CN106028683A - 有机树脂基板的制造方法、有机树脂基板和半导体装置 - Google Patents

有机树脂基板的制造方法、有机树脂基板和半导体装置 Download PDF

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Abstract

根据本发明，提供有机树脂基板的制造方法、有机树脂基板和半导体装置。有机树脂基板的制造方法依次包括以下工序：在基底基板(10)上形成第一金属图案(50)的工序；形成覆盖上述第一金属图案(50)的第一有机树脂膜(200)的工序；将上述第一有机树脂膜(200)研磨除去，使上述第一金属图案(50)的上表面露出的工序；和以与上述第一金属图案(50)的至少一部分接触的方式形成导体部(230)的工序。

Description

有机树脂基板的制造方法、有机树脂基板和半导体装置
技术领域
本发明涉及有机树脂基板的制造方法、有机树脂基板和半导体装置。
背景技术
随着近年来的电子设备的小型化和高性能化，电子部件的高密度集成化、进而高密度安装化进一步发展。与此相伴，对搭载上述电子部件的半导体封装件的配线基板，比以往更加要求高密度配线化和多端子化、进而要求制造成本降低。
以往，作为上述的半导体封装件的配线基板，可以举出具有核心层的积层(build-up)基板。在上述具有核心层的积层基板的代表性的制造工艺中，通过积层方法在核心层的两面形成多层配线(例如专利文献1等)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-114294号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
如上述背景技术部分所述，在以往的配线基板的制造工艺中，除了高密度配线化和多端子化以外，也为了实现制造成本降低而进行了各种研究。然而，近年来，配线基板所要求的技术水准越来越高。因此，以往的配线基板的制造工艺，从高成品率地制造电连接性优异并且小型化的配线基板的观点考虑，具有改善的余地。
因此，本发明提供能够高成品率地制造能够用于电连接性优异并且小型化的半导体装置的制造的有机树脂基板的方法、利用该方法得到的有机树脂基板和使用上述有机树脂基板的半导体装置。
用于解决技术问题的手段
根据本发明，提供一种有机树脂基板的制造方法，其依次包括以下工序：
在基底基板上形成第一金属图案的工序；
形成覆盖上述第一金属图案的第一有机树脂膜的工序；
将上述第一有机树脂膜研磨除去，使上述第一金属图案的上表面露出的工序；和
以与上述第一金属图案的至少一部分接触的方式形成第一导体部的工序。
另外，根据本发明，提供一种有机树脂基板的制造方法，其依次包括以下工序：
在基底基板上形成第一金属图案的工序；
以与上述第一金属图案的至少一部分接触的方式形成第一导体部的工序；
形成覆盖上述第一金属图案和上述第一导体部的第一有机树脂膜的工序；和
将上述第一有机树脂膜研磨除去，使上述第一导体部的上表面露出的工序。
另外，根据本发明，提供一种有机树脂基板，其通过上述有机树脂基板的制造方法得到。
另外，根据本发明，提供一种半导体装置，其包括上述有机树脂基板。
发明效果
根据本发明，能够提供能够高成品率地制造能够用于电连接性优异并且小型化的半导体装置的制造的有机树脂基板的方法、利用该方法得到的有机树脂基板和使用上述有机树脂基板的半导体装置。
附图说明
图1是用于对第一实施方式的有机树脂基板的制造方法的一个例子进行说明的图。
图2是用于对第一实施方式的有机树脂基板的制造方法的一个例子进行说明的图。
图3是用于对第一实施方式的有机树脂基板的制造方法的一个例子进行说明的图。
图4是用于对第二实施方式的有机树脂基板的制造方法的一个例子进行说明的图。
图5是用于对第三实施方式的半导体装置的制造方法的一个例子进行说明的图。
图6是用于对第四实施方式的有机树脂基板的制造方法的一个例子进行说明的图。
图7是用于对第五实施方式的有机树脂基板的制造方法的一个例子进行说明的图。
图8是用于对第七实施方式的半导体装置的制造方法的一个例子进行说明的图。
具体实施方式
[第一实施方式]
本实施方式涉及有机树脂基板的制造方法。该有机树脂基板的制造方法(以下称为本制造方法)依次包含以下4个工序。第一工序为在基底基板上形成第一金属图案的工序(以下称为金属图案形成工序)。第二工序为形成覆盖第一金属图案的第一有机树脂膜的工序(以下称为有机树脂膜形成工序)。第三工序为将第一有机树脂膜研磨除去，使第一金属图案的上表面露出的工序(以下称为有机树脂膜除去工序)。第四工序为以与第一金属图案的至少一部分接触的方式形成导体部的工序(以下称为导体部形成工序)。
以下，参照图1～3对上述的各工序进行说明。此外，图1～3均为用于对本实施方式的有机树脂基板的制造方法的一个例子进行说明的图。
(金属图案形成工序)
参照图1对本实施方式的金属图案形成工序进行说明。
在本实施方式中，记载金属图案为金属配线的方式。在本实施方式中，为了形成金属图案而在绝缘性树脂膜设置的开口部为凹槽(槽)。另外，为了形成导体部而在绝缘性树脂膜设置的开口部为通孔(viahole)。
首先，如图1的(a)所示，准备基底基板10。该基底基板10在后述的制造工序中作为用于保持构成有机树脂基板的各层的平坦性的支承部件使用。基底基板10如后所述最终从所得到的有机树脂基板分离除去。这样的基底基板10优选具有平坦性、刚性和耐热性等特性。另外，作为基底基板10，例如可以使用金属板。作为该金属板的具体例子，可以举出：铜板、铝板、铁板、钢板、镍板、铜合金板、42合金板、不锈钢板等。此外，上述钢板可以为SPCC(Steel Plate ColdCommercial)等冷轧钢板的方式。另外，金属板可以为加工成框形状的单片的形态或环状的形态。
接着，如图1的(b)所示，在基底基板10上层叠绝缘层20(以下也称为绝缘性树脂膜20)。此外，关于形成上述的绝缘性树脂膜20的材料的详细情况，将在后面进行说明，例如可以使用感光性树脂组合物等。另外，在基底基板10上层叠绝缘性树脂膜20的方法可以适当采用与形成绝缘性树脂膜20的材料的形态相应的方法。在形成上述绝缘性树脂膜20的材料为液态的情况下，例如可以通过使用涂布机和旋转装置等将该材料涂布在基底基板10上后使其干燥来形成期望的绝缘性树脂膜20。在形成上述绝缘性树脂膜20的材料为膏状的情况下，例如可以通过实施印刷处理等在基底基板10上涂布该材料后使其干燥来形成期望的绝缘性树脂膜20。在形成上述绝缘性树脂膜20的材料为干膜的形态的情况下，例如可以通过利用层压机等使膜热压接在基底基板10上进行层压来形成期望的绝缘性树脂膜20。
接着，如图1的(c)所示，在基底基板10上的绝缘性树脂膜20的规定的区域设置开口部30。换言之，将绝缘性树脂膜20中形成金属图案的区域除去，由此，在基底基板10上的绝缘性树脂膜20，设置具有与目标的金属配线对应的图案的凹槽(槽)。在本实施方式中，该凹槽(trench)相当于开口部30。作为开口部30的形成方法，可以举出曝光显影法和激光加工法等。在使用曝光显影法的情况下，绝缘性树脂膜20需要含有感光剂。在曝光显影法中，首先进行对绝缘性树脂膜20中形成开口部30的区域和不形成开口部30的区域中的任一者有选择地照射光的曝光。然后，可以通过使用碱性水溶液等显影液进行显影来形成开口部30。然后，使绝缘性树脂膜20热固化。作为上述的曝光方法，可以举出：使掩膜图案密合并照射紫外线的方法、将激光直接照射到期望的区域的方法等。另一方面，在为了形成开口部30使用激光加工法的情况下，对设置开口部30的区域直接照射激光，利用激光的能量有选择地除去绝缘性树脂膜20。在该情况下，绝缘性树脂膜20不需要含有感光剂，对光的透射性也没有限制。
接着，如图1的(d)所示，在上述绝缘性树脂膜20上形成镀膜40，使得在绝缘性树脂膜20设置的开口部30由镀膜40填充。作为上述镀膜40的形成方法，能够使用公知的方法，能够使用电解镀层法或无电解镀层法等方法。例如，能够使用利用电镀铜将在绝缘性树脂膜20设置的开口部30用铜镀层填充的方法等。作为形成上述镀膜40的材料，可以举出铜、铜合金、42合金、镍、铁、铬、钨、金、焊料等。
接着，如图1的(e)所示，除去镀膜40，形成第一金属图案50。在除去镀膜40的工序中，在绝缘性树脂膜20上形成的镀膜40通过研磨被除去直至绝缘性树脂膜20的上表面露出，填充在开口部30中的镀膜40未被除去而残留。结果，能够形成被埋入在绝缘性树脂膜20中的第一金属图案50。作为研磨镀膜40的方法，可以举出使用化学机械研磨(CMP)装置的研磨。在本实施方式中，第一金属图案50可以为金属配线。
接着，如图1的(f)所示，将基底基板10上的绝缘性树脂膜20除去。作为绝缘性树脂膜20的除去方法，例如可以举出：使用剥离液将上述绝缘性树脂膜20剥离的方法、进行灰化处理将上述绝缘性树脂膜20除去的方法、在进行灰化处理后利用剥离液将附着在基底基板10上的绝缘性树脂膜20的残渣除去的方法等。其中，从提高有机树脂基板的生产效率的观点考虑，优选使用剥离液将上述绝缘性树脂膜20剥离的方法。另外，作为上述剥离液的具体例子，可以举出：含有烷基苯磺酸的有机磺酸类剥离液、含有单乙醇胺等有机胺的有机胺类剥离液、在水中混合有机碱或氟类化合物等而得到的水类抗蚀剂剥离液等。
(有机树脂膜形成工序和有机树脂膜除去工序)
参照图2对本实施方式的有机树脂膜形成工序和研磨工序进行说明。
首先，如图2的(a)所示，使用有机树脂膜形成用树脂组合物，以覆盖在基底基板10上形成的第一金属图案50的方式，在上述基底基板10上的整个区域形成第一有机树脂膜200。此外，关于有机树脂膜形成用树脂组合物的详细情况将在后面进行说明，例如能够使用含有热固性树脂的树脂组合物。作为在本实施方式中形成第一有机树脂膜200的方法，没有特别限定，可以举出传递成形法、压缩成形法、注塑成形法、层压法等。其中，为了在基底基板10上不残留未填充部分地用树脂组合物覆盖第一金属图案50，优选传递成形法或压缩成形法、层压法。因此，有机树脂膜形成用树脂组合物优选为颗粒、饼块(tablet)或片材(sheet)的形态。此外，在利用压缩成形法形成第一有机树脂膜200的情况下，可以使用粉粒状的树脂组合物。
以下，举出使用颗粒状的有机树脂膜形成用树脂组合物形成第一有机树脂膜200的情况为例，对有机树脂膜形成工序进行详细说明。
具体而言，在压缩成形模具的上模具和下模具之间设置收纳有颗粒状的有机树脂膜形成用树脂组合物的树脂材料供给容器。接着，将由图1的(f)所示的具有第一金属图案50的基底基板10利用如夹具、吸附那样的固定手段固定在压缩成型模具的上模具和下模具中的一个上。以下，举出以具有第一金属图案50的面与树脂材料供给容器相对的方式固定在压缩成型模具的上模具上的情况为例进行说明。
首先，在减压下使模具的上模具与下模具的间隔变窄，同时利用在树脂材料供给容器的底面设置的闸门(shutter)等树脂材料供给机构，将称量的颗粒状的有机树脂膜形成用树脂组合物供给到下模具具备的下模腔内。由此，颗粒状的有机树脂膜形成用树脂组合物在下模腔内被加热到规定温度成为熔融状态。接着，使模具的上模具和下模具结合，由此，将熔融状态的有机树脂膜形成用树脂组合物按压在被固定在上模具上的基底基板10上。由此，能够利用有机树脂膜形成用树脂组合物填充第一金属图案50，并且，能够利用熔融状态的有机树脂膜形成用树脂组合物覆盖基底基板10的形成有第一金属图案50的面。然后，在保持使模具的上模具和下模具结合的状态的同时，使有机树脂膜形成用树脂组合物固化。
在此，在进行压缩成形的情况下，优选对模具内进行减压而进行树脂密封，进一步优选为真空下。由此，能够在基底基板10上不残留未填充部分地用有机树脂膜形成用树脂组合物覆盖第一金属图案50。
压缩成形的成形温度没有特别限定，优选50～200℃，特别优选80～180℃。另外，成形压力没有特别限定，优选为0.5～12MPa，特别优选为1～10MPa。另外，成形时间优选为30秒～15分钟，特别优选为1～10分钟。通过使成形温度、压力、时间为上述范围，能够防止在基底基板10上产生没有填充熔融状态的有机树脂膜形成用树脂组合物的部分。
另外，利用上述方法得到的第一有机树脂膜200的玻璃化转变温度优选为100℃以上250℃以下，进一步优选为130℃以上220℃以下。当第一有机树脂膜200的玻璃化转变温度在上述范围内时，能够降低所得到的有机树脂基板的翘曲。
接着，如图2的(b)所示，将第一有机树脂膜200的整面研磨除去，使第一金属图案50的上表面露出。作为研磨第一有机树脂膜200的方法，可以举出使用化学机械研磨(CMP)装置的方法等。另外，在使用CMP装置研磨第一有机树脂膜200的情况下，能够通过调整使用的研磨剂中包含的磨粒和添加剂的种类、CMP装置具备的研磨垫的材质和硬度等条件，来控制第一有机树脂膜200的表面的平坦性。
(导体部形成工序)
参照图3对本实施方式的导体部形成工序进行说明。作为本制造方法中的导体部，可以举出金属配线、金属焊盘或焊料凸块等。以下，举出导体部为金属焊盘的情况为例，对导体部形成工序进行详细说明。
首先，如图3的(a)所示，以覆盖露出的第一金属图案50的上表面的方式，在第一有机树脂膜200和第一金属图案50上层叠绝缘性树脂膜210。此外，形成上述的绝缘性树脂膜210的材料，能够使用与形成参照图1的(b)说明的绝缘性树脂膜20的材料相同的材料。
接着，如图3的(b)所示，以使第一金属图案50的一部分露出的方式，在绝缘性树脂膜210的规定的区域设置开口部220。开口部220的形成方法能够使用与参照图1的(c)说明的开口部30的形成方法同样的方法。但是，用于制作金属焊盘的开口部220为通孔，用于制作第一金属图案(金属配线)的开口部30为凹槽。
接着，如图3的(c)所示，在绝缘性树脂膜210上所设置的开口部220中填充导电性材料形成第一导体部230。具体而言，与参照图1的(d)和图1的(e)说明的第一金属图案50的形成方法同样地，以在绝缘性树脂膜210上所设置的开口部220中填充导电性材料的方式，在绝缘性树脂膜210上形成导电性材料层。接着，通过研磨导电性材料层，将导电性材料层除去，直至绝缘性树脂膜210的上表面露出。由此，形成与第一金属图案50的露出面接触的第一导体部230。在此，作为上述导电性材料，可以举出铜、铜类合金、铝、铝类合金等金属和它们的合金。其中，从使所得到的有机树脂基板的电特性良好的观点考虑，作为上述导电性材料，优选使用铜或者铜类合金。
接着，如图3的(d)所示，将绝缘性树脂膜210除去。作为绝缘性树脂膜210的除去方法，能够与使用上述参照图1的(f)说明的方法同样的方法。
接着，如图3的(e)所示，使用有机树脂膜形成用树脂组合物，在第一有机树脂膜200和第一金属图案50上，以覆盖第一导体部230的方式形成第二有机树脂膜300。第二有机树脂膜300的形成方法能够使用与上述参照图2的(a)说明的方法同样的方法。
然后，如图3的(f)所示，将第二有机树脂膜300的整面研磨除去，使第一导体部230的上表面露出。作为研磨上述的第二有机树脂膜300的整面的方法，可以举出使用化学机械研磨(CMP)装置的方法等。
接着，如图3的(g)所示，通过将基底基板10分离而有选择地除去，得到2层结构的有机树脂基板1000。此外，上述的将基底基板10有选择地除去，是指将基底基板10的一部分或全部除去。作为除去基底基板10的方法，可以举出使用酸性液或碱性液进行化学蚀刻的方法、物理研磨的方法、物理剥离的方法、等离子体照射法、激光烧蚀法等。其中，优选使用酸性液或碱性液进行化学蚀刻的方法。此外，作为此时使用的上述酸性液的具体例子，可以举出混酸、氯化铁水溶液等。
以下，对本制造方法的效果进行说明。
根据本制造方法，与以往的制造工艺相比，能够高成品率地制造能够用于电连接性优异并且小型化的半导体装置的制造的有机树脂基板。另外，根据本制造方法，能够降低在金属图案和导电部的形成中使用的材料的使用量，因此，与以往的制造工艺相比，能够降低制造成本。此外，根据本制造方法，能够提高有机树脂膜的耐久性，因此，与以往的制造工艺相比，能够制作机械强度优异的配线基板。另外，使用利用本制造方法制作的有机树脂基板的半导体装置，可靠性优异。
[第二实施方式]
本实施方式涉及多层配线基板的制造方法。该制造方法，从图3的(f)所示的在基底基板10上形成有由第一有机树脂膜200、第一金属图案50、第二有机树脂膜300和第一导体部230构成的有机树脂基板1000的结构体出发制造多层配线基板。具体而言，在本实施方式的制造方法中，利用与在第一实施方式中说明的方法同样的方法，在图3的(f)所示的结构体上依次形成第二金属图案350、第三有机树脂膜400、第二导体部450和第四有机树脂膜500。在本实施方式中，也能够得到与第一实施方式同样的效果。
以下，参照图4对本实施方式的制造方法进行说明。此外，关于4层结构的有机树脂基板1200的制造方法将在后面进行说明，但本实施方式的制造方法并不限定于4层结构的多层配线基板。
首先，如图4的(a)所示，在图3的(f)所示的结构体上形成第二金属图案350。此外，第二金属图案350的形成方法能够采用与参照图1说明的第一金属图案50的形成方法同样的方法。
接着，如图4的(b)所示，使用有机树脂膜形成用树脂组合物，以覆盖第二金属图案350的方式形成第三有机树脂膜400。第三有机树脂膜400的形成方法能够使用与参照图2的(a)说明的第一有机树脂膜200的形成方法同样的方法。接着，将第三有机树脂膜400研磨除去，使第二金属图案350的上表面露出。该工序能够使用参照图2的(b)说明的方法实施。
接着，如图4的(c)所示，以与第二金属图案350的至少一部分接触的方式形成第二导体部450。第二导体部450的形成方法能够使用与参照图3的(a)～(c)说明的第一导体部230的形成方法同样的方法。
接着，如图4的(d)所示，使用有机树脂膜形成用树脂组合物，在第三有机树脂膜400和第二金属图案350上，以覆盖第二导体部450的方式形成第四有机树脂膜500。第四有机树脂膜500的形成方法能够使用与参照图2的(a)说明的第一有机树脂膜200的形成方法同样的方法。接着，将第三有机树脂膜400研磨除去，使第二导体部450的上表面露出。该工序能够使用参照图2的(b)说明的方法实施。
然后，如图4的(e)所示，通过将基底基板10分离除去，得到4层结构的有机树脂基板1200。此外，在制造多于4层的有机树脂基板的情况下，只要利用与参照图1～3说明的方法同样的方法在图4的(d)所示的结构体上形成各层的金属图案、导体部和有机树脂膜即可。
[第三实施方式]
本实施方式涉及半导体装置的制造方法。参照图5对该制造方法进行说明。以下，举出从图4的(e)所示的有机树脂基板1200出发制造半导体装置的情况为例，对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。在本实施方式中，也能够得到与第一实施方式同样的效果。
首先，如图5的(a)所示，使焊料凸块600的端部在有机树脂基板1200的第二导体部450的露出面熔融以熔接。
接着，如图5的(b)所示，经由焊料凸块600将半导体元件650配设并固定在有机树脂基板1200上。另外，在有机树脂基板1200上，除了半导体元件650以外，例如还可以配设有作为电阻或电容起作用的电子部件等。作为上述半导体元件650，可以举出由半导体晶片切出的LSI芯片等。另外，有机树脂基板1200的第二导体部450与半导体元件650的连接焊盘通过焊料凸块600电连接。另外，第二导体部450与半导体元件650的连接焊盘的电连接，也可以代替焊料凸块600而使用接合线或引线进行。
接着，如图5的(c)所示，以覆盖有机树脂基板1200的上表面、焊料凸块600和半导体元件650中与上述焊料凸块600连接的面的方式，使用密封树脂700进行模塑(mold)。作为该密封树脂700，例如能够使用含有环氧基的树脂组合物等。作为用密封树脂700进行模塑的方法，能够使用传递成形法、注塑成形法、转印法、涂布法等。通过将密封树脂在例如150℃以上200℃以下进行加热使其固化。由此，能够制造本实施方式的半导体装置1400。
[第四实施方式]
本实施方式涉及有机树脂基板的制造方法。该制造方法中，形成第一金属图案50的方法与第一实施方式不同。具体而言，本制造方法，采用在基底基板10上形成第一金属膜110后，以使该第一金属膜110的规定的区域残留的方式，将上述第一金属膜110有选择地除去而形成第一金属图案50的方法，在这一点上与第一实施方式不同。但是，在本实施方式中，也能够得到与第一实施方式同样的效果。另外，根据本制造方法，能够简化金属图案的制造工序，因此，也能够提高有机树脂基板的制造效率。此外，本制造方法在制作多层配线基板的情况下也能够使用。
参照图6对本制造方法的金属图案形成工序进行说明。
首先，如图6的(a)所示，准备基底基板10。作为基底基板10，能够使用与第一实施方式同样的基板。接着，如图6的(b)所示，在基底基板10上层叠第一金属膜110。接着，如图6的(c)所示，将第一金属膜110有选择地除去，得到具有第一金属图案的第一金属膜110。具有规定的图案的第一金属膜作为金属配线起作用。作为将第一金属膜110的规定的区域有选择地除去而形成金属图案的方法，能够使用该领域中通常使用的蚀刻等方法。
[第五实施方式]
本实施方式涉及有机树脂基板的制造方法。该制造方法依次包括以下4个工序。第一工序为在基底基板上形成第一金属图案的工序(以下称为第一金属图案形成工序)。第二工序为以与第一金属图案的至少一部分接触的方式形成导体部的工序(以下称为导体部形成工序)。第三工序为形成覆盖第一金属图案和第一导体部的第一有机树脂膜的工序(以下称为有机树脂膜形成工序)。第四工序为将第一有机树脂膜的整面研磨除去，使第一导体部的上表面露出的工序(以下称为有机树脂膜除去工序)。该制造方法，在形成第一金属图案和第一导体部后形成第一有机树脂膜这一点上与第一实施方式不同。但是，在本实施方式中也能够得到与第一实施方式同样的效果。另外，根据本实施方式的制造方法，能够使用有机树脂膜形成用树脂组合物一体地覆盖第一金属图案和第一导体部，因此，也能够提高有机树脂基板的机械强度。
参照图7对本制造方法进行详细说明。此外，图7是用于对本实施方式的有机树脂基板的制造方法的一个例子进行说明的图。
首先，如图7的(a)所示，准备包括在其中形成有第一金属图案50的绝缘性树脂膜20的基底基板10(图1的(e)所示)。在本实施方式中，除了在形成第一金属图案50后不将绝缘性树脂膜20除去而使其残留这一点以外，能够使用与参照图1说明的方法同样的方法。
接着，如图7的(b)所示，以与第一金属图案50的至少一部分接触的方式形成第一导体部230。该第一导体部230的形成方法与参照图3的(a)～(c)说明的方法同样。在本实施方式中，除了在形成第一导体部230后不将绝缘性树脂膜210除去而使其残留这一点以外，能够使用与参照图3的(a)～(c)说明的方法同样的方法。
接着，如图7的(c)所示，除去绝缘性树脂膜20和210。绝缘性树脂膜20和210的除去方法，能够使用与参照图1的(f)说明的绝缘性树脂膜20的除去方法同样的方法。
接着，如图7的(d)所示，使用有机树脂膜形成用树脂组合物，以覆盖第一金属图案50和第一导体部230的方式形成有机树脂膜170。由此，能够使用有机树脂膜形成用树脂组合物一体地覆盖第一金属图案50和第一导体部230。此外，有机树脂膜170的形成方法能够使用与参照图2的(a)说明的第一有机树脂膜200的形成方法同样的方法。
然后，如图7的(e)所示，在将有机树脂膜170的整面研磨除去，使第一导体部230的上表面露出后，如图7的(f)所示，将基底基板10分离除去，由此，得到2层结构的有机树脂基板1100。
[第六实施方式]
本实施方式涉及多层配线基板的制造方法。该制造方法，从图7的(e)所示的在基底基板10上形成有由有机树脂膜170、第一金属图案50和第一导体部230构成的有机树脂基板1100的结构体出发，制造在上述结构体上利用与第五实施方式中说明的方法同样的方法形成有使用有机树脂膜形成用树脂组合物一体地覆盖第二金属图案350和第二导体部450的层的2层结构的有机树脂基板，在这一点上与第二实施方式不同。在采用该制造方法的情况下，也能够得到与第一实施方式同样的效果。
[第七实施方式]
本实施方式涉及半导体装置的制造方法。参照图8对该制造方法进行说明。以下，举出从图4的(e)所示的有机树脂基板1200出发制造半导体装置的情况为例，对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。但是，在本实施方式中也能够得到与第一实施方式同样的效果。
本实施方式的半导体装置的制造方法，在经由焊料凸块600在有机树脂基板1200的第一金属图案50上配设半导体元件650这一点上与第三实施方式不同。具体而言，根据本实施方式的半导体装置的制造方法，首先，如图8的(a)所示，使焊料凸块600的端部在第一金属图案50的露出面熔融以熔接。接着，如图8的(b)所示，经由焊料凸块600将半导体元件650配设并固定在有机树脂基板1200上。接着，如图8的(c)所示，以覆盖有机树脂基板1200的下表面、焊料凸块600和半导体元件650中与上述焊料凸块600连接的面的方式，使用密封树脂700进行模塑。由此，能够制造本实施方式的半导体装置1500。
[在有机树脂基板的制造工艺中使用的材料]
以下，对形成绝缘性树脂膜20或210的材料和有机树脂膜形成用树脂组合物的构成进行说明。
＜形成绝缘性树脂膜20或210的材料＞
作为形成绝缘性树脂膜20或210的材料，能够使用镀层抗蚀剂中使用的公知的材料，例如可以举出光致抗蚀剂、抗蚀剂墨水、干膜等感光性材料。此外，上述感光性树脂组合物可以为负型，也可以为正型。
＜有机树脂膜形成用树脂组合物＞
有机树脂膜形成用树脂组合物优选含有热固性树脂和填充材料。作为热固性树脂，优选使用环氧树脂。作为上述环氧树脂，能够与其分子量、分子结构无关地使用在1分子内具有2个以上环氧基的所有的单体、低聚物、聚合物。作为这样的环氧树脂的具体例子，能够包含选自以下物质中的一种或二种以上：双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚E型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚M型环氧树脂(4,4’-(1,3-亚苯基二异亚丙基)双酚型环氧树脂)、双酚P型环氧树脂(4,4’-(1,4-亚苯基二异亚丙基)双酚型环氧树脂)、双酚Z型环氧树脂(4,4’-环己二烯双酚型环氧树脂)等双酚型环氧树脂；苯酚酚醛清漆型环氧树脂、溴化苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、四酚基乙烷型酚醛清漆型环氧树脂、具有稠环芳香族烃结构的酚醛清漆型环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂；联苯型环氧树脂；亚二甲苯基型环氧树脂、联苯芳烷基型环氧树脂等芳烷基型环氧树脂；亚萘基醚型环氧树脂、萘酚型环氧树脂、萘型环氧树脂、萘二酚型环氧树脂、2官能～4官能环氧型萘树脂、联萘型环氧树脂、萘芳烷基型环氧树脂等具有萘骨架的环氧树脂；蒽型环氧树脂；苯氧基型环氧树脂；二环戊二烯型环氧树脂；降冰片烯型环氧树脂；金刚烷型环氧树脂；芴型环氧树脂、含磷环氧树脂、脂环式环氧树脂、脂肪族链状环氧树脂、双酚A酚醛清漆型环氧树脂、联二甲苯酚型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四酚基乙烷型环氧树脂、三缩水甘油基异氰脲酸酯等杂环式环氧树脂；N,N,N’,N’-四缩水甘油基间二甲苯二胺、N,N,N’,N’-四缩水甘油基二氨基甲基环己烷、N,N-二缩水甘油基苯胺等缩水甘油基胺类、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯和具有乙烯性不饱和双键的化合物的共聚物、具有丁二烯结构的环氧树脂、双酚的二缩水甘油醚化物、萘二酚的二缩水甘油醚化物、酚类的缩水甘油醚化物。在这些物质中，从提高与金属图案或导体部的密合性的观点考虑，更优选含有三羟基苯基甲烷型环氧树脂、联苯型环氧树脂。由此，也能够实现有机树脂基板的低线膨胀化和高弹性模量化。另外，也能够提高有机树脂基板的刚性从而有助于作业性的提高，能够实现半导体装置的耐回流性的提高和翘曲的抑制。
环氧树脂的含量例如相对于有机树脂膜形成用树脂组合物的总固体成分优选为3质量％以上，更优选为5质量％以上。通过使环氧树脂的含量为上述下限值以上，能够有助于使用有机树脂膜形成用树脂组合物形成的有机树脂膜与金属图案以及导电体的密合性的提高。另一方面，环氧树脂的含量例如相对于有机树脂膜形成用树脂组合物的总固体成分优选为30质量％以下，更优选为20质量％以下。通过使环氧树脂的含量为上述上限值以下，能够实现使用有机树脂膜形成用树脂组合物形成的有机树脂膜的耐热性和耐湿性的提高。此外，有机树脂膜形成用树脂组合物的总固体成分是指除有机树脂膜形成用树脂组合物中含有的溶剂以外的成分整体。以下在本说明书中同样。
另外，上述有机树脂膜形成用树脂组合物可含有固化剂。具体而言，作为上述固化剂，可以举出：亚乙基二胺、三亚甲基二胺、四亚甲基二胺、六亚甲基二胺等碳原子数2～20的直链脂肪族二胺；间苯二胺、对苯二胺、对二甲苯二胺、4,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯基丙烷、4,4’-二氨基二苯醚、4,4’-二氨基二苯基砜、4,4’-二氨基二环己烷、双(4-氨基苯基)苯基甲烷、1,5-二氨基萘、间二甲苯二胺、对二甲苯二胺、1,1-双(4-氨基苯基)环己烷、双氰胺等氨基类；苯胺改性甲阶酚醛树脂和二甲基醚甲阶酚醛树脂等甲阶酚醛型酚醛树脂；苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂；含有亚苯基骨架的苯酚芳烷基树脂、含有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基树脂等苯酚芳烷基树脂；具有如萘骨架和蒽骨架那样的稠环结构的酚醛树脂；聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯；酸酐，包括六氢邻苯二甲酸酐(HHPA)、甲基四氢邻苯二甲酸酐(MTHPA)等脂环族酸酐，偏苯三甲酸酐(TMA)、均苯四甲酸酐(PMDA)、二苯甲酮四酸二酐(BTDA)等芳香族酸酐等；多硫化物、硫酯、硫醚等聚硫醇化合物；异氰酸酯预聚物、封端异氰酸酯等异氰酸酯化合物；含羧酸的聚酯树脂等有机酸类。这些物质可以单独使用1种，也可以将2种以上组合使用。另外，在这些物质中，从可靠性等的观点考虑，优选在1分子内具有至少2个酚性羟基的化合物，作为这样的化合物，可例示：苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂；甲阶酚醛型酚醛树脂；聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯；含有亚苯基骨架的苯酚芳烷基树脂、含有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基树脂、三羟基苯基甲烷型酚醛树脂等。
作为上述有机树脂膜形成用树脂组合物中所使用的填充材料的具体例子，可以举出：熔融破碎二氧化硅、熔融球状二氧化硅、结晶二氧化硅、二次凝聚二氧化硅等二氧化硅；氧化铝；钛白；氢氧化铝；滑石；粘土；云母；玻璃纤维等。在这些物质中，特别优选熔融球状二氧化硅。另外，颗粒形状没有限定优选为真球状。另外，能够通过将颗粒的大小不同的填充材料混合来增多无机填充量，但是当考虑模腔内的向金属图案周边的填充性时，其平均粒径d50优选为0.1μm以上20μm以下。
此外，填充材料的平均粒径d50例如能够使用激光衍射式粒度分布测定装置(HORIBA株式会社制造的LA-500)进行测定。
有机树脂膜形成用树脂组合物例如可含有氰酸酯树脂。由此，能够实现有机树脂膜的低线膨胀化、弹性模量和刚性的提高。另外，也能够有助于所得到的半导体装置的耐热性和耐湿性的提高。
氰酸酯树脂例如能够含有选自以下物质中的一种或二种以上：酚醛清漆型氰酸酯树脂；双酚A型氰酸酯树脂、双酚E型氰酸酯树脂、四甲基双酚F型氰酸酯树脂等双酚型氰酸酯树脂；通过萘酚芳烷基型酚醛树脂与卤化氰的反应得到的萘酚芳烷基型氰酸酯树脂；二环戊二烯型氰酸酯树脂；联苯烷基型氰酸酯树脂。在这些物质中，从提高有机树脂膜的低线膨胀化、弹性模量和刚性的观点考虑，更优选含有酚醛清漆型氰酸酯树脂和萘酚芳烷基型氰酸酯树脂中的至少一者，特别优选含有酚醛清漆型氰酸酯树脂。
氰酸酯树脂的含量例如相对于有机树脂膜形成用树脂组合物的总固体成分优选为3质量％以上，更优选为5质量％以上。通过使氰酸酯树脂的含量为上述下限值以上，能够实现使用有机树脂膜形成用树脂组合物形成的有机树脂膜的更有效的低线膨胀化和高弹性模量化。另外，能够提高使用有机树脂膜形成用树脂组合物形成的有机树脂膜与金属图案以及导电体的密合性。另一方面，氰酸酯树脂的含量例如相对于有机树脂膜形成用树脂组合物的总固体成分优选为30质量％以下，更优选为20质量％以下。通过使氰酸酯树脂的含量为上述上限值以下，能够实现使用有机树脂膜形成用树脂组合物形成的有机树脂膜的耐热性和耐湿性的提高。
上述有机树脂膜形成用树脂组合物中可以含有固化促进剂。该固化促进剂只要为促进环氧基与固化剂的固化反应的物质即可。具体而言，作为上述固化促进剂，可以举出：1,8-二氮杂双环(5,4,0)十一碳烯-7等二氮杂双环烯烃及其衍生物；三丁基胺、苄基二甲基胺等胺类化合物；2-甲基咪唑等咪唑化合物；三苯基膦、甲基二苯基膦等有机膦类；四苯基硼酸四苯基鏻、四苯甲酸硼酸四苯基鏻、四萘甲酸硼酸四苯基鏻、四萘甲酰基硼酸四苯基鏻、四萘氧基硼酸四苯基鏻等四取代硼酸四取代鏻；对苯醌进行加成而得到的三苯基膦等。这些物质可以单独使用1种，也可以将2种以上组合使用。作为更优选的物质，可以举出颗粒状的有机树脂膜形成用树脂组合物在模腔内熔融后的急剧的增粘少的固化促进剂。
在上述有机树脂膜形成用树脂组合物中，除了上述各成分以外，可以根据需要添加选自偶联剂、流平剂、着色剂、脱模剂、低应力剂、感光剂、消泡剂、紫外线吸收剂、发泡剂、抗氧化剂、阻燃剂和离子捕捉剂等中的一种或二种以上的添加物。作为偶联剂，例如可以举出：环氧硅烷偶联剂、阳离子硅烷偶联剂、氨基硅烷偶联剂、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷偶联剂、苯基氨基丙基三甲氧基硅烷偶联剂、巯基硅烷偶联剂等硅烷偶联剂、钛酸酯类偶联剂和硅油型偶联剂等。作为流平剂，可以举出丙烯酸类共聚物等。作为着色剂，可以举出炭黑等。作为脱模剂，可以举出天然蜡、褐煤酸酯等合成蜡、高级脂肪酸或者其金属盐类、石蜡、氧化聚乙烯等。作为低应力剂，可以举出硅油、硅橡胶等。作为离子捕捉剂，可以举出水滑石等。作为阻燃剂，可以举出氢氧化铝等。
如上所述，有机树脂膜形成用树脂组合物优选为颗粒、饼块(tablet)或片材(sheet)的形态。
作为得到上述的颗粒状的树脂组合物的方法，例如可以举出：向由具有多个小孔的圆筒状的外周部和圆盘状的底面构成的转子的内侧供给熔融混炼后的树脂组合物，利用使转子转动而得到的离心力使该树脂组合物通过小孔而得到的方法(以下也称为“离心制粉法”)；对将各原料成分在混合器中预混合后，利用辊、捏合机或挤出机等混炼机加热混炼后，经冷却、粉碎工序制成粉碎物而得到的物质，使用筛子进行粗粒和微粉的除去而得到的方法(以下也称为“粉碎筛分法”)；对将各原料成分在混合器中预混合后，使用在螺杆前端部设置有配置有多个小径的模头的挤出机进行加热混炼，并且从配置在模头上的小孔呈线状挤出的熔融树脂，利用与模头表面大致平行地滑动转动的刀具进行切断而得到的方法(以下也称为“热切割法”)等。在使用任一方法的情况下，均能够通过调整混炼条件、离心条件、筛分条件、切断条件等来得到具有期望的粒度分布和颗粒密度的颗粒状树脂组合物。作为特别优选的制法，为离心制粉法，利用该制造方法能够稳定地制造具有期望的粒度分布和颗粒密度的颗粒状的树脂组合物。另外，这样的颗粒状的树脂组合物能够颗粒彼此不固着地进行输送。另外，利用离心制粉法得到的颗粒状的树脂组合物，颗粒表面比较光滑，因此，不会产生颗粒彼此挂住或者与输送路面的摩擦阻力增大，另外，不会产生向输送路径的供给口的堵塞(堵塞)或者在输送路径上滞留。另外，在离心制粉法中，从熔融的状态使用离心力形成，因此，成为在颗粒内某种程度地含有空隙的状态，能够某种程度降低颗粒密度，因此，对压缩成形中的输送性有利。
另一方面，粉碎筛分法虽然需要对利用筛分产生的大量的微粉和粗粒的处理方法进行研究，但是，筛分装置等已在半导体密封用树脂组合物的现有生产线中使用，因此，在能够直接使用以往的生产线这一点上优选。另外，就粉碎筛分法而言，粉碎前将熔融树脂片材化时的片材厚的选择、粉碎时的粉碎条件和丝网(screen)的选择、筛分时的筛的选择等用于表现出本发明的粒度分布的能够独立控制的因素多，因此，用于调整为期望的粒度分布的手段的选择项多，在这一点上优选。另外，热切割法，例如能够以在挤出机的前端附加热切割机构的程度，直接利用以往的生产线，在这一点上也优选。
作为得到上述的饼块状的树脂组合物的方法，例如对将各原料成分在混合器等混合机中混合，进一步用辊、捏合机或挤出机等混炼机加热熔融混炼，冷却后粉碎而得到的物质，压片成型为饼块状而得到。
作为得到上述的片材状的树脂组合物的方法，可以举出例如制备将各原料成分或事先混合各成分而得到的树脂组合物溶解或分散在有机溶剂等中而得到的清漆，涂布在膜上干燥而形成为片材状的方法。涂布的方法没有特别限定，可以举出：使用逗号涂布机(comma coater)和模头涂布机(die coater)那样的涂布机的涂布方法、孔版印刷和凹版印刷那样的印刷方法等。或者，也可以通过将树脂组合物直接在捏合机等中混炼来制备混炼物，对所得到的混炼物进行挤出形成为片材状。
另外，在上述实施方式中，举出在形成有机树脂膜时使用颗粒状的树脂组合物进行压缩成形的情况为例进行了说明，但是也可以使用加工为片材状的有机树脂膜形成用树脂组合物利用以下的方法进行压缩成形。
将形成有第一金属图案50的基底基板10利用如夹具、吸附那样的固定手段固定在压缩成形模具的上模具和下模具中的一个上。以下，举出以在基底基板10上形成的具有第一金属图案50的面与树脂材料供给容器相对的方式固定在压缩成型模具的上模具上的情况为例进行说明。
接着，以成为与在模具的上模具上固定的基底基板10上所形成的第一金属图案50对应的位置的方式，在模具的下模腔内配置片材状的有机树脂膜形成用树脂组合物。接着，在减压下，使模具的上模具与下模具的间隔变窄，由此，片材状的有机树脂膜形成用树脂组合物在下模腔内被加热到规定温度，成为熔融状态。然后，通过使模具的上模具和下模具结合，将熔融状态的有机树脂膜形成用树脂组合物按压在被固定在上模具上的基底基板10上所形成的第一金属图案50上。由此，能够利用有机树脂膜形成用树脂组合物填埋第一金属图案50，并且能够利用熔融状态的有机树脂膜形成用树脂组合物覆盖基底基板10中形成有第一金属图案50的面。然后，在保持使模具的上模具和下模具结合的状态的同时，花费规定时间使有机树脂膜形成用树脂组合物固化。由此，能够形成第一有机树脂膜200。
另外，加工为片材状的有机树脂膜形成用树脂组合物例如也能够利用以下的方法进行层压。
首先，将以卷形状准备的片材状的有机树脂膜形成用树脂组合物安装在真空加压式层压机的卷出装置上，连接至卷取装置。接着，将形成有第一金属图案50的基底基板10输送至膜片(弹性膜)式层压机部。接着，当在减压下开始压制时，片材状的有机树脂膜形成用树脂组合物被加热到规定温度，成为熔融状态，然后，通过将熔融状态的有机树脂膜形成用树脂组合物经由膜片进行压制而按压在基底基板10上所形成的第一金属图案50上，由此，能够利用有机树脂膜形成用树脂组合物填埋第一金属图案50，并且能够利用熔融状态的有机树脂膜形成用树脂组合物覆盖基底基板10中形成有第一金属图案50的面。然后，花费规定时间使有机树脂膜形成用树脂组合物固化。由此，能够形成第一有机树脂膜200。
此外，在对有机树脂膜形成用树脂组合物要求更高精度的平坦性的情况下，也能够在用膜片式层压机压制后，追加利用被调整为高精度的平坦压制装置的压制工序进行成型。
另外，在形成第一有机树脂膜200时，也可以使用被加工为饼块状的有机树脂膜形成用树脂组合物利用以下的方法进行传递成形。
首先，准备设置有形成有第一金属图案50的基底基板10的成形模具。在此准备的成形模具具备：装入饼块状的有机树脂膜形成用树脂组合物的锅；具备为了然后施加压力使有机树脂膜形成用树脂组合物熔融而插入锅中的辅助压头的柱塞；和将熔融的有机树脂膜形成用树脂组合物送入成形空间内的直浇道。
接着，在关闭成形模具的状态下，在锅内装入饼块状的有机树脂膜形成用树脂组合物。在此，装入锅内的有机树脂膜形成用树脂组合物的形态，可以通过预先利用预热器等进行预热而形成为半熔融的状态。接着，为了使装入锅内的有机树脂膜形成用树脂组合物熔融，将具备辅助压头的柱塞插入锅中对有机树脂膜形成用树脂组合物施加压力。然后，将熔融的有机树脂膜形成用树脂组合物经由直浇道导入成形空间内。接着，通过对填充在成形空间内的有机树脂膜形成用树脂组合物进行加热加压来进行固化。在有机树脂膜形成用树脂组合物固化后，打开成形模具，由此，能够利用有机树脂膜形成用树脂组合物填埋第一金属图案50，并且能够形成基底基板10中形成有第一金属图案50的面由熔融状态的有机树脂膜形成用树脂组合物覆盖的第一有机树脂膜200。
以上对本发明的实施方式进行了说明，但是这些实施方式为本发明的示例，也能够采用上述以外的各种构成。
实施例
以下，利用实施例和比较例对本发明进行说明，但是本发明并不限定于这些。
＜实施例1＞
使用按照下述表1所示的配合量配合各成分而得到的有机树脂膜形成用树脂组合物，以在第一实施方式和第二实施方式(参照图1～4)中说明的方法制作有机树脂基板后，以在第三实施方式(参照图5)中说明的方法制作半导体装置。
[表1]
配合原料 配合量[重量％]
二氧化硅1 68.85
二氧化硅2 5
二氧化硅3 5
苯基氨基丙基三甲氧基硅烷 1
联苯型环氧树脂 4.01
三羟基苯基甲烷型环氧树脂 4.01
三羟基苯基甲烷型酚醛树脂 4.27
固化促进剂 0.36
氢氧化铝 7
褐煤酸酯 0.2
碳 0.3
在上述表1所示的有机树脂膜形成用树脂组合物的原料成分中，作为二氧化硅1～3，分别使用具有以下的特性的二氧化硅。
·二氧化硅1：平均粒径d50为4μm的颗粒
·二氧化硅2：平均粒径d50为0.5μm的颗粒
·二氧化硅3：平均粒径d50为1.5μm的颗粒
对于所得到的有机树脂基板，使用电检查器对有机树脂基板的各接合点的导通进行了测定。其结果，实施例1的有机树脂基板，电连接性优异。另外，在有机树脂基板中形成的有机树脂膜的玻璃化转变温度为170℃。另外，所得到的半导体装置即使在高温使用时也没有上述有机树脂基板的翘曲，机械强度和电连接性优异。
＜实施例2＞
使用将下述表2所示的配合量的各成分配合而得到的有机树脂膜形成用树脂组合物，以在第一实施方式和第二实施方式(参照图1～4)中说明的方法制作有机树脂基板后，以在第三实施方式(参照图5)中说明的方法制作半导体装置。此外，下述表2所示的二氧化硅1～3使用与实施例1相同的物质。
[表2]
配合原料 配合量[重量％]
二氧化硅1 68.85
二氧化硅2 5
二氧化硅3 5
苯基氨基丙基三甲氧基硅烷 0.8
巯基硅烷 0.2
联苯型环氧树脂 4.01
三羟基苯基甲烷型环氧树脂 4.01
三羟基苯基甲烷型酚醛树脂 4.27
固化促进剂 0.36
氢氧化铝 7
褐煤酸酯 0.2
碳 0.3
对于所得到的有机树脂基板，使用电检查器对有机树脂基板的各接合点的导通进行了测定。其结果，实施例2的有机树脂基板具有优异的电连接性。另外，在有机树脂基板中形成的有机树脂膜的玻璃化转变温度为170℃。另外，所得到的半导体装置即使在高温使用时也没有上述有机树脂基板的翘曲，机械强度和电连接性优异。
本申请主张以2015年3月26日提出申请的日本申请特愿2015-63717号为基础的优先权，在此援用其全部公开内容。

Claims (15)

1.一种有机树脂基板的制造方法，其特征在于，依次包括以下工序：
在基底基板上形成第一金属图案的工序；
形成覆盖所述第一金属图案的第一有机树脂膜的工序；
将所述第一有机树脂膜研磨除去，使所述第一金属图案的上表面露出的工序；和
以与所述第一金属图案的至少一部分接触的方式形成第一导体部的工序。
2.一种有机树脂基板的制造方法，其特征在于，依次包括以下工序：
在基底基板上形成第一金属图案的工序；
以与所述第一金属图案的至少一部分接触的方式形成第一导体部的工序；
形成覆盖所述第一金属图案和所述第一导体部的第一有机树脂膜的工序；和
将所述第一有机树脂膜研磨除去，使所述第一导体部的上表面露出的工序。
3.根据权利要求1或2所述的有机树脂基板的制造方法，其特征在于：
形成所述第一金属图案的工序包括以下工序：
在所述基底基板上形成绝缘层的工序；
在所述绝缘层设置开口的工序；
在所述绝缘层上形成金属镀膜，用金属镀膜填充所述开口的工序；和
研磨所述金属镀膜，将所述绝缘层上的所述金属镀膜除去，并且使填充在所述开口中的所述金属镀膜残留，由此形成第一金属图案的工序。
4.根据权利要求1或2所述的有机树脂基板的制造方法，其特征在于：
形成所述第一金属图案的工序包括以下工序：
在所述基底基板上形成第一金属膜的工序；和
有选择地除去所述第一金属膜形成第一金属图案的工序。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的有机树脂基板的制造方法，其特征在于：
还包括在形成所述第一导体部的工序之后，除去所述基底基板的工序。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的有机树脂基板的制造方法，其特征在于，依次包括以下工序：
在形成所述第一导体部的工序或使所述第一导体部的上表面露出的工序之后，以与所述第一导体部接触的方式形成第二金属图案的工序；
形成覆盖所述第二金属图案的第二有机树脂膜的工序；
将所述第二有机树脂膜研磨除去，使所述第二金属图案的上表面露出的工序；和
以与所述第二金属图案中的至少一部分接触的方式形成第二导体部的工序。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的有机树脂基板的制造方法，其特征在于，依次包括以下工序：
在形成所述第一导体部的工序或使所述第一导体部的上表面露出的工序之后，以与所述第一导体部接触的方式形成第二金属图案的工序；
以与所述第二金属图案的至少一部分接触的方式形成第二导体部的工序；
形成覆盖所述第二金属图案和所述第二导体部的第二有机树脂膜的工序；和
将所述第二有机树脂膜研磨除去，使所述第二导体部的上表面露出的工序。
8.根据权利要求6或7所述的有机树脂基板的制造方法，其特征在于：
还包括在使所述第二导体部的上表面露出的工序或使所述第二导体部的上表面露出的工序之后，除去所述基底基板的工序。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的有机树脂基板的制造方法，其特征在于：
形成所述第一有机树脂膜的工序或形成所述第二有机树脂膜的工序包括以下工序：
准备含有热固性树脂和填充材料的树脂组合物的工序；
用所述树脂组合物覆盖所述第一金属图案或所述第二金属图案的工序；和
使所述树脂组合物固化形成所述第一有机树脂膜或所述第二有机树脂膜的工序。
10.根据权利要求9所述的有机树脂基板的制造方法，其特征在于：
所述树脂组合物为颗粒、饼块或片材的形态。
11.根据权利要求9或10所述的有机树脂基板的制造方法，其特征在于：
所述填充材料的平均粒径d50为0.1μm以上20μm以下。
12.根据权利要求9～11中任一项所述的有机树脂基板的制造方法，其特征在于：
所述树脂组合物含有硅烷偶联剂。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的有机树脂基板的制造方法，其特征在于：
所述第一有机树脂膜或所述第二有机树脂膜的玻璃化转变温度为100℃以上250℃以下。
14.一种有机树脂基板，其特征在于：
通过权利要求1～13中任一项所述的有机树脂基板的制造方法得到。
15.一种半导体装置，其特征在于：
包括权利要求14所述的有机树脂基板。
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