、在所述光接收元件和所述外部电路之间、和在所述电容器和所述外部电路之间的至少一个是通过引线接合电连接的。
8.根据权利要求1到7中任何一项所述的光学模块，其中
所述透镜、所述光接收元件、和所述电容器中的至少一个具有集成了两个或者更多通道的阵列结构。
9.根据权利要求2到8所述的光学模块，其中
所述光学元件是光学波导，并且
所述光接收元件是背入射型光接收元件。
10.一种数字相干接收器，包括根据权利要求1到9中任何一项所述的光学模块。
CN201580010819.9A 2014-02-26 2015-02-10 光学模块和数字相干接收器 Active CN106062968B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-035283 2014-02-26
JP2014035283 2014-02-26
PCT/JP2015/000605 WO2015129178A1 (ja) 2014-02-26 2015-02-10 光モジュール及びデジタルコヒーレントレシーバ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106062968A true CN106062968A (zh) 2016-10-26
CN106062968B CN106062968B (zh) 2018-08-03

Family

ID=54008516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580010819.9A Active CN106062968B (zh) 2014-02-26 2015-02-10 光学模块和数字相干接收器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10072977B2 (zh)
JP (1) JP6299857B2 (zh)
CN (1) CN106062968B (zh)
WO (1) WO2015129178A1 (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05158096A (ja) * 1991-12-09 1993-06-25 Fujitsu Ltd コヒーレント光波通信用光受信機
JP2001044552A (ja) * 1999-07-26 2001-02-16 Kyocera Corp 双方向光モジュール
CN2549481Y (zh) * 2002-04-05 2003-05-07 王坚 红外对射探测器接收端光路装置
CN1527407A (zh) * 2003-03-06 2004-09-08 夏普株式会社 半导体装置及其制造方法
CN1728364A (zh) * 2004-07-26 2006-02-01 夏普株式会社 光学半导体器件、光连接器以及电子设备
CN1860393A (zh) * 2004-06-15 2006-11-08 日立金属株式会社 单向光功率监视器
CN1936638A (zh) * 2004-03-10 2007-03-28 富士通株式会社 光学模块及其制造方法、保护组件及带电布线的保护组件
CN102124387A (zh) * 2008-08-19 2011-07-13 阿尔卡特朗讯美国公司 单片相干光探测器
US20130071129A1 (en) * 2011-09-16 2013-03-21 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Multi-channel optical waveguide receiver

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5882211A (ja) * 1981-11-12 1983-05-17 Asahi Optical Co Ltd 自動焦点整合装置
JPH0279639U (zh) 1988-12-07 1990-06-19
JPH04221912A (ja) * 1990-12-24 1992-08-12 Nec Corp 並列伝送光モジュール
JP2715672B2 (ja) * 1991-02-06 1998-02-18 日本電気株式会社 前置増幅器内蔵光半導体受光素子装置
JPH05196843A (ja) 1991-09-25 1993-08-06 Nec Corp 光レセプタクル
JP3566116B2 (ja) * 1999-01-22 2004-09-15 三菱電機株式会社 フォトダイオードモジュール
JP2004219523A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Fujitsu Ltd 光モニタデバイス
JP3756169B2 (ja) * 2004-07-26 2006-03-15 シャープ株式会社 光受信装置
JP4923712B2 (ja) * 2006-05-02 2012-04-25 日立電線株式会社 光モジュール及びその製造方法
JP4690963B2 (ja) 2006-08-09 2011-06-01 株式会社日立製作所 多チャンネル光モジュールの製造方法
JP2008198937A (ja) * 2007-02-15 2008-08-28 Nec Corp 半導体受光素子および光信号処理装置
JP2011165848A (ja) * 2010-02-09 2011-08-25 Hitachi Ltd 面入射型フォトダイオード
JP5825917B2 (ja) * 2011-08-08 2015-12-02 三菱電機株式会社 光受信モジュール

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05158096A (ja) * 1991-12-09 1993-06-25 Fujitsu Ltd コヒーレント光波通信用光受信機
JP2001044552A (ja) * 1999-07-26 2001-02-16 Kyocera Corp 双方向光モジュール
CN2549481Y (zh) * 2002-04-05 2003-05-07 王坚 红外对射探测器接收端光路装置
CN1527407A (zh) * 2003-03-06 2004-09-08 夏普株式会社 半导体装置及其制造方法
CN1936638A (zh) * 2004-03-10 2007-03-28 富士通株式会社 光学模块及其制造方法、保护组件及带电布线的保护组件
CN1860393A (zh) * 2004-06-15 2006-11-08 日立金属株式会社 单向光功率监视器
CN1728364A (zh) * 2004-07-26 2006-02-01 夏普株式会社 光学半导体器件、光连接器以及电子设备
CN102124387A (zh) * 2008-08-19 2011-07-13 阿尔卡特朗讯美国公司 单片相干光探测器
US20130071129A1 (en) * 2011-09-16 2013-03-21 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Multi-channel optical waveguide receiver

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2015129178A1 (ja) 2017-03-30
US10072977B2 (en) 2018-09-11
WO2015129178A1 (ja) 2015-09-03
CN106062968B (zh) 2018-08-03
JP6299857B2 (ja) 2018-03-28
US20160363480A1 (en) 2016-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11275225B2 (en) Method and system for an optical coupler for silicon photonics devices
CN104656206B (zh) 光接收模块及光发送模块
TWI616695B (zh) 多通道並行光接收器件
US20120280344A1 (en) Wafer Scale Packaging Platform For Transceivers
US20140169389A1 (en) Optical receiver module using wavelength division multiplexing type
CN104620147B (zh) 光合波分波器
CN102184916A (zh) 光学模块和该模块的制造方法
CN107003487A (zh) 光模块
CN108008550A (zh) 光学模块和安装有若干光学模块的光学发射设备
CN108693607A (zh) 光通信模组及双向光通信模组
CN109254365A (zh) 光接收模组及其制作方法、光接收器件
CN104272156A (zh) 将芯片组光学连接到光学连接器
CN103270443A (zh) 光学模块及其制造方法
CN209102958U (zh) 光接收模组及光接收器件
CN106062968A (zh) 光学模块和数字相干接收器
US11927814B2 (en) Semiconductor photodetector array sensor integrated with optical-waveguide-based devices
CN102118194A (zh) 一种单纤双向光组件及其封装方法
CN109239860A (zh) 一种可调节的多路光收发耦合模块
CN210442538U (zh) 一种阵列单模器件和光纤光栅解调仪
CN105467532B (zh) 光接收次组件与其制造方法
KR101901342B1 (ko) 광수신 모듈
CN107995705A (zh) 一种应用于工业温度范围的光组件
KR102113817B1 (ko) 광 모듈
US20140355995A1 (en) Optoelectronic device having improved optical coupling
TWI339029B (en) Single bi-directional optical subassembly

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant